JP2005085879A - ウエハ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】連続的にウエハを処理した場合のウエハ温度の変動を抑えることができるようにしたウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ9内のウエハステージ2のセラミック板15の上に順次1枚づつウエハ1を載置し、このときウエハ1とセラミック板15の間に導入される熱伝導性ガスの圧力を調整してウエハ1の温度を制御し、プラズマ6を用いて順次加工して行く際、伝熱ガスの圧力をウエハ毎に調整する処理とエージング条件の最適化による処理及びヒータ条件の最適化による処理のいずれかを実行してロット内ウエハ温度変動を低減するかが選択でるようにしたもの。選択した処理項目については処理装置の制御コンピュータにより演算することで処理条件を決定し、この決定に基づき処理する。ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。
【選択図】図1
【解決手段】真空チャンバ9内のウエハステージ2のセラミック板15の上に順次1枚づつウエハ1を載置し、このときウエハ1とセラミック板15の間に導入される熱伝導性ガスの圧力を調整してウエハ1の温度を制御し、プラズマ6を用いて順次加工して行く際、伝熱ガスの圧力をウエハ毎に調整する処理とエージング条件の最適化による処理及びヒータ条件の最適化による処理のいずれかを実行してロット内ウエハ温度変動を低減するかが選択でるようにしたもの。選択した処理項目については処理装置の制御コンピュータにより演算することで処理条件を決定し、この決定に基づき処理する。ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウエハのエッチング加工技術に係り、特に、半導体ウエハを連続的に処理する方式のウエハ処理装置に関する。
近年、半導体ウエハに加工される回路パターンは、半導体素子の高集積化に伴つて微細化の一途を辿り、要求される加工寸法精度はますます厳しくなってきているが、このような状況では、加工処理中のウエハ(半導体ウエハ)の温度管理が極めて重要な命題になってくる。
例えば、パターンに高いアスペクト比が要求されるエッチングプロセスにおいては、異方性エッチングを実現するため、パターンの側壁を有機ポリマで保護しながらエッチングを行うプロセスが実用化されている。
このとき、保護膜となる有機ポリマの生成状況は温度により変化してしまうので、エッチング処理中のウエハの温度は、エッチングレートやパターン側壁の形状に多大の影響を与える。
ここで、プラズマを用いてウエハを加工する場合には、通常、ウエハにバイアス電圧を印加し、電界でイオンを加速してウエハに引き込むことにより異方性形状を実現しているが、このときウエハに入熱を伴い、温度が変化(上昇)してしまう。
そこで、ウエハの温度管理が必要になり、このためステージに静電チャックを用い、吸着したウエハとステージの間にヘリウムなどの伝熱性ガスを導入して温度を管理するのが一般的であり、このときステージは、外部の温調器で温度制御された冷媒が循環され、冷却されている。
しかし、実際にウエハを連続処理した場合には、ステージの温度も上昇してしまうのが避けられず、このような状況のもとでは、ウエハの処理枚数が増加するにつれ、処理中の平均的なウエハ温度も増加してゆくため、エッチング結果も、上述した理由により変化してしまうことが予想される。
しかも、近年の半導体製造プロセスでは、製造コスト削減のため、ウエハ径が大口径化しているので、ウエハへの入熱も更に多くなり、そればかりでなく、エッチングレートの上昇を目的としてバイアス電力が増加の傾向にある。
例えば、ウエハ直径が300mmの加工ラインでは、層間絶縁膜をエッチングするプロセスにおいてウエハに印加されるバイアス電力は3kW程度にまで達している。
そこで、処理中のウエハ温度を管理する方法が従来から種々提案されているが、その一例として、ポリシリコン層にシリコン層が積層されたシリコンウエハを対象とし、処理中のウエハの裏面における冷却ガスの圧力を変化させることにより、ウエハ温度を変える方法がある(例えば、特許文献1参照。)。
特開平6−124916号公報
上記従来技術は、ウエハを順次連続的に処理する点に配慮がされておらず、この場合における各ウエハ間での温度変動の低減に問題があった。
つまり、従来技術では、各1枚のウエハの処理中の温度変動は低減できるが、次々と新たなウエハを処理してゆく場合の温度変動については対応がされておらず、このため実際の加工ラインでは、同一ロット内であっても、例えば1枚目のウエハと25枚目のウエハではエッチング結果が異なってしまう可能性が高く、従って、問題が生じてしまうのである。
本発明の第1の目的は、連続的にウエハを処理した場合のウエハ温度の変動を抑えることができるようにしたウエハ処理装置を提供することである。
また、本発明の第2の目的は、連続的にウエハを処理した場合のウエハ温度の変動を抑えると共に、作業者にとって使い勝手の良いウエハ処理装置を提供することである。
上記第1の目的は、連続して処理するウエハ1枚毎にウエハ裏面の冷却ガス圧を設定することにより達成される。
同じく上記第1の目的は、ウエハを積載するステージを、処理によるウエハ温度の上昇をみこして予め温調機能を有する装置により暖機しておくことによっても達成される。
更に上記第1の目的は、連続的な処理の開始前、処理環境を調整するために行われるエージング処理の放電条件を最適にし、予め暖機しておくことによっても達成される。
上記第2の目的は、伝熱ガスの圧力をウエハ毎に調整するか、もくはエージング条件の最適化によるか、もしくはヒータ条件の最適化によるか、いずれの手法でロット内ウエハ温度変動を低減するかをユーザが選択することができ、選択した項目については処理装置の制御コンピュータにより演算して処理条件を決定することにより達成される。
本発明によれば、ロット内のウエハ温度変動が低減できるので、特に温度の影響が大きな処理に適用しても再現性のよいウエハ処理を得ることができる。
また、本発明によれば、ウエハ裏面圧力やエージング条件、ヒータの動作、それに、これらの組み合わせの中から任意の処理が選択できるので、作業者は、ウエハ裏面圧力の調整やエージング条件の最適化、ヒータによる加熱温度の調整が任意に行えることになり、使い勝手のよいウエハ処理装置を提供することができる。
以下、本発明によるウエハ処理装置について、図示の実施の形態により詳細に説明すると、ここで、まず、図1は、本発明の実施形態が適用されたエッチング装置の一例を示したものである。
そして、この図1において、まず、ウエハ1は真空チャンバ9内のウエハステージ2の上に載置される。このとき真空チャンバ9の上部にはアルミナ製のベルジャ10が取付けてあり、中が気密にされている。
そこで、真空チャンバ9内は、ターボ分子ポンプ13とドライポンプ34により真空に引かれ、その後、エッチングガス11が流量制御器3により流量を制御しながら導入される。このとき、真空チャンバ9内は、ターボ分子ポンプ13の上流に設置したバルブ12の開度調節により、適切な圧力に保たれている。
ベルジャ10の周囲にはコイル7が設置され、このコイル7に高周波電源8から高周波電圧、例えば周波数が13.56MHzの高周波電圧を印加し、プラズマ6が誘導結合方式により真空チャンバ9内で発生されるようにする。
このとき、ベルジャ10の周囲にファン27を複数台、取付け、これによりベルジャ10の温度が一定に保たれるようにし、この状態でウエハ1をプラズマ6に曝すことによりエッチング処理が実施されるが、このとき、エッチング処理中のウエハ1の温度は蛍光温度計55によりモニタされている。
また、このときウエハ1にバイアス電圧を印加するため、ウエハステージ2に給電ライン19を介して高周波電源5が接続されている。そして、この給電ライン19には、高周波チョークコイル21を介して更に直流電源22が接続してあり、これによりウエハステージ2に、ウエハ1を吸着して保持させるための静電チャック機能が付与されている。
このとき、ウエハステージ2は、セラミックス板15を、間に熱伝導シート23を挟みこんだ状態で、冷却用の冷却ジャケット14の上にボルト36により固定した構成となっている。そして、このセラミックス板15は窒化アルミ(窒化アルミニューム)で作られ、これにより上記した静電チャック機能が得られるようになっている。
ここで、符号4はゲートバルブで、ウエハ1を外部から真空チャンバ9の中に搬送したり、真空チャンバ9の中から外部に搬送する際に開き、これにより、ウエハ1の搬送アーム(図示してない)の前進・後退運動を可能にする働きをする。
次に、符号32はプッシャピンで、ウエハ1をステージ2から着脱させる働きをするもので、図示してない上下機構によりベローズ35を伸縮動作させ、ウエハステージ2の全体を上下させて、搬送アームとウエハ1のやり取りを可能にする。
そして、この冷却ジャケット14の内部には冷媒を流すための流路46が設けてあり、これに外部のサーキュレータ56から冷媒を供給することにより、冷却ジャケット14が冷却されるようになっている。
このとき、冷媒の流量を流量計54で測定し、サーキュレータ56から流れ出るときの温度と戻り側の温度を熱電対52、53で測定し、図示してない制御用コンピュータでモニタし、ウエハ1の温度が所定値になるように制御される。
また、セラミックス板15の内部には、ウエハステージ2に静電チャック機能を与え、且つ、RF(高周波)バイアスを与えるための内部電極17が埋設してある。
そこで、この内部電極17に直流電圧を印加してやれば、内部電極17とウエハ1(プラズマに曝された状態ではほぼアース電位)間に電位差が発生し、内部電極17とウエハ1の裏面の間に電荷が蓄えられた結果、クーロン力が発生し、ウエハ1がセラミックス板15に吸着され、ウエハステージ2に固定される。
このときの静電チャック用の直流電圧は、上記したように、直流電源22からコイル21を介して給電ライン19に供給されるようになっている。
また、内部電極17に高周波電圧を印加してやれば、ウエハ1にバイアス電圧を印加させることができ、この結果、プラズマ中のイオンを効果的に引き込むことができ、エッチングレートを増加させたり、エッチング形状が改善されるなどの効果を期待することができる。
このとき、上記した蛍光温度計55は、冷却ジャケット14とセラミック板15の同じ位置に設けた貫通孔に挿入され、ウエハ1の裏面に先端が接触させられている。ここで、この実施形態では、蛍光温度計が使用されているが、測定する温度領域に応じて、例えば放射温度計やシース熱電対を使用するようにしてもよい。
また、このとき温度を測定する位置の数も、図示のように1箇所に限らない。例えば半径方向に3箇所で測定するようにしてやれば、更に詳細なウエハ温度分布情報を得ることができる。
ここで、更に多くの測定点を設ければ、更に詳細な温度情報を得ることができるが、コストの問題や取り付け位置の問題などがあるので、測定点の数は必要に応じて適宜決定すればよい。
そして、ウエハ1の裏面とセラミックス板15の間にはヘリウムガスなどの伝熱ガスを導入させ、これにより、処理中にウエハ1に入射した熱を効果的にウエハステージ2に伝え、ウエハ1の温度の制御性を向上させるようになっている。
このヘリウムガスは、ガスボンベ42から中空のシャフト20を介して供給されるが、このときのヘリウムガスの圧力と流量は、それぞれ圧力計24と流量計25でモニタしている。
ところで、この図1のエッチング装置は、図示してない制御装置を備え、これにより全体の処理操作が制御されるようになっている。そして、この制御装置はPC(パーソナルコンピュータ)を備え、これに格納した「ロット内温度変動低減プログラム」に従って所定の処理が実行され、エッチング装置が操作されるようになっている。
このとき、この実施形態では、「ロット内温度変動低減プログラム」として、複数の異なったプログラムによる処理がユーザ(使用者)により選択できるようになっている。そこで、制御装置には、図2に示すメニュー画面100が表示されるようになっていて、これにより、ユーザは、任意に必要とする処理操作を選ぶことができる。
なお、この「ロット内温度変動低減プログラム」による機能は、ユーザが必要としない場合には動作させないようにすることも必要であるので、ここではユーザが「ロット内温度変動低減プログラム」を機能させるかどうかを選択することができるように構成されている。
そこで、このメニュー画面100は、これも図示してない入力インターフェースを介して、ユーザが「ロット内温度変動低減プログラム」を選択したときだけ表示されるようになっている。
ここで、以下に説明する実施形態では、図2から明らかなように、「ロット内温度変動低減プログラム」として、次の5種類のプログラムによる処理が選択できるようになっている。
He裏面圧の調整
エージング条件の最適化
エージング+He裏面圧の調整
ヒータ条件の最適化
エージング+ヒータ条件の最適化
なお、詳しくは後述する。
エージング条件の最適化
エージング+He裏面圧の調整
ヒータ条件の最適化
エージング+ヒータ条件の最適化
なお、詳しくは後述する。
ところで、このようにウエハ1にバイアス電圧を印加して処理すると、ウエハ1の温度が、上記したように、プラズマからの入熱により上昇する。このとき入熱量が少ない状態では問題にならない場合もあるが、通常、半導体の製造プロセスでは、これも上記したように、ウエハの温度管理をしっかり行わないとエッチング特性が悪化する。
従って、ウエハの温度管理は極めて重要であり、そこで、以下、本発明のポイントであるウエハ温度について、本発明を適用しない場合と対比して詳細に説明する。
ここで、図10は、本発明を適用せず、従来の条件で処理した場合のウエハ温度とウエハステージ温度の平均的な変動を示したもので、ここでは、ウエハの酸化膜をエッチングした場合を例とした。
そして、このときのエッチング条件は、エッチングガスとしてアルゴンとC4F8の混合ガスを用い、その圧力を1.0Paとし、プラズマソース電力は1kW、バイアス電力は1.5kWであり、ウエハステージ2の冷却にはフロン系の冷媒を用い、その流量は3L/minで設定温度は20℃である。
また、エッチング時間は60秒で、先のウエハと後のウエハの間の待ち時間は30秒であり、このときHe裏面圧(ウエハ1の裏面でのヘリウムガスの圧力)は、最初の1枚目のウエハから最後の25枚目まで全て1kPaの一定値である。
この図10の特性から、各ウエハ毎の処理終了直前の平均的なウエハ温度は、1枚目では42.3℃であるが、25枚目では52.6℃に大きく変動しており、ここで、特に処理開始から5〜6枚までの変動が大きいことが判る。そして、このときウエハステージ温度も26.4℃から36.7℃に変化していることも判る。
このとき、上記した通り、He裏面圧は1kPaで一定であり、従って、ウエハステージ(特にセラミック板15)とウエハ間の温度差は1枚目から25枚目までほぼ一定と考えられることから、ウエハ温度の変化はセラミック板15の温度が上昇してゆくためであることが判る。
このように、従来の装置では、He裏面圧を一定に制御しても、ウエハ温度は一定とはならない。上記したように、エッチング特性は通常、温度の影響を受けるので、この温度変化はエッチング結果に影響する。
そこで、本発明の実施形態では、基材(セラミック板)の温度上昇によるウエハ温度の上昇をみこして、ウエハの平均的な温度が一定になるようにしたものであり、以下、この実施形態について、更に具体的に説明する。
いま、ここで、ユーザが「ロット内温度変動低減プログラム」を選択したとすると、図2のメニュー画面100が表示され、上記したように、どの手法でウエハ温度を調整するかの一覧が現れる。
ここで、次に、ユーザが、図2のメニュー画面100で、図示のように、「He裏面圧の調整」を選択したとする。そうすると、この「He裏面圧の調整」では、ウエハ1枚毎にHe裏面圧を変更し、ウエハの平均的な温度が一定になるようにしたものであり、この場合、上記した制御装置(制御用PC)は図3のフローチャートによる処理に移行することになる。
そして、この図3の処理が選択されたとすると(ステップ101)、ここで、まず制御用PCに、計算に必要なパラメータが入力される(ステップ102)。
このときのパラメータとは、ウエハ温度に影響するパラメータのことで、これには入熱量、He圧力、静電チャック(セラミック板15)の熱容量、冷媒温度、冷媒流量、冷媒の種類などが挙げられる。ここで、He圧力とはHe裏面圧のことで、これらについては、以後、双方を併記して説明する。
そして、このうち、まず、入熱量は、この実施形態の場合、冷媒流量と、冷媒の入口と出口の温度を測定し、計算で求めることができる。このとき冷媒流量は流量計54から取り込まれ、冷媒の入口と出口の温度は、夫々熱電対52、53から取り込まれる。
一方、予め実験によりバイアス電力の何%が入熱となるかを把握しておけば、実測によらなくとも入熱量を求めることができ、この場合、He圧力はユーザが適切と判断した値を任意に設定することになる。
ここで、このHe圧力は圧力計24から取り込むことができ、他方、セラミック板15の熱容量は、構造が変更されれば変るが、通常は一度決まれば頻繁に変更するものではないため、容易に値を確定することができる。
このとき冷媒温度は、ユーザが任意に設定するものである。一方、冷媒流量は、通常はユーザはあまり意識しない項目なので、この実施形態では流量計54でモニタし、制御用PCで監視している。
なお、この冷媒流量は、装置の構成が一度決まってしまうと、あまり変化することはない。従って、その場合にはモニタせずに決めることも可能である。
また、冷媒の種類は、冷媒の粘性が温度に影響するのでパラメータとしているが、これも一度決まってしまえば変化しないものである。
従って、ステップ102では、冷媒温度、冷媒流量、入熱量、He裏面圧の各データが制御用PCに入力され、次いで、これらの情報(データ)に基づいて1枚目から25枚目までのウエハ温度を制御用PCで計算する(ステップ103)。
但し、この計算は必ずしも制御用PCで計算する必要があるわけではなく、外部に設けた別のPCで行ってもよい。
このとき、計算結果をモニタに表示する機能を設けておけば、ユーザの使い勝手が向上し、更に、表示した結果に基づいて、以降の計算を実行するか否かを選択する機能を持たせることも可能であり、この機能があれば、作業者が不要な計算処理により時間を無駄にすることが減らせるので便利である。
次に、処理条件が変化しない限り、1枚目から25枚目にかけてウエハの平均的な温度は上昇していくので、25枚目のウエハ温度と各枚数目のウエハ温度の差(温度差)を求める(ステップ104)。
このとき、必ずしも25枚目のウエハとの比較である必要があるわけではない。例えば10枚目のウエハ温度が既に25枚目のウエハ温度と同じであることが明らかである場合は10枚目のウエハと比較してもよい。
次に、この温度差が予め設定してある判定基準値以下に収まっているか否かを判定する(ステップ105)。このとき、この実施形態では、要求されているエッチング性能との兼ね合いから、0.5℃を温度差の判定基準値としているが、これに限定されるわけではない。
また、このときの判定基準値については、、予めPCに内蔵しておいても良いが、ユーザが適宜設定できるようにしておいてもよい。
そして、He圧力を調整しなくとも基準値以下に収まっていた場合、つまりステップ105での判定結果がY(肯定)のときはステップ106に進み、ここで1枚目から25枚目までのHe裏面圧条件を確定する。
他方、基準値を越えていた場合、つまりステップ105での判定結果がN(否定)のときはステップ102に戻り、He裏面圧を1枚毎に設定し直して再度計算する(ステップ102、103、104)。
この作業を繰り返し、最終的にすべてのウエハ温度の差が基準値以内となったなら、He裏面圧をステップ106で確定し、この「He裏面圧の調整」プログラムを終了するのである(ステップ107)。
次に、このときのHe裏面圧を決定する際の計算手順について説明すると、これには第1と第2の方法がある。
まず、第1の方法は、ウエハ1枚毎にHe裏面圧を計算していく方法で、例えば、いま25枚目のウエハ温度と1枚目のウエハ温度が基準値より大きい場合、2枚目以降はユーザ設定値のHe裏面圧のままにして1枚目のHe裏面圧だけを低くする。そして、この作業を繰返し、最初、まず1枚目のウエハ温度を基準以内に納める。
次に、3枚目以降のHe裏面圧をユーザ設定のままにし、今度は2枚目のHe裏面圧を1枚目と同じように低くし、この作業を繰り返し、2枚目のウエハ温度を基準以内に収める。
この作業を24枚目まで繰り返していけば、1枚目から25枚目までの温度変動を抑えることができる。このとき、もしも数枚程度の途中で25枚目との温度差が基準以内に納まったら、それ以降は条件を変更する必要はない。
次に第2の方法は、上述の方法で1枚目のウエハのHe裏面圧が決まったら、この1枚目のHe裏面圧から25枚目のHe裏面圧までの漸近式を計算で求め、2枚目以降は、この漸近式から各ウエハのHe裏面圧を求めるようにする方法である。
例えば、ユーザが設定したHe圧力をPu、計算で求めた1枚目のウエハのHe圧力をP1とすると、N枚目のウエハのHe圧力P(N)は、定数をτとして、次の(1)式から計算することができる。
P(N)=P1+(Pu−P1)(1−exp(−(N−1)/τ))…………(1)
そして、この(1)式に基づけは、定数τを決定するだけで、1枚目から24枚までのウエハのHe圧力が一度に決められるので、計算時間を節約することができる。
ここで、図4は、図3のプログラムに従って処理したときのウエハの温度を示したもので、この図から、ウエハステージの温度は従来と同じように徐々に上昇していくものの、各ウエハの処理終了直前の温度は、1枚目で52.8℃、25枚目でも52.6℃とほぼ一定になっていることが判る。
従って、この実施形態によれば、図3のプログラムに従って処理することにより、He圧力(He裏面圧)を調整することでウエハ温度をほぼ一定にすることができ、この結果、ウエハの連続処理に際して、再現性のよいエッチング処理を得ることができる。
ところで、以上の実施形態では、He裏面圧を決定するために、ユーザが設定する毎に温度計算を実施するようになっているが、しかし、必ずしもユーザが計算する必要があるわけではなく、予め制御用PCの中に、入熱量とHe裏面圧の組み合わせの変換テーブルを記憶しておき、ユーザの設定に応じて変換テーブルの中から各枚数毎のHe裏面圧の組み合わせを求めるようにしてもよい。
また、以上の実施形態では、各ウエハで実施したプログラムは1種類一定であったが、複数のプログラムの組み合わせであってもよい。
同じく、以上の実施形態では、He裏面圧をPCにより自動計算した例について説明したが、作業者が任意に手動で設定することもできるように構成してもよく、この場合は作業者の使い勝手が向上する。
次に、ユーザが「ロット内温度変動低減プログラム」を選択した後、図2のメニュー画面100で、今度は「エージング条件の最適化」を選択したとする。
ここで、この「エージング条件の最適化」では、ロット処理する直前に真空チャンバの壁温や表面状態を最適化するためのエージング処理を導入したもので、ウエハの処理を開始させる前に、エージング処理として、プラズマからの入熱により、予めウエハステージを加熱しておき、ロット内のウエハ温度変動を低減するようにしたものである。
但し、この場合、入熱が大きくエージング時間が長すぎると、逆に1枚目のウエハ温度が高くなりすぎるため、エージング時間を最適化する必要があるのは言うまでもない。
そして、この「エージング条件の最適化」プログラムが選択された場合、制御用PCは図5のフローチャートによる処理に移行することになる(ステップ201)。
ここで、この図5のフローチャートによる処理は、基本的には図3のフローチャートによる処理と同じ手順となるが、ウエハ温度計算を行う際のパラメータにエージング処理が追加されている(ステップ202)。
そして、このエージング処理が追加された条件のもとで、エージングから本処理の25枚目までのウエハ温度を計算し(ステップ203)、この計算結果から、25枚目のウエハ温度と各枚数目のウエハ温度の差を求める(ステップ204)。
この差を基準値と比較し、基準値以上の場合にはステップ202に戻り、再度エージング時間を見直し、エージング時間を延長又は短縮し(ステップ203、204)、この作業を繰り返し、25枚目のウエハ温度との差が基準以下になった時点でエージング条件を決定し(ステップ206)、その後、このロット内温度低減プログラムを終了する(ステップ207)。
ここで、図6は、上記の実施形態において、図5のフローチャートに従って処理したときのウエハ温度を示したもので、この図から、ウエハステージの温度は従来と同じように徐々に上昇していくものの、このとき、1枚目のウエハの処理が開始されるまでのエージング時間が最適化され、ウエハステージ温度が安定化されているので、1枚目のウエハ温度は51.6℃、25枚目のウエハ温度は52.6℃と、ウエハ温度の差が1℃以内に保たれていることが判る。
従って、この実施形態によれば、図5のフローチャートに従って処理することにより、エージング時間を最適化することでウエハ温度をほぼ一定にすることができ、この結果、ウエハの連続処理に際して、再現性のよいエッチング処理を得ることができる。
ところで、この図5のフローチャートでは、エージング時間の最適化による方法だけを用いているが、このとき、エージング条件によっては、バイアス電力、すなわち、入熱量をあまり大きくすることができない場合がある。
そうすると、この場合、セラミック板15が十分に加熱できず、エージングに必要なウエハステージ温度にすることができない虞れがある。そこで、この場合には、図3のフローチャートで説明したHe裏面圧の調整を併用すればよい。
一方、反対に過大な入熱条件のもとで、なおかつエージング時間が長くなっていて、1枚目のウエハで既にウエハステージ温度が上がりすぎてしまう場合もあるが、この場合も図3のフローチャートで説明したHe裏面圧の調整を併用すればよい。
そこで、この実施形態では、図2のメニュー画面100に、選択肢として「エージング+He裏面圧の調整」プログラムが設けてあり、これをユーザが選択した場合、He裏面圧の調整を併用した処理が実行されるようになっている。
更にこの場合、エージング終了から1枚目のウエハを処理までの時間を最適化するようにしてもよく、この場合もロット内でのウエハ温度変動を低減することができる。
また、この場合、図3のフローチャートによる処理とは反対に、1枚目から数枚目までのHe裏面圧をユーザが設定した圧力より高く設定する必要が生じてしまうことも起こり得るが、この場合、He裏面圧P(N)を、次の(2)式により決定してやればよい。
P(N)=P1−(Pu−P1)(1−exp(−(N−1)/τ))…………(2)
次に、ユーザが「ロット内温度変動低減プログラム」を選択した後、図2のメニュー画面100で、今度は「ヒータ条件の最適化」を選択したとする。このとき、図1のウエハステージ2に代えて、図7に示すように、セラミックス板15の中に円板状のヒータ16が埋設されているウエハステージ2を使用する。
このヒータ16には給電用の電極39が設けてあり、これに電源接続用のプラグが嵌合され、外部の電源から電力が供給されるようになっている。なお、図では電極39が1個しか示されていないが、実際には2個備えられていることは言うまでもない。
そこで、この「ヒータ条件の最適化」プログラムでは、このヒータ16を用い、ウエハをロット処理する前に一定時間加熱し、これにより1枚目のウエハから25枚目のウエハまで温度を一定に保てるようにしたものである。
このとき、ヒータ16の発熱量が大きすぎたり、加熱時間が長すぎたりしたのでは、ウエハステージ2の温度が高くなりすぎ、1枚目のウエハから温度が高くなりすぎてしまう虞れがある。
そこで、このヒータ16の電力と時間を最適化する必要があり、このため、この「ヒータ条件の最適化」プログラムが選択されたときは、制御用PCは図8のフローチャートによる処理に移行することになる(ステップ301)。
ここで、この図8のフローチャートによる処理は、基本的には図3と図5のフローチャートによる処理と同じ手順となるが、ここでは、ウエハ温度計算を行う際のパラメータにヒータ電力と、その加熱時間が追加されている(ステップ302)。
そして、この条件のもとで、加熱開始から本処理の25枚目までのウエハ温度を計算し(ステップ303)、この結果から、25枚目のウエハ温度と各枚数目のウエハ温度の差を求め(ステップ304)、この差を基準値と比較する(ステップ305)。
このステップ305で基準値以上となった場合にはステップ302に戻り、再度ヒータ電力、加熱時間を見直し、ヒータ電力の増加又は減少と時間の延長又は短縮を行う(ステップ303、304)。
以後、この作業を繰り返し、25枚目のウエハ温度との差が基準以下になった時点でステップ305からステップ306に移行し、ヒータ条件を決定し、この後、ロット内温度低減プログラムを終了するのである(ステップ307)。
ここで、図9は、図7の実施形態において、図8のプログラムに従って処理し、ヒータ条件を最適化した場合のウエハ温度を示したもので、このときHe裏面圧は1枚目から25枚目まで1kPaで一定である。
この図9によれば、ウエハステージ温度は同じように徐々に上昇していくものの、ここでも1枚目のウエハ温度は52.0℃で、25枚目のウエハ温度は52.6℃と、ウエハ温度の差が1℃以内に保たれていることが判る。
また、この場合は、ヒータ16により積極的に加熱しているので、図6と比較してみれば明らかなように、ウエハステージ温度が所定温度に安定化するまでの時間が短縮されていることが判る。
ここで、図7の実施形態では、セラミック板15内にヒータ16を内蔵させたが、必ずしもこの構成に限らない。例えばヒータ機構をセラミック板に接触するように構成してもよく、外部に設置したランプの輻射熱による加熱であっても良い。いずれの方式が適しているかは場合によって適宜決定されるべきである。
ところで、この図8のフローチャートによる処理では、図5のフローチャートによる処理で説明したエージング条件の最適化処理は考えられていないが、これを併用するようにてもよい。
そこで、この実施形態では、図2のメニュー画面100に、選択肢として「エージング+ヒータ条件の最適化」プログラムが設けてあり、これをユーザが選択した場合、エージング条件の最適化処理を併用した処理が実行されるようになっている。
但し、このことは、エージングによるウエハステージの加熱が不足している場合に限られる。このとき最適なヒータ条件を計算するためには、エージングによるウエハステージの加熱の計算を加味すればよい。
なお、この実施形態では、ユーザの使いやすさを考慮して、ロット内温度変動低減プログラムを起動するか否かが選択できるようにしてあるが、必ずしも必要であるわけではない。直接、図2のメニューによる選択ができるように構成してもよい。
1:ウエハ(半導体ウエハ)
2:ウエハステージ
3:流量制御器
4:ゲートバルブ
5:高周波電源
6:プラズマ
7:コイル
8:高周波電源
9:真空チャンバ
10:ベルジャ
11:エッチングガス
12:バルブ
13:ターボ分子ポンプ
14:冷却ジャケット
15:セラミックス板
16:ヒータ
17:内部電極
19:給電ライン
20:シャフト
21:コイル
22:直流電源
23:熱伝導シート
24:圧力計
25:流量計
27:ファン
32:プッシャピン
34:ドライポンプ
35:ベローズ
36:ボルト
39:ヒータ給電機構
42:ガスボンベ
46:流路
52:熱電対
53:熱電対
54:流量計
55:蛍光温度計
56:サーキュレータ
2:ウエハステージ
3:流量制御器
4:ゲートバルブ
5:高周波電源
6:プラズマ
7:コイル
8:高周波電源
9:真空チャンバ
10:ベルジャ
11:エッチングガス
12:バルブ
13:ターボ分子ポンプ
14:冷却ジャケット
15:セラミックス板
16:ヒータ
17:内部電極
19:給電ライン
20:シャフト
21:コイル
22:直流電源
23:熱伝導シート
24:圧力計
25:流量計
27:ファン
32:プッシャピン
34:ドライポンプ
35:ベローズ
36:ボルト
39:ヒータ給電機構
42:ガスボンベ
46:流路
52:熱電対
53:熱電対
54:流量計
55:蛍光温度計
56:サーキュレータ
Claims (8)
- プラズマを用いて複数枚の半導体ウエハを順次ウエハステージに載置して連続的に加工するウエハ処理装置において、
前記半導体ウエハと前記ウエハステージ間に導入する熱伝導ガスの圧力を処理中のウエハ毎に調節する手段が設けられていることを特徴とするウエハ処理装置。 - 請求項1に記載のウエハ処理装置において、
前記熱伝導ガスの圧力は、このウエハ処理装置自体を制御する制御用コンピュータもしくは該制御用コンピュータに連結したコンピュータによりウエハ毎に演算され設定されることを特徴とするウエハ処理装置。 - 請求項2に記載のウエハ処理装置において、
処理環境を整えるため本処理を行う前に行うプラズマ放電の条件が、前記制御用コンピュータもしくは該制御コンピュータに連結したコンピュータにより演算され決定されることを特徴とするウエハ処理装置。 - プラズマを用いて複数枚の半導体ウエハを順次ウエハステージに載置して連続的に加工するウエハ処理装置において、
前記ウエハステージを加熱するためのヒータ機能を備え、
前記半導体ウエハに連続処理を行う以前に前記ヒータ機能を一定時間動作させることを特徴とするウエハ処理装置。 - 請求項5に記載のウエハ処理装置において、
前記ヒータ機能を動作させる条件が、このウエハ処理装置自体を制御する制御用コンピュータもしくは該制御用コンピュータに連結したコンピュータにより演算され決定されることを特徴とするウエハ処理装置。 - 制御用コンピュータを備え、プラズマを用いて複数枚の半導体ウエハを順次ウエハステージに載置して連続的に加工するウエハ処理装置において、
前記ウエハの裏面に導入する熱伝導ガスの圧力を調整する処理と前記ウエハに対する連続処理を実施する前に行うプラズマ放電条件を最適化する処理、それに前記ウエハステージを加熱するヒータ機能を最適化する処理の少なくとも1種の処理を選択し、該選択された処理項目についての処理条件か、前記制御用コンピュータもしくは該制御用コンピュータに連結したコンピュータの何れかで演算され決定されることを特徴とするウエハ処理装置。 - 制御用コンピュータを備え、プラズマを用いて複数枚の半導体ウエハを順次ウエハステージに載置して連続的に加工するウエハ処理装置において、
前記制御用コンピュータもしくは該制御用コンピュータに接続したコンピュータを用いて前記半導体ウエハの温度変動を演算して求め、該演算した結果を前記制御用コンピュータもしくは前記制御用コンピュータに接続したコンピュータに表示することを特徴とするウエハ処理装置。 - 制御用コンピュータを備え、プラズマを用いて複数枚の半導体ウエハを順次ウエハステージに載置して連続的に加工するウエハ処理装置において、
前記制御用コンピュータもしくは該制御用コンピュータに接続したコンピュータを用いて前記半導体ウエハの温度変動を演算して求め、該結果を前記制御用コンピュータもしくは前記制御用コンピュータに接続したコンピュータに表示し、
該表示結果にもとづきユーザが前記半導体ウエハとステージ間に導入する伝熱ガスの圧力と、前記連続処理の以前に実施するエージングの条件、それに前記ステージを加熱するためのヒータ機能の動作条件のうちのいずれを調節するかの判断が得られるようにしたことを特徴とするウエハ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003314151A JP2005085879A (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003314151A JP2005085879A (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005085879A true JP2005085879A (ja) | 2005-03-31 |
Family
ID=34414854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003314151A Pending JP2005085879A (ja) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005085879A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015011829A1 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-03-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN113161263A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-07-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于半导体工艺设备的暖机方法及半导体工艺设备 |
-
2003
- 2003-09-05 JP JP2003314151A patent/JP2005085879A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015011829A1 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-03-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN113161263A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-07-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于半导体工艺设备的暖机方法及半导体工艺设备 |
CN113161263B (zh) * | 2021-03-04 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于半导体工艺设备的暖机方法及半导体工艺设备 |
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