JP2005096349A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 副走査方向に細長く伸びた形状の走査ビームスポットを支障なく得ることができ、ヒートモード型感光材料への画像形成に好適に使用できる画像形成装置の提供を課題とする。
【解決手段】 光源２２から出射された光ビームを変調する空間光変調素子４０と、空間光変調素子４０で変調された光ビームをヒートモード型感光材料６０の露光面６２上へ結像させる結像光学系３０、３２と、を備えた画像形成装置１０において、空間光変調素子４０と結像光学系３０との間に、空間光変調素子４０で変調された光ビームの主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも縮小させる光学素子５０を配置する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、記録媒体に対して光ビームを照射することにより画像を形成する画像形成装置に関する。

図６（Ａ）、図６（Ｂ）で示すように、従来から、半導体レーザー等の光源７２から出射された光ビームをビーム整形レンズ７４、７６によってビーム整形して空間光変調素子７８に照射し、その空間光変調素子７８によって変調された光ビームを、結像光学系としての第１結像レンズ８０と第２結像レンズ８２、更には不要光を遮光するアパーチャー８４によって、ドラム８６の外周面に装着された記録媒体８８上に結像して、その記録媒体８８上に画像を形成（記録）する画像形成装置７０が知られている。

このような画像形成装置７０では、ドラム８６を一定速度で回転させながら（ドラム８６の回転方向と反対方向が主走査方向となる）、その結像された光ビームをドラム８６の回転軸方向（副走査方向）に走査させることにより、その光ビームの焦点位置に配置された記録媒体８８上に、順次画像が形成されるようになっている。

また、このような画像形成装置７０では、記録媒体８８上を走査する光ビームのスポットＰの形状は、図６（Ｃ）で示すように、円形状よりも矩形状（正方形）である方が望ましいとされている。これは、光強度が幅方向において略一定で、光量の増減による線幅、網点率の変動が少なく、安定して良好な画像が得られるからである。

矩形状のビームスポットＰは、例えばブロードエリア型の半導体レーザーのように、出射光のプロファイルが矩形状の半導体を光源として用いることによって得ることができる。また、このブロードエリア型の半導体レーザーは高出力であるため、例えばヒートモード型感光材料への画像形成（記録）のように、高出力の光源が必要とされる記録媒体の場合に特に有用である。

ヒートモード型感光材料は、露光後の光熱変換により、物理的変化あるいは化学的変化を引き起こして記録を行う感光材料であり、露光の速度が遅くなると、発生した熱が散逸し、より多くの露光エネルギーが必要になる低照度不軌特性（低照度、長時間露光ほど、感光材料の感度が低下する特性）を有している。したがって、ヒートモード型感光材料に画像を形成（記録）する場合には、高照度、短時間露光で露光エネルギーを少なくするという観点から、主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも小さくすることが望まれており、これが実現されれば、ヒートモード型感光材料の低照度不軌特性を有効に利用して大幅に感度を向上させることができる。

一方、半導体レーザー等の光源から出射された光ビームを変調する空間光変調素子としては、例えばＧＬＶ（グレーティングライトバルブ）が従来から知られている（例えば、特許文献１参照）。このＧＬＶは１次元の空間光変調素子であり、通常ＧＬＶ上のビームスポットにおいて、その主走査方向のビーム径と副走査方向のビーム径は共に同じ大きさ（倍率）になっている。したがって、ＧＬＶ上のビームスポットにおいて、その主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも小さくできれば、ヒートモード型感光材料の露光面において、主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも小さくできる。

しかしながら、ＧＬＶ上のビームスポットにおいて、その主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも小さくすると、ＧＬＶ上におけるビームスポットの光エネルギー密度が高くなって、ＧＬＶの冷却、耐熱等の解決すべき問題が新たに発生してしまい、複雑で高効率な冷却系が必要となるので、装置のコストアップになってしまう。
特開２０００−１６８１３６公報

そこで、本発明は、上記問題点に鑑み、副走査方向に細長く伸びた形状のビームスポットを支障なく得ることができ、ヒートモード型感光材料への画像形成（記録）に好適に使用できる画像形成装置を得ることを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の画像形成装置は、光源から出射された光ビームを変調する空間光変調素子と、前記空間光変調素子で変調された光ビームを記録媒体の露光面上へ結像させる結像光学系と、を備えた画像形成装置において、前記空間光変調素子と前記結像光学系との間に、該空間光変調素子で変調された光ビームの主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも縮小させる光学素子を配置したことを特徴としている。

請求項１の発明によれば、空間光変調素子と結像光学系との間に配置した光学素子により、主走査方向のビーム径が副走査方向のビーム径よりも小さくなるビームスポットを得ることができるので、ヒートモード型感光材料のように低照度不軌特性のある感光材料を使用した場合において、その感度を向上させることができ、省エネルギー化を図ることができる。

また、空間光変調素子において、主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも小さくする必要がないため、空間光変調素子の反射面を最大限に活用することができ、その反射面上での光エネルギーの集中を回避することができる。したがって、空間光変調素子において、発熱が増大されるような不具合はなく、冷却や耐熱等の問題が生じることがない。

また、請求項２に記載の画像形成装置は、請求項１に記載の画像形成装置において、前記光学素子が、少なくとも主走査方向にパワーを持ったシリンドリカル凹レンズとシリンドリカル凸レンズの組み合わせで構成されていることを特徴としている。

請求項２の発明によれば、光学素子が、少なくとも主走査方向にパワーを持ったシリンドリカル凹レンズとシリンドリカル凸レンズの組み合わせで構成されるので、簡単な構成で、主走査方向と副走査方向のピント位置を乖離することなく、主走査方向の幅が副走査方向の幅よりも短い光ビームを得ることができる。

また、請求項３に記載の画像形成装置は、請求項１又は２に記載の画像形成装置において、前記光学素子により縮小される主走査方向のビーム径が、副走査方向のビーム径の約１／４であることを特徴としている。

請求項３の発明によれば、主走査方向のビーム径が、副走査方向のビーム径の約１／４まで縮小されるので、低照度不軌特性を示すヒートモード型感光材料において、少ない光エネルギーで良好な画像を得ることができる。

また、請求項４に記載の画像形成装置は、請求項１乃至３の何れかに記載の画像形成装置において、前記光源が、ブロードエリア型の半導体レーザーであることを特徴としている。

請求項４の発明によれば、ブロードエリア型の半導体レーザーを用いたことにより高出力の光ビームを得ることができる。また、ブロードエリア型の半導体レーザーは、出射光のプロファイルが矩形状であることから、より効率よく空間光変調素子の照明が行える。したがって、より高速な露光を行うことができる。

以上、何れにしても本発明によれば、副走査方向に細長く伸びた形状のビームスポットを支障なく得ることができ、ヒートモード型感光材料への画像形成（記録）に好適に使用できる画像形成装置を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例を基に詳細に説明する。図１には本発明に係る画像形成装置１０の一例が示されている。記録媒体としてのヒートモード型感光材料６０は、一定速度で回転する円筒形ドラム１２の外周面に装着（吸着）されている。このヒートモード型感光材料６０は、蒸着膜アブレーション方式の感光材料であり、レーザー等により直接画像を書き込めることから、デジタル製版システムとして注目されている。なお、ヒートモード型感光材料６０は、アブレーション方式のものに限定されず、相転移、不溶化等の熱変性を利用したものでもよい。

ドラム１２の近傍には、その外周面と対向して露光ヘッド２０が配置されている。この露光ヘッド２０は、ドラム１２の回転軸１４と平行に敷設されたガイド部材１６、１８等により、ドラム１２の回転軸１４方向にスライド可能に支持されている。また、ドラム１２の回転方向（矢印Ｘ方向）と反対方向（矢印Ｍ方向）が主走査方向とされ、露光ヘッド２０がスライドするドラム１２の回転軸１４方向（矢印Ｓ方向）が副走査方向とされており、露光ヘッド２０から照射されたレーザービームが主走査方向、副走査方向に順次走査されることにより、ヒートモード型感光材料６０に、二次元画像が形成（記録）される。

また、図２には露光ヘッド２０の内部構成が示されている。この露光ヘッド２０は、レーザービームを出射する光源としての半導体レーザー２２と、半導体レーザー２２から出射されるレーザービームを効率よく空間光変調素子に入射させるためのビーム整形レンズ２４、２６と、ビーム整形レンズ２４、２６により出射されたレーザービームが照射される空間光変調素子としてのＧＬＶ４０と、ＧＬＶ４０によって変調されたレーザービームを正反射する折り返しミラー２８と、折り返しミラー２８によって正反射されたレーザービームが入射する光学素子５０と、光学素子５０から出射されたレーザービームをヒートモード型感光材料６０の露光面（記録面）６２へ導いて結像する第１結像レンズ３０及び第２結像レンズ３２と、第１結像レンズ３０と第２結像レンズ３２の間に配置され、不要光を遮光するアパーチャー３４とを備えている。

半導体レーザー２２としては、出射光のプロファイルが矩形状である高出力なブロードエリア型の半導体レーザーが使用可能である。このような半導体レーザー２２を用いると、ヒートモード型感光材料６０の露光面６２上におけるビームスポットＰが矩形状となるため、光強度が幅方向において略一定で、ライン状の空間光変調素子、即ちＧＬＶ４０を効率よく照明できる。

ＧＬＶ４０は反射回折格子型の１次元の空間光変調素子であり、図４で示すように、リボン状の反射面を備え、制御信号に応じて移動可能とされた可動格子（マイクロブリッジ）４２と、リボン状の反射面を備え、移動不能に固定された固定格子（マイクロブリッジ）４４とを交互に多数個並列配置して構成されている。

すなわち、このＧＬＶ４０は、ドラム１２の回転軸１４と平行な方向に長い（数ｍｍ程度）シリコン等からなるライン状の基板３６上に、所定長さ（５０μｍ程度）のマイクロブリッジ４２、４４が、それと直交する方向に多数個交互に、かつ平行に配列されたものであり、隣接するマイクロブリッジ４２、４４間にはスリット３８が形成されている。通常、１画素は複数のマイクロブリッジ４２、４４で構成されており、例えばマイクロブリッジ４２が３個、マイクロブリッジ４４が３個の計６個のマイクロブリッジ列で１画素を構成するものと仮定すると、計６４８０個のマイクロブリッジ４２、４４で１０８０画素での露光が可能となる。

各マイクロブリッジ４２、４４は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる可撓性梁４６の表面に、アルミニウム（又は金、銀、銅等）の単層金属膜からなる反射電極膜４８を形成して構成されている。反射電極膜４８の各々は、図示しない配線により、図示しないスイッチを介して、図示しない電源に接続されている。そして、このスイッチが上記制御信号によってオン／オフされるようになっている。なお、ＧＬＶ４０は、マイクロブリッジ４２、４４による回折光が折り返しミラー２８を経て光学素子５０に入射されるように、そのリボン状の反射面（被照射面）を、予め光学素子５０の光軸に対し、所定角度（例えば４５°）傾斜させて配置されている。

ここで、ＧＬＶ４０の動作原理を簡単に説明する。上記したスイッチをオフにして電圧を印加していない状態では、マイクロブリッジ４２は基板３６から所定間隔離間されているが、そのスイッチをオンにしてマイクロブリッジ４２と基板３６との間に電圧を印加すると、静電誘導された電荷によってマイクロブリッジ４２と基板３６との間に静電吸引力が発生し、マイクロブリッジ４２が基板３６側に撓む。

そして、電圧の印加を止めると（スイッチをオフにすると）、マイクロブリッジ４２の撓みが解消し、マイクロブリッジ４２は弾性復帰により基板３６から離間する。したがって、電圧を印加するマイクロブリッジ４２と、電圧を印加しないマイクロブリッジ４４とを交互に配置することで、電圧の印加により回折格子を形成することができる。

図５（Ａ）では画素単位のマイクロブリッジ列（マイクロブリッジ４２）に電圧が印加されておらず、オフ状態にある場合を示している。このオフ状態では、マイクロブリッジ４２、４４の反射面の高さが総て揃い、鏡面と同じ作用をするので、ＧＬＶ４０に入射されたレーザービームは正反射され、その反射光には光路差が生じない。すなわち、０次回折光のみが得られる。

図５（Ｂ）では、画素単位のマイクロブリッジ列（マイクロブリッジ４２）に電圧が印加され、オン状態にある場合を示している。このオン状態では、前述した原理により、マイクロブリッジ４２の中央部が撓み、交互に段差のある反射面が形成される。すなわち、回折格子が形成される。この反射面にレーザービームを入射させると、撓みのあるマイクロブリッジ４２で反射された光と、撓みのないマイクロブリッジ４４で反射された光との間に光路差が生じ、所定方向に±１次回折光が出射される。

つまり、図示しないコントローラーから送信された制御信号に応じて、ＧＬＶ４０の各画素におけるマイクロブリッジ列をオン／オフ駆動制御する（マイクロブリッジ４２に電圧を印加するか、印加しないかを制御する）ことにより、ＧＬＶ４０に照射されたレーザービームは、画素毎に変調されて所定方向に回折される。

また、通常ヒートモード型感光材料６０に画像を形成（記録）する場合、主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径に対して約１／４に縮小できれば（例えば、副走査方向のビーム径１０μｍに対し、主走査方向のビーム径を２．５μｍにすれば）、低照度不軌特性を有効に利用して大幅に感度を上げることができるとされている。そのため、ＧＬＶ４０の光反射側、即ち回折光（０次回折光及び±１次回折光）が出射される側（ＧＬＶ４０と第１結像レンズ３０との間）には、主走査方向のビーム径と副走査方向のビーム径の倍率を変えることができる光学素子５０が配置されている。

この光学素子５０は、図２、図３で示すように、少なくとも主走査方向にパワーを持つシリンドリカル凹レンズ５２とシリンドリカル凸レンズ５４の組み合わせで構成されていればよく（少なくとも主走査方向に凹と凸のレンズパワーを有していればよく）、ＧＬＶ４０と平行に、かつＧＬＶ４０からの入射側にシリンドリカル凹レンズ５２が配置され、更に、そのシリンドリカル凹レンズ５２の出射側にシリンドリカル凸レンズ５４がシリンドリカル凹レンズ５２と平行に配置されている。

そして、これらの配設位置を適宜調整することにより、ＧＬＶ４０からの回折光において、その主走査方向のビーム径と副走査方向のビーム径の倍率を変更できるようにしている。つまり、この場合のシリンドリカル凹レンズ５２とシリンドリカル凸レンズ５４は、主走査方向のビーム径（幅）の縮小率が副走査方向のビーム径（幅）の縮小率よりも大きくなるように、具体的には主走査方向のビーム径（幅）が副走査方向のビーム径（幅）の約１／４となるように配置されている。

したがって、ヒートモード型感光材料６０のように低照度不軌特性のある感光材料を使用した場合において、その感度を向上させることができ、省エネルギー化を図ることができる。また、このような光学素子５０をＧＬＶ４０と第１結像レンズ３０との間に配置するだけで、主走査方向のビーム径（幅）を副走査方向のビーム径（幅）よりも小さくすることができるので、ＧＬＶ４０上のビームスポット径を縮小する必要がない。

つまり、ＧＬＶ４０上のビームスポット径を大きくしたままで露光面６２上の主走査方向のビーム径を縮小できるため、ＧＬＶ４０の反射面を最大限に活用することができ、かつＧＬＶ４０上でのレーザー光エネルギーの集中を回避することができる。したがって、ＧＬＶ４０の冷却系の簡素化が図れ（例えば、空冷のみで済み）、ＧＬＶ４０の耐久性の向上や、より高出力な半導体レーザーの利用等が可能となり、高速化も実現可能となる。

なお、主走査方向のビーム径と副走査方向のビーム径の倍率を変えるには、シリンドリカル凹レンズ５２だけあればよいが、これだけではヒートモード型感光材料６０の露光面６２上での主走査方向と副走査方向の焦点（ピント）がずれるため、シリンドリカル凸レンズ５４が配置されている。つまり、このシリンドリカル凸レンズ５４はシリンドリカル凹レンズ５２によるレーザービームの主走査方向と副走査方向の焦点のずれを補正する（ピントを合わせる）ためのものである。

また、この光学素子５０はシリンドリカル凹レンズ５２とシリンドリカル凸レンズ５４の組み合わせだけではなく、シリンドリカル凹ミラーやシリンドリカル凸ミラー（共に図示省略）を適宜組み合わせて構成してもよい。つまり、両方ともミラーで構成してもよいし、片方だけミラーで構成してもよい。何れにしても、このようなレンズ系やミラー系を配置するだけで済むので、その構成が簡単にできる。更に、ＧＬＶ４０は反射型の空間光変調素子であるが、空間光変調素子は特に反射型に限定されるものではなく、液晶等の透過型でもよい。したがって、図３では光学的な関係を説明するために、折り返しミラー２８を省略して展開図としている。また、図３（Ｂ）ではアパーチャー３４を省略している。

一方、光学素子５０の出射側には、主走査方向のビーム径が副走査方向のビーム径よりも小さくされたレーザービームを、ヒートモード型感光材料６０の露光面６２上に結像する第１結像レンズ３０と第２結像レンズ３２が、空間光変調素子（ＧＬＶ）４０と露光面６２とが共役な関係となるように配置されている。

また、第１結像レンズ３０と第２結像レンズ３２との間の０次回折光あるいは±１次回折光の焦点位置、例えば±１次回折光の焦点位置には、±１次回折光を露光面６２への光路から除外するための長尺状のアパーチャー３４が、その長手方向がＧＬＶ４０の長手方向と平行になるように配置されている。したがって、この場合は、ヒートモード型感光材料６０の露光面６２上に結像するレーザービームのうち、±１次回折光だけが選択的に排除されるようになっている。

以上のような構成の画像形成装置１０において、次にその作用を説明する。ヒートモード型感光材料６０を外周面に吸着したドラム１２は、一定速度で回転されている。そして、図示しない検知センサーによりヒートモード型感光材料６０の先端が検出されると、フレームメモリに記憶された画像情報が複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出された画像情報に基づいて制御信号が生成される。そして、生成された制御信号に基づいて、ＧＬＶ４０のマイクロブリッジ４２が、駆動制御部により画素単位でオン／オフ駆動制御される。

一方、光源としての半導体レーザー２２から出射されたレーザービームは、ビーム整形レンズ２４、２６により整形され、ＧＬＶ４０の反射面（被照射面）での光量分布が略均一になるように、そのＧＬＶ４０上に集光される。そして、画像情報に応じて変調された（画素毎にオン／オフされた）ＧＬＶ４０のマイクロブリッジ４２、４４にレーザービームが照射されると、そのマイクロブリッジ４２、４４によって０次回折光及び±１次回折光として反射されたレーザービームが光学素子５０、即ちシリンドリカル凹レンズ５２とシリンドリカル凸レンズ５４に順に入射され、主走査方向のビーム発散角が４倍程度拡大されて出射される。

光学素子５０によって主走査方向のビーム発散角が４倍に拡大されたレーザービームは、第１結像レンズ３０、アパーチャー３４、第２結像レンズ３２により、ドラム１２上のヒートモード型感光材料６０の露光面（記録面）６２上に結像される。すなわち、そのレーザービームは、第１結像レンズ３０により平行光化され、アパーチャー３４によって、例えば±１次回折光が遮光された場合には、０次回折光が第２結像レンズ３２により集光されて、ヒートモード型感光材料６０の露光面６２に照射されるが、光学素子５０によって主走査方向のビーム発散角が４倍に拡大されているので、露光面６２上での主走査方向のビームスポット径が１／４に縮小される。

そして、ドラム１２が矢印Ｘ方向に回転することにより、その露光面６２がＧＬＶ４０の使用画素数と略同数の画素単位で露光され、図２で示すような帯状の露光済み領域６４が主走査方向に形成される。なお、ＧＬＶ４０に対してレーザービームを照射する照射領域は、ＧＬＶ４０の使用領域と一致することが好ましい。この照射領域が使用領域よりも広いと、レーザービームの利用効率が低下する。また、ＧＬＶ４０への照射は平行光でもよい。

こうして、ヒートモード型感光材料６０の主走査が終了し、検知センサーによってヒートモード型感光材料６０の後端が検出されると、露光ヘッド２０は、図示しない駆動装置により、ガイド部材１６、１８に沿って下流側に一定速度で所定距離移動し、上記と同様にして露光済み領域６４を形成する。そして、このような動作を繰り返し行うことにより、所望とする画像情報がヒートモード型感光材料６０に形成（記録）される。

以上、説明したように、ＧＬＶ４０によって反射されたレーザービームは、光学素子５０によって副走査方向に細長い（主走査方向の幅が副走査方向の幅の約１／４となる）矩形状とされ、その副走査方向に細長く伸びた矩形状のビームスポットＰ（図３（Ｃ）参照）によってヒートモード型感光材料６０に画像が形成（記録）される。ここで、主走査速度（ドラム１２の回転速度）はプロセス上略一定となることから、主走査方向における露光時間は短縮される（瞬間的に露光される）ことになる。すなわち、短時間高照度露光となる。

ヒートモード型感光材料６０は、露光後の光熱変換により物理的変化あるいは化学的変化を引き起こして記録を行う感光材料であるため、露光の速度が遅くなると、発生した熱が散逸し、より多くの露光エネルギーが必要になる低照度不軌という現象を示す。このため、断面形状が細長い矩形状（長方形）のビームスポットＰを用いて、低照度不軌特性を有するヒートモード型感光材料６０に画像形成（記録）した場合には、露光エネルギーが少なくて済み、感度を大幅に向上させることができる。したがって、良好な画像を得ることができる。

その他、副走査方向に細長い矩形状とされたレーザービームを複数主走査させるようにしてもよく、これによれば、画像形成速度（露光速度）を更に向上させることができる。なお、本実施の形態では、光源としてブロードエリア型の半導体レーザー２２を用いたが、ブロードエリア型半導体レーザー２２は高出力であるため、発熱量が多く、特にアレイ化した場合には冷却が困難になる。そこで、その半導体レーザー２２を露光ヘッド２０と分離し、長さを調節できる光ファイバーによって両者を光結合してもよく、これによれば、両者を互いに離間して配置することができるので、それぞれの冷却が容易にできる。

更に、この画像形成装置１０における印刷用刷版（記録媒体）としては、蒸着膜アブレーション方式のヒートモード型感光材料６０を用いたが、レーザー露光において、画素露光時間に相当する時間域で、低照度不軌特性を示す感光材料であれば、特に制限なく、好適に使用することができる。

画像形成装置の概略斜視図 露光ヘッドの構成を示す概略斜視図 （Ａ）画像形成装置の構成を示す概略平面図 （Ｂ）画像形成装置の構成を示す概略側面図 （Ｃ）（Ａ）のＹ−Ｙ矢視によるビームスポットの形状を示す説明図 ＧＬＶの概略斜視図 ＧＬＶの概略断面図 （Ａ）従来の画像形成装置の構成を示す概略平面図 （Ｂ）従来の画像形成装置の構成を示す概略側面図 （Ｃ）（Ａ）のＹ−Ｙ矢視によるビームスポットの形状を示す説明図

符号の説明

１０ 画像形成装置
２２ 半導体レーザー（光源）
３０ 第１結像レンズ（結像光学系）
３２ 第２結像レンズ（結像光学系）
４０ ＧＬＶ（空間光変調素子）
５０ 光学素子
５２ シリンドリカル凹レンズ
５４ シリンドリカル凸レンズ
６０ ヒートモード型感光材料

Claims (4)

1. 光源から出射された光ビームを変調する空間光変調素子と、
   前記空間光変調素子で変調された光ビームをヒートモード型感光材料の露光面上へ結像させる結像光学系と、
   を備えた画像形成装置において、
   前記空間光変調素子と前記結像光学系との間に、該空間光変調素子で変調された光ビームの主走査方向のビーム径を副走査方向のビーム径よりも縮小させる光学素子を配置したことを特徴とする画像形成装置。
2. 前記光学素子は、少なくとも主走査方向にパワーを持ったシリンドリカル凹レンズとシリンドリカル凸レンズの組み合わせで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記光学素子により縮小される主走査方向のビーム径は、副走査方向のビーム径の約１／４であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
4. 前記光源は、ブロードエリア型の半導体レーザーであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像形成装置。

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