JP2005039031A - レーザー増幅装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザー光L1を第1の偏光子41から入射させ、そのレーザー光を、偏光制御素子42、第2の偏光子43を通して第1の鏡44で曲げて、レーザー増幅器45で第1回目の増幅通過を行い、第2の鏡46で反射させて、レーザー増幅器45で第2回目の増幅通過を行い、その増幅されたレーザー光を第1の鏡44で曲げて、第2の偏光子43を通して偏光が90度回転され、第1の偏光子41を通してカセグレン副鏡47で反射させ、第1の偏光子41、偏光制御素子42、第2の偏光子43を通過し、第1の鏡44で増幅器光路に導入され、レーザー増幅器45で第3回目の増幅通過を行い、その増幅通過されたレーザー光をカセグレン主鏡48によりビーム径を広げて方向が変えられ、レーザー増幅器45で第4回目の増幅通過を行い、出力光L2を得る。
【選択図】 図1
Description
ためのレーザー増幅装置に関するものである。
いて、レーザー装置の大出力化の要望は益々高くなっている。
て説明する。
のON・OFFによって変化させる偏光制御素子、3はレーザー増幅器、4は光
路の折り返し用の第1の鏡、5は光路の折り返し用の第2の鏡である。
め偏光子1で反射され、偏光制御素子2、レーザー増幅器3を通過する。このと
き、レーザー増幅器3を通過する際に増幅されるため、レーザー光の強度は増大
する。そのレーザー光は第1の鏡4で反射され、進行方向が折り返される。その
ため、再び、レーザー増幅器3を通過し増幅される。また、偏光制御素子2を2
度目に通過する際に、レーザー光の偏光は90度回転され、これにより偏光子1
の透過条件を満たし、偏光子1を透過する。そして、第2の鏡5で反射され、進
行方向が折り返される。さらに、偏光子1、偏光制御素子2、レーザー増幅器3
を通過して、第1の鏡4により再度、方向が折り返される。この時点で、偏光制
御素子2に偏光を変化させる動作をさせなければ、レーザー光は第1の鏡4と第
2の鏡5の間を、多数回往復する。また、偏光制御素子2に偏光を変化させる動
作をさせれば、入射時と逆の動作が可能となる。すなわち、偏光子1の反射条件
を満たすように偏光方向を変えることにより、偏光子1で反射させ、十分増幅さ
れたレーザー出力光L2を取り出すことができる。
に開示されている。
鏡、13はレーザー増幅器、14は凸面型副鏡、15,16は対向したレンズ(
空間フィルタ)、L2はレーザー出力光である。
レーザー増幅器13で第1回目の増幅通過が行われ、凸面型副鏡14で反射され
る。このときレーザー光のビームは広げられて、レーザー増幅器13で第2回目
の増幅通過が行われる。その広げられたレーザー光は、凹面型主鏡11で反射さ
れコリメートされるが、この凹面型主鏡11のホール12の存在によってホール
の空いたビームが凸面型副鏡14を通過し、空間フィルタ15,16を通過して
レーザー出力光L2が出力される。
偏光子、鏡を用いて、レーザー光がレーザー増幅器を多重往復する方式が用いら
れている。
増幅器光路に導入する第1の鏡、23は入射レーザー光L1をコリメートする第
2のレンズ、24はレーザー増幅器、25は光路の折り返し用の第2の鏡、26
はアイソレート用偏光制御素子の光路に導く第3の鏡、27は偏光制御素子光路
のレーザー光をコリメートする第3のレンズ、28と30は第1と第2の偏光子
、29はアイソレート用偏光制御素子、31は偏光制御素子光路の折り返し用の
第4の鏡、32はレーザー出力光L2をコリメートする第4のレンズである。
る。
f2、第3のレンズ27の焦点距離はf3、第4のレンズ32の焦点距離はf4
である。
される場合〕のレンズ位置を示すと、第1のレンズ21と第2のレンズ23はf
1+f2の距離に設置されている。第2のレンズ23と第3のレンズ27はf2
+f3の距離に設置されている。また、第2のレンズ23と第4のレンズ32は
、f2+f4の距離に設置されている。なお、dは焦点位置A面でのレーザービ
ームの分離量(焦点シフト)を示している。
うに、レーザービームは、焦点位置A面で1点に集光される。そこで、レーザー
ビームを光軸中心から(d/2)はずした位置から入射させると焦点位置A面で
は、パスごとに焦点を分離できる。すなわち、図10(c)に示すように、1回
目、2回目、3回目、4回目に通過するときのそれぞれの焦点を4つの異なった
位置に配置できる。この焦点位置A面の前後での距離X1(X1=d・f2・D
1:ただしD1は第2のレンズ23出射後のビーム口径)ならびに距離Y1(Y
1=d・f2・D1)には、それぞれのビームが重ならないエリアができる。こ
の部分に第1の鏡22及び、第3の鏡26を設置すれば、増幅器光路への入射用
、また偏光制御素子光路への導出用として機能させることができる。よってこの
構成で4回増幅通過のレーザー増幅装置が構成できる。
からのビーム角度が大きくなり、第2のレンズ23およびそれを出射後にレーザ
ー増幅器24に入射するビームの光軸中心からのずれが大きくなる。そのため第
2のレンズ23および、レーザー増幅器24の開口制限以内にビームを保つため
分離量d(焦点シフト)は制限される。また、この例での第1の鏡22と第3の
鏡26で反射するビームの口径は最大で約dである。
、増幅器光路に入射する。第2のレンズ23までビームは拡大され、第2のレン
ズ23によりコリメートされ、レーザー増幅器24を通過する。これが第1回目
の増幅通過である。増幅されたレーザー光は、平面の第2の鏡25により反射さ
れ、進行方向が反転し、再度、レーザー増幅器24を通過する。これが第2回目
の増幅通過である。そして、第2のレンズ23を通過し、ビームが縮小され第3
の鏡26によって増幅器光路から外部に出され、増幅器光路から偏光制御素子光
路に光路を変更する。第1の偏光子28と第2の偏光子30は、偏光透過方向が
直交するように配置されている。レーザー光は第3のレンズ27、第1の偏光子
28を通過し、偏光が偏光制御素子29により90度回転され、第2の偏光子3
0を通過する。第2の偏光子30を通過したレーザー光は、第4の鏡31で反射
され、進行方向が折り返され、再び第2の偏光子30、偏光制御素子29、第1
の偏光子28、第3のレンズ27を通過し、第3の鏡26により増幅器光路に導
入される。増幅器光路に導入されたレーザー光は、再度第2のレンズ23とレー
ザー増幅器24を通過する。これが第3回目の増幅通過である。そして、再度、
第2の鏡25でビームの進行方向が折り返され、レーザー増幅器24を通過する
。これが第4回目の増幅通過である。さらに、第2レンズ23を通過し、その後
光軸のずれから第3の鏡26にあたらずに第4のレンズ32を通過し、コリメー
トされたレーザー出力光L2が得られる。
して開示されている。
配置するため、レーザー光の大出力化のためには大口径の偏光制御素子が必要と
なり、技術的・経済的制限がある。
通過のレーザー増幅装置と比較すると、同等の入力エネルギーでも出力エネルギ
ーが低いといった問題がある。
出すために配置される鏡が同一平面に配置されるが、焦点位置の関係上、鏡の反
射面積を小さくせざるを得ないため、鏡の耐力に限度があるといった問題があっ
た。すなわち、第3の鏡で大きな反射面積が取れないために、この第3の鏡によ
るレーザー損傷限界で、高いレーザー出力を得ることができなかった。
め、大出力化を図ることができるレーザー増幅装置を提供することを目的とする
。
〔1〕レーザー増幅装置において、凸面を有するカセグレン副鏡と、このカセ
グレン副鏡に対応して配置される第1の偏光子と、この第1の偏光子に対応して
配置される偏光制御素子と、この偏光制御素子に対応して配置される第2の偏光
子と、この第2の偏光子からの光を増幅器光路に導入する第1の鏡と、この第1
の鏡からの反射光が入射されるレーザー増幅器と、このレーザー増幅器からの通
過光を折り返すように配置される第2の鏡と、この第2の鏡を中央に形成される
ホールに配置するとともに、この第2の鏡と同軸状に配置される凹面を有するカ
セグレン主鏡とを備え、レーザー光を前記第1の偏光子から入射させ、そのレー
ザー光を、前記偏光制御素子、第2の偏光子を通して前記第1の鏡で曲げて、前
記レーザー増幅器で第1回目の増幅通過を行い、前記第2の鏡で反射させて進行
方向を折り返し、前記レーザー増幅器で第2回目の増幅通過を行い、その増幅さ
れたレーザー光を前記第1の鏡で曲げて、前記第2の偏光子を通して前記偏光制
御素子で偏光が90度回転され、前記第1の偏光子を通して前記凸面を有するカ
セグレン副鏡で反射させて進行方向を折り返し、前記第1の偏光子、偏光制御素
子、第2の偏光子を通過し、前記第1の鏡で増幅器光路に導入され、前記レーザ
ー増幅器で第3回目の増幅通過を行い、その増幅通過されたレーザー光を前記凹
面を有するカセグレン主鏡によりビーム径を広げて方向が変えられ、前記レーザ
ー増幅器で第4回目の増幅通過を行い、前記カセグレン主鏡のホールによってホ
ールが空いたビームを前記第1の鏡を通過させてレーザー出力光を得ることを特
徴とする。
径であることを特徴とする。
の第1のレンズからのレーザー光を増幅器光路に導入する第1の鏡と、入射光を
受ける第2のレンズと、この第2のレンズからのレーザー光が入射されるレーザ
ー増幅器と、このレーザー増幅器からの通過光を同光軸方向に折り返すように配
置される第2の鏡と、アイソレート用偏光制御素子の光路に導く第3の鏡と、偏
光制御素子光路に導入されたレーザー光をコリメートする第3のレンズと、この
第3のレンズに対応して配置される第1の偏光子と、この第1の偏光子に対応し
て配置されるアイソレート用偏光制御素子と、このアイソレート用偏光制御素子
に対応して配置される第2の偏光子と、この第2の偏光子の通過光を折り返す第
4の鏡と、レーザー出力光を得る第4のレンズとを備え、入射レーザー光は、前
記第1のレンズを通過し、前記第1の鏡で反射され、拡大されて増幅器光路に入
射し、前記第2のレンズを通過し、このとき第2のレンズにより完全にコリメー
トされずに発散角を持つ条件となるように、予め前記第1のレンズと第2のレン
ズを配置するとともに、入射レーザー光の入射角も調整し、前記第2のレンズ通
過後、前記レーザー増幅器で第1回目の増幅通過を行い、前記平面の第2の鏡で
反射させて、進行方向を反転させ、前記レーザー増幅器により第2回目の増幅通
過を行い、次いで、前記第2のレンズを通過し、ビームが縮小され前記第3の鏡
によって増幅器光路から外部に外され、偏光制御素子光路に光路を変更し、前記
第1の偏光子と第2の偏光子は、偏光透過方向が直交するように配置されており
、前記第1の偏光子を通過し、偏光が前記偏光制御素子により90度回転し、前
記第2の偏光子を通過し、前記第4の鏡で反射され、進行方向が折り返されて、
再び前記第2の偏光子、偏光制御素子、第1の偏光子を通過し、前記第3の鏡に
より増幅器光路に導入され、再度前記第2のレンズを介して前記レーザー増幅器
により、第3回目の増幅通過を行い、再度、前記第2の鏡で、ビームの進行方向
が折り返され、前記レーザー増幅器により、第4回目の増幅通過を行い、前記第
2のレンズを通過し、その後光軸のずれから前記第4のレンズを通過し、コリメ
ートされたレーザー出力光を得ることを特徴とする。
るビーム径を大きく設定可能にしてなることを特徴とする。
散角を付けて、焦点位置を増幅器光路の垂直方向にずらすと共に、増幅器光路の
前後方向にもずらして、前記第3の鏡でのビーム面積を大きくしてレーザービー
ムの大出力化を図ることを特徴とする。
きる。すなわち、大きな口径の偏光制御素子を必要としないため、偏光制御素子
の口径内の電界強度の一様性の確保(プラズマ電極型が不要である)や、大型結
晶の供給などの技術的問題を無くすことができる。また、小口径の偏光制御素子
で良いので、低コスト化を図ることができる。
電極型のポッケルスセルでは対応できない。米国LLNLでは、リング電極型か
ら新たな方式であるプラズマ電極型のポッケルスセルを開発し、大口径化を可能
としたが、プラズマ電極型ポッケルスセルは、プラズマの生成回路の必要なこと
や、プラズマ電極からのスパッターによる汚れによる寿命(ショットライフ)制
限がある。
ケルスセルで対応できる。また、同じリング電極型のポッケルスセルでも小口径
もので対応できるので、低コスト化できる。
きな反射面積が取れないために、この鏡によるレーザー損傷限界で、高いレーザ
ー出力が得にくかったが、本発明の発散角付き角度ずらし4回通過レーザー増幅
装置においては、従来の構成に加え、入射時に発散角を付けることで、従来法の
発散角付きでない角度ずらし4回通過レーザー増幅装置に比べ、第3の鏡でも反
射面積を2倍から10倍以上に大きくすることができるので、問題となったレー
ザー損傷による、出力限界を解消することができ、大出力化を図ることができる
。
の偏光子から入射し、第1の鏡で折り曲げられレーザー増幅器に入り1回目の増
幅通過を行う。その後、第2の鏡に反射され、レーザー増幅器に入り2回目の増
幅通過を行う。再度、第1の鏡で曲げられ、偏光制御素子で偏光が90度回転さ
れ、第1の偏光子を通過し、カセグレン副鏡で反射される。再び、ビーム径を広
げながら、第1の鏡で反射され3回目の増幅通過を行う。その後、カセグレン主
鏡で反射・コリメートされ、4回目の増幅通過を行う。
に発散角を付けることで、従来法のレーザーに比べ、第3の鏡でも反射面積を2
倍から10倍以上に大きくすることができるので、問題となったレーザー損傷に
よる、出力限界をなくすことができる。
成図である。
偏光を電圧のON・OFFによって変化させる偏光制御素子、43は第2の偏光
子、44は光路を増幅器光路内部に導入する第1の鏡、45はレーザー増幅器、
46は初期光路を折り返す第2の鏡、47は凸面のカセグレン副鏡、48はホー
ル49を有する凹面のカセグレン主鏡である。
作について説明する。
であるため第1の偏光子41で反射され、偏光制御素子42、第2の偏光子43
を通過し、第1の鏡44によって増幅器光路に入射する。その後、レーザー増幅
器45を通過する。これが第1回目の増幅通過である。
過し、第2の鏡46により反射され、進行方向が反転し、再度、レーザー増幅器
45を通過する。これが、第2回目の増幅通過である。
路に光路を変更する。ここで、第1の偏光子41と第2の偏光子43は、偏光透
過方向が直交するように配置されている。レーザー光は、まず、第2の偏光子4
3を通過し、偏光制御素子42により偏光が90度回転され、第1の偏光子41
を通過する。そして、凸面のカセグレン副鏡47で反射され、進行方向が折り返
される。再び第1の偏光子41、偏光制御素子42、第2の偏光子43を通過し
、第1の鏡44により増幅器光路に導入され、再度レーザー増幅器45を通過す
る。これが第3回目の増幅通過である。
レーザー増幅器45の開口と同程度になっている。ビームは凹面のカセグレン主
鏡48で、進行方向が折り返され、レーザー増幅器45を通過する。これが第4
回目の増幅通過である。この時のレーザー光は凹面のカセグレン主鏡48によっ
てコリメートされている。凹面のカセグレン主鏡48のホール49の存在によっ
てホールの空いたビームが第1の鏡44を通過しレーザー出力光L2が出力され
る。
カセグレン型4回通過レーザー増幅装置構成での、計算での入出力特性を示す。
横軸に入力エネルギー〔J〕、縦軸に出力エネルギー〔J〕をそれぞれ示す。
性の例、実線は本発明の4回通過のレーザー増幅装置構成での計算特性の例であ
る。
である。なお、ここでは、レーザー増幅器は、利得1.8倍の増幅器を4段に直
列接続した構成で総合利得10倍であり、レーザー媒質はNdガラス、誘導放出
断面積は4.2×10-20 cm2 であり、レーザーの開口は40cm×40cm
である。この図に示すように、増幅通過回数が多い4回通過増幅のほうが、入力
エネルギーが同等でも、高い出力エネルギーが得られていることがわかる。
図である。
する第1の鏡、53は入射レーザー光L1をコリメートする第2のレンズ、54
はレーザー増幅器、55は光路の折り返し用の第2の鏡、56はアイソレート用
偏光制御素子光路に導く第3の鏡、57は偏光制御素子光路のレーザー光をコリ
メートする第3のレンズ、58は第1の偏光子、59はアイソレート用偏光制御
素子、60は第2の偏光子、61は偏光制御素子光路の折り返し用の第4の鏡、
62はレーザー出力光L2をコリメートする第4のレンズである。
は焦点位置A面でのビームの状態を、図4(c)は焦点位置B面でのビームの状
態をそれぞれ示す図である。
はf2、第3のレンズ57の焦点距離はf3、第4のレンズ62の焦点距離はf
4である。
る。第2のレンズ53と第3のレンズ57はf2+f3−Zの距離に設置されて
いる。また、第2のレンズ23と第4のレンズ62はf2+f4+Zの距離に設
置されている。
+f2+Zの距離に設置するため、ビームに発散が生じ、第2回目の増幅通過後
のビームは、f2−Z(B点)で集光する。これをコリメートするために、第2
のレンズ53と第3のレンズ57はf2+f3−Zの距離に設置する。第4回目
の増幅通過後のビームは、第4のレンズ62出射後レーザーをコリメートするた
めに、第2のレンズ53と第4のレンズ62はf2+f4+Zの距離に設置され
ている。
のレーザービームの態様を示す図である。
を2・d・f2/Dまで与えるとすると、図5(b)に示すような配置を取るこ
とにより、図10に示す構成〔図5(a)参照〕に比べ、図5(b)に示すよう
にビーム焦点位置A,Bが互いにシフトして、ビームの重ならないエリアが拡大
できる。なお、Dはレンズ出射ビーム径を示す。
B1とビームB2の焦点位置がシフトしたため、ビームが重なる部分が少なくな
り、セパレートされた部分のビームB2およびビームB1の最大ビーム径は2d
が得られる。X2、Y2は、第1の鏡52、第3の鏡56の設置可能な最大距離
を示す。
鏡26のレーザー損傷の限界によって制限されるため、最終動作出力が制限され
ていた。
を4倍(ビーム径は2倍)確保できる構成とすることができ、大出力化を図るこ
とができる。
。
、増幅器光路に入射する。第2のレンズ53までビームは拡大され、第2のレン
ズ53を通過する。このとき、第2のレンズ53を通過後、レーザー光が完全に
はコリメートされずに少しの発散角を持つ条件となるように、第1のレンズ51
と第2のレンズ53の配置及び入射レーザー光L1の入射角を調整可能とする。
その後、レーザー光がレーザー増幅器54を通過する。これが第1回目の増幅通
過である。
反射され、進行方向が反転し、再度、レーザー増幅器54を通過する。これが第
2回目の増幅通過である。
増幅器光路から外部に出され、増幅器光路から偏光制御素子光路に光路を変更す
る。この時点でのビームの口径は、従来型の発散角なしのビーム口径に比べ大き
く設定でき、面積比で、約4倍以上にできる。第1の偏光子58と第2の偏光子
60は、偏光透過方向が直交するように配置されている。レーザー光は、第1の
偏光子58を通過し、偏光が偏光制御素子59により90度回転し、第2の偏光
子60を通過する。第4の鏡61で反射され、進行方向が折り返される。折り返
されたレーザー光は、再び第2の偏光子60、偏光制御素子59、第1の偏光子
58を通過し、第3の鏡56により増幅器光路に導入される。そして、再度第2
のレンズ53とレーザー増幅器54を通過する。これが第3回目の増幅通過であ
る。
器54を通過する。これが第4回目の増幅通過である。第2のレンズ53を通過
し、その後光軸のずれから第4のレンズ62を通過し、コリメートされたレーザ
ー出力光L2が出力される。
ザー増幅装置構成での、計算での入出力特性を示す。この図において、横軸に入
力エネルギー〔J〕、縦軸に出力エネルギー〔J〕を示す。計算の条件は、発散
角なしと発散角付き増幅構成でも同じパラメーターである。レーザー増幅器は、
利得1.8倍の増幅器を4段に直列接続した構成で総合利得10倍であり、レー
ザー媒質はNdガラス、誘導放出断面積は4.2×10-20 cm2 である。レー
ザーの開口は40cm×40cmである。
のビームの面積が大きいため従来の発散角なしの構成より高い出力エネルギーを
得ることができる。
垂直方向にずらすとともに、増幅器光路の前後方向にもずらして、第3の鏡での
ビーム面積を大きくするようにしたので、レーザービームの大出力化を図ること
ができる。
て種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
ーザー装置、高平均パワーレーザー装置、超短パルスレーザー装置に適しており
、機械切断、溶接、材料表面改質(ピーニング)、レーザーアブレーション、電
子基盤トリミング、半導体トリミング、液晶回路トリミング、ナノテクノロジー
、高密度半導体露光装置、EUV光源、X線源、X線レーザー源、γ線源、γ線
レーザー源、PET、高密度プラズマ源、レーザー核融合などへの広範な応用が
期待できる。
42,59 偏光制御素子
43,60 第2の偏光子
44,52 第1の鏡
45,54 レーザー増幅器
46,55 第2の鏡
47 凸面のカセグレン副鏡
48 凹面のカセグレン主鏡
49 ホール
51 第1のレンズ
53 第2のレンズ
56 第3の鏡
57 第3のレンズ
61 第4の鏡
62 第4のレンズ
Claims (5)
- (a)凸面を有するカセグレン副鏡と、
(b)該カセグレン副鏡に対応して配置される第1の偏光子と、
(c)該第1の偏光子に対応して配置される偏光制御素子と、
(d)該偏光制御素子に対応して配置される第2の偏光子と、
(e)該第2の偏光子からの光を増幅器光路に導入する第1の鏡と、
(f)該第1の鏡からの反射光が入射されるレーザー増幅器と、
(g)該レーザー増幅器からの通過光を折り返すように配置される第2の鏡と、
(h)該第2の鏡を中央に形成されるホールに配置するとともに、該第2の鏡と
同軸状に配置される凹面を有するカセグレン主鏡とを備え、
(i)レーザー光を前記第1の偏光子から入射させ、そのレーザー光を、前記偏
光制御素子、第2の偏光子を通して前記第1の鏡で曲げて、前記レーザー増幅器
で第1回目の増幅通過を行い、前記第2の鏡で反射させて進行方向を折り返し、
前記レーザー増幅器で第2回目の増幅通過を行い、その増幅されたレーザー光を
前記第1の鏡で曲げて、前記第2の偏光子を通して前記偏光制御素子で偏光が9
0度回転され、前記第1の偏光子を通して前記凸面を有するカセグレン副鏡で反
射させて進行方向を折り返し、前記第1の偏光子、偏光制御素子、第2の偏光子
を通過し、前記第1の鏡で増幅器光路に導入され、前記レーザー増幅器で第3回
目の増幅通過を行い、その増幅通過されたレーザー光を前記凹面を有するカセグ
レン主鏡によりビーム径を広げて方向が変えられ、前記レーザー増幅器で第4回
目の増幅通過を行い、前記カセグレン主鏡のホールによってホールが空いたビー
ムを前記第1の鏡を通過させてレーザー出力光を得ることを特徴とするレーザー
増幅装置。 - 請求項1記載のレーザー増幅装置において、前記偏光制御素子が小口径である
ことを特徴とするレーザー増幅装置。 - (a)レーザー光の入射用の第1のレンズと、
(b)該第1のレンズからのレーザー光を増幅器光路に導入する第1の鏡と、
(c)入射光を受ける第2のレンズと、
(d)該第2のレンズからのレーザー光が入射されるレーザー増幅器と、
(e)該レーザー増幅器からの通過光を同光軸方向に折り返すように配置される
第2の鏡と、
(f)アイソレート用偏光制御素子の光路に導く第3の鏡と、
(g)偏光制御素子光路に導入されたレーザー光をコリメートする第3のレンズ
と、
(h)該第3のレンズに対応して配置される第1の偏光子と、
(i)該第1の偏光子に対応して配置されるアイソレート用偏光制御素子と、
(j)該アイソレート用偏光制御素子に対応して配置される第2の偏光子と、
(k)該第2の偏光子の通過光を折り返す第4の鏡と、
(l)レーザー出力光を得る第4のレンズとを備え、
(m)入射レーザー光は、前記第1のレンズを通過し、前記第1の鏡で反射され
、拡大されて増幅器光路に入射し、前記第2のレンズを通過し、このとき第2の
レンズにより完全にコリメートされずに発散角を持つ条件となるように、予め前
記第1のレンズと第2のレンズを配置するとともに、入射レーザー光の入射角も
調整し、前記第2のレンズ通過後、前記レーザー増幅器で第1回目の増幅通過を
行い、前記平面の第2の鏡で反射させて、進行方向を反転させ、前記レーザー増
幅器により第2回目の増幅通過を行い、次いで、前記第2のレンズを通過し、ビ
ームが縮小され前記第3の鏡によって増幅器光路から外部に外され、偏光制御素
子光路に光路を変更し、前記第1の偏光子と第2の偏光子は、偏光透過方向が直
交するように配置されており、前記第1の偏光子を通過し、偏光が前記偏光制御
素子により90度回転し、前記第2の偏光子を通過し、前記第4の鏡で反射され
、進行方向が折り返されて、再び前記第2の偏光子、偏光制御素子、第1の偏光
子を通過し、前記第3の鏡により増幅器光路に導入され、再度前記第2のレンズ
を介して前記レーザー増幅器により、第3回目の増幅通過を行い、再度、前記第
2の鏡で、ビームの進行方向が折り返され、前記レーザー増幅器により、第4回
目の増幅通過を行い、前記第2のレンズを通過し、その後光軸のずれから前記第
4のレンズを通過し、コリメートされたレーザー出力光を得ることを特徴とする
レーザー増幅装置。 - 請求項3記載のレーザー増幅装置において、前記第3のレンズにおけるビーム
径を大きく設定可能にしてなることを特徴とするレーザー増幅装置。 - 請求項3記載のレーザー増幅装置において、前記入射レーザー光に発散角を付
けて、焦点位置を増幅器光路の垂直方向にずらすと共に、増幅器光路の前後方向
にもずらして、前記第3の鏡でのビーム面積を大きくしてレーザービームの大出
力化を図ることを特徴とするレーザー増幅装置。
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