JP2005026390A - Signal wiring connection method of semiconductor integrated circuit device, signal wiring connection system, and process for fabricating semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Signal wiring connection method of semiconductor integrated circuit device, signal wiring connection system, and process for fabricating semiconductor integrated circuit device Download PDF

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JP2005026390A JP2003189227A JP2003189227A JP2005026390A JP 2005026390 A JP2005026390 A JP 2005026390A JP 2003189227 A JP2003189227 A JP 2003189227A JP 2003189227 A JP2003189227 A JP 2003189227A JP 2005026390 A JP2005026390 A JP 2005026390A
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Hiroshige Orita
裕重 折田
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Toshiba Electronic Device Solutions Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for arranging necessary and sufficient via cuts for signal wiring formed on each different wiring layer and interconnected through vias. <P>SOLUTION: For signal wiring formed on each different wiring layer in order to interconnect a first logic element and a second logic element arranged on a semiconductor integrated circuit and interconnected through vias, timing analysis is performed between the first logic element and the second logic element (S02), an a decision is made whether a signal propagation delay time satisfies a specified reference value or not (S03, S04). If that reference value is not satisfied, the number of via cuts is increased to satisfy that reference value (S05). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の信号配線に係わり、特に論理素子間を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続される信号配線に対して、必要十分なビアカットを配置するのに好適な信号配線の接続方法、信号配線の接続システム、および半導体集積回路装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の高集積化、高性能化に伴って、パターンの微細化、信号配線の多層化が急速に進展しており、論理素子間の信号伝播遅延時間を最適なタイミングに制御し、またエレクトロマイグレーションを抑制できる信号配線の接続方法が要求されている。
【0003】
従来の半導体集積回路装置においては、1層目の配線層と2層目の配線層にそれぞれ形成された信号配線は1個のビアカットを通して互いに接続されていた。
【0004】
しかし、1層目の信号配線と2層目の信号配線の接触面積が小さいためビア接続部での電気抵抗が大きく、ビアを数多く経由する信号配線においては信号伝播遅延時間が大きくなる問題があった。
【0005】
これに対して、1層目の信号配線と2層目の信号配線を複数のビアを通して接続する方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0006】
この特許文献1に開示された信号配線の接続方法について、図を用いて説明する。図11(a)はビアの要部を示す平面図、図11(b)は図11(a)のC−C線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図である。
【0007】
図11に示すように、半導体基板111上に層間絶縁膜112を介して1層目の信号配線113と2層目の信号配線114が2個のビアカット115、116により電気的に導通されている。2個のビアカット115、116により1層目の信号配線113と2層目の信号配線114の接触面積は1個のビアカットに比べて2倍になっている。これにより、信号配線の電気抵抗を減少させて、信号伝播遅延時間を改善している。
【0008】
しかしながら、特許文献1においては、ビアカット数を増やせば接続部の電気抵抗が低減されることを開示しているが、複雑なタイミング制御を必要とする論理素子間の信号配線の接続方法については何ら開示していない。
【0009】
例えば、論理素子間の信号伝播遅延時間には所定の時間内に信号が伝播することが必要なセットアップ時間と所定の時間内に信号が伝播してはいけないホールド時間があり、信号伝播遅延時間はこの両方を満たさなければならない。
【0010】
即ち、必要以上のビアカットを使用すると信号伝播遅延時間のタイミングが早すぎるホールドエラーが生じる恐れがあり、少なからず不良が発生する。
【0011】
結果として、不良が発生した信号配線を修正するために、レイアウトにおける繰り返し回数が多くなるという問題がある。また、配線の混雑度を増加させる問題がある。
【0012】
【特許文献1】
特開平4−118968号公報(2頁、図3)
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述した特許文献1に開示された単に複数のビアカットを使用する配線の接続方法では、論理素子間のタイミング制御に十分な信号伝播遅延時間を得ることは難しい。
【0014】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、必要十分な数のビアカットを所定のビアに配置することにより、論理素子間のタイミング制御に十分な信号伝播遅延時間が得られる信号配線の接続方法、信号配線の接続システム、および半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
また、本発明の別の目的は、必要十分な数のビアカットを所定のビアに配置することにより、ビアでのエレクトロマイグレーションを抑制する信号配線の接続方法、信号配線の接続システム、および半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の信号配線の接続方法では、半導体集積回路装置に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続する際に、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビア接続部を通して互いに接続する信号配線に対して、前記第1論理素子と前記第2論理素子間の信号伝播遅延時間を求める第1の工程と、前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内か否かを判定する第2の工程と、前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内でない場合に、前記設定された時間内となるように前記ビア接続部のビアカット数を増加させて前記第1論理素子と第2論理素子を接続する第3の工程とを有することを特徴としている。
【0017】
また、上記目的を達成するために、本発明の別の態様の信号配線の接続方法では、半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、前記信号配線のエレクトロマイグレーション解析をおこなう第1の工程と、前記エレクトロマイグレーションが所定の基準値を満たすか否かを判定する第2の工程と、前記基準値を満たさない場合に、前記基準値を満たすように、前記ビアのビアカット数を増加させて配置する第3の工程とを有することを特徴としている。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0019】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係わる信号配線の接続方法で、半導体集積回路装置のレイアウトデータから論理素子に接続され、異なる配線層の信号配線どうしをビア(ビア接続部とも言う)を通して接続する配線パターンが作成されるまでの工程を示すフローチャートである。
【0020】
このレイアウトデータは半導体集積回路装置の論理素子の配置情報と、配線経路情報と、タイミング制約情報で構成されている。
【0021】
即ち、製造する半導体集積回路装置に必要な機能を明確にし、その機能を生み出すためのロジック・メモリ、入出力インターフェイスなどの各部の機能と互いのつながりを設計する機能設計がおこなわれる。
【0022】
次に、各部の機能および相互関係から具体的な電子回路を設計する論理設計がおこなわれる。
【0023】
そして、論理素子を半導体チップ上のどこに配置するかを示す論理素子配置情報と、この論理素子がチップ上のどの領域を通って接続されるかを示す配線経路情報と、論理素子間の同期を取るためのタイミング制約情報からなるレイアウトデータが作成される。
【0024】
図1に示すように、まず、この半導体集積回路装置のレイアウトデータが読み込まれる(ステップS01)。
【0025】
次に、読み込まれた半導体集積回路に配置される第1論理素子の出力端子と第2論理素子の入力端子を異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、タイミング解析をおこなう(信号伝播遅延時間を求めるとも言う)(ステップS02)。
【0026】
このタイミング解析とは、それぞれの論理素子に固有のセル遅延と、それぞれの論理素子を接続する配線の抵抗と付加容量からなる分布定数回路の配線遅延などを計算するもので、信号伝播遅延時間はこのセル遅延と配線遅延の和で表される。
【0027】
次に、この信号伝播遅延時間が所定の時間内に第1の論理素子から第2の論理素子に信号が伝播してはいけないホールド時間を満たすか否か(以下、ホールドエラーという)を判定する(ステップS03)。
【0028】
ホールドエラーがある場合は、これ以上ビアカット数を増やす必要がないので、ステップS06にジャンプする。また、このホールドエラーを解消するためにはディレイ素子を信号配線に追加してセル遅延を大きくして信号伝播時間を遅くする方法がとられる(図示せず)。
【0029】
一方、ホールドエラーがない場合は、この信号伝播遅延時間が所定の時間内に第1の論理素子から第2の論理素子に信号が伝播する必要のあるセットアップ時間を満たすか否か(以下、セットアップエラーという)を判定する(ステップS04)。
【0030】
セットアップエラーがある場合は、信号伝播時間を早くするためにビアのビアカット数を増加して配置し(ステップS05)、所定の基準値を満たすまでステップS02からステップS05を繰り返す。
【0031】
一方、セットアップエラーがない場合は、ステップS06にジャンプし、第1の論理素子と第2の論理素子を異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、ビア接続配線パターンデータを作成(ステップS06)して終了する。
【0032】
図2および図3はこれらの方法を具体的に示したもので、図2は論理設計の要部を示す図、図3は図2のレイアウト図で、図3(a)は論理素子の配置および配線経路を示す図、図3(b)は図3(a)のA−A線に沿って切断し、展開して矢印方向に眺めた断面図である。
【0033】
図2に示すように、この論理設計は第1論理素子と第2論理素子が配線経路の途中に別の論理素子を経由して、異なる配線層にそれぞれ形成された信号配線をビアを通して接続される場合の例である。
【0034】
即ち、第1論理素子11、例えばフリップフロップと第2論理素子12、例えばフリップフロップが、第3論理素子13、例えばANDゲートと、第4論理素子14、例えばバッファを経由して3本の信号配線15a、15b、15cで接続されている。
【0035】
第1論理素子11の入力端子17に入力された入力信号は、クロック信号配線16を通してクロック信号入力端子18に供給されるクロック信号に同期して第1論理素子11にラッチされ、第1論理素子11の出力信号が信号配線15aと、第3論理素子13と、信号配線15bと、第4論理素子14と、信号配線15cを経由して第2論理素子12の入力端子19に入力される。
【0036】
第2論理素子12の入力端子19に入力された入力信号は、クロック信号配線16を通してクロック信号入力端子20に供給されるクロック信号に同期して第2論理素子12にラッチされる。
【0037】
この入力信号がクロック信号入力端子18にクロック信号が入力された時から次の入力端子19にラッチされるまでの信号伝播遅延時間がクロック信号の周期より大きい場合は、正常な論理動作が保証されなくなり、セットアップエラーが生じる。
【0038】
図3に示すように、第1論理素子11と第2論理素子12を接続する信号配線は、第3論理素子13と4論理素子14を介して6個のビアカット21、22、23、24、25、26を通して接続される第1配線層の信号配線15a1、15b1、15c1と、第2配線層の信号配線15a2、15b2、15c2で構成されている。
【0039】
即ち、第1論理素子11の出力端子31にビアカット21を通して接続された第2配線層の信号配線15a2がビアカット22を通して第1配線層の信号配線15a1と接続され、信号配線15a1は第3論理素子13の入力端子32に接続されている。
【0040】
第3論理素子13の出力端子33に接続された第1配線層の信号配線15b1がビアカット23を通して第2配線層の信号配線15b2と接続され、信号配線15b2はビアカット24を通して第4論理素子14の入力端子34に接続されている。
【0041】
第4論理素子14の出力端子35に接続された第1配線層の信号配線15c1がビアカット25を通して第2配線層の信号配線15c2と接続され、信号配線15c2はビアカット26を通して第2論理素子12の入力端子19に接続されている。
【0042】
このレイアウトに対して、タイミング解析をおこないセル遅延と配線遅延を求める。
【0043】
セル遅延は、第1論理素子11のセル遅延が、例えば2ns、第3論理素子13のセル遅延が、例えば2ns、および第4論理素子14のセル遅延が、例えば1nsの場合、各セル遅延の和の5nsである。
【0044】
配線遅延は、信号配線15a、15b、15cの全体の付加容量が、例えば10pF、同じく信号配線の全体の抵抗が10Ω、ビアカット21、22、23、24、25、26の抵抗が1つ当たり4Ωでビアの全体の抵抗が24Ωからなる分布定数回路として計算され、例えば7nsとなる。
【0045】
これより、信号が入力端子17から次の入力端子19に伝播するまでの信号伝播遅延時間は両者の和の12nsとなる。
【0046】
このため、クロック信号周期が、例えば10nsの場合、信号伝播遅延時間はクロック信号周期より大きくなり、セットアップエラーが生じる。
【0047】
従って、セットアップエラーを解消するためには、図1に示したフローチャートに従ってビアカット数を増加させ、例えば配線遅延を5ns以下にするために配線の抵抗とビアの抵抗の和が18Ω以下になるまで3個のビアカットを所定の箇所に追加して配置すればよい。
【0048】
図4はこの3個のビアカットを所定の箇所に追加したレイアウト図で、図4(a)は論理素子の配置および配線経路を示す図、図4(b)は図4(a)のB−B線に沿って切断し、展開して矢印方向に眺めた断面図である。
【0049】
図4に示すように、例えば、第1配線層15a1と第2配線層15a2を接続するビアカット22にビアカット51を追加して並置し、第1配線層15b1と第2配線層15b2を接続するビアカット23にビアカット52を追加して並置し、第1配線層15c1と第2配線層15c2を接続するビアカット25にビアカット53を追加して並置し、それぞれダブルカットビアとしている。
【0050】
以上説明したように、第1の実施の形態による信号配線の接続方法によれば、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、タイミング解析をおこない、セットアップエラーを生じる信号配線の所定のビアに必要十分な数のビアカットを配置しているので、論理素子間の複雑なタイミング制御に十分な信号伝播遅延時間が得られる。従って、タイミング制御精度が向上し、半導体集積回路装置の設計が容易になる。
【0051】
上述したタイミング解析は、フロアプランにより第1乃至第4論理素子の配置が決定し、配線長を見積もるための概略配線に対しておこなうことができる。また、概略配線から実際の配線長が決定された実配線に対しておこなうことができる。更に、両方に対しておこなうこともできる。
【0052】
上述した実施の形態においては、信号配線として配線経路の途中に第3論理素子13および第4論理素子14を有し、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続した信号配線について説明したが、配線経路の途中に他の論理素子を介しない信号配線でも構わない。
【0053】
また、上記第1論理素子11の入力端子17と第2論理素子12の入力端子19間の信号伝播遅延時間を求める場合について説明したが、第1論理素子11の出力端子31と第2論理素子12の出力端子36間の信号伝播遅延時間を求めても構わない。
【0054】
次に、これらの変形例について説明する。
【0055】
(第1の実施の形態の変形例1)
図5は本発明の第1の実施の形態の変形例1を示すフローチャートである。本変形例が第1の実施の形態と異なる点は、概略配線および実配線に対して、それぞれタイミング解析をおこなうことにある。
【0056】
即ち、図5に示すように、まず、図1と同様にレイアウトデータを読み込んで、タイミング解析をおこない、ホールドエラーの有無をチェックする(ステップS21からステップS23)。
【0057】
ホールドエラーがない場合は、セットアップエラーの有無をチェックし(ステップS24)、セットアップエラーがある場合は、セットアップエラーが生じた信号配線のネットで使用されている全てのビアにダブルカットビアを配置して実配線をおこなう(ステップS26)。
【0058】
一方、ホールドエラーがある場合、あるいはセットアップエラーがない場合には、セットアップエラーがなかった信号配線のネットで使用されている全てのビアにシングルカットビアを配置して実配線をおこなう(ステップS25)。
【0059】
次に、ステップS25またはステップS26で得られた実配線に対して、再びタイミング解析をおこない、ホールドエラーの有無をチェックする(ステップS27からステップS28)。
【0060】
ホールドエラーがない場合は、セットアップエラーの有無をチェックし(ステップS29)、セットアップエラーがある場合は、セットアップエラーが生じた信号配線のネットで使用されている所定のビアのビアカット数を1増加させて配置し(ステップS30)、セットアップエラーが解消されるまでステップS27からステップS30を繰り返している。
【0061】
一方、ホールドエラーがある場合、あるいはセットアップエラーがない場合には、ビア接続配線パターンデータを作成して終了する(ステップS31)。
【0062】
概略配線に対するタイミング解析では、信号配線の配線長に依存する付加容量および配線抵抗の概算値を用いて、迅速に信号伝播遅延時間を見積もることができる。
【0063】
実配線に対するタイミング解析では、信号配線の配線長に依存する付加容量、配線抵抗、およびビア抵抗の妥当値を用いて、精度よく信号伝播遅延時間を見積もることができる。
【0064】
これにより、概略配線時にセットアップエラーが見込まれるビアにダブルカットビアを配置することができるので、実配線後の配線経路が概略配線時の配線経路と大きく異なる場合、混雑度によっては実配線後にシングルカットビアをダブルカットビアに変更できないビアが生じる恐れがない。
【0065】
以上説明したように、上述の変形例1では、概略配線と実配線の両方でタイミング解析をおこなうことにより、必要十分なビアカット数を迅速に精度よく定めることが可能である。従って、タイミング制御精度が向上し、半導体集積回路装置の製造が容易になる。
【0066】
(第1の実施の形態の変形例2)
図6は本発明の第1の実施の形態の変形例2を示すフローチャートである。本変形例が第1の実施の形態と異なる点は、概略配線に対するタイミング解析結果に基づいて必要なビアホールの個数を予測するようにしたことにある。
【0067】
即ち、図6に示すように、まず、図1と同様にレイアウトデータを読み込んで、タイミング解析をおこない、ホールドエラーの有無をチェックする(ステップS41からステップS43)。
【0068】
ホールドエラーがない場合は、セットアップエラーの有無をチェックし(ステップS44)、セットアップエラーがある場合は、セットアップエラーを解消するのに必要なビアカット数を算出し、セットアップエラーが生じた信号配線のネットで使用されている全てのビアにシングルカットビアを配置するものと、ダブルカットビアを配置するものとに分配して実配線をおこなう(ステップS46)。
【0069】
一方、ホールドエラーがある場合、あるいはセットアップエラーがない場合には、セットアップエラーがなかった信号配線のネットで使用されている全てのビアにシングルカットビアを配置して実配線をおこなう(ステップS45)。
【0070】
次に、ステップS45またはステップS46で得られた実配線に対して、再びタイミング解析をおこない、ホールドエラーの有無をチェックする(ステップS47からステップS48)。
【0071】
ホールドエラーがない場合は、セットアップエラーの有無をチェックし(ステップS49)、セットアップエラーがある場合は、セットアップエラーが生じた信号配線のネットで使用されている所定のビアのビアカット数を1増加させて配置し(ステップS50)、セットアップエラーが解消されるまでステップS47からステップS50を繰り返している。
【0072】
一方、ホールドエラーがある場合、あるいはセットアップエラーがない場合には、ビア接続配線パターンデータを作成して終了する(ステップS51)。
【0073】
このように、信号配線のネット上のビアにダブルカットビアをいくつ配置する必要があるかを予測し、必要最小限のダブルカットビアの使用に留めることにより信号配線の混雑度の低減を図ることが可能である。
【0074】
以上説明したように、上述の変形例2では、概略配線に対するタイミング解析結果に基づいて予め必要なビアホールの個数を予測するようにしたので、必要十分なビアカット数をより迅速に精度よく定めることが可能である。従って、タイミング制御精度が向上し、半導体集積回路装置の製造が容易になる。
【0075】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態に係わる信号配線の接続システムについて、図7を用いて説明する。本実施の形態の信号配線の接続システムは、第1の実施の形態で示した信号配線の接続方法を実現するためのものである。図7は本実施の形態の信号配線の接続システムを示すブロック図である。
【0076】
図に示すように、本実施の形態の信号配線の接続システム61は、半導体装置の論理設計データを格納した論理設計データ記憶部62と、信号配線のタイミングを解析して新しいビア接続配線パターンを作成するプログラムなどを格納したプログラム格納部63と、論理素子の配置および配線経路情報を格納する配置配線情報記憶部64と、信号配線の信号伝播遅延時間に関するタイミング解析情報を格納するタイミング情報記憶部65と、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に関するビア情報を格納するビア情報記憶部66と、一連の信号配線の接続処理を実行するための手段を備えた処理制御部67と、入出力制御部68を介して処理結果を出力する出力装置69と、処理制御部67への指示等を入力する入力装置70とで構成されている。
【0077】
論理設計データ記憶部62、プログラム格納部63、配置配線情報記憶部64、タイミング情報記憶部65およびビア情報記憶部66は、一部はコンピュータ内部の主記憶装置で構成しても良いし、このコンピュータに接続された半導体メモリー、磁気ディスク、磁気テープ、光ディスクなどの記憶装置で構成しても構わない。
【0078】
また、処理制御部67は、コンピュータシステムの中央演算処理装置の一部を構成しており、集中処理方式または分散処理方式のコンピュータシステムで実行される。
【0079】
この処理制御部67は、信号配線を論理設計データ記憶部62から読み込んで、第1および第2の論理素子を異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線を抽出する信号配線抽出部71と、第1および第2の論理素子間の信号伝播遅延時間を求めるタイミング解析部72と、信号伝播遅延時間が所定の基準値を満たすか否かを判定するタイミング判定部73と、基準値を満たさないと判定された信号配線のビアのビアカット数を増加させて配置するビア変更部74と、ビア変更による配線パターンデータを作成する信号配線部75から構成されている。
【0080】
これらの信号配線抽出部71、タイミング解析部72、タイミング判定部73、ビア変更部74、信号配線部75は、ソフトウェアとしてプログラム格納部63に予め格納されており、その手順に従ってコンピュータシステムの中央演算処理装置にて実行されるが、専用のハードウェーアで実行されるものでも構わない。
【0081】
以上説明したように、第2の実施の形態の信号配線の接続システムによれば、信号配線のタイミング解析をおこない、所定の基準値を満たさない信号配線のビアの変更をおこなうことにより、論理素子間のタイミング制御に十分な信号伝達遅延時間を有するビアを通して接続された信号配線が得られる。
【0082】
(第3の実施の形態)
次に、本発明の第3の実施の形態に係わる半導体集積回路装置の製造方法について、図8を用いて説明する。本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法は、第2の実施の形態で示した信号配線の接続システムを用いて、半導体集積回路装置を製造する場合の例である。図8は、本発明の半導体集積回路装置の製造方法を示すフローチャートである。
【0083】
まず、製造する半導体集積回路装置の機能設計、論理設計により論理素子の配置情報、配線経路情報、タイミング制約情報からなるレイアウトデータが作成される(ステップS61)。
【0084】
即ち、製造する半導体集積回路装置に必要な機能を明確にし、その機能を生み出すためのロジック・メモリ、入出力インターフェイスなどの各部の機能と互いのつながりを設計する機能設計がおこなわれる。
【0085】
次に、各部の機能および相互関係から具体的な電子回路を設計する論理設計がおこなわれる。
【0086】
そして、論理素子を半導体チップ上のどこに配置するかを示す論理素子配置情報、この論理素子がチップ上のどの領域を通って接続されるかを示す配線経路情報、および論理素子間の同期を取るためのタイミング制約情報からなるレイアウトデータが作成され、論理設計データとして保存される。
【0087】
次に、この半導体集積回路装置のレイアウトデータが読み込こまれ、半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線が抽出される(ステップS62)。
【0088】
次に、第1論理素子と第2論理素子間の信号伝播遅延時間を求めてタイミング解析をおこなう(ステップS63)。
【0089】
次に、この信号伝播遅延時間が所定の基準値、例えばセットアップエラーか否かを判定し(ステップS64)、基準を満たさない場合は、ビアカット数を増加してビアを配置する(ステップS65)。
【0090】
次に、論理設計データの全ての信号配線をチェックしたかを判定し(ステップS66)、全ての信号配線がチェックされるまでステップS62からステップS65を繰り返す。全ての信号配線のチェックが完了すると、ビア接続配線パターンデータを作成する(ステップS67)。
【0091】
次に、ビア接続配線パターンを露光マスク上に形成するための露光マスク描画データが作成され、これに基づいて露光マスクが製作される(ステップS68)。
【0092】
次に、半導体基板に対して絶縁膜、半導体膜、金属膜などの成膜工程、上述した露光マスクを用いたリソグラフィー工程、エッチング工程、イオン注入工程などを繰り返す一連のウェーハ製造工程(前工程)により、半導体ウェーハ上に半導体装置が一括して形成される。そして、ダイシング工程、ボンディング工程、検査工程(後工程)を経て、半導体装置が製造される(ステップS69)。
【0093】
以上説明したように、第3の実施の形態による半導体集積回路装置の製造方法によれば、論理素子間のタイミング制御に十分な伝播遅延時間が得られるので、高い歩留まりで半導体集積回路装置を製造することができる。
【0094】
(第4の実施の形態)
図9は、本発明の第4の実施の形態に係わる信号配線の接続方法で、半導体集積回路装置のレイアウトデータから論理素子を異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線、例えば特に信号周波数の高いクロック信号配線に対してエレクトロマイグレーション解析をおこない、最終のビア接続配線パターンデータが完成するまでの工程を示すフローチャートである。
【0095】
このレイアウトデータは半導体集積回路装置の論理素子を半導体チップ上のどこに配置するかを示す論理素子の配置情報と、この論理素子がチップ上のどの領域を通って接続されるかを示す配線経路情報と、電流密度と動作温度、動作保証年数などに関するエレクトロマイグレーション制約情報で構成されている。
【0096】
図9に示すように、まず、この半導体集積回路装置のレイアウトデータが読み込まれる(ステップS81)。
【0097】
次に、読み込まれた半導体集積回路に配置される第1論理素子の出力端子と第2論理素子の入力端子を異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線の最も抵抗の高い部分、例えばビアに対して、配線材料、配線寸法、動作電圧、信号周波数、配線容量などから信号配線に流れ電流を算出し、電流密度と動作温度から信頼性期間を求めるエレクトロマイグレーション解析をおこなう(ステップS82)。
【0098】
次に、この信頼性期間が所定の基準値、例えば動作保証年数を満たすか否か(以下エレクトロマイグレーションエラーという)を判定する(ステップS83)。
【0099】
次に、エレクトロマイグレーションエラーがある場合に、所定の基準値を満たすように最も抵抗の高いビアのビアカット数を増やして配置し(ステップS84)、ビア接続配線パターンデータを作成(ステップS85)して終了する。
【0100】
以上説明したように、第4の実施の形態による信号配線の接続方法によれは、ビアに対してエレクトロマイグレーション解析をおこない、エレクトロマイグレーションエラーを生じるビアに必要十分な数のビアカットを配置している。
【0101】
従って、動作保証年数を満たすのに十分な信頼性期間が得られ、半導体集積回路装置の製造が容易になる。
【0102】
(第4の実施の形態の変形例)
図10は本発明の第の実施の形態の変形例を示すフローチャートである。本変形例が第4の実施の形態と異なる点は、概略配線および実配線に対して、それぞれエレクトロマイグレーション解析をおこなうことにある。
【0103】
即ち、図10に示すように、まず、図9と同様にレイアウトデータを読み込んで、エレクトロマイグレーション解析をおこない、エレクトロマイグレーションエラーの有無をチェックする(ステップS91からステップS93)。
【0104】
エレクトロマイグレーションエラーがない場合は、信号配線のネット上のビアにシングルカットビアを配置して実配線をおこない(ステップS94)、エレクトロマイグレーションエラーがある場合は、エレクトロマイグレーションエラーが生じた信号配線のネット上のビアにダブルカットビアを配置して実配線をおこなう(ステップS95)。
【0105】
次に、ステップS94またはステップS95で得られた実配線に対して、再びエレクトロマイグレーション解析をおこない、エレクトロマイグレーションエラーの有無をチェックする(ステップS96からステップS97)。
【0106】
エレクトロマイグレーションエラーがある場合は、信号配線のネット上の所定のビアのビアカット数を1増加させて配置し(ステップS98)、エレクトロマイグレーションエラーが解消されるまでステップS96からステップS98を繰り返している。
【0107】
一方、エレクトロマイグレーションがない場合には、ビア接続配線パターンデータを作成して(ステップS99)終了する。
【0108】
これにより、概略配線時にエレクトロマイグレーションエラーが見込まれるビアに予めダブルカットビアを配置しておくことができるので、実配線後の配線経路が概略配線時の配線経路と大きく異なった場合、混雑度によっては実配線後にシングルカットビアをダブルカットビアに変更できないビアが生じる恐れがない。
【0109】
以上説明したように、上述の変形例では、概略配線と実配線の両方でエレクトロマイグレーション解析をおこなうことにより、必要十分なビアカット数を迅速に精度よく定めている。従って、動作保証年数を満たすのに十分な信頼性期間が得られ、半導体装置の製造が容易になる。
【0110】
次に、本発明の第4の実施の形態で示した信号配線の接続方法を実現するための信号配線の接続システムは、第2の実施の形態で示した図7の信号配線の接続システムに、エレクトロマイグレーション解析をおこなうエレクトロマイグレーション解析部、エレクトロマイグレーション判定部を付加することにより同様に実施することができるので、その説明は省略する。
【0111】
また、上述の信号配線の接続システムを用いた半導体装置の製造方法は、第3の実施の形態で示した図8のフローチャートに、エレクトロマイグレーション解析をおこなう工程および所定の基準値を満たすか判定する工程を付加することにより同様に実施することができるので、その説明は省略する。
【0112】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、論理素子間のタイミング制御に十分な信号伝播遅延時間が得られる信号配線の接続方法、該信号配線の接続システムを提供することができる。
【0113】
また、該信号配線を用いた半導体集積回路装置の製造方法によれば、高い信頼性を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係わる信号配線の接続方法を示すフローチャート。
【図2】本発明の第1の実施形態に係わる論理設計の要部を示す図。
【図3】本発明の第1の実施形態に係わるレイアウト図で、図3(a)は論理素子の配置、配線経路を示す図、図3(b)は図3(a)のA−A線に沿って切断し、展開して矢印方向に眺めた断面図。
【図4】本発明の第1の実施形態に係わるレイアウト図で、図4(a)は論理素子の配置、配線経路を示す図、図4(b)は図4(a)のB−B線に沿って切断し、展開して矢印方向に眺めた断面図。
【図5】本発明の第1の実施形態の変形例1を示すフローチャート。
【図6】本発明の第1の実施形態の変形例2を示すフローチャート。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係わる信号配線の接続システムを示すブロック図。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係わる半導体集積回路装置の製造方法を示すフローチャート。
【図9】本発明の第4の実施の形態に係わる信号配線の接続方法を示すフローチャート。
【図10】本発明の第4の実施の形態の変形例を示すフローチャート。
【図11】従来の信号配線の接続を示す図。
【符号の説明】
11 第1論理素子
12 第2論理素子
13 第3論理素子
14 第4論理素子
15a、15b、15c 信号配線
15a1、15b1、15c1 第1配線層の信号配線
15a2、15b2、15c2 第2配線層の信号配線
16 クロック信号配線
17、19、32、34 入力端子
18、20 クロック信号入力端子
21、22、23、24、25、26、51、52、53 ビアカット
31、33、35、36 出力端子
61 信号配線の接続システム
62 論理設計データ記憶部
63 プログラム格納部
64 配置配線情報記憶部
65 タイミング情報記憶部
66 ビア情報データ記憶部
67 処理制御部
68 入出力制御部
69 出力装置
70 入力装置
71 信号配線抽出部
72 タイミング解析部
73 タイミング判定部
74 ビア変更部
75 信号配線部
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to signal wiring of a semiconductor integrated circuit, and in particular, in order to connect logic elements to each other, necessary and sufficient via cutting is performed on signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through vias. The present invention relates to a signal wiring connection method suitable for placement, a signal wiring connection system, and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, along with the higher integration and higher performance of semiconductor integrated circuit devices, pattern miniaturization and multi-layered signal wiring are rapidly progressing, and the signal propagation delay time between logic elements is controlled to the optimum timing. In addition, there is a demand for a signal wiring connection method that can suppress electromigration.
[0003]
In the conventional semiconductor integrated circuit device, the signal wirings respectively formed in the first wiring layer and the second wiring layer are connected to each other through one via cut.
[0004]
However, since the contact area between the signal wiring of the first layer and the signal wiring of the second layer is small, the electrical resistance at the via connection portion is large, and there is a problem that the signal propagation delay time becomes large in the signal wiring passing through many vias. It was.
[0005]
On the other hand, a method of connecting the first-layer signal wiring and the second-layer signal wiring through a plurality of vias is known (for example, see Patent Document 1).
[0006]
The signal wiring connection method disclosed in Patent Document 1 will be described with reference to the drawings. 11A is a plan view showing the main part of the via, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 11A and viewed in the direction of the arrow.
[0007]
As shown in FIG. 11, the first-layer signal wiring 113 and the second-layer signal wiring 114 are electrically connected to each other by two via cuts 115 and 116 via an interlayer insulating film 112 on a semiconductor substrate 111. . Due to the two via cuts 115 and 116, the contact area between the first layer signal wiring 113 and the second layer signal wiring 114 is doubled as compared to one via cut. Thereby, the electric resistance of the signal wiring is reduced, and the signal propagation delay time is improved.
[0008]
However, although Patent Document 1 discloses that increasing the number of via cuts reduces the electrical resistance of the connection portion, there is no connection method for signal wiring between logic elements that require complicated timing control. Not disclosed.
[0009]
For example, the signal propagation delay time between logic elements includes a setup time that requires a signal to propagate within a predetermined time and a hold time during which a signal must not propagate within a predetermined time. Both of these must be met.
[0010]
That is, if a via cut that is more than necessary is used, a hold error may occur where the timing of the signal propagation delay time is too early, resulting in a defect.
[0011]
As a result, there is a problem that the number of repetitions in the layout increases in order to correct the signal wiring in which the defect has occurred. There is also a problem of increasing the congestion degree of the wiring.
[0012]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 4-118968 (page 2, FIG. 3)
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
With the above-described wiring connection method using only a plurality of via cuts disclosed in Patent Document 1, it is difficult to obtain a signal propagation delay time sufficient for timing control between logic elements.
[0014]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and by arranging a necessary and sufficient number of via cuts in a predetermined via, a signal that can provide a signal propagation delay time sufficient for timing control between logic elements. An object is to provide a wiring connection method, a signal wiring connection system, and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device.
[0015]
Another object of the present invention is to provide a signal wiring connection method, a signal wiring connection system, and a semiconductor integrated circuit that suppress electromigration in a via by arranging a necessary and sufficient number of via cuts in a predetermined via. An object is to provide a method for manufacturing a device.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the signal wiring connection method of one embodiment of the present invention, when the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit device are connected to each other, different wiring layers are respectively provided. A first step of obtaining a signal propagation delay time between the first logic element and the second logic element for the signal wirings formed and connected to each other through the via connection portion; and the obtained signal propagation delay time. A second step of determining whether or not the set time is within the set time, and the via connection section so that the set time is within the set time when the obtained signal propagation delay time is not within the set time And a third step of connecting the first logic element and the second logic element by increasing the number of via cuts.
[0017]
In order to achieve the above object, according to another aspect of the signal wiring connection method of the present invention, different wiring layers are used to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit. And a second step for determining whether or not the electromigration satisfies a predetermined reference value. And a third step of increasing the number of via cuts of the vias so as to satisfy the reference value when the reference value is not satisfied.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0019]
(First embodiment)
FIG. 1 shows a signal wiring connection method according to a first embodiment of the present invention. A signal wiring is connected to a logic element from layout data of a semiconductor integrated circuit device, and signal wirings of different wiring layers are connected to vias (also referred to as via connection parts). It is a flowchart which shows the process until the wiring pattern connected through is created.
[0020]
The layout data includes logic element arrangement information, wiring path information, and timing constraint information of the semiconductor integrated circuit device.
[0021]
In other words, functions required for a semiconductor integrated circuit device to be manufactured are clarified, and a function design is performed in which the functions of each part such as a logic memory and an input / output interface for generating the functions are designed and connected to each other.
[0022]
Next, logic design is performed to design a specific electronic circuit from the functions and mutual relationships of the respective units.
[0023]
Then, logic element arrangement information indicating where to place the logic element on the semiconductor chip, wiring path information indicating through which area on the chip the logic element is connected, and synchronization between the logic elements are synchronized. Layout data composed of timing constraint information to be taken is created.
[0024]
As shown in FIG. 1, first, layout data of this semiconductor integrated circuit device is read (step S01).
[0025]
Next, timing is applied to signal wirings in which the output terminals of the first logic elements and the input terminals of the second logic elements arranged in the read semiconductor integrated circuit are formed in different wiring layers and connected to each other through vias. Analysis is performed (also referred to as obtaining a signal propagation delay time) (step S02).
[0026]
This timing analysis is to calculate the cell delay specific to each logic element, the wiring delay of the distributed constant circuit composed of the resistance and additional capacitance of the wiring connecting each logic element, and the signal propagation delay time is This is represented by the sum of the cell delay and the wiring delay.
[0027]
Next, it is determined whether or not the signal propagation delay time satisfies a hold time during which a signal should not propagate from the first logic element to the second logic element within a predetermined time (hereinafter referred to as a hold error). (Step S03).
[0028]
If there is a hold error, there is no need to increase the number of via cuts further, and the process jumps to step S06. In order to eliminate this hold error, a method of delaying the signal propagation time by adding a delay element to the signal wiring to increase the cell delay (not shown) is used.
[0029]
On the other hand, if there is no hold error, whether or not the signal propagation delay time satisfies a setup time in which a signal needs to propagate from the first logic element to the second logic element within a predetermined time (hereinafter referred to as setup). Error)) (step S04).
[0030]
If there is a setup error, the number of via cuts is increased in order to shorten the signal propagation time (step S05), and steps S02 to S05 are repeated until a predetermined reference value is satisfied.
[0031]
On the other hand, if there is no setup error, the process jumps to step S06, and the via connection wiring is connected to the signal wiring in which the first logic element and the second logic element are formed in different wiring layers and connected to each other through the via. Pattern data is created (step S06) and the process ends.
[0032]
2 and 3 specifically show these methods, FIG. 2 is a diagram showing the main part of the logic design, FIG. 3 is a layout diagram of FIG. 2, and FIG. 3 (a) is an arrangement of logic elements. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3A, developed, and viewed in the direction of the arrow.
[0033]
As shown in FIG. 2, in this logic design, the first logic element and the second logic element are connected to each other through signal lines formed in different wiring layers via other logic elements in the middle of the wiring path. This is an example.
[0034]
That is, the first logic element 11, for example, the flip-flop and the second logic element 12, for example, the flip-flop, has three signals via the third logic element 13, for example, an AND gate, and the fourth logic element 14, for example, a buffer. The wirings 15a, 15b and 15c are connected.
[0035]
The input signal input to the input terminal 17 of the first logic element 11 is latched by the first logic element 11 in synchronization with the clock signal supplied to the clock signal input terminal 18 through the clock signal wiring 16. 11 is input to the input terminal 19 of the second logic element 12 via the signal wiring 15a, the third logic element 13, the signal wiring 15b, the fourth logic element 14, and the signal wiring 15c.
[0036]
The input signal input to the input terminal 19 of the second logic element 12 is latched by the second logic element 12 in synchronization with the clock signal supplied to the clock signal input terminal 20 through the clock signal wiring 16.
[0037]
When this input signal has a signal propagation delay time from when the clock signal is input to the clock signal input terminal 18 to when it is latched at the next input terminal 19, the normal logic operation is guaranteed. Disappears and a setup error occurs.
[0038]
As shown in FIG. 3, the signal wiring connecting the first logic element 11 and the second logic element 12 has six via cuts 21, 22, 23, 24, via the third logic element 13 and the fourth logic element 14. The signal wirings 15a1, 15b1, and 15c1 of the first wiring layer and the signal wirings 15a2, 15b2, and 15c2 of the second wiring layer that are connected through 25 and 26 are configured.
[0039]
That is, the signal wiring 15a2 of the second wiring layer connected to the output terminal 31 of the first logic element 11 through the via cut 21 is connected to the signal wiring 15a1 of the first wiring layer through the via cut 22, and the signal wiring 15a1 is connected to the third logic element. 13 input terminals 32.
[0040]
The signal wiring 15b1 of the first wiring layer connected to the output terminal 33 of the third logic element 13 is connected to the signal wiring 15b2 of the second wiring layer through the via cut 23, and the signal wiring 15b2 is connected to the signal wiring 15b2 of the fourth logic element 14 through the via cut 24. It is connected to the input terminal 34.
[0041]
The signal wiring 15c1 of the first wiring layer connected to the output terminal 35 of the fourth logic element 14 is connected to the signal wiring 15c2 of the second wiring layer through the via cut 25, and the signal wiring 15c2 is connected to the signal wiring 15c2 of the second logic element 12 through the via cut 26. It is connected to the input terminal 19.
[0042]
Timing analysis is performed on this layout to determine cell delay and wiring delay.
[0043]
When the cell delay of the first logic element 11 is, for example, 2 ns, the cell delay of the third logic element 13 is, for example, 2 ns, and the cell delay of the fourth logic element 14 is, for example, 1 ns, the cell delay is The sum is 5 ns.
[0044]
For the wiring delay, the total additional capacitance of the signal wirings 15a, 15b, and 15c is 10 pF, for example, the total resistance of the signal wiring is 10Ω, and the resistance of the via cuts 21, 22, 23, 24, 25, and 26 is 4Ω per one. Thus, the total resistance of the via is calculated as a distributed constant circuit consisting of 24Ω, for example, 7 ns.
[0045]
Thus, the signal propagation delay time until the signal propagates from the input terminal 17 to the next input terminal 19 is 12 ns, which is the sum of both.
[0046]
For this reason, when the clock signal period is, for example, 10 ns, the signal propagation delay time becomes longer than the clock signal period, and a setup error occurs.
[0047]
Accordingly, in order to eliminate the setup error, the number of via cuts is increased in accordance with the flowchart shown in FIG. 1, for example, until the sum of the wiring resistance and the via resistance becomes 18Ω or less in order to reduce the wiring delay to 5 ns or less. What is necessary is just to add and arrange a via cut in a predetermined location.
[0048]
FIG. 4 is a layout diagram in which these three via cuts are added to predetermined locations. FIG. 4A is a diagram showing the arrangement and wiring paths of logic elements, and FIG. 4B is a cross-sectional view of FIG. It is sectional drawing cut | disconnected along the B line, expand | deployed and looked at the arrow direction.
[0049]
As shown in FIG. 4, for example, a via cut 51 is added to the via cut 22 that connects the first wiring layer 15a1 and the second wiring layer 15a2, and the via cut 51 connects the first wiring layer 15b1 and the second wiring layer 15b2. 23, via cuts 52 are added and juxtaposed, and via cuts 53 are added and juxtaposed to via cuts 25 connecting the first wiring layer 15c1 and the second wiring layer 15c2, thereby forming double cut vias.
[0050]
As described above, according to the signal wiring connection method according to the first embodiment, the timing analysis is performed on the signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through vias, and a setup error is generated. Since a necessary and sufficient number of via cuts are arranged in predetermined vias of the generated signal wiring, a signal propagation delay time sufficient for complex timing control between logic elements can be obtained. Therefore, the timing control accuracy is improved and the design of the semiconductor integrated circuit device is facilitated.
[0051]
The timing analysis described above can be performed on the schematic wiring for estimating the wiring length after the arrangement of the first to fourth logic elements is determined by the floor plan. Moreover, it can carry out with respect to the actual wiring in which the actual wiring length was determined from the schematic wiring. It can also be done for both.
[0052]
In the above-described embodiment, the signal wiring having the third logic element 13 and the fourth logic element 14 in the middle of the wiring path as the signal wiring, formed in different wiring layers, and connected to each other through vias has been described. However, signal wiring that does not pass other logic elements in the middle of the wiring path may be used.
[0053]
Further, the case where the signal propagation delay time between the input terminal 17 of the first logic element 11 and the input terminal 19 of the second logic element 12 is obtained has been described. However, the output terminal 31 and the second logic element of the first logic element 11 are described. The signal propagation delay time between the twelve output terminals 36 may be obtained.
[0054]
Next, these modifications will be described.
[0055]
(Modification 1 of the first embodiment)
FIG. 5 is a flowchart showing a first modification of the first embodiment of the present invention. This modification is different from the first embodiment in that timing analysis is performed for each of the schematic wiring and the actual wiring.
[0056]
That is, as shown in FIG. 5, first, layout data is read as in FIG. 1, timing analysis is performed, and the presence or absence of a hold error is checked (steps S21 to S23).
[0057]
If there is no hold error, check if there is a setup error (step S24). If there is a setup error, place double cut vias in all vias used in the signal wiring net where the setup error occurred. The actual wiring is performed (step S26).
[0058]
On the other hand, if there is a hold error or no setup error, actual wiring is performed by placing single-cut vias in all the vias used in the signal wiring net where there was no setup error (step S25). .
[0059]
Next, the timing analysis is performed again on the actual wiring obtained in step S25 or step S26, and the presence or absence of a hold error is checked (step S27 to step S28).
[0060]
If there is no hold error, the presence or absence of a setup error is checked (step S29). If there is a setup error, the number of via cuts of a predetermined via used in the signal wiring net in which the setup error has occurred is increased by one. (Step S30), and steps S27 to S30 are repeated until the setup error is resolved.
[0061]
On the other hand, if there is a hold error or if there is no setup error, the via connection wiring pattern data is created and the process ends (step S31).
[0062]
In the timing analysis for the schematic wiring, it is possible to quickly estimate the signal propagation delay time using the approximate value of the additional capacitance and the wiring resistance depending on the wiring length of the signal wiring.
[0063]
In the timing analysis for the actual wiring, the signal propagation delay time can be accurately estimated using appropriate values of the additional capacitance, the wiring resistance, and the via resistance depending on the wiring length of the signal wiring.
[0064]
As a result, double cut vias can be placed in vias where setup errors are expected during rough wiring. Therefore, if the wiring path after actual wiring is significantly different from the wiring path during rough wiring, depending on the degree of congestion, the single There is no fear that a via that cannot be changed from a cut via to a double cut via.
[0065]
As described above, in the first modification described above, it is possible to quickly and accurately determine the necessary and sufficient number of via cuts by performing timing analysis on both the schematic wiring and the actual wiring. Therefore, the timing control accuracy is improved and the manufacture of the semiconductor integrated circuit device is facilitated.
[0066]
(Modification 2 of the first embodiment)
FIG. 6 is a flowchart showing a second modification of the first embodiment of the present invention. This modification is different from the first embodiment in that the number of necessary via holes is predicted based on the timing analysis result for the schematic wiring.
[0067]
That is, as shown in FIG. 6, first, layout data is read in the same manner as in FIG. 1, timing analysis is performed, and the presence or absence of a hold error is checked (step S41 to step S43).
[0068]
If there is no hold error, the presence or absence of a setup error is checked (step S44). If there is a setup error, the number of via cuts required to eliminate the setup error is calculated, and the signal wiring network where the setup error has occurred is calculated. The actual wiring is performed by distributing the single cut via to all the vias used in 1 and the double cut via (step S46).
[0069]
On the other hand, if there is a hold error or if there is no setup error, a single cut via is placed on all vias used in the signal wiring net where there was no setup error and actual wiring is performed (step S45). .
[0070]
Next, the timing analysis is performed again on the actual wiring obtained in step S45 or step S46 to check for a hold error (from step S47 to step S48).
[0071]
If there is no hold error, the presence of a setup error is checked (step S49). If there is a setup error, the number of via cuts of a predetermined via used in the signal wiring net in which the setup error has occurred is increased by one. (Step S50), and step S47 to step S50 are repeated until the setup error is resolved.
[0072]
On the other hand, if there is a hold error or if there is no setup error, the via connection wiring pattern data is created and the process ends (step S51).
[0073]
In this way, predict how many double cut vias should be placed in the vias on the signal wiring net, and reduce the congestion of the signal wiring by limiting the use of the minimum required double cut vias. Is possible.
[0074]
As described above, in Modification 2 described above, since the number of necessary via holes is predicted in advance based on the timing analysis result for the schematic wiring, the necessary and sufficient number of via cuts can be determined more quickly and accurately. Is possible. Therefore, the timing control accuracy is improved and the manufacture of the semiconductor integrated circuit device is facilitated.
[0075]
(Second Embodiment)
Next, a signal wiring connection system according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The signal wiring connection system of the present embodiment is for realizing the signal wiring connection method described in the first embodiment. FIG. 7 is a block diagram showing a signal wiring connection system according to the present embodiment.
[0076]
As shown in the figure, the signal wiring connection system 61 of this embodiment includes a logic design data storage unit 62 that stores logic design data of a semiconductor device, and a new via connection wiring pattern by analyzing the timing of signal wiring. A program storage unit 63 that stores a program to be created, a placement and wiring information storage unit 64 that stores logic element placement and wiring path information, and a timing information storage unit that stores timing analysis information related to signal propagation delay time of signal wiring 65, a via information storage unit 66 for storing via information relating to signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through vias, and processing control provided with means for executing a series of signal wiring connection processing Unit 67, output device 69 that outputs the processing result via input / output control unit 68, instructions to processing control unit 67, etc. It is composed of an input device 70 for inputting.
[0077]
The logic design data storage unit 62, the program storage unit 63, the placement and routing information storage unit 64, the timing information storage unit 65, and the via information storage unit 66 may be partially configured by a main storage device inside the computer. You may comprise with memory | storage devices, such as a semiconductor memory connected to a computer, a magnetic disk, a magnetic tape, and an optical disk.
[0078]
The processing control unit 67 constitutes a part of a central processing unit of a computer system, and is executed by a centralized processing system or a distributed processing system computer system.
[0079]
The processing control unit 67 reads the signal wiring from the logic design data storage unit 62 and extracts the signal wiring in which the first and second logic elements are formed in different wiring layers and connected to each other through the via. An extraction unit 71, a timing analysis unit 72 for determining a signal propagation delay time between the first and second logic elements, a timing determination unit 73 for determining whether the signal propagation delay time satisfies a predetermined reference value, A via changing unit 74 is arranged to increase the number of via cuts of vias of signal wirings that are determined not to satisfy the reference value, and a signal wiring unit 75 generates wiring pattern data by changing vias.
[0080]
The signal wiring extraction unit 71, timing analysis unit 72, timing determination unit 73, via change unit 74, and signal wiring unit 75 are stored in advance in the program storage unit 63 as software. Although it is executed by the processing device, it may be executed by dedicated hardware.
[0081]
As described above, according to the signal wiring connection system of the second embodiment, the timing analysis of the signal wiring is performed, and the via of the signal wiring that does not satisfy the predetermined reference value is changed. A signal wiring connected through vias having a signal transmission delay time sufficient for timing control is obtained.
[0082]
(Third embodiment)
Next, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device of this embodiment is an example of manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the signal wiring connection system shown in the second embodiment. FIG. 8 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device of the present invention.
[0083]
First, layout data including logic element placement information, wiring path information, and timing constraint information is created by functional design and logic design of the semiconductor integrated circuit device to be manufactured (step S61).
[0084]
In other words, functions required for a semiconductor integrated circuit device to be manufactured are clarified, and a function design is performed in which the functions of each part such as a logic memory and an input / output interface for generating the functions are designed and connected to each other.
[0085]
Next, logic design is performed to design a specific electronic circuit from the functions and mutual relationships of the respective units.
[0086]
Then, logic element arrangement information indicating where the logic element is arranged on the semiconductor chip, wiring path information indicating which area on the chip the logic element is connected to, and synchronization between the logic elements are obtained. Layout data consisting of timing constraint information is created and stored as logic design data.
[0087]
Next, the layout data of the semiconductor integrated circuit device is read, and the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit are formed in different wiring layers, and are connected to each other through vias. Are extracted (step S62).
[0088]
Next, a signal propagation delay time between the first logic element and the second logic element is obtained and a timing analysis is performed (step S63).
[0089]
Next, it is determined whether or not the signal propagation delay time is a predetermined reference value, for example, a setup error (step S64). If the reference is not satisfied, the number of via cuts is increased and vias are arranged (step S65).
[0090]
Next, it is determined whether or not all signal wirings of the logic design data are checked (step S66), and steps S62 to S65 are repeated until all the signal wirings are checked. When all the signal wirings are checked, via connection wiring pattern data is created (step S67).
[0091]
Next, exposure mask drawing data for forming a via connection wiring pattern on the exposure mask is created, and an exposure mask is manufactured based on the exposure mask drawing data (step S68).
[0092]
Next, a series of wafer manufacturing processes (previous process) that repeats a film forming process such as an insulating film, a semiconductor film, and a metal film on a semiconductor substrate, a lithography process using the above-described exposure mask, an etching process, and an ion implantation process. Thus, semiconductor devices are collectively formed on the semiconductor wafer. Then, a semiconductor device is manufactured through a dicing process, a bonding process, and an inspection process (post-process) (step S69).
[0093]
As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment, a propagation delay time sufficient for timing control between logic elements can be obtained, so that a semiconductor integrated circuit device is manufactured with a high yield. can do.
[0094]
(Fourth embodiment)
FIG. 9 shows a signal wiring connection method according to the fourth embodiment of the present invention. In the signal wiring connection method, logic elements are respectively formed in different wiring layers from layout data of the semiconductor integrated circuit device, and are connected to each other through vias. For example, it is a flowchart showing a process until electromigration analysis is performed on a clock signal wiring having a particularly high signal frequency and final via connection wiring pattern data is completed.
[0095]
This layout data includes logic element arrangement information indicating where the logic elements of the semiconductor integrated circuit device are arranged on the semiconductor chip, and wiring path information indicating through which area on the chip the logic elements are connected. And electromigration constraint information related to current density, operating temperature, guaranteed operation years, and the like.
[0096]
As shown in FIG. 9, first, layout data of this semiconductor integrated circuit device is read (step S81).
[0097]
Next, the output terminal of the first logic element and the input terminal of the second logic element arranged in the read semiconductor integrated circuit are formed in different wiring layers, respectively, and the signal wiring having the highest resistance is connected to each other through the via For part, for example, via, electromigration analysis is performed to calculate the current flowing through the signal wiring from the wiring material, wiring dimensions, operating voltage, signal frequency, wiring capacity, etc., and to obtain the reliability period from the current density and operating temperature ( Step S82).
[0098]
Next, it is determined whether or not the reliability period satisfies a predetermined reference value, for example, an operation guarantee year (hereinafter referred to as an electromigration error) (step S83).
[0099]
Next, when there is an electromigration error, the via cut number of the via having the highest resistance is increased and arranged so as to satisfy a predetermined reference value (step S84), and via connection wiring pattern data is created (step S85). finish.
[0100]
As described above, according to the signal wiring connection method according to the fourth embodiment, the electromigration analysis is performed on the vias, and a necessary and sufficient number of via cuts are arranged in the vias that cause an electromigration error. .
[0101]
Accordingly, a reliability period sufficient to satisfy the operation guarantee years can be obtained, and the semiconductor integrated circuit device can be easily manufactured.
[0102]
(Modification of the fourth embodiment)
FIG. 10 is a flowchart showing a modification of the first embodiment of the present invention. This modification is different from the fourth embodiment in that electromigration analysis is performed on the schematic wiring and the actual wiring.
[0103]
That is, as shown in FIG. 10, first, layout data is read as in FIG. 9, electromigration analysis is performed, and the presence or absence of an electromigration error is checked (step S91 to step S93).
[0104]
If there is no electromigration error, a single cut via is placed in the via on the signal wiring net and actual wiring is performed (step S94). If there is an electromigration error, the net of the signal wiring in which the electromigration error has occurred An actual wiring is performed by arranging a double cut via in the upper via (step S95).
[0105]
Next, the electromigration analysis is performed again on the actual wiring obtained in step S94 or step S95, and the presence or absence of an electromigration error is checked (step S96 to step S97).
[0106]
If there is an electromigration error, the number of via cuts of a predetermined via on the signal wiring net is increased by 1 (step S98), and steps S96 to S98 are repeated until the electromigration error is eliminated.
[0107]
On the other hand, if there is no electromigration, the via connection wiring pattern data is created (step S99), and the process ends.
[0108]
As a result, double cut vias can be arranged in advance in vias where electromigration errors are expected during rough wiring, so if the wiring route after actual wiring is significantly different from the wiring route during rough wiring, depending on the degree of congestion There is no possibility that a via that cannot be changed from a single cut via to a double cut via after actual wiring is generated.
[0109]
As described above, in the above-described modification example, the necessary and sufficient number of via cuts are determined quickly and accurately by performing electromigration analysis on both the schematic wiring and the actual wiring. Accordingly, a reliability period sufficient to satisfy the operation guarantee years can be obtained, and the semiconductor device can be easily manufactured.
[0110]
Next, a signal wiring connection system for realizing the signal wiring connection method shown in the fourth embodiment of the present invention is the same as the signal wiring connection system in FIG. 7 shown in the second embodiment. Since an electromigration analysis unit for performing electromigration analysis and an electromigration determination unit can be added in the same manner, description thereof will be omitted.
[0111]
Further, in the semiconductor device manufacturing method using the above-described signal wiring connection system, it is determined whether or not the process of performing electromigration analysis and a predetermined reference value are satisfied in the flowchart of FIG. 8 shown in the third embodiment. Since it can implement similarly by adding a process, the description is abbreviate | omitted.
[0112]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a signal wiring connection method and a signal wiring connection system capable of obtaining a signal propagation delay time sufficient for timing control between logic elements.
[0113]
Moreover, according to the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device using the signal wiring, high reliability can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart showing a signal wiring connection method according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a diagram showing a main part of logic design according to the first embodiment of the present invention.
3A and 3B are layout diagrams according to the first embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a diagram showing the arrangement and wiring paths of logic elements, and FIG. 3B is AA in FIG. 3A; Sectional drawing which cut | disconnected along the line and expanded and looked at the arrow direction.
4A and 4B are layout diagrams according to the first embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a diagram showing the arrangement and wiring paths of logic elements, and FIG. 4B is a line BB in FIG. Sectional drawing which cut | disconnected along the line and expanded and looked at the arrow direction.
FIG. 5 is a flowchart showing a first modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a flowchart showing a second modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a block diagram showing a signal wiring connection system according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a flowchart showing a signal wiring connection method according to a fourth embodiment of the present invention;
FIG. 10 is a flowchart showing a modification of the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing a conventional signal wiring connection;
[Explanation of symbols]
11 First logic element
12 Second logic element
13 Third logic element
14 Fourth logic element
15a, 15b, 15c Signal wiring
15a1, 15b1, 15c1 Signal wiring of the first wiring layer
15a2, 15b2, 15c2 Signal wiring of second wiring layer
16 Clock signal wiring
17, 19, 32, 34 Input terminal
18, 20 Clock signal input terminal
21, 22, 23, 24, 25, 26, 51, 52, 53 Via cut
31, 33, 35, 36 Output terminal
61 Signal wiring connection system
62 Logic design data storage
63 Program storage
64 Placement and wiring information storage unit
65 Timing information storage unit
66 Via information data storage
67 Processing control unit
68 I / O controller
69 Output device
70 Input device
71 Signal wiring extractor
72 Timing analyzer
73 Timing determination unit
74 Via Change Department
75 Signal wiring section

Claims (15)

半導体集積回路装置に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続する際に、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビア接続部を通して互いに接続する信号配線に対して、前記第1論理素子と前記第2論理素子間の信号伝播遅延時間を求める第1の工程と、
前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内か否かを判定する第2の工程と、
前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内でない場合に、前記設定された時間内となるように前記ビア接続部のビアカット数を増加させて前記第1論理素子と第2論理素子を接続する第3の工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の信号配線接続方法。
When the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit device are connected to each other, the first logic element is connected to the signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through the via connection portion. A first step of determining a signal propagation delay time between an element and the second logic element;
A second step of determining whether or not the obtained signal propagation delay time is within a set time;
When the obtained signal propagation delay time is not within the set time, the number of via cuts of the via connection portion is increased so that the first logic element and the second logic element are within the set time. A third step of connecting;
A signal wiring connection method for a semiconductor integrated circuit device, comprising:
前記第1の工程では、シミュレーションにより信号伝播遅延時間を求めることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号配線接続方法。2. The signal wiring connection method for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein in the first step, a signal propagation delay time is obtained by simulation. 半導体集積回路装置に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続する際に、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する概略信号配線に対して、前記第1論理素子と前記第2論理素子間の信号伝播遅延時間を求める第1の工程と、
前記信号伝播遅延時間が設定された時間内か否かを判定する第2の工程と、
前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内である場合に、実配線をおこなう第3の工程と、
前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内でない場合に、前記ビア接続部のビアカット数を1増加して実配線をおこなう第4の工程と、
前記実配線に対して、タイミング解析をおこなう第5の工程と、
前記実配線のタイミング解析による信号伝播遅延時間が、設定された時間内か否かを判定する第6の工程と、
前記求められた信号伝播遅延時間が設定された時間内でない場合に、設定された時間内となるまで前記ビア接続部のビアカット数を増加させて配置する第7の工程と、
を具備したことを特徴とする半導体集積回路装置の信号配線接続方法。
When the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit device are connected to each other, the first logic element is formed with respect to a schematic signal wiring formed in a different wiring layer and connected to each other through a via. And a first step of obtaining a signal propagation delay time between the second logic elements;
A second step of determining whether or not the signal propagation delay time is within a set time;
A third step of performing actual wiring when the obtained signal propagation delay time is within a set time; and
A fourth step of performing actual wiring by increasing the number of via cuts of the via connection portion by 1 when the obtained signal propagation delay time is not within the set time;
A fifth step of performing timing analysis on the actual wiring;
A sixth step of determining whether or not the signal propagation delay time based on the timing analysis of the actual wiring is within a set time;
A seventh step of increasing and arranging the number of via cuts of the via connection until the signal propagation delay time obtained is not within the set time, and being within the set time;
A signal wiring connection method for a semiconductor integrated circuit device, comprising:
前記第4の工程において、基準値を満たさない場合に、前記信号伝播遅延時間から必要なビアカット数を算出して、前記ビアをシングルカットビアとするものとダブルカットビアとするものに分配して実配線をおこなうことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置の信号配線接続方法。In the fourth step, when the reference value is not satisfied, the necessary number of via cuts is calculated from the signal propagation delay time, and the vias are distributed to the single cut via and the double cut via. 4. The signal wiring connection method for a semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein actual wiring is performed. 前記第1論理素子と第2論理素子を接続する信号配線が、その配線経路の途中に他の論理素子を有することを特徴とする請求項1、3、または4に記載の信号配線の接続方法。5. The signal wiring connection method according to claim 1, wherein the signal wiring for connecting the first logic element and the second logic element has another logic element in the middle of the wiring path. . 前記信号伝播遅延時間は、前記第1論理素子の入力端子と前記第2論理素子の入力端子間、または前記第1論理素子の出力端子と前記第2論理素子の出力端子間の信号伝播遅延時間であることを特徴とする請求項1、3、または4に記載の信号配線の接続方法。The signal propagation delay time is a signal propagation delay time between the input terminal of the first logic element and the input terminal of the second logic element or between the output terminal of the first logic element and the output terminal of the second logic element. The signal wiring connection method according to claim 1, wherein the signal wiring is connected. 前記設定された時間とは、セットアップ時間であることを特徴とする請求項1、3、または4に記載の信号配線の接続方法。The signal wiring connection method according to claim 1, wherein the set time is a setup time. 前記設定された時間に、ホールド時間を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の信号配線の接続方法。The signal wiring connection method according to claim 7, wherein the set time further includes a hold time. 半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビア接続部を通して互いに接続する信号配線を抽出する信号配線抽出部と、
前記第1論理素子と前記第2論理素子間の信号伝播遅延時間を求めるタイミング解析部と、
前記信号伝播遅延時間が設定された時間内か否かを判定するタイミング判定部と、
前記信号伝播遅延時間が設定された時間内でない場合に、設定された時間となるように、前記ビア接続部のビアカット数を増加させて前記第1論理素子と前記第2論理素子を接続するビア変更部と、
前記ビア変更情報に基づいて信号配線をおこなう信号配線部と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の信号配線接続システム。
A signal wiring extraction unit for extracting signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through via connection parts in order to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit;
A timing analyzer for obtaining a signal propagation delay time between the first logic element and the second logic element;
A timing determination unit that determines whether the signal propagation delay time is within a set time; and
A via for connecting the first logic element and the second logic element by increasing the number of via cuts in the via connection portion so that the set time is reached when the signal propagation delay time is not within the set time. Change part,
A signal wiring portion for performing signal wiring based on the via change information;
A signal wiring connection system for a semiconductor integrated circuit device, comprising:
半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビア接続部を通して互いに接続する信号配線に対して、前記第1論理素子と前記第2論理素子間の信号伝播遅延時間を求めるタイミング解析をおこなう第1の工程と、
前記信号伝播遅延時間が設定された時間内か否かを判定する第2の工程と、
前記設定された時間内でない場合に、前記設定された時間内となるように前記ビア接続部のビアカット数を増加させた信号配線パターンを作成する第3の工程と、
前記信号配線パターンに基づいて露光マスクを製作し、露光工程を含む所定の半導体集積回路製造工程により半導体集積回路装置を製造する第4の工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
In order to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit to each other, the first logic element is formed on signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through a via connection portion. And a first step of performing a timing analysis for obtaining a signal propagation delay time between the second logic elements;
A second step of determining whether or not the signal propagation delay time is within a set time;
A third step of creating a signal wiring pattern in which the number of via cuts of the via connection portion is increased so as to be within the set time when not within the set time;
A fourth step of manufacturing an exposure mask based on the signal wiring pattern and manufacturing a semiconductor integrated circuit device by a predetermined semiconductor integrated circuit manufacturing step including an exposure step;
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising:
半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、前記信号配線のエレクトロマイグレーション解析をおこなう第1の工程と、
前記エレクトロマイグレーションが所定の基準値を満たすか否かを判定する第2の工程と、
前記基準値を満たさない場合に、前記基準値を満たすように前記ビアのビアカット数を増加させて配置する第3の工程と、
を有することを特徴とする信号配線の接続方法。
In order to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit to each other, electromigration analysis of the signal wiring is performed on the signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through vias. A first step of performing
A second step of determining whether the electromigration satisfies a predetermined reference value;
A third step of disposing the via cut number of the vias so as to satisfy the reference value when the reference value is not satisfied;
A signal wiring connection method comprising:
半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する概略信号配線に対して、前記信号配線のエレクトロマイグレーション解析をおこなう第1の工程と、
前記エレクトロマイグレーションが所定の基準値を満たすか否かを判定する第2の工程と、
前記基準値を満たす場合に、前記ビアをシングルカットビアとして実配線をおこなう第3の工程と、
前記基準値を満たさない場合に、前記ビアをダブルカットビアとして実配線をおこなう第4の工程と、
前記実配線に対してエレクトロマイグレーション解析をおこなう第5の工程と、前記エレクトロマイグレーションが所定の基準値を満たすか否かを判定する第6の工程と、
前記基準値を満たさない場合に、前記ビア接続部のビアカット数を1増加させて配置する第7の工程と、
を具備し、
前記基準値を満たすまで前記第4の工程から前記第7の工程を繰り返すことを特徴とする信号配線の接続方法。
In order to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit to each other, an electromigration of the signal wiring with respect to the schematic signal wiring formed in different wiring layers and connected to each other through a via A first step of analyzing,
A second step of determining whether the electromigration satisfies a predetermined reference value;
A third step of performing actual wiring using the via as a single-cut via when the reference value is satisfied;
A fourth step of performing actual wiring using the via as a double-cut via when the reference value is not satisfied;
A fifth step of performing electromigration analysis on the actual wiring; a sixth step of determining whether or not the electromigration satisfies a predetermined reference value;
When the reference value is not satisfied, a seventh step of arranging by increasing the number of via cuts of the via connection portion by 1,
Comprising
The signal wiring connection method, wherein the fourth to seventh steps are repeated until the reference value is satisfied.
前記信号配線は、クロック信号配線であることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の信号配線の接続方法。The signal wiring connection method according to claim 11, wherein the signal wiring is a clock signal wiring. 半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する概略信号配線を抽出する信号配線抽出部と、
前記信号配線のエレクトロマイグレーション解析をおこなうエレクトロマイグレーション解析部と、
前記基準値を満たさない場合に、前記ビアのビアカット数を増加させて配置するビア変更部と、
を有することを特徴とする信号配線の接続システム。
A signal wiring extraction unit for extracting schematic signal wirings formed in different wiring layers and connected to each other through vias in order to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit;
An electromigration analysis unit for performing electromigration analysis of the signal wiring;
When the reference value is not satisfied, a via changing unit arranged to increase the number of via cuts of the via, and
A signal wiring connection system comprising:
半導体集積回路に配置される第1論理素子と第2論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する概略信号配線に対して、前記信号配線のエレクトロマイグレーション解析をおこなう第1の工程と、
前記エレクトロマイグレーションが所定の基準値を満たすか否かを判定する第2の工程と、
前記基準値を満たさない場合に、前記ビアのビアカット数を増加させた信号配線パターンを作成する第3の工程と、
前記信号配線パターンに基づいて露光マスクを製作し、露光工程を含む所定の半導体集積回路製造工程により半導体集積回路装置を製造する第4の工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
In order to connect the first logic element and the second logic element arranged in the semiconductor integrated circuit to each other, an electromigration of the signal wiring with respect to the schematic signal wiring formed in different wiring layers and connected to each other through a via A first step of analyzing,
A second step of determining whether the electromigration satisfies a predetermined reference value;
A third step of creating a signal wiring pattern in which the number of via cuts of the via is increased when the reference value is not satisfied;
A fourth step of manufacturing an exposure mask based on the signal wiring pattern and manufacturing a semiconductor integrated circuit device by a predetermined semiconductor integrated circuit manufacturing step including an exposure step;
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising:
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