JP2005091717A - Display device and driving method of display panel - Google Patents
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Abstract
Description
マトリクス状に配置される複数の発光素子を備えた表示パネルに画像を表示させる表示装置および表示パネルの駆動方法に関する。 The present invention relates to a display device that displays an image on a display panel including a plurality of light emitting elements arranged in a matrix, and a display panel driving method.
図13は、従来の有機EL(Electro Luminescence) 素子を用いた表示パネルの駆動装置を示している。表示パネル1において、複数の走査線A(1)〜A(m)(mは例えば64)と複数の信号線B(1)〜B(n)(nは例えば128)との各交点には、走査線A側を陰極、信号線B側を陽極として有機EL素子E(1,1)〜E(m,n)がマトリクス状に配置されている。EL素子Eの等価回路は、ダイオード特性からなる発光エレメントと、この発光エレメントに並列接続された寄生容量とを用いて表すことができる。図13においては、EL素子Eをダイオードの記号により表している。
FIG. 13 shows a display panel driving apparatus using a conventional organic EL (Electro Luminescence) element. In the
走査ドライバIC2は、各走査線A(1)〜A(m)について設けられた走査スイッチ3(1)〜3(m)を一定周期で切り替えて、非選択の状態で逆バイアス電圧Vcc側に接続されている走査線A(1)〜A(m)を順次グランド側に接続するようになっている。また、信号ドライバIC4は、信号線B(1)〜B(n)ごとに設けられた駆動スイッチ5(1)〜5(n)を上記走査に同期して順次切り替えて、EL素子Eの発光/非発光に応じて信号線B(1)〜B(n)をそれぞれ電流源6(1)〜6(n)またはグランドに接続するようになっている。この構成により、任意の交点位置のEL素子Eを発光させることができる。
The
例えば、EL素子E(1,2)とEL素子E(1,n−1)とを発光させる場合には、図13に示すように、走査スイッチ3(1)をグランド側に切り替えるとともに、走査スイッチ3(2)〜3(n)を逆バイアス電圧Vcc側に切り替える。そして、駆動スイッチ5(1)、5(n−1)をそれぞれ電流源6(1)、6(n−1)側に切り替えるとともに、駆動スイッチ5(2)〜5(n−2)、5(n)をグランド側に切り替える。その結果、EL素子E(1,1)およびE(1,n−1)のみに駆動電流が供給されて発光するようになる。このような走査を高速で行うことにより、任意の位置のEL素子Eを発光させ、人間の目には複数のEL素子Eが同時に発光しているように視認させることにより表示パネル1に画像データを表示させることができる。
For example, when the EL element E (1,2) and the EL element E (1, n-1) are caused to emit light, the scanning switch 3 (1) is switched to the ground side as shown in FIG. Switches 3 (2) -3 (n) are switched to the reverse bias voltage Vcc side. The drive switches 5 (1) and 5 (n-1) are switched to the current sources 6 (1) and 6 (n-1), respectively, and the drive switches 5 (2) to 5 (n-2), 5 Switch (n) to the ground side. As a result, only the EL elements E (1,1) and E (1, n-1) are supplied with a drive current to emit light. By performing such scanning at high speed, the EL element E at an arbitrary position is caused to emit light, and the human eye can visually recognize that a plurality of EL elements E are simultaneously emitting light, thereby causing the
図14は、走査線A(1)、A(2)、A(m−1)、A(m)の電圧波形を示している。以下、このような電圧波形とする理由について説明する。
発光パネル1は、透明基板の上に陽極、発光層、陰極が順次積層された構成を有している。そして、製造工程で塵の付着などによって発光層の厚みが薄い箇所または発光層が存在せず陽極と陰極が接触する箇所ができると、そこでリーク電流が発生し、他の正常な発光層に流れる電流が減少して発光パネル1全体の輝度が低下するという問題がある。
FIG. 14 shows voltage waveforms of the scanning lines A (1), A (2), A (m−1), and A (m). The reason why such a voltage waveform is used will be described below.
The
この発光不良の問題を解決するため、特許文献1には、走査線A(1)〜A(m)を一通り走査した後に期間HBを設け、この期間では全てのEL素子E(1,1)〜E(m,n)に対して発光時に印加する電圧とは逆方向の電圧(上述の逆バイアス電圧Vcc)を印加するようにした駆動方法が示されている。この駆動方法によると、期間HBにおいて逆バイアス電圧Vccによって上記不良箇所にリーク電流が集中して流れ、発光層が気化した膨張圧により陰極が湾曲したり、さらに陰極が破断屈曲する。このような陰極部分は、発光はしないもののリーク電流も発生しないため、他の正常な発光層における発光不良を防止することができる。
In order to solve this problem of light emission failure,
また、EL素子Eは上述したように寄生容量を有しているため、走査線Aの切り替え時に、EL素子Eの寄生容量に蓄積されている電荷の影響により、切り替えからEL素子Eが発光するまでの立ち上がり速度が低下して、高速走査を行えないという問題もある。この問題を解決するため、特許文献2には、走査線A(1)〜A(m)の各走査が終了した後次の走査に移行する前のリセット期間R1〜Rmにおいて、全ての走査線A(1)〜A(m)と信号線B(1)〜B(n)をグランドに接続し、寄生容量に蓄積された電荷を放電する技術が示されている。
Further, since the EL element E has the parasitic capacitance as described above, when the scanning line A is switched, the EL element E emits light from the switching due to the influence of the charge accumulated in the parasitic capacitance of the EL element E. There is also a problem that the rising speed is reduced and high-speed scanning cannot be performed. In order to solve this problem,
さらに、EL素子Eに印加する逆バイアスVccを一定にすると、輝度の調整範囲が狭くなったり、階調のリニアリティが悪くなったりする問題があり、この問題を解決するため、発光期間中の走査線Aにおいて、階調制御のためのパルス幅あるいは電流値に従って、非選択の走査線に印加する逆バイアス電圧値を調整できるようにする技術が特許文献3に示されている。
本願の発明者らは、特許文献1に示されている手段を採用する場合、発光不良を有効に防止するためには、逆バイアス電圧Vccをある値以上の大きさに設定することが必要であることを実験により明らかにした。図15は、逆バイアス電圧Vccと発光不良画素の発生確率との相関関係を示す実験結果である。各逆バイアス電圧Vccの下で1000時間動作させた後の発光不良画素の発生確率を示している。これによれば、発光不良の発生を抑制するには、逆バイアス電圧Vccを20V程度にまで高める必要がある。しかし、逆バイアス電圧Vccが大きくなると新たな問題が発生する。この問題について、図16ないし図22も参照しながら以下に説明する。
In the case of adopting the means shown in
(1)階調制御特性の悪化
図16および図17は、発光させるEL素子Eに関して、(a)走査線Aの電圧、(b)電流源6から信号線Bに出力される電流、(c)発光輝度の波形を示している。図16は、駆動電流のパルス幅を制御することにより減光を実行する場合を示しており、図17は、駆動電流の大きさを制御することにより減光を実行する場合を示している。(b)電流波形および(c)発光輝度波形において、実線は高輝度発光時の波形を示しており、破線は低輝度発光時の波形を示している。
(1) Deterioration of gradation control characteristics FIGS. 16 and 17 show (a) the voltage of the scanning line A, (b) the current output from the
図16に示すように、例えば期間RBから期間H1(図14参照)に切り替わると、EL素子Eの(瞬時的な)発光輝度が本来の目標輝度を超えて急峻に立ち上がり、その後時間の経過とともに徐々に目標輝度に整定するような輝度特性を呈する。EL素子Eの発光輝度は、駆動電流に比例することから、EL素子Eに流れる実際の駆動電流もこれに近似した波形を有していることになる。この現象は、逆バイアス電圧Vccが高いほど顕著に現れる。 As shown in FIG. 16, for example, when the period RB is switched to the period H1 (see FIG. 14), the (instantaneous) light emission luminance of the EL element E rises sharply beyond the original target luminance, and thereafter, with time. It exhibits brightness characteristics that gradually settle to the target brightness. Since the light emission luminance of the EL element E is proportional to the drive current, the actual drive current flowing through the EL element E also has a waveform that approximates this. This phenomenon becomes more prominent as the reverse bias voltage Vcc is higher.
この原因は、期間RBから期間H1に移行すると、各信号線Bに接続された例えば64個のEL素子Eの寄生容量間で電荷移動が発生し、発光するEL素子Eに過渡的に過大な電圧が印加されるためである。電流源6の電流駆動能力は、このような過渡現象を瞬時に整定させるだけの能力は有していない。切り替え直後の(瞬時的な)発光輝度が高いため、平均的な発光輝度(つまり人間の目に視認される輝度)を下げようとしてパルス幅を小さくしても、そのパルス幅の減少割合ほどには輝度は下がらず、1/50程度の高い減光比を達成することができず、リニアな階調制御も困難となる。
This is because, when the period RB shifts to the period H1, for example, charge transfer occurs between the parasitic capacitances of 64 EL elements E connected to each signal line B, and the EL elements E that emit light are transiently excessive. This is because a voltage is applied. The current drive capability of the
このような問題は、図17に示すように、駆動電流の大きさを制御することにより階調制御を行う場合にも発生する。すなわち、上記切り替え直後の過渡現象は、電流源6の出力電流とは無関係に発生するため、電流源6の出力電流の大きさを低減しても、切り替え直後のEL素子Eの発光輝度は変化せず、やがて過渡状態が整定した時点でようやく低減した目標輝度に達する。従って、この場合も高い減光比を達成できず、階調制御特性が悪化する。
Such a problem also occurs when gradation control is performed by controlling the magnitude of the drive current as shown in FIG. That is, since the transient phenomenon immediately after the switching occurs regardless of the output current of the
(2)絶縁部で生じる陰極と陽極の短絡
1つの信号線Bに接続されたm個のEL素子Eのうちk個が非発光である場合、その非発光のEL素子Eについては1フレーム中にk−1回の逆バイアスパルスがかかり、発光するEL素子Eについては1フレーム中にk回の逆バイアスパルスが印加される。図18と図19は,隣接する2つのEL素子Eの間隙部分の断面構造を示している。この間隙部分には絶縁部が設けられている。
(2) Short-circuit between the cathode and the anode generated in the insulating portion When k of the m EL elements E connected to one signal line B are not emitting light, the non-emitting EL element E is in one frame. K−1 reverse bias pulses are applied to the EL element E that emits light, and k reverse bias pulses are applied in one frame. 18 and 19 show a cross-sectional structure of a gap portion between two adjacent EL elements E. FIG. An insulating portion is provided in the gap portion.
本願の発明者らは、逆バイアスパルスのかかる回数が増えるに従って絶縁部にかかるダメージが大きくなり、図19に示すような陰極と陽極の短絡が発生する確率が高くなることを明らかにした。図20は、1フレーム中における逆バイアスパルスの印加回数と上記短絡の発生確率との関係を示す実験結果である。しかし、上述した階調制御特性の悪化を防ぐ条件と、この陰極と陽極の短絡を防ぐ条件とが相反しているため、従来の技術ではこれらの問題を同時に解決するような駆動は実現できない。 The inventors of the present application have clarified that as the number of times the reverse bias pulse is applied increases, the damage to the insulating portion increases and the probability of occurrence of a short circuit between the cathode and the anode as shown in FIG. 19 increases. FIG. 20 shows experimental results showing the relationship between the number of reverse bias pulses applied in one frame and the occurrence probability of the short circuit. However, since the conditions for preventing the above-described deterioration of the gradation control characteristics and the conditions for preventing the short circuit between the cathode and the anode are contradictory, the conventional technology cannot realize driving that simultaneously solves these problems.
(3)輝度半減寿命の低下
図21は、表示パネル1の使用初期におけるEL素子Eの発光輝度の応答特性(実線)と、使用による経時劣化が生じた後の発光輝度の応答特性(破線)とを示している。また、図22は、EL素子Eの発光輝度の経時変化を示しており、実線は上述した切り替え時の過渡状態が生じていない場合(すなわち理想的な定電流駆動をした場合)の相対輝度を表しており、破線は上述した切り替え時の過渡状態が生じている場合の相対輝度を表している。
(3) Decrease in luminance half-life FIG. 21 shows the response characteristics (solid line) of the light emission luminance of the EL element E in the initial use of the
EL素子Eは、動作時間が経過するに従って発光効率(電流−輝度特性)が悪化し、同一駆動電流に対する発光輝度が低下する。従って、たとえEL素子Eを定電流駆動していた場合でも、ある程度の輝度の低下は避けられない(図22の実線参照)。さらに、EL素子Eは、発光動作時間が経過するに従って徐々に高抵抗化する。上述した切り替え時の過渡状態が生じると、その過渡状態が整定するまでの期間においてEL素子Eは定電流駆動状態ではなく電圧駆動状態となるため、上記高抵抗化によりEL素子Eに流れる駆動電流が一層減少してしまう(図21、図22の破線参照)。その結果、発光効率の低下のみならず高抵抗化の直接的な影響を受け、輝度半減寿命を著しく低下させてしまう。 In the EL element E, the light emission efficiency (current-luminance characteristics) deteriorates as the operation time elapses, and the light emission luminance with respect to the same drive current decreases. Therefore, even if the EL element E is driven at a constant current, a certain decrease in luminance is inevitable (see the solid line in FIG. 22). Furthermore, the resistance of the EL element E gradually increases as the light emission operation time elapses. When the transition state at the time of switching described above occurs, the EL element E is not in the constant current drive state but in the voltage drive state until the transient state is settled. (See broken lines in FIGS. 21 and 22). As a result, not only the luminous efficiency is decreased, but also directly affected by the increase in resistance, the luminance half-life is significantly decreased.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、発光不良を防止しながら、発光輝度を精度よく制御することができるだけでなく、絶縁部での陽極と陰極の短絡を防止するとともに、EL素子の高抵抗化による輝度半減寿命を極力延ばすことができる表示装置および表示パネルの駆動方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is not only to accurately control the light emission luminance while preventing a light emission failure, but also to prevent a short circuit between the anode and the cathode in the insulating portion. Another object of the present invention is to provide a display device and a display panel driving method capable of extending the luminance half life by increasing the resistance of the EL element as much as possible.
請求項1、20に記載した手段によれば、発光素子の発光を停止させる期間を設け、その発光停止期間においては発光素子に第1の逆バイアス電圧を印加するので発光層の厚みが薄い箇所または陽極と陰極とが接触している箇所にリーク電流が集中して流れ、当該不良部分の陰極を破断屈曲等させてリーク電流を抑制することができる。これにより、表示パネル全体としての発光不良を防ぐことができる。この第1の逆バイアス電圧としては、上記リーク電流を抑制するのに必要となる十分な大きさの電圧とすればよい。
According to the means described in
一方、発光期間においては、非発光の発光素子に第2の逆バイアス電圧を印加するので、非選択の走査電極に接続された発光素子には、第2の逆バイアス電圧と駆動電源(電流源または電圧源)の出力端電圧との差電圧に等しい逆バイアス電圧が印加される。 On the other hand, during the light emission period, the second reverse bias voltage is applied to the non-light-emitting light-emitting elements, and therefore the second reverse bias voltage and the drive power source (current source) are applied to the light-emitting elements connected to the non-selected scan electrodes. Alternatively, a reverse bias voltage equal to the voltage difference from the output terminal voltage of the voltage source is applied.
本手段では、この第2の逆バイアス電圧を上記第1の逆バイアス電圧と異なる電圧、例えば走査電極または信号電極について接続状態が切り替わった直後における過渡現象の発生を抑制するのに適当な電圧に設定することができるので、切り替え直後の発光素子に対する過大または過小な電圧印加状態の発生を回避でき、切り替え直後から目標とする発光輝度を得ることができるようになる。 In this means, the second reverse bias voltage is changed to a voltage different from the first reverse bias voltage, for example, an appropriate voltage for suppressing the occurrence of a transient phenomenon immediately after the connection state of the scan electrode or the signal electrode is switched. Since it can be set, it is possible to avoid the occurrence of an excessive or too small voltage application state for the light emitting element immediately after switching, and to obtain a target light emission luminance immediately after switching.
また、第2の逆バイアス電圧は第1の逆バイアス電圧より小さく設定できるようになり、第1の逆バイアス電圧がかかる回数を1フレームに1回と抑えることができるので、発光素子の絶縁部での陽極と陰極の短絡現象を抑制することができる。その結果、発光不良を防止しつつ、発光輝度を精度よく制御し、さらに絶縁部での陽極と陰極の短絡現象を抑制することができる。 In addition, the second reverse bias voltage can be set smaller than the first reverse bias voltage, and the number of times the first reverse bias voltage is applied can be suppressed to once per frame. It is possible to suppress the short circuit phenomenon between the anode and the cathode. As a result, it is possible to accurately control the light emission luminance while preventing defective light emission, and to suppress the short-circuit phenomenon between the anode and the cathode in the insulating portion.
請求項2、3、21、22に記載した手段によれば、発光停止期間においては、走査電極に第1の逆バイアス電圧を印加するとともに信号電極をグランドに接続し、発光期間においては、選択した走査電極をグランドに接続し、非選択の走査電極に第2の逆バイアス電圧を印加するとともに、発光させる発光素子の信号電極を駆動電源に接続し、非発光の発光素子の信号電極をグランドに接続するように駆動制御する。
According to the means described in
請求項4、5、23、24に記載した手段によれば、各フレームについて発光停止期間を備えており、その期間内においては走査電極に対し、表示パネル内の不良箇所のリーク電流を抑制するのに必要となる十分な大きさの第1の逆バイアス電圧を印加できるので、発光不良を確実に防止することができる。この場合、発光停止期間を、フレームの終了後、次のフレームが始まる前に設けるとよい。
According to the means described in
請求項6、25に記載した手段によれば、発光素子を発光させるために定電流源を用いているので、発光素子を定電流駆動することができ、電源電圧の変動や経時変化による発光素子の高抵抗化にかかわらず安定した輝度を得ることができる。特に本手段によれば、切り替え直後の過渡現象の発生が抑制されているので、切り替え直後から定電流駆動を行うことができ、発光素子の高抵抗化の影響を受けにくく、従来構成の表示装置に対し輝度半減寿命を延ばすことができる。
According to the means described in
請求項7、26に記載した手段によれば、第2の逆バイアス電圧は、電流源から発光素子に駆動電流を供給した場合に、発光素子が定常的に負担することとなる電圧にほぼ等しく設定されている。このように設定すると、例えば水平走査周期ごとに全ての走査電極および信号電極をグランドに接続するリセット期間を設けた場合、そのリセット期間から次の走査電極の走査期間に切り替わった時に、発光素子の寄生容量間で生じる過渡現象の発生を抑えることができる。
According to the means described in
すなわち、各信号電極に着目すると、リセット期間において発光素子の寄生容量には電荷の蓄積はなく、次の走査期間への切り替えにより、選択された走査電極だけがグランドに接続され、その他の非選択の走査電極は全て第2の逆バイアス電圧側に接続されるため、切り替え直後の過渡的な信号電極の電圧は第2の逆バイアス電圧にほぼ等しくなる。従って、この第2の逆バイアス電圧を上記発光素子が定常的に負担することとなる電圧にほぼ等しく設定すれば、発光させる発光素子には切り替え直後から定常的な電圧が印加され、切り替え直後から定電流駆動が可能となって予定した発光輝度を得ることができるようになる。 That is, paying attention to each signal electrode, there is no charge accumulation in the parasitic capacitance of the light emitting element in the reset period, only the selected scan electrode is connected to the ground by switching to the next scan period, and other non-selected Since all of the scan electrodes are connected to the second reverse bias voltage side, the voltage of the transient signal electrode immediately after the switching becomes substantially equal to the second reverse bias voltage. Therefore, if the second reverse bias voltage is set to be approximately equal to the voltage that the light emitting element normally bears, a steady voltage is applied to the light emitting element that emits light immediately after switching. A constant current drive becomes possible, and the planned luminance can be obtained.
請求項8、27に記載した手段によれば、上記リセット期間を設けた場合、走査電極の数をm、第2の逆バイアス電圧をVcc1 とすれば、切り替え直後の過渡的な信号電極の電圧は(m−1)/m・Vcc1 となる。従って、駆動された発光素子が定常的に負担することとなる電圧をVEとすれば、第2の逆バイアス電圧Vcc1 はm/(m−1)・VEに等しく設定すればよい。なお、走査電極の数が多い場合には、第2の逆バイアス電圧Vcc1 を近似的にVEに設定してもよい。
According to the means described in
請求項9、28に記載した手段によれば、発光素子のしきい値電圧をVLとして、第2の逆バイアス電圧Vcc1 を(VE−VL)よりも高く設定したので、非選択の走査電極に接続された発光素子にはしきい値電圧VL以上の電圧が印加されることがなく、誤発光を防ぐことができる。
According to the means described in
請求項10、11、29、30に記載した手段によれば、水平走査周期ごとに走査電極および信号電極を同電位に設定するリセット期間を設けているので、次の走査周期への切り替え前に発光素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放電することができ、切り替えから発光素子が発光するまでの立ち上がり時間を短縮して高速走査をすることが可能になる。リセット期間においては、走査電極および信号電極をグランド電位とするとよい。
According to the means described in
請求項12、31に記載した手段によれば、第1の逆バイアス電圧は、第2の逆バイアス電圧より大きいので、発光不良を防止しつつ、発光輝度を精度よく制御し、さらに絶縁部での陽極と陰極の短絡現象を抑制することができる。
According to the means described in
請求項13、32に記載した手段によれば、第1の逆バイアス電圧は、発光素子の自己修復が発生する電圧よりも大きく設定されているので、発光層の厚みが薄い箇所または陽極と陰極とが接触している箇所にリーク電流が集中して流れ、当該不良部分の陰極を破断屈曲等させてリーク電流を抑制することができる。
According to the means described in
請求項14、33に記載した手段によれば、第1の逆バイアス電圧は定電流源を構成する電源電圧に等しいので、さらに電圧変換手段等を設ける必要がなくコストダウンが図れる。 According to the means described in claims 14 and 33, since the first reverse bias voltage is equal to the power supply voltage constituting the constant current source, it is not necessary to provide a voltage converting means or the like, and the cost can be reduced.
請求項15、16、34、35に記載した手段によれば、各走査電極に接続された走査スイッチを切り替えることまたは各走査電極に接続された走査スイッチに供給する電圧を切り替えることにより第1および第2の逆バイアス電圧の切り替えを行うことができる。
According to the means described in
請求項17、36に記載した手段によれば、各水平走査周期において駆動電源から発光素子に供給する駆動電流の時間幅を変化させることにより、その変化に対応して(例えば時間幅に比例して)発光輝度を制御することができる。 According to the means described in the seventeenth and thirty-sixth aspects, by changing the time width of the drive current supplied from the drive power source to the light emitting element in each horizontal scanning period, corresponding to the change (for example, proportional to the time width). E) The emission luminance can be controlled.
請求項18、37に記載した手段によれば、各水平走査周期において駆動電源から発光素子に供給する駆動電流の大きさを変化させることにより、その変化に対応して(例えば駆動電流の大きさに比例して)発光輝度を制御することができる。
According to the means described in
請求項19、38に記載した手段によれば、駆動電流または印加電圧に応じて発光輝度が変化する有機EL素子について、発光輝度を精度よく制御することができる。また、経時劣化により高抵抗化する特性を有する有機EL素子について、輝度半減寿命を極力延ばすことができる。 According to the means described in the nineteenth and thirty-eighth aspects, the emission luminance can be accurately controlled for the organic EL element whose emission luminance changes according to the drive current or the applied voltage. In addition, the luminance half-life can be extended as much as possible for an organic EL element having a characteristic of increasing resistance due to deterioration over time.
(第1の実施形態)
以下、本発明を有機EL素子に適用した第1の実施形態について図1ないし図9を参照しながら説明する。なお、図1ないし図4において図13と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。
図1において、表示装置7の走査ドライバIC8(陰極側駆動部に相当)は、各走査線A(1)〜A(m)について設けられた走査スイッチ9(1)〜9(m)を一定周期(水平走査周期)で切り替えて、各走査線A(1)〜A(m)に逆バイアス電圧Vcc1 (第2の逆バイアス電圧に相当)、逆バイアス電圧Vcc(第1の逆バイアス電圧に相当)またはグランド電圧(0V)を印加するようになっている。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment in which the present invention is applied to an organic EL element will be described with reference to FIGS. 1 to 4, the same components as those in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and different portions will be described below.
In FIG. 1, a scanning driver IC 8 (corresponding to a cathode side driving unit) of the
また、制御部10は、表示パネル1に画像を表示させるための画像データに応じて、信号ドライバIC4(陽極側駆動部に相当)および走査ドライバIC8を制御するもので、例えばマイクロコンピュータにより構成されている。なお、走査線A(1)〜A(m)は本発明でいう走査電極に相当し、信号線B(1)〜B(n)は信号電極に相当し、EL素子E(1,1)〜E(m,n)は発光素子に相当する。
The
次に、本実施形態の作用について図2ないし図9も参照しながら説明する。
図5は、走査線A(1)、A(2)、A(m−1)、A(m)の電圧波形を示すもので、ここに示されていない走査線A(3)〜A(m−2)についても同様の電圧波形となる。また、この図5において、期間R2と期間Hm−1との間には期間H3、R3、…、Hm−2、Rm−2が存在するが、これらの期間については省略されている。図中、TFはフレーム周期、THは走査周期、TRはリセット時間である。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 5 shows voltage waveforms of the scanning lines A (1), A (2), A (m−1), and A (m). The scanning lines A (3) to A (( The same voltage waveform is obtained for m-2). In FIG. 5, periods H3, R3,..., Hm-2, Rm-2 exist between the period R2 and the period Hm-1, but these periods are omitted. In the figure, TF is a frame period, TH is a scanning period, and TR is a reset time.
図1ないし図4は、それぞれ図5に示す期間H1、期間R1、期間Hm、期間HBにおける走査スイッチ9と駆動スイッチ5の切替状態を示している。これ以外の期間については特に図示していないが、リセット期間R2〜Rm、RBの切替状態は全て期間R1の切替状態と同じであり、期間H2〜Hm−1の切替状態は期間H1または期間Hmと同様となる。
1 to 4 show switching states of the
既に説明したように、1フレームの最後に期間HBを設けて表示パネル1の発光不良の発生を防止している。この期間では、図4に示すように走査スイッチ9(1)〜9(m)を全て逆バイアス電圧Vcc側に切り替えるとともに、駆動スイッチ5(1)〜5(n)を全てグランド側に切り替えて、全てのEL素子E(1,1)〜E(m,n)に逆バイアス電圧Vccを印加している。この逆バイアス電圧Vccは、リーク電流を抑制するのに必要となる十分な大きさの電圧とすればよい。例えば、発明者の実験データ(図15)によると、逆バイアス電圧Vccは20Vとすればよい。
As already described, the period HB is provided at the end of one frame to prevent the occurrence of light emission failure of the
また、各走査期間への切り替えからEL素子Eが発光するまでの立ち上がり速度を高めるため、期間H1〜Hmおよび期間HBについてそれぞれリセット期間R1〜RmおよびRBを設けている。これらの期間では、図2に示すように走査スイッチ9(1)〜9(m)および駆動スイッチ5(1)〜5(n)を全てグランド側に切り替えて、EL素子E(1,1)〜E(m,n)の寄生容量の蓄積電荷を放電させている。 Further, reset periods R1 to Rm and RB are provided for the periods H1 to Hm and the period HB, respectively, in order to increase the rising speed from switching to each scanning period until the EL element E emits light. In these periods, the scanning switches 9 (1) to 9 (m) and the drive switches 5 (1) to 5 (n) are all switched to the ground side as shown in FIG. The accumulated charge of the parasitic capacitance of .about.E (m, n) is discharged.
続いて、期間RBから期間H1への切り替えについて説明する。
図6は、走査線A(1)〜A(m)および信号線B(2)ついての切り替えの前後の状態を示すもので、EL素子E(1,2)〜E(m,2)はその寄生容量Cを表すコンデンサの記号で表記している。(a)は期間RBを示しており、上述したようにEL素子E(1,2)〜E(m,2)の寄生容量の電荷は0となる。この状態から(b)に示す期間H1に切り替えられると、走査される走査線A(1)のみがグランド電位に保持され、その他の走査線A(2)〜A(m)には逆バイアス電圧Vcc1 が与えられる。この切り替え直後の信号線B(2)の電圧Vcは、以下の(1)式のようになる。
Next, switching from the period RB to the period H1 will be described.
FIG. 6 shows a state before and after switching for the scanning lines A (1) to A (m) and the signal line B (2). The EL elements E (1,2) to E (m, 2) are shown in FIG. The parasitic capacitance C is represented by a capacitor symbol. (A) shows the period RB, and the charges of the parasitic capacitances of the EL elements E (1,2) to E (m, 2) are 0 as described above. When this state is switched to the period H1 shown in (b), only the scanning line A (1) to be scanned is held at the ground potential, and the reverse bias voltage is applied to the other scanning lines A (2) to A (m). Vcc1 is given. The voltage Vc of the signal line B (2) immediately after this switching is expressed by the following equation (1).
Vc=(m−1)/m・Vcc1 …(1)
ここで、走査線の数mは例えば64に設定されているため、上記(1)式は次の(2)式のように近似できる。
Vc≒Vcc1 …(2)
Vc = (m−1) / m · Vcc1 (1)
Here, since the number m of scanning lines is set to 64, for example, the above equation (1) can be approximated as the following equation (2).
Vc≈Vcc1 (2)
電流源6(2)からEL素子E(1,2)に駆動電流を供給した状態で十分な時間が経過した時に当該EL素子E(1,2)が定常的に負担することとなる電圧をVEとすれば、上記(1)式または(2)式で示される電圧VcがVEに等しくなる条件の下で、切り替え時に生じる過渡現象を最も抑制することができる。この条件を満たす逆バイアス電圧Vcc1 は、次の(3)式または近似的に(4)式となる。 A voltage that the EL element E (1,2) steadily bears when a sufficient amount of time has elapsed with the drive current supplied from the current source 6 (2) to the EL element E (1,2). With VE, the transient phenomenon occurring at the time of switching can be most suppressed under the condition that the voltage Vc expressed by the above formula (1) or (2) is equal to VE. The reverse bias voltage Vcc1 satisfying this condition is expressed by the following equation (3) or approximately (4).
Vcc1 =m/(m−1)・VE …(3)
Vcc1 ≒VE …(4)
VEは通常の有機EL素子では13V程度であり、この場合、Vcc1 は13V程度を印加することとなる。Vccが20Vとなっているため、Vcc1 はVccよりも低い電圧を印加することになる。
Vcc1 = m / (m-1) · VE (3)
Vcc1 ≒ VE (4)
In a normal organic EL element, VE is about 13V. In this case, Vcc1 is about 13V. Since Vcc is 20V, a voltage lower than Vcc is applied to Vcc1.
図7および図8は、逆バイアス電圧Vcc1 を(3)式に従って設定した場合の(a)走査線A(1)の電圧、(b)電流源6(2)から信号線B(2)に出力される電流、(c)EL素子E(1,2)の発光輝度の波形を示している。図7は、駆動電流のパルス幅を制御することにより階調制御を実行する場合を示し、図8は、駆動電流の大きさを制御することにより階調制御を実行する場合を示している。(b)電流波形および(c)発光輝度波形において、実線は高輝度発光時の波形を示しており、破線は低輝度発光時の波形を示している。 7 and 8 show (a) the voltage of the scanning line A (1) when the reverse bias voltage Vcc1 is set according to the equation (3), and (b) the current source 6 (2) to the signal line B (2). The output current and (c) the waveform of the emission luminance of the EL element E (1, 2) are shown. FIG. 7 shows a case where gradation control is executed by controlling the pulse width of the drive current, and FIG. 8 shows a case where gradation control is executed by controlling the magnitude of the drive current. In (b) current waveform and (c) light emission luminance waveform, the solid line indicates the waveform during high luminance light emission, and the broken line indicates the waveform during low luminance light emission.
期間RBから期間H1に切り替わると、EL素子E(1,2)に印加される電圧は切り替え直後から定常的な整定電圧VEとなるため、電流源6(2)の出力電流(一例として150μA)がEL素子E(1,2)にそのまま流れ、切り替え当初からEL素子E(1,2)は定電流駆動される。その結果、図7に示すように、期間RBから期間H1への切り替え当初からEL素子E(1,2)の発光輝度が目標輝度に一致し、電流源6(2)の出力電流のパルス幅に比例して発光輝度を増減することができるようになる。 When the period RB is switched to the period H1, the voltage applied to the EL element E (1,2) becomes a steady settling voltage VE immediately after the switching, so that the output current of the current source 6 (2) (as an example, 150 μA) Flows to the EL element E (1,2) as it is, and the EL element E (1,2) is driven at a constant current from the beginning of switching. As a result, as shown in FIG. 7, the light emission luminance of the EL element E (1,2) matches the target luminance from the beginning of switching from the period RB to the period H1, and the pulse width of the output current of the current source 6 (2). The light emission luminance can be increased or decreased in proportion to.
また、図8に示すように駆動電流の大きさを制御して発光輝度を増減する場合には、電流源6(2)は発光輝度に応じた大きさの電流を出力し、それに伴ってEL素子E(1,2)が定常的に負担することとなる電圧VEも増減する。このため、逆バイアス電圧Vcc1 も上記(3)式に従って増減制御する必要がある。このように電流源6(2)の電流および逆バイアス電圧Vcc1 を制御すれば、期間RBから期間H1への切り替え当初からEL素子E(1,2)の発光輝度を目標輝度に一致させることができ、電流源6(2)の出力電流の大きさに比例して発光輝度を増減することができるようになる。 Further, when the emission luminance is increased or decreased by controlling the magnitude of the drive current as shown in FIG. 8, the current source 6 (2) outputs a current having a magnitude corresponding to the emission luminance, and the EL is accordingly generated. The voltage VE that the element E (1,2) steadily bears also increases or decreases. For this reason, the reverse bias voltage Vcc1 needs to be increased or decreased in accordance with the above equation (3). By controlling the current of the current source 6 (2) and the reverse bias voltage Vcc1 in this way, the emission luminance of the EL element E (1,2) can be matched with the target luminance from the beginning of switching from the period RB to the period H1. Thus, the emission luminance can be increased or decreased in proportion to the magnitude of the output current of the current source 6 (2).
以上の作用は、期間RBから期間H1への切り替えに限らず、期間R2から期間H2への切り替え、…、期間Rm−1から期間Hmへの切り替え等についても同様となる。また、走査線の数mがある程度多い場合(例えば64本)、逆バイアス電圧Vcc1 を近似的に(4)式に従って設定した場合でもほぼ同様となる。また、逆バイアス電圧Vcc1 が(3)式または(4)式から多少ずれても上記作用が直ちに消失することはない。 The above operation is not limited to the switching from the period RB to the period H1, but also the switching from the period R2 to the period H2, ..., the switching from the period Rm-1 to the period Hm, and the like. Further, when the number m of scanning lines is large to some extent (for example, 64 lines), the same is true even when the reverse bias voltage Vcc1 is set approximately according to the equation (4). Even if the reverse bias voltage Vcc1 slightly deviates from the equation (3) or (4), the above action does not immediately disappear.
ただし、逆バイアス電圧Vcc1 を下げ過ぎると、非選択の走査線Aに接続されたEL素子Eの印加電圧がEL素子Eの発光しきい値VL以上となって発光してしまうため、逆バイアス電圧Vcc1 として設定できる下限値Vcc1(min)は、以下の(5)式のようになる。
Vcc1(min)=VE−VL …(5)
However, if the reverse bias voltage Vcc1 is lowered too much, the applied voltage of the EL element E connected to the non-selected scanning line A becomes equal to or higher than the light emission threshold value VL of the EL element E, so that the reverse bias voltage is emitted. The lower limit value Vcc1 (min) that can be set as Vcc1 is expressed by the following equation (5).
Vcc1 (min) = VE-VL (5)
このように各フレームについて、期間HBではEL素子Eに対して十分な大きさの逆バイアス電圧Vccを印加し、その他の期間H1〜Hmでは非発光のEL素子Eに対して電圧Vccよりも低い逆バイアス電圧Vcc1 を印加すると、逆バイアス電圧Vccは1フレームに1回だけかかることになるので、EL素子Eの絶縁部へのダメージが軽減され、絶縁部での陰極と陽極の短絡の発生を防止することができる。実験結果によると、絶縁部での陰極と陽極の短絡の発生する画素の割合は、従来方法でVcc=20Vとした場合と、本発明の方法でVcc1 =13V、Vcc=20Vとした場合で、75%から0%に減少していることが確認できた。 Thus, for each frame, a sufficiently large reverse bias voltage Vcc is applied to the EL element E in the period HB, and lower than the voltage Vcc to the non-light-emitting EL element E in the other periods H1 to Hm. When the reverse bias voltage Vcc1 is applied, the reverse bias voltage Vcc is applied only once per frame, so that the damage to the insulating portion of the EL element E is reduced, and the occurrence of a short circuit between the cathode and the anode in the insulating portion. Can be prevented. According to the experimental results, the ratio of the pixel in which the short circuit between the cathode and the anode in the insulating portion occurs is Vcc = 20V in the conventional method, and Vcc1 = 13V and Vcc = 20V in the method of the present invention. It was confirmed that the ratio decreased from 75% to 0%.
さらに、本実施形態の駆動方法によれば、経時変化によりEL素子Eが高抵抗化しても、その影響による輝度の低下を抑制でき、従来構成の表示装置に比べて輝度半減寿命を延ばすことができる。図9は、発光輝度の時間変化を示す実験結果である。図中、実線が本実施形態の場合を示し、破線が従来構成の場合を示している。この実験は、Vcc=20V、Vcc1 =13V、m=64、n=128の場合であって、有機ELパネルと定電流ドライバを用いて、フレーム周波数120Hz、TR=10μsec、TH=1/120/64secで、初期輝度200Cd/m2にて85℃雰囲気中で輝度測定をしたものである。従来方法に比べて、約1.6倍の輝度半減寿命が得られた。 Furthermore, according to the driving method of the present embodiment, even if the EL element E increases in resistance due to aging, it is possible to suppress a decrease in luminance due to the influence, and to extend the luminance half-life as compared with a display device having a conventional configuration. it can. FIG. 9 shows the experimental results showing the temporal change in the light emission luminance. In the figure, the solid line indicates the case of the present embodiment, and the broken line indicates the case of the conventional configuration. In this experiment, Vcc = 20V, Vcc1 = 13V, m = 64, and n = 128, using an organic EL panel and a constant current driver, a frame frequency of 120 Hz, TR = 10 μsec, TH = 1/120 / The luminance was measured in an 85 ° C. atmosphere at an initial luminance of 200 Cd / m 2 at 64 sec. As compared with the conventional method, a luminance half life of about 1.6 times was obtained.
以上説明したように、本実施形態の表示装置7は、各フレームごとに全てのEL素子Eの発光を停止させる期間HBを設け、その期間HBにおいては全ての走査線Aに逆バイアス電圧Vccを印加するとともに全ての信号線Bをグランドに接続して全てのEL素子Eに逆バイアス電圧Vccを印加するので、表示パネル1の不良箇所の陰極を破断屈曲等させてリーク電流を抑制することができる。
As described above, the
この場合の逆バイアス電圧Vccは、期間H1〜Hmに印加する逆バイアス電圧Vcc1 とは異なり、リーク電流を抑制するのに十分な大きさの電圧に設定することができる。このため、表示パネル1の発光不良を確実に防止することができる。逆バイアス電圧Vccが印加されるのは、1フレーム周期に1回のみであるが、発明者の知見によりリーク電流を抑制するためには、1回で十分であることがわかっている。また、期間H1〜Hmおよび期間HBについてそれぞれリセット期間R1〜RmおよびRBを設けたので、EL素子Eの発光立ち上がり速度を高めることができる。
Unlike the reverse bias voltage Vcc1 applied in the periods H1 to Hm, the reverse bias voltage Vcc in this case can be set to a voltage large enough to suppress the leakage current. For this reason, the light emission failure of the
その一方で、期間H1〜Hmにおいては、非選択の走査線Aに印加する逆バイアス電圧Vcc1 を上記逆バイアス電圧Vccよりも低い電圧、すなわち(3)式または(4)式に示す電圧に設定したので、リセット期間Rから走査期間Hへの切り替え直後における過渡現象を抑制でき、切り替え当初からEL素子Eを定電流駆動することができる。その結果、駆動電流のパルス幅または大きさを制御して、低輝度から高輝度までの広範囲において発光輝度を精度よく制御することが可能となる。また、経時変化によりEL素子Eが高抵抗化しても、その影響による輝度の低下を抑制でき、従来構成の表示装置に比べて輝度半減寿命を延ばすことができる。さらに、本駆動方法では大きな逆バイアス電圧Vccは1フレームに1回だけかかることになるので、EL素子Eの絶縁部へのダメージが軽減され、絶縁部での陰極と陽極の短絡の発生を防止することができる。 On the other hand, in the periods H1 to Hm, the reverse bias voltage Vcc1 applied to the non-selected scanning line A is set to a voltage lower than the reverse bias voltage Vcc, that is, the voltage shown in the expression (3) or (4). Therefore, a transient phenomenon immediately after switching from the reset period R to the scanning period H can be suppressed, and the EL element E can be driven with a constant current from the beginning of switching. As a result, it is possible to accurately control the light emission luminance in a wide range from low luminance to high luminance by controlling the pulse width or magnitude of the driving current. In addition, even when the EL element E has a high resistance due to changes over time, a decrease in luminance due to the influence can be suppressed, and the luminance half-life can be extended as compared with a display device having a conventional structure. Furthermore, in this driving method, since the large reverse bias voltage Vcc is applied only once per frame, damage to the insulating portion of the EL element E is reduced, and the occurrence of a short circuit between the cathode and the anode in the insulating portion is prevented. can do.
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について図10および図11を参照しながら説明する。
図10は、表示装置の電気的構成を示すもので、図1と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。この図10に示す表示装置11は、図1に示す表示装置7に対し走査ドライバICの構成が異なっている。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 10 shows the electrical configuration of the display device. The same components as those in FIG. The
すなわち、走査ドライバIC12は、各走査線A(1)〜A(m)について走査スイッチ13(1)〜13(m)を有しており、これらの走査スイッチ13(1)〜13(m)は、各走査線A(1)〜A(m)をそれぞれ電源線15側またはグランド側に接続するようになっている。また、走査ドライバIC12の外部には、上記電源線15を逆バイアス電圧Vcc1 側またはVcc側に接続する電源選択スイッチ16が設けられている。これらの走査スイッチ13(1)〜13(m)および電源選択スイッチ16は、本発明でいう陰極側駆動部に相当し、制御部10からの切替信号により切り替え制御されている。逆バイアス電圧Vcc1 およびVccは、第1の実施形態で説明したとおりの電圧である。さらに、本実施形態ではVccを信号ドライバIC4にも供給している。
That is, the
図11は、電源選択スイッチ16の電気的構成を示している。逆バイアス電圧Vccを有する電源線17と電源線15との間には、ダイオード18とMOSFET19との直列回路並びにMOSFET20と抵抗21との直列回路が接続されている。このうちMOSFET19のゲートには、抵抗22を介して制御部10から切替信号Saが与えられている。また、電源線17とグランドとの間には抵抗23と24とが直列に接続されており、その共通接続点はMOSFET20のゲートに接続されるとともにコンデンサ25を介してグランドに接続されている。
FIG. 11 shows an electrical configuration of the power
この構成において、切替信号SaがHレベル(Vcc)の場合には、MOSFET19がオフとなり、電源線15には逆バイアス電圧Vccに対しMOSFET20のソース・ドレイン間電圧と抵抗21による電圧降下分だけ低い逆バイアス電圧Vcc1 が出力される。この場合、MOSFET20のソース・ドレイン間電圧は、素子定数によって定まる。一方、切替信号SaがLレベル(0V)の場合には、MOSFET19がオンとなり、電源線15にはダイオード18およびMOSFET19を通して逆バイアス電圧Vccにほぼ等しい電圧が出力される。
In this configuration, when the switching signal Sa is at the H level (Vcc), the
本実施形態において、走査線A(1)〜A(m)への電圧印加タイミングおよび信号線B(1)〜B(n)への電流供給タイミングは第1の実施形態と同様となる。すなわち、期間RBから期間Rm(図5参照)の間においては、電源選択スイッチ16を電圧Vcc1 側に切り替えた状態とし、走査期間H1、H2、…、Hmではスイッチ13(1)、13(2)、…、13(m)を順次グランド側に切り替え、リセット期間RB、R1、R2、…、Rmではスイッチ13(1)〜13(m)を全てグランド側に切り替える。一方、期間HBにおいては、電源選択スイッチ16を電圧Vcc側に切り替えるとともに、スイッチ13(1)〜13(m)を全て電源線15側に切り替える。
In the present embodiment, the voltage application timing to the scanning lines A (1) to A (m) and the current supply timing to the signal lines B (1) to B (n) are the same as those in the first embodiment. That is, during the period RB to the period Rm (see FIG. 5), the power
以上説明した本実施形態によっても、発光輝度について第1の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、走査ドライバIC12を従来のもの(図13参照)と同様の構成とすることができるので、新たな設計に要する時間や費用を削減することが可能となる利点がある。また、走査ドライバIC12の入力側電源を第1の逆バイアス電圧Vccとし、さらにこの第1の逆バイアス電圧Vccから降圧した電圧を第2の逆バイアスVcc1 として用いることができるため、Vcc、Vcc1 の2系統の電圧を別々に昇圧して作る回路を用いる場合よりもコストダウンが図れる。さらに、本実施形態では、Vccを信号ドライバIC4の電源としても使用している。そのため、信号ドライバIC4の電源回路を別途設ける場合よりもコストダウンが図れる。
Also according to the present embodiment described above, the same operation and effect as the first embodiment can be obtained with respect to the emission luminance. In addition, since the
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について図12を参照しながら説明する。
本実施形態の構成は、上述した第1または第2の実施形態と同じであるが、走査線A(1)〜A(m)への電圧印加方法が一部異なっている。図12は、走査線A(1)、A(2)、A(m−1)、A(m)の電圧波形を示すもので、期間R2と期間Hm−1との間に存在する期間H3、R3、…、Hm−2、Rm−2については省略されている。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The configuration of this embodiment is the same as that of the first or second embodiment described above, but a method of applying a voltage to the scanning lines A (1) to A (m) is partially different. FIG. 12 shows voltage waveforms of the scanning lines A (1), A (2), A (m−1), and A (m), and a period H3 that exists between the period R2 and the period Hm−1. , R3,..., Hm-2, Rm-2 are omitted.
この図12に示すように、本実施形態では走査周期ごとのリセット期間Rが設けられておらず、ある走査周期から次の走査周期に直ちに切り替えられる。リセット期間Rは、前の走査周期においてEL素子Eの寄生容量に蓄積された電荷を放電して、次の走査周期における発光立ち上がり速度を高めることを目的として設けられたものである。これに対し、本実施形態では走査周期H1〜Hmの間でEL素子Eに印加する逆バイアス電圧をVccからVcc1 に下げたので、リセット期間Rを設けなくても発光立ち上がり速度が改善される。これにより、特にリセット期間Rを設けることなく、より簡単な切り替えタイミングを用いて制御することが可能となる。 As shown in FIG. 12, in this embodiment, the reset period R for each scanning cycle is not provided, and the switching is immediately performed from one scanning cycle to the next scanning cycle. The reset period R is provided for the purpose of discharging the charge accumulated in the parasitic capacitance of the EL element E in the previous scanning cycle and increasing the light emission rising speed in the next scanning cycle. In contrast, in this embodiment, since the reverse bias voltage applied to the EL element E is lowered from Vcc to Vcc1 during the scanning periods H1 to Hm, the light emission rising speed is improved without providing the reset period R. Thereby, it is possible to control using a simpler switching timing without providing the reset period R in particular.
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
各実施形態において、第1の逆バイアス電圧Vccは、リーク電流を抑制するのに十分な大きさの電圧に設定すればよい。また、第2の逆バイアス電圧Vcc1 は、走査線A(1)〜A(m)または信号線B(1)〜B(n)について走査スイッチ9(1)〜9(m)、13(1)〜13(m)または駆動スイッチ5(1)〜5(n)を切り替えた時に過渡現象の発生を抑制するのに適当な電圧に設定すればよい。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiments described above and shown in the drawings, and can be modified or expanded as follows, for example.
In each embodiment, the first reverse bias voltage Vcc may be set to a voltage large enough to suppress the leakage current. The second reverse bias voltage Vcc1 is applied to the scanning switches 9 (1) to 9 (m) and 13 (1) for the scanning lines A (1) to A (m) or the signal lines B (1) to B (n). ) To 13 (m) or the drive switches 5 (1) to 5 (n) may be set to an appropriate voltage to suppress the occurrence of a transient phenomenon.
信号ドライバIC4に設けられた電流源6(1)〜6(n)に替えて電圧源を用いてもよい。ただし、発光素子の高抵抗化の影響を低減するには電流源の方が好ましい構成となる。
発光素子は、有機EL素子Eに限ることなく、電流駆動型の発光素子であれば適用が可能である。
A voltage source may be used instead of the current sources 6 (1) to 6 (n) provided in the signal driver IC4. However, a current source is a preferable configuration in order to reduce the effect of increasing the resistance of the light emitting element.
The light emitting element is not limited to the organic EL element E, and can be applied as long as it is a current driven light emitting element.
図面中、1は表示パネル、4は信号ドライバIC(陽極側駆動部)、6(1)〜6(n)は電流源(駆動電源)、7、11は表示装置、8は走査ドライバIC(陰極側駆動部)、A(1)〜A(m)は走査線(走査電極)、B(1)〜B(n)は信号線(信号電極)、E(1,1)〜E(m,n)は有機EL素子(発光素子)である。
In the drawings, 1 is a display panel, 4 is a signal driver IC (anode drive unit), 6 (1) to 6 (n) are current sources (drive power supplies), 7 and 11 are display devices, and 8 is a scan driver IC ( Cathode side drive unit), A (1) to A (m) are scanning lines (scanning electrodes), B (1) to B (n) are signal lines (signal electrodes), and E (1,1) to E (m , N) are organic EL elements (light emitting elements).
Claims (38)
前記発光素子の発光を停止させる発光停止期間を設け、その発光停止期間においては前記発光素子に第1の逆バイアス電圧を印加し、一方、発光期間においては非発光の発光素子に第2の逆バイアス電圧を印加するように構成された陽極側駆動部および陰極側駆動部とを備え、
前記第2の逆バイアス電圧は、前記第1の逆バイアス電圧と異なる電圧に設定されていることを特徴とする表示装置。 A display panel in which light emitting elements are arranged in a matrix at each intersection of a plurality of scanning electrodes and signal electrodes;
A light emission stop period for stopping the light emission of the light emitting element is provided, and a first reverse bias voltage is applied to the light emitting element during the light emission stop period, while a second reverse bias is applied to the non-light emitting light emitting element during the light emission period. An anode side drive unit configured to apply a bias voltage and a cathode side drive unit,
The display device, wherein the second reverse bias voltage is set to a voltage different from the first reverse bias voltage.
前記発光素子の発光を停止させる発光停止期間においては前記発光素子に第1の逆バイアス電圧を印加し、その後の発光期間においては非発光の発光素子に前記第1の逆バイアス電圧とは異なる大きさの第2の逆バイアス電圧を印加することを特徴とする表示パネルの駆動方法。 In a method for driving a display panel in which light emitting elements are arranged in a matrix at each intersection of a plurality of scanning electrodes and signal electrodes,
A first reverse bias voltage is applied to the light emitting element during a light emission stop period in which light emission of the light emitting element is stopped, and a non-light emitting element is different from the first reverse bias voltage in a subsequent light emission period. A display panel driving method comprising applying a second reverse bias voltage.
38. The display panel driving method according to claim 20, wherein the light emitting element is an organic EL element.
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