JP2005043471A - Antireflection film forming composition and method for forming antireflection film - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antireflection film forming composition free of uneven application and excellent in uniformity of film thickness (suitability to application) when applied onto a substrate, and to provide a method for forming an antireflection film using the composition. <P>SOLUTION: The antireflection film forming composition excellent in suitability to application is constituted by containing a polymer having a constitutional unit shown by formula (1) (where R<SB>1</SB>is a monovalent atom or group other than H; n is an integer of 0-4, when n is 2-4, a plurality of symbols R<SB>1</SB>may be mutually the same or different; R<SB>2</SB>and R<SB>3</SB>are each independently a monovalent atom or group; and X is a divalent group) and a solvent having a boiling point of ≥160°C. In the method for forming an antireflection film, the composition is applied onto a semiconductor substrate and the resulting film is baked at a temperature of 150-350°C. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

［式中、Ｒ_１は水素原子以外の一価の原子又は基であり、ｎは０〜４の整数である。ただし、ｎが２〜４のときには複数のＲ_１は同一でも異なっていてもよい。Ｒ_２及びＲ_３は独立に一価の原子もしくは基である。Ｘは二価の基である。］
【０００９】本発明の組成物においては、前記式（１）で表される構造単位が、式（２）：
【化５】

［式中、Ｒ_１は水素原子以外の一価の原子又は基であり、ｎは０〜４の整数である。ただし、ｎが２〜４のときには複数のＲ_１は同一でも異なっていてもよい。Ｒ_２及びＲ_３は独立に一価の原子もしくは基である。Ｒ_４は、水素原子又は一価の有機基を示す。］
で表される構造単位を含むことが好ましく、
また、前記式（１）で表される構造単位が、式（３）：
【化６】

［式中、Ｒ_１は水素原子以外の一価の原子又は基であり、ｎは０〜４の整数である。ただし、ｎが２〜４のときには複数のＲ_１は同一でも異なっていてもよい。Ｒ_２及びＲ_３は独立に一価の原子もしくは基である。Ｒ_４は、水素原子又は一価の有機基を示す。］
で表される構造単位を含むことも好ましい。
【００１０】本発明の組成物においては、前記式（２）で表される構造単位が式（１）で表される全構造単位の５０モル％以上であることが望ましく、また、前記式（３）で表される構造単位が式（１）で表される全構造単位の５０モル％以上であることが望ましい。
さらに、本発明の組成物においては、溶剤が、当該組成物の固形分濃度が０．０１〜９０重量％であるような量存在するようにすることが好ましい。
また、本発明の組成物においては、さらに架橋剤を含有してもよく、その場合、架橋剤が該組成物の固形分１００重量部当たり１００重量部以下の量で存在するようにすることが好ましい。
さらに、本発明の組成物においては、さらに酸発生剤を含有してもよい。
本発明によれば、上記した組成物を、半導体基板上に塗布し、得られた塗膜を１５０〜３５０℃の温度にてベークして製膜することを特徴とする反射防止膜の形成方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
［基本重合体］
前記の一般式（１）で示される構造単位を有する重合体（以下、重合体（Ａ）という）は、本発明の組成物の基本的成分である。
一般式（１）において、Ｒ_１は一価の原子（但し、水素原子を除く）又は基であり、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フェニル基、アシル基、カルボキシル基、スルホン酸基、メルカプト基、ヒドロキシメチル基等を挙げることができる。前記アルキル基としては炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。アルケニル基としては炭素原子数２〜６の直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基が好ましく、例えばビニル、アリル等が挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素を好ましいものとして挙げることができる。また、前記アシル基としては炭素原子数１〜６の脂肪族又は芳香族アシル基が好ましく、例えばアセチル基等が挙げられる。前記アミノ基としては第一級アミノ基が好ましい。
【００１２】前記Ｒ_２及びＲ_３は、一価の原子もしくは基であり、一価の原子及び基としては、水素原子及び上記でＲ_１に関して例示したものと同様のものを例示することができる。また、Ｘは二価の基であり、例えば、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＳＯ_２−、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ（Ｒ）Ｏ−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ（Ｒ）−、−Ｓｉ（Ｒ）_２−（ここで、Ｒは炭素原子数１〜６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、炭素原子数２〜６の直鎖状または分岐鎖状のアルケニル基、炭素原子数４〜１０の脂環式基、炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素、４〜１０員環等である。）、−Ｓｉ（Ｒ）_２−Ｏ−（ここで、Ｒは前記のとおり。）等が挙げられ、中でも好ましくは、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２−等が挙げられる。
【００１３】重合体（Ａ）の具体例としては、例えば下記一般式（２）または（３）で示される構造を有する重合体が挙げられる。
【化７】

【化８】

［式中、Ｒ_１〜Ｒ_３及びｎは、前記のとおりであり、Ｒ_４は、水素原子又は一価の有機基を示す。］
【００１４】ここで、Ｒ_４で示される一価の有機基としては、例えば炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素原子数２〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、炭素原子数４〜１０を有する脂環式基、炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基、４〜１０員のヘテロ環式基等が挙げられる。
前記Ｒ_４で示されるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。前記アルケニル基としては、例えばビニル基、プロぺニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基等が挙げられる。前記脂環式基としては、例えばシクロヘキシル基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。前記ヘテロ環式基としては、例えばフルフリル基が挙げられる。なお、重合体（Ａ）における上記一般式（２）および（３）で示される構造単位は、一般式（１）で表される構造単位全体に対して、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上である。
【００１５】
［合成方法］
本発明において、重合体（Ａ）は、例えば、次に述べる方法によって得ることができる。ここでは、２通りの合成方法を挙げたが、これらの方法に限るものではない。
（合成方法１）
（ａ）工程：アセナフチレン類を単独重合、あるいは他の共重合可能なモノマーと共重合して、下記式（４）に示すような構造単位を有する前駆重合体を得、
（ｂ）工程：さらに、この前駆重合体とアルデヒド類を酸触媒の存在下単独縮合して、あるいは他の共縮合可能な成分と共縮合して、重合体（Ａ）を得る、
という方法である。
【００１６】
【化９】

［式中、Ｒ_１〜Ｒ_３及びｎは、前記のとおりである。］
【００１７】（ａ）工程：アセナフチレン類を単独重合、あるいは他の共重合可能なモノマーと共重合して、上記式（４）に示すような構造単位を有する前駆重合体を得る方法について
上記の前駆重合体の合成に用いられるアセナフチレン類としては、例えば、アセナフチレン；１−メチルアセナフチレン、３−メチルアセナフチレン、４−メチルアセナフチレン、５−メチルアセナフチレン、１−エチルアセナフチレン、３−エチルアセナフチレン、４−エチルアセナフチレン、５−エチルアセナフチレン等のアルキルアセナフチレン類；１−クロロアセナフチレン、３−クロロアセナフチレン、４−クロロアセナフチレン、５−クロロアセナフチレン、１−ブロモアセナフチレン、３−ブロモアセナフチレン、４−ブロモアセナフチレン、５−ブロモアセナフチレン等のハロゲン化アセナフチレン類；１−ニトロアセナフチレン、３−ニトロアセナフチレン、４−ニトロアセナフチレン、５−ニトロアセナフチレン等のニトロアセナフチレン類；１−アミノアセナフチレン、３−アミノアセナフチレン、４−アミノアセナフチレン、５−アミノアセナフチレン等のアミノアセナフチレン類；１−フェニルアセナフチレン、３−フェニルアセナフチレン、４−フェニルアセナフチレン、５−フェニルアセナフチレン等のフェニルアセナフチレン類；１−メルカプトアセナフチレン、３−メルカプトアセナフチレン、４−メルカプトアセナフチレン、５−メルカプトアセナフチレン等のメルカプトアセナフチレン類；１−ヒドロキシアセナフチレン、３−ヒドロキシアセナフチレン、４−ヒドロキシアセナフチレン、５−ヒドロキシアセナフチレン等のヒドロキシアセナフチレン類；１−ヒドロキシメチルアセナフチレン、３−ヒドロキシメチルアセナフチレン、４−ヒドロキシメチルアセナフチレン、５−ヒドロキシメチルアセナフチレン等のヒドロキシメチルアセナフチレン類；アセナフチレン−１−カルボン酸、アセナフチレン−３−カルボン酸、アセナフチレン−４−カルボン酸、アセナフチレン−５−カルボン酸等のアセナフチレンカルボン酸類等が挙げられる。これらは１種単独であるいは２種類以上を混合して使用することができる。
【００１８】上記前駆重合体を構成するアセナフチレン類と共重合可能なモノマーとしては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−アセトキシスチレン、ｍ−アセトキシスチレン、ｐ−アセトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン等の置換スチレン系化合物；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、カプロン酸ビニル等のカルボン酸ビニルエステル系化合物；（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和カルボン酸エステル系化合物；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸ビニル、ジメチルビニルメタクリロイルオキシメチルシラン等の不飽和基含有不飽和カルボン酸エステル；２−クロロエチルビニルエーテル、クロロ酢酸ビニル、クロロ酢酸アリル等のハロゲン含有ビニル系化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アリルアルコール等の水酸基含有ビニル系化合物；（メタ）アクリルアミド、クロトン酸アミド等のアミド基含有ビニル系化合物；２−メタクロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクロイルオキシエチルマレイン酸等のカルボキシル基含有ビニル系化合物；１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、９−ビニルアントラセン、９−ビニルカルバゾール等のビニルアリール系化合物等が挙げられる。これらのモノマーは、１種単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００１９】上記前駆重合体を構成するアセナフチレン類と共重合可能なモノマーとの構成比率は、双方の総モル量に対して、アセナフチレン類が５〜１００モル％含有することが好ましく、より好ましくは１０〜１００モル％、さらに好ましくは、２０〜１００モル％含有する。
【００２０】上記前駆重合体の分子量は、反射防止膜の所望の特性に応じて適宜選択されるが、ポリスチレン換算の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という）で、通常、５００〜１００，０００、好ましくは１，０００〜５０，０００である。
【００２１】上記前駆重合体は、例えばラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の適宜の方法により、溶液重合等の重合形態で製造することができる。
（ｂ）工程：次いで前駆重合体とアルデヒド類とを縮合反応させて、式（１）で示す構造単位を有する重合体（Ａ）を得る方法について
【００２２】縮合反応に用いられるアルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド等の飽和脂肪族アルデヒド類；アクロレイン、メタクロレイン等の不飽和脂肪族アルデヒド類；フルフラール等のヘテロ環式アルデヒド類；ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒド、アントラアルデヒド等の芳香族アルデヒド類等が挙げられ、特に好ましくはホルムアルデヒド及びパラホルムアルデヒドである。これらは１種単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２３】縮合反応において、アルデヒド類の使用量は上記前駆重合体１００重量部に対し通常１〜１０，０００重量部である。
【００２４】また、この縮合反応において、他の共縮合成分として芳香族炭化水素類を添加してもよい。この場合、前駆重合体とともに当該芳香族類を反応成分として使用する。この場合の縮合反応は、上記前駆重合体類、芳香族類及びアルデヒド類を混合し、酸触媒の存在下、無溶剤あるいは溶剤中で加熱することにより行われる。
【００２５】芳香族類としては、アセナフチレン類と共縮合重合しうる芳香族類ならばいずれも用いることができる。例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、アセナフテン等の無置換芳香族炭化水素類；トルエン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１−メチルナフタレン等のアルキル置換芳香族炭化水素類；フェノール、クレゾール、１−ナフトール、ビスフェノール類、多価フェノール類等のヒドロキシ置換芳香族炭化水素類；安息香酸、１−ナフタレンカルボン酸、９−アントラセンカルボン酸等のカルボキシル置換芳香族炭化水素類；アニリン等のアミノ置換芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらは１種単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２６】上記縮合反応で芳香族類及びアルデヒド類の使用量は、前駆重合体類１００重量部に対し、通常芳香族類が１０，０００重量部以下、アルデヒド類１〜１，０００重量部である。
【００２７】上記縮合反応で用いられる酸触媒としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類；ｐ−トルエンスルホン酸等の有機スルホン酸類；蟻酸、シュウ酸等のカルボン酸類が使用される。酸触媒の使用量は、使用する酸類の種類によって種々選択される。通常、アセナフチレン類１００重量部に対して、０．００１〜１０，０００重量部、好ましくは、０．０１〜１，０００重量部である。
【００２８】以上の縮合反応は、無溶剤でも行われるが、通常溶剤を用いて行われる。溶剤としては、反応を阻害しないものであれば全て使用することができる。例えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アミノ系樹脂等のアルデヒド類を原料とする樹脂に使用されている溶剤が使用できる。具体的には、後述する本発明の組成物に使用する溶剤の他、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。また、使用する酸触媒が例えば蟻酸のような液状のものであるならば、溶剤としての役割を兼ねさせることもできる。
【００２９】縮合時の反応温度は、通常、４０℃〜２００℃である。反応時間は、反応温度によって種々選択されるが、通常、３０分〜７２時間である。
以上のようにして得られる重合体（Ａ）のＭｗは、通常、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、である。
【００３０】
（合成方法２）
（ａ）工程：アセナフチレン類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下共縮合、あるいは他の共縮合可能な成分と共縮合して、下記式（５）で示す構造単位を有する前駆縮合体を得る。
（ｂ）工程：この前駆縮合体を単独で、あるいは他の共重合可能なモノマーと共重合して得る方法である。
【００３１】
【化１０】

［式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、ｎ及びＸは、前記のとおりである。］
【００３２】（ａ）工程：まず、上記式（５）で示す構造単位を有する前駆縮合体を、アセナフチレン類とアルデヒド類とを単独縮合して、あるいは他の共縮合可能な芳香族類を加えて共縮合して得る。前駆縮合体の合成に用いられるアセナフチレン類、アルデヒド類及び芳香族類は、上記合成方法１で挙げたものと同様のものが挙げられる。前駆縮合体の縮合条件は、上記した前駆重合体を縮合するときの条件と同様である。
【００３３】上記前駆縮合体のＭｗは、反射防止膜の所望の特性に応じて適宜選択されるが、通常、１００〜１００，０００、好ましくは２，０００〜５０，０００である。
（ｂ）工程：次いで、前駆縮合体を単独重合、あるいは他の共重合可能なモノマーと共重合させて重合体（Ａ）を得る。重合反応に用いられるモノマー類は、前記合成方法１で挙げたものと同様のものが挙げられる。前駆縮合体の重合条件は、上記したアセナフチレン類を重合するときの条件と同様である。
【００３４】
［溶剤］
本発明の組成物には重合体（Ａ）の他に溶剤が含まれる。この溶剤としては、前述及び後述する組成物の成分を溶解し、かつ沸点が１６０℃以上の溶剤を含有する。沸点が１６０℃以下の溶剤と混合しても用いることが出来るが、その場合は、沸点が１６０℃以上の溶剤を少なくとも５重量部以上含有させなければならない。１６０℃以上の沸点を有する溶剤の量が５重量部未満の混合溶剤の場合は、本発明の組成物を基板上に塗布する際、蒸発速度が速すぎるため、塗布ムラの原因となる。沸点が１６０℃以上の溶剤が、全溶剤中に１０〜８０重量％の割合で含まれている混合溶剤が、塗布ムラが少なくなる点で好ましい。沸点が１６０℃以上の溶剤として、例えばエチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート等のエチレングリコールアセテート類；ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類；トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のトリエチレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；乳酸−ｎ−プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸−ｎ−ブチル、乳酸−ｎ−イソブチル等の乳酸エステル類；
【００３５】ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート等のエステル類；
イソホロン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−ヘキサラクトン、γ−ヘプタラクトン、γ−オクタラクトン、γ−ノナラクトン、γ−デカラクトン、γ−ウンデカラクトン、γ−ドデカラクトン、メチル−γ−デカラクトン、δ−ヘキサラクトン、δ−オクタラクトン、δ−ノナラクトン、δ−デカラクトン、δ−ウンデカラクトン、δ−ドデカラクトン、δ−トリデカラクトン、δ−テトラデカラクトン、δ−ヘキサデカラクトン、ε−デカラクトン、ε−ドデカラクトン等のラクトン類等を適宜選択して使用する。これらのうち、好ましい溶剤としては、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、３−エトキシプロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−ヘキサラクトン、γ−ヘプタラクトン等が挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種類以上を混合して使用される。
【００３６】溶剤の配合量は、得られる組成物の固形分濃度が、通常０．０１〜９０重量％程度、好ましくは０．０５〜６０重量％、さらに好ましくは０．１〜５０重量％となる範囲である。
【００３７】
［その他の成分］
本発明の組成物には、本発明の所望の効果を損なわない限り、必要に応じて架橋剤、熱または光酸発生剤、バインダー樹脂及び各種添加剤を配合することができる。
（架橋剤）
架橋剤は、例えば、本発明の組成物を半導体基板に塗布して得られる反射防止膜と、その上に塗布、形成されるレジスト膜との間でインターミキシングが起こることを防止する役割を果たす。また、塗布後のクラックを防止する役割も果たす。
【００３８】架橋剤としては、多核フェノール類や、種々の市販のいわゆる硬化剤を使用することができる。多核フェノール類としては、例えば、（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジオール、メチレンビスフェノール、４，４’−エチリデンビスフェノール等の２核フェノール類；４，４’，４’’−メチリデントリスフェノール、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール等の３核フェノール類；ノボラック等のポリフェノール類等が挙げられ、これら多核フェノール類のなかで、特に４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール及びノボラックが好適に用いられる。
【００３９】硬化剤としては、例えば、トリレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、シクロヘキサンジイソシアナート等のジイソシアナート類；エピコート８１２、同８１５、同８２６、同８２８、同８３４、同８３６、同８７１、同１００１、同１００４、同１００７、同１００９、同１０３１（商品名、油化シェルエポキシ製）、アラルダイト６６００、同６７００、同６８００、同５０２、同６０７１、同６０８４、同６０９７、同６０９９（商品名、チバガイギー製）、ＤＥＲ３３１、同３３２、同３３３、同６６１、同６４４、同６６７（商品名、ダウ製）等のエポキシ化合物類；サイメル３００、同３０１、同３０３、同３５０、同３７０、同７７１、同３２５、同３２７、同７０３、同７１２、同７０１、同２７２、同２０２、マイコート５０６、同５０８（商品名、三井サイアナミッド製）等のメラミン系硬化剤、サイメル１１２３、同１１２３−１０、同１１２８、マイコート１０２、同１０５、同１０６、同１３０（商品名、三井サイアナミッド製）等のベンゾグアナミン系硬化剤；サイメル１１７０、同１１７２（商品名、三井サイアナミッド製）、ニカラックＮ−２７０２（商品名、三和ケミカル社製）等のグリコールウリル系硬化剤等が挙げられる。
【００４０】架橋剤の配合量は、反射防止膜組成物の固形分１００重量部当たり、通常、５，０００重量部以下、好ましくは、１，０００重量部以下である。
【００４１】
（酸発生剤）
酸発生剤は、先に述べた架橋剤の架橋反応を助ける触媒としての役割を果たす。そのため本発明の組成物を半導体基板に塗布して得られる反射防止膜と、その上に塗布、形成されるレジスト膜との間でインターミキシングが起こることを防止する役割を果たす。また、塗布後のクラックを防止する役割も果たす。
酸発生剤としては、潜在性熱酸発生剤または潜在性光酸発生剤を挙げることができる。
潜在性熱酸発生剤は、通常５０〜４５０℃、好ましくは１５０〜３５０℃に加熱することにより酸を発生する化合物であり、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩などのオニウム塩が用いられる。
【００４２】潜在性熱酸発生剤として用いられるスルホニウム塩の具体例としては、４−アセトフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートなどのアルキルスルホニウム塩；
ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジルトシレートなどのベンジルスルホニウム塩；
【００４３】ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェートなどのジベンジルスルホニウム塩；
ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートなどの置換ベンジルスルホニウム塩を挙げることができる。
【００４４】また、ベンゾチアゾニウム塩の具体例としては３−ベンジルベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾリウム テトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾリウム ヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネートなどのベンジルベンゾチアゾリウム塩を挙げることができる。
さらに、上記以外の熱酸発生剤として、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノンを例示できる。
以上のうち、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネートなどが好ましく用いられる。
これらの市販品としては、サンエイド ＳＩ−Ｌ８５、同ＳＩ−Ｌ１１０、同ＳＩ−Ｌ１４５、同ＳＩ−Ｌ１５０、同ＳＩ−Ｌ１６０（三新化学工業（株）製）などを挙げることができる。
これらの化合物は、単独であるいは２種以上を併用することができる。
【００４５】潜在性光酸発生剤は、通常、１〜１００ｍＪ、好ましくは１０〜５０ｍＪのエネルギーの紫外光照射により酸を発生する化合物である。
潜在性光酸発生剤としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル（４−メチルフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル（４−メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（ヒドロキシフェニル）ベンゼンメチルスルホニウムトルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
【００４６】ジメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、（４−ヒドロキシフェニル）ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチル−ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシメトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシメトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−（１−メトキシエトキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−（２−メトキシエトキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−エトキシカルブニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
【００４７】４−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｎ−ブトキカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−（２−テトラヒドロフラニルオキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ベンジルオキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートなどのオニウム塩系光酸発生剤類；フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、メトキシフェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのハロゲン含有化合物系光酸発生剤類；
【００４８】１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、２，３，４，４’−テトラベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどのジアゾケトン化合物系光酸発生剤類；４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタンなどのスルホン酸化合物系光酸発生剤類；ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリストリフルオロメタンスルホネート、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートなどのスルホン酸化合物系光酸発生剤類などを挙げることができる。
これらは１種単独でも２種以上を併用することができる。
以上の酸発生剤は、潜在性熱酸発生剤および潜在性光酸発生剤のいずれの場合も、膜形成成分固形分１００重量部に対して、通常１〜３０質量部である。
【００４９】
（バインダー樹脂）
バインダー樹脂としては、種々の熱可塑性及び熱硬化性の合成樹脂を使用することができる。熱可塑性樹脂の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、ポリ−１−ペンテン、ポリ−１−ヘキセン、ポリ−１−ヘプテン、ポリ−１−オクテン、ポリ−１−デセン、ポリ−１−ドデセン、ポリ−１−テトラデセン、ポリ−１−ヘキサデセン、ポリ−１−オクタデセン、ポリビニルシクロアルカン等のα−オレフィン重合体；ポリ−１，４−ペンタジエン、ポリ−１，４−ヘキサジエン、ポリ−１，５−ヘキサジエン、ポリ−１，７−ｏ−クロルアクロレイン等のα、β−不飽和アルデヒド重合体類；ポリメチルビニルケトン、ポリ芳香族ビニルケトン、ポリ環状ビニルケトン等のα、β−不飽和ケトン重合体類；ポリ（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸の塩類、ポリ（メタ）アクリル酸のエステル、ポリ（メタ）アクリル酸のハロゲン化物等のα、β−不飽和酸誘導体の重合体類；ポリ（メタ）アクリル酸無水物、ポリ無水マレイン酸等のα、β−不飽和酸無水物の重合体類；ポリメチレンマロン酸ジエステル、ポリイタコン酸ジエステル等の不飽和多塩基酸エステル重合体類；ポリソルビン酸エステル、ムコン酸エステル等のジオレフィン酸エステル重合体類；ポリアクリル酸チオエステル、メタクリル酸チオエステル、α−クロルアクリル酸チオエステル等のα、β−不飽和酸チオエステル重合体類；ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル等のアクリロニトリル誘導体の重合体類；ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド等のアクリルアミド誘導体の重合体類；スチリル金属化合物重合体類；ポリビニルオキシ金属化合物類；ポリイミン類；ポリフェニレンオキシド、ポリ−１，３−ジオキソラン、ポリオキシラン、ポリテトラヒドロフラン、ポリテトラヒドロピラン等のポリエーテル類；ポリスルフィド類；ポリスルホンアミド類；
ポリペプチド類；ナイロン６６、ナイロン１〜ナイロン１２等のポリアミド類；脂肪族ポリエステル、芳香族ポリエステル、脂環族ポリエステル、ポリ炭酸エステル、アルキド樹脂等のポリエステル類；ポリ尿素類；ポリスルホン類；ポリアジン類；ポリアミン類；ポリ芳香族ケトン類；ポリイミド類；ポリベンゾイミダゾール類；ポリベンゾオキサゾール類；ポリベンゾチアゾール類；ポリアミノトリアゾール類；ポリオキサジアゾール類；ポリピラゾール類；ポリテトラゾール類；ポリキノキサリン類；ポリトリアジン類；ポリベンゾオキサジノン類；ポリキノリン類；ポリアントラゾリン類等が挙げられる。これらは１種単独で、あるいは２種類以上を混合して使用できる。これらバインダー樹脂の配合量は、重合体（Ａ）１００重量部当り、通常２０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【００５０】バインダー樹脂としては、その他に、レジストとのインターミキシングを防止するために、基板に塗布後、加熱により硬化して溶剤に不溶となる熱硬化性樹脂も好ましく用いられる。
このような熱硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性アクリル系樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アミノ系樹脂、芳香族炭化水素樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂等が挙げられる。これらは１種単独で、あるいは２種類以上を混合して使用できる。
【００５１】
（他の添加剤）
その他の添加剤としては、例えば、放射線吸収剤、界面活性剤等を挙げることができる。
放射線吸収剤としては、各種の放射線吸収性を有する化合物を使用することができ、例えば油溶性染料、分散染料、塩基性染料、メチン系染料、ピラゾール系染料、イミダゾール系染料、ヒドロキシアゾ系染料等の染料；ビクシン誘導体、ノルビクシン、スチルベン、４、４’−ジアミノスチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラゾリン誘導体等の蛍光増白剤；ヒドロキシアゾ系染料、チヌビン２３４（商品名、チバガイギー製）、チヌビン１１３０（商品名、チバガイギー製）等の紫外線吸収剤；アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体等の芳香族化合物等が挙げられる。これらの放射線吸収剤は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。放射線吸収剤の配合量は、反射防止膜形成組成物の固形分１００重量部当たり、通常、１００重量部以下、好ましくは、５０重量部以下である。
【００５２】界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、ぬれ性、現像性等を改良する作用を有するものである。このような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、市販品としては、例えばオルガノシロキサンポリマーであるＫＰ３４１（商品名、信越化学工業製）、（メタ）アクリル酸系（共）重合体であるポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（商品名、共栄社油脂化学工業製）、エフトップＥＦ１０１、同ＥＦ２０４、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（商品名、トーケムプロダクツ製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３（商品名、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１３５、同ＦＣ９３（商品名、住友スリーエム製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（商品名、旭硝子製）等が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上組合わせても使用することができる。界面活性剤の配合量は、反射防止膜組成物の固形分１００重量部当たり、通常、１５重量部以下、好ましくは、１０重量部以下である。
【００５３】さらにその他の添加剤として保存安定剤、消泡剤、接着助剤等を挙げることもできる。
【００５４】
［組成物の使用法］
本発明の組成物は、半導体基板上にレジストパターンを形成する際に反射防止膜を形成するのに用いられる。具体的には、例えば、次のように使用される。すなわち、通常、レジストパターン形成方法は、１）基板上に本発明の反射防止膜形成組成物を塗布し、得られた塗膜をベークして反射防止膜を形成する工程、２）該反射防止膜上にレジスト組成物溶液を塗布し、得られた塗膜をベークしてレジスト膜を形成する工程、３）該レジスト膜を露光用マスクを介して放射線にて選択的に露光する工程、４）露光したレジスト膜を現像する工程、及び５）反射防止膜をエッチングする工程を含む。
【００５５】第１工程で形成される反射防止膜の膜厚は、例えば１００〜５，０００オングストロームであり、組成物は例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法により塗布される。次いで、ベークして反射防止膜組成物を熱硬化させる。この際のベーク温度は、例えば１００〜４００℃程度である。好ましくは１５０〜３５０℃程度のベーク温度である。この際、ベーク温度が１００℃以下の場合、硬化が不十分であり、４００℃以上の場合、膜組成物が熱分解してしまう。基板としては、例えばシリコンウエハー、アルミニウムで被覆したウエハー等が挙げられる。
【００５６】第２工程では、該反射防止膜上に得られるレジスト膜が所定の膜厚となるようにレジスト組成物溶液を塗布し、プレベークして得られた塗膜中の溶剤を揮発させてレジスト膜を形成する。この際のプレベークの温度は、使用されるレジストの種類等に応じて適宜調製される。通常、３０〜２００℃程度、好ましくは、５０〜１５０℃である。
【００５７】レジスト膜を反射防止膜上に形成させるには、レジスト組成物を適当な溶液に固形分濃度が例えば５〜５０重量％となるように溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過して組成物溶液を調製し、これを回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法により反射防止膜上に塗布する。なお、この場合、市販のレジスト溶液をそのまま使用できる。
【００５８】上で使用されるレジスト組成物としては、例えばアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と感放射線性架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物、感放射線性酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物等を挙げることができる。
【００５９】第３工程で露光に用いられる放射線としては、使用するレジストの種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、分子線、イオンビーム等から適切に選択される。これらの放射線のうち、好ましいのは、遠紫外線であり、特に、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）が好適に用いられる。
【００６０】次いで第４工程で、露光後のレジストを現像する。その後洗浄し、乾燥することにより、所望のレジストパターンを得る。この工程中、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、露光後、現像前にベーキングを行ってもよい。
【００６１】最後に第５工程で、レジストパターンをマスクとして、酸素プラズマ等のガスプラズマを用いて反射防止膜の乾式エッチングを行い、基板加工用のレジストパターンを得る。
【００６２】前記工程で使用される現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノナン等を溶解したアルカリ性水溶液を挙げることができる。また、これらの現像液には、水溶性有機溶剤、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類、及び界面活性剤を適量添加することもできる。
【００６３】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に何ら制約されるものではない。以下の説明において「部」は特記しない限り「重量部」を意味する。
【００６４】以下の合成例において、得られた樹脂のＭｗは、東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ：２本、Ｇ３０００ＨＸＬ：１本）を用い、流量：１．０ｍｌ／分、溶出溶剤：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法（検出器：示差屈折計）により測定した。
【００６５】反射防止膜形成組成物の性能評価は、下記の要領で行った。
・塗布性（膜厚均一性）：
８インチのシリコンウェハー上に、反射防止膜形成組成物をスピンコートした後、ホットプレート上で、３００℃で１２０秒間ベークして反射防止膜を形成した。ＫＬＡ−ＴＥＣＯＲ社製分光エリプソメータＵＶ−１２８０Ｅを用いて膜厚を４９点測定し、膜厚の均一性を測定した。膜厚のσ％が１％を越える場合を不良とした。
・光学特性測定：
８インチのシリコンウエハー上に、反射防止膜形成組成物をスピンコートしたのち、ホットプレート上で３００℃で１２０秒間ベークして膜厚０．１μｍの反射防止膜を形成した。ＫＬＡ−ＴＥＮＣＯＲ社製分光エリプソメータＵＶ−１２８０Ｅを用いて、２４８ｎｍにおける屈折率（ｎ値）及び吸光度（ｋ値）を測定した。また、ＳＯＰＲＡ社製分光エリプソメーターＭＯＳＳ−ＥＳＶＧ ＤＥＥＰ ＵＶを用いて、１９３ｎｍにおけるｎ値とｋ値を測定した。
【００６６】
・ＫｒＦ用ポジ型レジストパターンの形成：
８インチのシリコンウエハー上に、反射防止膜形成組成物を膜厚６００オングストロームの膜が得られるようにスピンコートしたのち、ホットプレート上で３００℃で１２０秒間ベークして反射防止膜を形成した。その後、該反射防止膜上にＫｒＦ用レジスト溶液（商品名 ＫＲＦ Ｍ２０Ｇ、ＪＳＲ（株）製）を膜厚０．６１μｍのレジスト膜が得られるようにスピンコートしたのち、１４０℃のホットプレート上で１分間ベークし、レジスト膜を形成した。次いで、（株）ニコン製ステッパーＮＳＲ２００５ＥＸ１２Ｂ（波長２４８ｎｍ）を用いて、０．２２μｍ幅のラインアンドスペースパターンを１対１の線幅で形成する露光時間（以下「最適露光時間」という。）だけ露光を行った。次いで、１４０℃のホットプレート上で、９０秒間ベーキングを行ったのち、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２３℃で３０秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。その後、走査型電子顕微鏡を用いてパターン形状を観察し、形状が悪い場合を不良とした。
【００６７】
・ＡｒＦ用ポジ型レジストパターンの形成：
８インチのシリコーンウエハー上に、反射防止膜組成物を膜厚６００オングストロームの膜が得られるようにスピンコートしたのち、ホットプレート上で３００℃で１２０秒間ベークして反射防止膜を形成した。その後、反射防止膜上にレジスト（ＪＳＲ（株）製ＡＲＦ００１Ｓ）を塗布し、１３０℃で９０秒間乾燥させた。この際のレジストの膜厚は３４０ｎｍに制御した。（株）ニコン製ＡｒＦエキシマレーザー照射装置を用い、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を０．２μｍのライン・アンド・スペースパターンを有する石英製マスクを介して基板に３２ｍＪ照射した。この後、基板を１３０℃で９０秒間加熱した。２．３８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２５℃で１分間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。その後、走査型電子顕微鏡を用いてパターン形状を観察し、形状が悪い場合を不良とした。
【００６８】
・耐溶剤性：
前述した条件に従って、反射防止膜及びレジスト膜の形成し、ガンマブチロラクトンを形成した反射防止膜上に垂らし３０秒間浸漬させ、浸漬前後の膜厚を測定した。浸漬後の反射防止膜の膜厚が浸漬前の膜厚に比べ、３０オングストローム以上変化している場合を不良とした。
・定在波防止効果：
前述した条件に従って、反射防止膜及びレジスト膜の形成、露光並びに現像を行った。その後、レジスト膜への定在波の影響の有無を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、定在波によるパターン側壁のラフネスが見られた場合、不良とした。
【００６９】
［合成例１（重合体（Ａ）の合成）］
温度計を備えたセパラブルフラスコに、アセナフチレン１００部、トルエン７８部、ジオキサン５２部、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）３部を窒素下に仕込み、７０℃で５時間攪拌した。次いで、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物５．２部、及びパラホルムアルデヒド４０部を添加し、１２０℃に昇温し、さらに６時間攪拌した。得られた反応溶液を多量のイソプロパノール中に投入し、沈殿した樹脂をろ過により採取した。４０℃で減圧乾燥し、重合体（Ａ）を得た。得られた樹脂は、Ｍｗ：２２，０００（ポリスチレン換算）で、^１Ｈ−ＮＭＲの結果から、下記式（６）で表される構造を有する重合体が確認された。
【００７０】
【化１１】

【００７１】
［合成例２（重合体（Ａ’）の合成）］
温度計を備えたセパラブルフラスコに、アセナフチレン１００部、トルエン７８部、ジオキサン５２部、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物５．２部、及びパラホルムアルデヒド４０部を添加し、１２０℃に昇温し、６時間攪拌した。次いで、７０℃まで内温を下げた後、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）３部を窒素下に仕込み、その温度で更に５時間攪拌した。得られた反応溶液を多量のイソプロパノール中に投入し、沈殿した樹脂をろ過により採取した。４０℃で減圧乾燥し、重合体（Ａ）を得た。得られた樹脂は、Ｍｗ：２０，０００（ポリスチレン換算）で、^１Ｈ−ＮＭＲの結果から、上記した式（６）で表される構造を有する重合体が確認された。
【００７２】
実施例１
合成例１で調製した重合体（Ａ）１０部及びジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート０．５部、及び４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール０．５部を、γ−バレロラクトン８９部に溶解し、得られた溶液を孔径０．１μｍのメンブランフィルターでろ過し、反射防止膜形成組成物を調製した。次いで、得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７３】
実施例２
使用する溶剤をγ−バレロラクトン５３部、シクロヘキサノン３６部含む混合溶剤とした以外は実施例１と同様にして反射防止膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７４】
実施例３
４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールをグリコールウリル系硬化剤（商品名：ニカラックＮ―２７０２、（株）三和ケミカル社製）とした以外は実施例１と同様にして反射防止膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７５】
実施例４
合成例１で得られた重合体（Ａ）を合成例２で得られた重合体（Ａ’）とした以外は実施例１と同様にして下層膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７６】
実施例５
合成例１で得られた重合体（Ａ）を合成例２で得られた重合体（Ａ’）とした以外は実施例２と同様にして下層膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７７】
実施例６
合成例１で得られた重合体（Ａ）を合成例２で得られた重合体（Ａ’）とした以外は実施例３と同様にして下層膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７８】
比較例１
反射防止膜形成組成物を用いなかったこと以外は実施例１〜３と同様に性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７９】
比較例２
γ−バレロラクトンをアニソールとした以外は実施例１と同様にして反射防止膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００８０】
比較例３
酸発生剤及び架橋剤を用いなかった以外は実施例１と同様にして反射防止膜形成組成物を調製した。得られた組成物について、前記のようにして性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】

【００８２】
【発明の効果】本発明の反射防止膜形成組成物を用いて形成した反射防止膜は、塗布ムラが生じず、基板上に塗布した際の塗膜厚さの均一性（塗布性）に優れているという優れた効果を奏するとともに、反射防止効果が高く、かつレジストとインターミキシングを生じることが無いため、ポジ型及びネガ型レジストと協働して、解像度、精度等に優れたレジストパターンをもたらすことができる。したがって、本発明の反射防止膜形成組成物は、特に高集積度の集積回路の製造に寄与するところが大である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is useful for microfabrication in a lithography process using various types of radiation, and particularly suitable for the production of integrated circuit elements, and an antireflection film using the composition. It relates to a method of forming.
[0002]
2. Description of the Related Art In an integrated circuit device manufacturing method, in order to obtain a higher degree of integration, the processing size in the lithography process has been miniaturized. In this lithography process, a resist composition solution is applied onto a substrate, a mask pattern is transferred by a reduction projection exposure apparatus (stepper), and developed with an appropriate developer to obtain a desired pattern. However, high reflectivity aluminum, aluminum-silicon alloy, aluminum-silicon-copper alloy, polysilicon, tungsten silicide, and other substrates used in this process reflect the irradiated radiation at the surface. As a result, there is a problem that halation occurs in the resist pattern and a fine resist pattern cannot be accurately reproduced.
In order to solve this problem, it has been proposed to provide an antireflection film having a property of absorbing radiation reflected from the substrate under the resist film to be formed on the substrate. As such an antireflection film, an inorganic film such as a titanium film, a titanium dioxide film, a titanium nitride film, a chromium oxide film, a carbon film, or an α-silicon film formed by a method such as vacuum deposition, CVD, or sputtering. Although known, these inorganic antireflection films have conductivity, so they cannot be used in the production of integrated circuits, or are specially used for the formation of antireflection films such as vacuum deposition equipment, CVD equipment, and sputtering equipment. There was a fault such as requiring the device. In order to solve the disadvantages of this inorganic antireflection film, an organic antireflection film comprising a polyamic acid (co) polymer or a polysulfone (co) polymer and a dye has been proposed (for example, see Patent Document 1). . This antireflection film has no electrical conductivity, and the composition constituting the antireflection film dissolves in an appropriate solvent, so that no special equipment is required and it is in a solution state on the substrate in the same manner as a resist. Can be applied.
[0004] However, the antireflection film comprising a polyamic acid (co) polymer or polysulfone (co) polymer and a dye cannot sufficiently prevent halation and standing waves because the amount of the dye added is limited. Further, since it is slightly mixed with the resist (this is called intermixing), there is a problem in that the resist pattern cross-sectional shape (pattern profile) such as omission failure and tailing is deteriorated.
In order to solve the above problem, the present applicant has found that a specific polymer containing acenaphthylene as a monomer unit has a high absorbance with respect to excimer laser light and a high refractive index compared to the above-described conventional lower antireflection film. As a result, an antireflection film-forming composition containing such a polymer and a solvent was proposed (see, for example, Patent Documents 2 to 5).
[0005]
[Patent Document 1]
JP 59-93448 A
[Patent Document 2]
JP 2000-143937 A
[Patent Document 3]
JP 2001-40293 A
[Patent Document 4]
JP 2002-214777 A
[Patent Document 5]
JP 2002-296789 A
[0006]
By the way, in the above-mentioned conventional antireflection film-forming composition, the solvent contained together with the polymer has a special characteristic except that it can dissolve the components of the composition. Attention was not paid.
However, in the course of further investigation by the inventor, when the solvent having a predetermined characteristic is not used, the coating thickness when the antireflection film-forming composition is applied on the substrate is adjusted. It has been found that uniformity, so-called coating properties, is not sufficient and uneven coating occurs.
Therefore, an object of the present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, to prevent coating unevenness, and to provide an antireflection film-forming composition that is excellent in coating film thickness uniformity (applicability) when coated on a substrate. An object of the present invention is to provide a method for forming an antireflection film using the composition.
[0007]
Means for Solving the Problems That is, the present invention comprises a polymer having a structural unit represented by the following formula (1) and a solvent having a boiling point of 160 ° C. or more, and is excellent in coatability. An antireflective film-forming composition is provided.
[0008]
[Formula 4]

[Wherein R ₁ Is a monovalent atom or group other than a hydrogen atom, and n is an integer of 0-4. However, when n is 2 to 4, a plurality of R ₁ May be the same or different. R ₂ And R ₃ Are independently a monovalent atom or group. X is a divalent group. ]
In the composition of the present invention, the structural unit represented by the formula (1) is represented by the formula (2):
[Chemical formula 5]

[Wherein R ₁ Is a monovalent atom or group other than a hydrogen atom, and n is an integer of 0-4. However, when n is 2 to 4, a plurality of R ₁ May be the same or different. R ₂ And R ₃ Are independently a monovalent atom or group. R ₄ Represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. ]
It preferably includes a structural unit represented by
The structural unit represented by the formula (1) is represented by the formula (3):
[Chemical 6]

[Wherein R ₁ Is a monovalent atom or group other than a hydrogen atom, and n is an integer of 0-4. However, when n is 2 to 4, a plurality of R ₁ May be the same or different. R ₂ And R ₃ Are independently a monovalent atom or group. R ₄ Represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. ]
It is also preferable that the structural unit represented by these is included.
In the composition of the present invention, the structural unit represented by the formula (2) is desirably 50 mol% or more of the total structural unit represented by the formula (1). The structural unit represented by 3) is desirably 50 mol% or more of the total structural unit represented by the formula (1).
Furthermore, in the composition of the present invention, the solvent is preferably present in such an amount that the solid content concentration of the composition is 0.01 to 90% by weight.
The composition of the present invention may further contain a crosslinking agent, in which case the crosslinking agent may be present in an amount of 100 parts by weight or less per 100 parts by weight of the solid content of the composition. preferable.
Furthermore, the composition of the present invention may further contain an acid generator.
According to the present invention, the above-described composition is applied onto a semiconductor substrate, and the obtained coating film is baked at a temperature of 150 to 350 ° C. to form a film, which is characterized in that the antireflection film is formed. Is provided.
[0011]
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below.
[Basic polymer]
The polymer having the structural unit represented by the general formula (1) (hereinafter referred to as polymer (A)) is a basic component of the composition of the present invention.
In the general formula (1), R ₁ Is a monovalent atom (excluding a hydrogen atom) or a group, such as a halogen atom, alkyl group, alkenyl group, nitro group, amino group, hydroxyl group, phenyl group, acyl group, carboxyl group, sulfonic acid group, A mercapto group, a hydroxymethyl group, etc. can be mentioned. The alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl and the like. The alkenyl group is preferably a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include vinyl and allyl. Preferred examples of the halogen atom include fluorine, chlorine and bromine. Moreover, as said acyl group, a C1-C6 aliphatic or aromatic acyl group is preferable, for example, an acetyl group etc. are mentioned. The amino group is preferably a primary amino group.
R ₂ And R ₃ Is a monovalent atom or group, and examples of the monovalent atom and group include a hydrogen atom and the above-mentioned R ₁ The thing similar to what was illustrated regarding can be illustrated. X is a divalent group, for example, —CO—, —NH—, —SO. ₂ -, -S-, -O-, -COO-, -CONH-, -O-CO-O-, -NH-CO-NH-, -CH ₂ O-, -CH (R) O-, -CH ₂ -, -CH (R)-, -Si (R) ₂ -(Wherein R is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, or 4 to 10 carbon atoms) An alicyclic group, an aromatic hydrocarbon having 6 to 12 carbon atoms, a 4 to 10 membered ring, etc.), —Si (R). ₂ -O- (wherein R is as defined above) and the like, among which -CO-, -O-, -COO-, -CONH-, -CH are preferred. ₂ O-, -CH ₂ -Etc. are mentioned.
Specific examples of the polymer (A) include polymers having a structure represented by the following general formula (2) or (3).
[Chemical 7]

[Chemical 8]

[Wherein R ₁ ~ R ₃ And n are as described above, and R ₄ Represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. ]
Where R ₄ As the monovalent organic group represented by, for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, or a carbon atom Examples thereof include an alicyclic group having 4 to 10 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, and a 4 to 10-membered heterocyclic group.
R ₄ Examples of the alkyl group represented by are methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl and the like. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group, a 1-butenyl group, and a 2-butenyl group. Examples of the alicyclic group include a cyclohexyl group. Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group. Examples of the heterocyclic group include a furfuryl group. The structural units represented by the general formulas (2) and (3) in the polymer (A) are preferably 50 mol% or more, more preferably based on the entire structural unit represented by the general formula (1). Is 60 mol% or more, more preferably 70 mol% or more.
[0015]
[Synthesis method]
In the present invention, the polymer (A) can be obtained, for example, by the method described below. Here, although two kinds of synthesis methods were mentioned, it is not limited to these methods.
(Synthesis method 1)
Step (a): A precursor polymer having a structural unit represented by the following formula (4) is obtained by homopolymerizing acenaphthylenes or copolymerizing with other copolymerizable monomers,
Step (b): Furthermore, this precursor polymer and aldehydes are subjected to single condensation in the presence of an acid catalyst or with other co-condensable components to obtain a polymer (A).
It is a method.
[0016]
[Chemical 9]

[Wherein R ₁ ~ R ₃ And n are as described above. ]
Step (a): A method of obtaining a precursor polymer having a structural unit represented by the above formula (4) by homopolymerizing acenaphthylenes or other copolymerizable monomers.
Examples of the acenaphthylenes used for the synthesis of the precursor polymer include acenaphthylene; 1-methylacenaphthylene, 3-methylacenaphthylene, 4-methylacenaphthylene, 5-methylacenaphthylene, and 1-ethyl. Alkylacenaphthylenes such as acenaphthylene, 3-ethylacenaphthylene, 4-ethylacenaphthylene, 5-ethylacenaphthylene; 1-chloroacenaphthylene, 3-chloroacenaphthylene, 4-chloroacena Halogenated acenaphthylenes such as butylene, 5-chloroacenaphthylene, 1-bromoacenaphthylene, 3-bromoacenaphthylene, 4-bromoacenaphthylene, 5-bromoacenaphthylene; 1-nitroacenaphthylene , 3-nitroacenaphthylene, 4-nitroacenaphthylene, 5-nitroacenaphthylene, etc. Loacenaphthylenes; aminoacenaphthylenes such as 1-aminoacenaphthylene, 3-aminoacenaphthylene, 4-aminoacenaphthylene, 5-aminoacenaphthylene; 1-phenylacenaphthylene, 3-phenylacenaphthylene Phenylacenaphthylenes such as len, 4-phenylacenaphthylene, 5-phenylacenaphthylene; 1-mercaptoacenaphthylene, 3-mercaptoacenaphthylene, 4-mercaptoacenaphthylene, 5-mercaptoacenaphthylene Mercaptoacenaphthylenes such as 1-hydroxyacenaphthylene, 3-hydroxyacenaphthylene, 4-hydroxyacenaphthylene, 5-hydroxyacenaphthylene and the like; 1-hydroxymethylacenaphthylene , 3-hydroxymethylacenaphthylene, 4 Hydroxymethylacenaphthylenes such as hydroxymethylacenaphthylene and 5-hydroxymethylacenaphthylene; acenaphthylene-1-carboxylic acid, acenaphthylene-3-carboxylic acid, acenaphthylene-4-carboxylic acid, acenaphthylene-5-carboxylic acid and the like Acenaphthylenecarboxylic acids and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
Examples of monomers copolymerizable with acenaphthylenes constituting the precursor polymer include, for example, styrene, α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, o-hydroxystyrene, substituted styrene compounds such as m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, o-acetoxystyrene, m-acetoxystyrene, p-acetoxystyrene, pt-butoxystyrene; vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl caproate, etc. Carboxylic acid vinyl ester compounds; vinyl cyanide compounds such as (meth) acrylonitrile and α-chloroacrylonitrile; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate , N-he Unsaturated carboxylic acid ester compounds such as xyl (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate; ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, dimethylvinylmethacryloyloxymethylsilane Unsaturated group-containing unsaturated carboxylic acid esters such as 2-chloroethyl vinyl ether, vinyl chloroacetate, allyl chloroacetate, and other halogen-containing vinyl compounds; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing vinyl compounds such as (meth) allyl alcohol; amide group-containing vinyl compounds such as (meth) acrylamide and crotonic acid amide; 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxy Carboxyl group-containing vinyl compounds such as Chirumarein acid; 1-vinylnaphthalene, 2-vinylnaphthalene, 9-vinyl anthracene, vinyl aryl compounds such as 9-vinyl carbazole. These monomers can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
The constituent ratio of the acenaphthylenes constituting the precursor polymer and the copolymerizable monomer is preferably 5 to 100 mol% of acenaphthylenes, more preferably, relative to the total molar amount of both. It contains 10 to 100 mol%, more preferably 20 to 100 mol%.
The molecular weight of the precursor polymer is appropriately selected according to the desired properties of the antireflection film, and is a polystyrene-equivalent weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw"), usually 500 to 100,000. , Preferably 1,000 to 50,000.
The precursor polymer can be produced in a polymerized form such as solution polymerization by an appropriate method such as radical polymerization, anionic polymerization, or cationic polymerization.
Step (b): Next, a method of obtaining a polymer (A) having a structural unit represented by the formula (1) by subjecting a precursor polymer and an aldehyde to a condensation reaction.
Examples of aldehydes used in the condensation reaction include saturated aliphatic aldehydes such as formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, and propylaldehyde; unsaturated aliphatic aldehydes such as acrolein and methacrolein; and heterocycles such as furfural. Formula aldehydes; aromatic aldehydes such as benzaldehyde, naphthylaldehyde, anthraldehyde, and the like are mentioned, and formaldehyde and paraformaldehyde are particularly preferable. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
In the condensation reaction, the amount of aldehyde used is usually 1 to 10,000 parts by weight per 100 parts by weight of the precursor polymer.
In this condensation reaction, aromatic hydrocarbons may be added as another co-condensation component. In this case, the aromatics are used as a reaction component together with the precursor polymer. In this case, the condensation reaction is carried out by mixing the precursor polymers, aromatics and aldehydes and heating them in the presence of an acid catalyst in the absence of a solvent or in a solvent.
As the aromatics, any aromatics capable of cocondensation polymerization with acenaphthylenes can be used. For example, unsubstituted aromatic hydrocarbons such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, and acenaphthene; alkyl-substituted aromatic hydrocarbons such as toluene, m-xylene, p-xylene, and 1-methylnaphthalene; phenol, cresol, 1 -Hydroxy-substituted aromatic hydrocarbons such as naphthol, bisphenols and polyphenols; Carboxyl-substituted aromatic hydrocarbons such as benzoic acid, 1-naphthalenecarboxylic acid and 9-anthracenecarboxylic acid; Amino-substituted aromatics such as aniline Group hydrocarbons; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene and bromobenzene. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
The amount of aromatics and aldehydes used in the condensation reaction is usually 10,000 parts by weight or less for aromatics and 1 to 1,000 parts by weight for aldehydes with respect to 100 parts by weight of the precursor polymer. is there.
Examples of the acid catalyst used in the condensation reaction include mineral acids such as sulfuric acid, phosphoric acid and perchloric acid; organic sulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid; and carboxylic acids such as formic acid and oxalic acid. Is done. The amount of the acid catalyst used is variously selected depending on the type of acids used. Usually, it is 0.001-10,000 weight part with respect to 100 weight part of acenaphthylenes, Preferably, it is 0.01-1,000 weight part.
The above condensation reaction is carried out without a solvent, but is usually carried out using a solvent. Any solvent that does not inhibit the reaction can be used. For example, the solvent currently used for resin which uses aldehydes, such as a phenol resin, a melamine resin, and an amino resin, as a raw material can be used. Specifically, cyclic ethers, such as tetrahydrofuran and a dioxane other than the solvent used for the composition of this invention mentioned later, are mentioned. Further, if the acid catalyst to be used is a liquid such as formic acid, it can also serve as a solvent.
The reaction temperature during the condensation is usually 40 ° C to 200 ° C. The reaction time is variously selected depending on the reaction temperature, but is usually 30 minutes to 72 hours.
Mw of the polymer (A) obtained as described above is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 5,000 to 500,000.
[0030]
(Synthesis method 2)
(A) Step: A precursor condensate having a structural unit represented by the following formula (5) is obtained by co-condensation of acenaphthylenes and aldehydes in the presence of an acid catalyst or other co-condensable components. .
Step (b): This is a method obtained by copolymerizing this precursor condensate alone or with another copolymerizable monomer.
[0031]
Embedded image

[Wherein R ₁ ~ R ₃ , N and X are as described above. ]
Step (a): First, a precursor condensate having the structural unit represented by the above formula (5) is added to acenaphthylenes and aldehydes alone or other co-condensable aromatics are added. To be co-condensed. Examples of the acenaphthylenes, aldehydes, and aromatics used for the synthesis of the precursor condensate are the same as those described in Synthesis Method 1 above. The condensation conditions for the precursor condensate are the same as the conditions for condensing the precursor polymer described above.
The Mw of the precursor condensate is appropriately selected according to the desired properties of the antireflection film, but is usually 100 to 100,000, preferably 2,000 to 50,000.
Step (b): Next, the precursor condensate is homopolymerized or copolymerized with another copolymerizable monomer to obtain a polymer (A). Examples of the monomers used for the polymerization reaction include the same monomers as those mentioned in Synthesis Method 1. The polymerization conditions for the precursor condensate are the same as the conditions for polymerizing the acenaphthylenes described above.
[0034]
[solvent]
The composition of the present invention contains a solvent in addition to the polymer (A). As this solvent, the component of the composition mentioned above and below is dissolved, and the solvent has a boiling point of 160 ° C. or higher. Although it can be used by mixing with a solvent having a boiling point of 160 ° C. or lower, in that case, it is necessary to contain at least 5 parts by weight of a solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher. When the amount of the solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher is less than 5 parts by weight, when the composition of the present invention is applied onto a substrate, the evaporation rate is too high, which causes uneven coating. A mixed solvent in which a solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher is contained in a proportion of 10 to 80% by weight in all the solvents is preferable in that coating unevenness is reduced. Examples of the solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher include ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monobutyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and the like. Ethylene glycol monoalkyl ether acetates; ethylene glycol acetates such as ethylene glycol monoacetate and ethylene glycol diacetate; diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether and diethylene glycol dibutyl ether; Triethylene glycol dialkyl ethers such as reethylene glycol dimethyl ether and triethylene glycol diethyl ether; propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monobutyl ether; propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dibutyl ether; propylene glycol monopropyl ether acetate; Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monobutyl ether acetate; lactic acid esters such as lactic acid-n-propyl, isopropyl lactate, lactic acid-n-butyl, lactic acid-n-isobutyl;
Ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3- Esters such as methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, 3-methyl-3-methoxybutylbutyrate;
Ketones such as isophorone; amides such as N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-hexalactone, γ-heptalactone, γ-octalactone, γ-nonalactone, γ-decalactone, γ-undecalactone, γ-dodecalactone, methyl-γ-decalactone, δ-hexalactone, δ-octalactone, δ-nonalactone, δ-decalactone, δ-undecalactone, δ-dodecalactone, Lactones such as δ-tridecalactone, δ-tetradecalactone, δ-hexadecalactone, ε-decalactone, and ε-dodecalactone are appropriately selected and used. Among these, preferable solvents include ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-hexalactone, and γ-hepta. Examples include lactones. These solvents are used alone or in combination of two or more.
The blending amount of the solvent is such that the solid content concentration of the obtained composition is usually about 0.01 to 90% by weight, preferably 0.05 to 60% by weight, more preferably 0.1 to 50% by weight. It is a range.
[0037]
[Other ingredients]
In the composition of the present invention, a crosslinking agent, a heat or photoacid generator, a binder resin, and various additives can be blended as necessary as long as the desired effects of the present invention are not impaired.
(Crosslinking agent)
For example, the crosslinking agent serves to prevent intermixing between the antireflection film obtained by applying the composition of the present invention to a semiconductor substrate and the resist film applied and formed thereon. . It also plays a role of preventing cracks after application.
As the crosslinking agent, polynuclear phenols and various commercially available so-called curing agents can be used. Examples of polynuclear phenols include dinuclear phenols such as (1,1′-biphenyl) -4,4′-diol, methylene bisphenol, and 4,4′-ethylidene bisphenol; 4,4 ′, 4 ″- Trinuclear phenols such as methylidene trisphenol, 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol; polyphenols such as novolak Among these polynuclear phenols, 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and novolak are particularly preferably used. .
Examples of the curing agent include diisocyanates such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and cyclohexane diisocyanate; Epicoat 812, 815, 826, 828, 834, 836, 871, 1001, 1004, 1007, 1007, 1009, 1031 (trade name, made by oiled shell epoxy), Araldite 6600, 6700, 6800, 502, 6071, 6084 6097, 6099 (trade name, manufactured by Ciba Geigy), DER331, 332, 333, 331, 661, 644, 667 (trade name, manufactured by Dow) and the like; Cymel 300, 301, 303, 350, 370, 771, 325, 32 , 703, 712, 701, 272, 202, My Coat 506, 508 (trade name, manufactured by Mitsui Cyanamid), melamine curing agents, Cymel 1123, 1123-10, 1128, My Coat Benzoguanamine-based curing agents such as 102, 105, 106, and 130 (trade names, manufactured by Mitsui Cyanamid); Cymel 1170, 1172 (trade names, manufactured by Mitsui Cyanamid), Nicalac N-2702 (trade names, Sanwa Chemical) Glycoluril-based curing agents, etc.).
The blending amount of the crosslinking agent is usually 5,000 parts by weight or less, preferably 1,000 parts by weight or less per 100 parts by weight of the solid content of the antireflection film composition.
[0041]
(Acid generator)
The acid generator serves as a catalyst for assisting the crosslinking reaction of the crosslinking agent described above. Therefore, it plays a role of preventing intermixing between the antireflection film obtained by applying the composition of the present invention to a semiconductor substrate and the resist film applied and formed thereon. It also plays a role of preventing cracks after application.
Examples of the acid generator include a latent thermal acid generator and a latent photoacid generator.
The latent thermal acid generator is a compound that generates an acid when heated to 50 to 450 ° C., preferably 150 to 350 ° C., and is an onium such as a sulfonium salt, a benzothiazolium salt, an ammonium salt, or a phosphonium salt. Salt is used.
Specific examples of the sulfonium salt used as the latent thermal acid generator include 4-acetophenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyl). Oxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium Alkylsulfonium salts such as hexafluoroantimonate;
Benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, Benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, benzoin Benzylsulfonium such as tosylate, 2-nitrobenzyl tosylate salt;
Dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, Dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium Dibenzylsulfonium salts such as hexafluorophosphate;
p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitro Benzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium Mention may be made of substituted benzylsulfonium salts such as hexafluoroantimonate.
Specific examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazolium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazolium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazolium tetrafluoroborate, 3 Benzyl such as-(p-methoxybenzyl) benzothiazolium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazolium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazolium hexafluoroantimonate Mention may be made of benzothiazolium salts.
Furthermore, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone can be exemplified as a thermal acid generator other than the above.
Of these, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate Nate, 4-acetoxyphenylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazolium hexafluoroantimonate and the like are preferably used.
Examples of these commercially available products include Sun-Aid SI-L85, SI-L110, SI-L145, SI-L150, SI-L160 (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.).
These compounds can be used alone or in combination of two or more.
The latent photoacid generator is usually a compound that generates an acid upon irradiation with ultraviolet light having an energy of 1 to 100 mJ, preferably 10 to 50 mJ.
Examples of the latent photoacid generator include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium pyrenesulfonate, diphenyliodonium dodecylbenzenesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro n-butanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium dodecylbenzenesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium naphthalenesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate, bis (4-tert-butylphenyl) ) Iodonium nonafluoro n-butanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoro Tansulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium naphthalenesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyl (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl (4-methoxyphenyl) sulfonium trifluoromethane Sulfonate, (hydroxyphenyl) benzenemethylsulfonium toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate,
Dimethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, (4-hydroxyphenyl) benzylmethylsulfonium toluenesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1 -Naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano -1-Naphtyl-diethylsulfoniu Trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyl Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium Trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophene Umum trifluoromethanesulfonate, 4- (1-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxycarbonyloxy -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxycarbyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate,
4-iso-propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-butoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-tert-butoxycarbonyloxy- 1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydrofuranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydropyranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium Trifluoromethanesulfonate, 4-benzyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (naphthylacetate L) Onium salt photoacid generators such as tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate; phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, methoxyphenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, naphthyl-bis (trichloro) Halogen-containing compound photoacid generators such as methyl) -s-triazine;
1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, 2,3,4,4'-tetrabenzophenone, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid Diazo ketone compound photoacid generators such as esters or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esters; sulfonic acid compound systems such as 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenylsulfonyl) methane Photoacid generators: benzoin tosylate, pyrogallol tristrifluoromethanesulfonate, nitrobenzyl-9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2,2,1] hept-5-ene-2 , 3-Dicarbojii Examples thereof include sulfonic acid compound photoacid generators such as imide, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, and 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate.
These can be used alone or in combination of two or more.
The above acid generator is usually 1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by weight of the film-forming component solid content in both cases of the latent thermal acid generator and the latent photoacid generator.
[0049]
(Binder resin)
As the binder resin, various thermoplastic and thermosetting synthetic resins can be used. Examples of thermoplastic resins include polyethylene, polypropylene, poly-1-butene, poly-1-pentene, poly-1-hexene, poly-1-heptene, poly-1-octene, poly-1-decene, poly- Α-olefin polymers such as 1-dodecene, poly-1-tetradecene, poly-1-hexadecene, poly-1-octadecene, polyvinylcycloalkane; poly-1,4-pentadiene, poly-1,4-hexadiene, poly Α, β-unsaturated aldehyde polymers such as 1,5-hexadiene and poly-1,7-o-chloroacrolein; α, β-unsaturated such as polymethyl vinyl ketone, polyaromatic vinyl ketone and polycyclic vinyl ketone Saturated ketone polymers; poly (meth) acrylic acid, poly (meth) acrylic acid salts, poly (meth) acrylic acid esters, poly (meth) A) Polymers of α, β-unsaturated acid derivatives such as halides of acrylic acid; Polymers of α, β-unsaturated acid anhydrides such as poly (meth) acrylic anhydride and polymaleic anhydride Unsaturated polybasic acid ester polymers such as polymethylenemalonic acid diester and polyitaconic acid diester; diolefinic acid ester polymers such as polysorbic acid ester and muconic acid ester; polyacrylic acid thioester, methacrylic acid thioester, α- Α, β-unsaturated acid thioester polymers such as chloroacrylic acid thioesters; polymers of acrylonitrile derivatives such as polyacrylonitrile and polymethacrylonitrile; polymers of acrylamide derivatives such as polyacrylamide and polymethacrylamide; styryl Metal compound polymers; polyvinyloxy metal compounds; Down like; polyphenylene oxide, poly-1,3-dioxolane, poly-oxirane, polytetrahydrofuran, polyether and poly tetrahydropyran ethers; polysulfides; polysulfonamides;
Polypeptides; polyamides such as nylon 66 and nylon 1 to nylon 12; polyesters such as aliphatic polyesters, aromatic polyesters, alicyclic polyesters, polycarbonates, alkyd resins; polyureas; polysulfones; polyazines Polyamines, polyaromatic ketones, polyimides, polybenzimidazoles, polybenzoxazoles, polybenzothiazoles, polyaminotriazoles, polyoxadiazoles, polypyrazoles, polytetrazoles, polyquinoxalines; Polytriazines; polybenzoxazinones; polyquinolines; polyanthrazolins and the like. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. The blending amount of these binder resins is usually 20 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, per 100 parts by weight of the polymer (A).
In addition, in order to prevent intermixing with the resist, a thermosetting resin which is cured by heating and becomes insoluble in a solvent is preferably used in order to prevent intermixing with the resist.
Examples of such a thermosetting resin include thermosetting acrylic resins, phenol resins, urea resins, melamine resins, amino resins, aromatic hydrocarbon resins, epoxy resins, alkyd resins, and the like. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
[0051]
(Other additives)
Examples of other additives include a radiation absorber and a surfactant.
As the radiation absorber, various radiation absorbing compounds can be used, such as oil-soluble dyes, disperse dyes, basic dyes, methine dyes, pyrazole dyes, imidazole dyes, hydroxyazo dyes, etc. Dyes; fluorescent brighteners such as bixin derivatives, norbixin, stilbene, 4,4′-diaminostilbene derivatives, coumarin derivatives, pyrazoline derivatives; Name, manufactured by Ciba-Geigy) and the like; and aromatic compounds such as anthracene derivatives and anthraquinone derivatives. These radiation absorbers can be used alone or in combination of two or more. The compounding amount of the radiation absorber is usually 100 parts by weight or less, preferably 50 parts by weight or less per 100 parts by weight of the solid content of the antireflection film-forming composition.
The surfactant has an effect of improving coatability, striation, wettability, developability and the like. Examples of such surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate. In addition to nonionic surfactants such as a rate, commercially available products include, for example, KP341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) which is an organosiloxane polymer, Polyflow No. which is a (meth) acrylic acid (co) polymer. 75, no. 95 (trade name, manufactured by Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.), F-top EF101, EF204, EF303, EF352 (tradename, manufactured by Tochem Products), Megafuck F171, F172, F173 (tradename, Dainippon Ink) Chemical Industries), FLORARD FC430, FC431, FC135, FC135 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 ( Trade name, manufactured by Asahi Glass). These can be used singly or in combination of two or more. The compounding amount of the surfactant is usually 15 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, per 100 parts by weight of the solid content of the antireflection film composition.
Furthermore, other additives include storage stabilizers, antifoaming agents, adhesion aids and the like.
[0054]
[How to use the composition]
The composition of the present invention is used to form an antireflection film when forming a resist pattern on a semiconductor substrate. Specifically, for example, it is used as follows. That is, generally, the resist pattern forming method includes 1) a step of applying the antireflection film-forming composition of the present invention on a substrate and baking the obtained coating film to form an antireflection film, and 2) the antireflection film. A step of applying a resist composition solution on the film and baking the obtained coating film to form a resist film; 3) a step of selectively exposing the resist film with radiation through an exposure mask; 4 1) developing the exposed resist film, and 5) etching the antireflection film.
The film thickness of the antireflection film formed in the first step is, for example, 100 to 5,000 Å, and the composition is applied by a method such as spin coating, cast coating, roll coating or the like. Next, the antireflection film composition is baked to thermally cure. The baking temperature at this time is, for example, about 100 to 400 ° C. The baking temperature is preferably about 150 to 350 ° C. At this time, when the baking temperature is 100 ° C. or lower, curing is insufficient, and when it is 400 ° C. or higher, the film composition is thermally decomposed. Examples of the substrate include a silicon wafer and a wafer coated with aluminum.
In the second step, a resist composition solution is applied so that the resist film obtained on the antireflection film has a predetermined thickness, and the solvent in the coating film obtained by prebaking is volatilized. A resist film is formed. The pre-baking temperature at this time is appropriately adjusted according to the type of resist used. Usually, it is about 30-200 degreeC, Preferably, it is 50-150 degreeC.
In order to form a resist film on the antireflection film, the resist composition is dissolved in an appropriate solution so that the solid content concentration is, for example, 5 to 50% by weight, and then a filter having a pore size of about 0.2 μm, for example. To prepare a composition solution, which is applied onto the antireflection film by a method such as spin coating, cast coating, roll coating or the like. In this case, a commercially available resist solution can be used as it is.
As the resist composition used above, for example, a positive resist composition comprising an alkali-soluble resin and a quinonediazide photosensitizer, a negative resist composition comprising an alkali-soluble resin and a radiation-sensitive crosslinking agent, A positive type or negative type chemically amplified resist composition containing a radiation sensitive acid generator may be used.
The radiation used for exposure in the third step is appropriately selected from visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, γ rays, molecular beams, ion beams, etc., depending on the type of resist used. Selected. Among these radiations, far ultraviolet rays are preferable, and in particular, a KrF excimer laser (248 nm) and an ArF excimer laser (193 nm) are preferably used.
Next, in the fourth step, the exposed resist is developed. Thereafter, the desired resist pattern is obtained by washing and drying. During this step, baking may be performed after exposure and before development in order to improve resolution, pattern profile, developability, and the like.
Finally, in the fifth step, the antireflection film is dry-etched using gas plasma such as oxygen plasma using the resist pattern as a mask to obtain a resist pattern for substrate processing.
Examples of the developer used in the above step include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, and di-n-propylamine. , Triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1, An alkaline aqueous solution in which 5-diazabicyclo- [4.3.0] -5-nonane or the like is dissolved can be given. In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol, and a surfactant can be added to these developers.
[0063]
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples. In the following description, “part” means “part by weight” unless otherwise specified.
In the following synthesis examples, the Mw of the obtained resin was a Tosoh GPC column (G2000HXL: 2, G3000HXL: 1), flow rate: 1.0 ml / min, elution solvent: tetrahydrofuran, column Temperature: Measurement was performed by gel permeation chromatography (detector: differential refractometer) using monodisperse polystyrene as a standard under analysis conditions of 40 ° C.
The performance evaluation of the composition for forming an antireflection film was carried out in the following manner.
・ Applicability (film thickness uniformity):
An antireflection film-forming composition was spin-coated on an 8-inch silicon wafer, and then baked on a hot plate at 300 ° C. for 120 seconds to form an antireflection film. The film thickness was measured at 49 points using a spectroscopic ellipsometer UV-1280E manufactured by KLA-TECOR, and the film thickness uniformity was measured. A case where σ% of the film thickness exceeded 1% was regarded as defective.
・ Optical characteristics measurement:
An antireflection film-forming composition was spin-coated on an 8-inch silicon wafer, and then baked on a hot plate at 300 ° C. for 120 seconds to form an antireflection film having a thickness of 0.1 μm. Using a spectroscopic ellipsometer UV-1280E manufactured by KLA-TENCOR, the refractive index (n value) and absorbance (k value) at 248 nm were measured. Moreover, the n value and k value in 193 nm were measured using the spectroscopic ellipsometer MOSS-ESVG DEEP UV by SOPRA.
[0066]
-Formation of positive resist pattern for KrF:
An antireflection film-forming composition was spin-coated on an 8-inch silicon wafer so as to obtain a film having a thickness of 600 angstroms, and then baked on a hot plate at 300 ° C. for 120 seconds to form an antireflection film. Then, after spin-coating a resist solution for KrF (trade name: KRF M20G, manufactured by JSR Corporation) on the antireflection film so as to obtain a resist film with a film thickness of 0.61 μm, The resist film was formed by baking for 1 minute. Next, using a stepper NSR2005EX12B (wavelength 248 nm) manufactured by Nikon Corporation, exposure is performed only for an exposure time (hereinafter referred to as “optimum exposure time”) for forming a line-and-space pattern having a width of 0.22 μm with a one-to-one line width. Went. Next, after baking for 90 seconds on a hot plate at 140 ° C., using a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, developing at 23 ° C. for 30 seconds, washing with water and drying, a positive resist A pattern was formed. Then, the pattern shape was observed using the scanning electron microscope, and the case where the shape was bad was defined as defective.
[0067]
-Formation of ArF positive resist pattern:
An antireflection film composition was spin-coated on an 8-inch silicone wafer so as to obtain a film having a thickness of 600 angstroms, and then baked on a hot plate at 300 ° C. for 120 seconds to form an antireflection film. Thereafter, a resist (ARF001S manufactured by JSR Corporation) was applied on the antireflection film, and dried at 130 ° C. for 90 seconds. At this time, the film thickness of the resist was controlled to 340 nm. Using a Nikon ArF excimer laser irradiation apparatus, the substrate was irradiated with 32 mJ of ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) through a quartz mask having a 0.2 μm line and space pattern. Thereafter, the substrate was heated at 130 ° C. for 90 seconds. Using a 2.38 wt% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution, development was performed at 25 ° C. for 1 minute, washed with water, and dried to form a positive resist pattern. Then, the pattern shape was observed using the scanning electron microscope, and the case where the shape was bad was defined as defective.
[0068]
・ Solvent resistance:
In accordance with the above-mentioned conditions, an antireflection film and a resist film were formed, dropped on the antireflection film on which gamma-butyrolactone was formed and immersed for 30 seconds, and the film thickness before and after immersion was measured. A case where the film thickness of the antireflection film after the immersion was changed by 30 angstroms or more compared with the film thickness before the immersion was regarded as defective.
・ Standing wave prevention effect:
Under the conditions described above, the antireflection film and resist film were formed, exposed and developed. Thereafter, the presence or absence of the influence of the standing wave on the resist film was observed using a scanning electron microscope, and when the roughness of the pattern side wall due to the standing wave was observed, it was determined as defective.
[0069]
[Synthesis Example 1 (Synthesis of Polymer (A))]
A separable flask equipped with a thermometer was charged with 100 parts of acenaphthylene, 78 parts of toluene, 52 parts of dioxane, and 3 parts of azobisisobutyronitrile (AIBN) under nitrogen and stirred at 70 ° C. for 5 hours. Subsequently, 5.2 parts of p-toluenesulfonic acid monohydrate and 40 parts of paraformaldehyde were added, the temperature was raised to 120 ° C., and the mixture was further stirred for 6 hours. The obtained reaction solution was put into a large amount of isopropanol, and the precipitated resin was collected by filtration. It dried under reduced pressure at 40 degreeC and obtained the polymer (A). Obtained resin is Mw: 22,000 (polystyrene conversion), ¹ From the result of 1 H-NMR, a polymer having a structure represented by the following formula (6) was confirmed.
[0070]
Embedded image

[0071]
[Synthesis Example 2 (Synthesis of Polymer (A ′))]
To a separable flask equipped with a thermometer, 100 parts of acenaphthylene, 78 parts of toluene, 52 parts of dioxane, 5.2 parts of p-toluenesulfonic acid monohydrate, and 40 parts of paraformaldehyde are added, and the temperature is raised to 120 ° C. And stirred for 6 hours. Next, after the internal temperature was lowered to 70 ° C., 3 parts of azobisisobutyronitrile (AIBN) was charged under nitrogen and stirred at that temperature for another 5 hours. The obtained reaction solution was put into a large amount of isopropanol, and the precipitated resin was collected by filtration. It dried under reduced pressure at 40 degreeC and obtained the polymer (A). Obtained resin is Mw: 20,000 (polystyrene conversion), ¹ From the result of H-NMR, a polymer having a structure represented by the above formula (6) was confirmed.
[0072]
Example 1
10 parts of the polymer (A) prepared in Synthesis Example 1, 0.5 part of diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)- 1 part of 1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is dissolved in 89 parts of γ-valerolactone, and the resulting solution is filtered through a membrane filter having a pore size of 0.1 μm to prepare an antireflection film-forming composition. did. Subsequently, performance evaluation was performed as mentioned above about the obtained composition. The evaluation results are shown in Table 1.
[0073]
Example 2
An antireflection film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the solvent used was a mixed solvent containing 53 parts of γ-valerolactone and 36 parts of cyclohexanone. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0074]
Example 3
4,4 ′-[1- [4- [1- (4-Hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is a glycoluril-based curing agent (trade name: Nicarak N-2702, Three Co., Ltd.) An antireflection film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the product was manufactured by Wa Chemical Co., Ltd. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0075]
Example 4
A lower layer film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the polymer (A) obtained in Synthesis Example 1 was changed to the polymer (A ′) obtained in Synthesis Example 2. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0076]
Example 5
A lower layer film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 2 except that the polymer (A) obtained in Synthesis Example 1 was changed to the polymer (A ′) obtained in Synthesis Example 2. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0077]
Example 6
A lower layer film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 3 except that the polymer (A) obtained in Synthesis Example 1 was changed to the polymer (A ′) obtained in Synthesis Example 2. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0078]
Comparative Example 1
Performance evaluation was performed in the same manner as in Examples 1 to 3 except that the antireflection film-forming composition was not used. The evaluation results are shown in Table 1.
[0079]
Comparative Example 2
An antireflection film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that γ-valerolactone was changed to anisole. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0080]
Comparative Example 3
An antireflection film-forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the acid generator and the crosslinking agent were not used. About the obtained composition, performance evaluation was performed as mentioned above. The evaluation results are shown in Table 1.
[0081]
[Table 1]

[0082]
The antireflective film formed using the antireflective film forming composition of the present invention does not cause uneven coating, and is excellent in coating film thickness uniformity (applicability) when applied on a substrate. In addition to the excellent anti-reflection effect and no intermixing with the resist, in cooperation with positive and negative resists, resist patterns with excellent resolution, accuracy, etc. Can bring. Therefore, the antireflection film-forming composition of the present invention greatly contributes particularly to the production of highly integrated circuits.

Claims (10)

Following formula (1):

[Wherein, R ₁ is a monovalent atom or group other than a hydrogen atom, and n is an integer of 0 to 4. However, when n is 2 to 4, a plurality of R ₁ may be the same or different. R ₂ and R ₃ are independently a monovalent atom or group. X is a divalent group. ]
An antireflective film-forming composition characterized by comprising a polymer having a structural unit represented by formula (1) and a solvent having a boiling point of 160 ° C. or more and having excellent coating properties. The composition unit according to claim 1, wherein the structural unit represented by the formula (1) is represented by the formula (2):

[Wherein, R ₁ is a monovalent atom or group other than a hydrogen atom, and n is an integer of 0 to 4. However, when n is 2 to 4, a plurality of R ₁ may be the same or different. R ₂ and R ₃ are independently a monovalent atom or group. R ₄ represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. ]
A composition comprising the structural unit represented by: The composition unit according to claim 1, wherein the structural unit represented by the formula (1) is represented by the formula (3):

[Wherein, R ₁ is a monovalent atom or group other than a hydrogen atom, and n is an integer of 0 to 4. However, when n is 2 to 4, a plurality of R ₁ may be the same or different. R ₂ and R ₃ are independently a monovalent atom or group. R ₄ represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. ]
A composition comprising the structural unit represented by: The composition according to claim 2, wherein the structural unit represented by the formula (2) is 50 mol% or more of the total structural unit represented by the formula (1). The composition according to claim 3, wherein the structural unit represented by the formula (3) is 50 mol% or more of the total structural unit represented by the formula (1). The composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the solvent is present in an amount such that the solid content concentration of the composition is 0.01 to 90% by weight. The composition according to any one of claims 1 to 6, further comprising a crosslinking agent. 8. A composition according to claim 7, wherein the cross-linking agent is present in an amount of not more than 100 parts by weight per 100 parts by weight of the solids content of the composition. The composition according to any one of claims 1 to 8, further comprising an acid generator. Reflection characterized by applying the composition according to any one of claims 1 to 9 on a semiconductor substrate, and baking the obtained coating film at a temperature of 150 to 350 ° C to form a film. Method for forming prevention film.