JP2005072063A - Wiring board and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属コア基板を内設する配線基板およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から配線基板の強度を高めるため、厚みが約100μm〜数100μmの金属コア基板を用い、かかる金属コア基板の表面上方および裏面上方に複数の絶縁層とこれらの間に位置する配線層とをそれぞれ対称に積層した多層構造の配線基板が使用されている。かかる配線基板は、上記厚みで且つ多数個取り用の金属板にスルーホール導体用の貫通孔を穿孔した後、かかる金属板の表面上方および裏面上方に、絶縁層と配線層とを交互に積層するビルドアップ工程を行うことにより製造されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−101245号公報 (第4〜7頁、図5)
【0004】
ところで、金属コア基板は、薄肉であるほど配線基板全体の厚みを薄くできるが、上述した金属板およびこれを分割した金属コア基板を剛性のある芯材として用いると、その厚みを100μm未満の薄肉とするには自ずと限界があった。
このため、金属コア基板の表面上方および裏面上方の配線層同士間を導通するスルーホール導体を形成するべく、大きな内径のスルーホールの穿孔、銅メッキによるスルーホール導体の形成、穴埋め樹脂の充填、および蓋メッキの形成などの煩雑な工程を要すると共に、上記導体や配線層の精密な配置(ファインピッチ)が困難であった。しかも、複数の金属コア基板を有する金属板を薄肉化すると、製造工程内や製造工程間のハンドリングにも支障を来す、という問題もあった。
【0005】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、比較的薄肉の金属コア基板および高密度な配線層などを含む配線基板、およびこれを精度並びに効率良く得るための配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明は、上記課題を解決するため、金属コア基板を絶縁層や配線層と同様に積層すべき1単位と着想する、ことにより成されたものである。
即ち、本発明の第1の配線基板(請求項1)は、表面および裏面を有する金属コア基板と、かかる金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層およびその間に位置する配線層と、上記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する第1貫通孔と、かかる第1貫通孔を貫通し且つ上記金属コア基板の表面または裏面に形成した導体層とかかる導体層のない表面または裏面の上方の上記配線層の何れか一方との間を接続する第1ビア導体と、を含む、ことを特徴とする。
【0007】
これによれば、金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した配線層同士の間を、上記第1貫通孔の内壁に接しつつ貫通する第1ビア導体およびこれに接続した導体層により接続するため、当該金属コア基板を薄肉化できる。また、金属コア基板を薄肉化できるため、その表面上方および裏面上方に配線層をそれぞれ高密度に形成することもできる。しかも、従来のように、金属コア基板の表面と裏面との間を絶縁材を介して貫通するスルーホール導体を用いないため、後述する製造方法も容易となる。
付言すれば、上記配線基板は、前記金属コア基板の厚みが50μm以下である、とすることも可能である。望ましい厚みは、35μmまたはこれ以下である。
【0008】
尚、金属コア基板は、上記厚みの銅箔、ステンレス鋼(例えばSUS304)箔や、Fe−42wt%Ni(所謂42アロイ)またはFe−36wt%Ni(インバ−)などの箔を含む薄板が用いられる。また、前記ビア導体は、円錐形状の導体であるコンフォーマルビア導体の他、フィルドビア導体も含まれ、後者の場合は、金属コア基板の貫通孔内を貫通するフィルドビア導体の真上や真下に別のフィルドビア導体を接続しても良い。
【0009】
付言すれば、本発明の配線基板は、表面および裏面を有する金属コア基板と、上記金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層およびその間に位置する配線層と、上記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する前記第1貫通孔と、かかる第1貫通孔を貫通し且つ上記金属コア基板の表面または裏面に形成した導体層とかかる導体層のない表面または裏面の上方の配線層の何れか一方との間を接続する前記第1ビア導体と、金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する第2貫通孔内を絶縁材を介して貫通し且つ上記表面上方の配線層と裏面上方の配線層との間を接続する第2ビア導体と、を含む、とすることも可能である。
【0010】
また、本発明には、前記第1ビア導体は、前記金属コア基板および導体層に形成した環状孔に囲まれた環状部の内側に位置する前記第1貫通孔を貫通している、配線基板(請求項2)も含まれる。これによれば、金属コア基板のうち上記環状孔に囲まれ且つ内側に第1貫通孔を有する環状部に位置する導体層は、第1ビア導体と一体のビアランドとなり、金属コア基板の表面上方の配線層と裏面上方の配線層とを短い導通経路で接続することができる。尚、上記第1ビア導体には、内部まで導体で埋まっているフィルドビア導体が好適である。
【0011】
付言すれば、本発明の配線基板は、表面および裏面を有する金属コア基板と、上記金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層およびその間に位置する配線層と、上記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する前記第1貫通孔と、かかる第1貫通孔を貫通し且つ上記金属コア基板の表面または裏面に形成した導体層とかかる導体層のない表面または裏面の上方の配線層の何れか一方との間を接続する前記第1ビア導体と、を備え、第1ビア導体の一部は、金属コア基板および導体層を貫通する環状孔に囲まれた環状部の内側に位置する第1貫通孔を貫通している、とすることも可能である。
また付言すれば、本発明の配線基板は、前記金属コア基板は、平面視で矩形を呈すると共に、その各側面は前記絶縁層の何れかと一体の側面絶縁材により被覆されている、とすることもできる。
これによる場合、金属コア基板の4つの側面は、上記絶縁層の何れかと一体で且つ当該金属コア基板の各側面とほぼ平行な側面絶縁材によって被覆されている。このため、従来のような金属コア基板の側面からタイバーが突出しないので、これによる外部や基板内部との不用意な導通を防止できると共に、配線基板の周辺部においても緻密な配線層を配置することが可能となる。
【0012】
一方、本発明の配線基板の製造方法(請求項3)は、支持基板の平坦面上に複数の絶縁層およびその間に位置する配線層を形成する工程と、前記のうち最外層の絶縁層の上方に金属コア基板を積層する工程と、上記金属コア基板を貫通する第1貫通孔を形成する工程と、前記第1貫通孔の下方に位置する上記絶縁層に上記配線層に達する第1ビアホールを形成する工程と、上記第1貫通孔および第1ビアホール内に第1ビア導体を形成し且つ上記金属コア基板の上面に第1ビア導体と接続する導体層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【0013】
これによれば、金属コア基板は、剛性を有する支持基板の平坦面(平坦な表面)上に予め形成された絶縁層の上方に積層されるため、前述した薄肉の銅箔などとすることができる。また、薄肉の金属コア基板を貫通する第1貫通孔も精度良く容易に形成できると共に、その上面に形成する導体層と接続する第1ビア導体を上記貫通孔内に確実に形成できる。しかも、剛性を有する支持基板の平坦面の上方に絶縁層や配線層などを順次積層するため、ハンドリング性も向上する。
【0014】
尚、上記「最外層の絶縁層」とは、支持基板から相対的に離れている絶縁層を指す。また、支持基板には、剛性を有する厚みが約1mmの銅板、銅合金板、鋼板、ステンレス鋼板、アルミニウム合金板、あるいはチタン合金板などが用いられ、且つ平坦な表面である平坦面を有するものである。かかる平坦面は、製品単位である前記金属コア基板を平面方向に沿って複数個載置できる多数個取り用の広さを有しても良く、かかる平坦面を有する大きな支持基板(パネル)としても良い。更に、支持基板の平坦面上に、積層する順序は、前記配線基板の第1主面側のソルダーレジスト層(絶縁層)、配線層、絶縁層、および金属コア基板などの順の他、前記配線基板の第2主面側のソルダーレジスト層(絶縁層)、配線層、絶縁層、および金属コア基板などの順としても良い。即ち、前記「新たな絶縁層」や後述する「新たな配線層」および「別の絶縁層」は、製造工程における支持基板の平坦面上に積層する順序における相対的な呼称である。
【0015】
また、本発明には、前記各工程の後に、前記金属コア基板および導体層を貫通する第2貫通孔を形成する工程と、上記金属コア基板の上面に新たな絶縁層を形成する工程と、かかる新たな絶縁層および上記第2貫通孔内の絶縁材を貫通し且つ前記配線層に達する第2ビアホールを形成する工程と、かかる第2ビアホール内に第2ビア導体を形成し且つ上記新たな絶縁層の上方に第2ビア導体と接続する新たな配線層を形成する工程と、を有する、配線基板の製造方法(請求項4)も含まれる。これによれば、第1ビア導体および第2ビア導体を介して、金属コア基板を挟んでその表面上方および裏面上方に複数の配線層およびその間に形成した配線層を精度良く高密度で形成できる。
【0016】
更に、本発明には、前記各工程の後に、前記金属コア基板および前記導体層を貫通しており、内側に前記第1貫通孔および第1ビア導体を有し且つ平面視がリング形状または矩形状などの環状孔を形成する工程と、上記金属コア基板の上面に環状孔内を含めて新たな絶縁層を形成する工程と、を有する、配線基板の製造方法(請求項5)も含まれる。これによれば、金属コア基板のうち環状孔に囲まれた環状部の上方に位置し且つ第1ビア導体の上方に隣接する導体層は、その上方に形成される新たな配線層と接続するための新たなビア導体の下端に接するビアランドとなる。このため、金属コア基板を介することなく、当該金属コア基板の表面および裏面上方の配線層を別途に短い経路で導通することができる。
付言すれば、上記各工程の後に、前記支持基板を除去する工程と、を更に有する、配線基板の製造方法とすることもできる。これによる場合、金属コア基板を含む多層構造の配線基板とした後で、支持基板を除去することが可能となる。
尚、上記支持基板の除去方法は、銅製の支持基板である場合、例えば塩化第2銅溶液によりエッチングする方法が採られる。
【0017】
更に付言すれば、本発明の配線基板の製造方法は、前記金属コア基板には、製品単位(金属コア基板)を複数有する多数個取りの金属薄板が用いられ、前記第2貫通孔を形成する工程と同時に、前記導体層および上記金属薄板を穿孔することにより、かかる金属薄板を複数の金属コア基板に分離する平面視が矩形の区画溝を形成する工程を有する、とすることもできる。
これによる場合、金属薄板は、上記区画孔(溝)に囲まれた製品単位である複数の金属コア基板ごとに分割されると共に、前記支持基板を除去した後で、区画孔の幅方向の中間に沿ってダイシング加工などにより切断することにより、金属コア基板の側面が側面絶縁材で覆われている前記配線基板を確実に得ることが可能となる。尚、上記金属薄板には、銅や銅合金などからなる金属箔が含まれる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図1は、本発明の1形態である配線基板1の模式的断面を示す。
配線基板1は、図1に示すように、表面3および裏面4を有する金属コア基板2と、この金属コア基板2の表面3上方および裏面4上方(図示で下方)にそれぞれ形成した複数の絶縁層8,16,22,9,15,23およびその間に位置する配線層14,20,13,21と、上記金属コア基板2の表面3と裏面4との間を貫通する第1貫通孔2aと、かかる第1貫通孔2aをその内壁と接触しつつ貫通し且つ上記裏面4上方の導体層5と表面3上方の配線層14との間を接続する第1ビア導体(コンフォーマルビア導体)6と、を含んでいる。
金属コア基板2は、平面視が正方形(矩形)で厚みが35μmの銅箔または銅合金(例えばCu−2.3wt%Fe−0.03wt%P:所謂194アロイ)の箔からなる。金属コア基板2には、表面3と裏面4との間を貫通する内径約200μmの第1貫通孔2aと、導体層5と共に貫通する内径約250μmの第2貫通孔2bとが所定の位置に複数貫通している。
【0019】
図1に示すように、金属コア基板2の表面3上方には、厚みが約40μmでエポキシ系樹脂からなる絶縁層8,16および厚みが約20μmで同様の樹脂からなるソルダーレジスト層(絶縁層)22と、これらの間に位置し所定のパターンを有する厚みが約15μmの配線層14,20が積層されている。この配線層14,20間は、ビア導体(コンフォーマルビア導体)18により接続される。
尚、絶縁層8などは、例えばシリカフィラなどの無機フィラを含み、上記配線層14などは、銅メッキ膜や銅箔からなる。また、絶縁層8,16および配線層14,20は、一方のビルドアップ層を形成している。
【0020】
一方、図1に示すように、金属コア基板2の裏面4には、その全面に厚みが約15μmの導体層5が形成される。また、金属コア基板2の裏面4および導体層5の上方(図示で下方)には、厚み約40μmでエポキシ系樹脂からなる上記同様の絶縁層9,15および厚み約20μmで同様の樹脂からなるソルダーレジスト層(絶縁層)23と、これらの間に位置し所定のパターンを有する厚み約15μmの配線層13,21が積層される。上記導体層5と配線層13との間は、ビア導体(コンフォーマルビア)17により接続され、配線層13,21間は、ビア導体(コンフォーマルビア)19により接続されている。尚、絶縁層9,15および配線層13,21は、他方のビルドアップ層を形成している。
【0021】
図1(A)に示すように、金属コア基板2の第1貫通孔2aには、その内壁に接する第1ビア導体(コンフォーマルビア)6が形成され、かかる第1ビア導体6の下端に導体層5が接続されている。第1ビア導体6は、導体層5と配線層14との間を接続し、且つ図示でその内側の凹んだ部分には、絶縁層15と一体の絶縁材7が充填されている。
また、図1に示すように、金属コア基板2の各側面は、当該側面と平行で且つ一定の厚み(約35μm:金属コア基板2の厚み分)の側面絶縁材2cに被覆され、かかる側面絶縁材2cは、絶縁層8,9の何れかの一方と一体である。
図1の左右に示すように、金属コア基板2の第2貫通孔2bには、絶縁材12を介して配線層14,13間を接続する第2ビア導体(コンフォーマルビア)10が形成され、且つ図示でその内側の凹んだ部分には、絶縁層15と一体の絶縁材11が充填されている。尚、第2貫通孔2b内に充填された絶縁材12は、絶縁層8,9の何れかの一方と一体である。
【0022】
更に、図1に示すように、配線層20における所定の表面には、ソルダーレジスト層22を貫通する複数の開口部26が形成され、それらの底面にランド28が個別に露出する。かかるランド28の表面上に、半球形状のハンダバンプ30が第1主面24よりも高く突出して形成される。かかるハンダバンプ30は、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Cu系、Sn−Zn系、Pb−Sn系など(本実施形態ではSn−Ag系)の低融点合金からなり、第1主面24上に実装されるICチップ(電子部品)31の接続端子と個別に接続される。
尚、ハンダバンプ30とICチップ31の接続端子とは、図示しないアンダーフィル材に覆われ且つ保護される。
【0023】
一方、図1に示すように、配線層21から延びた配線29は、最下層のソルダーレジスト層(絶縁層)23に設けた開口部27の底面に位置し且つ第2主面25側に露出している。かかる配線29は、その表面にNiメッキおよびAuメッキが薄く被覆され、当該配線基板1自体を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として活用される。尚、配線29の表面には、ハンダボールや銅系合金あるいは鉄系合金の導体ピンなどを接合しても良い。
【0024】
以上のような配線基板1によれば、金属コア基板2が薄肉であるため、かかる金属コア基板2の表面3上方および裏面4上方に配線層14,13などを高密度にそれぞれ形成できる。また、第1ビア導体6、導体層5、およびビア導体17を介して、配線層14,13および金属コア基板2間が互いに接続されるため、配線構造を緻密化および高性能化することができる。更に、第2ビア導体10を介して、配線層14,13間を直に接続できる。加えて、金属コア基板2の各側面が側面絶縁材2cで被覆され且つ従来のようなタイバーが突出しないため、外部や基板内部との不要な導通を防止でき、配線基板1の周辺部にも緻密な配線層を配置することが可能となる。尚、配線基板1の金属コア基板2は、信号電極として活用するほか、電源電極または接地電極としても活用することができる。
【0025】
ここで、前記配線基板1の製造方法を図2〜図5によって説明する。尚、図2,4,5は、前記図1における配線基板1の左側部分に基づいて図示する。
図2(A)に示すように、予め厚みが約1mmの銅板からなり且つ剛性を有するる支持基板32を用意し、その平坦な表面である平坦面33の表面上方に、厚みが約20μmのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着することで、絶縁層(ソルダーレジスト層)22を形成する。尚、この製造方法では、前記配線基板1の第1主面24側の部分から順次積層を行う。また、支持基板32は、複数の配線基板1を製造可能な多数個取り用の金属パネルである。
【0026】
次に、絶縁層22の表面上方に図示しない厚さ約15μmの銅箔を貼り付け、その上に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記銅箔をエッチングした後、かかるエッチングレジストを剥離する(公知のサブトラクティブ法)を施す。その結果、図2(A)に示すように、絶縁層22の表面上方に上記パターンに倣った配線層20が形成される。
次いで、絶縁層22および配線層20の表面上方に厚みが約40μmのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層16を形成する。かかる絶縁層16の所定の位置にレーザ(例えば炭酸ガスレーザ)を照射して配線層20の表面が露出するビアホールを形成し、かかるビアホール内を含む絶縁層16の表面上方に粗面化処理、無電解銅メッキ、および電解銅メッキを全面に施す。得られた銅メッキ膜の上面に形成したドライフィルム(図示せず)を露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記銅メッキ膜をエッチングした後、上記エッチングレジストを剥離する。
【0027】
その結果、図2(A)に示すように、絶縁層16の表面上方に上記パターンに倣った配線層14が形成され、且つ上記ビアホール内には、配線層20,14間を接続するビア導体18が形成される。
更に、図2(B)に示すように、支持基板32から離れた最外層の絶縁層16および配線層14の表面上方に厚みが約40μmのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層8を形成すると共に、かかる絶縁層8の表面上方に厚みが約35μmの金属コア基板2(金属薄板2e)を積層して圧着する。
この段階では、図3(A)に示すように、前記支持基板32の上方は、製品単位である複数の金属コア基板2を含む金属薄板2eに覆われている。尚、上記絶縁層22,16,8は、本発明の製造方法における「複数の絶縁層」に相当する。
【0028】
次に、金属コア基板2(金属薄板2e)の上面に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記金属薄板2eをエッチングした後、上記エッチングレジストを剥離する。
その結果、図2(C)に示すように、金属コア基板2の所定の位置に表面3と裏面4との間を貫通する内径が約200μmの第1貫通孔2aが穿孔される。
第1貫通孔2aの底面に露出する絶縁層8にレーザ(例えば炭酸ガスレーザ)を照射する。その結果、図2(C)に示すように、絶縁層8を貫通して配線層14の表面に達するほぼ円錐形の第1ビアホール8aが穿設される。かかる第1ビアホール8aの最大内径は、約100μmである。
【0029】
次いで、第1ビアホール8aの内壁を粗化処理し、且つ第1ビアホール8a内と第1貫通孔2aとに無電解銅メッキを施した後、金属コア基板2の裏面4を含めて電解銅メッキを施す。その結果、図2(D)に示すように、第1ビアホール8aおよび第1貫通孔2a内には、これらに倣ったほぼ円錐形の第1ビア導体6が形成され、且つ金属コア基板2の裏面4の全面に第1ビア導体6と接続する導体層5が形成される。
更に、導体層5の上面上方に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記導体層5および金属コア基板2をエッチングした後、上記エッチングレジストを剥離する。その結果、図2(E)に示すように、金属コア基板2および導体層5の所定の位置に第2貫通孔2bが穿孔される。同時に、図2(E)および図3(B)に示すように、導体層5を含む金属薄板2eには、複数の金属コア基板2の境界に沿って平面視が正方形(矩形)の区画孔(溝)2dが形成される。尚、図3(B)中の符号2fは耳部を示す。
【0030】
次に、図4(A)に示すように、金属コア基板2(金属薄板2b)の上面(裏面4)上方に、厚みが約40μmのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層9を形成すると共に、かかる絶縁層9の一部を第1ビア導体6の凹部に充填し且つ第2貫通孔2b内に充填して絶縁材12を形成する。同時に、絶縁層9の一部を上記区画孔2d内に充填して側面絶縁材2cを形成する。本形態では、側面絶縁材2cは、絶縁層9と一体である。尚、上記絶縁層9は、本発明の製造方法における「新たな絶縁層」に相当する。
更に、絶縁層9および絶縁材12の中心付近にレーザ(例えば炭酸ガスレーザ)を照射する。その結果、図4(B)に示すように、絶縁層9と絶縁材12の中心部付近を貫通し且つ配線層14の表面に達するほぼ円錐形の第2ビアホール10aが形成される。第2ビアホール10aの最大内径は、約100μmである。
同時に、絶縁層9の所定の位置にレーザを照射して導体層5に達するほぼ円錐形のビアホール17aを形成する。
【0031】
次に、絶縁層9の表面、第2ビアホール10a、およびビアホール17aの内壁を粗化処理し且つ無電解銅メッキによる銅メッキ膜を形成し、絶縁層9の表面上方に所定パターンのドライフィルムを形成した後、かかるドライフィルム間に銅メッキを施す。更に、当該フイルムを剥離した後、クイックエッチングを施す(公知のセミアディティブ法)。
その結果、図4(C)に示すように、第2ビアホール10a内には、これに倣った第2ビア導体10が形成され、且つビアホール17a内には、ビア導体17が形成される。同時に、絶縁層9の表面上方に第2ビア導体10やビア導体17と接続し且つ所定パターンを有する配線層13が形成される。尚、配線層13は、本発明の製造方法における「新たな配線層」に相当する。
次いで、図4(D)に示すように、絶縁層9および配線層13の表面上方に、厚みが約40μmのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着して絶縁層15を形成し、この絶縁層15の一部を第2ビア導体10の内側に充填して絶縁材11とする。尚、絶縁層15は、本発明の製造方法で「別の絶縁層」に相当する。
【0032】
更に、絶縁層15の所定の位置をレーザ加工してビアホールを形成し、且つこのビアホール内および絶縁層15の表面上方に前記同様のセミアデティブ法を施す。この結果、図4(D)に示すように、絶縁層15の表面上方に所定パターンの配線層21が形成され、且つ上記ビアホール内には配線層13,21間を接続するビア導体19が形成される。
次に、図4(D)に示すように、絶縁層15および配線層21の表面上方に、厚みが約20μmのエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ熱圧着してソルダーレジスト層(絶縁層)23を形成し、その表面(第2主面)25から配線層21に達する開口部27をレーザ加工などで形成する。かかる開口部27の底面に露出する配線29の表面にNiメッキおよびAuメッキを施す。
【0033】
この段階で、支持基板32を塩化第2銅溶液のシャワー噴射によりエッチングして除去した後、図4(D)中の破線Sで示すように、区画孔2dの幅方向の中間に沿って、金属コア基板2ごとにダイシングブレードにより切断する。
この結果、図5(A)に示すように、金属コア基板2ごとの複数(本実施形態では4個)の製品単位が得られる共に、複数の金属コア基板2の各側面は、それらと平行で且つ一定の厚みである側面絶縁材2cによって覆われている。
次いで、図5(B)に示すように、最下層のソルダーレジスト層(絶縁層)22の表面(第1主面)24の所定の位置をレーザ加工などして、配線層20に達する開口部26を穿設し、配線層20の表面が露出するランド28を複数形成する。
【0034】
そして、図5(C)に示すように、ランド28ごとにハンダバンプ30を第1主面24よりも高く突出して個別に形成する。これにより、前記配線基板1を複数個製造することができる。
以上のような配線基板1の製造方法によれば、薄肉の金属コア基板2に第1・第2貫通孔2a,2bを精度良く容易に形成できると共に、第1貫通孔2a内に第1ビア導体6を、第2貫通孔2b内に絶縁材12を介して第2ビア導体10をそれぞれ容易に形成できる。しかも、金属コア基板2の表面3および裏面4の上方に形成する絶縁層8,9などや配線層13,14などを高密度で且つ精度良く配置することができ、且つ側面絶縁材2cも併せて形成できる。
尚、配線基板1の製造方法は、支持基板32の平坦面33の上方に、第2主面25側の絶縁層23,配線層21,絶縁層15,配線層13,絶縁層9、および金属コア基板2などの順序にして、前述した方法と逆向きに積層しても良い。
【0035】
図6(A)は、異なる形態の配線基板1aの断面を模式的に示す。尚、以下において、前記形態と共通する部分や要素には、前記形態と共通する符号を用いる。
配線基板1aは、図6(A)に示すように、表面3および裏面4を有する前記同様の金属コア基板2と、かかる金属コア基板2の表面3上方および裏面4上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層8,16,22,9,15,23およびその間に位置する配線層14,20,13,21と、上記金属コア基板2の表面3と裏面4との間を貫通する第1貫通孔2aおよび環状孔35と、を含んでいる。
第1貫通孔2aには、その内壁と接しつつ貫通し且つ表面3上方の配線層14と金属コア基板2の裏面4の全面に形成した導体層5との間を接続する第1ビア導体(フィルドビア導体)34が位置する。また、環状孔35内には、絶縁材12を介して配線層14,13間を接続する第1ビア導体(フィルドビア導体)38および環状部36が位置する。
【0036】
図6(A)に示すように、金属コア基板2の表面3上方には、前記同様の絶縁層8,16およびソルダーレジスト層(絶縁層)22と、これらの間に位置し所定のパターンを有する前記同様の配線層14,20が積層され、かかる配線層12,21間は、前記同様のビア導体18により接続されている。
また、図6(A)に示すように、金属コア基板2の裏面4の全面には、導体層5が形成され、かかる導体層5と配線層13との間は、前記同様のビア導体17が接続する。更に、金属コア基板2の裏面4および導体層5の上方(図示で下方)にも、前記同様の絶縁層9,15およびソルダーレジスト層(絶縁層)23と、これらの間に位置する前記同様の配線層13,21とが積層され、配線層13,21間は、前記同様のビア導体19により接続されている。
【0037】
図6(A)に示すように、金属コア基板2の中程の第1貫通孔2aには、配線層14と導体層5との間を接続する第1ビア導体34が位置する。
また、図6(A)〜(C)に示すように、金属コア基板2の左右に位置するリング状の環状孔35には、相似形の絶縁材12を介して、中心部に第1貫通孔2aを有するリング状の環状部36が位置する。
かかる環状部36は、後述するように金属コア基板2から分離したもので、内側の第1貫通孔2aに第1ビア導体(フィルドビア導体)38が接触しつつ貫通し、且つかかる環状部36の裏面の全体に第1ビア導体38の下端と一体のビアランド39が形成されている。
【0038】
第1ビア導体38の上端は、配線層14に接続される共に、第1ビア導体38の下端に位置するビアランド39には、ビア導体17が接続される。従って、配線層14,13は、ビア導体38,17を介して導通可能とされている。
更に、図6(A)に示すように、金属コア基板2の各側面は、当該側面と平行で且つ一定の厚み(約35μm:金属コア基板2の厚み分)の側面絶縁材2cに被覆され、かかる側面絶縁材2cも絶縁層8,9の何れかの一方と一体である。
また、図6(A)に示すように、配線層20における所定の表面には、前記同様のランド28が形成され、かかるランド28の表面上に半球形状のハンダバンプ30が第1主面24よりも高く突設されている。かかるハンダバンプ30は、Sn−Ag系などの低融点合金からなり、第1主面24上に実装される図示しないICチップなど(電子部品)の接続端子と個別に接続される。
【0039】
一方、図6(A)に示すように、配線層21から延びた配線29は、最下層のソルダーレジスト層(絶縁層)23の開口部27の底面に位置し且つ第2主面25側に露出する。かかる配線29の表面には、NiメッキおよびAuメッキが薄く被覆され、当該配線基板1a自体を搭載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として活用される。尚、配線29の表面には、ハンダボールや銅系合金あるいは鉄系合金の導体ピンなどを接合しても良い。
以上のような配線基板1aによれば、前記配線基板1と同様に、金属コア基板2の表面3上方および裏面4上方に配線層14,13などが高密度にそれぞれ配置されると共に、金属コア基板2の各側面が側面絶縁材2cで被覆されているため、外部や基板内部との不要な導通を防止でき、配線基板1aの周辺部にても緻密な配線層を配置することが可能となる。しかも、第1ビア導体38は、環状部36の貫通孔2aを貫通し且つ当該ビア導体38と一体のビアランド39に垂直方向に同心のビア導体17と接続されるため、電気的導通が安定して得られる。
【0040】
ここで、配線基板1aの製造方法を図7,8によって説明する。尚、図7,8では、前記図6(A)における配線基板1aの左側部分に基づいて図示する。
図7(A)に示すように、前記同様の銅板からなる支持基板32の平坦面33の表面上方に、前記同様の絶縁層(ソルダーレジスト層)22を形成する。尚、本製造方法も、前記配線基板1aの第1主面24側から順次積層を行う。
次に、絶縁層22の表面上方に前記同様に銅箔を貼り付け、前記同様のサブトラクティブ法を施して、図7(A)に示すように、配線層20を形成する。
【0041】
次いで、絶縁層22および配線層20の表面上方に前記同様のエポキシ系樹脂フィルムを積層し且つ圧着して絶縁層16を形成する。かかる絶縁層16の所定の位置に配線層22の表面が露出するビアホールを形成し、かかるビアホール内を含む絶縁層16の表面上方に無電解銅メッキや電解銅メッキなどを全面に施す。得られた銅メッキ膜の上面に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記銅メッキ膜をエッチングした後、エッチングレジストを剥離する。その結果、図7(A)に示すように、絶縁層16の表面上方に上記パターンに倣った配線層14が形成され、且つ上記ビアホール内には、配線層20,14間を接続するビア導体18が形成される。
【0042】
更に、図7(B)に示すように、最外層の絶縁層16と配線層14との表面上方に前記同様のエポキシ系樹脂フィルムを積層・圧着して絶縁層8を形成すると共に、その表面上方に厚みが約35μmの金属薄板2e(金属コア基板2)を積層・圧着する。この段階では、前記図3(A)に示すように、前記支持基板32の上方は、製品単位である複数の金属コア基板2を含む金属薄板2eに覆われている。
次いで、金属コア基板2(金属薄板2e)の上面(裏面4)上方に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記金属薄板2eをエッチングした後、上記エッチングレジストを剥離する。この結果、図7(C)に示すように、金属コア基板2の所定の位置に内径が約200μmの第1貫通孔2aが穿孔される。第1貫通孔2aの底面に露出する絶縁層8に前記同様のレーザ加工を施して、配線層14の表面が露出する第1ビアホール8aを穿設する。
【0043】
次いで、複数の第1ビアホール8aの内壁を粗化処理し、且つかかる第1ビアホール8a内および第1貫通孔2aに無電解銅メッキを施した後、金属コア基板2の裏面4を含めて電解銅メッキを施す。
その結果、図7(D)に示すように、第1ビアホール8a内および貫通孔2a内には、これらに倣ったほぼ円錐形で内部も銅で埋まった第1ビア導体(フィルドビア導体)34,38が形成され、且つ金属コア基板2の裏面4の全面に第1ビア導体34,38と接続する導体層5が形成される。
更に、導体層5の上面上方に形成したドライフィルムを露光・現像して所定パターンのエッチングレジストを形成し、上記導体層5をエッチングした後、前記エッチングレジストを剥離する。
【0044】
その結果、図7(E)に示すように、金属コア基板2および導体層5の所定の位置にリング状の環状孔35が穿孔され、中心部に貫通孔2aおよび第1ビア導体38を有する環状部36が、金属コア基板2から分離して形成される。
同時に、図7(E)および前記図3(B)に示すように、複数の金属コア基板2の境界に沿って平面視が正方形(矩形)の区画孔(溝)2dが形成される。
次に、図8(A)に示すように、金属コア基板2(金属薄板2e)の上面(裏面4)上方に、前記同様の樹脂フィルムを積層して絶縁層9を形成すると共に、この絶縁層9の一部を環状孔35内に充填して絶縁材12を形成する。同時に、絶縁層9の一部を上記区画孔2d内に充填して側面絶縁材2cを形成する。
更に、絶縁層9の所定の位置にレーザ(例えば炭酸ガスレーザ)を照射する。その結果、図8(B)に示すように、底面に導体層5が露出するほぼ円錐形のビアホール17a、および、絶縁層9を貫通し且つ第1ビア導体38上端のビアランド39に達するビアホール17bがそれぞれ形成される。
【0045】
次に、絶縁層9の表面およびビアホール17a,17bの内壁を粗化処理し且つ無電解銅メッキを施し、絶縁層9の表面上方に所定パターンのドライフィルムを形成した後、かかるフィルム間に銅メッキを施す。そして、上記フイルムを剥離した後、クイックエッチングを施す(公知のセミアディティブ法)。
その結果、図8(C)に示すように、ビアホール17a,17b内には、これに倣ったビア導体17が個別に形成され、且つ絶縁層9の表面上方にビア導体17と接続する配線層13が形成される。尚、図8(C)で右側のビア導体17と第1ビア導体38とは、互いに同心である。
次いで、図8(D)に示すように、絶縁層9および配線層13の表面上方に、前記同様の樹脂フィルムを積層・圧着して絶縁層15を形成する。
【0046】
更に、絶縁層15の所定の位置にレーザ加工などしてビアホールを形成し、且つかかるビアホール内および絶縁層15の表面上方に前記同様のセミアデティブ法を施す。この結果、図8(D)に示すように、絶縁層15の表面上方に前記同様の配線層21が形成され、且つ上記ビアホール内に配線層13,21間を接続するビア導体19が形成される。
次いで、図8(E)に示すように、絶縁層15および配線層21の表面上方に、前記同様の樹脂フィルムを積層・圧着してソルダーレジスト層(絶縁層)23を形成し、その表面(第2主面)25から配線層21に達する開口部27を前記同様に形成する。この開口部27の底面に露出する配線29の表面にNiメッキおよびAuメッキを施す。
【0047】
かかる段階で、支持基板32を前記同様にして除去すると共に、区画孔(溝)2dの幅方向の中間に沿って金属コア基板2ごとにダイシングブレードなどにより切断して分離する。その結果、図8(E)に示すように、金属コア基板2ごとの複数の製品単位(1a)が得られ、複数の金属コア基板2の各側面は、残った側面絶縁材2cによって覆われている。
そして、図8(E)に示すように、ソルダーレジスト層(絶縁層)22の表面(第1主面)24の所定位置を前記同様に穿設して、配線層20の表面が露出するランド28を複数形成する。かかるランド28にハンダバンプ30を第1主面24よりも高く突出して形成すると、複数の前記配線基板1aが得られる。
【0048】
以上のような配線基板1aの製造方法によれば、薄肉の金属コア基板2に第1貫通孔2aや環状孔35を精度良く容易に形成でき、第1貫通孔2a内に第1ビア導体(フィルドビア)34,38を容易に形成できる。また、金属コア基板2の表面3および裏面4の上方に形成する絶縁層8,9などや配線層14,13などを高密度で精度良く配置することができ、且つ側面絶縁材2cも容易に形成できる。しかも、第1ビア導体38の端部をビアランド39にすることもできる。
尚、配線基板1aの製造方法も、支持基板32の平坦面33の上方に、第2主面側の絶縁層23,15,9、配線層21,13、および金属コア基板2などの順序にして、前述した方法と逆向きに行っても良い。
【0049】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、金属コア基板や金属薄板は、平面視で長方形を呈する形態としても良い。例えば、前記金属薄板2eに形成する複数の金属コア基板2は、縦×横方向の数が互いに異なる形態でも良い。
また、金属コア基板2および金属薄板2eの素材には、前記銅やFe−Ni系合金に限らず、純銅、無酸素銅、銅合金、各種の鋼材、チタンおよびその合金、または、アルミニウムおよびその合金などを適用することも可能である。
【0050】
更に、前記絶縁層8,9などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、BT樹脂、PPE樹脂、あるいは、連続気孔を有するPTFEなど3次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Eガラス、Dガラス、Qガラス、Sガラスの何れか、またはこれらのうちの2種類以上を併用したものとしても良い。
【0051】
また、前記配線層14などや第1ビア導体6などの材質は、銅(Cu)メッキの他、Ag、Ni、Ni−Au系などにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
更に、配線基板1aにおいて、ビア導体(コンフォールビア導体)17〜19もフィルドビア導体としても良い。
加えて、前記ビア導体は、複数のビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1形態の配線基板を示す模式的な断面図。
【図2】(A)〜(E)は図1の配線基板の製造工程を示す概略図。
【図3】(A),(B)は図2(B),(E)の工程を示す平面図。
【図4】(A)〜(D)は図2(E)に続く製造工程を示す概略図。
【図5】(A)〜(C)は図4(D)に続く製造工程を示す概略図。
【図6】(A)は異なる形態の配線基板を示す模式的な断面図、(B)は(A)中のB−B線に沿った矢視の断面図、(C)はかかる(B)付近の分解斜視図。
【図7】(A)〜(E)は図6(A)の配線基板の製造工程を示す概略図。
【図8】(A)〜(E)は図7(E)に続く製造工程を示す概略図。
【符号の説明】
1,1a…………………………配線基板
2…………………………………金属コア基板
2a………………………………第1貫通孔
2b………………………………第2貫通孔
2c………………………………側面絶縁材
2e………………………………金属薄板
2d………………………………区画孔
3…………………………………表面
4…………………………………裏面
5…………………………………導体層
6,34,38…………………第1ビア導体
8,9,15,16,22,23…絶縁層
8a………………………………第1ビアホール
10………………………………第2ビア導体
10a……………………………第2ビアホール
12………………………………絶縁材
13,14,20,21………配線層
32………………………………支持基板
33………………………………平坦面
35………………………………環状孔
36………………………………環状部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wiring substrate in which a metal core substrate is installed and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in order to increase the strength of a wiring substrate, a metal core substrate having a thickness of about 100 μm to several hundreds of μm is used, and a plurality of insulating layers and a wiring layer positioned therebetween are provided above the front surface and the back surface of the metal core substrate. A wiring board having a multilayer structure laminated symmetrically is used. In such a wiring board, through-holes for through-hole conductors are drilled in a metal plate having the above-mentioned thickness, and an insulating layer and a wiring layer are alternately laminated on the upper surface and the upper surface of the metal plate. It is manufactured by performing the build-up process to perform (for example, refer patent document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2000-101245 A (pages 4-7, FIG. 5)
[0004]
By the way, as the metal core substrate is thinner, the thickness of the entire wiring substrate can be reduced. However, when the metal plate described above and the metal core substrate obtained by dividing the metal plate are used as a rigid core material, the thickness is less than 100 μm. There was a limit to it.
Therefore, in order to form a through-hole conductor that conducts between the wiring layers above the front surface and the back surface of the metal core substrate, drilling a large-diameter through hole, forming a through-hole conductor by copper plating, filling a filling resin, In addition, complicated processes such as the formation of lid plating are required, and precise placement (fine pitch) of the conductors and wiring layers is difficult. In addition, if the metal plate having a plurality of metal core substrates is thinned, there is also a problem that the handling within the manufacturing process and between the manufacturing processes is hindered.
[0005]
[Problems to be Solved by the Invention]
The present invention solves the problems in the conventional techniques described above, and includes a wiring board including a relatively thin metal core board and a high-density wiring layer, and a wiring board for obtaining this accurately and efficiently. It is an object to provide a manufacturing method.
[0006]
[Means for Solving the Problems and Effects of the Invention]
In order to solve the above-described problems, the present invention has been conceived by conceiving the metal core substrate as one unit to be laminated in the same manner as the insulating layer and the wiring layer.
That is, the first wiring board of the present invention (Claim 1) is located between a metal core substrate having a front surface and a back surface, a plurality of insulating layers formed on the top surface and the back surface of the metal core substrate, respectively. A wiring layer, a first through hole penetrating between the surface and the back surface of the metal core substrate, a conductor layer passing through the first through hole and formed on the surface or the back surface of the metal core substrate, and the conductor layer And a first via conductor connecting between any one of the wiring layers above the front surface or the back surface having no surface.
[0007]
According to this, between the wiring layers formed on the top surface and the back surface of the metal core substrate, respectively, is connected by the first via conductor penetrating while contacting the inner wall of the first through hole and the conductor layer connected thereto. Therefore, the metal core substrate can be thinned. Further, since the metal core substrate can be thinned, the wiring layers can be formed at high density above the front surface and above the back surface, respectively. In addition, unlike the prior art, since a through-hole conductor that penetrates between the front surface and the back surface of the metal core substrate via an insulating material is not used, a manufacturing method described later is also facilitated.
In other words, the wiring board may have a thickness of the metal core substrate of 50 μm or less. Desirable thickness is 35 μm or less.
[0008]
As the metal core substrate, a thin plate including a copper foil having the above thickness, a stainless steel (for example, SUS304) foil, or a foil such as Fe-42 wt% Ni (so-called 42 alloy) or Fe-36 wt% Ni (invar) is used. It is done. The via conductor also includes a filled via conductor as well as a conformal via conductor that is a conical conductor. In the latter case, the via conductor is separated directly above or below the filled via conductor that penetrates the through hole of the metal core substrate. The filled via conductor may be connected.
[0009]
In other words, the wiring board of the present invention includes a metal core substrate having a front surface and a back surface, a plurality of insulating layers formed on the top surface and the back surface of the metal core substrate, a wiring layer positioned therebetween, and the metal The first through hole penetrating between the surface and the back surface of the core substrate, the conductor layer penetrating the first through hole and formed on the surface or the back surface of the metal core substrate, and the surface or the back surface without the conductor layer The first via conductor connecting between any one of the upper wiring layers and the second through hole penetrating between the front surface and the back surface of the metal core substrate through an insulating material, and It is also possible to include a second via conductor connecting the wiring layer above the front surface and the wiring layer above the back surface.
[0010]
In the present invention, the first via conductor passes through the first through hole located inside an annular portion surrounded by the annular hole formed in the metal core substrate and the conductor layer. (Claim 2) is also included. According to this, the conductor layer located in the annular portion surrounded by the annular hole and having the first through hole on the inner side of the metal core substrate becomes a via land integrated with the first via conductor, and above the surface of the metal core substrate. This wiring layer and the wiring layer above the back surface can be connected by a short conduction path. The first via conductor is preferably a filled via conductor that is filled with a conductor to the inside.
[0011]
In other words, the wiring board of the present invention includes a metal core substrate having a front surface and a back surface, a plurality of insulating layers formed on the top surface and the back surface of the metal core substrate, a wiring layer positioned therebetween, and the metal The first through hole penetrating between the surface and the back surface of the core substrate, the conductor layer penetrating the first through hole and formed on the surface or the back surface of the metal core substrate, and the surface or the back surface without the conductor layer And a first via conductor connecting between one of the upper wiring layers and a portion of the first via conductor surrounded by an annular hole penetrating the metal core substrate and the conductor layer. It is also possible to pass through the first through hole located inside the portion.
In addition, in the wiring board of the present invention, the metal core substrate has a rectangular shape in plan view, and each side surface thereof is covered with a side surface insulating material integral with any of the insulating layers. You can also.
In this case, the four side surfaces of the metal core substrate are covered with side surface insulating materials that are integral with any of the insulating layers and substantially parallel to the respective side surfaces of the metal core substrate. For this reason, since the tie bar does not protrude from the side surface of the conventional metal core substrate, it is possible to prevent inadvertent conduction to the outside or the inside of the substrate, and to arrange a dense wiring layer in the peripheral portion of the wiring substrate. It becomes possible.
[0012]
On the other hand, the method for manufacturing a wiring board according to the present invention (Claim 3) includes a step of forming a plurality of insulating layers and a wiring layer positioned therebetween on the flat surface of the support substrate, and the outermost insulating layer among the above. A step of laminating a metal core substrate above, a step of forming a first through hole penetrating the metal core substrate, and a first via hole reaching the wiring layer in the insulating layer located below the first through hole Forming a first via conductor in the first through hole and the first via hole, and forming a conductor layer connected to the first via conductor on the upper surface of the metal core substrate. It is characterized by that.
[0013]
According to this, since the metal core substrate is laminated above the insulating layer formed in advance on the flat surface (flat surface) of the support substrate having rigidity, the thin metal foil described above can be used. it can. In addition, the first through hole penetrating the thin metal core substrate can be easily formed with high accuracy, and the first via conductor connected to the conductor layer formed on the upper surface can be reliably formed in the through hole. In addition, since an insulating layer, a wiring layer, and the like are sequentially stacked above the flat surface of the support substrate having rigidity, handling properties are also improved.
[0014]
The “outermost insulating layer” refers to an insulating layer that is relatively distant from the support substrate. The supporting substrate is made of a copper plate having a thickness of about 1 mm, a copper alloy plate, a steel plate, a stainless steel plate, an aluminum alloy plate, or a titanium alloy plate, and has a flat surface that is a flat surface. It is. Such a flat surface may have a large area for taking a plurality of the metal core substrates as product units along the plane direction, and as a large support substrate (panel) having such a flat surface. Also good. Furthermore, the order of stacking on the flat surface of the support substrate is the order of the solder resist layer (insulating layer) on the first main surface side of the wiring substrate, the wiring layer, the insulating layer, the metal core substrate, and the like. The solder resist layer (insulating layer) on the second main surface side of the wiring board, the wiring layer, the insulating layer, the metal core board, and the like may be used in this order. That is, the “new insulating layer” and “new wiring layer” and “another insulating layer” described later are relative names in the order of stacking on the flat surface of the support substrate in the manufacturing process.
[0015]
In the present invention, after each of the steps, a step of forming a second through hole penetrating the metal core substrate and the conductor layer, a step of forming a new insulating layer on the upper surface of the metal core substrate, Forming a second via hole penetrating through the new insulating layer and the insulating material in the second through hole and reaching the wiring layer; forming a second via conductor in the second via hole; and Forming a new wiring layer connected to the second via conductor above the insulating layer (Claim 4). According to this, a plurality of wiring layers and a wiring layer formed therebetween can be formed with high accuracy and high density across the metal core substrate with the first via conductor and the second via conductor interposed therebetween. .
[0016]
Furthermore, in the present invention, after each of the steps, the metal core substrate and the conductor layer are penetrated, the first through hole and the first via conductor are provided inside, and the ring shape or rectangular shape is seen in a plan view. Also included is a method of manufacturing a wiring board having a step of forming an annular hole such as a shape and a step of forming a new insulating layer on the upper surface of the metal core substrate including the inside of the annular hole. . According to this, the conductor layer located above the annular portion surrounded by the annular hole in the metal core substrate and adjacent to the upper side of the first via conductor is connected to the new wiring layer formed thereabove. Therefore, the via land is in contact with the lower end of the new via conductor. For this reason, the wiring layers above the front surface and the back surface of the metal core substrate can be separately conducted through a short path without using the metal core substrate.
In other words, the wiring board manufacturing method may further include a step of removing the support substrate after each of the above steps. In this case, the support substrate can be removed after the wiring substrate has a multilayer structure including the metal core substrate.
In addition, the removal method of the said support substrate takes the method of etching with a cupric chloride solution, for example, when it is a copper support substrate.
[0017]
In addition, in the method of manufacturing a wiring board according to the present invention, a multi-piece metal thin plate having a plurality of product units (metal core substrates) is used as the metal core substrate, and the second through hole is formed. Simultaneously with the process, the conductor layer and the metal thin plate may be perforated to form a rectangular partition groove in a plan view of separating the metal thin plate into a plurality of metal core substrates.
In this case, the metal thin plate is divided into a plurality of metal core substrates that are product units surrounded by the partition holes (grooves), and after the support substrate is removed, the metal thin plate is arranged in the middle in the width direction of the partition holes. It is possible to reliably obtain the wiring board in which the side surface of the metal core substrate is covered with the side surface insulating material by cutting along the dicing process. The metal thin plate includes a metal foil made of copper, a copper alloy, or the like.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the following, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a schematic cross section of a wiring board 1 according to one embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the wiring substrate 1 includes a
The
[0019]
As shown in FIG. 1, above the
The insulating
[0020]
On the other hand, as shown in FIG. 1, a
[0021]
As shown in FIG. 1A, a first via conductor (conformal via) 6 in contact with the inner wall is formed in the first through
Further, as shown in FIG. 1, each side surface of the
As shown on the left and right of FIG. 1, second via conductors (conformal vias) 10 are formed in the second through
[0022]
Further, as shown in FIG. 1, a plurality of
The
[0023]
On the other hand, as shown in FIG. 1, the
[0024]
According to the wiring substrate 1 as described above, since the
[0025]
Here, a method of manufacturing the wiring board 1 will be described with reference to FIGS. 2, 4 and 5 are illustrated based on the left portion of the wiring board 1 in FIG.
As shown in FIG. 2A, a
[0026]
Next, a copper foil having a thickness of about 15 μm (not shown) is pasted on the surface of the insulating
Next, an epoxy resin film having a thickness of about 40 μm is laminated above the surfaces of the insulating
[0027]
As a result, as shown in FIG. 2A, a
Further, as shown in FIG. 2B, an outermost insulating
At this stage, as shown in FIG. 3A, the upper side of the
[0028]
Next, the dry film formed on the upper surface of the metal core substrate 2 (metal
As a result, as shown in FIG. 2C, a first through
The insulating
[0029]
Next, the inner wall of the first via
Furthermore, the dry film formed above the upper surface of the
[0030]
Next, as shown in FIG. 4A, an epoxy resin film having a thickness of about 40 μm is laminated on the upper surface (rear surface 4) of the metal core substrate 2 (metal
Further, a laser (for example, a carbon dioxide laser) is irradiated near the center of the insulating
At the same time, a laser beam is irradiated to a predetermined position of the insulating
[0031]
Next, the surface of the insulating
As a result, as shown in FIG. 4C, the second via
Next, as shown in FIG. 4 (D), an epoxy resin film having a thickness of about 40 μm is laminated above the surfaces of the insulating
[0032]
Further, a predetermined position of the insulating
Next, as shown in FIG. 4D, an epoxy resin film having a thickness of about 20 μm is laminated on the upper surface of the insulating
[0033]
At this stage, after the
As a result, as shown in FIG. 5A, a plurality of (four in this embodiment) product units for each
Next, as shown in FIG. 5B, an opening reaching the
[0034]
Then, as shown in FIG. 5C, the solder bumps 30 are individually formed so as to protrude higher than the first
According to the manufacturing method of the wiring substrate 1 as described above, the first and second through
The manufacturing method of the wiring board 1 is such that the insulating
[0035]
FIG. 6A schematically shows a cross section of a wiring board 1a having a different form. In the following, parts and elements that are common to the above-described forms are denoted by the same reference numerals as those of the above-described forms.
As shown in FIG. 6A, the wiring board 1a includes the same
In the first through
[0036]
As shown in FIG. 6A, above the
Further, as shown in FIG. 6A, a
[0037]
As shown in FIG. 6A, the first via
Further, as shown in FIGS. 6A to 6C, the ring-shaped
The
[0038]
The upper end of the first via
Further, as shown in FIG. 6A, each side surface of the
Further, as shown in FIG. 6A, the
[0039]
On the other hand, as shown in FIG. 6A, the
According to the wiring board 1a as described above, like the wiring board 1, the wiring layers 14, 13 and the like are arranged at high density above the
[0040]
Here, the manufacturing method of the wiring board 1a will be described with reference to FIGS. 7 and 8 are illustrated based on the left side portion of the wiring board 1a in FIG.
As shown in FIG. 7A, the same insulating layer (solder resist layer) 22 is formed above the surface of the
Next, a copper foil is attached to the upper surface of the insulating
[0041]
Next, the same epoxy resin film as described above is laminated on the surfaces of the insulating
[0042]
Further, as shown in FIG. 7B, an insulating
Next, the dry film formed on the upper surface (back surface 4) of the metal core substrate 2 (metal
[0043]
Next, the inner walls of the plurality of first via
As a result, as shown in FIG. 7D, in the first via
Further, the dry film formed above the upper surface of the
[0044]
As a result, as shown in FIG. 7E, a ring-shaped
At the same time, as shown in FIG. 7E and FIG. 3B, partition holes (grooves) 2d having a square shape (rectangular shape) in plan view are formed along the boundaries of the plurality of
Next, as shown in FIG. 8A, an insulating
Further, a predetermined position of the insulating
[0045]
Next, the surface of the insulating
As a result, as shown in FIG. 8C, via
Next, as shown in FIG. 8D, an insulating
[0046]
Further, a via hole is formed at a predetermined position of the insulating
Next, as shown in FIG. 8E, a resin resist layer (insulating layer) 23 is formed by laminating and press-bonding the same resin film above the surfaces of the insulating
[0047]
At this stage, the
Then, as shown in FIG. 8E, a predetermined position on the surface (first main surface) 24 of the solder resist layer (insulating layer) 22 is formed in the same manner as described above, and the land on which the surface of the
[0048]
According to the manufacturing method of the wiring substrate 1a as described above, the first through
In addition, the manufacturing method of the wiring board 1a is also arranged in the order of the insulating
[0049]
The present invention is not limited to the embodiments described above.
For example, the metal core substrate or the metal thin plate may have a rectangular shape in plan view. For example, the plurality of
Further, the material of the
[0050]
Furthermore, the material of the insulating
[0051]
The
Furthermore, in the wiring board 1a, the via conductors (conform via conductors) 17 to 19 may be filled via conductors.
In addition, the via conductor may be in the form of a staggered structure that is stacked while shifting the axial centers of the plurality of via conductors, or may have a form in which a wiring layer extending in the plane direction is interposed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a wiring board according to one embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2E are schematic views showing manufacturing steps of the wiring board of FIG.
FIGS. 3A and 3B are plan views showing the steps of FIGS. 2B and 2E. FIGS.
4A to 4D are schematic views showing manufacturing steps subsequent to FIG. 2E.
FIGS. 5A to 5C are schematic views showing manufacturing steps subsequent to FIG. 4D. FIGS.
6A is a schematic cross-sectional view showing a wiring board of a different form, FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 6A, and FIG. ) An exploded perspective view of the vicinity.
7A to 7E are schematic views showing a manufacturing process of the wiring board of FIG. 6A.
8A to 8E are schematic views showing manufacturing steps subsequent to FIG. 7E.
[Explanation of symbols]
1,1a ………………………… Wiring board
2 …………………………………… Metal core substrate
2a ……………………………… First through hole
2b ……………………………… Second through hole
2c ……………………………… Side insulation
2e ……………………………… Metal sheet
2d ……………………………… Partition hole
3 ………………………………… Surface
4 ………………………………… Back side
5 ………………………………… Conductor layer
6, 34, 38 ………………… First via conductor
8, 9, 15, 16, 22, 23 ... insulating layer
8a ……………………………… First Beer Hall
10 ……………………………… Second via conductor
10a …………………………… Second Beer Hall
12 ……………………………… Insulation
13, 14, 20, 21 ......... Wiring layer
32 ……………………………… Supporting substrate
33 ……………………………… Flat surface
35 ……………………………… Annular hole
36 ……………………………… Annular part
Claims (5)
上記金属コア基板の表面上方および裏面上方にそれぞれ形成した複数の絶縁層およびその間に位置する配線層と、
上記金属コア基板の表面と裏面との間を貫通する第1貫通孔と、
上記第1貫通孔を貫通し且つ上記金属コア基板の表面または裏面に形成した導体層とかかる導体層のない表面または裏面の上方の上記配線層の何れか一方との間を接続する第1ビア導体と、を含む、ことを特徴とする配線基板。A metal core substrate having a front surface and a back surface;
A plurality of insulating layers formed on the top surface and the back surface of the metal core substrate, respectively, and a wiring layer positioned therebetween,
A first through hole penetrating between a front surface and a back surface of the metal core substrate;
A first via that passes through the first through-hole and connects between a conductor layer formed on the front or back surface of the metal core substrate and any one of the wiring layers above the front or back surface without the conductor layer. A wiring board comprising a conductor.
ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。The first via conductor passes through the first through hole located inside an annular portion surrounded by an annular hole formed in the metal core substrate and the conductor layer.
The wiring board according to claim 1.
上記のうち最外層の絶縁層の上方に金属コア基板を積層する工程と、
上記金属コア基板を貫通する第1貫通孔を形成する工程と、
上記第1貫通孔の下方に位置する上記絶縁層に上記配線層に達する第1ビアホールを形成する工程と、
上記第1貫通孔および第1ビアホール内に第1ビア導体を形成し且つ上記金属コア基板の上面に第1ビア導体と接続する導体層を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。Forming a plurality of insulating layers on the flat surface of the support substrate and a wiring layer positioned therebetween;
Laminating a metal core substrate above the outermost insulating layer among the above,
Forming a first through hole penetrating the metal core substrate;
Forming a first via hole reaching the wiring layer in the insulating layer located below the first through hole;
Forming a first via conductor in the first through hole and the first via hole, and forming a conductor layer connected to the first via conductor on an upper surface of the metal core substrate.
A method for manufacturing a wiring board.
前記金属コア基板および導体層を貫通する第2貫通孔を形成する工程と、
上記金属コア基板の上面に新たな絶縁層を形成する工程と、
上記新たな絶縁層および上記第2貫通孔内の絶縁材を貫通し且つ前記配線層に達する第2ビアホールを形成する工程と、
上記第2ビアホール内に第2ビア導体を形成し且つ上記新たな絶縁層の上方にかかる第2ビア導体と接続する新たな配線層を形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。After each step,
Forming a second through hole penetrating the metal core substrate and the conductor layer;
Forming a new insulating layer on the upper surface of the metal core substrate;
Forming a second via hole that penetrates the new insulating layer and the insulating material in the second through hole and reaches the wiring layer;
Forming a second via conductor in the second via hole and forming a new wiring layer connected to the second via conductor above the new insulating layer.
The method for manufacturing a wiring board according to claim 3.
前記金属コア基板および前記導体層を貫通しており、内側に前記第1貫通孔および第1ビア導体を有し且つ平面視がリング形状または矩形状などの環状孔を形成する工程と、
上記金属コア基板の上面に環状孔内を含めて新たな絶縁層を形成する工程と、を有する、ことを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。After each step,
A step of penetrating the metal core substrate and the conductor layer, having the first through hole and the first via conductor inside, and forming an annular hole such as a ring shape or a rectangular shape in plan view;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 3, further comprising: forming a new insulating layer on the upper surface of the metal core substrate including the inside of the annular hole.
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