JP2005101059A - Substrate treatment equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板(以下、単に「基板」と称する)に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a series of processes on a substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk.
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。 Conventionally, in such a substrate processing apparatus, for example, photolithography is performed by applying a photoresist film to a substrate, performing an exposure process on the substrate coated with the photoresist film, and developing the substrate after the exposure process. Used in the process.
これを図13の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚(例えば25枚)の基板W又は後述する処理部104での処理が完了した基板Wが収納されるカセットCが複数個載置されるカセット載置台101と、各カセットCの前を水平移動し、各カセットCと後述する処理部104間で基板Wの受け渡しを行う搬送機構108aとを備えたインデクサ103と、複数個の処理部104と、複数個の処理部104間で基板Wを搬送する経路である基板主搬送経路105と、処理部104および外部処理装置107間で基板Wの受け渡しを中継するインターフェイス106とから構成されている。
This is shown in the plan view of FIG. 13 and will be described below. This substrate processing apparatus is a cassette mounting table 101 on which a plurality of cassettes C in which a plurality of unprocessed (for example, 25) substrates W or substrates W that have been processed in the
外部処理装置107は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス106に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置107は、基板Wの露光処理を行う露光装置となる。
The
また、基板主搬送経路105上を搬送する主搬送機構108bと、インターフェイス106の搬送経路上を搬送する搬送機構108cとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ103と基板主搬送経路105との連結部には載置台109a、基板主搬送経路105とインターフェイス106との連結部には載置台109bがそれぞれ配設されている。
Also, a
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Wを収納したカセットCから1枚の基板を搬送機構108aが取り出して、主搬送機構108bに基板Wを渡すために、載置台109aまで搬送する。主搬送機構108bは、載置台109aに載置された基板Wを受け取った後、各処理部104内で所定の処理(例えば、レジスト塗布などの処理)をそれぞれ行うために、それらの処理部104に基板Wをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、主搬送機構108bはそれらの処理部104から基板Wをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部104(例えば、熱処理)に基板Wを搬入する。
In the substrate processing apparatus described above, substrate processing is performed in the following procedure. One substrate is taken out from the cassette C containing unprocessed substrates W by the
このように露光前の一連の処理が終了すると、主搬送機構108bは、処理部104で処理された基板Wを載置部109bまで搬送する。搬送機構108cに基板Wを渡すために、上述した載置台109bに基板Wを載置する。搬送機構108cは、載置台109bに載置された基板Wを受け取った後、外部処理装置107まで搬送する。外部処理装置107に搬入して、所定の処理(例えば、露光処理などの処理)が終了すると、搬送機構108cは外部処理装置107から基板Wを搬出して、載置部109bまで搬送する。後は、主搬送機構108bによって各処理部104に基板が搬送され、露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行われ、全ての処理を完了した基板は搬送機構108aを通じて所定のカセットCに搬入される。そして、カセット載置台101から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
Thus, when a series of processes before exposure ends, the
従来、上記のような基板搬送は、いわゆる「タクト動作」により行われている。以下に図14を参照して「タクト動作」について説明する。ここでは、説明の簡単のために、並設された4つの処理部1041〜1044間の基板搬送について説明する。ある処理部104における基板Wの実処理時間をTA、その処理部104への基板の搬入・搬出などに要する準備時間をTBとすると、その処理部104は「TA+TB」時間ごとに一枚の基板を払出せる能力を持つ。この実質的な処理時間「TA+TB」をその処理部104のサクイクル時間と呼ぶ。図14に示した例では、処理部1041が「19秒」、処理部1042が「21秒」、処理部1043が「24秒」、処理部1044が「22秒」の各サイクル時間を有するとする。
Conventionally, the substrate conveyance as described above is performed by a so-called “tact operation”. The “tact operation” will be described below with reference to FIG. Here, for the sake of simplicity of explanation, the substrate transfer between the four
複数枚の基板Wが処理部1041に順に投入されて、処理部1044に向かって順に搬送されて処理されるとすると、基板処理装置全体としての処理能力は、最大のサイクル時間をもつ処理部1043に応じて決まる。つまり、この基板処理装置は、24秒に1枚の割合で基板を処理する能力をもつことになる。そこで、各処理部1041〜1044間で最大のサイクル時間に応じた時間(例えば、24秒)ごとに基板Wが受け渡されるように、主搬送機構108bを時間的に規則正しく動作させる、これが「タクト動作」である。つまり「タクト動作」は、主搬送機構108bを、予め決められた一定の時間ごとに繰り返し動作させて基板を順に搬送してゆく基板搬送動作である。
Assuming that a plurality of substrates W are sequentially loaded into the
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、上記のような「タクト動作」によって基板を搬送する従来の基板処理装置は、
基板が予め決められた時間ごとに処理部間を移送されて処理されてゆくので、各基板の履歴が一定になるという利点があるが、主搬送機構108bを時間的に正確に制御する必要があるので、基板処理装置を構成する処理部の個数が増加すると、制御が複雑になるという問題点がある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, a conventional substrate processing apparatus that transports a substrate by the “tact operation” as described above
Since the substrates are transferred and processed between the processing units at predetermined time intervals, there is an advantage that the history of each substrate becomes constant. However, it is necessary to accurately control the
また、基板処理装置内のある処理部で、例えば基板の処理時間を変更したり、あるいは、処理部の増設などを行った場合に、その影響は基板処理装置全体の基板搬送に及ぶので、このような仕様変更に対応するのが容易ではないという問題点もある。 In addition, when a processing unit of a substrate processing apparatus, for example, changes the processing time of a substrate or adds a processing unit, the influence extends to the substrate transport of the entire substrate processing apparatus. There is also a problem that it is not easy to cope with such a specification change.
さらに、図14の例で言えば、主搬送機構108bは、各処理部1041〜1044の処理能力の高低に関わらず、全ての処理部1041〜1044間を決められた時間ごと(この例では「24秒」ごと)に基板搬送するので、基板処理装置のスループットが低下するという問題点もある。
Further, in the example of FIG. 14, the
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板搬送に係る制御を容易に行うことができ、しかもスループットを向上することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of easily performing control related to substrate transport and improving throughput. .
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、前記各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、次のように各々独立して行う、(1)各々のユニット制御手段に対応する被制御ユニット内で基板を移動させることができるかを判断するための搬送可能条件が予め設定されており、(2)前記搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められており、(3)前記判定処理開始事象が発生したときに、前記搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、(4)前記搬送可能条件が成立しているときは、その被制御ユニット内の基板搬送を実行し、(5)前記搬送可能条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待つことを特徴とする。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to
なお、本発明において、入口基板載置部および出口基板載置部は、1つの被制御ユニットを基準にして、基板載置部の機能を捉えたものである。つまり、ある被制御ユニットの出口基板載置部は、その被制御ユニットに隣接する被制御ユニットを基準にすれば入口基板載置部に相当する。このように、隣接する被制御ユニット間では、出口基板載置部と入口基板載置部とが一致している。 In the present invention, the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit capture the function of the substrate placement unit with reference to one controlled unit. In other words, an exit substrate placement portion of a controlled unit corresponds to an entrance substrate placement portion based on the controlled unit adjacent to the controlled unit. As described above, the exit substrate mounting portion and the entrance substrate mounting portion coincide with each other between adjacent controlled units.
請求項1記載の発明によれば、基板に対する所要の処理が並設された複数個の被制御ユニットで順に行われる。各被制御ユニットでは、各々の主搬送機構が処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各被制御ユニットの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、その被制御ユニットに受け入れる基板と、その被制御ユニットから払い出す基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。 According to the first aspect of the present invention, required processing for the substrate is sequentially performed by the plurality of controlled units arranged in parallel. In each controlled unit, each main transport mechanism transfers the substrate to the processing unit in parallel. That is, since the main transfer mechanism of each controlled unit operates in parallel, the transfer speed of the substrate to each processing unit is equivalently improved, so that the throughput of the substrate processing apparatus can be improved. In addition, since the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit are provided separately, the substrate received by the controlled unit and the substrate dispensed from the controlled unit interfere with each other at the substrate placement unit. Therefore, the substrate can be smoothly transferred between the processing blocks.
本発明は、制御面からも基板処理装置のスループットを向上することを意図している。本発明の制御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御ユニット間の基板の受け渡しを、区別された入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制御手段は、入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣接する被制御ユニットの主搬送機構の動きを考慮する必要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基板処理装置は、基板搬送機構や各処理部を集中制御している関係で、基板搬送機構や各処理部の動作順序の決定作業(スケジューリング)が複雑であり、そのことがスループットの向上を妨げる一因ともなっている。 The present invention intends to improve the throughput of the substrate processing apparatus also from the control aspect. The control method of the present invention is so-called distributed control. For this purpose, the delivery of the substrate between the controlled units is performed via the distinguished entrance substrate placement portion and the exit substrate placement portion. As a result, the control means of each controlled unit need only perform a series of controls starting from receipt of the substrate placed on the entrance substrate placement unit and being completed by placing the substrate on the exit substrate placement unit. That is, it is not necessary to consider the movement of the main transport mechanism of the adjacent controlled unit. Therefore, the burden on the control means of each controlled unit is reduced, and the throughput of the substrate processing apparatus can be improved. In addition, the number of controlled units can be increased or decreased relatively easily. On the other hand, in the conventional substrate processing apparatus, the operation of determining the operation order of the substrate transport mechanism and each processing unit (scheduling) is complicated because the substrate transport mechanism and each processing unit are centrally controlled. This is one factor that hinders throughput improvement.
上記のように、本発明において、基板搬送に係る制御は被制御ユニットごとに独立して行われる。すなわち、各被制御ユニットのユニット制御手段には、その被制御ユニット内で基板を移動させることができるかを判断するための搬送可能条件が予め設定されているとともに、搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められている。各ユニット制御手段は、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。 As described above, in the present invention, the control related to substrate transport is performed independently for each controlled unit. That is, in the unit control means of each controlled unit, a transportable condition for determining whether the substrate can be moved in the controlled unit is set in advance, and a transportable condition determination process is performed. A determination process start event, which is a condition for starting, is determined in advance. Each unit control means determines whether or not a transportable condition is satisfied when a determination process start event occurs.
搬送可能条件が成立しているときは、その被制御ユニット内の基板搬送を実行する。具体的には、その被制御ユニットの入口基板載置部に置かれた基板を主搬送機構が受け取って、所要の処理部に搬送・搬入するとともに、その処理部で既に処理が終わっている基板を次の処理部に移す。その被制御ユニットで必要な処理が全て施された基板は、その被制御ユニットの出口基板載置部に置かれる。一方、搬送可能条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待って、上記と同様に搬送可能条件の判定処理を行う。 When the transportable condition is satisfied, the substrate transport in the controlled unit is executed. Specifically, the main transport mechanism receives the substrate placed on the entrance substrate placement unit of the controlled unit, transports it to the required processing unit, and the substrate already processed in the processing unit. Is moved to the next processing section. The substrate that has been subjected to all necessary processing in the controlled unit is placed on the exit substrate mounting portion of the controlled unit. On the other hand, when the transportable condition is not satisfied, the transportable condition determination process is performed in the same manner as described above after waiting for the next determination process start event.
以上のように、本発明によれば、各被制御ユニットが個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、各被制御ユニットの基板搬送制御は、隣接する被制御ユニットの基板搬送の状況を考慮する必要がない。したがって、基板処理装置を構成する被制御ユニットが多数あっても、基板搬送に係る制御を容易に行うことができる。また、ある被制御ユニットにおける基板の処理時間が変更されたり、あるいは、新たな被制御ユニットが増設されても、それに隣接する被制御ユニットの基板搬送制御を変更する必要がないので、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。 As described above, according to the present invention, when a controlled process start event occurs individually for each controlled unit, it is determined that the transportable condition is satisfied, and the substrate is transferred within the controlled unit. Thus, the substrate transfer control of each controlled unit does not need to consider the substrate transfer status of the adjacent controlled unit. Therefore, even if there are a large number of controlled units constituting the substrate processing apparatus, it is possible to easily perform the control related to the substrate conveyance. In addition, even if the substrate processing time in a controlled unit is changed or a new controlled unit is added, it is not necessary to change the substrate transfer control of the controlled unit adjacent to it. A high substrate processing apparatus can be realized.
さらに、本発明によれば、各被制御ユニットの搬送可能条件の成立により基板が順次搬送されてゆくので、「タクト動作」によって基板を搬送する従来装置のように、予め定められた一定時間ごとに基板を搬送するものに比べて、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 Furthermore, according to the present invention, the substrates are sequentially transported when the transportable condition of each controlled unit is established, so that the conventional device transports the substrates by “tact operation” at predetermined time intervals. The throughput of the substrate processing apparatus can be improved as compared with a substrate transporting apparatus.
本発明において、好ましくは、前記搬送可能条件は、少なくとも、(a)入口基板載置部に基板が置かれていること、(b)出口基板載置部に基板がないこと、(c)搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、の各条件が全て成立していることを条件とする(請求項2記載の発明)。 In the present invention, preferably, the transportable condition is at least: (a) a substrate is placed on the entrance substrate mounting portion, (b) no substrate is placed on the exit substrate placement portion, and (c) transport. The condition is that all the conditions that the processing unit on the path is in a state where the substrate can be replaced are satisfied (the invention according to claim 2).
このような搬送可能条件が成立したときに被制御ユニット内の基板搬送を実行すれば、被制御ユニット内で基板が滞ることがない。つまり、入口基板載置部に置かれた基板が搬送経路上の次の処理部に搬送されて、処理済みの基板と入れ換えられ、処理済みの基板は次の必要な処理部に搬送されて、同様に処理済みの基板と入れ換えられる。そして、その被制御ユニットで必要な全ての処理を施された基板は、出口基板載置部に置かれる。 If the substrate transport in the controlled unit is executed when such a transportable condition is satisfied, the substrate will not stagnate in the controlled unit. In other words, the substrate placed on the entrance substrate placement unit is transported to the next processing unit on the transport path and replaced with the processed substrate, and the processed substrate is transported to the next necessary processing unit, Similarly, it can be replaced with a processed substrate. Then, the substrate that has been subjected to all the processes necessary for the controlled unit is placed on the exit substrate mounting portion.
因みに、搬送可能条件として、(a)入口基板載置部に基板が置かれていること、のみを条件とした場合、搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていないにもかかわらず、入口基板載置部に置かれた基板は処理部に搬送される。そうすると、その基板はその処理部が基板の入れ換えが可能になるまで、主搬送機構に保持された状態で待たされることになる。このような処理待ちの状態が基板に悪影響を与える場合がある。例えば、待ち時間の間に基板と主搬送機構との間に熱伝達が生じて、主搬送機構の温度が上昇すれば、後続の基板に主搬送機構から熱が伝わって、基板温度のバラツキを引き起こすおそれがある。もちろん、このような処理待ちが問題にならないのであれば、上記の(a)のみを搬送可能条件としてもよい。 Incidentally, as a condition that can be transported, only (a) that the substrate is placed on the entrance substrate mounting section, the condition is that the processing section on the transport path is not in a state where the substrate can be replaced. First, the substrate placed on the entrance substrate placement unit is transferred to the processing unit. Then, the substrate is kept in a state of being held by the main transport mechanism until the processing unit can replace the substrate. Such a waiting state may adversely affect the substrate. For example, if heat transfer occurs between the substrate and the main transport mechanism during the waiting time and the temperature of the main transport mechanism rises, the heat is transmitted from the main transport mechanism to the subsequent substrate, causing variations in the substrate temperature. May cause. Of course, if such waiting for processing does not become a problem, only the condition (a) may be set as the transportable condition.
上記の(a)の条件に代えて、(a1)入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、を条件としたり(請求項3記載の発明)、あるいは、前記(b)の条件に代えて、(b1)出口基板載置部に基板がないことが予測されること、を条件としたり(請求項4記載の発明)、あるいは、前記(c)の条件に代えて、(c1)主搬送機構が搬送経路上の処理部の前に基板を移送したときに、その処理部が基板の入れ換え可能状態になっていることが予測されること、を条件としてもよい(請求項5記載の発明)。 Instead of the above condition (a), it is assumed that (a1) it is predicted that a substrate is placed on the entrance substrate mounting portion (the invention according to claim 3), or (b) (B1) It is assumed that there is no substrate in the exit substrate mounting part (the invention according to claim 4), or in place of the condition (c), (C1) When the main transport mechanism transfers the substrate before the processing unit on the transport path, the processing unit may be predicted to be in a state where the substrate can be replaced (claim). Item 5).
このような「予測」を行えば、請求項2の(a)、(b)、(c)の各条件が近い将来に成立することを見越して、主搬送機構が基板搬送の準備に入ることができる。例えば、入口基板載置部に基板が置かれることを予測して、主搬送機構が入口基板載置部に向けての移動を開始することができる。その結果、基板搬送の効率が向上し、もって基板処理装置のスループットを一層向上させることができる。
If such “prediction” is performed, the main transport mechanism is ready for substrate transport in anticipation that the conditions of (a), (b), and (c) of
さらに、本発明において、前記(a)の条件に代えて、(a2)入口基板載置部に基板が置かれていること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件としたり(請求項6記載の発明)、あるいは、前記(a)の条件に代えて、(a3)入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件とすることも好ましい(請求項7記載の発明)。 Further, in the present invention, in place of the condition (a), (a2) in order to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate placement unit or to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate placement unit. It is a condition that a predetermined waiting time has passed (invention of claim 6), or in place of the condition of (a), (a3) a substrate is placed on the entrance substrate mounting portion. It is also preferable that a predetermined waiting time elapses in order to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate mounting portion. Invention).
上記のように予め定められた待機時間が経過したときに、その被制御ユニット内の基板搬送を実行すれば、次のような利点がある。例えば、処理対象である基板群のロットを切り換えるために、基板処理装置への基板の供給が一時的に途切れた場合、上記の待機時間を設定していないと、主搬送機構が入口基板載置部に基板が置かれるのを長時間に亘って待つことになる。そうすると、その被制御ユニット内で既に処理の終わっている基板が次の処理部(あるいは、隣接する被制御ユニット)に送られなくなり、基板処理装置のスループットが低下する。上記の待機時間を設定することにより、主搬送機構が入口基板載置部に基板が置かれるのを長時間に亘って待つことを回避でき、基板処理装置のスループットの低下を防止することができる。 If the substrate transfer in the controlled unit is executed when the predetermined standby time has elapsed as described above, the following advantages are obtained. For example, when the substrate supply to the substrate processing apparatus is temporarily interrupted in order to switch the lot of the substrate group to be processed, the main transfer mechanism places the entrance substrate placement if the above standby time is not set. It will wait for a long time for the substrate to be placed on the part. If it does so, the board | substrate already processed in the to-be-controlled unit will not be sent to the following process part (or adjacent to-be-controlled unit), and the throughput of a substrate processing apparatus will fall. By setting the waiting time, it is possible to avoid waiting for a long time for the main transport mechanism to place the substrate on the entrance substrate mounting portion, and it is possible to prevent the throughput of the substrate processing apparatus from being lowered. .
ある被制御ユニットに基板が受け入れられて、その基板に必要な処理が施され、その基板が次の被制御ユニットに払出されるまでの時間を、その被制御ユニットのサイクル時間とした場合に、前記待機時間は、本基板処理装置を構成する複数個の被制御ユニットの中で、最も長いサイクル時間をもつ被制御ユニットのサイクル時間である最大サイクル時間と同等以上の時間に設定されていることが好ましい(請求項8記載の発明)。 When a substrate is received by a certain controlled unit, necessary processing is performed on the substrate, and the time until the substrate is dispensed to the next controlled unit is the cycle time of the controlled unit, The waiting time is set to be equal to or longer than the maximum cycle time that is the cycle time of the controlled unit having the longest cycle time among the plurality of controlled units constituting the substrate processing apparatus. Is preferable (invention of claim 8).
待機時間を上記のように設定すれば、一群の基板が途切れることなく連続的に投入されている通常動作時に、入口基板載置部に置かれた基板が不必要に長く待たされるという事態を回避することができる。 By setting the waiting time as described above, it is possible to avoid a situation in which a substrate placed on the entrance substrate mounting unit is unnecessarily long during normal operation in which a group of substrates are continuously inserted without interruption. can do.
さらに好ましくは、前記待機時間は、最大サイクル時間と略同等の時間に設定される(請求項9記載の発明)。 More preferably, the waiting time is set to a time substantially equal to the maximum cycle time (the invention according to claim 9).
待機時間を上記のように設定すれば、通常動作時に入口基板載置部に置かれた基板が不必要に長く待たされることがなく、また、基板の投入が途切れた場合に主搬送機構が入口基板載置部に基板が置かれるのを不必要に長く待つこともなく、基板の搬送効率を一層高めることができる。 If the standby time is set as described above, the substrate placed on the entrance substrate mounting portion is not kept waiting for an unnecessarily long time during normal operation. The substrate transfer efficiency can be further increased without waiting for an unnecessarily long time for the substrate to be placed on the substrate platform.
本発明において、前記判定処理開始事象は、例えば、(ア)入口基板載置部に基板が置かれたこと、(イ)入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、(ウ)搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、(エ)出口基板載置部の基板が払出されたこと、(オ)出口基板載置部の基板が払出されたことが予測されること、(カ)停止していた処理部への基板搬送が可能になったことの中のいずれか1つの事象を含む(請求項10記載の発明)。 In the present invention, the determination process start event is, for example, predicted that (a) a substrate is placed on the entrance substrate placement portion, (a) a substrate is placed on the entrance substrate placement portion, C) The processing unit on the transfer path is in a state where the substrate can be replaced, (d) the substrate on the exit substrate mounting unit is dispensed, and (e) the substrate on the exit substrate mounting unit is dispensed. And (f) any one of the events that the substrate can be transferred to the processing unit that has been stopped (the invention according to claim 10).
判定処理開始事象として、上記のような事象を用いることにより、搬送可能条件が適切なタイミングで判定され、もって基板処理装置のスループットを高めることができる。 By using the event as described above as the determination process start event, the transportable condition is determined at an appropriate timing, and thus the throughput of the substrate processing apparatus can be increased.
さらに、本発明において、好ましくは、前記入口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、前記出口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなり、前記各ユニット制御手段は、前記判定処理開始事象が発生したときに、その事象が前記順方向の搬送に係る事象か、あるいは前記逆方向の搬送に係る事象かを判定し、その事象が順方向の搬送に係る事象である場合には、順方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、順方向の基板搬送を実行し、その事象が逆方向の搬送に係る事象である場合には、逆方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、逆方向の基板搬送を実行する(請求項11記載の発明)。 In the present invention, it is preferable that the inlet substrate mounting portion includes a feeding inlet substrate mounting portion used for transporting the substrate in a forward direction between the controlled units and a substrate extending between the controlled units. A return inlet substrate mounting portion used for transporting the substrate in the reverse direction, and the outlet substrate mounting portion is used for transporting the substrate in the forward direction between the controlled units. A placement unit and a return exit substrate placement unit that is used when the substrate is transported in the opposite direction between the controlled units. It is determined whether the event is an event related to the forward transfer or the event related to the reverse transfer, and if the event is an event related to the forward transfer, the forward transfer enable condition It is determined whether or not the condition is satisfied, and when the transfer enabling condition is satisfied, the forward substrate transfer is executed, and when the event is an event related to the reverse transfer, the reverse transfer is performed. It is determined whether or not the transportable condition is satisfied. When the transportable condition is satisfied, the substrate transport in the reverse direction is executed (the invention according to claim 11).
このように構成すれば、順方向の基板搬送と逆方向の基板搬送とが干渉することなく、しかも双方向に効率よく基板を搬送することができ、もって基板処理装置のスループットを向上することができる。 With this configuration, the substrate can be transferred efficiently in both directions without interfering with the forward substrate transfer and the reverse substrate transfer, thereby improving the throughput of the substrate processing apparatus. it can.
また、本発明において、好ましくは、前記複数個の被制御ユニットの中の少なくとも1つの被制御ユニットは、前記送り用入口基板載置部と、前記戻り用入口基板載置部と、前記送り用出口基板載置部と、前記戻り用出口基板載置部との他に、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部とを備えている(請求項12記載の発明)。 In the present invention, it is preferable that at least one controlled unit among the plurality of controlled units includes the feeding inlet substrate mounting unit, the return inlet substrate mounting unit, and the feeding unit. In addition to the exit substrate placement portion and the return exit substrate placement portion, another entrance substrate placement portion and an exit substrate placement portion are provided (the invention according to claim 12).
このように構成すれば、別の入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、別の被制御ユニットとの間で基板の受け渡しを行うことができるので、被制御ユニット群の配置の自由度が向上する。 If comprised in this way, since a board | substrate can be delivered between another controlled unit via another entrance substrate mounting part and an exit substrate mounting part, arrangement | positioning of a controlled unit group The degree of freedom increases.
本発明によれば、各被制御ユニットが個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、基板処理装置を構成する被制御ユニットが多数あっても、基板搬送に係る制御が容易であり、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。さらに、本発明によれば、各被制御ユニットが各々の搬送可能条件の成立に基づいて基板搬送を実行するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 According to the present invention, each controlled unit individually determines whether or not the transportable condition is satisfied when the determination processing start event occurs, and executes the substrate transport in the controlled unit. Even when there are a large number of controlled units constituting the substrate processing apparatus, it is easy to control the substrate transport, and a highly versatile substrate processing apparatus can be realized. Furthermore, according to the present invention, each controlled unit executes substrate transport based on the establishment of each transportable condition, so that the throughput of the substrate processing apparatus can be improved.
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図1は実施例に係る基板処理装置の平面図、図2はその正面図、図3は熱処理部の正面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a front view of a heat treatment section.
ここでは、半導体ウエハ(以下、単に「基板」という)に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
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図1を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック1と、基板に対して所要の薬液処理を行う3つの処理ブロック(具体的には反射防止膜用処理ブロック2、レジスト膜用処理ブロック3、および現像処理ブロック4)と、インターフェイスブロック5とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック5には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置(ステッパー)STPが並設される。これらのブロック1〜5は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている(図8(a)参照)。
Here, a substrate processing apparatus that applies an antireflection film or a photoresist film to a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a “substrate”) and performs chemical processing such as development processing on the exposed substrate is taken as an example. explain. Of course, the substrate which can be handled by the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to a semiconductor wafer, but includes various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display. Further, the chemical processing is not limited to coating formation processing such as a photoresist film and development processing, but includes various chemical processing.
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Please refer to FIG. The substrate processing apparatus according to the present embodiment is roughly divided into an
一方、本実施例に係る基板処理装置の特徴の1つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
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以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図8(b)に示す。同図において、C1はインデクサセル、C2は反射防止膜用処理セル、C3はレジスト膜用処理セル、C4は現像処理セル、C5は露光後加熱用処理セル、C6はインターフェイスセルである。
On the other hand, as one of the features of the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the unit of the controlled unit related to substrate conveyance is configured separately from each block which is a mechanical element. That is, a single controlled unit is configured including a processing unit that performs a required process on a substrate and a single main transport mechanism that transfers the substrate to the processing unit, and the controlled units are arranged in parallel. And a substrate processing apparatus is configured. Each controlled unit has an entrance substrate placement section for placing a substrate to receive the substrate in the controlled unit, and an exit substrate placement section for placing a substrate to eject the substrate from the controlled unit And are provided separately. Then, the main transfer mechanism of each controlled unit transfers the substrates to each other via the inlet substrate mounting portion and the outlet substrate mounting portion, and performs the substrate transfer operation of the main transfer mechanism of each controlled unit. At least unit control means for controlling is provided for each controlled unit, and each unit control means performs control related to a series of substrate transport including delivery of the substrate to the processing unit and delivery of the substrate to the substrate mounting unit, respectively. It is supposed to be done independently.
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Hereinafter, the unit of the controlled unit in the apparatus of this embodiment is referred to as a “cell”. FIG. 8B shows the arrangement of the cells constituting the control system of the embodiment apparatus. In the figure, C1 is an indexer cell, C2 is an antireflection film processing cell, C3 is a resist film processing cell, C4 is a development processing cell, C5 is a post-exposure heating processing cell, and C6 is an interface cell.
以下では、説明の便宜上、まず実施例装置の構成を各ブロックごとに説明し、続いて各ブロック1〜5と各セルC1〜C6の対応関係を説明し、最後に実施例装置における基板搬送制御について説明する。
In the following, for convenience of explanation, the configuration of the embodiment apparatus will be described for each block, the correspondence between the
まず、インデクサブロック1について説明する。インンデクサブロック1は、基板Wを多段に収納するカセットCからの基板の取り出しや、カセットCへの基板Wの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトCを並べて載置するカセット載置台6と、各カセットCから未処理の基板Wを順に取り出すとともに、各カセットCへ処理済の基板Wを順に収納するインデクサ用搬送機構7とを備えている。インデクサ用搬送機構7は、カセット載置台6に沿って(Y方向に)水平移動可能な可動台7aを備えている。この可動台7aに基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム7bが搭載されている。保持アーム7bは、可動台7a上を昇降(Z方向)移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
First, the
上述したインデクサブロック1に隣接して反射防止膜処理ブロック2が設けられている。図4に示すように、インデクサブロック1と反射防止膜処理ブロック2との間には、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられている。この隔壁13にインデクサブロック1と反射防止膜処理ブロック2との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS1、PASS2が上下に近接して設けられている。
An antireflection
上側の基板載置部PASS1はインデクサブロック1から反射防止膜処理ブロック2へ基板Wを払い出すために、下側の基板載置部PASS2は反射防止膜処理ブロック2からインデクサブロック1へ基板Wを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック2を基準にして言えば、基板載置部PASS1は、反射防止膜処理ブロック2に基板Wを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック1から露光装置STPに向かって流れる基板Wの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部PASS1は、基板Wを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部PASS2は、反射防止膜処理ブロック2から基板Wを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Wを逆方向(本実施例では、露光装置STPからインデクサブロック1に向かって流れる基板Wの搬送方向)に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。
The upper substrate platform PASS1 dispenses the substrate W from the
基板載置部PASS1、PASS2は、隔壁13を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部PASS1、PASS2は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部PASS3〜PASS10も同様である。また、基板載置部PASS1、PASS2には、基板Wの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構7や、後述する反射防止膜用処理ブロック2の第1の主搬送機構10Aが、基板載置部PASS1、PASS2に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部PASS3〜PASS10にも設けられている。
The substrate platforms PASS1 and PASS2 are provided so as to partially penetrate the
反射防止膜処理ブロック2について説明する。反射防止膜処理ブロック2は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部8と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Wを熱処理する反射防止膜用熱処理部9と、反射防止膜用塗布処理部8および反射防止膜用熱処理部9に対して基板Wの受け渡しをする第1の主搬送機構10Aとを備える。
The antireflection
反射防止膜処理ブロック2は、第1の主搬送機構10Aを挟んで反射防止膜用塗布処理部8と反射防止膜用熱処理部9とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部8が装置正面側に、熱処理部9が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部9の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部8への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4にも設けられている。
In the antireflection
反射防止膜用塗布処理部8は、図2に示すように、同様の構成を備えた3つの反射防止膜用塗布処理部8a〜8c(以下、特に区別しない場合は符号「8」で示す)を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部8は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック11や、このスピンチャック11上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル12などを備えている。
As shown in FIG. 2, the antireflection film
反射防止膜用熱処理部9は、図3に示すように、基板Wを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートHP、加熱された基板Wを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートCP、レジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部AHLなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部9の下部には、ヒータコントローラ(CONT)が配設され、また熱処理部9の上部(図3中に「×」印で示した個所)には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
As shown in FIG. 3, the antireflection film
反射防止膜用熱処理部9は、各熱処理部(HP,CP,AHL)を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例(本実施例では2列)にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4においても同様である。
The antireflection film
上述したように各処理ブロック2〜4で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
As described above, the chemical processing section and the heat treatment section are stacked one above the other in each
第1の主搬送機構10Aについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック3、現像処理ブロック4、およびインターフェイスブロック5にそれぞれ備えられた第2、第3、第4の各主搬送機構10B、10C、10Dも同様に構成されている。以下、第1〜第4の主搬送機構10A〜10Dを特に区別しない場合は、主搬送機構10として説明する。
The first
図6を参照する。同図(a)は主搬送機構10の平面図、(b)はその正面図である。主搬送機構10は、基板Wを水平姿勢で保持する2個の保持アーム10a、10bを上下に近接して備えている。保持アーム10a、10bは、先端部が平面視で「C]の字状になっており、この「C」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン10cで基板Wの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構10の基台10dは装置基台に対して固定設置されている。この基台10d上に螺軸10eが回転可能に立設支持されている。基台10dに螺軸10eを回転駆動するモータ10fが設けられている。螺軸10eに昇降台10gが螺合されており、モータ10fが螺軸10eを回転駆動することにより、昇降台10gがガイド軸10jに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台10g上にアーム基台10hが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台10gにはアーム基台10hを旋回駆動するモータ10iが設けられている。アーム基台10h上に上述した2つの保持アーム10a、10bが上下に配設されている。各保持アーム10a、10bは、アーム基台10h内に装備された駆動機構(図示せず)によって、各々が独立してアーム基台10hの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
Please refer to FIG. FIG. 4A is a plan view of the
上述した反射防止膜処理ブロック2に隣接してレジスト膜処理ブロック3が設けられている。図4に示すように、反射防止膜処理ブロック2とレジスト膜処理ブロック3との間にも、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられている。この隔壁13に反射防止膜処理ブロック2とレジスト膜処理ブロック3との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS3、PASS4が上下に近接して設けられている。
A resist
上述した基板載置部PASS1、PASS2の場合と同様に、上側の基板載置部PASS3が基板Wの払出し用、下側の基板載置部PASS4が基板Wの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部PASS3、PASS4は隔壁13を部分的に貫通している。ここで、基板載置部PASS3は、反射防止膜処理ブロック2を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS4は、反射防止膜処理ブロック2を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部PASS3、PASS4の下側には、基板Wを大まかに冷却するために水冷式の2つの冷却プレートWCPが隔壁13を貫通して上下に設けられている。
As in the case of the above-described substrate platforms PASS1 and PASS2, the upper substrate platform PASS3 is used for dispensing the substrate W, and the lower substrate platform PASS4 is used for returning the substrate W. The substrate platforms PASS 3 and
レジスト膜用処理ブロック3について説明する。レジスト膜用処理ブロック3は、反射防止膜が塗布形成された基板W上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック3は、反射防止膜が塗布形成された基板Wにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部15と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部16と、レジスト膜用塗布処理部15およびレジスト膜用熱処理部16に対して基板Wの受け渡しをする第2の主搬送機構10Bとを備える。
The resist
レジスト膜用塗布処理部15は、図2に示すように、同様の構成を備えた3つのレジスト膜用塗布処理部15a〜15c(以下、特に区別しない場合は符号「15」で示す)を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部15は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック17や、このスピンチャック17上に保持された基板W上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル18などを備えている。
As shown in FIG. 2, the resist film
レジスト膜用熱処理部16は、図3に示すように、基板Wを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部PHP、基板Wを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートCPなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック2の場合と同様である。
As shown in FIG. 3, the resist film
基板仮置部付きの加熱部PHPについて説明する。図7を参照する。同図(a)は加熱部PHPの破断側面図、(b)は破断平面図である。加熱部PHPは、基板Wを載置して加熱処理をする加熱プレートHPと、この加熱プレートHPから離れた上方位置または下方位置(本実施例では上方位置)に基板Wを載置しておく基板仮置部19と、加熱プレートHPと基板仮置部19との間で基板Wを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構20とを備えている。加熱プレートHPには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン21が設けられている。加熱プレートHPの上方には加熱処理時に基板Wを覆う昇降自在の上蓋22が設けられている。基板仮置部19には基板Wを支持する複数本の固定支持ピン23が設けられている。
A heating unit PHP with a temporary substrate placement unit will be described. Please refer to FIG. The figure (a) is a fracture | rupture side view of the heating part PHP, (b) is a fracture | rupture top view. The heating unit PHP places the substrate W on the heating plate HP on which the substrate W is placed and performs heat treatment, and the upper position or the lower position (upward position in the present embodiment) away from the heating plate HP. A substrate
ローカル搬送機構20は、基板Wを水平姿勢で保持する保持プレート24を備え、この保持プレート24がネジ送り駆動機構25によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構26によって進退移動されるようになっている。保持プレート24は、これが加熱プレートHPや基板仮置部19の上方に進出したときに、可動支持ピン21や固定支持ピン23と干渉しなように複数本のスリット24aが形成されている。また、ローカル搬送機構20は、加熱プレートHPから基板仮置部19へ基板Wを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート24の内部に冷却水流路24bを設け、この冷却水流路24bに冷却水を流通させることによって構成されている。
The
上述したローカル搬送機構20は、加熱プレートHPおよび基板仮置部19を挟んで第2の主搬送機構10Bとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートHPおよび基板仮置部19を覆う筐体27の上部、すなわち基板仮置部19を覆う部位には、その正面側に第2の主搬送機構10Bの進入を許容する開口部19aが、その背面側にはローカル搬送機構20の進入を許容する開口部19bが、それぞれ設けられている。また、筐体27の下部、すなわち加熱プレートHPを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構20の進入を許容する開口部19cが設けられている。
The
上述した加熱部PHPに対する基板Wの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構10(レジスト膜用処理ブロック3の場合は、第2の主搬送機構10B)が基板Wを保持して、基板仮置部19の固定支持ピン23の上に基板Wを載置する。続いてローカル搬送機構20の保持プレート24が基板Wの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン23から基板Wを受け取る。基板Wを保持した保持プレート24は筐体27から退出して、加熱プレートHPに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートHPの可動支持ピン21は下降しているとともに、上蓋22は上昇している。基板Wを保持した保持プレート24は加熱プレートHPの上方に進出する。可動支持ピン21が上昇して基板Wを受け取った後に保持プレート24が退出する。続いて可動支持ピン21が下降して基板Wを加熱プレートHP上に載せるとともに、上蓋22が下降して基板Wを覆う。この状態で基板Wが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋22が上昇するとともに、可動支持ピン21が上昇して基板Wを持ち上げる。続いて保持プレート24が基板Wの下に進出した後、可動支持ピン23が下降することにより、基板Wが保持プレート24に受け渡される。基板Wを保持した保持プレート24が退出して、さらに上昇して基板Wを基板仮置部19に搬送する。基板仮置部19内で保持プレート24に支持された基板Wが、保持プレート24が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート24は、冷却した(常温に戻した)基板Wを基板仮置部19の固定支持ピン23上に移載する。この基板Wを主搬送機構10が取り出して搬送する。
The substrate W is taken in and out of the heating unit PHP as described above. First, the main transport mechanism 10 (second
以上のように、主搬送機構10は、基板仮置部19に対して基板Wの受け渡しをするだけで、加熱プレートHPに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構10が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートHPに基板Wを出し入れするための開口部19cが、主搬送機構10が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部19cから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構10が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部15が開口部19cから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
As described above, the
上述したレジスト膜処理ブロック3に隣接して現像処理ブロック4が設けられている。図4に示すように、レジスト膜処理ブロック3と現像処理ブロック4との間にも、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられており、この隔壁13に両処理ブロック3、4間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS5,6と、基板Wを大まかに冷却するために水冷式の2つの冷却プレートWCPが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部PASS5は、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック4を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS6は、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック4を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
A
現像処理ブロック4について説明する。現像処理ブロック4は、露光された基板Wに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Wに現像処理をする現像処理部30と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部31と、現像処理部30および現像用熱処理部31に対して基板Wの受け渡しをする第3の主搬送機構10Cとを備える。
The
現像処理部30は、図2に示すように、同様の構成を備えた5つの現像処理部30a〜30e(以下、特に区別しない場合は符号「30」で示す)を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部30は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック32や、このスピンチャック32上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル33などを備えている。
As shown in FIG. 2, the
現像用熱処理部31は、図3に示すように、各々複数個の加熱プレートHP、基板仮置部付きの加熱部PHP、冷却プレートCPなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック2、3の場合と同様である。現像用熱処理部31の右側(インターフェイスブロック5に隣接している側)の熱処理部の列には、現像処理ブロック4と、これに隣接するインターフェイスブロック5との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS7、PASS8が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部PASS7が基板Wの払出し用、下側の基板載置部PASS8が基板Wの戻し用になっている。ここで、基板載置部PASS7は、現像処理ブロック4を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック5を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS8は、現像処理ブロック4を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック5を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
As shown in FIG. 3, the development
インターフェイスブロック5について説明する。インターフェイスブロック5は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置STPに対して基板Wの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック5には、露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構35の他に、フォトレジストが塗布された基板Wの周縁部を露光する2つのエッジ露光部EEWと、現像処理ブロック4内に配設された基板仮置部付きの熱処理部PHPおよびエッジ露光部EEWに対して基板Wを受け渡しする第4の主搬送機構10Dを備えている。
The
エッジ露光部EEWは、図2に示すように、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック36や、このスピンチャック36上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器37などを備えている。2つのエッジ露光部EEWは、インターフェイスブロック5の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部EEWと現像処理ブロック4の熱処理部とに隣接して配置されている第4の主搬送機構10Dは、図6で説明した主搬送機構10と同様の構成を備えている。
As shown in FIG. 2, the edge exposure unit EEW has a
図2および図5を参照する。図5はインターフェイスブロック5の側面図である。2つのエッジ露光部EEWの下側に、基板戻し用のバッファRBFがあり、さらにその下側に2つの基板載置部PASS9、PASS10が積層配置されている。基板戻し用のバッファRBFは、故障などのために現像処理ブロック4が基板Wの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック4の加熱部PHPで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Wを一時的に収納保管しておくものである。このバッファRBFは、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部PASS9、PASS10は、第4の主搬送機構10Dとインターフェイス用搬送機構35との間で基板Wの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
Please refer to FIG. 2 and FIG. FIG. 5 is a side view of the
インターフェイス用搬送機構35は、図1および図5に示すように、Y方向に水平移動可能な可動台35aを備え、この可動台35a上に基板Wを保持する保持アーム35bを搭載している。保持アーム35bは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構35の搬送経路の一端(図5中に示す位置P1)は、積層された基板載置部PASS9、PASS10の下方にまで延びており、この位置P1で露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置P2では、基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しと、送り用バッファSBFに対する基板Wの収納と取り出しとを行う。送り用バッファSBFは、露光装置STPが基板Wの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Wを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚から構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 5, the
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック1、各処理ブロック2、3、4、およびインターフェイスブロック5内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック2内の気圧はインデクサブロク1内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック1内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック2に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック2、3、4で処理を行うことができる。
In the substrate processing apparatus configured as described above, clean air is supplied to the
次に、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である上述の各ブロック1〜5と、本実施例装置における制御の単位である各被制御ユニット(セル)C1〜C6との関係について説明する。
Next, each of the above-described
インデクサセルC1は、カセット載置台6とインデクサ用搬送機構7とを含む。このセルC1は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック1と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルC2は、反射防止膜用塗布処理部8と反射防止膜用熱処理部9と第1の主搬送機構10Aとを含む。このセルC2も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック2と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルC3は、レジスト膜用塗布処理部15とレジスト膜用熱処理部16と第2の主搬送機構10Bとを含む。このセルC3も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック3と同じ構成になっている。
The indexer cell C1 includes a cassette mounting table 6 and an
一方、現像処理セルC4は、現像処理部30と、露光後加熱に使われる熱処理部(実施例では、加熱部PHP)を除いた現像用熱処理部31と、第3の主搬送機構10Cとを含む。このセルC3は、露光後加熱に使われる加熱部PHPを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック4とは異なる構成になっている。
On the other hand, the development processing cell C4 includes the
露光後加熱用処理セルC5は、露光された基板Wを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部(実施例では、現像処理ブロック4に設けられた加熱部PHP)と、エッジ露光部EEWと、第4の主搬送機構10Dとを含む。このセルC5は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部(加熱部PHP)と第4の主搬送機構10Dとを含んで1つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部PHPに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
The post-exposure heating processing cell C5 includes a post-exposure heating heat treatment section (in the embodiment, a heating section PHP provided in the development processing block 4) that heat-treats the exposed substrate W before development, and an edge exposure section. EEW and the fourth
なお、上述した基板載置部PASS7、PASS8は、現像処理セルC4の第3の主搬送機構10Cと、露光後加熱用処理セルC5の第4の主搬送機構10Dとの間の基板Wの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部PASS7は、現像処理セルC4を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS8は、現像処理セルC4を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
The above-described substrate platforms PASS7 and PASS8 transfer the substrate W between the third
インターフェイスセルC6は、外部装置である露光装置STPに対して基板Wの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構35を含む。このセルC6は、第4の主搬送機構10Dやエッジ露光部EEWを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック5とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部PASS9、PASS10は、露光後加熱用処理セルC5の第4の主搬送機構10Dと、インターフェイス用搬送機構35との間の基板Wの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部PASS9は、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルC6を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS10は、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルC6を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
The interface cell C6 includes an
本実施例装置は、上述した6つのセルC1〜C6を並設して構成されており、各セルC1〜C6間の基板の受け渡しは、基板載置部PASS1〜PASS10を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット(セル)は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。 The apparatus according to the present embodiment is configured by arranging the six cells C1 to C6 described above in parallel, and the transfer of the substrate between the cells C1 to C6 is performed via the substrate platforms PASS1 to PASS10. In other words, a single controlled unit (cell) according to the present invention includes a single main transport mechanism, and the main transport mechanism receives a substrate received from a specific entrance substrate mounting section as a specific exit substrate mounting. It is configured to include a processing unit that delivers a substrate before it is placed on the mounting unit.
図9(a)に示すように、セルC1〜C6は、各々のセルの主搬送機構(インデクサ用搬送機構7およびインターフェイス用搬送機構35を含む)の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ(ユニット制御手段)CT1〜CT6を個別に備えている。各セルコントローラCT1〜CT6は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルC1〜C6のセルコントローラCT1〜CT6は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラCT1〜CT6に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ(主制御手段)MCを介して行われる。メインコントローラMCは、本実施例に係る基板処理装置が設置される半導体製造行程の全体を管理するホストコンピュータHCとの間で通信可能に構成されている。各セルC1〜C6内の基板処理状況は各セルコントローラCT1〜CT6を介してメインコントローラMCに集められてホストコンピュータHCに伝達される。これにより、各セルC1〜C6の状態をホストコンピュータHCで容易に把握できるようになっている。
As shown in FIG. 9A, the cells C1 to C6 are cell controllers (units) that at least control the substrate transfer operation of the main transport mechanism (including the
各セルコントローラCT1〜CT6は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。したがって、各セルコントローラCT1〜CT6の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図9(b)に示すように、各ブロック1〜5が基板処理のスケジュール管理用のコントローラCT0に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラCT0が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラCT10の負担が多くなる。
Each of the cell controllers CT1 to CT6 advances the control only for the transfer of the substrate in each cell without considering the movement of the main transport mechanism in the adjacent cells. Therefore, the control burden on each of the cell controllers CT1 to CT6 is reduced. On the other hand, according to the control method of the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 9B, each of the
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラCT1〜CT6の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図9(b)に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラCT0のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルC3と現像処理セルC4との間に、基板Wに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。 As described above, according to this embodiment, the control burden on the controllers CT1 to CT6 of each cell is reduced, so that the throughput of the substrate processing apparatus can be improved accordingly. In addition, according to the conventional control method shown in FIG. 9B, when a processing unit is newly added, it is necessary to significantly modify the schedule management program of the controller CT0. Therefore, even if a new cell is added, the adjacent cells are not affected, so that the cell can be easily added. The type of cell to be added is not particularly limited. For example, the thickness of the resist film applied to the substrate W is inspected between the resist film processing cell C3 and the development processing cell C4, or the developed resist film. An inspection cell for inspecting the line width may be added. In this case, the inspection cell includes a substrate inspection unit that inspects the substrate and a main conveyance mechanism for substrate inspection that conveys the substrate to the inspection unit, as in the other cells of the apparatus of the present embodiment. Composed. Further, the transfer of the substrate between the inspection cell and the adjacent cell is performed via the inlet substrate mounting portion and the outlet substrate mounting portion.
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、被制御ユニットである反射防止膜用処理セルC2、レジスト膜用処理セルC3、および現像処理セルC4が、主搬送機構を使って基板Wを特定の位置から別の位置に搬送する工程を1工程とした場合に、各セルC2、C3、C4の第1、第2、第3の主搬送機構10A、10B、10Cは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図10に示したように、上記主搬送機構10A、10B、10Cは、略6つの搬送工程を負担している。
Another feature of the substrate processing apparatus according to this embodiment is that the antireflection film processing cell C2, the resist film processing cell C3, and the development processing cell C4, which are controlled units, use the main transport mechanism to transfer the substrate W. When the process of transporting from a specific position to another position is a single process, the first, second, and third
本実施例装置において、主搬送機構10が1搬送工程に要する時間は約4秒である。したがって、各セルC2〜C3において、主搬送機構10は6搬送工程を負担するので、各セルC2〜C3は24秒に1回の割合(24秒の処理周期)で基板Wを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、1時間あたり150枚の基板Wを処理することができる。仮に、1つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期(サイクル時間)によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルC2、C4の各主搬送機構10A、10Cが各々5つの搬送工程を負担し、セルC3の主搬送機構10Bが8つの搬送工程を負担する場合、セルC2〜C4間では、セルC3の処理周期(この場合、32秒)でしか基板Wが流れないので、セルC2、C4の主搬送機構10A、10Cに余裕があったとしても、その基板処理装置は1時間あたり112.5枚しか基板Wを処理することができない。
In the apparatus of this embodiment, the time required for the
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルC2、レジスト膜用処理セルC3、および現像処理セルC4の各主搬送機構10A、10B、10Cが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか1つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
On the other hand, in this embodiment apparatus, the
一方、現像処理セルC4に隣接する露光後加熱用処理セルC5に関しては、そのセルC5に属する第4の主搬送機構10Dの負担する搬送工程が5つに設定されている。露光後加熱用処理セルC5は、基板Wが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第4の主搬送機構10Dの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第4の主搬送機構10Dに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルC5は、1搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルC5に新たな処理部、例えば基板Wの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルC5の主搬送機構10Dは、他のセルの主搬送機構と同様に6つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルC5に基板検査部を追加しても、セルC5の処理周期は他のセルと同じ24秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
On the other hand, with regard to the post-exposure heating processing cell C5 adjacent to the development processing cell C4, the number of transport steps borne by the fourth
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルC2、レジスト膜用処理セルC3、現像処理セルC4、および露光後加熱用処理セルC5の各主搬送機構10A〜10Dによる各搬送工程については図10を参照されたい。なお、以下の説明では理解の容易のために、まず各セルC1〜C6内における一連の基板の流れを説明し、その後で各セルC1〜C6内で基板搬送を開始するための搬送可能条件の判定処理について説明する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus according to this embodiment will be described. In particular, refer to FIG. 10 for the respective transport steps by the
まず、インデクサセルC1(インデクサブロック1)のインデクサ用搬送機構7が、所定のカセットCに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム7bが昇降および進退移動することにより、そのカセットCに収納されている未処理の基板Wを取り出す。保持アーム7bに基板Wを保持した状態で、インデクサ用搬送機構7が、基板載置部PASS1、PASS2に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム7b上の基板Wを基板払出し用の上側の基板載置部PASS1に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部PASS2に処理済みの基板Wが載置されている場合、インデクサ用搬送機構7は、その処理済みの基板Wを保持アーム7b上に受け取って、所定のカッセトCに処理済みの基板Wを収納する。以下、同様にカセットCから未処理基板Wを取り出して基板載置部PASS1に搬送するとともに、処理済み基板Wを基板載置部PASS2から受け取ってカセットCに収納するという動作を繰り返し行う。
First, the
反射防止膜用処理セルC2(反射防止膜用処理ブロック2)の動作を説明する。反射防止膜用処理セルC2のセルコントローラCT2は、後述する判定処理開始事象が発生したときに、そのセルC2内で後述する搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。 The operation of the antireflection film processing cell C2 (antireflection film processing block 2) will be described. When an after-mentioned determination process start event occurs, the cell controller CT2 of the antireflection film processing cell C2 determines whether or not a transportable condition described later is satisfied in the cell C2. Then, if the forward feed condition is satisfied, the forward substrate transfer is executed as follows.
基板載置部PASS1(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)に置かれた未処理基板Wを受け取るために、図10に示すように、セルC2の第1の主搬送機構10Aは、保持アーム10a、10bを基板載置部PASS1、PASS2に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム10bに保持している処理済みの基板Wを下側の戻し用の基板載置部PASS2(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部PASS1に置かれている未処理基板Wを、空の状態になった一方の保持アーム10bを再び駆動して、その保持アーム10b上に受け取るという、保持アーム10bだけを使った処理済み基板Wおよび未処理基板Wの受け渡し動作を行う。
In order to receive the unprocessed substrate W placed on the substrate platform PASS1 (“feed inlet substrate platform” on the basis of the processing cell C2 for antireflection film), as shown in FIG. The first
具体的には、保持アーム10bを前進移動させて戻り用出口基板載置部PASS2上に処理済みの基板Wを置く。処理済みの基板Wを渡した保持アーム10bは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム10a、10bを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム10bを再び前進移動させて送り用入口基板載置部PASS1上の未処理基板Wを保持アーム10b上に受け取る。基板Wを受け取った保持アーム10bは元の位置にまで後退する。
Specifically, the holding
上述したように、本実施例では、基板載置部PASS1、PASS2に対する処理済み基板Wおよび未処理基板Wの受け渡し動作を保持アーム10bだけを使って行っている。一方の保持アーム10aに保持した基板Wを基板載置部PASS2に渡した後は、両方の保持アーム10a、10bは空の状態になっているので、いずれの保持アーム10a、10bを使っても基板載置部PASS1の基板Wを受け取ることができる。しかし、本実施例では、加熱プレートHPで処理されて加熱された基板Wを、上側に配置された保持アーム10aで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム10aを使わずに、保持アーム10bを再駆動して基板載置部PASS1の基板Wを受け取るように構成してある。このような2つの基板載置部に対して一方の保持アーム10bだけを使って基板Wの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルC2〜C4(ただし、露光後加熱用処理セルC5を除く)においても同様である。
As described above, in this embodiment, the transfer operation of the processed substrate W and the unprocessed substrate W to the substrate platforms PASS1 and PASS2 is performed using only the holding
以上の基板載置部PASS1、PASS2に対する未処理基板Wおよび処理済み基板Wの受け渡しは、図10中に第1の主搬送機構10Aの搬送工程(1+α)で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Wを基板載置部PASS1から受け取るために、保持アーム10a、10bを基板載置部PASS2に対向する位置から基板載置部PASS1に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部PASS1、PASS2は上下に近接して配置されているので、基板載置部PASS1、PASS2間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程(1+α)は、1搬送工程(本実施例では、主搬送機構を使って所定時間(例えば、4秒)以内に行われる基板の受け渡し動作)であるとして取り扱うことができる。
Delivery of the unprocessed substrate W and the processed substrate W to the substrate platforms PASS1 and PASS2 is shown in FIG. 10 in the transport process (1 + α) of the first
基板載置部PASS1、PASS2に対する基板Wの受け渡しが終わると、第1の主搬送機構10Aは、基板Wを保持していない空の状態の保持アーム10aと、未処理基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部9の所定の冷却プレートCPに対向させる。通常、この冷却プレートCPには、先行処理されている基板Wが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その冷却プレートCP上の冷却処理済みの基板Wを保持アーム10a上に受け取る。続いて未処理基板Wを保持した保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをその冷却プレートCP上に置く。冷却プレートCPに載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、2つの保持アーム10a、10bを使った冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しは、保持アーム10a、10bの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートCPに対する基板の受け渡しは、第1の主搬送機構10Aの1搬送工程内に行われる(図10中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(2)参照)。
When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS1 and PASS2 is finished, the first
冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部8に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部8には、先行処理されている基板Wが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部8にあるスピンチャック11上の処理済みの基板Wを保持アーム10b上に受け取る。続いて基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、基板Wをそのスピンチャック11上に置く。スピンチャック11上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック11に対する基板の受け渡しは、図10中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(3)に相当する。なお、図10中の「BARC」は反射防止膜用塗布処理部8を意味する。
When the delivery of the substrate W to the cooling plate CP is finished, the holding
スピンチャック11への基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、反射防止膜が塗布された基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートHPに対向させる。通常、この加熱プレートHPにも先行処理されている基板Wが入っているので、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱プレートHP上の処理済みの基板Wを保持アーム10a上に受け取る。続いて、保持アーム10bを前進移動させて、基板Wを加熱プレートHP上に置く。加熱プレートHP上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板W上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートHPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(4)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the
加熱プレートHPへの基板Wの載せ換えが終わると、熱処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁13に設置された水冷式の冷却プレートWCPに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートWCP上の処理済みの基板Wを保持アーム10b上に受け取る。続いて、保持アーム10aを前進移動させて、基板Wを冷却プレートWCP上に置く。冷却プレートWCP上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートWCPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(5)に相当する。
When the transfer of the substrate W to the heating plate HP is finished, the holding
冷却プレートWCPへの基板Wの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム10aと、大まかに冷却された基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に上昇させて、冷却プレートWCPの上方に配設されている基板載置部PASS3、PASS4に対向させる。そして、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板載置部PASS3(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)上に基板Wを置く。通常、下側の基板載置部PASS4(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)に、レジスト膜用処理セルC3を介して現像処理セルC4から送られてきた現像処理済みの基板Wが置かれている。そこで、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、保持アーム10a、10bを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム10bを再び前進移動させて基板載置部PASS4上の現像処理済みの基板Wを保持アーム10b上に受け取る。
When the transfer of the substrate W to the cooling plate WCP is finished, the
基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(6+α)に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム10a、10bが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程(6+α)は1搬送工程であるとして取り扱うことができる。
The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS3 and PASS4 corresponds to the transport process (6 + α) of the first
反射防止膜用処理セルC2に備えられた第1の主搬送機構10Aは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程(1+α)から搬送工程(6+α)の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程(1+α)から搬送工程(6+α)を合計すると、第1の主搬送機構10Aは、略6つの搬送工程を負担することになる。1搬送工程に要する搬送時間を4秒とすると、第1の主搬送機構10Aは略24秒で基板搬送の1周期を完了する。換言すれば、24秒に1回(150枚/時間)の割合で基板Wが隣のレジスト膜用処理セルC3に払い出される。なお、通常の連続処理状態では上述した順方向の基板搬送と逆方向の基板搬送とが並行して進められるが、例えば、一群の基板Wの投入開始時などでは、順方向の搬送可能条件だけが成立するので、順方向の基板搬送のみが実行される。逆に、一群の基板Wの処理が終了する間近などでは、逆方向の搬送可能条件だけが成立するので、逆方向の基板搬送のみが実行される。この点は他のセルC2〜C6においても同様である。
The first
レジスト膜用処理セルC3(レジスト膜用処理ブロック3)の動作を説明する。レジスト膜用処理セルC3のセルコントローラCT3は、そのセルC3について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルC3について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。基板載置部PASS3(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)に置かれた、反射防止膜の塗付形成された基板Wを受け取るために、図10に示すように、セルC3の第2の主搬送機構10Bは、上述した第1の主搬送機構10Aの場合と同様に、一方の保持アーム10bに保持した現像処理済みの基板Wを基板載置部PASS4(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)上に置く。そして、基板載置部PASS3上の基板Wを再び保持アーム10b上に受け取る。基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しは、図10中に第2の主搬送機構10Bの搬送工程(1+α)で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程(1+α)は1搬送工程として取り扱うことができる。
The operation of the resist film processing cell C3 (resist film processing block 3) will be described. The cell controller CT3 of the resist film processing cell C3 determines whether or not a predetermined transportable condition is satisfied for the cell C3 when a predetermined determination processing start event occurs for the cell C3. To do. Then, if the forward feed condition is satisfied, the forward substrate transfer is executed as follows. In order to receive the substrate W coated with the antireflection film, placed on the substrate platform PASS3 (“feed entrance substrate platform” on the basis of the resist film processing cell C3), FIG. As shown in FIG. 10, the second
基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しが終わると、第2の主搬送機構10Bは、空の状態の保持アーム10aと基板Wを保持した保持アーム10bとを、レジスト膜用熱処理部16の所定の冷却プレートCPに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その冷却プレートCP上の冷却処理済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをその冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板の受け渡しは、図10中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(2)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS3 and PASS4 is finished, the second
冷却プレートCPへの基板Wの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、所定のレジスト膜用塗布処理部15に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部15にあるスピンチャック17上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、その基板Wをスピンチャック17上に置く。スピンチャック17上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Bが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック17に対する基板の受け渡しは、図10中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(3)に相当する。なお、図10中の「PR」はレジスト膜用塗布処理部15を意味する。
When the transfer of the substrate W to the cooling plate CP is completed, the holding
スピンチャック17への基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、レジスト膜が塗布形成された基板Wを保持した保持アーム10bとを、所定の基板仮置部付きの加熱部PHPに対向させる。先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱部PHP上の基板仮置部19に載置されている処理済みの基板Wを受け取る。続いて、保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wを基板仮置部19上に置く。基板仮置部19上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Bが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部PHPのローカル搬送機構20によって、その加熱部PHPの加熱プレートHP上に移されて熱処理される。この加熱プレートHP上で熱処理された基板Wは、同じローカル搬送機構20によって基板仮置部19に戻される。その基板Wは、ローカル搬送機構20の保持プレート24に保持されて基板仮置部19に戻され、基板載置部20内で保持プレート24の冷却機構によって冷却される。この加熱部PHPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(4)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the
加熱部PHPへの基板Wの受け渡しが終わると、熱処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、レジスト膜用熱処理部16の冷却プレートCPに対向させる。そして、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートCP上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、保持アーム10aを前進移動させて、未処理基板Wを冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(5)に相当する。
When the transfer of the substrate W to the heating unit PHP is completed, the holding
冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、冷却された基板Wを保持した保持アーム10bとを、基板載置部PASS5、PASS6に対向させる。続いて、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部PASS5(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)上に基板Wを置く。そして、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、下側の基板戻し用の基板載置部PASS6(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)に載置されている現像処理済みの基板Wを再び保持アーム10bで受け取る。
When the transfer of the substrate W to the cooling plate CP is completed, the
基板載置部PASS5、PASS6に対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(6+α)に相当する。搬送工程(6+α)は1搬送工程であるとして取り扱われる。
The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS5 and PASS6 corresponds to the transport process (6 + α) of the second
レジスト膜用処理セルC3に備えられた第2の主搬送機構10Bは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程(1+α)から搬送工程(6+α)の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第2の主搬送機構10Bの搬送工程(1+α)から搬送工程(6+α)を合計すると、第2の主搬送機構10Bは、第1の主搬送機構10Aと同様に略6つの搬送工程を負担することになる。したがって、第2の主搬送機構10Bは、第1の主搬送機構10Aと同じ周期(この実施例では、略24秒)で基板搬送の1周期を完了する。換言すれば、24秒に1回(150枚/時間)の割合で基板Wが隣の現像処理セルC4に払い出される。
The second
現像処理セルC4の動作を説明する。現像処理セルC4のセルコントローラCT4は、そのセルC4について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルC4について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。基板載置部PASS5(現像処理セルC4を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)に置かれた、レジスト膜の塗付形成された基板Wを受け取るために、図10に示すように、セルC4の第3の主搬送機構10Cは、先ず保持アーム10bに保持した現像処理済みの基板Wを基板載置部PASS6(現像処理セルC4を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)上に置き、その後、基板載置部PASS5上の基板Wを再び保持アーム10b上に受け取る。基板載置部PASS5、PASS6に対する基板Wの受け渡しは、図10中に第3の主搬送機構10Cの搬送工程(1+α)で示されている。
The operation of the development processing cell C4 will be described. The cell controller CT4 of the development cell C4 determines whether or not a transportable condition set in advance for the cell C4 is satisfied when a predetermined determination process start event occurs for the cell C4. Then, if the forward feed condition is satisfied, the forward substrate transfer is executed as follows. In order to receive the substrate W on which the resist film is applied, which is placed on the substrate platform PASS5 (“feeding entrance substrate platform” on the basis of the development processing cell C4), it is shown in FIG. As described above, the third
基板載置部PASS5、PASS6に対する基板Wの受け渡しが終わると、第3の主搬送機構10Cは、空の状態の保持アーム10aと基板Wを保持した保持アーム10bとを、現像用熱処理部31の積層構造の中に配設された基板載置部PASS7、PASS8に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部PASS7(現像処理セルC4を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)上に、レジスト膜が塗付形成された基板Wを置く。そして、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、下側の基板戻し用の基板載置部PASS8(現像処理セルC4を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Wを再び保持アーム10bで受け取る。基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しは、図10中に第3の主搬送機構10Cの搬送工程(2+α)で示されている。なお、現像処理セルC4において、順方向の基板搬送は、基板載置部PASS5に置かれた基板Wを受け取って、この基板Wを基板載置部PASS7に置くまでの基板搬送(セルC4を素通りさせるための基板搬送)を意味し、逆方向の基板搬送は、基板載置部PASS8に置かれた基板Wを受け取って、この基板Wを後述する各処理部(CP、SD、HP、WCP)を経て基板載置部PASS6に置くまでの一連の基板搬送であることに留意されたい。
When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS5 and PASS6 is finished, the third
基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しが終わると、第3の主搬送機構10Cは、空の状態の保持アーム10aと、露光後の加熱処理済みの基板Wを保持した保持アーム10bとを、現像用熱処理部31の所定の冷却プレートCPに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その冷却プレートCP上の冷却処理済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをその冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板の受け渡しは、図10中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(3)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS7 and PASS8 is finished, the third
冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、所定の現像処理部30に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その現像処理部30にあるスピンチャック32上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、その基板Wをスピンチャック32上に置く。スピンチャック32上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Cが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック32に対する基板の受け渡しは、図10中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(4)に相当する。なお、図10中の「SD」は現像処理部30を意味する。
When the delivery of the substrate W to the cooling plate CP is finished, the holding
スピンチャック32への基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、現像処理された基板Wを保持した保持アーム10bとを、現像用熱処理部31の所定の加熱プレートHPに対向させる。先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱プレートHP上に載置されている処理済みの基板Wを受け取る。続いて、保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wを加熱プレートHP上に置く。この加熱プレートHPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(5)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the
加熱プレートHPへの基板Wの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、レジスト膜用処理セルC3の側にある隔壁13に設置された水冷式の冷却プレートWCPに対向させる。そして、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートWCP上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、保持アーム10aを前進移動させて、未処理基板Wを冷却プレートWCP上に置く。この冷却プレートWCPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(6)に相当する。
When the transfer of the substrate W to the heating plate HP is finished, the holding
現像処理セルC4に備えられた第3の主搬送機構10Cは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程(1+α)から搬送工程(6)の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第3の主搬送機構10Cの搬送工程(1+α)から搬送工程(6)を合計すると、第3の主搬送機構10Cは、第1、第2の主搬送機構10A、10Bと同様に略6つの搬送工程を負担することになる。したがって、第3の主搬送機構10Bは、第1、第2の主搬送機構10A、10Bと同じ周期(この実施例では、略24秒)で基板搬送の1周期を完了する。換言すれば、24秒に1回(150枚/時間)の割合で基板Wが隣の露光後加熱用処理セルC5に払い出される。
The third
露光後加熱用処理セルC5の動作を説明する。露光後加熱用処理セルC5のセルコントローラCT5は、そのセルC5について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルC5について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。基板載置部PASS7(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)に置かれた、レジスト膜の塗付形成された基板Wを受け取るために、図10に示すように、セルC5の第4の主搬送機構10Dは、保持アーム10bに保持した露光後加熱処理済みの基板Wを基板載置部PASS8(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)上に置き、その後で基板載置部PASS7上の基板Wを再び保持アーム10b上に受け取る。基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(1+α)に相当する。
The operation of the post-exposure heating processing cell C5 will be described. The cell controller CT5 of the post-exposure heating processing cell C5 determines whether or not a predetermined transportable condition is satisfied for the cell C5 when a predetermined determination processing start event occurs for the cell C5. judge. Then, if the forward feed condition is satisfied, the forward substrate transfer is executed as follows. In order to receive the substrate W on which the resist film is applied, which is placed on the substrate platform PASS7 (“feeding entrance substrate platform” on the basis of the post-exposure heating processing cell C5). As shown in FIG. 10, the fourth
基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Dは、空の状態の保持アーム10aと基板Wを保持した保持アーム10bとを、所定のエッジ露光部EEWに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、そのエッジ露光部EEWのスピンチャック36上にある周辺露光済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをそのスピンチャック36上に置く。スピンチャック36上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Dが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック36に対する基板の受け渡しは、図10中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(2)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS7 and PASS8 is finished, the fourth
スピンチャック36に対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Dは、周辺露光された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、現像用熱処理部31にある冷却プレートCPに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートCP上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、保持アーム10aを前進移動させて、周辺露光された基板Wを冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(3)に相当する。
When the transfer of the substrate W to the
冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Dは、空の状態の保持アーム10aと、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10bとを、基板載置部PASS9、PASS10に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部PASS9(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)上に基板Wを置く。そして、逆方向の搬送可能条件が成立していると、下側の基板戻し用の基板載置部PASS10(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)に載置されている、露光装置STPで露光された基板Wを保持アーム10aで受け取る。基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しは、図10中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(4+α)に相当する。
When the delivery of the substrate W to the cooling plate CP is finished, the fourth
なお、本実施例では、基板載置部PASS9、PASS10に対してだけ、2つの保持アーム10a、10bを使って基板Wの受け渡しを行っている。これは、基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しと、基板載置部PASS7、PASS8との間に、後述する加熱部PHPに対する基板Wの受け渡しを(1回:奇数回)行う関係で、基板載置部PASS9、PASS10に対して一方の保持アーム10bだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の1サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。
In this embodiment, the substrate W is delivered only to the substrate platforms PASS9 and PASS10 using the two holding
基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Cは、露光済みの基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、現像用熱処理部31にある所定の基板仮置部付きの加熱部PHPに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その加熱部PHP(具体的には、基板仮置部19の上)にある露光後の加熱処理済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10aを前進移動させて、露光済みの基板Wを加熱部PHP(具体的には、基板仮置部19の上)に置く。基板仮置部19に置かれた基板Wは、主搬送機構10Dが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構20によって加熱プレートHPに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構20によって基板仮置部19に戻され、基板仮置部19内で冷却される。この加熱部PHPに対する基板の受け渡しは、図10中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(5)に相当する。なお、露光後加熱用処理セルC5において、基板載置部PASS10に置かれた基板Wを受け取って、この基板Wを加熱部PHPを経て基板載置部PASS8に置くまでの基板搬送は、逆方向の基板搬送に相当することに留意されたい。
When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS9 and PASS10 is finished, the fourth
露光後加熱用処理セルC5に備えられた第4の主搬送機構10Dは、搬送可能条件の成立に応じて、上述した搬送工程(1+α)から搬送工程(5)の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第4の主搬送機構10Dの搬送工程(1+α)から搬送工程(5)を合計すると、第4の主搬送機構10Dは、第1〜第3の主搬送機構10A〜10Cよりも1つ少ない略5つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルC5だけをみれば、第4の主搬送機構10Dは、1搬送工程に要する時間を4秒とした場合に、20秒周期で動作可能であるが、他の第1〜第3の主搬送機構10A〜10Cが24秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルC5からは、他のセルと同様に、24秒に1回(150枚/時間)の割合で基板Wが隣のインターフェイスセルC6に払い出される。
The fourth
インターフェイスセルC6の動作を説明する。インターフェイスセルC6のセルコントローラCT6は、そのセルC6について予め決められた判定処理開始事象が発生したときに、そのセルC6について予め設定された搬送可能条件が成立しているか否かを判定する。そして、順方向送りの搬送可能条件が成立していれば、次のように順方向の基板搬送を実行する。具体的には、周辺露光された基板Wが基板載置部PASS9(インターフェイスセルC6を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)に置かれると、インターフェイスセルC6のインターフェイス用搬送機構35が基板載置部PASS9から基板Wを受け取って、隣接する露光装置STPに渡す。さらに、逆方向の搬送可能条件が成立していれば、インターフェイス用搬送機構35は、露光装置STPから露光済みの基板Wを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部PASS10(インターフェイスセルC6を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)に載せる。インターフェイス用搬送機構35は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
The operation of the interface cell C6 will be described. The cell controller CT6 of the interface cell C6 determines whether or not a transportable condition set in advance for the cell C6 is satisfied when a predetermined determination processing start event occurs for the cell C6. Then, if the forward feed condition is satisfied, the forward substrate transfer is executed as follows. Specifically, when the peripherally exposed substrate W is placed on the substrate platform PASS9 (“feed inlet substrate platform” on the basis of the interface cell C6), the interface transport mechanism of the interface cell C6. 35 receives the substrate W from the substrate platform PASS9 and transfers it to the adjacent exposure apparatus STP. Further, if the reverse transportable condition is satisfied, the
次に、図11のフローチャートを参照して、各セルC1〜C6のセルコントローラCT1〜CT6が行う、基板搬送を開始するための搬送可能条件の判定処理について説明する。 Next, with reference to the flowchart of FIG. 11, a process for determining a transportable condition for starting substrate transport performed by the cell controllers CT1 to CT6 of the cells C1 to C6 will be described.
ステップS1:図9に示した各セルC1〜C6のセルコントローラCT1〜CT6には、搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められて設定されている。判定処理開始事象の具体的事項は特に限定されないが、この事象の発生に基づき搬送可能条件の判定を行うという性格上、基板搬送の区切りに関わる事象であることが好ましい。判定処理開始事象としては、例えば、(ア)送り用、または戻り用の入口基板載置部(PASS)に基板Wが置かれたこと、(イ)送り用、または戻り用の入口基板載置部(PASS)に基板Wが置かれることが予測されること、(ウ)搬送経路上の処理部が基板Wの入れ換え可能状態になっていること、(エ)送り用、または戻り用の出口基板載置部(PASS)の基板Wが払出されたこと、(オ)送り用、または戻り用の出口基板載置部(PASS)の基板Wが払出されたことが予測されること、(カ)停止していた処理部への基板搬送が可能になったことなどがある。これらの事象の中のいずれか1つの事象が発生したときに搬送可能条件の判定処理を行うようにすればよい。なお、本実施例のように順方向(送り)の搬送と、逆方向(戻り)の搬送とを並行して行う装置の場合、(キ)片側の搬送が終了したときにも、搬送可能条件の判定処理を行うようにしてもよい。 Step S1: In the cell controllers CT1 to CT6 of the cells C1 to C6 shown in FIG. 9, a determination process start event that is a condition for starting the determination process of the transportable condition is determined and set in advance. Although the specific matter of the determination process start event is not particularly limited, it is preferably an event related to the separation of the substrate transfer because of the nature of determining the transferable condition based on the occurrence of this event. As the determination process start event, for example, (a) the substrate W is placed on the feeding or returning entrance substrate placing part (PASS), (b) the feeding or returning entrance substrate placing. It is predicted that the substrate W will be placed in the section (PASS), (c) the processing section on the transport path is in a state where the substrate W can be replaced, and (d) an outlet for sending or returning. It is predicted that the substrate W of the substrate platform (PASS) has been dispensed, (e) the substrate W of the exit substrate platform (PASS) for delivery or return has been dispensed, ) The substrate can be transferred to the processing unit that has been stopped. The transportable condition determination process may be performed when any one of these events occurs. In addition, in the case of an apparatus that performs forward (feed) conveyance and reverse (return) conveyance in parallel as in this embodiment, (g) a condition that allows conveyance even when conveyance on one side is completed. This determination process may be performed.
各セルコントローラCT1〜CT6は、上記のような判定処理開始事象の発生を監視し、所定の事象が発生すればステップS2以降の処理に移る。なお、ステップS2以降の処理に移った後に、連続して別の判定処理開始事象が発生した場合には、その事象に基づく判定処理を待機させるか、あるいは、不要と判断できる事象の場合は破棄する。 Each of the cell controllers CT1 to CT6 monitors the occurrence of the determination process start event as described above. If a predetermined event occurs, the cell controllers CT1 to CT6 move to the processing after step S2. In addition, after moving to the process after step S2, when another determination process start event occurs continuously, the determination process based on the event is made to wait, or the event that can be determined to be unnecessary is discarded. To do.
ステップS2:このステップS2では、ステップS1で検出した判定処理開始事象が順方向の基板搬送に係る事象か、あるいは逆方向の基板搬送に係る事象であるかを判断する。例えば、反射防止膜用処理セルC2において、基板載置部PASS1(送り用入口基板載置部)に基板Wが置かれた場合、その基板Wは順方向に搬送されてセルC2の各処理部で処理されるべきものであるので、順方向の基板搬送であると判断する。逆に、反射防止膜用処理セルC2において、基板載置部PASS4(戻り用入口基板載置部)に基板Wが置かれた場合、その基板Wは逆方向に搬送されてインデクサセルC1に戻されるべきものであるので、逆方向の基板搬送であると判断する。 Step S2: In this step S2, it is determined whether the determination process start event detected in step S1 is an event related to forward substrate transport or an event related to reverse substrate transport. For example, in the processing cell C2 for antireflection film, when the substrate W is placed on the substrate platform PASS1 (feeding entrance substrate platform), the substrate W is transported in the forward direction and each processing unit of the cell C2 is placed. Therefore, it is determined that the substrate is transported in the forward direction. Conversely, when the substrate W is placed on the substrate platform PASS4 (return entrance substrate platform) in the antireflection film processing cell C2, the substrate W is transported in the reverse direction and returned to the indexer cell C1. Therefore, it is determined that the substrate is conveyed in the reverse direction.
ステップS1で説明した(ウ)、(カ)の判定処理開始事象の場合は、その処理部が基板Wの順方向の搬送過程で使われるものであるか、あるいは逆方向の搬送過程で使われるものであるかに応じて、順方向の搬送か、あるいは逆方向の搬送かを判断する。(エ)、(オ)の判定処理開始事象の場合、送り用の出口基板載置部(セルC2で言えば、PASS3)の基板Wが払出された(無くなった)ときは順方向の基板搬送と判断し、また戻り用の出口基板載置部(PASS)の基板Wが払出された(無くなった)ときは逆方向の基板搬送と判断する。(キ)の判定処理開始事象の場合、順方向の基板搬送が終了したときは、通常の連続動作状態では、順方向の基板搬送の次ぎは逆方向の基板搬送が行われるべきであるので、逆方向の基板搬送と判断する。同様に逆方向の基板搬送が終了したときは、順方向の基板搬送と判断する。 In the case of the determination process start event (c) or (f) described in step S1, the processing unit is used in the forward transfer process of the substrate W or used in the reverse transfer process. It is determined whether the transfer is in the forward direction or in the reverse direction depending on whether the transfer is in the normal direction. In the case of the determination processing start event of (D) and (E), when the substrate W of the outlet substrate mounting part (PASS3 in the case of the cell C2) is discharged (is lost), the substrate is transferred in the forward direction. In addition, when the substrate W of the return exit substrate mounting portion (PASS) is discharged (has disappeared), it is determined that the substrate is transported in the reverse direction. In the case of the determination process start event of (g), when the forward substrate transport is finished, in the normal continuous operation state, the substrate transport in the reverse direction should be performed next to the forward substrate transport. It is determined that the substrate is conveyed in the reverse direction. Similarly, when the substrate transport in the reverse direction is completed, it is determined that the substrate is transported in the forward direction.
ステップS3F、S3R:ステップS2で判定処理開始事象が順方向の基板搬送に係るものであると判断された場合には、順方向基板搬送用のタイマーをスタートさせる(ステップS3F)。一方、その判定処理開始事象が逆方向の基板搬送に係るものであると判断された場合には、逆方向基板搬送用のタイマーをスタートさせる(ステップS3R)。これらのタイマーには、入口基板載置部(順方向の基板搬送の場合は送り用入口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用入口基板載置部)に基板Wが置かれるのを待つために予め定められた待機時間が設定されている。「待機時間」を設定する意義については、ステップS4F、S4Rのところで説明する。 Step S3 F, S3 R: When the determination processing start event in step S2 is determined to relate to substrate transfer in the forward direction, to start the forward body timer for transport (step S3 F). On the other hand, if it is determined that the determination process start event is related to the substrate transport in the reverse direction, the reverse substrate transport timer is started (step S3 R ). In these timers, the substrate W is placed on the entrance substrate placement unit (the feeding entrance substrate placement unit in the case of forward substrate transport, and the return entrance substrate placement unit in the case of substrate transport in the reverse direction). In order to wait for this, a predetermined waiting time is set. The significance of setting the “standby time” will be described in steps S4 F and S4 R.
ステップS4F、S4R:これらのステップS4F、S4Rでは、順方向(または、逆方向)の搬送可能条件が成立したか否かを判定する。搬送可能条件は、そのセル内で基板Wを順方向(または、逆方向)に移動させることができるか否かを判断するために、セルごとに予め設定された条件である。搬送可能条件は特に限定されないが、本実施例では次ぎのように設定してある。すなわち、(a)入口基板載置部(順方向の基板搬送の場合は送り用入口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用入口基板載置部)に基板Wが置かれていること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、(b)出口基板載置部(順方向の基板搬送の場合は送り用出口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用出口基板載置部)に基板Wがないこと、(c)搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、の各条件が全て成立していることを条件としている。以下、各条件について説明する。 Step S4 F, S4 R: determining at the steps S4 F, S4 R, forward (or backward) whether transportable condition is satisfied. The transportable condition is a condition set in advance for each cell in order to determine whether or not the substrate W can be moved in the forward direction (or the reverse direction) within the cell. The transportable conditions are not particularly limited, but are set as follows in this embodiment. In other words, (a) the substrate W is placed on the entrance substrate placement portion (a feeding entrance substrate placement portion in the case of forward substrate transport, and a return entrance substrate placement portion in the case of reverse substrate transport). Or that a predetermined waiting time has elapsed to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate placement portion, (b) the exit substrate placement portion (in the case of forward substrate transport) There is no substrate W in the sending exit substrate mounting section, or in the case of reverse substrate transport, the return exit substrate mounting section), and (c) the processing section on the transport path is in a state where the substrate can be replaced. This condition is that all the conditions are satisfied. Hereinafter, each condition will be described.
(a)の前半の「入口基板載置部に基板Wが置かれていること」という条件は、入口基板載置部に基板Wが置かれると、速やかにこの基板Wをセル内に取り込んで必要な処理を行うために設定された条件である。例えば、反射防止膜用処理セルC2の場合、順方向の基板搬送のときは基板載置部PASS1に基板Wが置かれていること、逆方向の基板搬送のときは基板載置部PASS4に基板Wが置かれていること、がこの条件に相当する。セルC2のセルコントローラCT2は、基板載置部PASS1、PASS4にそれぞれ設けられた光学式のセンサからの検出信号によって、基板Wが基板載置部PASS1、PASS4に置かれたことを知ることができる。 The condition that “the substrate W is placed on the entrance substrate mounting portion” in the first half of (a) is that when the substrate W is placed on the entrance substrate placement portion, the substrate W is quickly taken into the cell. This is a condition set to perform necessary processing. For example, in the case of the antireflection film processing cell C2, the substrate W is placed on the substrate platform PASS1 when the substrate is transferred in the forward direction, and the substrate is placed on the substrate platform PASS4 when the substrate is transferred in the reverse direction. The fact that W is placed corresponds to this condition. The cell controller CT2 of the cell C2 can know that the substrate W has been placed on the substrate platforms PASS1 and PASS4 based on detection signals from optical sensors provided on the substrate platforms PASS1 and PASS4, respectively. .
(a)の後半の「入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること」という条件は、主搬送機構が入口基板載置部に基板Wが置かれるのを長時間に亘って待つのを回避するために設定された条件である。図11のフローチャートから明らかなように、ステップS4F、S4Rで搬送可能条件が成立しなければ、ステップS1に戻って次ぎの判定処理開始事象を待ち、以下同様に搬送可能条件の成立を判定する。入口基板載置部に長時間に亘って基板Wが置かれないと、上記の処理手順をいつまでも繰り返すことになる。そうするとそのセル内で既に処理が終わっている基板Wがあっても、その基板Wは隣接するセルに払出されなくなり、結果として基板処理装置のスループットを低下させてしまう。一群の基板Wが連続して投入されている場合は、このような事態に陥らないが、例えば、一群の基板Wの処理が終了して、基板群を別のロットに切り換える(すなわち、図1に示したカセット載置台6へカセットCを載せ換える)場合に、基板Wの投入が途切れることがある。このような場合に、予め設定された待機時間の経過を条件に、そのセル内の基板を次ぎの処理部(あるいは、隣接するセルへ)へ搬送するようにすれば、基板搬送の処理効率の低下を防止することができる。 In the latter half of (a), the condition that “a predetermined waiting time has passed for waiting for the substrate to be placed on the entrance substrate mounting portion” is that the main transport mechanism has the substrate on the entrance substrate placement portion. This is a condition set to avoid waiting for a long time for W to be placed. As it is apparent from the flowchart of FIG. 11, if the transportable condition is satisfied in step S4 F, S4 R, wait for the next determination processing start event returns to step S1, determine the establishment of transportable condition and so on to To do. If the substrate W is not placed on the entrance substrate mounting portion for a long time, the above processing procedure is repeated indefinitely. Then, even if there is a substrate W that has already been processed in the cell, the substrate W is not delivered to the adjacent cell, and as a result, the throughput of the substrate processing apparatus is reduced. When a group of substrates W are continuously input, such a situation does not occur. However, for example, the processing of the group of substrates W is completed, and the substrate group is switched to another lot (that is, FIG. 1). In the case where the cassette C is transferred to the cassette mounting table 6 shown in FIG. In such a case, if the substrate in the cell is transported to the next processing unit (or to an adjacent cell) on the condition that a preset standby time elapses, the substrate transport processing efficiency can be improved. A decrease can be prevented.
待機時間をどの程度の時間に設定するかは任意であるが、次ぎのように設定するのが好ましい。すなわち、あるセルに基板Wが受け入れられて、その基板Wに必要な処理が施され、その基板Wが次のセルに払出されるまでの時間を、そのセルのサイクル時間とした場合に、待機時間は、本基板処理装置を構成するセルC1〜C6の中で、最も長いサイクル時間をもつセルのサイクル時間である最大サイクル時間と同等以上の時間に設定されていることが好ましい。本実施例装置の場合、最大サイクル時間は「24秒」であるので、待機時間は「24秒以上」が好ましい。さらに好ましくは、待機時間は、最大サイクル時間と略同等の時間(本実施例装置の場合、「24秒」)に設定される。 Although how long the standby time is set is arbitrary, it is preferable to set as follows. In other words, when a substrate W is received by a certain cell, a necessary process is performed on the substrate W, and the time from when the substrate W is dispensed to the next cell is defined as the cycle time of the cell, the standby state is established. The time is preferably set to a time equal to or greater than the maximum cycle time which is the cycle time of the cell having the longest cycle time among the cells C1 to C6 constituting the substrate processing apparatus. In the case of the apparatus of this embodiment, the maximum cycle time is “24 seconds”, so the standby time is preferably “24 seconds or more”. More preferably, the standby time is set to a time substantially equal to the maximum cycle time (“24 seconds” in the case of this embodiment).
待機時間を上記のように設定するのは次ぎの理由による。一群の基板Wが連続的に投入されている通常状態において、基板処理装置全体のサイクル時間は、最大サイクル時間に収束してゆく。本実施例装置で言えば「24秒」である。通常状態でこのような動きをする装置において、待機時間を最大サイクル時間よりも短い時間(例えば、「22秒」)に設定すると、この待機時間「22秒」の経過により、主搬送機構はそのセル内の基板搬送を実行する。このとき例えば、待機開始(上記ステップS3F、S3Rのタイマースタート)から24秒経過後に基板Wが入口基板載置部に置かれたとすると、その基板Wが主搬送機構に受け取られるのは、主搬送機構が現在搬送している基板の処理が完了した後になる。そうすると入口基板載置部に置かれた基板は、その状態で不必要に待たされることなり、それだけ基板搬送の効率が低下する。待機時間を最大サイクル時間と同等以上の時間に設定することにより、このような不具合を回避することができる。 The standby time is set as described above for the following reason. In a normal state where a group of substrates W are continuously charged, the cycle time of the entire substrate processing apparatus converges to the maximum cycle time. In the case of the present embodiment, it is “24 seconds”. When the standby time is set to a time shorter than the maximum cycle time (for example, “22 seconds”) in an apparatus that performs such a movement in a normal state, the main transport mechanism is moved by the passage of the standby time “22 seconds”. Execute substrate transfer in the cell. At this time, for example, if the substrate W is placed on the entrance substrate platform after 24 seconds from the start of standby (timer start in steps S3 F and S3 R ), the substrate W is received by the main transport mechanism. This is after the processing of the substrate currently being transported by the main transport mechanism is completed. If it does so, the board | substrate set | placed on the entrance board | substrate mounting part will be waited unnecessarily in the state, and the efficiency of board | substrate conveyance falls that much. By setting the standby time to a time equal to or greater than the maximum cycle time, such a problem can be avoided.
一方、待機時間を最大サイクル時間よりも相当に長い時間に設定すると、基板Wの投入が途切れた場合に、入口基板載置部に基板が置かれるのを主搬送機構が不必要に長く待つことになる。定常動作時における基板処理装置全体のサイクル時間が最大サイクル時間に収束することを考慮すれば、最大サイクル時間を経過しても基板Wが入口基板載置部に置かれない場合は、ロットの切り換えなどにより基板Wの投入が途切れたと考えられるので、その場合は、セル内の基板搬送に移行するのが良い。してみれば、基板搬送の効率の面から、待機時間としては、最大サイクル時間と略同等の時間に設置するのが好ましいと言える。 On the other hand, if the standby time is set to a time considerably longer than the maximum cycle time, the main transport mechanism waits unnecessarily long for the substrate to be placed on the entrance substrate mounting portion when the loading of the substrate W is interrupted. become. Considering that the cycle time of the entire substrate processing apparatus during steady operation converges to the maximum cycle time, if the substrate W is not placed on the entrance substrate mounting portion even after the maximum cycle time has elapsed, lot switching is performed. It is considered that the loading of the substrate W is interrupted due to the above, and in this case, it is preferable to shift to the substrate transport in the cell. Accordingly, it can be said that the stand-by time is preferably set at a time substantially equal to the maximum cycle time from the viewpoint of substrate transfer efficiency.
(b)の「出口基板載置部に基板Wがないこと」という条件は、基板Wを隣接するセルに払出すことができるかを判定するための条件である。例えば、反射防止膜用処理セルC2の場合、順方向の基板搬送のときは基板載置部PASS3に基板Wがないこと、逆方向の基板搬送のときは基板載置部PASS2に基板Wがないこと、がこの条件に相当する。セルC2のセルコントローラCT2は、基板載置部PASS3、PASS2にそれぞれ設けられた光学式のセンサからの検出信号によって、基板Wが基板載置部PASS3、PASS2にないことを知ることができる。 The condition that “the substrate W does not exist in the exit substrate mounting portion” in (b) is a condition for determining whether or not the substrate W can be dispensed to an adjacent cell. For example, in the case of the antireflection film processing cell C2, there is no substrate W in the substrate platform PASS3 when the substrate is transferred in the forward direction, and there is no substrate W in the substrate platform PASS2 when the substrate is transferred in the reverse direction. This corresponds to this condition. The cell controller CT2 of the cell C2 can know that the substrate W is not in the substrate platforms PASS3 and PASS2 by detection signals from optical sensors provided in the substrate platforms PASS3 and PASS2, respectively.
(c)の「搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること」という条件は、セル内の各処理部にある基板Wが基板搬送できる状態になっているかを判定するための条件である。各セルのセルコントローラは、各処理部における処理時間をそれぞれ監視することにより、この条件が成立しているか否かを判定する。 The condition (c) that “the processing unit on the transfer path is in a state where the substrate can be replaced” is to determine whether the substrate W in each processing unit in the cell is in a state where the substrate can be transferred. Is the condition. The cell controller of each cell determines whether this condition is satisfied by monitoring the processing time in each processing unit.
ステップS4F、S4Rで搬送可能条件が成立していれば次ぎのステップS5F、S5Rに進み、いずれの搬送可能条件も成立していなければ、ステップS1に戻って次ぎの判定処理開示事象を待つ。なお、搬送可能条件としては、上述した(a)、(b)、(c)の3つの条件以外に、例えば「搬送経路上の処理部、または主搬送機構などが、アラーム発生などによって停止状態になっていないこと」を条件としてもよい。このような条件を付加すれば、異常のある処理部に基板Wが搬送されたり、あるいは異常のある主搬送機構によって基板Wが取り扱われるといった不具合を回避することができる。 The process proceeds to step S4 F, S4 step S5 transportable condition R is next if satisfied F, S5 R, if not also satisfied either transportable condition, following determination process disclosed event returns to step S1 Wait for. In addition to the three conditions (a), (b), and (c) described above, for example, “the processing unit on the transfer path or the main transfer mechanism is stopped due to an alarm or the like. It may be a condition that it is not. If such a condition is added, it is possible to avoid the problem that the substrate W is transported to the abnormal processing unit or the substrate W is handled by the abnormal main transport mechanism.
ステップS5F、S5R:これらのステップS5F、S5Rでは、待機時間を設定したタイマーをリセットする。 Step S5 F, S5 R: In these steps S5 F, S5 R, resets the timer which sets the wait time.
ステップS6F、S6R:順方向の搬送可能条件が成立している場合には順方向の基板搬送を実行し(ステップS6F)、逆方向の搬送可能条件が成立している場合には逆方向の基板搬送を実行する(ステップS6R)。一群の基板Wが連続して投入されている通常動作状態では、順方向の基板搬送に係る判定処理開始事象と逆方向の基板搬送に係る判定処理開始事象とが交互に発生するのが普通であるので、順方向の基板搬送と逆方向の基板搬送とが交互に実行される。ただし、基板群の投入開始時には順方向の基板搬送が連続して実行され、また基板群の処理が終了する間近では、逆方向の基板搬送が連続して実行されることになる。 Step S6 F, S6 R: reverse when running forward substrate conveyed if the transportable condition in the forward direction is established (step S6 F), transportable condition of the reverse is true Direction substrate transfer (step S6 R ). In a normal operation state in which a group of substrates W are continuously inserted, it is normal that a determination processing start event related to forward substrate transfer and a determination processing start event related to reverse substrate transfer occur alternately. Therefore, forward substrate transport and reverse substrate transport are performed alternately. However, the forward substrate transfer is continuously executed at the start of the loading of the substrate group, and the reverse substrate transfer is continuously executed near the end of the processing of the substrate group.
以上のように、本実施例に係る基板処理装置では、各セルC1〜C6の主搬送機構10(ただし、インデクサセルC1の場合はインデクサ用搬送機構7、インターフェイスセルC6の場合はインターフェイス用搬送機構35)が同時並行的に作動して複数枚の基板Wの処理を進めるので、基板処理装置のスループットが向上する。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、セル内に受け入れる基板Wとセルから払出す基板とが基板載置部で干渉することなく、各セル間の基板搬送を円滑に行うことができる。さらに、送り用の基板載置部と戻りの基板載置部も区別して設けられているので、順方向に搬送される基板と逆方向に搬送される基板とが基板載置部で干渉することがなく、双方向の基板搬送を円滑に行うことができる。
As described above, in the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the
また、本実施例に係る基板処理装置は、各セルC1〜C6が個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、各セルC1〜C6の基板搬送制御は、隣接するセルの基板搬送の状況を考慮する必要がない。したがって、基板処理装置を構成するセルが多数あっても、基板搬送に係る制御を容易に行うことができる。また、あるセルにおける基板の処理時間が変更されたり、あるいは、新たなセルが増設されても、それに隣接するセルの基板搬送制御を変更する必要がないので、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。 Further, the substrate processing apparatus according to the present embodiment determines that the transportable condition is satisfied when each of the cells C1 to C6 individually generates a determination process start event, and transports the substrate in the controlled unit. Since it is executed, the substrate transfer control of each of the cells C1 to C6 does not need to consider the substrate transfer status of adjacent cells. Therefore, even when there are a large number of cells constituting the substrate processing apparatus, it is possible to easily perform the control related to the substrate transport. In addition, even if the substrate processing time in a cell is changed or a new cell is added, there is no need to change the substrate transfer control of the cell adjacent to it. can do.
さらに、本実施例に係る基板処理装置は、各セルC1〜C6が個別に、判定処理開始事象が発生したときに、搬送可能条件の成立を判定して、その被制御ユニット内の基板搬送を実行するようにしているので、タクト動作をする従来の基板処理装置に比べて基板処理装置のスループットを向上することができる。一群の基板が連続的に投入されている通常の動作状態でみれば、本実施例装置は、約24秒ごとに隣接セルへ基板Wが受け渡されるので、一見すればタクト動作の従来装置と同様の動作サイクルで基板搬送をしているように見える。しかし、本実施例装置は、従来装置のように24秒のサイクルで主搬送機構が規則正しく動くように制御されるものでないことに留意されたい。本実施例装置は、各セルが搬送可能条件の成立を判定して基板搬送を実行することにより、結果として、24秒のサイクル時間に収束してゆくに過ぎない。したがって、例えば、一群の基板Wの投入開始時や、終了の間近の場合には、順方向または逆方向の基板搬送しか生じないので、搬送可能条件は、前記通常の動作状態のときと比べて、時間的に早く成立する可能性がある。搬送可能条件が早く成立すれば、それだけ基板搬送の効率が上り、基板処理装置のスループットが向上する。同様の理由により、最大サイクル時間をもつセルが、処理時間の短縮などにより、そのサイクル時間が短くなれば、本実施例に係る基板処理装置によれば、短縮された最大サイクル時間で自動的に基板搬送が行われるようになる。仮に従来装置であれば、搬送機構の制御プログラムを変更しないかぎり、サイクル時間の短縮に対応できないが、本実施例装置によれば、このようなサイクル時間の短縮にともなう基板搬送制御プログラムの変更が基本的に不要であり、極めて汎用性が高いと言える。 Furthermore, the substrate processing apparatus according to the present embodiment determines that the transportable condition is satisfied when each of the cells C1 to C6 individually generates a determination processing start event, and transports the substrate in the controlled unit. Since this is performed, the throughput of the substrate processing apparatus can be improved compared to a conventional substrate processing apparatus that performs a tact operation. In a normal operation state in which a group of substrates are continuously input, the apparatus of this embodiment delivers the substrate W to the adjacent cell every about 24 seconds. It appears that the substrate is transported in a similar operation cycle. However, it should be noted that the apparatus of this embodiment is not controlled so that the main transport mechanism moves regularly in a cycle of 24 seconds unlike the conventional apparatus. The apparatus of this embodiment only converges to a cycle time of 24 seconds as a result of each substrate determining whether the transferable condition is satisfied and executing substrate transfer. Therefore, for example, when the loading of a group of substrates W is started or near the end, only forward or reverse substrate transport occurs, so that the transportable condition is compared with that in the normal operation state. There is a possibility that it will be established earlier in time. As soon as the transportable condition is satisfied, the efficiency of transporting the substrate is increased, and the throughput of the substrate processing apparatus is improved. For the same reason, if the cell having the maximum cycle time is shortened due to shortening of the processing time or the like, the substrate processing apparatus according to the present embodiment automatically performs with the shortened maximum cycle time. Substrate conveyance is performed. If the conventional apparatus is used, it is impossible to cope with the shortening of the cycle time unless the control program for the transport mechanism is changed. However, according to the present embodiment, the substrate transport control program can be changed as the cycle time is shortened. It is basically unnecessary and can be said to be extremely versatile.
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することもできる。
(1)上記実施例では、搬送可能条件の一つとして、「入口基板載置部(順方向の基板搬送の場合は送り用入口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用入口基板載置部)に基板Wが置かれていること」を条件とした。この条件に代えて、「入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること」を条件としてもよい。上記の実施例において、例えば、インデクサセルC1のインデクサ用搬送機構7が基板載置部PASS1に基板Wを払出すための動作に移行したときに、セルC1のセルコントローラCT1がメインコントローラMC(図9参照)を介して、隣接する反射防止膜用処理セルC2のセルコントローラCT2に基板Wの払出し予告情報を送ることにより、セルコントローラCT2は基板載置部PASS1に基板Wが置かれることを予測することができる。そして、このように基板載置部PASS1に基板Wが置かれることが予測される場合に、セルC2の主搬送機構10Aが基板載置部PASS1に向かって動き始めるようにすれば、基板載置部PASS1に基板Wが置かれると略同時に主搬送機構10AがPASS1に対面して、その置かれた基板Wを直ぐに受け取ることができる。つまり、基板載置部PASS1に基板Wが置かれてから、主搬送機構10が受け取るまでの時間が短縮されるので、基板搬送の効率を高めることができる。
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows, for example.
(1) In the above-described embodiment, as one of the transportable conditions, “entrance substrate placement portion (feed substrate placement portion for forward substrate transport, return entrance for reverse direction substrate transport”) The condition is that “the substrate W is placed on the substrate mounting portion)”. Instead of this condition, “it is predicted that the substrate is placed on the entrance substrate mounting portion” may be used as a condition. In the above-described embodiment, for example, when the
(2)同様に、上記実施例の搬送可能条件(b)「出口基板載置部(順方向の基板搬送の場合は送り用出口基板載置部、逆方向の基板搬送の場合は戻り用出口基板載置部)に基板Wがないこと」に代えて、「出口基板載置部に基板がないことが予測されること」を条件としてもよい。上記の実施例において、例えば、レジスト膜用処理セルC3の主搬送機構10Bが基板載置部PASS3に置かれた基板Wを受け取るための動作に移行したときに、セルC3のセルコントローラCT3がメインコントローラMC(図9参照)を介して、隣接する反射防止膜処理セルC2のセルコントローラCT2に基板Wの受け取り予告情報を送ることにより、セルコントローラCT2は基板載置部PASS3に基板Wがないことを予測することができる。このような予測に基づいて基板搬送を開始することにより、基板搬送の効率を高めることができる。
(2) Similarly, the transportable condition of the above embodiment (b) “exit substrate mounting portion (feeding substrate mounting portion for forward substrate transport, return outlet for reverse substrate transport) Instead of “there is no substrate W in the substrate mounting portion)”, “it is predicted that there is no substrate in the exit substrate mounting portion” may be used as a condition. In the above embodiment, for example, when the
(3)同様に、上記実施例の搬送可能条件(c)「搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること」に代えて、「主搬送機構が搬送経路上の処理部の前に基板を移送したときに、その処理部が基板の入れ換え可能状態になっていることが予測されること」を条件としてもよい。各セルのセルコントローラは、各セル内の処理部における処理を時間管理しているので、各処理部における処理の終了時刻を予測することができる。具体的には、上記の実施例において、各セルの主搬送機構10の1搬送工程に要する時間は約4秒であるので、例えば入口基板載置部に置かれた基板Wを次ぎの処理部に搬送するのに最低でも4秒を要する。したがって、あるセルにおいて搬送可能条件の成立を判定するときに、その処理部における基板処理が終了していなくても、例えば4秒後に処理の終了が予測される場合に、入口基板載置部にある基板Wを受け取って次ぎの処理部に向かうようにすれば、主搬送機構がその処理部に向き合うと略同時に基板処理が終了していることになる。その結果、基板Wの処理が終わると直ぐに基板Wを入れ換えることができ、基板搬送の効率を高めることができる。
(3) Similarly, instead of “carryable condition (c)“ the processing unit on the conveyance path is in a state where the substrate can be replaced ”” in the above embodiment, “the main conveyance mechanism is a processing unit on the conveyance path” It is also possible to use the condition that the processing unit is predicted to be in a state where the substrate can be replaced when the substrate is transferred before the step “. Since the cell controller of each cell performs time management of processing in the processing unit in each cell, the end time of processing in each processing unit can be predicted. Specifically, in the above embodiment, since the time required for one transport process of the
(4)上記実施例では、各処理セルC2〜C5は、各々4つに基板載置部(すなわち、送り用入口基板載置部、戻り用入口基板載置部、送り用出口基板載置部、戻り用出口基板載置部)を備えていたが、少なくとも1つの処理セルが、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部)とを備えていてもよい。例えば、図12に示した基板処理装置は、反射防止膜用処理セルC2が、送り用入口基板載置部PASS1、戻り用入口基板載置部PASS4、送り用出口基板載置部PASS3、戻り用出口基板載置部PASS2の他に、別の入口基板載置部PASS6と出口基板載置部PASS5とを備えている。この反射防止膜用処理セルC2に基板載置部PASS3、PASS4を共用するように現像処理セルC4が隣接するとともに、基板載置部PASS5、PASS6を共用するようにレジスト膜用処理セルC3が隣接している。この例によれば、反射防止膜用処理セルC2で処理された基板Wは、出口基板載置部PASS5を介してレジスト膜用処理セルC3に送られ、このセルC3で処理された基板Wが入口基板載置部PASS6を介して反射防止膜用処理セルC2に戻され、さらに基板載置部PASS3を介して現像処理セルC4に送られる。現像処理された基板Wは、基板載置部PASS4を介して反射防止膜用処理セルC2に戻された後、レジスト膜用処理セルC3を介さずに直接にインデクサセルC1に戻される。このように少なくとも1つの処理セルに、6つの、あるいはそれ以上の基板載置部を設けると、処理セルの配置の自由度を向上させることができる。 (4) In the above embodiment, each of the processing cells C2 to C5 has four substrate placement portions (that is, a feeding inlet substrate placement portion, a return inlet substrate placement portion, and a feeding outlet substrate placement portion). However, at least one processing cell may further include another inlet substrate mounting portion and an outlet substrate mounting portion). For example, in the substrate processing apparatus shown in FIG. 12, the anti-reflection film processing cell C2 includes a feeding inlet substrate platform PASS1, a return inlet substrate platform PASS4, a feeding outlet substrate platform PASS3, and a return substrate. In addition to the exit substrate platform PASS2, another entrance substrate platform PASS6 and an exit substrate platform PASS5 are provided. The development processing cell C4 is adjacent to the antireflection film processing cell C2 so as to share the substrate platforms PASS3 and PASS4, and the resist film processing cell C3 is adjacent to be shared with the substrate platforms PASS5 and PASS6. doing. According to this example, the substrate W processed in the antireflection film processing cell C2 is sent to the resist film processing cell C3 via the exit substrate platform PASS5, and the substrate W processed in the cell C3 is transferred to the resist film processing cell C3. The film is returned to the antireflection film processing cell C2 through the entrance substrate platform PASS6 and further sent to the development processing cell C4 through the substrate platform PASS3. The developed substrate W is returned to the antireflection film processing cell C2 via the substrate platform PASS4 and then directly returned to the indexer cell C1 without passing through the resist film processing cell C3. As described above, when six or more substrate mounting portions are provided in at least one processing cell, the degree of freedom in arranging the processing cells can be improved.
(5)第1〜第4の主搬送機構10A〜10Dは、それぞれ2つの保持アーム10a、10bを備えていたが、単一の保持アーム、あるいは3つ以上の保持アームを備えるものであってもよい。
(5) Each of the first to fourth
(6)実施例では、露光後加熱用処理セルC5を、現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルC5を独立したブロック(個別のブロック用フレーム(枠体)に組み付けられた要素)として構成してもよい。
(6) In the embodiment, the post-exposure heating processing cell C5 is disposed across the
(7)実施例では、反射防止膜用処理ブロック2とレジスト膜用処理ブロック3とを個別に設けたが、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジスト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブロック2を備えなくてもよい。
(7) In the embodiment, the antireflection
以上のように、本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板に、一連の処理を施す基板処理装置に適している。 As described above, the present invention is suitable for a substrate processing apparatus that performs a series of processes on a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk.
1 …インデクサブロック
2 …反射防止膜用処理ブロック
3 …レジスト膜用処理ブロック
4 …現像処理ブロック
5 …インターフェイスブロック
7 …インデクサ用搬送機構
10A〜10D …第1〜第4の主搬送機構
35 …インターフェイス用搬送機構
C1 …インデクサセル
C2 …反射防止膜用処理セル
C3 …レジスト膜用処理セル
C4 …現像処理セル
C5 …露光後加熱用処理セル
C6 …インターフェイスセル
W …基板
PASS1〜PASS10 …基板載置部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
前記各被制御ユニットの主搬送機構は、前記入口基板載置部と前記出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、
かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、
各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、次のように各々独立して行う、
(1)各々のユニット制御手段に対応する被制御ユニット内で基板を移動させることができるかを判断するための搬送可能条件が予め設定されており、
(2)前記搬送可能条件の判定処理を開始するための条件である判定処理開始事象が予め決められており、
(3)前記判定処理開始事象が発生したときに、前記搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、
(4)前記搬送可能条件が成立しているときは、その被制御ユニット内の基板搬送を実行し、
(5)前記搬送可能条件が成立していないときは、次の判定処理開始事象を待つ
ことを特徴とする基板処理装置。 A single controlled unit is configured including a processing unit that performs a required process on the substrate and a single main transfer mechanism that delivers the substrate to the processing unit, and the controlled units are arranged in parallel. A substrate processing apparatus comprising:
In each of the controlled units, an inlet substrate mounting portion for mounting the substrate to receive the substrate in the controlled unit, and an outlet substrate mounting for mounting the substrate to eject the substrate from the controlled unit Is provided separately from the
The main transfer mechanism of each controlled unit performs substrate transfer via the inlet substrate mounting portion and the outlet substrate mounting portion.
And, each control unit is provided with unit control means for controlling at least the substrate transfer operation of the main transport mechanism of each control unit,
Each unit control means independently performs control related to a series of substrate transport including delivery of the substrate to the processing unit and delivery of the substrate to the substrate mounting unit as follows.
(1) A transportable condition for determining whether the substrate can be moved in the controlled unit corresponding to each unit control means is preset,
(2) A determination process start event which is a condition for starting the determination process of the transportable condition is determined in advance,
(3) When the determination process start event occurs, it is determined whether the transportable condition is satisfied,
(4) When the transportable condition is satisfied, transport the substrate in the controlled unit,
(5) The substrate processing apparatus, which waits for a next determination processing start event when the transportable condition is not satisfied.
前記搬送可能条件は、少なくとも、(a)入口基板載置部に基板が置かれていること、(b)出口基板載置部に基板がないこと、(c)搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、の各条件が全て成立していることを条件とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The transportable conditions are at least: (a) a substrate is placed on the entrance substrate mounting portion, (b) no substrate is placed on the exit substrate placement portion, and (c) a processing portion on the transport path is a substrate. Is a substrate processing apparatus on condition that all the conditions are satisfied.
前記(a)の条件に代えて、(a1)入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、を条件とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
In place of the condition (a), the substrate processing apparatus is provided on the condition that (a1) the substrate is predicted to be placed on the entrance substrate mounting portion.
前記(b)の条件に代えて、(b1)出口基板載置部に基板がないことが予測されること、を条件とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
In place of the condition (b), a substrate processing apparatus is provided on the condition that (b1) no substrate is expected in the exit substrate mounting portion.
前記(c)の条件に代えて、(c1)主搬送機構が搬送経路上の処理部の前に基板を移送したときに、その処理部が基板の入れ換え可能状態になっていることが予測されること、を条件とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
In place of the condition (c), (c1) when the main transport mechanism transports the substrate before the processing unit on the transport path, it is predicted that the processing unit is in a state where the substrate can be replaced. A substrate processing apparatus which is subject to
前記(a)の条件に代えて、(a2)入口基板載置部に基板が置かれていること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
Instead of the above condition (a), (a2) a waiting time set in advance to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate placement portion or to place the substrate on the entrance substrate placement portion. Substrate processing apparatus that is subject to the conditions.
前記(a)の条件に代えて、(a3)入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、または、入口基板載置部に基板が置かれるのを待つために予め定められた待機時間が経過していること、を条件とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
Instead of the condition (a), (a3) it is predicted to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate placement unit, or to wait for the substrate to be placed on the entrance substrate placement unit. Substrate processing apparatus provided that the waiting time has passed.
ある被制御ユニットに基板が受け入れられて、その基板に必要な処理が施され、その基板が次の被制御ユニットに払出されるまでの時間を、その被制御ユニットのサイクル時間とした場合に、
前記待機時間は、本基板処理装置を構成する複数個の被制御ユニットの中で、最も長いサイクル時間をもつ被制御ユニットのサイクル時間である最大サイクル時間と同等以上の時間に設定されている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6 or 7,
When a substrate is received by a certain controlled unit, necessary processing is performed on the substrate, and the time until the substrate is dispensed to the next controlled unit is the cycle time of the controlled unit,
The waiting time is set to a time equal to or longer than the maximum cycle time which is the cycle time of the controlled unit having the longest cycle time among the plurality of controlled units constituting the substrate processing apparatus. Processing equipment.
前記待機時間は、本基板処理装置を構成する複数個の被制御ユニットの中で、最も長いサイクル時間をもつ被制御ユニットのサイクル時間である最大サイクル時間と略同等の時間に設定されている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein
The waiting time is set to a time substantially equal to the maximum cycle time that is the cycle time of the controlled unit having the longest cycle time among the plurality of controlled units constituting the substrate processing apparatus. Processing equipment.
前記判定処理開始事象は、
(ア)入口基板載置部に基板が置かれたこと、
(イ)入口基板載置部に基板が置かれることが予測されること、
(ウ)搬送経路上の処理部が基板の入れ換え可能状態になっていること、
(エ)出口基板載置部の基板が払出されたこと、
(オ)出口基板載置部の基板が払出されたことが予測されること、
(カ)停止していた処理部への基板搬送が可能になったこと
の中のいずれか1つの事象を含む基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The determination process start event is:
(A) The substrate is placed on the entrance substrate mounting part.
(B) It is predicted that the substrate will be placed on the entrance substrate mounting part.
(C) The processing section on the transport path is in a state where the substrate can be replaced,
(D) The substrate of the exit substrate mounting part has been paid out,
(E) It is predicted that the substrate of the exit substrate mounting portion has been paid out,
(F) A substrate processing apparatus including any one of the facts that the substrate can be transferred to the stopped processing unit.
前記入口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、
前記出口基板載置部は、各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなり、
前記各ユニット制御手段は、
前記判定処理開始事象が発生したときに、その事象が前記順方向の搬送に係る事象か、あるいは前記逆方向の搬送に係る事象かを判定し、
その事象が順方向の搬送に係る事象である場合には、順方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、順方向の基板搬送を実行し、
その事象が逆方向の搬送に係る事象である場合には、逆方向の搬送可能条件が成立しているか否かを判定し、その搬送可能条件が成立しているときは、逆方向の基板搬送を実行する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10,
The inlet substrate placement unit is used when a substrate is transported in the opposite direction between the feeding inlet substrate placement unit used for transporting the substrate in the forward direction between the controlled units and the controlled unit. And a return entrance substrate mounting portion.
The exit substrate placement unit is used when a substrate is transported in the reverse direction between the controlled exit substrate placement unit and each controlled unit, which is used when the substrate is transported between the controlled units in the forward direction. And a return exit substrate mounting portion.
Each unit control means includes:
When the determination process start event occurs, it is determined whether the event is an event related to the forward transport or an event related to the reverse transport,
If the event is an event related to the forward transfer, it is determined whether or not the forward transfer condition is satisfied. If the transfer enable condition is satisfied, the forward substrate transfer is performed. Run
If the event is an event related to the transport in the reverse direction, it is determined whether or not the reverse transport condition is satisfied. If the transport condition is satisfied, the substrate transport in the reverse direction is performed. A substrate processing apparatus for executing
前記複数個の被制御ユニットの中の少なくとも1つの被制御ユニットは、前記送り用入口基板載置部と、前記戻り用入口基板載置部と、前記送り用出口基板載置部と、前記戻り用出口基板載置部との他に、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部とを備えている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein
At least one controlled unit among the plurality of controlled units includes the feeding inlet substrate mounting portion, the returning inlet substrate mounting portion, the feeding outlet substrate mounting portion, and the return. In addition to the outlet substrate mounting section for use, a substrate processing apparatus further comprising another inlet substrate mounting section and an outlet substrate mounting section.
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