JP2005028512A - 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ウェハを研磨剤スラリー中に浸漬させることなく、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減させる。
【解決手段】研磨テーブル1の下方が研磨剤スラリー8に浸るように、貯留槽7内に研磨テーブル1を垂直に立てて配置し、研磨ヘッド5を用いてリテナーリング4およびウェハWを研磨クロス2上に押さえ付けながら、研磨テーブル1および研磨ヘッド5を回転させることにより、ウェハWを研磨する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、CMP(chemical mechanical polishing:化学的機械的研磨)に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の研磨装置では、例えば、特許文献1に開示されているように、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減するために、研磨パッドおよびウェハを研磨剤スラリー中に浸漬させた状態でウェハを研磨パッドに押し付けることにより、ウェハを研磨することが行われている。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−26241号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、研磨パッドおよびウェハを研磨剤スラリー中に浸漬させる方法では、研磨パッドをウェハに押し付けるための研磨ヘッドも研磨剤スラリー中に浸漬させる必要がある。このため、研磨ヘッドが研磨剤スラリーで侵され、研磨ヘッドの寿命が短くなるという問題があった。
【0005】
そこで、本発明の目的は、ウェハを研磨剤スラリー中に浸漬させることなく、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減させることが可能な研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る研磨装置によれば、研磨剤スラリーを貯留する貯留槽と、研磨面の一部が前記研磨剤スラリーに浸るように垂直に立てて配置された研磨テーブルと、前記研磨テーブル上に設けられた研磨パッドと、前記研磨テーブルを回転させる回転手段と、前記貯留槽上に配置され、前記研磨テーブル上で前記ウェハを押さえる研磨ヘッドとを備えることを特徴とする。
【0007】
これにより、研磨テーブルの下半分を研磨剤スラリーに浸漬させるとともに、研磨テーブルの上半分を研磨剤スラリーに浸漬させないようにして、ウェハの研磨を行うことが可能となる。このため、研磨剤スラリーにウェハを浸漬させないようにした場合においても、研磨テーブル上に研磨剤スラリーを滴下させることなく、研磨剤スラリーをウェハに供給することが可能となり、研磨ヘッドが研磨剤スラリーで侵されることを防止しつつ、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減させることが可能となる。
【0008】
また、本発明の一態様に係る研磨装置によれば、前記貯留槽上に配置され、前記研磨パッド上に付着した研磨屑を擦り取る研磨屑回収手段をさらに備えることを特徴とする。
これにより、研磨剤スラリーを貯留する貯留槽内に研磨屑が流れ込むことを抑制することが可能となる。このため、研磨テーブルの一部を研磨剤スラリーに浸漬させた場合においても、研磨剤スラリーの汚染を抑制することが可能となり、ウェハの研磨を安定して行うことが可能となる。
【0009】
また、本発明の一態様に係る研磨装置によれば、前記研磨剤スラリーに浸される研磨テーブルの深さは、前記ウェハの径より大きいことを特徴とする。
これにより、ウェハの接触面全体に研磨剤スラリーを効率よく染み込ませることが可能となり、研磨テーブルの下半分のみを研磨剤スラリーに浸漬させた場合においても、ウェハの研磨を均一に行うことが可能となる。
【0010】
また、本発明の一態様に係る研磨装置によれば、研磨剤スラリーを貯留する貯留槽と、研磨面の一部が前記研磨剤スラリーに浸るように斜めに傾けて配置された研磨テーブルと、前記研磨テーブル上に設けられた研磨パッドと、前記研磨テーブルを回転させる回転手段と、前記貯留槽上に配置され、前記研磨テーブル上で前記ウェハを押さえる研磨ヘッドとを備えることを特徴とする。
【0011】
これにより、研磨テーブルの下半分を研磨剤スラリーに浸漬させるとともに、研磨テーブルの上半分を研磨剤スラリーに浸漬させないようにして、ウェハの研磨を行うことが可能となるとともに、研磨テーブルの下半分に染み込んだ研磨剤スラリーが流れ落ちることを抑制することが可能となる。このため、研磨剤スラリーにウェハを浸漬させないようにした場合においても、研磨テーブル上に研磨剤スラリーを滴下させることなく、研磨剤スラリーをウェハに効率よく供給することが可能となり、研磨ヘッドが研磨剤スラリーで侵されることを防止しつつ、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減させることが可能となる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る研磨方法によれば、研磨面の一部を研磨剤スラリーに浸漬させながら、研磨テーブルを垂直に立てて研磨を行うことを特徴とする。
これにより、研磨剤スラリーにウェハを浸漬させる必要がなくなるとともに、研磨テーブル上に研磨剤スラリーを滴下させることなく、研磨剤スラリーをウェハに供給することが可能となり、研磨ヘッドが研磨剤スラリーで侵されることを防止しつつ、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減させることが可能となる。
【0013】
また、本発明の一態様に係る研磨方法によれば、研磨面の一部を研磨剤スラリーに浸漬させながら、研磨テーブルを斜めに傾けて研磨を行うことを特徴とする。
これにより、研磨剤スラリーにウェハを浸漬させる必要がなくなるとともに、研磨テーブル上に研磨剤スラリーを滴下させることなく、研磨剤スラリーをウェハに効率よく供給することが可能となり、研磨ヘッドが研磨剤スラリーで侵されることを防止しつつ、研磨時に消費される研磨剤スラリーの量を低減させることが可能となる。
【0014】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、研磨面の一部が研磨剤スラリーに浸漬させられた状態で、研磨テーブルを垂直に立てて配置する工程と、前記研磨剤スラリーから突き出た研磨面上にウェハを押し付けながら、前記研磨テーブルを回転させる工程とを備えることを特徴とする。
これにより、研磨テーブル上に研磨剤スラリーを滴下させることなく、ウェハの研磨を行うことが可能となり、研磨剤スラリーが無駄に廃棄されることを防止して、半導体装置のコストダウンを図ることが可能となる。
【0015】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、研磨面の一部が研磨剤スラリーに浸漬させられた状態で、研磨テーブルを斜めに傾けて配置する工程と、前記研磨剤スラリーから突き出た研磨面上にウェハを押し付けながら、前記研磨テーブルを回転させる工程とを備えることを特徴とする。
これにより、研磨テーブル上に研磨剤スラリーを滴下させることなく、ウェハの研磨を行うことが可能となり、研磨剤スラリーが無駄に廃棄されることを防止して、半導体装置のコストダウンを図ることが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る研磨装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す斜視図である。
【0017】
図1において、研磨装置には、研磨剤スラリー8を貯留する貯留槽7が設けられている。そして、貯留槽7内には、研磨テーブル(プラテンとも言う。)1の一部が研磨剤スラリー8に浸るように垂直に立てて配置されている。そして、研磨テーブル1は回転軸3に結合され、回転軸3を中心として回転できるようにされるとともに、研磨テーブル1上には研磨パッド(研磨クロスとも言う。)2が貼り付けられている。
【0018】
また、研磨パッド2が貼り付けられた研磨テーブル1上には、ウェハWの周囲をガイドするリテナーリング4が設けられるとともに、ウェハWおよびリテナーリング4を研磨パッド2上に押さえ付ける研磨ヘッド5が設けられている。
なお、研磨対象となるウェハWとしては、例えば、Al、Cu、多結晶シリコンなどの配線層、シリコン酸化膜やシリコン窒素膜などの絶縁層などが形成された半導体ウェハやガラスウェハなどを挙げることができる。ここで、研磨ヘッド5は、研磨剤スラリー8に浸漬されないようにして、貯留槽7上に配置することができる。
【0019】
また、研磨剤スラリー8としては、シリコン酸化膜などの層間絶縁膜のCMPを行う場合、例えば、フュームドシリカ系スラリーまたはセリア系スラリーを用いることができ、W、Cu、Alなどの配線用メタルのCMPを行う場合、例えば、アルミナ系スラリーに酸化剤を混入させたものを用いることができる。
そして、研磨ヘッド5は、スピンドル6に結合され、ウェハWおよびリテナーリング4を研磨クロス2上に押さえ付けながら、スピンドル6の回りを回転できるように構成されている。また、貯留槽7には研磨剤スラリー8を循環させる循環管9が接続され、循環管9には、研磨剤スラリー8を送り出すポンプ10が設けられるとともに、研磨剤スラリー8を濾過するフィルタ11が設けられている。
【0020】
また、研磨テーブル1上には、研磨パッド2に接触し、研磨パッド2に付着した研磨屑を擦り取るヘラ12が設けられるとともに、研磨テーブル1の側方には、ヘラ11で擦り取られた研磨屑を貯留槽7外に導く研磨屑受け13が設けられている。なお、研磨屑を擦り取るヘラ12は、例えば、ゴムなどの弾性体で構成することができる。また、ヘラ12は、研磨剤スラリー8と研磨ヘッド5との間であって、研磨剤スラリー8内への研磨テーブル1の進入側に配置することができる。また、ヘラ12で擦り取られた研磨屑が流れ落ちるように、斜め下方に傾けてヘラ12を配置することができる。
【0021】
そして、ウェハWを研磨する場合、研磨テーブル1の下方が研磨剤スラリー8に浸るように、貯留槽7内に研磨テーブル1を垂直に立てて配置する。そして、研磨ヘッド5により、リテナーリング4およびウェハWを研磨クロス2上に押さえ付け、ウェハWの周囲をリテナーリング4でガイドしながら、研磨テーブル1および研磨ヘッド5を回転させる。そして、研磨テーブル1および研磨ヘッド5を回転させることにより、ウェハWが研磨され、ウェハWに接触した後の研磨面はヘラ12で擦られる。そして、研磨面に付着した研磨屑はヘラ12で擦り取られて研磨屑受け13上に流れ落ち、研磨屑受け13を介して研磨面に付着した研磨屑を回収することができる。
【0022】
ここで、研磨テーブル1の下方を研磨剤スラリー8に浸漬させることにより、研磨剤スラリー8を研磨クロス2に染み込ませることが可能となる。また、研磨テーブル1の下方を研磨剤スラリー8に浸漬させた状態で研磨テーブル1を回転させることにより、磨剤スラリー8が染み込んだ研磨クロス2を研磨ヘッド5下に移動させて、磨剤スラリー8をウェハWに供給しながら、ウェハWを研磨することが可能となる。
【0023】
このため、研磨剤スラリー8にウェハWを浸漬させないようにした場合においても、研磨テーブル1上に研磨剤スラリー8を滴下させることなく、研磨剤スラリー8をウェハWに供給することが可能となり、研磨ヘッド5が研磨剤スラリー8で侵されることを防止しつつ、研磨時に消費される研磨剤スラリー8の量を低減させることが可能となる。
【0024】
また、研磨屑を擦り取るヘラ12を研磨テーブル1上に設けることにより、研磨剤スラリー8を貯留する貯留槽7内に研磨屑が流れ込むことを抑制することが可能となる。このため、研磨テーブル1の一部を研磨剤スラリー8に浸漬させた場合においても、研磨剤スラリー8の汚染を抑制することが可能となり、ウェハWの研磨を安定して行うことが可能となる。
【0025】
なお、研磨剤スラリー8に浸される研磨テーブル7の深さD1は、ウェハWの径より大きくなるように設定することが好ましい。これにより、ウェハWの接触面全体に研磨剤スラリー8を効率よく染み込ませることが可能となり、研磨テーブル1の下半分のみを研磨剤スラリー8に浸漬させた場合においても、ウェハWの研磨を均一に行うことが可能となる。
【0026】
図2は、本発明の第2実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す斜視図である。
図2において、研磨装置には、研磨剤スラリー28を貯留する貯留槽27が設けられている。そして、貯留槽27内には、研磨テーブル(プラテンとも言う。)21の一部が研磨剤スラリー28に浸るように斜めに傾けて配置されている。そして、研磨テーブル21は回転軸23に結合され、回転軸23を中心として回転できるようにされるとともに、研磨テーブル21上には研磨パッド(研磨クロスとも言う。)22が貼り付けられている。
【0027】
また、研磨パッド22が貼り付けられた研磨テーブル21上には、ウェハWの周囲をガイドするリテナーリング24が設けられるとともに、ウェハWおよびリテナーリング24を研磨パッド22上に押さえ付ける研磨ヘッド25が設けられている。なお、研磨対象となるウェハWとしては、例えば、Al、Cu、多結晶シリコンなどの配線層、シリコン酸化膜やシリコン窒素膜などの絶縁層などが形成された半導体ウェハやガラスウェハなどを挙げることができる。ここで、研磨ヘッド25は、研磨剤スラリー28に浸漬されないようにして、貯留槽27上に配置することができる。
【0028】
そして、研磨ヘッド25は、スピンドル26に結合され、ウェハWおよびリテナーリング24を研磨クロス22上に押さえ付けながら、スピンドル26の回りを回転できるように構成されている。また、貯留槽27には研磨剤スラリー28を循環させる循環管29が接続され、循環管29には、研磨剤スラリー28を送り出すポンプ30が設けられるとともに、研磨剤スラリー28を濾過するフィルタ31が設けられている。
【0029】
また、研磨テーブル21上には、研磨パッド22に接触し、研磨パッド22に付着した研磨屑を擦り取るヘラ32が設けられるとともに、研磨テーブル21の側方には、ヘラ32で擦り取られた研磨屑を貯留槽27外に導く研磨屑受け33が設けられている。なお、研磨屑を擦り取るヘラ32は、例えば、ゴムなどの弾性体で構成することができる。また、ヘラ32は、研磨剤スラリー28と研磨ヘッド25との間であって、研磨剤スラリー28内への研磨テーブル21の進入側に配置することができる。また、ヘラ32で擦り取られた研磨屑が流れ落ちるように、下方に傾けてヘラ32を配置することができる。
【0030】
そして、ウェハWを研磨する場合、研磨テーブル21の下方が研磨剤スラリー28に浸るように、貯留槽27内に研磨テーブル21を斜めに傾けて配置する。そして、研磨ヘッド25により、リテナーリング24およびウェハWを研磨クロス22上に押さえ付け、ウェハWの周囲をリテナーリング24でガイドしながら、研磨テーブル21および研磨ヘッド25を回転させる。そして、研磨テーブル21および研磨ヘッド25を回転させることにより、ウェハWが研磨され、ウェハWに接触した後の研磨面はヘラ32で擦られる。そして、研磨面に付着した研磨屑はヘラ32で擦り取られて研磨屑受け33上に流れ落ち、研磨屑受け33を介して研磨面に付着した研磨屑を回収することができる。
【0031】
ここで、研磨テーブル21を斜めに傾けた状態で研磨テーブル21の下方を研磨剤スラリー28に浸漬させることにより、研磨剤スラリー28を研磨クロス22に染み込ませることが可能となるとともに、研磨テーブル21の下半分に染み込んだ研磨剤スラリー28が流れ落ちることを抑制することが可能となる。また、研磨テーブル21の下方を研磨剤スラリー28に浸漬させた状態で研磨テーブル21を回転させることにより、磨剤スラリー28が染み込んだ研磨クロス22を研磨ヘッド25下に移動させて、磨剤スラリー28をウェハWに供給しながら、ウェハWを研磨することが可能となる。
【0032】
このため、研磨剤スラリー28にウェハWを浸漬させないようにした場合においても、研磨テーブル21上に研磨剤スラリー28を滴下させることなく、研磨剤スラリー28をウェハWに効率よく供給することが可能となり、研磨ヘッド25が研磨剤スラリー28で侵されることを防止しつつ、研磨時に消費される研磨剤スラリー28の量を低減させることが可能となる。
【0033】
また、研磨屑を擦り取るヘラ32を研磨テーブル21上に設けることにより、研磨剤スラリー28を貯留する貯留槽27内に研磨屑が流れ込むことを抑制することが可能となる。このため、研磨テーブル21の一部を研磨剤スラリー28に浸漬させた場合においても、研磨剤スラリー28の汚染を抑制することが可能となり、ウェハWの研磨を安定して行うことが可能となる。
【0034】
なお、研磨剤スラリー28に浸される研磨テーブル27の斜め方向の深さD2は、ウェハWの径より大きくなるように設定することが好ましい。これにより、ウェハWの接触面全体に研磨剤スラリー28を効率よく染み込ませることが可能となり、研磨テーブル21の下半分のみを研磨剤スラリー28に浸漬させた場合においても、ウェハWの研磨を均一に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す斜視図。
【図2】本発明の第2実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す斜視図。
【符号の説明】
1、21 研磨テーブル、2、22 研磨パッド、3、23 回転軸、4、24 リテナーリング、5、25 研磨ヘッド、6、26 スピンドル、7、27貯留槽、8、28 研磨剤スラリー、9、29 循環管、10、30 ポンプ、11、31 フィルタ、12、32 ヘラ、13、33 研磨屑受け

Claims (8)

  1. 研磨剤スラリーを貯留する貯留槽と、
    研磨面の一部が前記研磨剤スラリーに浸るように垂直に立てて配置された研磨テーブルと、
    前記研磨テーブル上に設けられた研磨パッドと、
    前記研磨テーブルを回転させる回転手段と、
    前記貯留槽上に配置され、前記研磨テーブル上で前記ウェハを押さえる研磨ヘッドとを備えることを特徴とする研磨装置。
  2. 前記貯留槽上に配置され、前記研磨パッド上に付着した研磨屑を擦り取る研磨屑回収手段をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  3. 前記研磨剤スラリーに浸される研磨テーブルの深さは、前記ウェハの径より大きいことを特徴とする請求項1または2項記載の研磨装置。
  4. 研磨剤スラリーを貯留する貯留槽と、
    研磨面の一部が前記研磨剤スラリーに浸るように斜めに傾けて配置された研磨テーブルと、
    前記研磨テーブル上に設けられた研磨パッドと、
    前記研磨テーブルを回転させる回転手段と、
    前記貯留槽上に配置され、前記研磨テーブル上で前記ウェハを押さえる研磨ヘッドとを備えることを特徴とする研磨装置。
  5. 研磨面の一部を研磨剤スラリーに浸漬させながら、研磨テーブルを垂直に立てて研磨を行うことを特徴とする研磨方法。
  6. 研磨面の一部を研磨剤スラリーに浸漬させながら、研磨テーブルを斜めに傾けて研磨を行うことを特徴とする研磨方法。
  7. 研磨面の一部が研磨剤スラリーに浸漬させられた状態で、研磨テーブルを垂直に立てて配置する工程と、
    前記研磨剤スラリーから突き出た研磨面上にウェハを押し付けながら、前記研磨テーブルを回転させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 研磨面の一部が研磨剤スラリーに浸漬させられた状態で、研磨テーブルを斜めに傾けて配置する工程と、
    前記研磨剤スラリーから突き出た研磨面上にウェハを押し付けながら、前記研磨テーブルを回転させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007098485A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Hoya Glass Disk Thailand Ltd 磁気記録媒体用のガラス基板および磁気ディスクの製造方法
CN101879700B (zh) * 2009-05-07 2013-03-27 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨元件、晶圆的研磨方法及晶圆研磨系统
CN105014520A (zh) * 2015-08-13 2015-11-04 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石衬底片浸没式化学机械抛光方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007098485A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Hoya Glass Disk Thailand Ltd 磁気記録媒体用のガラス基板および磁気ディスクの製造方法
CN101879700B (zh) * 2009-05-07 2013-03-27 台湾积体电路制造股份有限公司 化学机械研磨元件、晶圆的研磨方法及晶圆研磨系统
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