JP2005049827A - Ultraviolet polarizing beam splitter with minimum apodization - Google Patents

Ultraviolet polarizing beam splitter with minimum apodization Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a beam splitter having a comparatively flat apodization function over a wide angle range, which can be used in ultraviolet photolithography. <P>SOLUTION: The beam splitter includes a first fluoride prism and a second fluoride prism. A coating interface is provided between the first and second fluoride prisms, wherein an overall R(s)*T(p) function of the beam splitter varies no more than ±2.74% in the range of 40-50 degrees of incidence. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は光学系に関し、詳細にはマイクロリソグラフィにおいて用いられるビームスプリッタに関する。   The present invention relates to an optical system, and more particularly to a beam splitter used in microlithography.

関連技術
フォトリソグラフィ(マイクロリソグラフィとも称する)は半導体製造技術である。フォトリソグラフィは、半導体デバイス設計において微細パターンを生成するために紫外線光または可視光を使用する。フォトリソグラフィ技術を利用してダイオードやトランジスタならびに集積回路などのような多くのタイプの半導体デバイスを製造することができる。半導体製造において、エッチングなどフォトリソグラフィ技術を実行するために露光システムまたは露光ツールが使用される。露光システムには光源、レチクル、縮小光学系、ウェハアライメントステージを含めることができる。半導体パターンのイメージはレチクル(マスクとも称する)上にプリントまたは製造される。光源によってレチクルが照射され、個々のレチクルパターンのイメージが生成される。レチクルパターンの高品質のイメージをウェハに与えるために縮小光学系が用いられる。これについてはNonogaki等によるMicrolithography Fundamentals in Semiconductor Devices and Fabrication Technology, Marcel Dekker, Inc., New York, NY (1998) を参照されたい。これを本願発明の参考文献とする。
Related Art Photolithography (also referred to as microlithography) is a semiconductor manufacturing technology. Photolithography uses ultraviolet light or visible light to generate fine patterns in semiconductor device design. Many types of semiconductor devices such as diodes, transistors and integrated circuits can be manufactured using photolithography techniques. In semiconductor manufacturing, exposure systems or exposure tools are used to perform photolithography techniques such as etching. The exposure system can include a light source, a reticle, a reduction optical system, and a wafer alignment stage. The image of the semiconductor pattern is printed or manufactured on a reticle (also called a mask). The reticle is irradiated by the light source, and an image of each reticle pattern is generated. Reduction optics are used to provide a high quality image of the reticle pattern to the wafer. See Nonogaki et al., Microlithography Fundamentals in Semiconductor Devices and Fabrication Technology, Marcel Dekker, Inc., New York, NY (1998). This is a reference for the present invention.

集積回路はどんどん複雑になっている。レイアウト中に存在するコンポーネントの個数ならびに集積密度が高まっている。また、最小フィーチャサイズを常に小さくしたいという要求が高い。最小フィーチャサイズ(線幅とも称する)とは、許容範囲内で製造可能な半導体フィーチャの最小寸法である。このようなことから、フォトリソグラフィシステムおよびフォトリソグラフィ技術によっていっそう高い解像度を提供することがますます重要になってきている。   Integrated circuits are becoming more and more complex. The number of components present in the layout and the integration density are increasing. In addition, there is a high demand for always reducing the minimum feature size. The minimum feature size (also referred to as line width) is the smallest dimension of a semiconductor feature that can be manufactured within an acceptable range. For this reason, it is becoming increasingly important to provide higher resolutions with photolithography systems and photolithography techniques.

解像度を改善する1つの試みは、製造時に使用される光の波長を短くすることである。縮小光学系の開口数(NA)を高めることによっても解像度が改善される。実際、市販の露光システムは光の波長を短くしかつNAを増大させることで発展してきた。   One attempt to improve resolution is to shorten the wavelength of light used during manufacturing. The resolution can also be improved by increasing the numerical aperture (NA) of the reduction optical system. Indeed, commercial exposure systems have been developed by shortening the wavelength of light and increasing the NA.

反射屈折型縮小光学系に設けられているミラーは、レチクルを通ってウェハに到達した後、結像光を反射する。システムの光路中にビームスプリッタキューブが使用される。ただし慣用のビームスプリッタキューブは入射光の約50%を透過し、入射光の約50%を反射する。したがって光路の個々のコンフィギュレーションによっては、ビームスプリッタのところでかなりの光損失が生じてしまう可能性がある。   The mirror provided in the catadioptric reduction optical system reflects the imaging light after reaching the wafer through the reticle. A beam splitter cube is used in the optical path of the system. However, conventional beam splitter cubes transmit about 50% of incident light and reflect about 50% of incident light. Thus, depending on the particular configuration of the optical path, significant light loss can occur at the beam splitter.

しかしながら紫外線フォトリソグラフィにおいて重要であるのは、ほとんどあるいはまったく損失のない縮小光学系を介した高度な光透過性を維持することである。この場合、露光時間および半導体製造時間全体は、ウェハへ出射される光の強度または大きさに左右される。ビームスプリッタにおける光の損失を低減するために、偏光ビームスプリッタと1/4波長板が使用される。一般に、偏光ビームスプリッタは最大の光学的スループットが得られるよう設計されるが、その際、アポダイゼーションに対し特別に配慮されることなくそれらのビームスプリッタが投影光学系の瞳の上に置かれる。開口数の小さい光学系の場合(すなわちビームスプリッタコーティングにおける比較的小さい動作角レンジに対応する開口数の場合)、このことはたいした問題ではない。なぜならばコーティングの本来の帯域幅は要求を満たすのに一般に十分大きいからである。しかし開口数が高くなるとコーティングデザインがいっそう複雑になり、その結果、動作角度範囲にわたってパフォーマンスの不所望な変動が増大してしまう。   However, what is important in ultraviolet photolithography is to maintain a high degree of light transmission through a reduction optical system with little or no loss. In this case, the exposure time and the entire semiconductor manufacturing time depend on the intensity or magnitude of the light emitted to the wafer. In order to reduce the loss of light in the beam splitter, a polarizing beam splitter and a quarter wave plate are used. In general, polarizing beam splitters are designed for maximum optical throughput, in which case they are placed on the pupil of the projection optics without special consideration for apodization. In the case of an optical system with a small numerical aperture (ie for a numerical aperture corresponding to a relatively small operating angle range in the beam splitter coating) this is not a significant problem. This is because the natural bandwidth of the coating is generally large enough to meet the requirements. However, higher numerical apertures add to the complexity of the coating design, resulting in an increase in undesirable performance variations over the operating angle range.

したがって紫外線フォトリソグラフィにおいて使用できる広い角度範囲にわたって比較的フラットなアポダイゼーション関数をもつビームスプリッタが必要とされる。   Therefore, there is a need for a beam splitter that has a relatively flat apodization function over a wide range of angles that can be used in ultraviolet photolithography.

発明の概要
本発明によれば、比較的フラットなアポダイゼーション関数をもつビームスプリッタを提供する技術が実現される。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a technique for providing a beam splitter having a relatively flat apodization function is realized.

本発明の1つの実施形態によれば、P透過率とS透過率の積が比較的フラットであるビームスプリッタが提供される。   According to one embodiment of the present invention, a beam splitter is provided in which the product of P transmittance and S transmittance is relatively flat.

本発明の別の実施形態によれば、紫外線と遠紫外線のフォトリソグラフィの用途に利用可能な上述の特性をもつビームスプリッタが提供される。   According to another embodiment of the present invention, there is provided a beam splitter having the above-described properties that can be used for ultraviolet and deep ultraviolet photolithography applications.

本発明の1つの観点によれば、第1のフッ化物プリズムと第2のフッ化物プリズムをもつビームスプリッタが提供される。第1のフッ化物プリズムと第2のフッ化物プリズムとの間にコーティング界面が設けられており、この場合、ビームスプリッタのR(s)*T(p)関数全体は、40〜50度の入射角度範囲内で±2.74%よりも大きくは変動しない。   According to one aspect of the present invention, a beam splitter having a first fluoride prism and a second fluoride prism is provided. A coating interface is provided between the first fluoride prism and the second fluoride prism. In this case, the entire R (s) * T (p) function of the beam splitter is 40 to 50 degrees incident. It does not vary more than ± 2.74% within the angular range.

以下の説明において本発明のその他の特徴や利点について述べる。それらは部分的には以下の説明から明らかになるであろうし、あるいは本発明の実施にあたり学ぶことのできるものである。本発明の目標ならびにその他の利点はたとえば、ここで述べる説明および特許請求の範囲ならびに添付の図面に示された構造によって実現されることになる。   Other features and advantages of the present invention are described in the following description. They will be apparent in part from the description which follows, or can be learned in the practice of the invention. The goals and other advantages of the invention will be realized, for example, by the structure described in the description and claims hereof and the accompanying drawings.

これらのことやさらにその他の利点を本発明の目的に従って達成するために、添付の図面が用いられる。添付の図面には以下の説明とともに本発明が示されており、これは本発明の原理を説明するのに役立ち、当業者であればこれによって本発明を実施して利用することができる。   In order to achieve these and other advantages in accordance with the objectives of the present invention, the accompanying drawings will be used. The accompanying drawings, together with the following description, illustrate the invention, which is useful for explaining the principles of the invention and which enable those skilled in the art to practice and use the invention.

有利な実施形態の詳細な説明
次に、添付の図面を参照しながら本発明について説明する。図中、同じ素子または機能的に類似の素子には同じ参照符号が付されている。さらに参照符号中、一番左側の数字はその参照符号が最初に現れた図面を示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. In the figures, the same or functionally similar elements are given the same reference numerals. Further, in the reference numerals, the leftmost numeral indicates the drawing in which the reference numerals first appear.

ここでは本発明を特定の用途に関する実施形態に基づき説明するけれども、本発明はこれに限定されるものではない。当業者であればここで説明したことからさらに付加的な変形実施形態や用途ならびに本発明の範囲内の実施形態、さらには本発明がきわめて有用となる付加的な分野を見出すことができる。   Although the present invention will now be described based on embodiments relating to specific applications, the present invention is not limited thereto. Those skilled in the art can find additional variations and applications as well as embodiments within the scope of the present invention, as well as additional fields in which the present invention is extremely useful, from what has been described herein.

用語
本発明に関連して用いられる用語「ビームスプリッタ」または「キューブ」は幅広い意味をもっており、限定されるものではないけれども、キューブ形状全般、立方体形状または面取りされたキューブ形状あるいはそれらに近い形状をもつビームスプリッタのことを指す。
Terminology The term “beam splitter” or “cube” as used in connection with the present invention has a broad meaning and includes, but is not limited to, general cube shapes, cube shapes or chamfered cube shapes or similar shapes. It refers to the beam splitter that has it.

用語「共役遠端」とは、縮小光学系における物体またはレチクルの端部における平面のことである。   The term “conjugate far end” refers to a plane at the end of an object or reticle in a reduction optical system.

用語「共役近端」とは、縮小光学系のイメージまたはウェハの端部における平面のことである。   The term “conjugate near end” refers to the image at the reduction optics or a plane at the edge of the wafer.

用語「ウェハ」とは、半導体製造におけるベース材料のことであり、これは一連のフォトマスクステップ、エッチングステップおよび/または実装ステップを経たものである。   The term “wafer” refers to a base material in semiconductor manufacturing that has undergone a series of photomask steps, etching steps and / or mounting steps.

用語「波長板」とは、複屈折性をもつ材料から成るリターデイションプレートまたは移相器のことである。   The term “wave plate” refers to a retardation plate or phase shifter made of a material having birefringence.

図1Aおよび図1Bには、慣用の反射屈折型の慣用の縮小光学系において使用される慣用の偏光ビームスプリッタキューブ100が例示されている。偏光ビームスプリッタキューブ100は、2つのプリズム110,150とコーティング界面120を有している。プリズム120,150は石英ガラスないしは融解ガラスから成り、これは248nmと193nmの波長において透過性である。コーティング界面120は多層積層体である。多層積層体は交互に配置された薄膜層である。この交互配置薄膜層は、比較的高い屈折率と比較的低い屈折率(nとn)をもつ複数のフィルムによって構成されている。この交互配置薄膜層およびそれらの個々の屈折率は、MacNeille条件(Brewster条件とも称する)が満たされるように選定される。1つの例を挙げると、高屈折率材料は酸化アルミニウムであり、低屈折率材料はフッ化アルミニウムである。スタック製造中に保護層を加えることができる。交互配置層のうちの1つを界面152のところでプリズム150に取り付けるために、あるいは界面112のところでプリズム110に保護層を取り付けるために、セメントまたはグルーが含まれている。図2Aに示されているように(U.S. Pat. No. 2,403,731に記載されているように)MacNeille条件とは、多層積層体に入射される光がそれぞれ異なる偏光状態で2つのビーム260,280に分割されるときの条件である。たとえば出射ビーム260はS偏光されたビームであり、出射ビーム280はP偏光されたビームである(あるいは互いに90度偏光されたビームである)。図2Bには、光の損失を最小にするために反射屈折型縮小光学系において偏光ビームスプリッタを使用する利点が示されている。入射光200(通常はS偏光とP偏光をもつ)は1/4波長板210を通過する。1/4波長板210は入射光200をすべてS偏光状態の直線偏光ビームに変換する。ビームスプリッタキューブ100はS偏光のすべてをまたは一部分を1/4波長板220およびミラー225へ反射する。1/4波長板220は二重に通過させれば半波長板のように動作する。1/4波長板220はS偏光された光を円偏光された光に変換し、ミラー225から反射した後、P偏光された光に変換する。P偏光された光はビームスプリッタキューブ100を透過し、P偏光ビーム290としてウェハへ向かって出射される。このようにして偏光ビームスプリッタ100と1/4波長板210,220とによって、ミラー225を含む反射屈折型縮小光学系における光損失が回避される。なお、代案として、ミラー225と1/4波長板220をキューブ100の界面Aではなく界面Bのところに配置することもでき、これによってもコンパクトな光路長を介した同様の完全な光透過性またはほぼ完全な光透過性が達成される。 1A and 1B illustrate a conventional polarizing beam splitter cube 100 used in a conventional catadioptric conventional reduction optical system. The polarizing beam splitter cube 100 has two prisms 110 and 150 and a coating interface 120. The prisms 120 and 150 are made of quartz glass or molten glass, which is transparent at wavelengths of 248 nm and 193 nm. The coating interface 120 is a multilayer laminate. A multilayer stack is thin film layers arranged alternately. This alternating thin film layer is composed of a plurality of films having a relatively high refractive index and a relatively low refractive index (n 1 and n 2 ). The alternating thin film layers and their individual refractive indices are selected such that the MacNeille condition (also referred to as the Brewster condition) is met. In one example, the high refractive index material is aluminum oxide and the low refractive index material is aluminum fluoride. A protective layer can be added during stack manufacture. Cement or glue is included to attach one of the alternating layers to the prism 150 at the interface 152 or to attach a protective layer to the prism 110 at the interface 112. As shown in FIG. 2A (as described in US Pat. No. 2,403,731), the MacNeille condition means that the light incident on the multilayer stack is split into two beams 260, 280 in different polarization states. It is a condition when it is divided. For example, the outgoing beam 260 is an S-polarized beam and the outgoing beam 280 is a P-polarized beam (or beams that are 90 degrees polarized with respect to each other). FIG. 2B illustrates the advantage of using a polarizing beam splitter in a catadioptric reduction optical system to minimize light loss. Incident light 200 (usually having S-polarized light and P-polarized light) passes through quarter-wave plate 210. The quarter-wave plate 210 converts all incident light 200 into a linearly polarized beam in the S polarization state. Beam splitter cube 100 reflects all or a portion of the S-polarized light to quarter wave plate 220 and mirror 225. The quarter-wave plate 220 operates like a half-wave plate if it is passed twice. The quarter-wave plate 220 converts S-polarized light into circularly-polarized light, reflects the light from the mirror 225, and then converts it into P-polarized light. The P-polarized light passes through the beam splitter cube 100 and is emitted toward the wafer as a P-polarized beam 290. In this way, light loss in the catadioptric reduction optical system including the mirror 225 is avoided by the polarizing beam splitter 100 and the quarter wavelength plates 210 and 220. As an alternative, the mirror 225 and the quarter-wave plate 220 can be arranged not at the interface A of the cube 100 but at the interface B, which also provides the same complete light transmission through a compact optical path length. Or almost complete light transmission is achieved.

以下で説明する本発明を、反射屈折型フォトリソグラフィシステムに使用することができる。ビームスプリッタが所定の角度範囲にわたって使用され、光がこのビームスプリッタを2回、直交偏光のかたちで通過するようないかなる偏光ビームスプリッタシステムにおいても使用できる。   The invention described below can be used in a catadioptric photolithography system. It can be used in any polarizing beam splitter system where a beam splitter is used over a range of angles and light passes through the beam splitter twice in the form of orthogonal polarization.

図1A〜図2Bを参照しながらこれまで説明した典型的な偏光ビームスプリッタは光学的スループットが最大になるよう設計されているけれども、アポダイゼーションに対して特別に配慮されることなくそれらが投影光学系の瞳の上におかれる。開口数の小さいシステム(すなわちビームスプリッタコーティングにおける動作角の範囲が比較的小さいシステム)では、このことはさしたる問題とはならない。そのようなシステムの場合にはコーティングの本来の帯域幅が要求を満たすために十分に大きい。開口数が大きくなるとコーティング設計がいっそう複雑になり、その結果、動作角範囲にわたって望ましくないパフォーマンスの変動が増加してしまう。   Although the exemplary polarizing beam splitters described so far with reference to FIGS. 1A-2B are designed to maximize optical throughput, they do not require special consideration for apodization. Put on your eyes. In systems with a small numerical aperture (ie systems with a relatively small range of operating angles in the beam splitter coating) this is not a significant problem. In such a system, the original bandwidth of the coating is large enough to meet the requirements. Larger numerical apertures add to the complexity of the coating design, resulting in increased undesirable performance variation over the operating angle range.

本発明のビームスプリッタの場合には光はビームスプリッタを2回通過し、1回目はS偏光になり2回目は再びP偏光になる。2つのパフォーマンス曲線(角度の関数としてのSおよびP)が互いにかけ合わせられて、コーティングが系の瞳に引き起こすアポダイゼーション全体が決定される。低い瞳アポダイゼーションをもつコーティングを設計するためのこれまでの努力は、Sパフォーマンス曲線とPパフォーマンス曲線を個々にフラットにすることに焦点を当ててきた。ビームスプリッタコーティングの設計の場合、S偏光のパフォーマンスを変える方が簡単であり、P偏光のパフォーマンスを変える方が難しい。システム内でビームスプリッタを2回通過させれば、S偏光パフォーマンスが逆の「痕跡」をもつコーティングによってP偏光パフォーマンスの変動を補償することができる。2つの関数R(s)とT(p)をいっしょにかけ合わせれば、それによって比較的フラットなアポダイゼーション関数R(s)*T(p)が生成される。   In the case of the beam splitter of the present invention, the light passes through the beam splitter twice, the first time becomes S-polarized light and the second time becomes P-polarized light again. The two performance curves (S and P as a function of angle) are multiplied together to determine the overall apodization that the coating causes on the pupil of the system. Previous efforts to design coatings with low pupil apodization have focused on flattening the S and P performance curves individually. For beam splitter coating designs, it is easier to change the performance of S-polarized light and it is more difficult to change the performance of P-polarized light. Passing the beam splitter twice in the system can compensate for variations in P-polarization performance by coatings with “traces” that have opposite S-polarization performance. Multiplying the two functions R (s) and T (p) together produces a relatively flat apodization function R (s) * T (p).

比較的フラットなR(s)*T(p)関数を実現するため、本発明によれば紫外線(UV)偏光ビームスプリッタが提供される。UV偏光ビームスプリッタは200nm以下の波長の光に対し透過性であり、たとえば193nmまたは157nmの波長の光に対し透過性である。UV偏光ビームスプリッタは、反射率と透過率の広い角度にわたって高品質の入射光で結像させることができる。さらにUV偏光ビームスプリッタは、ウェハ平面における開口数が0.6よりも大きくたとえば0.75である縮小光学系における発散光に適応できる。種々の実施形態においてUV偏光ビームスプリッタにキューブ形状、立方体形状、面取りされたキューブ形状あるいはそれらに近い形状をもたせることができる。   In order to achieve a relatively flat R (s) * T (p) function, an ultraviolet (UV) polarizing beam splitter is provided according to the present invention. The UV polarizing beam splitter is transparent to light having a wavelength of 200 nm or less, and is transparent to light having a wavelength of 193 nm or 157 nm, for example. UV polarizing beam splitters can image with high quality incident light over a wide range of reflectance and transmittance. Furthermore, the UV polarization beam splitter can be adapted to diverging light in a reduction optical system whose numerical aperture in the wafer plane is larger than 0.6, for example 0.75. In various embodiments, the UV polarizing beam splitter can have a cube shape, a cube shape, a chamfered cube shape, or a shape close thereto.

1つの実施形態によれば、UV偏光ビームスプリッタキューブは1対のプリズムとコーティングインタフェースを有している。プリズムは少なくとも1つのフッ化物材料から成り、たとえばフッ化カルシウム(CaF)またはフッ化バリウム(BaF)から成る。コーティング界面は薄膜フッ化物材料から成る複数の層を有している。1つの実施形態によればコーティング界面は、薄膜フッ化物材料が交互に配置された層から成る多層積層体である。薄膜フッ化物材料が交互に配置された層は、第1のフッ化物材料と第2のフッ化物材料から成る。これら第1のフッ化物材料と第2のフッ化物材料は、それぞれ第1の屈折率と第2の屈折率を有する。この場合、第1の屈折率は第2の屈折率よりも高い。本発明の1つの特徴によれば、第1および第2の屈折率によって比較的高い屈折率と比較的低い屈折率をもつフッ化物材料から成る積層体が形成され、これによればコーティング界面により、2つの偏光された状態に依存してUV光が分離される(このUV光には200nmよりも短い波長の光たとえば193nmまたは157nmが含まれる)。 According to one embodiment, the UV polarizing beam splitter cube has a pair of prisms and a coating interface. The prism is made of at least one fluoride material, for example, calcium fluoride (CaF 2 ) or barium fluoride (BaF 2 ). The coating interface has multiple layers of thin film fluoride material. According to one embodiment, the coating interface is a multilayer stack consisting of alternating layers of thin film fluoride material. The layer in which the thin film fluoride materials are alternately arranged is composed of the first fluoride material and the second fluoride material. The first fluoride material and the second fluoride material have a first refractive index and a second refractive index, respectively. In this case, the first refractive index is higher than the second refractive index. According to one feature of the invention, the first and second refractive indices form a laminate made of a fluoride material having a relatively high refractive index and a relatively low refractive index, according to the coating interface. Depending on the two polarized states, UV light is separated (this UV light includes light with a wavelength shorter than 200 nm, eg 193 nm or 157 nm).

1つの実施例によれば比較的フラットなR(s)*T(p)関数を実現するため、コーティング界面は(H L) H または(H L) のかたちの多層設計を有している。ここでHは比較的高い屈折率をもつ第1のフッ化物材料の層を表す。第1のフッ化物材料には以下の材料を含めることができる。ただしこれに限定されるものではない:三フッ化ガドリニウム(GdF)、三フッ化ランタン(LaF)、フッ化サマリウム(SmF)、フッ化ユウロピウム(EuF)、フッ化テルビウム(TbF)、フッ化ジスプロシム(DyF)、フッ化ホルミウム(HoF)、フッ化エルビウム(ErF)、フッ化ツリウム(TmF)、フッ化イッテルビウム(YbF)、フッ化ルテチウム(LuF)、フッ化ジルコニウム(ZrF)、フッ化ハフニウム(HfF)、フッ化イットリウム(YF)、フッ化ネオジム(NdF)、その他のランタニド系列の三フッ化物、金属フッ化物、あるいは高屈折率の紫外線透過材料のいずれか。Lは比較的低い屈折率をもつ第2のフッ化物材料の層を表す。第2のフッ化物材料には以下の材料を含めることができる。ただしこれに限定されるものではない:フッ化マグネシウム(MgF)、三フッ化アルミニウム(AlF)、フッ化バリウム(BaF)、フッ化ストロンチウム(SrF)、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ソジウム(NaF)、あるいは他の低屈折率の紫外線透過性材料。さらに値nは、ベースとなる(H L)グループを多層積層体においてn回繰り返すことを表し、ここでnは1またはそれよりも大きい整数である。 In order to achieve a relatively flat R (s) * T (p) function according to one embodiment, the coating interface has a multilayer design in the form of (H L) n H or (H L) n. Yes. Here, H represents a layer of the first fluoride material having a relatively high refractive index. The first fluoride material can include the following materials. However, it is not limited to this: gadolinium trifluoride (GdF 3 ), lanthanum trifluoride (LaF 3 ), samarium fluoride (SmF 3 ), europium fluoride (EuF 3 ), terbium fluoride (TbF 3) ), fluoride Jisupuroshimu (DyF 3), fluoride holmium (HoF 3), erbium fluoride (ErF 3), fluoride thulium (TmF 3), ytterbium fluoride (YbF 3), fluoride lutetium (LuF 3), Zirconium fluoride (ZrF 4 ), hafnium fluoride (HfF 4 ), yttrium fluoride (YF 3 ), neodymium fluoride (NdF 3 ), other lanthanide series trifluorides, metal fluorides, or high refractive index One of the UV transparent materials. L represents the second layer of fluoride material having a relatively low refractive index. The second fluoride material can include the following materials. However, it is not limited to this: magnesium fluoride (MgF 2 ), aluminum trifluoride (AlF 3 ), barium fluoride (BaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ) , Lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), or other low refractive index UV transmissive materials. Furthermore, the value n represents that the base (H L) group is repeated n times in the multilayer stack, where n is an integer of 1 or greater.

さらに別の特徴によれば、プリズムとコーティング界面はオプティカルコンタクトによって接合される。セメントの使用を阻むものではないが、ここではそれは不要である。   According to yet another feature, the prism and coating interface are joined by an optical contact. Although it does not prevent the use of cement, it is not necessary here.

さらに多層の設計を、コンピュータによる反復デザインによって形成することができる。また、光の入射角の変化を補償する目的でいかなる点においても層の厚さを調整するため、多層積層体における各層をプリズムの斜面にわたり段階づけることができる。   In addition, multi-layer designs can be formed by iterative design with a computer. Also, each layer in the multilayer stack can be stepped over the slope of the prism to adjust the layer thickness at any point for the purpose of compensating for changes in the incident angle of light.

本発明によれば、偏光状態に基づき入射光ビームを分割する方法が提供される。この方法には、複数のフッ化物材料層をもつコーティング界面を入射光に対し相対的な角度で配向するステップが含まれており、これによればコーティング界面は入射光を第1の偏光状態で透過させ、入射光を第2の偏光状態で反射する。1つの実施例によればこの方法はさらに、交互に配置された薄膜層の厚さならびにそれらの個々の屈折率を選択するステップが設けられており、これによればコーティング界面は200nm以下の波長の入射光を第1の偏光状態で透過させ、200nm以下の波長の入射光を第2の偏光状態で反射する。   According to the present invention, a method for splitting an incident light beam based on a polarization state is provided. The method includes orienting a coating interface having a plurality of fluoride material layers at an angle relative to incident light, whereby the coating interface directs incident light in a first polarization state. Transmit and reflect incident light in the second polarization state. According to one embodiment, the method further comprises the step of selecting the thickness of the alternating thin film layers as well as their respective refractive index, according to which the coating interface has a wavelength below 200 nm. Is transmitted in the first polarization state, and incident light having a wavelength of 200 nm or less is reflected in the second polarization state.

UV偏光ビームスプリッタ
図3Aには、本発明の1つの実施形態によるUV偏光ビームスプリッタキューブ300の斜視図が示されている。UV偏光ビームスプリッタキューブ300は一組のプリズム310,350とコーティング界面320を有している。プリズム310,350がフッ化物材料から成ると有利である。コーティング界面320は複数の薄膜フッ化物材料層を有している。
UV Polarizing Beam Splitter FIG. 3A shows a perspective view of a UV polarizing beam splitter cube 300 according to one embodiment of the present invention. The UV polarizing beam splitter cube 300 has a set of prisms 310 and 350 and a coating interface 320. Advantageously, the prisms 310, 350 are made of a fluoride material. The coating interface 320 has a plurality of thin film fluoride material layers.

図3Aに示されている実施例の場合、プリズム310は5つの面をもつ直角プリズムであり、これら5つの面は2つの側面と2つの端面と1つの斜面とから成る。2つの側面はそれらの境界で直角(またはほぼ直角)を成しており、直角のコーナー314,316を共有している。図3Aには一方の側面Bが示されており、他方の側面は示されていない。2つの端面はともに直角三角形である。図3Aに示されている一方の端面Aは、コーナー314における90°(または約90°)の角度と、このコーナー314に対向する2つの45°(または約45°)の角度とによって、その周囲で直角三角形を成している。他方の端面(図示せず)は、コーナー316における90°(または約90°)の角度と、このコーナー316に対向する2つの45°(または約45°)の角度とによって、その周囲で直角三角形を成している。斜面は平坦な面312であり、これは直角のコーナー314,316に対向する直角プリズム310の斜辺上にある。プリズム350もはやり5つの面をもつ直角プリズムであり、これら5つの面は2つの側面と2つの端面と1つの斜面とから成る。2つの側面はそれらの境界で直角(またはほぼ直角)を成しており、直角のコーナー354と356を共有している。図3Aには一方の側面Dが示されており、他方の側面は示されていない。2つの端面はともに直角三角形である。図3Aに示されている一方の端面Cは、コーナー354における90°(または約90°)の角度と、このコーナー354に対向する2つの45°(または約45°)の角度とによって、その周囲で直角三角形を成している。他方の端面(図示せず)は、コーナー356における90°(または約90°)の角度と、このコーナー356に対向する2つの45°(または約45°)の角度とによって、直角三角形を成している。斜面は平坦な面352であり、これは直角のコーナー354,356に対向する直角プリズム310の斜辺上にある。コーティング界面320は斜面312と352との間にまる。UV偏光ビームスプリッタキューブ300の幅、奥行き、高さの寸法は、図3Aに示されているようにそれぞれd1,d2,d3の値をもつ。1つの実施例によればd1,d2,d3は等しく(あるいはほぼ等しく)、プリズム310と350がそれらの面312と352に沿って結合されると、全体的にみて立方体またはキューブ状の形状をもつようになる。1つの実施形態によればプリズム310,350はフッ化カルシウム(CaF)材料、フッ化バリウム(BaF)材料、またはそれらの組み合わせから成る。 In the embodiment shown in FIG. 3A, prism 310 is a right-angle prism having five surfaces, and these five surfaces consist of two side surfaces, two end surfaces, and one inclined surface. The two sides form a right angle (or nearly a right angle) at their boundary and share a right corner 314,316. FIG. 3A shows one side B, and the other side is not shown. Both end faces are right triangles. One end face A shown in FIG. 3A has its 90 ° (or about 90 °) angle at the corner 314 and two 45 ° (or about 45 °) angles opposite the corner 314. It forms a right triangle around it. The other end face (not shown) is perpendicular at its periphery by an angle of 90 ° (or about 90 °) at the corner 316 and two 45 ° (or about 45 °) angles opposite the corner 316. It is a triangle. The bevel is a flat surface 312 which is on the hypotenuse of the right-angle prism 310 opposite the right-angle corners 314, 316. The prism 350 is a right angle prism having five surfaces, and these five surfaces are composed of two side surfaces, two end surfaces, and one inclined surface. The two sides form a right angle (or nearly a right angle) at their boundaries and share the right corners 354 and 356. In FIG. 3A, one side D is shown and the other side is not shown. Both end faces are right triangles. One end face C shown in FIG. 3A has its 90 ° (or about 90 °) angle at the corner 354 and two 45 ° (or about 45 °) angles opposite the corner 354. It forms a right triangle around it. The other end face (not shown) forms a right triangle by an angle of 90 ° (or about 90 °) at the corner 356 and two 45 ° (or about 45 °) angles opposite the corner 356. is doing. The slope is a flat surface 352 that is on the hypotenuse of the right-angle prism 310 opposite the right-angle corners 354,356. The coating interface 320 is between the slopes 312 and 352. The width, depth, and height dimensions of the UV polarizing beam splitter cube 300 have values of d1, d2, and d3, respectively, as shown in FIG. 3A. According to one embodiment, d1, d2, and d3 are equal (or nearly equal) and when prisms 310 and 350 are joined along their faces 312 and 352, the overall shape is a cube or cube. I will have. According to one embodiment, the prisms 310, 350 are made of a calcium fluoride (CaF 2 ) material, a barium fluoride (BaF 2 ) material, or a combination thereof.

コーティング界面
図3Bには、比較的フラットなR(s)*T(p)関数を達成するために使用されるコーティング界面320の一例の断面図が詳細に示されている。コーティング界面320には、薄膜フッ化材料(331〜337,341〜346)が交互に配置された層と保護層351から成る積層体が含まれている。反射防止(AR)コーティング(図示せず)をコーティング界面320に含めることもできる。保護層351とARコーティングはオプションである。また、本発明は薄膜フッ化材料が交互に配置された層が13個の層に限定されるものでもない。本明細書の記載から当業者にわかるように、一般に薄膜フッ化材料の交互に配置された層の個数をこれよりも多くしたり少なくしたりして用いることができる。さらに図3Bには、コーティング界面320がプリズム350の面352に取り付けられることが示されている。薄膜フッ化材料(331〜337,341〜346)が交互に配置された層および/または保護層から成る積層体は、慣用の薄膜技術を用いて面352上に成長させエッチングしまたは仕上げることができる。ついでプリズム310がコーティング界面320とオプティカルコンタクトされて配置される。このようにしてプリズム310と350はコーティング界面320を介して強く結合され、その結果、非常に堅牢な偏光ビームスプリッタキューブが得られる。本発明のさらに別の特徴によれば、このオプティカルコンタクト(ここでは光学素子はファン・デル・ワールス力により素子が相互に結合されるよう密に接合されている)に、プリズム310の斜面のような角度の付けられた面を含む複雑な幾何学的形状が与えられる。薄膜フッ化物材料が交互に配置された層には2つのグループの層が含まれている。第1の層グループ331〜337は第1の屈折率nを有する。第2の層グループ341〜346は第2の屈折率nを有する。本発明の1つの特徴によれば、第1および第2の屈折率nとnはそれぞれ異なる。たとえば第2の屈折率nは第1の屈折率nに比べて低い。このようにしてコーティング界面320は、比較的高い屈折率nと比較的低い屈折率nを交互にもつフッ化物材料331〜337,341〜346から成る積層体を含むようになり、これによりコーティング界面320はS偏光状態とP偏光状態のような2つの異なる偏光状態に基づき入射UV光を分離する。本発明によれば偏光ビームスプリッタキューブ300を、200nm以下の波長たとえば193nmまたは157.6nmの波長をもつ光とともに使用することができる。
Coating Interface FIG. 3B details a cross-sectional view of an example of a coating interface 320 used to achieve a relatively flat R (s) * T (p) function. The coating interface 320 includes a laminate composed of layers in which thin film fluorinated materials (331 to 337 and 341 to 346) are alternately arranged and a protective layer 351. An anti-reflective (AR) coating (not shown) can also be included at the coating interface 320. The protective layer 351 and the AR coating are optional. Further, the present invention is not limited to 13 layers in which thin film fluorinated materials are alternately arranged. As will be understood by those skilled in the art from the description of the present specification, the number of alternately arranged layers of the thin film fluorinated material can be generally increased or decreased. Further, FIG. 3B shows that the coating interface 320 is attached to the surface 352 of the prism 350. A stack of alternating layers of thin film fluorinated materials (331-337, 341-346) and / or protective layers can be grown and etched or finished on surface 352 using conventional thin film techniques. it can. A prism 310 is then placed in optical contact with the coating interface 320. In this way, prisms 310 and 350 are strongly coupled via coating interface 320, resulting in a very robust polarizing beam splitter cube. According to yet another feature of the invention, the optical contact (where the optical elements are tightly joined so that the elements are coupled together by van der Waals forces), such as the slope of the prism 310, A complex geometric shape including an angled surface is provided. The alternating layers of thin film fluoride material include two groups of layers. The first layer group 331 to 337 has a first refractive index n 1. The second layer group 341 to 346 has a second refractive index n 2. According to one feature of the invention, the first and second refractive indices n 1 and n 2 are different. For example, the second refractive index n 2 is lower than the first refractive index n 1 . Coating interface 320 in this way, it will contain a relatively high refractive index n 1 and a relatively low refractive index n 2 made of fluoride materials 331~337,341~346 having alternately stacked body, thereby The coating interface 320 separates incident UV light based on two different polarization states, such as an S polarization state and a P polarization state. In accordance with the present invention, the polarizing beam splitter cube 300 can be used with light having a wavelength of 200 nm or less, such as 193 nm or 157.6 nm.

上述のように、比較的フラットなR(s)*T(p)関数を達成する目的でコーティング界面320は(H L) H または(H L) のかたちの多層設計を有しており、ここでHは比較的高い屈折率をもつ第1のフッ化物材料から成る層を表す。第1のフッ化物材料には以下の材料を含めることができる。ただしこれに限定されるものではない:三フッ化ガドリニウム(GdF)、三フッ化ランタン(LaF)、フッ化サマリウム(SmF)、フッ化ユウロピウム(EuF)、フッ化テルビウム(TbF)、フッ化ジスプロシム(DyF)、フッ化ホルミウム(HoF)、フッ化エルビウム(ErF)、フッ化ツリウム(TmF)、フッ化イッテルビウム(YbF)、フッ化ルテチウム(LuF)、フッ化ジルコニウム(ZrF)、フッ化ハフニウム(HfF)、フッ化イットリウム(YF)、フッ化ネオジム(NdF)、その他のランタニド系列の三フッ化物、金属フッ化物、あるいは高屈折率の紫外線透過材料のいずれか。Lは比較的低い屈折率をもつ第2のフッ化物材料から成る層を表す。第2のフッ化物材料には以下の材料を含めることができる。ただしこれに限定されるものではない:フッ化マグネシウム(MgF)、三フッ化アルミニウム(AlF)、フッ化バリウム(BaF)、フッ化ストロンチウム(SrF)、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ソジウム(NaF)、あるいは他の低屈折率の紫外線透過性材料。さらに値nは、ベースとなる(H L)グループを多層積層体においてn回繰り返すことを表し、ここでnは1またはそれよりも大きい整数である。 As mentioned above, the coating interface 320 has a multilayer design in the form of (H L) n H or (H L) n in order to achieve a relatively flat R (s) * T (p) function. Where H represents a layer of a first fluoride material having a relatively high refractive index. The first fluoride material can include the following materials. However, it is not limited to this: gadolinium trifluoride (GdF 3 ), lanthanum trifluoride (LaF 3 ), samarium fluoride (SmF 3 ), europium fluoride (EuF 3 ), terbium fluoride (TbF 3) ), fluoride Jisupuroshimu (DyF 3), fluoride holmium (HoF 3), erbium fluoride (ErF 3), fluoride thulium (TmF 3), ytterbium fluoride (YbF 3), fluoride lutetium (LuF 3), Zirconium fluoride (ZrF 4 ), hafnium fluoride (HfF 4 ), yttrium fluoride (YF 3 ), neodymium fluoride (NdF 3 ), other lanthanide series trifluorides, metal fluorides, or high refractive index One of the UV transparent materials. L represents a layer made of a second fluoride material having a relatively low refractive index. The second fluoride material can include the following materials. However, it is not limited to this: magnesium fluoride (MgF 2 ), aluminum trifluoride (AlF 3 ), barium fluoride (BaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ) , Lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), or other low refractive index UV transmissive materials. Furthermore, the value n represents that the base (H L) group is repeated n times in the multilayer stack, where n is an integer of 1 or greater.

また、本明細書の記載から当業者にわかるように、多層コーティング界面320,520に対する他のデザインを、コンピュータによる反復技術によって生成可能である。   Also, as will be appreciated by those skilled in the art from the description herein, other designs for the multilayer coating interfaces 320, 520 can be generated by iterative techniques with a computer.

次に、交互に配置された複数の層を用いて、フラットな全体的な関数R(s)*T(p)をどのようにして実現できるのかを示す。   Next, it will be shown how a flat overall function R (s) * T (p) can be realized using a plurality of alternating layers.

ビームスプリッタの例1
以下で示す表には156.7nmに対するコーティング界面320の一例が示されており、これによればMgFとLaFが交互に配置された全部で27個の層(n=13)を使用して、フラットなR(s)*T(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、35°〜55°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)関数は70.85の最大値から65.37の最小値をとり、または5.48%(±2.74%)のデルタである。
Beam splitter example 1
The table below shows an example of a coating interface 320 for 156.7 nm, which uses a total of 27 layers (n = 13) with alternating MgF 2 and LaF 3. Thus, the requirement for a flat R (s) * T (p) apodization function is satisfied. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) is obtained at an incident angle between 35 ° and 55 °. In this range, the R (s) * T (p) function takes from a maximum value of 70.85 to a minimum value of 65.37, or a delta of 5.48% (± 2.74%).

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図4にはR(s),T(p)および全体的なR(s)*T(p)関数がグラフで示されており、以下の表2にはこれらが表形式で示されている:   In FIG. 4, the R (s), T (p) and overall R (s) * T (p) functions are shown graphically, and in Table 2 below, these are shown in tabular form. :

Figure 2005049827
Figure 2005049827

ビームスプリッタの例2
以下の表3には、157.6nmに対するコーティング界面320の別の例が示されており、これによればMgFとLaFが交互に配置された全部で29個の層(n=14)を使用して、フラットなR(s)*T(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、35°〜55°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)関数が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)関数は67.9%の最大値から66.15%の最小値をとり、あるいはデルタ1.74%(±0.87%)である。
Beam splitter example 2
Table 3 below shows another example of the coating interface 320 for 157.6 nm, according to which a total of 29 layers (n = 14) with alternating MgF 2 and LaF 3 Is used to satisfy the requirement of a flat R (s) * T (p) apodization function. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) function is obtained at an incident angle between 35 ° and 55 °. In this range, the R (s) * T (p) function ranges from a maximum value of 67.9% to a minimum value of 66.15%, or a delta of 1.74% (± 0.87%).

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図5にはR(s),T(p)および全体的なR(s)*T(p)関数がグラフで示されており、以下の表4にはそれらが表形式で示されている:   FIG. 5 graphically illustrates the R (s), T (p) and overall R (s) * T (p) functions, and Table 4 below illustrates them in tabular form. :

Figure 2005049827
Figure 2005049827

ビームスプリッタの例3
以下の表5にはコーティング界面320の別の例が示されており、これによればMgFとLaFが交互に配置された全部で26個の層(n=13)を使用して、フラットなR(s)*T(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、40°〜60°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)関数が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)関数は72.69%の最大値から71.80%の最小値をとり、あるいは0.89%のデルタ(±0.445%)である。
Beam splitter example 3
Table 5 below shows another example of the coating interface 320, which uses a total of 26 layers (n = 13) with alternating MgF 2 and LaF 3 , The requirement for a flat R (s) * T (p) apodization function is met. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) function is obtained with an incidence between 40 ° and 60 °. In this range, the R (s) * T (p) function takes from a maximum value of 72.69% to a minimum value of 71.80%, or a delta of 0.89% (± 0.445%).

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図6にはR(s)*T(p)および全体的なR(s)*T(p)関数がグラフで示されており、以下の表6にはそれらが表形式で示されている:   FIG. 6 graphically illustrates the R (s) * T (p) and overall R (s) * T (p) functions, and Table 6 below illustrates them in tabular form. :

Figure 2005049827
Figure 2005049827

ビームスプリッタの例4
表7にはコーティング界面320の別の例が示されており、これによればAlFとNdFが交互に配置された全部で32個の層(n=16)を使用して、フラットなR(s)T*(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、35°〜55°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)関数が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)関数は72.55%の最大値から71.24%の最小値をとり、あるいは1.31%(±0.655%)のデルタである。
Beam splitter example 4
Table 7 shows another example of the coating interface 320, which uses a total of 32 layers (n = 16) with alternating AlF 3 and NdF 3 and is flat. The requirement of R (s) T * (p) apodization function is satisfied. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) function is obtained at an incident angle between 35 ° and 55 °. In this range, the R (s) * T (p) function takes from a maximum value of 72.55% to a minimum value of 71.24%, or a delta of 1.31% (± 0.655%).

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図7にはR(s),T(p)および全体的なR(s)*T(p)がグラフで示されており、以下の表8にはそれらが表形式で示されている:   In FIG. 7, R (s), T (p) and overall R (s) * T (p) are shown graphically, and in Table 8 below they are shown in tabular form:

Figure 2005049827
Figure 2005049827

ビームスプリッタの例5
以下の表9には、193nmに対するコーティング界面320の別の例が示されており、これによればAlFとNdFが交互に配置された全部で30個の層(n=15)を使用して、フラットなR(s)*T(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、35°〜55°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)関数が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)関数は74.60%の最大値から70.38%の最小値までをとり、あるいは4.33%(±2.11%)のデルタである。
Beam splitter example 5
Table 9 below shows another example of a coating interface 320 for 193 nm, which uses a total of 30 layers (n = 15) with alternating AlF 3 and NdF 3 Thus, the requirement for a flat R (s) * T (p) apodization function is satisfied. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) function is obtained at an incident angle between 35 ° and 55 °. In this range, the R (s) * T (p) function ranges from a maximum value of 74.60% to a minimum value of 70.38%, or a delta of 4.33% (± 2.11%). .

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図8にはR(s),T(p)および全体的なR(s)*T(p)関数が示されており、以下の表10にはそれらが表形式で示されている:   FIG. 8 shows the R (s), T (p) and overall R (s) * T (p) functions, which are shown in tabular form in Table 10 below:

Figure 2005049827
Figure 2005049827

ビームスプリッタの例6
以下の表11には157.6nmに対するコーティング界面320の別の例が示されており、これによればLaFおよびMgFが交互に配置された全部で21個の層を使用して、フラットなR(s)*T(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、44°と60°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)関数が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)関数は68.08%の最大値から67.95%の最小値をとり、あるいは0.128%(±0.064%)のデルタである。
Beam splitter example 6
Table 11 below shows another example of a coating interface 320 for 157.6 nm, which uses a total of 21 layers with alternating LaF 3 and MgF 2 to create a flat R (s) * T (p) apodization function requirements are satisfied. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) function is obtained with an incidence between 44 ° and 60 °. In this range, the R (s) * T (p) function ranges from a maximum value of 68.08% to a minimum value of 67.95%, or a delta of 0.128% (± 0.064%).

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図9にはR(s),T(p)およびR(s)*T(p)関数がグラフで示されており、以下の表12にはそれらが表形式で示されている:   In FIG. 9, the R (s), T (p) and R (s) * T (p) functions are shown graphically, and in Table 12 below they are shown in tabular form:

Figure 2005049827
Figure 2005049827

Figure 2005049827
Figure 2005049827

ビームスプリッタの例7
以下の表13には157.6nmに対するコーティング界面320の別の例が示されており、これによればLaFおよびMgFが交互に配置された全部で11個の層を使用して、フラットなR(s)*T(p)アポダイゼーション関数の要求が満たされる。この例によれば、44°〜60°の間の入射で比較的フラットなR(s)*T(p)関数が得られる。この範囲では、R(s)*T(p)は63.11%の最大値から62.897%の最小値をとり、あるいは0.21%(±0.1%)のデルタである。
Beam splitter example 7
Table 13 below shows another example of a coating interface 320 for 157.6 nm, which uses a total of 11 layers of alternating LaF 3 and MgF 2 to create a flat R (s) * T (p) apodization function requirements are satisfied. According to this example, a relatively flat R (s) * T (p) function is obtained at an incident angle between 44 ° and 60 °. In this range, R (s) * T (p) ranges from a maximum value of 63.11% to a minimum value of 62.897%, or a delta of 0.21% (± 0.1%).

Figure 2005049827
Figure 2005049827

図10にはR(s),T(p)およびR(s)*T(p)関数がグラフで示されており、以下の表14にはそれらが表形式で示されている:   In FIG. 10, the R (s), T (p) and R (s) * T (p) functions are shown graphically, and in Table 14 below they are shown in tabular form:

Figure 2005049827
Figure 2005049827

Figure 2005049827
Figure 2005049827

これまで本発明の特定の実施形態について説明してきたが、これらは例示にすぎず、これらに限定されるものではない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載されているような本発明の着想ならびに範囲を逸脱することなく、形態や詳細に関して様々な変更を施すことができるのは自明である。したがって本発明の範囲は既述の実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲の記載およびそれと同等のものによってのみ規定されるものである。   While specific embodiments of the present invention have been described above, these are only examples and are not intended to be limiting. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made in form and detail without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but is defined only by the description of the claims and equivalents thereof.

慣用の偏光ビームスプリッタキューブの斜視図である。It is a perspective view of a conventional polarization beam splitter cube. 図1Aの偏光ビームスプリッタキューブの慣用のコーティング界面の断面図である。1B is a cross-sectional view of a conventional coating interface of the polarizing beam splitter cube of FIG. 1A. FIG. 図1Aの偏光ビームスプリッタキューブがどのようにして光を別個の偏光状態に分離するのかを示す図である。FIG. 1B shows how the polarizing beam splitter cube of FIG. 1A separates light into distinct polarization states. 図1Aの偏光ビームスプリッタキューブが透過効率改善のためどのようにして反射屈折型縮小光学系の一部分として用いることができるのかを示す図である。Polarizing beam splitter cube of FIG. 1A is a diagram showing how it can be used as any part of a catadioptric reduction optical system in the order of transmission efficiency. 本発明の1つの実施形態によるUV偏光ビームスプリッタキューブの斜視図である。1 is a perspective view of a UV polarizing beam splitter cube according to one embodiment of the present invention. FIG. 図3AのUV偏光ビームスプリッタキューブのためのコーティング界面の断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view of the coating interface for the UV polarizing beam splitter cube of FIG. 3A. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention. 本発明によるビームスプリッタの透過性能を示す図である。It is a figure which shows the permeation | transmission performance of the beam splitter by this invention.

Claims (42)

ビームスプリッタにおいて、
第1のフッ化物プリズムと、第2のフッ化物プリズムと、該第1のフッ化物プリズムと該第2のフッ化物プリズムとの間に設けられたコーティング界面を有しており、
ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は、40°〜50°の入射範囲内において±2.74%以内で変化することを特徴とするビームスプリッタ。
In the beam splitter,
A first fluoride prism, a second fluoride prism, and a coating interface provided between the first fluoride prism and the second fluoride prism;
A beam splitter characterized in that the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 2.74% within an incidence range of 40 ° to 50 °.
前記コーティング界面はMgFとLaFが交互に配置された層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。 The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface includes layers in which MgF 2 and LaF 3 are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも27個の層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has at least 27 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも27個の層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has at least 27 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記コーティング界面はNdFとAlFが交互に配置された層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。 The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has layers in which NdF 3 and AlF 3 are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも30個の層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has at least 30 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも32個の層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has at least 32 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも11個の層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has at least 11 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも21個の層を有する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the coating interface has at least 21 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記の第1および第2のプリズムにはCaFが含まれる、請求項1記載のビームスプリッタ。 The beam splitter according to claim 1, wherein the first and second prisms include CaF 2 . 前記の第1および第2のプリズムには石英ガラスが含まれる、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the first and second prisms include quartz glass. 前記ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は35°〜55°の入射範囲において±0.87%以内で変化する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 0.87% over an incident range of 35 ° to 55 °. 前記ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は35°〜55°の入射範囲において±2.74%以内で変化する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 2.74% in the incident range of 35 ° to 55 °. 前記ビームスプリッタは157.6nm付近で動作する、請求項1記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 1, wherein the beam splitter operates near 157.6 nm. 前記ビームスプリッタは193nm付近で動作する、請求項1記載のビームスプリッタ。ビームスプリッタにおいて、
第1のフッ化物プリズムと、第2のフッ化物プリズムと、該第1のフッ化物プリズムと該第2のフッ化物プリズムとの間に設けられたコーティング界面を有しており、
ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は、40°〜50°の入射範囲において±0.445%以内で変化することを特徴とするビームスプリッタ。
The beam splitter according to claim 1, wherein the beam splitter operates near 193 nm. In the beam splitter,
A first fluoride prism, a second fluoride prism, and a coating interface provided between the first fluoride prism and the second fluoride prism;
A beam splitter characterized in that the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 0.445% in the 40 ° -50 ° incidence range.
前記コーティング界面はMgFとLaFが交互に配置された層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。 The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has layers in which MgF 2 and LaF 3 are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも27個の層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has at least 27 layers of alternating high and low refractive index materials. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも29個の層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has at least 29 layers of alternating high and low refractive index materials. 前記コーティング界面はNdFとAlFが交互に配置された層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。 The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface includes layers in which NdF 3 and AlF 3 are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも30個の層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has at least 30 layers of alternating high and low refractive index materials. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも32個の層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has at least 32 layers of alternating high and low refractive index materials. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも11個の層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has at least 11 layers in which a high refractive index material and a low refractive index material are alternately arranged. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも21個の層を有する、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the coating interface has at least 21 layers of alternating high and low refractive index materials. 前記の第1および第2のプリズムにはCaFが含まれる、請求項16記載のビームスプリッタ。 The beam splitter according to claim 16, wherein the first and second prisms include CaF 2 . 第1および第2のプリズムには石英ガラスが含まれる、請求項16記載のビームスプリッタ。   The beam splitter according to claim 16, wherein the first and second prisms include quartz glass. ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は、紫外線領域における35゜〜55゜の入射範囲内で、87%だけしか変化しない、請求項16記載のビームスプリッタ。ビームスプリッタにおいて、
第1のフッ化物プリズムと、第2のフッ化物プリズムと、該第1のフッ化物プリズムと該第2のフッ化物プリズムとの間に設けられたコーティング界面を有しており、
ビームスプリッタのアポダイゼーション関数は40゜〜50゜の入射範囲内で比較的フラットであることを特徴とするビームスプリッタ。
17. A beam splitter according to claim 16, wherein the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter changes by only 87% within the incidence range of 35 [deg.] To 55 [deg.] In the ultraviolet region. In the beam splitter,
A first fluoride prism, a second fluoride prism, and a coating interface provided between the first fluoride prism and the second fluoride prism;
A beam splitter characterized in that the apodization function of the beam splitter is relatively flat within an incident range of 40 ° to 50 °.
ビームスプリッタにおいて、
第1のフッ化物プリズムと、第2のフッ化物プリズムと、該第1のフッ化物プリズムと該第2のフッ化物プリズムとの間に設けられたコーティング界面を有しており、
ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は44゜〜60゜の入射範囲において±0.1%以内で変化することを特徴とするビームスプリッタ。
In the beam splitter,
A first fluoride prism, a second fluoride prism, and a coating interface provided between the first fluoride prism and the second fluoride prism;
A beam splitter characterized in that the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 0.1% in the 44 ° -60 ° incidence range.
ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数は44゜〜60゜の入射範囲内において±0.064%以内で変化する、請求項29記載のビームスプリッタ。   30. The beam splitter according to claim 29, wherein the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 0.064% within an incident range of 44 [deg.]-60 [deg.]. 前記コーティング界面は、高屈折率材料と低屈折率材料が交互に配置された少なくとも21個の層を有する、請求項29記載のビームスプリッタ。   30. The beam splitter of claim 29, wherein the coating interface has at least 21 layers of alternating high and low refractive index materials. 前記の第1および第2のプリズムにはCaFが含まれている、請求項29記載のビームスプリッタ。 Said first and second prisms are included CaF 2, the beam splitter of claim 29, wherein. ビームスプリッタを形成する方法において、
第1のフッ化物プリズム上にコーティングを形成するステップが設けられており、該ステップにおいてビームスプリッタのアポダイゼーション関数を40゜〜50°の入射範囲内で比較的フラットにし、
該第1のフッ化物プリズムを第2のフッ化物プリズムと結合してビームスプリッタを形成するステップが設けられていることを特徴とする、
ビームスプリッタを形成する方法。
In a method of forming a beam splitter,
A step of forming a coating on the first fluoride prism is provided, wherein the apodization function of the beam splitter is relatively flat within an incident range of 40 ° to 50 °;
The step of combining the first fluoride prism with the second fluoride prism to form a beam splitter is provided,
A method of forming a beam splitter.
前記コーティング形成ステップには、MgFとLaFが交互に配置された層を形成するステップが含まれる、請求項33記載の方法。 Wherein the coating-forming step, MgF 2 and LaF 3 is included the step of forming a layer are arranged alternately, the method of claim 33. MgFとLaFが交互に配置された層を形成する前記ステップにより、少なくとも27個の交互に配置された層を形成する、請求項33記載の方法。 By the step of forming a layer MgF 2 and LaF 3 are alternately arranged to form a layer disposed on at least 27 alternating The method of claim 33. 前記コーティング形成ステップには、NdFとAlFが交互に配置された層を形成するステップが含まれる、請求項33記載の方法。 Wherein the coating-forming step, NdF 3 and AlF 3 are included the steps of forming a layer are arranged alternately, the method of claim 33. 前記の第1および第2のプリズムをCaFプリズムとする、請求項33記載の方法。 And said first and second prism CaF 2 prism 34. The method of claim 33, wherein. 前記の第1および第2のプリズムを石英ガラスプリズムとする、請求項33記載の方法。   34. The method of claim 33, wherein the first and second prisms are quartz glass prisms. ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数が35〜55゜の入射範囲において±0.87%以内で変化するようコーティングする、請求項33記載の方法。   34. The method of claim 33, wherein the coating is such that the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter varies within ± 0.87% over an incident range of 35-55 [deg.]. ビームスプリッタの全体的なR(s)*T(p)関数が35〜55゜の入射範囲において±2.74%以内で変化するようコーティングする、請求項33記載の方法。   34. The method of claim 33, wherein the overall R (s) * T (p) function of the beam splitter is coated to vary within ± 2.74% over an incident range of 35-55 [deg.]. ビームスプリッタが157.6nm付近で動作するようコーティングする、請求項33記載の方法。   34. The method of claim 33, wherein the beam splitter is coated to operate near 157.6 nm. ビームスプリッタが193nm付近で動作するようコーティングする、請求項33記載の方法。   34. The method of claim 33, wherein the beam splitter is coated to operate near 193 nm. ビームスプリッタのアポダイゼーション関数が35〜55°の入射範囲において±0.87%以内で変化するようコーティングする、請求項33記載の方法。   34. The method of claim 33, wherein the coating is performed such that the apodization function of the beam splitter varies within ± 0.87% over an incident range of 35-55 [deg.]. ビームスプリッタのアポダイゼーション関数が35゜〜55°の入射範囲において±2.74%以内で変化するようコーティングする、請求項33記載の方法。   The method of claim 33, wherein the beam apodization function of the beam splitter is coated to vary within ± 2.74% in an incident range of 35 ° to 55 °.
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