JP2005057018A - Resist ink - Google Patents

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JP2005057018A JP2003285461A JP2003285461A JP2005057018A JP 2005057018 A JP2005057018 A JP 2005057018A JP 2003285461 A JP2003285461 A JP 2003285461A JP 2003285461 A JP2003285461 A JP 2003285461A JP 2005057018 A JP2005057018 A JP 2005057018A
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Shoichiro Tonomura
正一郎 外村
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Asahi Kasei Electronics Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide resist ink that is used for forming a resist pattern which can be peeled easily in a short time with an aqueous alkali solution by a direct resist drawing method, and to provide methods of manufacturing resist pattern, conductor pattern, and printed wiring board using the resist ink. <P>SOLUTION: (1) Resist ink having a swelling factor of ≥50% when a formed resist pattern is dipped in a 3% aqueous alkali solution for 40 seconds is used as the resist ink used for forming a resist pattern by the direct resist drawing method. (2) The resist ink described in (1) having a photosensitive property is used. (3) The resist pattern is formed by the direct resist drawing method by using the resist ink described in (1) or (2). (4) A conductor pattern is formed by using the method described in (3). (5) A printed wiring board is manufactured by using the method described in (4). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、レジストパターンの作成に用いられるレジストインク、ならびに、レジストパターン、導体パターン、プリント配線板、およびそれらの作成方法に関する。   The present invention relates to a resist ink used for creating a resist pattern, a resist pattern, a conductor pattern, a printed wiring board, and methods for producing them.

従来、プリント配線板を製造する方法の具体例としては、フォトリソグラフィ法が用いられている。このフォトリソグラフィ法は、例えば、絶縁層と銅箔とからなる銅張積層板の上にドライフィルムレジストなどからなるフォトレジスト層を形成する。ついで、このフォトレジスト層の表面にフォトマスクを介して紫外線を照射し、ドライフィルムレジストを光硬化させる。こののち、有機溶剤、アルカリ水溶液などの現像液を用い、未硬化部分のドライフィルムレジストを除去してレジストパターンを形成する。ついで、レジストパターンに覆われていない部分の銅箔をエッチングにより除去した後、レジストパターンを除去して導体パターンを形成するとプリント配線板が得られる。   Conventionally, a photolithography method has been used as a specific example of a method for manufacturing a printed wiring board. In this photolithography method, for example, a photoresist layer made of a dry film resist or the like is formed on a copper clad laminate made of an insulating layer and a copper foil. Next, the dry film resist is photocured by irradiating the surface of the photoresist layer with ultraviolet rays through a photomask. Thereafter, using a developing solution such as an organic solvent or an alkaline aqueous solution, the dry film resist in the uncured portion is removed to form a resist pattern. Next, after removing the copper foil of the portion not covered with the resist pattern by etching, and removing the resist pattern to form a conductor pattern, a printed wiring board is obtained.

しかしながら、このようなプリント配線板 の製造方法は、フォトマスクの作製に非常に長時間を要するため、プリント配線板の作製所要時間が長くなってしまうという欠点があった。また、有機溶剤、アルカリ水溶液などを用いて現像を行うため、プリント配線板の作製所要時間が長くなるとともに廃液処理の問題があった。
この問題を解決するため、インクジェット方式を用いてレジスト材料を基板上に直接吹き付け、導体パターンとなるレジストパターンを形成する方法が開示されている(特許文献1)。
この方法では、配線を形成後にレジストパターンを剥離する際に、有機溶剤による洗浄が必要な場合には廃液処理が問題となる。また、アルカリ水溶液で剥離が可能なレジストであっても、短時間で完全に剥離させる事が難しく問題であった。
特開平06−237063号公報
However, such a method for producing a printed wiring board has a drawback that it takes a very long time to produce a photomask, and thus the time required for producing the printed wiring board becomes long. In addition, since development is performed using an organic solvent, an alkaline aqueous solution, or the like, the time required for producing a printed wiring board is increased and there is a problem of waste liquid treatment.
In order to solve this problem, a method is disclosed in which a resist material is directly sprayed onto a substrate using an ink jet method to form a resist pattern to be a conductor pattern (Patent Document 1).
In this method, when the resist pattern is peeled after the wiring is formed, waste liquid treatment becomes a problem when cleaning with an organic solvent is required. In addition, even a resist that can be stripped with an alkaline aqueous solution is difficult to completely strip in a short time.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-237063

レジスト直描方式を用いたレジストパターンの形成に用いられるレジストインクおいて、レジストパターンがアルカリ水溶液にて容易に短時間で剥離できるレジストインクを提供し、それを用いたレジストパターン、導体パターン、プリント配線板の製造方法を提供する。   In resist inks used to form resist patterns using the resist direct-drawing method, we provide resist inks that can be easily and quickly removed with an alkaline aqueous solution. Resist patterns, conductor patterns, and prints using the resist ink A method for manufacturing a wiring board is provided.

本発明者は、上記の課題は、アルカリ水溶液中で特定の膨潤率を有するレジストインクを用いることにより解決されることを見出した。すなわち、本発明は、
(1)レジスト直描方式によるレジストパターンの形成に用いられるレジストインクにおいて、形成されたレジストパターンを3%アルカリ水溶液中に40秒間浸漬したときの膨潤率が50%以上である事を特徴とするレジストインク。
(2)感光性であることを特徴とする(1)記載のレジストインク。
(3)(1)または(2)記載のレジストインクを用いたレジスト直描方式によるレジストパターンの形成方法。
(4)(3)記載の方法によりレジストパターンを形成し、レジストパターンに覆われていない部分をエッチングまたはめっきすることによる、導体パターンの形成方法。
(5)(4)記載の方法を用いたプリント配線板の製造方法。
The present inventor has found that the above problem can be solved by using a resist ink having a specific swelling ratio in an alkaline aqueous solution. That is, the present invention
(1) In a resist ink used for forming a resist pattern by a resist direct drawing method, the swelling rate when the formed resist pattern is immersed in a 3% alkaline aqueous solution for 40 seconds is 50% or more. Resist ink.
(2) The resist ink as described in (1), which is photosensitive.
(3) A method of forming a resist pattern by a resist direct drawing method using the resist ink according to (1) or (2).
(4) A method of forming a conductor pattern by forming a resist pattern by the method described in (3) and etching or plating a portion not covered with the resist pattern.
(5) A method for producing a printed wiring board using the method described in (4).

本発明によれば、凹凸のある基材上においても基材とレジストパターンとの間に空隙を設けることなく均一にレジストパターンを形成することが出来る。パターンマスク作成の必要も無い。現像廃液処理の問題がなく、現像工程におけるレジストパターンの劣化等の心配も無い。
導体パターン形成後にレジストパターンがアルカリ水溶液にて容易に剥離できる。導体パターンの形成に要する時間が短縮され、剥離残がなく、歩留まりよく導体パターンおよびプリント配線板を製造することができる。
本発明によれば以上の効果をすべて同時に満足できる。
According to the present invention, a resist pattern can be uniformly formed even on an uneven substrate without providing a gap between the substrate and the resist pattern. There is no need to create a pattern mask. There is no problem of developing waste liquid treatment, and there is no concern about deterioration of the resist pattern in the developing process.
After the conductor pattern is formed, the resist pattern can be easily removed with an alkaline aqueous solution. The time required for forming the conductor pattern is shortened, there is no peeling residue, and the conductor pattern and the printed wiring board can be manufactured with high yield.
According to the present invention, all of the above effects can be satisfied simultaneously.

本発明におけるレジスト直描方式とは、パターンマスクを介した露光工程と現像工程を経ず、レジストパターンを直接基材上に形成する方式である。レジスト直描方式によりレジストパターンおよび導体パターンを作成する工程は、レジストパターン形成工程と、導体パターン形成工程と、レジストパターン剥離工程よりなる。レジストパターン形成工程は、描画工程と硬化工程よりなる。
描画工程とは、ノズルからレジストインクを吐出させることにより、基材上にレジストインクを塗布し、レジストインクを所望の配線形状にあわせて付着させる工程である。ノズルからレジストインクを吐出させレジストパターンを描画する方法には、インクジェット方式による吹き付け、プロッターなどによる描画などが含まれる。
The resist direct drawing method in the present invention is a method in which a resist pattern is directly formed on a substrate without going through an exposure step and a development step through a pattern mask. The process of creating a resist pattern and a conductor pattern by the resist direct drawing method includes a resist pattern forming process, a conductor pattern forming process, and a resist pattern peeling process. The resist pattern forming process includes a drawing process and a curing process.
The drawing step is a step of applying a resist ink on a base material by discharging the resist ink from a nozzle and attaching the resist ink in accordance with a desired wiring shape. A method for drawing a resist pattern by discharging a resist ink from a nozzle includes spraying by an ink jet method, drawing by a plotter, and the like.

硬化工程では、揮発性の溶剤成分が揮発することにより硬化することもできる。またノズル部分で加熱溶融されたレジストインクが基材に付着することにより冷却され自然に効果してもよい。加熱により熱硬化させることもできる。レジストパターンを可視光や紫外線などにより照射すること、即ち露光することにより硬化せしめることが出来る。露光と加熱を組合せて硬化させてもよい。このような硬化は、主として後に導体形成時のエッチングまたはめっき工程における耐性を上げるため、さらには良好な導体パターンを歩留まり良く形成するためになされる。   In the curing step, the volatile solvent component can be cured by volatilization. Further, the resist ink heated and melted at the nozzle portion may be cooled and naturally effected by adhering to the substrate. It can also be thermally cured by heating. The resist pattern can be cured by irradiation with visible light, ultraviolet light, or the like, that is, by exposure. You may make it harden | cure combining exposure and a heating. Such curing is mainly performed in order to increase resistance in an etching or plating process when forming a conductor later, and to form a good conductor pattern with a high yield.

導体パターン形成工程では、レジストパターンが形成された基材を、エッチングまたはめっきすることにより、導体パターンが形成される。エッチング、めっき工程は通常プリント配線板の製造において用いる装置、工程をそのまま利用することも出来る。
レジストパターン剥離工程とは、不必要になったレジストパターンを除去する工程を意味し、これにより導体パターンが完成する。剥離の方法は、強アルカリ等を用いる膨潤剥離方法または溶解剥離方法が好ましい。
In the conductor pattern forming step, the conductor pattern is formed by etching or plating the base material on which the resist pattern is formed. For the etching and plating processes, the apparatus and processes normally used in the production of printed wiring boards can be used as they are.
A resist pattern peeling process means the process of removing the resist pattern which became unnecessary, and, thereby, a conductor pattern is completed. The peeling method is preferably a swelling peeling method using a strong alkali or the like or a dissolution peeling method.

例としてインクジェット方式により、レジストインクを基材上に吹き付けて、直接レジストパターンを形成する直描方法ならびに、本発明における導体パターンおよびプリント配線板の製造方法を示す。
まず、図1(a)に示すような、銅張積層板1とインク5を用意する。この銅張積層板1は、ガラス/エポキシ樹脂積層板、紙/フェノール樹脂積層板、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルムなどの絶縁層2の表面に銅箔3が積層されたものである。銅箔3の厚さは、配線板の用途に応じて選択される。
As an example, a direct drawing method for directly forming a resist pattern by spraying resist ink onto a substrate by an inkjet method, and a method for manufacturing a conductor pattern and a printed wiring board in the present invention will be described.
First, a copper clad laminate 1 and an ink 5 are prepared as shown in FIG. The copper clad laminate 1 is obtained by laminating a copper foil 3 on the surface of an insulating layer 2 such as a glass / epoxy resin laminate, a paper / phenol resin laminate, a polyimide film, or a polyester film. The thickness of the copper foil 3 is selected according to the use of the wiring board.

インク5は、インクジェットのノズル4から吐出される。レジストインクは耐エッチング性を有するものであれば特に限定されず、例えば有機溶剤、水などからなる液媒体にワックスや熱可塑性樹脂を溶解あるいは分散させたものなどが用いられ、必要に応じて粘度調製剤、表面張力調製剤、湿潤剤、pH調製剤、架橋剤、密着性向上剤、各種安定剤、着色剤等が添加される。なお、インク5は、ノズル4から吐出される時点で液状であればよく、従って液媒体を含まず、常温では固体であって、加熱により液状となる組成物でもよい。上記したような物質のうち、感光性レジストインクは活性エネルギー線照射により耐エッチング性の強い硬化膜を容易に形成することができ好ましい。特にカルボキシル基を有する熱可塑性重合体と光架橋性単量体を含む感光性レジストインクは、アルカリ溶液で硬化膜を剥離することができるので好ましい。   The ink 5 is ejected from the inkjet nozzle 4. The resist ink is not particularly limited as long as it has etching resistance. For example, a resist ink in which a wax or a thermoplastic resin is dissolved or dispersed in a liquid medium composed of an organic solvent, water, or the like is used. A preparation agent, a surface tension preparation agent, a wetting agent, a pH preparation agent, a crosslinking agent, an adhesion improver, various stabilizers, a coloring agent, and the like are added. The ink 5 may be liquid when it is ejected from the nozzle 4. Therefore, the ink 5 may be a composition that does not include a liquid medium, is solid at room temperature, and becomes liquid when heated. Among the above-mentioned substances, the photosensitive resist ink is preferable because it can easily form a cured film having high etching resistance by irradiation with active energy rays. In particular, a photosensitive resist ink containing a thermoplastic polymer having a carboxyl group and a photocrosslinkable monomer is preferable because the cured film can be peeled off with an alkaline solution.

ついで、インクジェットノズル4からインク5を上記銅張積層板1の銅箔3上に吹き付けながら紫外線または可視光線を照射し、図1(b)に示すように、導体パターンを形成する部分を覆うようにレジストパターン6を形成する。レジストパターン6は、必要に応じて紫外線や可視光線以外のエネルギー、たとえば電子線等の活性エネルギー線などにより硬化させてもよい。ついで、レジストパターン6が形成された銅張積層板1を図1(c)に示すように、上記レジストパターン6に覆われていない部分の銅箔3をエッチングにより除去する。エッチング液は、塩化銅系、塩化鉄系、アンモニア系のものなどが用いられる。   Next, ultraviolet or visible light is applied while spraying ink 5 from the inkjet nozzle 4 onto the copper foil 3 of the copper clad laminate 1 so as to cover the portion where the conductor pattern is to be formed, as shown in FIG. A resist pattern 6 is formed. The resist pattern 6 may be cured with energy other than ultraviolet rays or visible light, for example, active energy rays such as electron beams, as necessary. Next, as shown in FIG. 1C, the copper foil 3 in the portion not covered with the resist pattern 6 is removed by etching the copper-clad laminate 1 with the resist pattern 6 formed thereon. Etching solutions such as copper chloride, iron chloride, and ammonia are used.

最後に、上記レジストパターン6を上記銅箔3から剥離し、図1(d)に示すような導体パターン7を形成すると、目的とするプリント配線板が得られる。剥離液には、用いたインク5に応じて、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ水溶液が用いられる。   Finally, the resist pattern 6 is peeled from the copper foil 3 to form a conductor pattern 7 as shown in FIG. For the stripper, an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide is used according to the ink 5 used.

この例のプリント配線板の製造方法は、インク5を、インクジェットを用いて銅張積層板1の銅箔3上にレジストパターン6を形成し、ついで、このレジストパターン6に覆われていない部分の銅箔3をエッチングにより除去した後、上記レジストパターン6をこのレジストパターン6で覆われている部分の銅箔3から剥離し導体パターン7を形成するので、フォトマスクが不要であるとともにアルカリ水溶液や有機溶剤などを用いる現像工程もないので、現像廃液処理の問題がなく、プリント配線板の作製所要時間を大幅に短縮することが可能であるという利点がある。また、この例においては絶縁層2の片面に銅箔3が積層されている例について説明したが、絶縁層2の両面に銅箔が積層されている場合にも同様になし得る。   In this method of manufacturing a printed wiring board, a resist pattern 6 is formed on the copper foil 3 of the copper-clad laminate 1 by using an ink 5 by ink jetting, and then a portion not covered by the resist pattern 6 is formed. After removing the copper foil 3 by etching, the resist pattern 6 is peeled off from the portion of the copper foil 3 covered with the resist pattern 6 to form the conductor pattern 7, so that no photomask is required and an alkaline aqueous solution or Since there is no development process using an organic solvent or the like, there is no problem of developing waste liquid treatment, and there is an advantage that it is possible to greatly reduce the time required for producing a printed wiring board. In this example, the example in which the copper foil 3 is laminated on one side of the insulating layer 2 has been described. However, the same can be applied to the case where the copper foil is laminated on both sides of the insulating layer 2.

つぎに本発明のレジストインクについて説明する。
本発明のレジストインクとは、レジスト直描方式に用いられるレジストインクを意味する。レジストインクは基材上に形成された後は、レジストパターンとなり、基材をエッチングして導体パターンを形成する場合のエッチングレジストの役割を果たし、また、めっきにより導体パターンを形成する場合のめっきレジストとしての役割を果たす。さらに、レジストインクは、エッチング、めっきなどにより導体パターンを形成した後、上記のレジストパターン剥離工程において説明した方法により剥離することが出来る。
Next, the resist ink of the present invention will be described.
The resist ink of the present invention means a resist ink used for a resist direct drawing method. After the resist ink is formed on the base material, it becomes a resist pattern, which acts as an etching resist when forming a conductor pattern by etching the base material. Also, a plating resist when forming a conductor pattern by plating As a role. Furthermore, the resist ink can be stripped by the method described in the resist pattern stripping step after forming a conductor pattern by etching, plating, or the like.

レジストインクは感光性を持つことが好ましく、感光性を有するレジストインクを感光性レジストインクと呼ぶ。感光性レジストインクを用いる場合は、レジストインクを適当な時期に可視光や紫外線などの活性光線により露光することが好ましい。
本発明のレジストインクには、以下の基本性能が求められる。レジストインクの硬化が速く、短時間でレジストパターンを作成することが出来る。レジストパターンとなった後は、耐エッチング性もしくは耐めっき性が高く、断線欠けもしくはショートの少ない導体パターンを歩留まり良く作成することが出来る。
The resist ink preferably has photosensitivity, and the resist ink having photosensitivity is called photosensitive resist ink. When a photosensitive resist ink is used, it is preferable to expose the resist ink with active light such as visible light or ultraviolet light at an appropriate time.
The resist ink of the present invention is required to have the following basic performance. The resist ink cures quickly and a resist pattern can be created in a short time. After the resist pattern is obtained, a conductor pattern having high etching resistance or plating resistance and having few disconnection defects or shorts can be formed with high yield.

本発明のレジストインクは(A)カルボキシル基含有バインダーポリマー、(B)分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物及び(C)光重合開始剤を含有することができる。
(A)カルボキシル基を有するバインダーポリマーは、酸当量が200〜500が好ましく、より好ましくは200〜400である。ここで酸当量とは、その中に1当量のカルボン酸を有するポリマーの重量をいう。酸当量の測定は、0.1N水酸化ナトリウムで電位差滴定法により行われる。塗工溶媒またはモノマーとの相溶性の観点から酸当量が200以上が好ましく、剥離性の観点から500以下が好ましい。
The resist ink of the present invention contains (A) a carboxyl group-containing binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, and (C) a photopolymerization initiator. Can do.
(A) As for the binder polymer which has a carboxyl group, 200-500 are preferable for an acid equivalent, More preferably, it is 200-400. Here, the acid equivalent means the weight of the polymer having 1 equivalent of carboxylic acid therein. The acid equivalent is measured by potentiometric titration with 0.1N sodium hydroxide. The acid equivalent is preferably 200 or more from the viewpoint of compatibility with the coating solvent or the monomer, and preferably 500 or less from the viewpoint of peelability.

該バインダーポリマーの重量平均分子量は、5万〜40万が好ましく、より好ましくは10万〜40万である。分子量の測定はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により標準ポリスチレンの検量線を用いて行われる。硬化性の観点から40万以下が好ましく、レジストパターンの厚みと可とう性を維持する観点から5万以上が好ましい。
該バインダーポリマーは、第1の単量体として分子中に炭素−炭素二重結合等の重合性不飽和基を1個有するカルボン酸を含む。第1の単量体の例としては、(メタ)アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸半エステル等が挙げられる。
The weight average molecular weight of the binder polymer is preferably 50,000 to 400,000, more preferably 100,000 to 400,000. The molecular weight is measured by gel permeation chromatography (GPC) using a standard polystyrene calibration curve. 400,000 or less is preferable from the viewpoint of curability, and 50,000 or more is preferable from the viewpoint of maintaining the thickness and flexibility of the resist pattern.
The binder polymer contains a carboxylic acid having one polymerizable unsaturated group such as a carbon-carbon double bond in the molecule as the first monomer. Examples of the first monomer include (meth) acrylic acid, fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid half ester, and the like.

該バインダーポリマーは、第2の単量体として分子中に炭素−炭素二重結合等の重合性不飽和基を有する非酸性単量体を含む。該非酸性単量体は、エッチングおよびめっき工程での耐性、レジストパターンの可とう性等の種々の特性を保持されるように選ばれる。第2の単量体の例としては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル等の(メタ)アクリル酸アルキル類、(メタ)アクリル酸ベンジル、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体および(メタ)アクリロニトリル等がある。最も適しているのは、メタクリル酸メチルおよびスチレンである。ここで(メタ)アクリルとはメタクリルおよび/またはアクリルを表す。   The binder polymer contains a non-acidic monomer having a polymerizable unsaturated group such as a carbon-carbon double bond in the molecule as the second monomer. The non-acidic monomer is selected so that various characteristics such as resistance in etching and plating processes and flexibility of a resist pattern are maintained. Examples of the second monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (meth ) Alkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate, benzyl (meth) acrylate, esters of vinyl alcohol such as vinyl acetate, styrene or polymerizable styrene derivatives and (meth) acrylonitrile. Most suitable are methyl methacrylate and styrene. Here, (meth) acryl represents methacryl and / or acryl.

該バインダーポリマーは、1種または2種以上の混合も可能である。
(A)カルボキシル基を有するバインダーポリマーは(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して、(A)成分が10〜90質量部の範囲が好ましく、より好ましくは30〜70質量%である。レジストパターンの脆さや剥離性の観点から10質量%以上が好ましい。硬化性の観点から90質量%以下が好ましい。
該バインダーポリマーは、単量体の混合物を、アセトン、メチルエチルケトン、イソプロパノール、エタノール等の溶剤で希釈した溶液に、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を適量添加し、加熱撹拌することにより合成することが好ましい。混合物の一部を反応液に滴下しながら合成する場合もある。また、反応終了後さらに溶剤を加えて、所望の濃度に調製する場合もある。溶液重合以外にも、塊状重合、懸濁重合および乳化重合でも合成可能である。
The binder polymer can be used alone or in combination of two or more.
The binder polymer having a carboxyl group (A) is preferably in the range of 10 to 90 parts by weight, more preferably 30 to 70 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the total amount of the components (A) and (B). %. 10 mass% or more is preferable from the viewpoint of the brittleness or peelability of the resist pattern. 90 mass% or less is preferable from a sclerosing | hardenable viewpoint.
The binder polymer is prepared by adding an appropriate amount of a radical polymerization initiator such as benzoyl peroxide or azobisisobutyronitrile to a solution obtained by diluting a mixture of monomers with a solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, isopropanol or ethanol. It is preferable to synthesize by stirring. In some cases, a part of the mixture is synthesized while being dropped into the reaction solution. In addition, a solvent may be further added after completion of the reaction to prepare a desired concentration. In addition to solution polymerization, it can also be synthesized by bulk polymerization, suspension polymerization and emulsion polymerization.

(B)成分の分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキン)フェニル)プロパン等のビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、グリシジル基含有化合物にα、β−不飽和カルボン酸を反応させで得られる化合物、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー、ノニルフェニルジオキシレン(メタ)アクリレート、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシエチル−β′−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシプロピル−β′−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられるが、ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物又はウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物を含むことが好ましい。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。   As the photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule of the component (B), for example, a compound obtained by reacting an α, β-unsaturated carboxylic acid with a polyhydric alcohol, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- ((Meth) acryloxypolyethoxypolypropyne) phenyl) A compound obtained by reacting an α, β-unsaturated carboxylic acid with a bisphenol A-based (meth) acrylate compound such as propane, a glycidyl group-containing compound, and a urethane bond Urethane monomers such as (meth) acrylate compounds, nonylphenyldioxylene (meth) acrylate, γ-chloro-β-hydride Xylpropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl-β'-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl- Although o-phthalate, (meth) acrylic acid alkyl ester, etc. are mentioned, it is preferable that the bisphenol A type (meth) acrylate compound or the (meth) acrylate compound which has a urethane bond is included. These may be used alone or in combination of two or more.

上記多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンテトラエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンペンタエトキシトリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記α,β−不飽和カルボン酸としては、例えば、(メタ)アクリル酸等が拳げられる。   Examples of the compound obtained by reacting the polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 2 propylene groups. 14 polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane ethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane diethoxytri (meth) acrylate, Trimethylolpropane triethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropanetetraethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane pentaethoxytri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetri (meta) ) Acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 propylene groups, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, etc. It is done. Examples of the α, β-unsaturated carboxylic acid include (meth) acrylic acid.

上記2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサデカエトキシ)フェニル)プロパン等が挙げられ、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−500(新中村化学工業(株)製、製品名)として商業的に入手可能であり、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−1300(新中村化学工業(株)製、製品名)として商業的に入手可能である。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用できる。   Examples of the 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2 -Bis (4-((meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meta ) Acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptaethoxy) phenyl) Propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxynonane) Xyl) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecaethoxy) phenyl) propane, 2 , 2-bis (4-((meth) acryloxydodecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- ((Meth) acryloxytetradecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxy) Hexadecaethoxy) phenyl) propane and the like, and 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane is BPE- 00 (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product name) and 2,2-bis (4- (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is BPE-1300 (Shin-Nakamura Chemical) It is commercially available as a product name manufactured by Kogyo Co., Ltd. These can be used alone or in combination of two or more.

上記2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシオクタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシジプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシヘキサプロポキシ)フェニル)プロパン、ビスフェノールAの両端にそれぞれ平均2モルのプロピレンオキサイドと平均15モルのエチレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジメタクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用できる。   Examples of the 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxyoctapropoxy) phenyl) propane. 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2 -Bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxyhexapropoxy) phenyl) propane, dialkyl methacrylate of polyalkylene glycol in which 2 mol of propylene oxide and 15 mol of ethylene oxide are added to both ends of bisphenol A, respectively. Can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.

上記グリシジル基含有化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−(メタ)アクリロキシ−2−ヒドロキシ−プロピルオキシ)フェニル等が拳げられる。
上記ウレタンモノマーとしては、例えば、β位にOH基を有する(メタ)アクリルモノマーとイソホロンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物との付加反応物、トリス((メタ)アクリロキシテトラエチレングリコールイソシアネート)ヘキサメチレンイソシアヌレート、EO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、EO,PO変性ウレタンジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。なお、EOはエチレンオキサイドを示し、EO変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有する。また、POはプロピレンオキサイドを示し、PO変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有する。
Examples of the glycidyl group-containing compound include trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloxy-2-hydroxy-propyloxy) phenyl, and the like.
Examples of the urethane monomer include diisocyanates such as a (meth) acryl monomer having an OH group at the β-position and isophorone diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate. Examples include addition reaction products with compounds, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate, and the like. Note that EO represents ethylene oxide, and the EO-modified compound has a block structure of an ethylene oxide group. PO represents propylene oxide, and the PO-modified compound has a block structure of propylene oxide groups.

EO変性ウレタンジ(メタ)アクリレートとしては、例えば、新中村化学工業(株)製、製品名UA−11等が挙げられる。また、EO,PO変性ウレタンジ(メタ)アクリレートとしては、例えば、新中村化学工業(株)製、製品名UA−13等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチルエステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルエステル等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
(B)分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物としては、下記のようなポリウレタンプレポリマーを用いることもできる。
Examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include the product name UA-11 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. Examples of EO and PO-modified urethane di (meth) acrylates include the product name UA-13 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester, and the like. . These may be used alone or in combination of two or more.
(B) As a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, the following polyurethane prepolymer can also be used.

ポリウレタンプレポリマーは、末端に水酸基を有するポリマーまたはモノマーとポリイソシアネートから誘導されたポリウレタンの末端イソシアネート基に対して、活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和結合を分子内に共に有する化合物を反応させることによって得られる。
末端に水酸基を有するポリマーとしては、ポリエステルポリオールやポリエーテルポリオールなどのポリオールや、末端水酸基を有する1、4−ポリブタジエン、水添または非水添1、2−ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、末端に水酸基を有するモノマーとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどのグリコール類や、ジメチロールプロピオン酸等の分子内にカルボキシル基を有するジオール等が挙げられる。
The polyurethane prepolymer reacts with a polymer or monomer having a hydroxyl group at the terminal and a terminal isocyanate group of polyurethane derived from polyisocyanate with a functional group having active hydrogen and a compound having both ethylenically unsaturated bonds in the molecule. To obtain.
Examples of the polymer having a hydroxyl group at the terminal include polyols such as polyester polyol and polyether polyol, 1,4-polybutadiene having a terminal hydroxyl group, hydrogenated or non-hydrogenated 1,2-polybutadiene, butadiene-styrene copolymer, butadiene. -Acrylonitrile copolymer, as a monomer having a hydroxyl group at the terminal, glycols such as ethylene glycol, propylene glycol, tetramethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, and diols having a carboxyl group in the molecule such as dimethylolpropionic acid Etc.

ポリイソシアネートとしては、トルイレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、O−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、α、α’−ジメチル−O−キシリレンジイソシアネート、α、α’−ジメチル−m−キシリレンジイソシアネート、α、α’−ジメチル−p−キシリレンジイソシアネート、α、α、α’−トリメチル−O−キシリレンジイソシアネート、α、α、α’−トリメチル−m−キシリレンジイソシアネート、α、α、α’−トリメチル−p−キシリレンジイソシアネート、α、α、α’、α’−テトラメチル−O−キシリレンジイソシアネート、α、α、α’、α’−テトラメチル−m−キシリレンジイソシアネート、α、α、α’、α’−テトラメチル−p−キシリレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネートなどが挙げられる。   As polyisocyanate, toluylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, O-xylylene diisocyanate, m-xylylene diisocyanate, p-xylylene diisocyanate, α, α′-dimethyl- O-xylylene diisocyanate, α, α′-dimethyl-m-xylylene diisocyanate, α, α′-dimethyl-p-xylylene diisocyanate, α, α, α′-trimethyl-O-xylylene diisocyanate, α, α , Α′-trimethyl-m-xylylene diisocyanate, α, α, α′-trimethyl-p-xylylene diisocyanate, α, α, α ′, α′-tetramethyl-O-xylylene diisocyanate, α, α, α ', α'-tetrame Le -m- xylylene diisocyanate, α, α, α ', α'- tetramethyl -p- diisocyanate, cyclohexane diisocyanate.

活性水素を有する官能基とエチレン性不飽和結合を分子内に共に有する化合物としては、ヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
(C)成分の光重合開始剤としては、一般に公知な光重合開始剤を用いることができる。光重合開始剤は、0.01〜15質量%が好ましく、より好ましくは0.05〜10質量%である。レジストインクの活性光線吸収率を抑え、レジストパターンの底部を十分硬化せしめるため光重合開始剤の量は15質量%以下が好ましい。また、感度の観点から、0.01質量%以上が好ましい。
Examples of the compound having both a functional group having active hydrogen and an ethylenically unsaturated bond in the molecule include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (Meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate and the like can be mentioned.
As the photopolymerization initiator of component (C), generally known photopolymerization initiators can be used. The photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 15% by mass, more preferably 0.05 to 10% by mass. The amount of the photopolymerization initiator is preferably 15% by mass or less in order to suppress the actinic ray absorption rate of the resist ink and sufficiently cure the bottom of the resist pattern. Moreover, 0.01 mass% or more is preferable from a viewpoint of a sensitivity.

光重合開始剤としては、p−アミノフェニルケトン及びロフィン二量体を組み合わせたときに有効な性能を発揮する。この場合、p−アミノフェニルケトンを0.01〜1質量%、及びロフィン二量体を0.1質量%以上含有することが好ましい。硬化性の観点から、p−アミノフェニルケトンは0.01質量%以上およびロフィン二量体は0.1質量%以上が好ましい。レジストパターンの密着性の観点からp−アミノフェニルケトンは1質量%以下が好ましい。
p−アミノフェニルケトンの例としては、ミヒラーズケトン[4、4‘−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン]、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどの芳香族ケトン類が用いられる。
ロフィン二量体としては 2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾリル二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ビス(p−メトキシフェニル)イミダゾリル二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾリル二量体等のビイミダゾール化合物が用いられる。
As a photopolymerization initiator, effective performance is obtained when p-aminophenyl ketone and lophine dimer are combined. In this case, it is preferable to contain 0.01 to 1% by mass of p-aminophenyl ketone and 0.1% by mass or more of lophine dimer. From the viewpoint of curability, the p-aminophenyl ketone is preferably 0.01% by mass or more and the lophine dimer is preferably 0.1% by mass or more. From the viewpoint of the adhesion of the resist pattern, the p-aminophenyl ketone is preferably 1% by mass or less.
As an example of p-aminophenyl ketone, aromatic ketones such as Michler's ketone [4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone], 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone are used.
The lophine dimer includes 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-bis (p-methoxyphenyl) imidazolyl dimer, 2- Biimidazole compounds such as (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer are used.

p−アミノフェニルケトン及びロフィン二量体以外の光重合開始剤としては、2−エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン、3−クロロ−2−メチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾインエーテル類、9−フェニルアクリジン等のアクリジン類、N−フェニルグリシン等のN−アリール−α−アミノ酸類、チオキサントン類とアミノ安息香酸の組み合わせ、例えばエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチル、2−クロロチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチル、イソプロピルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸エチルとの組み合わせ、p−ジメチルアミノ安息香酸エチル等のアルキル安息香酸類、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−o−ベンゾインオキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−o−エトキシカルボニルオキシム等がある。   As photopolymerization initiators other than p-aminophenyl ketone and lophine dimer, 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1 -Chloroanthraquinone, 2-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 3-chloro- Quinones such as 2-methylanthraquinone, benzophenone, benzoin, benzoin ethyl ether, benzoin phenyl ether, benzoin ethers such as methylbenzoin and ethylbenzoin, acridines such as 9-phenylacridine, and N-aryl such as N-phenylglycine -Α-amino acids, thioki Combinations of sandones and aminobenzoic acid, such as ethylthioxanthone and ethyl dimethylaminobenzoate, 2-chlorothioxanthone and ethyl dimethylaminobenzoate, combinations of isopropylthioxanthone and ethyl dimethylaminobenzoate, ethyl p-dimethylaminobenzoate, etc. Alkyl benzoic acids, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-o-benzoin oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-o-ethoxycarbonyloxime, and the like.

また、本発明におけるレジストインクには、必要に応じて、マラカイトグリーン等の染料、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、p−トルエンスルホン酸アミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤などを(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して各々0.01〜20質量部程度含有することができる。p−トルエンスルホン酸アミド等のほかに、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用できる。
また、本発明のレジストインクには、必要に応じて、熱安定性や保存安定性を向上させる為のラジカル重合禁止剤、可塑剤等の添加剤を添加することができる。
In addition, the resist ink in the present invention includes, if necessary, a dye such as malachite green, a photochromic agent such as leuco crystal violet, a thermochromic inhibitor, a plasticizer such as p-toluenesulfonic acid amide, a pigment, and a filler. , Antifoaming agent, flame retardant, adhesion-imparting agent, leveling agent, peeling accelerator, antioxidant, fragrance, imaging agent, thermal crosslinking agent, etc. with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B) About 0.01 to 20 parts by mass. In addition to p-toluenesulfonic acid amide and the like, these can be used alone or in combination of two or more.
Moreover, additives, such as a radical polymerization inhibitor and a plasticizer for improving thermal stability and storage stability, can be added to the resist ink of the present invention as necessary.

上記ラジカル重合禁止剤としては、例えば、p−メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロールナフチルアミン塩化第一銅、ペンタエリスリチルテトラキス(3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)(日本チバガイギー社製 IRGANOX(登録商標)1010)、トリエチレングリコール−ビス(3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)(日本チバガイギー社製 IRGANOX(登録商標)245)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート(日本チバガイギー社製 IRGANOX(登録商標)1076)などが挙げられる。   Examples of the radical polymerization inhibitor include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol naphthylamine cuprous chloride, pentaerythrityltetrakis (3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate) ( IRGANOX (registered trademark) 1010 manufactured by Ciba-Geigy Corporation of Japan, triethylene glycol-bis (3- (3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate) (IRGANOX (registered trademark) 245 manufactured by Ciba-Geigy Corporation of Japan) And octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate (IRGANOX (registered trademark) 1076 manufactured by Ciba-Geigy Japan).

該可塑剤としては、例えば、ジエチルフタレート、ジフェニルフタレート等のフタル酸エステル系化合物、p−トルエンスルホンアミド等のスルホンアミド系化合物、石油樹脂、ロジン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール(東亜合成化学工業(株)製 カルボジオール(登録商標)D−2000)、エチレングリコール−プロピレングリコールブロック共重合体、、ビスフェノールAの両端にエチレンオキシド、もしくはプロピレンオキシドを付加した化合物アデカノール(登録商標)SDX−1569、アデカノール(登録商標)SDX−1570、アデカノール(登録商標)SDX−1571、アデカノール(登録商標)SDX−479(以上旭電化(株)製)、ニューポール(登録商標)BP−23P、ニューポール(登録商標)BP−3P、ニューポール(登録商標)BP−5P、ニューポール(登録商標)BPE−20T、ニューポール(登録商標)BPE−60、ニューポール(登録商標)BPE−100、ニューポール(登録商標)BPE−180(以上三洋化成(株)製)、ユニオール(登録商標)DB−400、ユニオール(登録商標)DAB−800、ユニオール(登録商標)DA−350F、ユニオール(登録商標)DA−400、ユニオール(登録商標)DA−700(以上日本油脂(株)製)、BA−P4Uグリコール、BA−P8グリコール(以上日本乳化剤(株)製)等が挙げられる。   Examples of the plasticizer include phthalate compounds such as diethyl phthalate and diphenyl phthalate, sulfonamide compounds such as p-toluenesulfonamide, petroleum resin, rosin, polyethylene glycol, polypropylene glycol (Toa Gosei Chemical Co., Ltd.) ) Carbodiol (registered trademark) D-2000), ethylene glycol-propylene glycol block copolymer, compound Adecanol (registered trademark) SDX-1569 with ethylene oxide or propylene oxide added to both ends of bisphenol A, Adecanol (registered) Trademarks) SDX-1570, Adecanol (registered trademark) SDX-1571, Adecanol (registered trademark) SDX-479 (manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.), New Pole (registered trademark) BP-23P, New Pole ( (Registered trademark) BP-3P, New Pole (registered trademark) BP-5P, New Pole (registered trademark) BPE-20T, New Pole (registered trademark) BPE-60, New Pole (registered trademark) BPE-100, New Pole ( (Registered trademark) BPE-180 (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.), UNIOR (registered trademark) DB-400, UNIOR (registered trademark) DAB-800, UNIOR (registered trademark) DA-350F, UNIOR (registered trademark) DA- 400, Uniol (registered trademark) DA-700 (manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd.), BA-P4U glycol, BA-P8 glycol (manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.) and the like.

該発色剤して例えば、トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン{ロイコクリスタルバイオレット}、トリス(4−ジエチルアミノ2−メチルフェニル)メタン{ロイコマラカイトグリーン}などが挙げられる。
該密着性付与剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N(N,N−ジ−2−エチルヘキシル)アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、N(N,N−ジ−2−ヒドロシキエチル)アミノメチレンベンゾトリアゾール、N(N,N−ジ−2−エチルヘキシル)アミノエチレンカルボキシベンゾトリアゾール、1−N−ジエチルアミノメチルカルボキシベンゾトリアゾール、1−N−ジプロピルアミノメチルカルボキシベンゾトリアゾール、1−N−ジブチルアミノメチルカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。
Examples of the color former include tris (4-dimethylaminophenyl) methane {leuco crystal violet}, tris (4-diethylamino 2-methylphenyl) methane {leucomalachite green}, and the like.
Examples of the adhesion-imparting agent include benzotriazole, carboxybenzotriazole, N (N, N-di-2-ethylhexyl) aminomethylenecarboxybenzotriazole, and N (N, N-di-2-hydroxyethyl) amino. Methylenebenzotriazole, N (N, N-di-2-ethylhexyl) aminoethylenecarboxybenzotriazole, 1-N-diethylaminomethylcarboxybenzotriazole, 1-N-dipropylaminomethylcarboxybenzotriazole, 1-N-dibutylamino And methyl carboxybenzotriazole.

また、本発明のレジストインクは適当な溶剤により希釈して適正な粘度を有するインクとして使用される。
本発明において、レジストパターンをアルカリ水溶液中に40秒浸漬したときの膨潤率は50%以上である。上限としては500%が考えられる。より好ましくは80%以上であり、さらに好ましくは100%以上である。剥離不良の観点から膨潤率は50%以上が好ましい。アルカリ水溶液としては特に限定はされないが、0.1%〜10%程度の水酸化ナトリウム、水酸化カリウム水溶液が用いられる。また、有機アミン水溶液を用いることもできる。
The resist ink of the present invention is used as an ink having an appropriate viscosity after being diluted with a suitable solvent.
In the present invention, the swelling rate when the resist pattern is immersed in an aqueous alkali solution for 40 seconds is 50% or more. An upper limit of 500% is conceivable. More preferably, it is 80% or more, More preferably, it is 100% or more. From the viewpoint of defective peeling, the swelling rate is preferably 50% or more. Although it does not specifically limit as aqueous alkali solution, About 0.1 to 10% of sodium hydroxide and potassium hydroxide aqueous solution is used. Moreover, organic amine aqueous solution can also be used.

本発明の膨潤率は次の方法で測定される。まずレジストインクをポリエチレンテレフタレートフィルムの上にノズルから2cm四方の範囲で吐出する。レジストインクが感光性レジストインクではない場合は、吐出された2cm四方のレジストパターンとしてレジストインクを剥がし、3%水酸化ナトリウム水溶液に40秒間浸漬する。導体パターンを形成する際に乾燥等の工程を要する場合は、その工程によりレジストインクを導体パターンを形成するときと同様に硬化した後、ポリエチレンテレフタレートフィルムより剥がし、3%水酸化ナトリウム溶液に浸漬しする。レジストインクが感光性レジストインクである場合は、レジストインクの吐出についで高圧水銀ランプにより照射を行う。照射線量はレジストパターンを硬化し導体パターンを形成するのに要する線量に応じて設定される。硬化された2cm四方のレジストインクをレジストパターンとして剥がし、3%水酸化ナトリウム水溶液に40秒間浸漬する。   The swelling ratio of the present invention is measured by the following method. First, a resist ink is discharged on a polyethylene terephthalate film in a range of 2 cm square from a nozzle. When the resist ink is not a photosensitive resist ink, the resist ink is removed as a discharged 2 cm square resist pattern and immersed in a 3% aqueous sodium hydroxide solution for 40 seconds. If a process such as drying is required when forming the conductor pattern, the resist ink is cured in the same manner as when forming the conductor pattern, and then peeled off from the polyethylene terephthalate film and immersed in a 3% sodium hydroxide solution. To do. When the resist ink is a photosensitive resist ink, irradiation with a high-pressure mercury lamp is performed after the discharge of the resist ink. The irradiation dose is set according to the dose required to cure the resist pattern and form the conductor pattern. The cured 2 cm square resist ink is peeled off as a resist pattern and immersed in a 3% aqueous sodium hydroxide solution for 40 seconds.

上記のように浸漬したレジストパターンを水酸化ナトリウム水溶液から取り出し、四辺を測定することにより、面積S(cm)を算出する。下記式(I)により膨潤率を算出する。
(膨潤率)(%)=(S/4 − 1)x100 ・・・・・・(I)
The resist pattern soaked as described above is taken out from the aqueous sodium hydroxide solution, and the area S (cm 2 ) is calculated by measuring four sides. The swelling ratio is calculated by the following formula (I).
(Swelling ratio) (%) = (S / 4−1) × 100 (I)

次に本発明の実施例を、図1を用いて説明する。インク5は表1および表2に記載の樹脂組成物をメチルエチルケトン/イソプロパノール混合溶剤に溶解したものを使用する。   Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Ink 5 is obtained by dissolving the resin compositions shown in Tables 1 and 2 in a mixed solvent of methyl ethyl ketone / isopropanol.

[実施例]
厚さ25μmのポリイミドフィルムの片面に厚さ18μmの銅箔3が積層されたフレキシブル銅張積層板1を用意する。ついで、インク5を銅張積層板1の銅箔3上にノズル4から吹き付け、導体パターンを形成する部分を覆うようにレジストパターン6を形成する。次いで高圧水銀ランプにより照射を行い、レジストパターンを硬化する。
次にこのレジストパターン6に覆われていない部分の銅箔3を塩化銅系エッチング液を用いて除去する。最後に、上記レジストパターン6を銅箔3から剥離液(3%NaOH水溶液)を用いて剥離し導体パターン7を形成すると、プリント配線板が得られる。
[Example]
A flexible copper-clad laminate 1 in which a copper foil 3 having a thickness of 18 μm is laminated on one side of a polyimide film having a thickness of 25 μm is prepared. Next, the ink 5 is sprayed from the nozzle 4 onto the copper foil 3 of the copper-clad laminate 1 to form a resist pattern 6 so as to cover the portion where the conductor pattern is to be formed. Next, irradiation with a high-pressure mercury lamp is performed to cure the resist pattern.
Next, the copper foil 3 in a portion not covered with the resist pattern 6 is removed using a copper chloride etching solution. Finally, when the resist pattern 6 is peeled from the copper foil 3 using a stripping solution (3% NaOH aqueous solution) to form a conductor pattern 7, a printed wiring board is obtained.

<評価>
レジストパターンの膨潤率を上記に従い測定し、式(I)により算出する。いずれのインク組成においても膨潤率は150%以上である。
いずれの組成においてもレジストパターンの硬化性は良好である。
基板上の剥離不良の有無を目視により観察する。いずれの組成においても剥離残はない。
導体パターンを光学顕微鏡により観察する。いずれの組成にも導体のガタツキ・欠け・断線はない。
<Evaluation>
The swelling ratio of the resist pattern is measured according to the above, and calculated by the formula (I). In any ink composition, the swelling rate is 150% or more.
Regardless of the composition, the curability of the resist pattern is good.
The presence or absence of peeling defects on the substrate is visually observed. There is no peeling residue in any composition.
The conductor pattern is observed with an optical microscope. There is no backlash, chipping or disconnection of the conductor in any composition.

Figure 2005057018
Figure 2005057018

Figure 2005057018
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本発明は、導体パターンの製造に利用でき、プリント配線板の製造に好適に利用することができる。マスクパターンを必要とせず、現像工程も必要としないため導体パターンの作成時間を大幅に短縮でき、現像廃液処理による環境負荷をなくすことが可能であり、産業上有用である。   The present invention can be used for manufacturing a conductor pattern, and can be suitably used for manufacturing a printed wiring board. Since the mask pattern is not required and the development process is not required, the conductor pattern creation time can be greatly shortened, and the environmental burden due to the development waste liquid treatment can be eliminated, which is industrially useful.

本発明の導体パターン等の作成方法を示した図である。It is the figure which showed the preparation methods of the conductor pattern etc. of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 銅張積層板
2 絶縁層
3 銅箔
4 ノズル
5 レジストインク
6 レジストパターン
7 導体パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Copper clad laminated board 2 Insulating layer 3 Copper foil 4 Nozzle 5 Resist ink 6 Resist pattern 7 Conductor pattern

Claims (5)

レジスト直描方式によるレジストパターンの形成に用いられるレジストインクにおいて、形成されたレジストパターンを3%アルカリ水溶液中に40秒間浸漬したときの膨潤率が50%以上である事を特徴とするレジストインク。 A resist ink, which is used for forming a resist pattern by a direct resist drawing method, and has a swelling ratio of 50% or more when the formed resist pattern is immersed in a 3% alkaline aqueous solution for 40 seconds. 感光性であることを特徴とする請求項1記載のレジストインク。 2. The resist ink according to claim 1, wherein the resist ink is photosensitive. 請求項1または2記載のレジストインクを用いたレジスト直描方式によるレジストパターンの形成方法。 A method for forming a resist pattern by a resist direct drawing method using the resist ink according to claim 1. 請求項3記載の方法によりレジストパターンを形成し、レジストパターンに覆われていない部分をエッチングまたはめっきすることによる、導体パターンの形成方法。 A method for forming a conductor pattern, comprising: forming a resist pattern by the method according to claim 3; and etching or plating a portion not covered with the resist pattern. 請求項4記載の方法を用いたプリント配線板の製造方法。 The manufacturing method of the printed wiring board using the method of Claim 4.
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