JP2005108841A - 低圧放電ランプの点灯方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】点灯装置に接続されている低圧放電ランプの形式を簡単に識別可能にする。
【解決手段】少なくとも1つの低圧放電ランプ(LP)のランプ電極(E1,E2)が、少なくとも1つの低圧放電ランプ(LP)のガス放電の開始前の加熱期間中に、可制御スイッチング手段(T3)によりスイッチングされる1次電流で駆動される変圧器(P1,S1,S2)により加熱電流を供給され、少なくとも1つのランプ電極(E1,E2)の電気抵抗の変化が監視される、インバータによる少なくとも1つの低圧放電ランプの点灯方法において、可制御スイッチング手段(T3)は第1のインバータスイッチング手段(T1)と同期してスイッチングされ、変圧器(P1,S1,S2)の1次側に配置されている抵抗要素(R1)により、加熱期間中の少なくとも2つの異なる時点で抵抗要素(R1)の電圧降下が評価されることによって、少なくとも1つのランプ電極(E1,E2)の電気抵抗の変化が求められる。
【選択図】図1

Description

本発明は、請求項1の前文に記載された少なくとも1つの低圧放電ランプの点灯方法に関する。
ハーフブリッジインバータによる低圧放電ランプの点灯回路装置および方法は公知である(例えば、特許文献1参照)。これによれば、少なくとも1つの低圧放電ランプのランプ電極が、少なくとも1つの低圧放電ランプにおけるガス放電の開始前の加熱期間中に、可制御スイッチング手段によりスイッチングされる1次電流により駆動される変圧器により加熱電流を供給され、点灯装置に接続されている低圧放電ランプの形式を識別するために、少なくとも1つのランプ電極の電気抵抗の変化が監視される。ランプ電極の電気抵抗の変化は、変圧器の2次側に配置されている抵抗により監視される。
国際公開第00/72640号パンフレット
本発明の課題は、点灯装置に接続されている低圧放電ランプの形式を識別するための簡単な方法を提供することにある。
この課題は、本発明によれば、請求項1の特徴事項によって解決される。本発明の特に有利な実施態様は従属請求項に記載されている。
本発明によれば、少なくとも1つの低圧放電ランプのランプ電極が、少なくとも1つの低圧放電ランプのガス放電の開始前の加熱期間中に、可制御スイッチング手段によりスイッチングされる1次電流で駆動される変圧器により加熱電流を供給され、少なくとも1つのランプ電極の電気抵抗の変化が監視される、インバータによる少なくとも1つの低圧放電ランプの点灯方法において、可制御スイッチング手段は第1のインバータスイッチング手段と同期してスイッチングされ、変圧器の1次側に配置されている抵抗要素により、加熱期間中の少なくとも2つの異なる時点で抵抗要素の電圧降下が評価されることによって、少なくとも1つのランプ電極における電気抵抗の変化が求められる。
本発明による方法に従って、ランプ電極の予熱期間中にランプ形式を識別するために、変圧器の1次巻線を通る電流が評価され、変圧器の2次側における加熱電流は評価されない。それによって、変圧器の2次側における測定装置をなくすことができ、それに応じて監視装置が簡単化される。更に、本発明による方法は、複数の低圧放電ランプの点灯に使用するのに有利である。なぜならば、複数のランプ点灯が付加的な測定装置を必要としないからである。加熱上昇にともなうランプ電極の電気抵抗の増大が、負荷回路において点灯する低圧放電ランプの個数に関係なく、本発明によれば、単に変圧器の1次側における抵抗要素により、抵抗要素の電圧降下を加熱期間中の少なくとも2つの異なる時点で評価することによって検出される。
ランプ電極の低温抵抗(室温抵抗)を高信頼性にて評価することを可能にするために、抵抗要素の電圧降下は、加熱期間の開始後10ms〜50msの時間範囲に配置されている第1の時点で評価されると好ましい。更に、ランプ電極の高温抵抗を高信頼性にて評価することを可能にするために、抵抗要素の電圧降下は、加熱期間の終端に配置されている第2の時点で評価されると好ましい。これらの両測定値の比較から、ランプ電極が加熱期間の開始時に冷えていたかどうか、あるいはランプの代わりに等価抵抗が接続されていたかどうか求めることができる。第2の測定値だけからランプ形式を求めることができる。本発明の有利な実施態様によれば、上述の両測定値の差が予め与えられた大きさを上回る場合にのみランプ形式の識別が行なわれる。他の場合には、低圧放電ランプの代わりに等価抵抗が点灯装置に接続されているか、またはランプ電極が加熱期間の開始時に最後のランプ点灯からまだ十分に冷却されていなかったことに由来する。
抵抗要素の電圧降下の評価が低域通過フィルタにより行なわれると好ましい。低域通過フィルタは抵抗要素の電圧降下をある時間間隔に亘って平均化する。この時間間隔は、可制御スイッチング手段およびインバータのスイッチングクロックに比べると長いが、しかしランプ電極の加熱期間に比べると短く設定される。ランプのガス放電の開始前の加熱期間は一定で、約600msであると好ましく、これに対して加熱期間における可制御スイッチング手段のスイッチングクロックはほぼ10μsを必要とする。
可制御スイッチング手段の過電圧負担を阻止するために、変圧器の1次巻線に蓄積されたエネルギーは可制御スイッチング手段のオフ期間中に第2のインバータスイッチング手段により排出されると好ましい。変圧器の1次巻線に蓄積されたエネルギーは、ランプ点灯に利用できるようにするために、インバータの直流電源として用いられる中間回路コンデンサに回生されると好ましい。
以下において好ましい実施形態に基づいて本発明を説明する。
図1は本発明による方法を実施するための第1の回路装置の概略図、
図2は第1の点灯状態についての変圧器の1次側電流が通流する抵抗における電圧降下の、低域通過フィルタによる平均化後の時間経過を示す図、
図3は第2の点灯状態についての変圧器の1次側電流が通流する抵抗における電圧降下の、低域通過フィルタによる平均化後の時間経過を示す図、
図4は第3の点灯状態についての変圧器の1次側電流が通流する抵抗における電圧降下の、低域通過フィルタによる平均化後の時間経過を示す図、
図5は本発明による方法を実施するための第2の回路装置の概略図を示す。
図に示された回路装置は低圧放電ランプ、特に蛍光ランプを点灯するための電子安定器である。
この回路装置は、ハーフブリッジインバータ形式に配置されている2つの電界効果トランジスタT1,T2を有する。両電界効果トランジスタT1,T2
は制御信号をマイクロコントローラMCから得る。ハーフブリッジインバータT1,T2の直流電圧入力端に並列に比較的大容量の中間回路コンデンサC1が配置されている。中間回路コンデンサC1はハーフブリッジインバータのための直流電圧源として役立つ。中間回路コンデンサC1には、交流電圧系統から系統電圧整流器(図示なし)および昇圧コンバータ(図示なし)により発生させられるほぼ400ボルトの直流電圧が供給されている。中間回路コンデンサC1は昇圧コンバータの電圧出力端に並列に配置されている。ハーフブリッジインバータの出力端Mには、主としてランプチョークコイルL1と始動コンデンサC2とからなる直列共振回路として構成されている負荷回路が接続されている。始動コンデンサC2に並列に蛍光ランプLPの放電区間および結合コンデンサC3が接続されている。この結合コンデンサC3はランプ点灯中にハーフブリッジインバータの過渡状態においてハーフブリッジインバータの供給電圧の半分まで充電される。蛍光ランプLPのランプ電極E1,E2は、それぞれ2つの電気端子を有する電極フィラメントとして形成されている。電極フィラメントE1,E2に並列にそれぞれ変圧器の2次巻線S1,S2が接続され、電極フィラメントE1,E2の誘導的な加熱に役立つ。この変圧器の1次巻線P1は、別の電界効果トランジスタT3のスイッチング区間と測定抵抗R1とに直列になっている。電界効果トランジスタT3の制御電極は同様にマイクロコントローラMCから制御信号を与えられる。構成部品P1,T3,R1からなる直列回路はハーフブリッジインバータの出力端Mに接続されている。1次巻線P1の第1端子は、ハーフブリッジインバータの出力端つまり中間タップMとランプチョークコイルL1とに接続されている。これに対して、1次巻線P1の第2端子は、電界効果トランジスタT3に接続されていると共に、直流電流順方向にダイオードD1を介して中間回路コンデンサC1の高電位側端子(+)に接続されている。測定抵抗R1の第1端子は基準電位(−)に接続されているのに対して、測定抵抗R1の第2端子は電界効果トランジスタT3に接続されていると共に低域通過フィルタR2,C4を介してマイクロコントローラMCの電圧入力端Aに接続されている。
ハーフブリッジインバータの供給電圧の半分まで充電される結合コンデンサC3と、ハーフブリッジインバータの交互にスイッチングするトランジスタT1,T2とにより、負荷回路L1,C2,LPは、公知のようにして、高周波交流電圧を印加される。高周波交流電圧の周波数はトランジスタT1,T2のスイッチングクロックによって決まり、約50kHz〜約150kHzの範囲にある。蛍光ランプLPのガス放電の開始前に、ランプ電極E1,E2は変圧器P1,S1,S2により誘導的に加熱電流を供給される。このために、トランジスタT3はマイクロコントローラMCによってトランジスタT1と同期してオンオフされる。従って、トランジスタT1,T3のオン期間中、1次巻線P1および測定抵抗R1を通して電流が流れる。トランジスタT1,T3のオフ期間中、測定抵抗R1を通る電流の流れは遮断される。1次巻線P1に蓄積されたエネルギーは、トランジスタT1,T3のオフ期間中およびトランジスタT2のオン期間中、ダイオードD1を介して中間回路コンデンサC1に供給される。交互にスイッチングするトランジスタT1,T2およびトランジスタT1に同期してスイッチングするトランジスタT3に基づいて、1次巻線P1を通して高周波電流が流れる。この高周波電流は、電極フィラメントE1,E2のための加熱電流を2次巻線S1,S2に誘起させる。低域通過フィルタR2,C4により、測定抵抗R1における電圧降下がトランジスタT3の複数のスイッチングクロックの時間間隔に亘って平均化され、マイクロコントローラMCの電圧入力端Aに供給される。マイクロコントローラMCの端子Aの入力電圧はアナログ−ディジタル変換器によりディジタル信号に変換され、マイクロコントローラMCにおいて評価される。
蛍光ランプLPのガス放電の開始前の電極フィラメントE1,E2の加熱期間は、ほぼ600ms継続する。マイクロコントローラMCは、加熱期間中に2つの異なる時点で低域通過フィルタのコンデンサC4における電圧降下を検出する。マイクロコントローラMCによるコンデンサC4における電圧降下の第1の検出は加熱期間の開始後30msで行なわれる。第2の検出は加熱期間の終端で、すなわち加熱期間の開始後約600msで行なわれる。両電圧値の差の絶対値が、例えば0.1Vの予め与えられた閾値を上回った場合に、加熱期間の終端で検出された電圧値が、蛍光ランプLPのランプ形式の識別のためにマイクロコントローラMC内に記憶されている基準値と比較される。閾値を上回らない場合、コンデンサC4もしくは測定抵抗R1における電圧降下の評価は行なわれない。測定抵抗R1もしくは低域通過フィルタのコンデンサC4における電圧降下の時間経過は、加熱期間中、電極フィラメントE1,E2の電気抵抗の時間経過と相関関係にある。電極フィラメントE1,E2の高温抵抗、すなわち加熱期間の終端での抵抗値は、蛍光ランプの種々の形式によって異なる。従って、電極フィラメントの高温抵抗はランプ形式の識別に利用することができる。
図2乃至図4は、本発明の有利な実施例による回路装置の3つの異なる点灯状態について、変圧器P1,S1,S2の1次電流が通流する抵抗R1における電圧降下の、低域通過フィルタR2,C4による平均化後の時間経過を示す。
図2に示されたコンデンサC4における電圧降下の時間経過は、蛍光ランプLPの電極フィラメントE1,E2が加熱期間の開始時に冷えた状態、つまり室温を有していた状態にあった場合の回路装置の動作に対応する。従って、コンデンサC4における電圧降下は先ず増大し、約30ms後に0.48Vの最大値に達し、その後は連続的に減少し、600msの加熱期間終端時点で0.22Vの最小値をとる。最大値は電極フィラメントE1,E2の低温抵抗と相関関係にあり、加熱期間の終端における最小値は電極フィラメントE1,E2の高温抵抗と相関関係にある。タングステンからなる電極フィラメントE1,E2の電気抵抗は温度依存性性であり、つまり、その電気抵抗は温度上昇にともなって増大する。
図3は、同一の回路装置および同一の蛍光ランプLPについてのコンデンサC4における電圧降下の時間的経過を示す。ただし、電極フィラメントE1,E2は加熱期間の開始時に、最後のランプ点灯によりまだ完全には冷えていなかった。従って、図3に示された電圧経過は、約30msの時点で0.27Vだけの減少した最大値を有する。この曲線の最小値は同様に加熱期間の終端で到達されるが、大きさは0.20Vしかない。
図4に示されたコンデンサC4における電圧降下の時間経過は、蛍光ランプLPの電極フィラメントE1もしくはE2の代わりに等価抵抗を持った上記回路装置の動作に対応する。コンデンサC4の電圧降下は、加熱期間の開始後約30msの立ち上がり期間を除いて、時間に依存せず、約0.22Vである。
マイクロコントローラMCは、コンデンサC4における電圧降下を検出するが、加熱期間開始後約30msの時点で第1回の検出を、そして加熱期間の開始後600ms後の時点で第2回の検出を行なう。両電圧値の差の絶対値が、例えば0.1Vの予め与えられた閾値を上回った場合、加熱期間の終端における電圧値がマイクロコントローラMCに記憶されている基準値と比較され、ランプ形式の識別に利用される。この場合は図2に示された電圧経過の場合のみもたらされる。他の2つの場合、すなわち図3および図4に示された電圧経過の場合、ランプ形式の識別に関する評価は行なわれない。この2つの場合には回路装置つまり電子式点灯装置の動作には最後のランプ点灯によってマイクロコントローラMC内に記憶されたデータが使用される。
電極フィラメントE1,E2の予熱期間の終了後、ハーフブリッジインバータT1,T2のスイッチング周波数が直列共振回路L1,C2の共振周波数近くにあるように減らされることによる共振電圧増大法により、蛍光ランプLPのガス放電の開始のために必要な放電開始電圧がコンデンサC2に印加される。蛍光ランプのガス放電の開始後、ハーフブリッジインバータT1,T2のスイッチング周波数の変化によって蛍光ランプLPの明るさ調節を行なうことができる。蛍光ランプLPの調光動作中、蛍光ランプの電極フィラメントE1,E2は、変圧器P1,S1,S2およびトランジスタT3により、電極フィラメントE1,E2を通る放電電流に追加されて流れる加熱電流を加えられる。加熱電流もしくは加熱電力は蛍光ランプの明るさに依存して設定される。僅かな明るさの場合にはすなわち強い減光時には、高い加熱電力が設定される。加熱電力はトランジスタT3のパルス幅の変化によって、特にトランジスタT3のオン期間の変化によって設定される。トランジスタT3はトランジスタT1に同期してスイッチオンされる。最大加熱電力の場合、トランジスタT3のオン期間はトランジスタT1のオン期間の100%である。僅少な加熱電力の場合、トランジスタT3のオン期間はトランジスタT1のオン期間よりも短い。
図5には、本発明による方法を適用するのに特に適した他の回路装置が示されている。この回路装置は、図1に示された回路装置と大幅に一致している。従って、図1および図5において同一の構成部品には同一の符号が付されている。図1に示された回路装置と違って、図5に示された回路装置は2つの付加的なダイオードD2,D3を有し、これらのダイオードはそれぞれ2次巻線S1もしくはS2および電極フィラメントE1もしくはE2に直列に接続されている。ダイオードD2,D3および変圧器巻線P1,S1,S2の巻線方向の配置は、変圧器巻線P1,S1,S2がダイオードD2,D3およびトランジスタT3と共にフォワードコンバータを構成するように互いに調整されている。トランジスタT3の導通期間中、1次巻線Pを通る電流が2次巻線S1,S2に電極フィラメントE1,E2のための加熱電流を誘起させる。トランジスタT3の阻止期間中、ダイオードD2,D3が阻止方向の向きにされているので、その期間中には加熱電流は流れ得ない。1次巻線P1に蓄積されたエネルギーはトランジスタT2の導通期間中にダイオードD1を介してコンデンサC1に戻される。
本発明は以上において詳しく説明した実施例に限定されない。低圧放電ランプつまり蛍光ランプLPのランプ形式識別を可能にするために、電極フィラメントE1,E2の予熱期間中における抵抗R1を介する電圧降下を予熱期間の開始時および終了時にのみを評価する代わりに、マイクロコントローラMCにより、この電圧降下の全時間経過を評価してもよいし、あるいは抵抗R1における電圧降下の最大値を予熱期間の終端でのこの電圧降下の最終値と比較してもよい。
本発明による方法を実施するための第1の回路装置の回路図 第1の点灯状態についての変圧器の1次側電流が通流する抵抗における電圧降下の、低域通過フィルタによる平均化後の時間経過を示すタイムチャート 第2の点灯状態についての変圧器の1次側電流が通流する抵抗における電圧降下の、低域通過フィルタによる平均化後の時間経過を示すタイムチャート 第3の点灯状態についての変圧器の1次側電流が通流する抵抗における電圧降下の、低域通過フィルタによる平均化後の時間経過を示すタイムチャート 本発明による方法を実施するための第2の回路装置の回路図
符号の説明
A マイクロコントローラの電圧入力端
C1 中間回路コンデンサ
C2 始動コンデンサ
C3 結合コンデンサ
C4 低域通過フィルタコンデンサ
D1,D2,D3 ダイオード
E1,E2 電極フィラメント
L1 ランプチョークコイル
LP 蛍光ランプ
M 出力端(中間タップ)
MC マイクロコントローラ
P1 1次巻線
R1 測定抵抗
R2 低域通過フィルタの抵抗
S1,S2 2次巻線
T1,T2 電界効果トランジスタ(ハーフブリッジインバータ)
T3 電界効果トランジスタ

Claims (7)

  1. 少なくとも1つの低圧放電ランプ(LP)のランプ電極(E1,E2)が、少なくとも1つの低圧放電ランプ(LP)のガス放電の開始前の加熱期間中に、可制御スイッチング手段(T3)によりスイッチングされる1次電流で駆動される変圧器(P1,S1,S2)により加熱電流を供給され、少なくとも1つのランプ電極(E1,E2)の電気抵抗の変化が監視される、インバータによる少なくとも1つの低圧放電ランプの点灯方法において、
    可制御スイッチング手段(T3)は第1のインバータスイッチング手段(T1)と同期してスイッチングされ、
    変圧器(P1,S1,S2)の1次側に配置されている抵抗要素(R1)により、加熱期間中の少なくとも2つの異なる時点で抵抗要素(R1)の電圧降下が評価されることによって、少なくとも1つのランプ電極(E1,E2)の電気抵抗の変化が求められる
    ことを特徴とする低圧放電ランプの点灯方法。
  2. 抵抗要素(R1)の電圧降下は低域通過フィルタ(R2,C4)により評価されることを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 1次巻線(P1)に蓄積されたエネルギーは可制御スイッチング手段(T3)のオフ期間中に第2のインバータスイッチング手段(T2)およびダイオード回路(D1)により排出されることを特徴とする請求項1記載の方法。
  4. 抵抗要素(R1)の電圧降下が評価される第1の時点は、加熱期間の開始後10ms〜50msの時間範囲に配置されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
  5. 抵抗要素(R1)の電圧降下の最大値が求められることを特徴とする請求項1記載の方法。
  6. 抵抗要素(R1)の電圧降下が評価される第2の時点は、加熱期間の終端に配置されていることを特徴とする請求項1,4又は5記載の方法。
  7. 少なくとも1つの低圧放電ランプ(LP)におけるガス放電の開始後に抵抗要素(R1)の電圧降下がランプ電極(E1,E2)の加熱電力調節のために評価され、加熱電力は可制御スイッチング手段(T3)のオン期間の変化によって変化させられ、可制御スイッチング手段(T3)は第1のインバータスイッチング手段(T1)と同期してオンされ、可制御スイッチング手段(T3)のオン期間は、第1のインバータスイッチング手段(T1)のオン期間よりも短いかまたは等しいことを特徴とする請求項1記載の方法。
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