JP2005092230A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのゲイト電極上に形成された窒化珪素膜と、窒化珪素膜上に形成された有機樹脂膜と、有機樹脂膜上に形成された第1の配線とを有し、第1の配線は、前記窒化珪素膜及び前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールを介して、ゲイト電極と同一材料でなる第2の配線と電気的に接続してなる。
【選択図】 図4
Description
本発明は、絶縁基板を有する基板上にTFTを用いて形成された、周辺回路一体型の液晶表示装置の配線構造に関する。
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲイト電極上に形成された窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成された第1の配線とを有し、
前記第1の配線は、前記窒化珪素膜及び前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ゲイト電極と同一材料でなる第2の配線と電気的に接続してなることを特徴とする。
前記薄膜トランジスタ上に形成された窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成された配線とを有し、
前記配線は、前記窒化珪素膜及び前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記薄膜トランジスタのゲイト電極と電気的に接続してなることを特徴とする。
(1)チャネルにおいてキャリアの移動する方向に柱状の結晶体の延在方向を合わせることにより、短チャネル効果が抑制される。
(2)基板に絶縁体を利用することで、容量の問題が大きく抑制される。
(3)ゲイト電極にアルミニウムを利用できるので、高速動作に有利である。
102 下地膜
103 活性層
104 ゲイト絶縁膜
105 ゲイト電極
106 補助電極
107 層間絶縁膜
108 コンタクトホール
109 ソース電極
110 ドレイン電極
111 配線
112 層間絶縁膜
113 交差配線
Claims (6)
- 絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲイト電極上に形成された窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成された第1の配線とを有し、
前記第1の配線は、前記窒化珪素膜及び前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記ゲイト電極と同一材料でなる第2の配線と電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成された配線とを有し、
前記配線は、前記窒化珪素膜及び前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記薄膜トランジスタのゲイト電極と電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、前記ゲイト電極が延在してなるゲイト線を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記有機樹脂膜はアクリルでなることを特徴とする半導体装置。
- アクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置。
- EL素子を用いた表示装置に適用されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置。
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