JP2005026620A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 最終製品形態でレーザトリミングを可能にし、樹脂封止を使った低コストに製造し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板１の一面１ａに形成された半導体収納凹部５に半導体素子２が収納実装されると共に、半導体素子２が実装される一面１ａとは反対側の基板他面１ｂに受動素子３及びトリマブル素子４が実装された半導体装置である。この半導体装置では、受動素子３及びトリマブル素子４を、該トリマブル素子４のトリミング時に使用するレーザ光Ｈｖを透過させる光透過性樹脂層１５で被覆した構造とする。この光透過性樹脂層１５で受動素子３及びトリマブル素子４を被覆した最終製品形態で、トリマブル素子４にレーザ光Ｈｖを照射しトリミングして特性調整を行う。
【選択図】 図９

Description

本発明は、例えばレーザートリミングによる特性調整が必要となる半導体装置に関する。詳しくは、半導体素子を実装させた基板上の受動素子及びトリマブル素子を樹脂によって被覆した最終製品状態でトリミングを可能とする実装技術に関する。

例えば、セラミックス基板上に半導体素子を実装させた半導体装置では、半導体素子に特性のバラツキがあるため、そのバラツキを抵抗体で調整することが行われている。具体的には、半導体素子が実装される基板上に、抵抗体及びトリマブル素子を実装し、そのトリマブル素子にレーザ光を照射してトリミングすることにより、抵抗値を所望の値となるように調整する。

このレーザ光によるトリミング作業は、ウエハー基板をカットしてそれぞれの半導体装置に固片化した後に行われる。図１５〜図１７は、トリミングするまでの一連の流れを示す半導体装置の製造工程を示す図である。

半導体装置を製造するには、先ず図１５（ａ）に示すように、セラミックスからなるシート状の基板１０１に、半導体素子１０３を収納実装させるための凹部１０２を複数形成する。次に、図１５（ｂ）に示すように、半導体素子１０３を各凹部１０２の底部に実装させた後、金属細線（ボンドワイヤ）１０４を半導体素子１０３にワイヤボンディングする。そして、ワイヤボンディング後、エポキシ樹脂１０５を各凹部１０２内に充填し、このエポキシ樹脂１０５で半導体素子１０３を封止する。

次に、図１５（ｃ）に示すように、基板１０１を裏返して半導体素子１０３が実装される一面１０１ａとは反対側の他面１０１ｂに、受動素子である抵抗１０６と、トリマブル素子１０７とを実装させる。これら抵抗１０６及びトリマブル素子１０７を実装するには、例えばリフローにより行う。

次いで、ダイサ（ダイシング装置）を使用して基板１０１をカットし、それぞれの半導体装置に固片化する。固片化した半導体装置をレーザトリミング装置にセットした後、図１６に示すように、トリマブル素子１０７にレーザ光Ｈｖを照射してトリミングを行い抵抗値を調整（電気特性調整）する。その後、図１７に示すように、抵抗１０６及びトリマブル素子１０７を覆って基板１０１の他面１０１ｂに、金属キャップ１０８を被せる。金属キャップ１０８は、基板１０１から外れないようにハンダなどで機械的に固定する。

金属キャップ１０８を基板１０１に装着するのは、固片化した半導体装置の回路基板への実装時や半導体装置（半導体パッケージ）を上から押さえ付けて測定を行うデバイス測定時でのピックアップ性（ハンドリング性）を良好なものとするためである。

このように、従来は、レーザトリミング終了後に金属キャップ１０８を基板１０１に装着させていたが、各半導体装置毎に金属キャップ１０８が必要となり、また、面倒な金属キャップ１０８の装着工程も必要となる。そこで、金属キャップ１０８に代えて、レーザトリミング後に抵抗１０６及びトリマブル素子１０７を樹脂にて被覆し平坦化を図ることも考えられるが、固片化後の樹脂封止はプロセス的に手間がかかり、本来の樹脂封止によるコストダウン効果が得られなくなる。

このため、抵抗体をアルミナセラミックス等の電気絶縁材料からなるパッケージ本体に埋め込み、抵抗体に対応する位置のパッケージ本体にレーザトリミング用の凹部を形成し、その凹部を介して抵抗体をレーザトリミングすることにより、抵抗体の抵抗値を調整する技術が提案されている（例えば、特許文献１など参照）。

特開平６−１３５３２号公報（第２頁及び第３頁、図２及び図３）

レーザトリミングは、特許文献１に記載されるように、最終製品形態で行うことがコスト的に好ましく、できればダイサによってカットする前の基板状態で樹脂封止した後、固片化後にレーザトリミングすることがプロセス的に手間が掛からないため好ましい。

そこで、本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、固片化する前に受動素子及びトリマブル素子を樹脂によって封止した後、固片化後にレーザトリミングにより抵抗値調整を行いコストの低減を図ることのできる半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の半導体装置は、トリマブル素子のチップ高さを受動素子よりも高くし、トリマブル素子の表面のみを露出させて受動素子及びトリマブル素子を樹脂層で被覆するか、トリマブル素子のトリミング時に使用するレーザ光を透過させる光透過性樹脂で受動素子及びトリマブル素子を被覆するか、または、半導体素子を光不透過性樹脂層で被覆すると共に光透過性樹脂層で受動素子及びトリマブル素子を被覆するようにする。

ここで定義するトリマブル素子は、レーザ光の照射により抵抗体の回路パターンの一部をカットまたは塑性変形させたときに抵抗値が変化（抵抗増大）するレーザトリミング可能な素子をいう。

トリマブル素子のチップ高さを受動素子よりも高くし、トリマブル素子の表面のみを露出させて受動素子及びトリマブル素子を樹脂層で被覆すると、樹脂層が形成された固片化後の最終製品形態で、樹脂層表面に露出したトリマブル素子に対してレーザトリミングが可能となる。

また、受動素子及びトリマブル素子を光透過性樹脂層で被覆すれば、この光透過性樹脂層の上からトリマブル素子に対してレーザトリミングすることが可能となる。受動素子及びトリマブル素子と同一面上に半導体素子を形成した場合は、レーザ光が半導体素子にも照射されることになるが、光不透過性樹脂層が半導体素子を覆っているので、レーザトリミング時に半導体素子がレーザ光の照射を受けることが阻止され、トリマブル素子のみをレーザトリミングすることが可能となる。

本発明の半導体装置によれば、受動素子及びトリマブル素子を樹脂によって封止し平坦化しており、製品最終形態でレーザトリミングによる特性調整を行うことのできる構造であるので、コストを下げることができると共に、トリミング後の特性変動が無く、また、製品の最終測定もトリミングと同時に行うことができ、工程削減によるコスト低減が実現される。

以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態は、本発明の半導体装置を、例えば携帯電話機のパワーアンプに適用した例である。

「第１の実施の形態」
先ず、第１の実施の形態の半導体装置の構成を説明した後に、その製造方法について説明するものとする。図１は、第１の実施の形態の半導体装置を示す拡大断面図である。

第１の実施の形態の半導体装置は、図１に示すように、基板１と、この基板１に実装される半導体素子２、受動素子３、トリマブル素子４とを主たる構成としている。

半導体素子２は、基板１に形成された半導体収納凹部５の底面に実装されている。基板１は、例えば有機系のラミネート基板やＬＴＣＣ（低温焼成多層セラミックス基板）などのセラミックス基板からなる。本実施の形態では、有機系のラミネート基板を採用している。

半導体素子２と基板１は、例えば金属細線６によるワイヤボンディングによって電気的に接続されている。もちろん、これら半導体素子２と基板１の電気的接続は、ワイヤボンディングの他にバンプによって接続を行うバンプ接続であってもよい。その電気的接続の方法は、これらの方法には問われない。そして、半導体素子２は、電気的接続部の保護のため、半導体収納凹部５内にエポキシ系の樹脂７が充填されることにより、該樹脂７によって封止されている。

受動素子３は、例えば抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動素子チップ部品からなり、この受動素子３は、半導体素子２が実装される半導体素子搭載面である一面１ａとは反対側の基板他面１ｂに実装されている。

トリマブル素子４は、レーザ光の照射により抵抗素子の回路パターンが削られ又は塑性変形されることによりその抵抗値が変化する（大きくなる）ことを利用して、半導体素子２の特性バラツキを調整するのに使用される。このトリマブル素子４には、膜厚の厚い厚膜抵抗素子と、膜厚の薄い薄膜抵抗素子とがある。この例では、トリマブル素子４として、厚膜抵抗素子を使用しており、レーザ光の照射によって抵抗パターンが削られて昇華する。

そして特に、本実施の形態では、トリマブル素子４のチップ高さを、受動素子３よりも高くしている。そして、トリマブル素子４の表面４ａのみが露出するように、エポキシ樹脂からなる樹脂層８で前記受動素子３及びトリマブル素子４を被覆して平坦化している。別の見方をすると、半導体素子搭載面とは反対側の基板他面１ｂに実装された受動素子３及びトリマブル素子４は、樹脂層８によって覆われ平坦化されており、トリマブル素子４の表面４ａのみがその樹脂層８に露出している。

このように構成された半導体装置では、ウエハーからカットされて固片化された最終製品状態で、レーザトリミングによる半導体素子２の特性調整を行うことができる。つまり、樹脂層８によって受動素子３及びトリマブル素子４を被覆し平坦化した状態で、その樹脂層８の表面に露出するトリマブル素子４に対してレーザ光を照射することができる。

本実施の形態の半導体装置によれば、最終製品状態でのレーザトリミングが可能なため、トリミング後の特性変動を気にする必要もなく、製品の最終測定もこのトリミングと同時に行うことができ、工程削減によるコスト低減が望める。また、樹脂７により受動素子３及びトリマブル素子４を封止して平坦化した構造であるので、ユーザによる取り扱い性（ピックアップ性）が向上すると共に、低コスト化することができる。

なお、図１では、半導体素子２を基板１の一面１ａに形成した半導体収納凹部５に実装させたが、この半導体素子２を、前記した受動素子３及びトリマブル素子４が実装される基板他面１ｂと同じ面に実装させても同様に効果が得られる。

次に、前記した第１の実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図２及び図３は、その半導体装置の製造工程を示す断面図である。

先ず、図２（ａ）に示すように、セラミックス基板からなる基板１に、半導体素子２を収納実装させるための半導体収納凹部５を形成する。半導体収納凹部５は、製造する半導体装置の数に応じて、シート状の基板１に複数形成する。

次に、図２（ｂ）に示すように、半導体収納凹部５の底面に半導体素子２を実装させる。そして、この半導体素子２を基板１に対して金属細線６を使用してワイヤボンディングし、これら半導体素子２と基板１を電気的に接続する。次いで、半導体収納凹部５内にエポキシ系の樹脂７を充填（ディスペンス）する。これにより、半導体素子２は樹脂７によって封止され、電気的接続部がこの樹脂７により保護される。

次に、図２（ｃ）に示すように、基板１を裏返して受動素子３及びトリマブル素子４を、リフローによって所定位置に実装させる。そして、図３に示すように、基板１の周縁部に樹脂漏洩防止枠９を形成する。樹脂漏洩防止枠９は、受動素子３及びトリマブル素子４をその内部に収容させるように、基板１の外周縁部に樹脂７などによって形成する。この樹脂漏洩防止枠９の高さは、少なくともトリマブル素子４のチップ高さよりも高くする。

次に、樹脂漏洩防止枠９内に、トリマブル素子４の表面４ａとほぼ面一となる位置までエポキシ系の樹脂８を充填する。このとき、トリマブル素子４の表面４ａのみが樹脂８から露出するようにする。

そして、充填した樹脂８が硬化した後、基板１をダイサ（ダイシング装置）によってカットして固片化する。次に、図４に示すように、固片化した半導体装置のトリマブル素子４にレーザ光Ｈｖを照射してトリミングを行う。ここでは、トリマブル素子４として厚膜抵抗素子を使用したので、レーザ光Ｈｖによってトリマブル素子４の抵抗パターンの一部をカットし、そのカットした抵抗を昇華させる。

このように、受動素子３及びトリマブル素子４を樹脂層８によって被覆し平坦化した最終製品形態でレーザトリミングを行うことができるため、その後の受動素子３及びトリマブル素子４を覆って金属キャップを被せるような面倒な工程を無くすことができる。また、金属キャップのようなコストが掛かるものではなく、安価な樹脂による被覆なので低コストで半導体装置を製造することができる。

なお、前記した製造プロセスでは、基板１の周縁部に形成した樹脂漏洩防止枠９内に樹脂８をディスペンスしたが、金型を使用して樹脂層８を形成するようにしてもよい。

例えば、図５に示すように、樹脂層８を形成するためのキャビティー１０を形成した金型１１を用意し、そのキャビティー１０の内面に樹脂流れを防止するための緩衝材シート１２を介在させて、この金型１１内に基板１を配置させる。そして、この金型１１のキャビティー１０内に樹脂８を射出してインジェクションモールドする。

このとき、受動素子３よりもトリマブル素子４の方がそのチップ高さが高いので、キャビティー１０の内面にトリマブル素子４が緩衝材シート１２を介して密着するため、射出成形後に金型１１を外したときに、トリマブル素子４の表面４ａのみが樹脂層８から露出し、これら受動素子３及びトリマブル素子４が当該樹脂層８によって被覆されることになる。

「第２の実施の形態」
第２の実施の形態の半導体装置は、図６に示すように、受動素子３とトリマブル素子４のチップ高さに拘わらず、これら受動素子３及びトリマブル素子４を覆う樹脂層８のうち、トリマブル素子４と対応する部分に凹部１３を形成し、その凹部１３によりトリマブル素子４の表面４ａを露出させるようにする。

このようにすれば、受動素子３とトリマブル素子４のチップ高さが同じであろうが相違していようが、トリマブル素子４と対応する部分の樹脂層８に形成した凹部１３の底部にトリマブル素子４の表面４ａが露出するので、やはり最終製品形態でレーザトリミングを行うことができる。換言すれば、この第２の実施の形態では、受動素子３及びトリマブル素子４のチップ高さを気にすることなく、半導体装置を製造することができる。

なお、図６では、半導体素子２を基板１の一面１ａに形成した半導体収納凹部５に実装させたが、この半導体素子２を、前記した受動素子３及びトリマブル素子４が実装される基板他面１ｂと同じ面に実装させても同様に効果が得られる。

この半導体装置を製造するには、第１の実施の形態の製造工程の受動素子３及びトリマブル素子４をリフロー実装するまでの工程（図２（ｃ）までの工程）は同じであるが、樹脂層８を形成する工程が異なる。ここでは、図７に示すように、トリマブル素子４と対応する位置に、金型１１のキャビティー１０内に突出する突起部１４を形成し、その突起部１４の先端をトリマブル素子４に接触させる。

そして、キャビティー１０内に樹脂８を充填させると、トリマブル素子４と突起部１４とが接触しているため、その部分には樹脂８は流れ込まない。キャビティー１０内に充填した樹脂が硬化した後、金型１１から基板１を取り出すと、受動素子３及びトリマブル素子４は樹脂層８によって覆われるが、トリマブル素子４の表面４ａのみが露出した状態となる。

そして、金型１１から取り出した基板１をカットして固片化し、その固片化した半導体装置のトリマブル素子４に、図８に示すように、レーザ光Ｈｖを照射してトリミングを行う。レーザトリミングをするに際しては、樹脂層８に形成された凹部１３の底部に臨むトリマブル素子４の表面４ａのみが外方に臨んでいるので、このトリマブル素子４に対してレーザトリミングを行うことができる。

「第３の実施の形態」
第３の実施の形態の半導体装置は、図９に示すように、トリマブル素子４のトリミング時に使用するレーザ光を透過させる光透過性樹脂層１５で、受動素子３及びトリマブル素子４を被覆した構造である。その他の構成に関しては、図１の第１の実施の形態の半導体装置とほぼ同一の構成である。ここでは、異なる構成部分のみを説明する。

トリマブル素子４は、光透過性樹脂層１５によってその表面４ａも覆われてしまうため、照射されるレーザ光をロスなく透過させるために、少なくともトリマブル素子４の表面４ａと対向する樹脂表面を鏡面とすることが望ましい。また、光透過性樹脂層１５を透してのレーザトリミングとされることから、トリマブル素子４としては、厚膜抵抗素子ではなくレーザ光の照射により抵抗体が塑性変形して抵抗値変化を生じる薄膜抵抗素子を使用する。

このように、受動素子３及びトリマブル素子４を被覆する樹脂層としてトリミング時に使用するレーザ光を透過させる光透過性樹脂層１５を使用すれば、受動素子３及びトリマブル素子４のチップ高さを考慮することなく、これら受動素子３及びトリマブル素子４を自由に選択することができる。また、トリマブル素子４の表面４ａを露出させる必要もないことから、その構成も簡略化できる。

この第３の実施の形態の半導体装置を製造するには、第１の実施の形態の製造工程の受動素子３及びトリマブル素子４をリフロー実装するまでの工程（図２（ｃ）までの工程）は同じであるが、光透過性樹脂層１５を形成する工程が異なる。

光透過性樹脂層１５を形成するには、図１０に示すように、図５で使用した金型１１のキャビティー１０よりも大きい（高さの高い）キャビティー１６とした金型１７に、半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４が実装された基板１を配置し、このキャビティー１６内に光透過性樹脂１５を射出してインジェクションモールドする。なお、このキャビティー１６の内面には、樹脂の漏洩を防止するために、前記した図５の金型１１と同様に緩衝材シート１２を介在させる。

そして、インジェクションモールド後、基板１を金型１７から取り出し、図１１に示すように、光透過性樹脂層１５の上からトリマブル素子４に対してレーザ光Ｈｖを照射してトリミングを行う。このとき、レーザ光Ｈｖを光透過性樹脂層１５を透過させて照射するので、薄膜抵抗素子からなるトリマブル素子４は、塑性変形し抵抗値を変化させることになる。

このように、受動素子３及びトリマブル素子４を光透過性樹脂層１５で被覆すれば、受動素子３及びトリマブル素子４を覆って形成する樹脂層に凹部１３を形成したり、高さの異なる受動素子３及びトリマブル素子４のチップを選択する必要もないため、フラットなキャビティー１６の金型１７を使用することができ、製造コストを低減させることができる。

「第４の実施の形態」
第４の実施の形態の半導体装置は、図１２に示すように、基板１の一面１ａである同一面上に半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４を実装し、半導体素子２を光不透過性樹脂層１８で被覆すると共に、半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４を、該トリマブル素子４のトリミング時に使用するレーザ光を透過させる光透過性樹脂層１５で被覆した構成である。

この実施の形態の半導体装置は、基板１の一面１ａに半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４を実装させた構造であるので、レーザトリミング時のレーザ光Ｈｖの照射及び外部からの光が半導体素子２に入らないように、当該半導体素子２を覆って光りの入射を阻止する光不透過性樹脂層１８を形成してある。光不透過性樹脂層１８としては、遮光性のあるカーボン入りの遮光性樹脂を使用する。光透過性樹脂層１５は、第３の実施の形態で使用した樹脂と同じである。

なお、この実施の形態の半導体装置では、やはりトリマブル素子４の表面４ａが光透過性樹脂層１５で覆われているので、レーザ光をロスなく透過させるために、少なくともトリマブル素子４の表面４ａと対向する樹脂表面を鏡面とすることが望ましい。

この実施の形態の半導体装置では、基板１の同一面上に半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４を実装させた構造であるので、基板１に半導体収納凹部５を形成する必要もなく、基板１を裏返して受動素子３及びトリマブル素子４を実装させることも不要となるので、構造が簡単になると共に製造工程も簡略化される。

この第４の実施の形態の半導体装置を製造するには、先ず、基板１の一面１ａに半導体素子２を実装し、この半導体素子２と基板１とを金属細線６でワイヤボンディングした後、電気的接続部を含めて半導体素子２を覆うようにして光不透過性樹脂層１８を被覆する。

次に、受動素子３及びトリマブル素子４を、半導体素子２が実装された所定の位置に配置する。受動素子３及びトリマブル素子４は、そのチップ高さに関しては特に問わない。そして、これら半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４を覆ってカーボン入りの遮光性樹脂を塗布し硬化させることにより、光不透過性樹脂層１８を形成する。

次に、図１３に示すように、緩衝材シート１２をキャビティー１９の内面に取り付けた金型２０内に前記基板１を配置し、そのキャビティー１９内に光透過性樹脂を充填してインジェクションモールドする。キャビティー１９内に充填した光透過性樹脂が硬化した後、金型２０から基板１を取り出し、半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子４を覆って形成された光透過性樹脂層１５の上からトリマブル素子４に対して、図１４に示すようにレーザ光Ｈｖを照射してトリミングを行う。

このような工程を経て半導体装置を製造すれば、半導体素子２、受動素子３及びトリマブル素子を同一面上に実装することができるので、チップ実装工程が楽になる。

以上、本発明を適用した具体的な実施の形態について説明したが、本発明は、上述の実施の形態に制限されることなく種々の変更が可能である。

第１の実施の形態と第２の実施の形態の半導体装置では、何れも厚膜抵抗素子をトリマブル素子として使用したが、薄膜抵抗素子を使用することもできる。

本発明は、例えば半導体素子の特性のバラツキをトリマブル素子へのレーザ光の照射により行うレーザトリミング技術に適用することができる。

第１の実施の形態の半導体装置の拡大断面図である。 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、（ａ）は半導体収納凹部を形成する工程図、（ｂ）は半導体素子を実装する工程図、（ｃ）は受動素子及びトリマブル素子を実装する工程図である。 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子の表面を露出させて樹脂層で受動素子及びトリマブル素子を被覆する工程図である。 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子にレーザ光を照射してトリミングを行う工程図である。 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、受動素子及びトリマブル素子を被覆する樹脂層を金型によるインジェクションモールドで形成する工程図である。 第２の実施の形態の半導体装置の拡大断面図である。 第２の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子と対応する位置に突起を設けた金型によるインジェクションモールドで受動素子及びトリマブル素子を樹脂層で被覆する工程を示す工程図である。 第２の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子にレーザ光を照射してトリミングを行う工程図である。 第３の実施の形態の半導体装置の拡大断面図である。 第３の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、受動素子及びトリマブル素子を被覆する光透過性樹脂層を金型によるインジェクションモールドで形成する工程図である。 第３の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子にレーザ光を照射してトリミングを行う工程図である。 第４の実施の形態の半導体装置の拡大断面図である。 第４の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、受動素子及びトリマブル素子を被覆する光透過性樹脂層を金型によるインジェクションモールドで形成する工程図である。 第４の実施の形態の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子にレーザ光を照射してトリミングを行う工程図である。 従来の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、（ａ）は半導体収納凹部を形成する工程図、（ｂ）は半導体素子を実装する工程図、（ｃ）は受動素子及びトリマブル素子を実装する工程図である。 従来の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、トリマブル素子にレーザ光を照射してトリミングを行う工程図である。 従来の半導体装置の製造方法による製造工程を示すもので、金属キャップを受動素子及びトリマブル素子に被せる工程図である。

符号の説明

１…基板
２…半導体素子
３…受動素子
４…トリマブル素子
５…半導体収納凹部
６…金属細線
８…樹脂層
９…樹脂漏洩防止枠
１０、１６、１９…キャビティー
１１、１７、２０…金型
１５…光透過性樹脂層
１８…光不透過性樹脂層

Claims (5)

1. 基板の一面に形成された凹部に半導体素子が収納実装されると共に、半導体素子が実装される一面とは反対側の基板他面に受動素子及びトリマブル素子が実装された半導体装置において、
   前記トリマブル素子のチップ高さを前記受動素子よりも高くし、且つ、該トリマブル素子の表面のみを露出させて前記受動素子及びトリマブル素子を樹脂層で被覆してなる
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 基板の一面に半導体素子、受動素子及びトリマブル素子を実装させてなる半導体装置において、
   前記トリマブル素子のチップ高さを前記受動素子よりも高くし、且つ、該トリマブル素子の表面のみを露出させて前記受動素子及びトリマブル素子を樹脂層で被覆してなる
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 基板の一面に形成された凹部に半導体素子が収納実装されると共に、半導体素子が実装される一面とは反対側の基板他面に受動素子及びトリマブル素子が実装された半導体装置において、
   前記受動素子及び前記トリマブル素子を、該トリマブル素子のトリミング時に使用するレーザ光を透過させる光透過性樹脂層で被覆した
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 基板の一面に半導体素子、受動素子及びトリマブル素子を実装させてなる半導体装置において、
   前記半導体素子を光不透過性樹脂層で被覆すると共に、前記半導体素子、受動素子及びトリマブル素子を、該トリマブル素子のトリミング時に使用するレーザ光を透過させる光透過性樹脂層で被覆した
   ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３又は請求項４に記載の半導体装置であって、
   前記トリマブル素子が薄膜抵抗素子である
   ことを特徴とする半導体装置。
   
   

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