JP2005049323A - Manufacturing method and inspection method for probe card - Google Patents
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Description
本発明は半導体ウエハ,液晶ディスプレイパネルや太陽電池などに形成された微細電気回路を検査する際に、回路基板に面接触し複数の電気コンタクトを同時に行うために使用するプローブカードに関する。特に本発明は、前記プローブカードの製造方法と検査方法に関する。 The present invention relates to a probe card used for making a surface contact with a circuit board and simultaneously making a plurality of electrical contacts when inspecting a fine electrical circuit formed on a semiconductor wafer, a liquid crystal display panel, a solar cell or the like. In particular, the present invention relates to a manufacturing method and an inspection method of the probe card.
近年、デバイス等の高機能化とそのコストの低減のために、高精度化、高速化、大面積化を実現する取り組みが盛んに行なわれている。例えば、半導体ウエハに形成された電気回路パターンは微細化され、またウエハの大口径化が進んでいる。よって、電気回路の動作検査する際の電気コンタクト部は、コンタクト間の狭ピッチ化、同時コンタクト数の増加が一層求められている。 In recent years, efforts have been actively made to achieve high accuracy, high speed, and large area in order to increase the functionality of devices and the cost thereof. For example, an electric circuit pattern formed on a semiconductor wafer is miniaturized and the diameter of the wafer is increasing. Therefore, the electrical contact portion in the operation inspection of the electrical circuit is required to further reduce the pitch between contacts and increase the number of simultaneous contacts.
以下に、従来のプローブカードの製造方法(特許文献1)について説明する。 Below, the manufacturing method (patent document 1) of the conventional probe card is demonstrated.
図6において、ポリイミドフィルムに穴加工を施し、貫通穴直径より大きい、リベット状の金属突起物を形成している。このようなリベット状の凸型電極は、特許文献2にも開示されているように、金属メッキにて形成される一般的な形状と言える。
しかしながら、このリベット状凸型電極は、金属メッキにて形成されるため、形状を制御することが難しい。特にリベット部の直径制御は、ポリイミドフィルムの穴加工精度・形状・表面粗さ、面取り形状のすべての要因からの影響が非常に大きいため、困難を極めている。
In FIG. 6, a hole is drilled in the polyimide film to form a rivet-like metal protrusion larger than the through-hole diameter. Such a rivet-shaped convex electrode can be said to be a general shape formed by metal plating as disclosed in
However, since the rivet-shaped convex electrode is formed by metal plating, it is difficult to control the shape. In particular, the control of the diameter of the rivet portion is extremely difficult because the influence from all the factors of hole machining accuracy, shape, surface roughness, and chamfered shape of the polyimide film is very large.
本願出願人の評価では、リベット状型電極を直径が100μm狙で、1000個形成した場合、上記の理由でφ100±10μmにて仕上がっている。凸型電極数がこれ以上となる場合、更にバラツク可能性がある。しかもリベット状凸型電極は、きれいな半円球ではなく、押しつぶした形状(図7)となっている。プローブカードの使用法として、被電気回路基板に面接触し、複数の電気コンタクトを同時に行うものであるため、このコンタクト部である凸型電極の直径が不均一、更にはきれいな半円球でない場合、相手側のコンタクト部の寸法を必要以上に大きくする、更には押しつけ力を増加させると工程をいれないと所定のコンタクトができないという問題が発生する。また、プローブカードの歩留まり低下によるコストアップという問題も大きい。 In the evaluation by the applicant of the present application, when 1000 rivet-shaped electrodes are formed with a target of 100 μm in diameter, the electrode is finished with φ100 ± 10 μm for the above reason. When the number of convex electrodes is more than this, there is a possibility of further variation. Moreover, the rivet-shaped convex electrode is not a clean semicircle but a crushed shape (FIG. 7). When using a probe card, contact the surface of the circuit board and make multiple electrical contacts at the same time, so the diameter of the convex electrode, which is the contact part, is not uniform, and it is not a clean hemisphere If the dimension of the contact part on the other side is increased more than necessary, and further the pressing force is increased, there is a problem that a predetermined contact cannot be made unless the process is performed. In addition, there is a great problem of cost increase due to a decrease in the yield of the probe card.
また、薄膜フィルムとして使用するポリイミド樹脂の線膨張係数は、一般的に16ppm/℃であるため、100mmの大きさ、100℃の温度上昇で使用した場合、単純に16μm膨張する。コンタクト部は温度変化に関係なく接続していなくてはならないため、更に相手側のコンタクト寸法を大きくしなくてはならない。熱膨張を勘案し位置精度が±8μm程度、更には凸型電極の直径誤差を吸収するために、安全率を含め相手側コンタクトの必要な大きさはφ150μmで形成する必要があった。半導体ウエハの大口径化が進む中、位置精度の誤差はさらに大きくなり、無駄なコンタクト面積の増大が問題となる。 Moreover, since the linear expansion coefficient of the polyimide resin used as a thin film is generally 16 ppm / ° C., when it is used at a size of 100 mm and a temperature increase of 100 ° C., it simply expands by 16 μm. Since the contact portion must be connected regardless of temperature changes, the contact size of the mating side must be further increased. In consideration of the thermal expansion, the positional accuracy is about ± 8 μm, and in order to absorb the diameter error of the convex electrode, the required size of the mating contact including the safety factor has to be formed with φ150 μm. As the diameter of semiconductor wafers increases, the positional accuracy error becomes even larger, and an increase in useless contact area becomes a problem.
更に、半導体回路の狭ピッチ化に対応できないという問題も併発する。今回はピッチ距離150μm以下にできないという制約が回路設計に要求され無駄な労力を必要とする。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、半導体ウエハ,液晶ディスプレイパネルや太陽電池などに形成された微細電気回路を検査するために、コンタクト間の狭ピッチ化、同時コンタクト数の増加を実現することが可能なプローブカードの製造方法と検査方法を提供することを目的とする。 In view of the above-described conventional problems, the present invention realizes a narrow pitch between contacts and an increase in the number of simultaneous contacts in order to inspect a fine electric circuit formed on a semiconductor wafer, a liquid crystal display panel, a solar cell or the like. An object of the present invention is to provide a probe card manufacturing method and an inspection method that can be used.
本願第1発明のプローブカードの製造方法は、回路基板の電気特性を検査するためのプローブカードであり、薄膜フィルムに複数の微細貫通穴を形成し、その穴に導電物質を充填しかつその導電物質の一部が薄膜フィルムの表面より凸型になるように製造する方法であって、導電物質が金属メッキであり、薄膜フィルムの少なくとも片面に耐金属メッキレジストを形成し、薄膜フィルムと耐金属メッキレジストを同時に微細貫通穴加工した後、導電物質を前記貫通穴に充填し、更に耐金属メッキレジストを除去することにより導電物質が所定の形状を得ることを特徴とする。 The probe card manufacturing method according to the first invention of the present application is a probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board, wherein a plurality of fine through-holes are formed in a thin film, and the holes are filled with a conductive material and the conductive A method in which a part of the material is manufactured to be convex from the surface of the thin film, the conductive material is metal plating, a metal plating resist is formed on at least one surface of the thin film, and the thin film and the metal resistance After the plating resist is processed into fine through holes at the same time, the conductive material is filled in the through holes, and the metal plating resist is further removed to obtain a predetermined shape of the conductive material.
また、本願第2発明のプローブカードの製造方法は、回路基板の電気特性を検査するためのプローブカードであり、薄膜フィルムに複数の微細貫通穴を形成し、その穴に導電物質を充填しかつその導電物質の一部が薄膜フィルムの表面より凸型になるように製造する方法であって、薄膜フィルムの少なくとも片面にレジストを形成し、薄膜フィルムとレジストを同時に微細貫通穴加工した後、導電物質ペーストを埋め込むことによって前記貫通穴に充填し、更にレジストを除去することにより導電物質が所定の形状を得ることを特徴とする。 The probe card manufacturing method of the second invention of the present application is a probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board, wherein a plurality of fine through holes are formed in a thin film, and the holes are filled with a conductive material; This is a method for manufacturing a part of the conductive material so that it is convex from the surface of the thin film. A resist is formed on at least one surface of the thin film, and after the thin film and the resist are simultaneously processed through fine through holes, The through hole is filled by embedding a material paste, and the resist is further removed to obtain a predetermined shape of the conductive material.
また、本願第3発明のプローブカードの製造方法は、回路基板の電気特性を検査するためのプローブカードであり、薄膜フィルムに複数の微細貫通穴を形成し、その穴に導電物質を充填しかつその導電物質の一部が薄膜フィルムの表面より凸型になるように製造する方法であって、薄膜フィルムの表面より凸型となった円柱のコンタクト面と平行方向の断面積において、コンタクトする面積が微細穴部の断面積より小さいことを特徴とする。 The method for manufacturing a probe card according to the third invention of the present application is a probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board, wherein a plurality of fine through holes are formed in a thin film, and the holes are filled with a conductive material; This is a method for manufacturing a part of the conductive material so that it is convex from the surface of the thin film, and the contact area in the cross-sectional area parallel to the cylindrical contact surface that is convex from the surface of the thin film Is smaller than the cross-sectional area of the fine hole.
また、本願第4発明のプローブカードの検査方法は、回路基板に面接触し、複数の電気コンタクトを同時に行うプローブカードの検査方法において、被検査物である回路基板コンタクト部一つの面積が、プローブカードの1つのコンタクト部の面積の1.4倍以下であることを特徴とする。 The probe card inspection method according to the fourth aspect of the present invention is a probe card inspection method in which a surface contact is made with a circuit board and a plurality of electrical contacts are made simultaneously. It is characterized by being 1.4 times or less of the area of one contact part of the card.
更に、本願第5発明のプローブカードの検査方法は、回路基板に面接触し、複数の電気コンタクトを同時に行うプローブカードの検査方法において、被検査物である回路基板コンタクト部の隣接する最小ピッチが100μm以下であることを特徴とする。 Furthermore, the probe card inspection method according to the fifth aspect of the present invention is a probe card inspection method in which a surface contact is made with a circuit board and a plurality of electrical contacts are made simultaneously. It is 100 μm or less.
本発明によれば、半導体ウエハ,液晶ディスプレイパネルや太陽電池などに形成された微細電気回路を検査するために、コンタクト間の狭ピッチ化、同時コンタクト数の増加を実現することが可能となる。 According to the present invention, in order to inspect a fine electric circuit formed on a semiconductor wafer, a liquid crystal display panel, a solar cell, or the like, it is possible to reduce the pitch between contacts and increase the number of simultaneous contacts.
以上のように、本発明によれば、近年の半導体ウエハに形成された電気回路を動作検査する際の電気コンタクト部の増加、コンタクト間の狭ピッチ化、大面積化に対応することが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to cope with an increase in the number of electrical contact portions, a narrow pitch between contacts, and a large area when performing an operation test on an electrical circuit formed on a recent semiconductor wafer. Become.
(第1の実施形態)
本発明の第一実施形態について、図1を参照しながら説明する。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
ウエットエッチングによって形成された厚み10μmの銅薄膜20をもつ厚み30μmのポリイミド樹脂1において、まず、耐ニッケルメッキレジスト2を貼り付ける。ここで耐メッキレジストとして、厚み30μmの前記ポリイミド樹脂1と同じものを使用し、紫外線硬化接着剤を用い接着している(図1(a))。
In a
次に、銅薄膜の反対側の面より、エキシマレーザーにて耐メッキレジスト2の開口直径50μmの微細穴加工を行う。このとき、ポリイミド樹脂1は貫通し、銅薄膜20は貫通していない。ポリイミド樹脂1と耐メッキレジスト2を同材料で構成することにより、レーザーでの微細穴加工条件が容易に出せるというメリットがある。
Next, fine holes with an opening diameter of 50 μm are formed in the anti-plating resist 2 from the opposite surface of the copper thin film with an excimer laser. At this time, the
レーザー加工後、スミアを取るための洗浄を行い(図示せず)、次にニッケルメッキにて、微細穴部にニッケルを充填する(図1(b))。メッキ条件において最初の厚み30μm成長時は添加物としてのリン濃度を多くし、後半30μmの成長時はリン濃度を減らしている。これにより最初の30μmは後半よりも耐食性が向上させることができる。 After the laser processing, cleaning for removing smear is performed (not shown), and nickel is then filled into the fine holes by nickel plating (FIG. 1B). Under the plating conditions, the phosphorus concentration as an additive is increased during the initial growth of 30 μm, and the phosphorus concentration is decreased during the latter 30 μm growth. Thereby, the first 30 μm can improve the corrosion resistance than the latter half.
次に、紫外線を当てることにより接着剤が粘着力を失い、ポリイミド樹脂1より耐メッキレジスト2を剥がすことが可能となる。これにより凸型の導電物質が形成されることになる。更に凸型部以外はマスキングを行い、過酸化物溶液に浸積することにより、先端部が徐々に細くなる。ここでメッキの処理条件を途中で変えていることにより、耐食性の低い先端部がより、エッチング進むことにより所望する形状にすることが可能になる(図1(c))。
Next, the adhesive loses adhesive strength by being irradiated with ultraviolet rays, and the plating
本願発明者は、先端部を20μmまで細める処理を行った。これによりコンタクト面積が小さくできるため、相手側のコンタクト面積も小さく設定することが可能となった。また、コンタクト面積が小さいため、被電気回路基板に面接触する際の押しつけが小さくても十分、複数の電気コンタクトが同時にできることを確認できた。 This inventor performed the process which narrows a front-end | tip part to 20 micrometers. As a result, the contact area can be reduced, so that the contact area on the counterpart side can be set small. Further, since the contact area is small, it was confirmed that a plurality of electrical contacts can be made simultaneously even if the pressing force when contacting the circuit board is small.
更にリベット状と比較し、円柱状に充填するメッキ成長はメッキ手法において形状制御が非常に容易である。このことから、凸型電極形成の歩留まりを大幅に改善できた。 Furthermore, as compared with the rivet shape, the plating growth filling the columnar shape is very easy to control the shape in the plating method. From this, the yield of convex electrode formation could be greatly improved.
(第2の実施形態)
本発明の第二実施形態について、図2を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
厚み30μmのポリイミド樹脂51において、まず耐ニッケルメッキレジスト52を貼り付ける。ここで耐メッキレジストとして、厚み30μmの前記ポリイミド樹脂51と同じものを使用し、紫外線硬化接着剤を用い接着している(図2(a))。
In a
次に、エキシマレーザーにてポリイミド樹脂51の開口直径30μmの微細穴貫通加工を行う。このとき、耐メッキレジスト52側の開口穴の直径は20μmとなるよう調整した。よって貫通穴形状はテーパ状となるが、ポリイミド樹脂51と耐メッキレジスト52を同材料で構成することにより、条件が容易に出せるというメリットがある(図2(b))。レーザー加工後、スミアを取るための洗浄を行い(図示せず)、ニッケルメッキにて、微細穴部にニッケルを充填する。
Next, fine hole penetration processing with an opening diameter of 30 μm of the
次に、紫外線を当てることにより、接着剤が粘着力を失い、ポリイミド樹脂51より耐メッキレジスト52を剥がすことが可能となる。テーパが形成されているために、メッキはポリイミド樹脂51側に残る。これにより凸型の導電物質が形成されることになる。
Next, by applying ultraviolet rays, the adhesive loses adhesive strength, and the plating resist 52 can be peeled off from the
ポリイミド樹脂51の凸型導電物質の形成されている面の反対側に、蒸着/ウエットエッチングにより厚み10μmの銅薄膜20を形成する(図2(c))。以上のことから、前述した第一実施形態と同等の効果が得られる。
A copper
(第3の実施形態)
本発明の第三実施形態について、図3を参照しながら説明する。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
スクリーンマスク63は、φ50μmの穴を形成するためのものである。スクリ−ンマスク63をベース62に重ね、液体化したポリイミド64を塗布し平面にならす(図3(a))。熱硬化処理を行い、液体化ポリイミド64が所定の硬度となったところで、ベース62、スクリーンマスク63を剥がし、貫通穴φ50μmの開いたポリイミド樹脂61となる(図3(b))。次に、レジストを塗布し、貫通穴と同位置に露光処理によりφ30μmの穴を開け、ニッケルメッキにて、微細穴部にニッケルを充填する(図3(c))。 The screen mask 63 is for forming a hole having a diameter of 50 μm. A screen mask 63 is overlaid on the base 62, and a liquefied polyimide 64 is applied and leveled (FIG. 3A). When the liquefied polyimide 64 has a predetermined hardness by heat curing, the base 62 and the screen mask 63 are peeled off to form a polyimide resin 61 having a through hole φ50 μm (FIG. 3B). Next, a resist is applied, a hole having a diameter of 30 μm is formed by exposure processing at the same position as the through hole, and nickel is filled in the fine hole portion by nickel plating (FIG. 3C).
レジストを除去することにより、凸型の導電物質が形成されることになる。ポリイミド樹脂64の凸型導電物質の形成されている面の反対側に、蒸着・ウエットエッチングにより厚み10μmの銅薄膜20を形成する。
By removing the resist, a convex conductive material is formed. A copper
以上のことから、前述した第一実施形態と同等の効果が得られる。 From the above, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained.
(第4の実施形態)
本発明の第四実施形態について、図4を参照しながら説明する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
厚み30μmのポリイミド樹脂51において、まず耐ニッケルメッキレジスト52を貼り付ける。ここで耐メッキレジストとして、厚み30μmの前記ポリイミド樹脂51と同じものを使用し、アクリル系耐メッキ粘着材剤を用い接着している。さらにニッケルメッキを成長させるための導電板70が同じく接着されている(図4(a))。
In a
次に、エキシマレーザーにてポリイミド樹脂51の開口直径30μmの微細穴貫通加工を行う。このとき、耐メッキレジスト52側の開口穴の直径は20μmとなるよう調整した。よって貫通穴形状はテーパ状となるが、ポリイミド樹脂51と耐メッキレジスト52を同材料で構成することにより、条件が容易に出せるというメリットがある(図4(b))。レーザー加工後、スミアを取るための洗浄を行い(図示せず)、ニッケルメッキにて、微細穴部にニッケルを充填する。このときニッケルメッキの特性を利用し銅薄膜20の反対側にリベット状電極を形成する。
Next, fine hole penetration processing with an opening diameter of 30 μm of the
次に、ポリイミド樹脂51より耐メッキレジスト52と導電板70を剥がし、これにより凸型の導電物質が形成されることになる(図4(c))。
Next, the anti-plating resist 52 and the
本実施形態では、被電気回路基板にコンタクトする凸型電極と反対側の電極が一括処理できるため工程が短縮でき、更に相互の位置ずれがなくなるという効果もある。反対側電極は通常異方性導電ゴムなどで電気コンタクトするため、前述したニッケルメッキ形成時の形状寸法の誤差があっても、問題なく所定の動作が得られる。以上のことから、前述の第一実施形態と同等の効果が得られる。 In the present embodiment, since the electrodes on the opposite side to the convex electrode that contacts the circuit board to be processed can be collectively processed, the process can be shortened, and further, there is an effect that mutual displacement is eliminated. Since the opposite electrode is usually in electrical contact with an anisotropic conductive rubber or the like, a predetermined operation can be obtained without any problems even if there is an error in the shape and dimension during the nickel plating formation described above. From the above, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained.
(第5の実施形態)
本発明の第五実施形態について、図5を参照しながら説明する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
厚み30μmのポリイミド樹脂51において、まずレジスト52を貼り付ける。ここでレジストは厚み30μmの前記ポリイミド樹脂51と同じものを使用し、アクリル系耐メッキ粘着材剤を用い接着している。さらに本フィルムの強度を保つため、レジスト52側に板80が同じく接着されている。さらにポリイミド樹脂51側には、厚み10μmのドライフィルムレジスト81を形成している(図5(a))。
First, a resist 52 is attached to a
次に、エキシマレーザーにてポリイミド樹脂51の開口直径30μmの微細穴貫通加工を行う。このとき、レジスト52側の開口穴の直径は20μmとなるよう調整した。よって貫通穴形状はテーパ状となるが、ポリイミド樹脂51とレジスト52を同材料で構成することにより、条件が容易に出せるというメリットがある。レーザー加工後、スミアを取るための洗浄を行う(図示せず)。次にドライフィルムレジスト81に、露光もしくはレーザー加工等で所望するパターニングを行う。次にスクリーン印刷にて銀ペーストを、微細穴部に充填する。同時にドライフィルムレジスト81にパターニングされた部位にも電極を形成する(図5(b))。
Next, fine hole penetration processing with an opening diameter of 30 μm of the
次に、ポリイミド樹脂51よりレジスト52と導電板70、ドライフィルムレジスト81を剥がし、これにより凸型の導電物質が形成されることになる(図5(c))。
Next, the resist 52, the
本実施形態では、第四実施形態と比較し、凸型電極をスクリーン印刷にて製造する方法により高度なメッキ技術が必要としないことから、コストを抑えた生産方法である。他は第四実施形態と同様であるので、前述の第一実施形態と同等の効果が得られる。 Compared with the fourth embodiment, this embodiment is a production method that suppresses costs because it does not require an advanced plating technique by a method of manufacturing a convex electrode by screen printing. Since the others are the same as those in the fourth embodiment, the same effects as those in the first embodiment can be obtained.
また、本実施形態では、銀ペーストを使用したが、導電性を持ち、かつビッカーズ硬さHv100以上あれば、銀ペーストに制限されない。またニッケルメッキ等で表面を覆い、硬度を確保する手法でも良い。この場合のメッキは、表面被覆のメッキであるので、前記で既出している埋め込みのメッキと比較しても技術的に容易であるのは言うまでもない。 Moreover, although silver paste was used in this embodiment, if it has electroconductivity and Vickers hardness Hv100 or more, it will not be restrict | limited to silver paste. Alternatively, a method of covering the surface with nickel plating or the like and ensuring the hardness may be used. Since the plating in this case is a surface coating, it is needless to say that it is technically easy even when compared with the previously described embedded plating.
なお、これらの第1から第5までの実施形態のいずれかを用いることにより、回路基板に面接触し、複数の電気コンタクトを同時に行う電気特性検査において、被測定物である回路基板コンタクト部を直径φ100μmにて、安定した電気コンタクトを実現し、また、300mmウエハ対応のプローブカードの歩留まりを向上することができた。 In addition, by using any of these first to fifth embodiments, a circuit board contact portion, which is an object to be measured, is used in an electrical characteristic inspection in which a plurality of electrical contacts are simultaneously made in surface contact with a circuit board. With a diameter of φ100 μm, stable electrical contact was realized, and the yield of probe cards compatible with 300 mm wafers could be improved.
また、被測定物である回路基板コンタクト部の隣接するピッチを80μmまで狭くすることが可能であることを確認した。さらにコンタクト部の先端をシャープ化することで30μmまで可能である。 In addition, it was confirmed that the adjacent pitch of the circuit board contact portion, which is the object to be measured, can be narrowed to 80 μm. Furthermore, it is possible up to 30 μm by sharpening the tip of the contact portion.
前述した実施形態において、薄膜樹脂フィルムにポリイミド樹脂を使用しているが、本発明を限定するものではない。本発明を用いることにより、線膨張係数の大きいコストの安い樹脂を選択できる点も本発明の効果である。 In the embodiment described above, a polyimide resin is used for the thin film resin film, but the present invention is not limited thereto. Another advantage of the present invention is that by using the present invention, a low-cost resin having a large linear expansion coefficient can be selected.
本発明のプローブカードの製造方法と検査方法は、回路基板に面接触し複数の電気コンタクトを同時に行うためのプローブカードに関し、特に半導体ウエハ、液晶ディスプレイパネルや太陽電池等に適用できる。 The probe card manufacturing method and inspection method of the present invention relate to a probe card for making surface contact with a circuit board and simultaneously making a plurality of electrical contacts, and are particularly applicable to semiconductor wafers, liquid crystal display panels, solar cells, and the like.
1 ポリイミド樹脂
2 耐ニッケルメッキレジスト
20 銅薄膜
1
Claims (10)
導電物質が金属メッキであり、薄膜フィルムの少なくとも片面に耐金属メッキレジストを形成し、薄膜フィルムと耐金属メッキレジストを同時に微細貫通穴加工した後、導電物質を前記貫通穴に充填し、更に耐金属メッキレジストを除去することにより導電物質が所定の形状を得ること
を特徴とするプローブカードの製造方法。 A probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board. A plurality of fine through-holes are formed in a thin film, the hole is filled with a conductive material, and part of the conductive material is convex from the surface of the thin film. A method of manufacturing so that
The conductive material is metal plating, a metal-resistant plating resist is formed on at least one surface of the thin film, the thin film film and the metal-resistant plating resist are simultaneously processed through fine through holes, the conductive material is filled into the through holes, and further, A method of manufacturing a probe card, wherein the conductive material obtains a predetermined shape by removing the metal plating resist.
薄膜フィルムの少なくとも片面にレジストを形成し、薄膜フィルムとレジストを同時に微細貫通穴加工した後、導電物質ペーストを埋め込むことによって前記貫通穴に充填し、更にレジストを除去することにより導電物質が所定の形状を得ること
を特徴とするプローブカードの製造方法。 A probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board. A plurality of fine through-holes are formed in a thin film, the holes are filled with a conductive material, and part of the conductive material is convex from the surface of the thin film. A method of manufacturing so that
A resist is formed on at least one surface of the thin film, and the thin film and the resist are simultaneously processed through fine through holes, and then the through holes are filled by embedding a conductive material paste, and further, the resist is removed to obtain a predetermined conductive material. A method for producing a probe card, characterized by obtaining a shape.
薄膜フィルムの表面より凸型となった円柱のコンタクト面と平行方向の断面積において、コンタクトする面積が微細穴部の断面積より小さいこと
を特徴とするプローブカードの製造方法。 A probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board. A plurality of fine through-holes are formed in a thin film, the holes are filled with a conductive material, and part of the conductive material is convex from the surface of the thin film. A method of manufacturing so that
A probe card manufacturing method characterized in that, in a cross-sectional area in a direction parallel to a cylindrical contact surface that is convex from the surface of a thin film, the area to be contacted is smaller than the cross-sectional area of a fine hole.
導電物質の組成が少なくとも2種類以上で構成されていることを特徴とするプローブカードの製造方法。 A probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board. A plurality of fine through-holes are formed in a thin film, the hole is filled with a conductive material, and part of the conductive material is convex from the surface of the thin film. A method of manufacturing so that
A method for manufacturing a probe card, wherein the composition of the conductive material is composed of at least two kinds.
を特徴とするプローブカードの製造方法。 A probe card for inspecting the electrical characteristics of a circuit board. A plurality of fine through-holes are formed in a thin film, the holes are filled with a conductive material, and part of the conductive material is convex from the surface of the thin film. A method for manufacturing a probe card, characterized in that a thin film is formed by a screen printing method so that a fine through hole is formed from the beginning.
を特徴とするプローブカードの検査方法。 In an inspection method of a probe card that makes surface contact with a circuit board and simultaneously makes a plurality of electrical contacts, the area of one circuit board contact portion that is an object to be inspected is 1.4 times or less than the area of one contact portion of the probe card. A method for inspecting a probe card, characterized in that
を特徴とするプローブカードの検査方法。 In a probe card inspection method in which a plurality of electrical contacts are simultaneously made in surface contact with a circuit board, the adjacent minimum pitch of circuit board contact portions as inspection objects is 100 μm or less. .
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003273980 | 2003-07-14 | ||
JP2003324424A JP2005049323A (en) | 2003-07-14 | 2003-09-17 | Manufacturing method and inspection method for probe card |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005049323A true JP2005049323A (en) | 2005-02-24 |
JP2005049323A5 JP2005049323A5 (en) | 2006-05-25 |
Family
ID=34277503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003324424A Pending JP2005049323A (en) | 2003-07-14 | 2003-09-17 | Manufacturing method and inspection method for probe card |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005049323A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100806380B1 (en) | 2006-12-28 | 2008-02-27 | 세크론 주식회사 | Method for producing probe card and probe card thereby |
KR101572325B1 (en) * | 2013-11-27 | 2015-11-26 | 단국대학교 산학협력단 | Fabrication method for organic-metal mesh composite sheet |
-
2003
- 2003-09-17 JP JP2003324424A patent/JP2005049323A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100806380B1 (en) | 2006-12-28 | 2008-02-27 | 세크론 주식회사 | Method for producing probe card and probe card thereby |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20060404 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060404 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20060512 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080924 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081119 |
|
A02 | Decision of refusal |
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