JP2005026103A

JP2005026103A - 有機電界発光表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2005026103A
Application number: JP2003190978A
Authority: JP
Inventors: Ichiji Yamayoshi; 一司山吉; Takehiro Ikenaga; 武広池永; Takanori Okumura; 貴典奥村; Hiroyuki Fuchigami; 宏幸渕上; Tomoyuki Irizumi; 智之入住; Hiroya Yamabayashi; 弘也山林; Masahiro Kajiwara; 正博梶原; Yasushi Orita; 泰折田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-07-03
Filing date: 2003-07-03
Publication date: 2005-01-27

Abstract

【課題】有機電界発光（有機ＥＬ）表示装置において、画素分離膜などから放出される水分が侵入することによるＥＬ層の特性劣化を防止する。
【解決手段】有機電界発光表示装置は、基板１と、この基板１の上側において画素領域の各々を隔てて区画するように樹脂で形成された画素分離膜８と、上記画素領域を覆ってさらに画素分離膜８の一部を覆うように配置されたＥＬ層１０とを備える。ＥＬ層１０が画素分離膜８を覆う部分では、ＥＬ層１０と画素分離膜８とが直接接することのないように両者の間に水分遮断のための無機絶縁膜９が介在している。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：電界発光）表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発光性有機材料のもたらすＥＬ現象を利用した自発光素子として有機ＥＬ素子を用いた表示装置、すなわち「有機ＥＬ表示装置」の開発が進んでいる。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるため、液晶表示装置の場合のようなバックライトが不要であり、さらに視野角が広いことから、電気器具の表示部として有望視されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置には、パッシブ型（単純マトリクス型）とアクティブ型（アクティブマトリクス型）の２種類がある。各画素に配置されるＥＬ素子において発生する光を取り出す構造に関しても、基板上面から取り出す構造（以下「トップエミッション構造」という。）と、基板下面から取り出す構造（以下「ボトムエミッション構造」という。）との２種類があり、いずれの方式も盛んに開発が行われている。特に現在は、各々のＥＬ素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタ素子（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ素子」という。）を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００４】
有機ＥＬ素子の発光層（「ＥＬ層」ともいう。）となる有機ＥＬ材料は、低分子系有機ＥＬ材料と高分子系（ポリマー系）有機ＥＬ材料とが研究されている。低分子系有機ＥＬ材料は蒸着法などで形成され、高分子系有機ＥＬ材料は、スピナーを用いた塗布方式やインクジェット法により形成されている。
【０００５】
ここで、蒸着法を用いる場合、蒸着マスクが用いられて、各画素領域に所定の種類の有機ＥＬ材料のみを塗布するようにして、画素ごとのＥＬ層の塗り分けが行なわれる。
【０００６】
蒸着法とインクジェット法とのいずれの場合においても、各画素を塗り分けるためには画素分離膜が必要である。ＥＬ層に水分が到達すると特性が悪化するため、従来、画素分離膜には、水分放出が少ない絶縁膜が用いられていた。たとえば、非感光性のポリイミド樹脂や、酸化シリコン系の材料、窒化シリコン系の材料などで形成されていた。しかし、画素分離膜は、下地面に接している部分で最も幅が広く、下地面から離れるほど幅が狭くなる、いわゆる「正テーパ形状」であることが求められる。上述のような水分放出が少ない絶縁膜を画素分離膜の材料として用いた場合、正テーパ形状に仕上げるにはレジストマスクを用いた高度なエッチング技術を要する。
【０００７】
そこで、特開平８−２２７２７６号公報（特許文献１）では、画素分離膜としてレジストまたは感光性ポリイミド樹脂などから形成できる有機絶縁膜を用いることが開示されている。感光性ポリイミド樹脂を用いて有機絶縁膜からなる画素分離膜を形成する場合、現像して所望のパターンを得たのちに高温に保持することによってイミド化、すなわち水分の除去が行われる。こうして、ポリイミド樹脂からなる画素分離膜を得ることができる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−２２７２７６号公報（段落００１７）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
画素分離膜を形成するに当たって感光性ポリイミド樹脂を用いる場合は、水分除去のために上述のようにイミド化処理を行なうが、たとえそのような処理を行なったとしても、内在する水分を完全に除去することは困難である。そして、その残存する水分が、後々、有機絶縁膜から放出されてＥＬ層に侵入すると、ＥＬ層の特性が劣化してしまうという問題があった。
【００１０】
また、ＥＬ層は、成膜しようとする部位の下地の面が十分に平坦でないと、ＥＬ層を均一な膜厚に成膜することができない。そこで、低分子系と高分子系有機ＥＬ材料のいずれの場合においても、ＥＬ層の下地の面を平坦化する目的で「平坦化絶縁膜」を用いる場合がある。しかし、画素分離膜の形成のための上記イミド化を行なうためには３００℃以上といった高温での処理が必要であるので、平坦化絶縁膜には３００℃以上の耐熱性が要求される。そのため、平坦化絶縁膜の材料の選択の余地が小さいという問題があった。
【００１１】
さらに、画素分離膜形成のために感光性ポリイミド樹脂を用いる場合、１〜３μｍの膜厚で形成されたものに対して露光し、現像処理を行なうこととなる。しかし、実際には、露光されたはずの部分に、現像処理の後においても若干の残存物が見られる場合があった。この残存物を「現像残」という。
【００１２】
そこで、本発明は、画素分離膜を感光性樹脂で形成する場合に、その感光性樹脂の種類を問わず、放出水分がＥＬ層に侵入することによるＥＬ層の特性劣化を防止することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく有機電界発光表示装置は、基板と、上記基板の上側において画素領域の各々を隔てて区画するように樹脂で形成された画素分離膜と、上記画素領域を覆ってさらに上記画素分離膜の一部を覆うように配置されたＥＬ層とを備える。ただし、上記ＥＬ層が上記画素分離膜を覆う部分では、上記ＥＬ層と上記画素分離膜とが直接接することのないように両者の間に水分遮断のための無機絶縁膜が介在している。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
（構成）
図１を参照して、本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置について説明する。この有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション構造のアクティブマトリクス型である。この有機ＥＬ表示装置においては、基板１の上側にＴＦＴ２が配置され、さらにその上側に平坦化を目的とする絶縁膜（以下、「平坦化絶縁膜」という。）５が形成されている。平坦化絶縁膜５には、ＴＦＴ２に接続されたドレイン電極３に対して接続するように貫通するコンタクトホール６が形成されている。平坦化絶縁膜５の上面には画素電極層７が配置されている。画素電極層７は、コンタクトホール６の内部では内面に沿って延在し、ドレイン電極３に対して電気的に接続されている。
【００１５】
平坦化絶縁膜５の上側に部分的に画素分離膜８が形成されている。画素分離膜８は、画素領域の各々を隔てて区画するように形成されている。画素分離膜８は絶縁性の有機膜であれば特に制限はないが、たとえば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびノボラック樹脂などが用いられうる。
【００１６】
画素分離膜８は、水分遮断のための無機絶縁膜９によって覆われている。無機絶縁膜９は、水分の浸透を遮ることができるものでありさえすれば特に制限はないが、たとえば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などが用いられうる。無機絶縁膜９は、画素分離膜８および平坦化絶縁膜５からの水分の浸透を遮るためのものである。したがって、膜厚を２００ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００１７】
画素分離膜８に区画された各々の画素領域においては、画素電極層７の上側に接するようにＥＬ層１０が配置されている。ＥＬ層１０は主に画素領域を覆っているが、画素領域からはみ出したＥＬ層１０の端部は無機絶縁膜９を介して画素分離膜８の一部を覆うように延在している。すなわち、ＥＬ層１０の端部は画素分離膜８の斜面に乗り上げるように延在している。しかし、ＥＬ層１０が画素分離膜８を覆う部分では、ＥＬ層１０と画素分離膜８とが直接接することのないように両者の間に無機絶縁膜９が介在している。
【００１８】
ＥＬ層１０の上側は、透明電極１１に覆われている。この有機ＥＬ表示装置がカラー表示のためのものである場合、ＥＬ層１０は、画素領域ごとに必要な色のものが設けられている。一方、カラー表示のためのものであるか否かを問わず、透明電極１１は複数の画素領域を一括して覆って形成されている。
【００１９】
（作用・効果）
透明電極１１と画素電極層７との間に電圧を印加することによって、これらの間に挟まれたＥＬ層１０が発光する。上側の透明電極１１は透明であるので、矢印１７に示すように図１における上向きに光が放出される。
【００２０】
従来からＥＬ層に水分が侵入して特性が劣化することが問題となっていたが、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置においては、水分の放出源として特に考えられるのは、画素分離膜８および平坦化絶縁膜５であるので、これらの周辺における水分の浸透の可能性について検討する。
【００２１】
平坦化絶縁膜５とＥＬ層１０との間に介在する画素電極層７は水分の浸透を遮ることができるので、平坦化絶縁膜５からその上側に形成されているＥＬ層１０に向けて、画素電極層７を経由して水分が侵入することはない。一方、平坦化絶縁膜５が画素電極層７に覆われていない箇所では、平坦化絶縁膜５と画素分離膜８との間の界面を水分が行き来することができる。しかし、画素分離膜８からＥＬ層１０への水分の浸透は無機絶縁膜９によって遮られるので、平坦化絶縁膜５から出た水分が画素分離膜８を経由したとしてもＥＬ層１０に至ることは防止される。当初から画素分離膜８内に含まれていた水分がＥＬ層１０に至ることについても無機絶縁膜９によって同様に防止される。
【００２２】
よって、本実施の形態では、実施画素分離膜８および平坦化絶縁膜５のいずれに含まれた水分についても、ＥＬ層１０に侵入することを防止できる。したがって、水分侵入によるＥＬ層の特性劣化を防止することができる。
【００２３】
無機絶縁膜９が画素分離膜８を完全に覆う代わりに部分的に覆っているだけであっても、水分のＥＬ層への侵入防止という効果をある程度は期待できる。しかし、この効果をより確実にし、有機ＥＬ表示装置の信頼性を高めるためには、無機絶縁膜９が画素分離膜８の上面および側面を完全に覆っていることが好ましい。
【００２４】
本実施の形態では、画素分離膜８の材料を問わず画素分離膜８からＥＬ層１０への水分の浸透が防止できるので、画素分離膜８に水分含有量の多いものを使用することもでき、画素分離膜８の材料選択の自由度が高まる。
【００２５】
（実施の形態２）
（製造方法）
図１〜図１２を参照して、本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置の製造方法は、実施の形態１で説明した有機ＥＬ表示装置を製造するためのものである。
【００２６】
図２に示すように、基板１の上面にＴＦＴ２を形成し、ドレイン電極３を形成する。基板１としては、たとえば、透明なガラス基板が使用可能である。次に、ＴＦＴ２やドレイン電極３を形成したことで表面に生じた凹凸を平坦にするために、平坦化絶縁膜５を形成する。平坦化絶縁膜５は、たとえば、ポジ型の感光性アクリル樹脂をスピンコート法によって塗布して形成される。
【００２７】
露光装置を用いて平坦化絶縁膜５に対してパターン露光を行ない、現像を行なう。こうして、図３に示すようにコンタクトホール６を形成する。
【００２８】
コンタクトホール６の内面を含む上側表面の全面にＣｒ膜をスパッタ法によって成膜する。このＣｒ膜に対してリソグラフィおよびエッチングを行ない、図４に示すように、所望のパターン形状で画素ごとに配置される画素電極層７を形成する。
【００２９】
感光性アクリル樹脂をスピンコート法によって塗布し、図５に示すように、感光性アクリル樹脂膜１８を形成する。この感光性アクリル樹脂膜１８は、のちに画素分離膜８となるものである。所定の寸法（以下「設計寸法」という。）に作製されたフォトマスク１２を用いて感光性アクリル樹脂膜１８の露光を行なう。この露光においては、露光されずに残る部分（のちに画素分離膜８となる予定の部分）の寸法が片側当たり設計寸法よりも１μｍ小さくなるように、ＵＶ光１３の露光量を調整する。したがって、この露光で形成される露光部分１８ｃの上面は、フォトマスク１２の開口部をそのまま投影したよりもやや大きい領域となる。この露光部分１８ｃをアルカリ現像液で除去する。
【００３０】
この後、２２０℃のオーブンで６０分間焼成を行ない、感光性アクリル樹脂膜１８内の溶剤や水分をほぼ取り除くと、図６に示す画素分離膜８が形成される。ただし、画素分離膜８は、画素領域（図１における各凹部の底部）の各々を隔てて区画するように形成する。
【００３１】
図７に示すように、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、画素分離膜８の上側から画素分離膜８のある部分とない部分とを一括して覆うように全面に無機絶縁膜９を形成する。この無機絶縁膜９形成の際には、平坦化絶縁膜５の材料である有機絶縁膜の耐熱温度を超えない温度である１８０℃程度の低温で、シラン（ＳｉＨ_４）とアンモニア（ＮＨ_３）ガスによって窒化シリコンの成膜を行なう。この窒化シリコン膜が無機絶縁膜９となる。この窒化シリコン膜の膜厚は、２００ｎｍとする。膜厚はこの値に限るものではないが、上記温度条件で窒化シリコン膜を形成する場合に、２００ｎｍは、水分の浸透を遮断するのに十分な膜厚である。こうすることによって、無機絶縁膜９は、のちに形成するＥＬ層１０よりもわずかに厚くなる。
【００３２】
図８に示すように、フォトレジスト１４をスピンコート法で塗布する。このフォトレジスト１４に対して、先ほどのフォトマスク１２を再び用いてＵＶ光１３を照射する。露光部分１４ｃを除去し、無機絶縁膜９をエッチングする。こうして、図９に示すように、無機絶縁膜９に各画像領域に対応する開口部を形成する。図８に示したフォトレジスト１４の露光では、無機絶縁膜９の開口部が設計寸法通りになるように調整して照射する。なお、無機絶縁膜９のエッチングは、フッ素系ガスであるＣＦ_４、ＳＦ_６などと、酸素（Ｏ_２）との混合ガスを用いてドライエッチングによって行なう。
【００３３】
図９において円で囲んだ部分１５を拡大したところを図１０に示す。無機絶縁膜９の端は、図１０における傾斜角θが５０°程度またはそれ以下の緩やかな斜面となるようにする。無機絶縁膜９の端をこのような形状にしておくことによって、ＥＬ層１０を成膜したときの「段切れ」現象を防ぐことができる。段切れは、画素電極層７と透明電極１１（図１参照）との間のショートをもたらすおそれがある現象である。したがって、本実施の形態では、段切れを防止することによって、画素電極層７と透明電極１１との間のショートを防止できるということであり、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００３４】
このドライエッチングにおいては無機絶縁膜９が除去された後には（図９参照）、その下側に隠れていた画素分離膜８の現像残がエッチングに用いられるＯ_２ガスによってアッシングされて除去される。
【００３５】
このドライエッチングの後、フォトレジスト１４、および、画素電極層７の表面上のエッチングによるフッ化反応生成物を、Ｏ_２ガスによるアッシングと有機剥離液などで剥離し、水洗して除去する。その後、１２０℃のオーブンによって乾燥を行なう。
【００３６】
こうして、図９に示すように、画素分離膜８が無機絶縁膜９によって覆われており、なおかつ、画素領域においては、無機絶縁膜９の開口部を通して画素電極層７が清浄な状態で露出した構造を得ることができる。
【００３７】
図１１に示すように、画素領域の各々に対応するＥＬ層１０を形成する。ＥＬ層１０は、無機絶縁膜８の開口部から露出する画素電極層７を覆うように形成される。ＥＬ層１０が画素電極層７を直接覆う領域が最終的に画素領域となるが、ＥＬ層１０自体は画素領域だけにとどまらず、周辺の無機絶縁膜８の上側を覆って広がってよい。
【００３８】
なお、図１１では、ＥＬ層１０の材料として低分子系有機ＥＬ材料を用いる場合のＥＬ層１０の形成例を示している。この場合、所望の画素に対応する開口部を有する蒸着マスク１６を画素分離膜９上に載せて保持しながら真空蒸着することによって、ＥＬ層１０を形成することができる。ＥＬ層１０は、蒸着マスク１６の上面も含めて全域に形成されるが、蒸着マスク１６を画素分離膜９上から取り去ると、図１２に示すように所望の画素に対応する部分にのみＥＬ層１０が形成された状態を得ることができる。
【００３９】
たとえば、この有機ＥＬ表示装置がカラー表示のためのものである場合、画素ごとに決められた異なる種類のＥＬ層を形成する。たとえば、ＲＧＢの３原色において、１画素に１色ずつ割り当てる場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれに対応する開口部を有する蒸着マスクを順次使用して、３種類のＥＬ層をそれぞれ対応する画素に対して形成する。
【００４０】
このようにして、すべての画素に対して所望のＥＬ層１０を形成し、さらに、これらの上側を覆うように、対向電極である透明電極１１を形成する。こうして、図１に示した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００４１】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、実施の形態１で説明した有機ＥＬ表示装置を容易に得ることができる。したがって、製造した有機ＥＬ表示装置によって、実施の形態１における効果を得ることができる。
【００４２】
本実施の形態では、同一のフォトマスク１２を、画素分離膜８の形成時と、無機絶縁膜９の開口部形成時との双方で共通して用いるので、用意するフォトマスクが１種類で済む。
【００４３】
本実施の形態では、目的の異なる２つの露光工程において同一のフォトマスクを兼用していながら、画素分離膜８を形成するための感光性アクリル樹脂膜１８の露光工程（図５参照）では、露光されずに残る部分の寸法が片側当たり設計寸法よりも１μｍ小さくなるようにＵＶ光１３の露光量を調整し、一方、無機絶縁膜９に開口部を設けるエッチングのためのフォトレジストに対する露光工程では設計寸法通りになるように調整して照射している。このように露光量に差をつけることによって、露光される領域は互いにほぼ相似形でありながら無機絶縁膜９の開口部よりも画素分離膜８の開口部の方が大きくなる。このような大小関係が維持されていることによって、双方のパターニング時の位置ずれが多少あっても、画素分離膜８は確実に無機絶縁膜９に覆われることとなる。
【００４４】
「片側当たり１μｍ」としたのは、各々のパターニングにおける位置ばらつきをたとえば３σとし、仕上がり寸法ばらつきをたとえばそれぞれの寸法ばらつきの二乗根の和とし、これらから寸法を算出したものである。仕上がり寸法は必ずしも限定されるものではなく画素分離膜８が完全に無機絶縁膜９に覆われていさえすればよい。
【００４５】
画素領域の位置、大きさを決定するのは、無機絶縁膜９の開口部であるので、無機絶縁膜９の開口部の形成が所望の精度でなされていれば、画素分離膜８として存在する部分の寸法はより小さくなっていてもよい。画素分離膜８が小さくなることによっては、画素領域の位置、大きさは直接には影響を受けない。
【００４６】
本実施の形態では、無機絶縁膜９の形成のための成膜を１８０℃程度で行なっていたが、この条件に限らず、２３０℃程度以下で成膜できるものが好ましい。なぜなら、アクリル樹脂が耐熱温度２３０℃程度であるので、無機絶縁膜９の形成のための成膜が２３０℃程度以下で行なわれていれば、平坦化絶縁膜５の材料としてアクリル樹脂を採用することができるからである。
【００４７】
本実施の形態では、無機絶縁膜９に開口部を設けるエッチングを、フッ素系ガスと酸素（Ｏ_２）との混合ガスを用いてドライエッチングによって行なっていたが、ドライエッチングの代わりにウェットエッチングによって行なってもよい。ただし、フッ素系ガスと酸素（Ｏ_２）との混合ガスを用いてドライエッチングを行なえば、画像分離膜８のパターニング時に除去しきれずに画素領域において残っていた画像分離膜８の材料の現像残を同時に除去することができるので、好ましい。
【００４８】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、画素分離膜からＥＬ層への水分の浸透は無機絶縁膜によって遮られるので、平坦化絶縁膜から出た水分が画素分離膜を経由したとしてもＥＬ層に至ることは防止される。したがって、水分侵入によるＥＬ層の特性劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１の工程の説明図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第３の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第４の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第５の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第６の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第７の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第８の工程の説明図である。
【図１０】図９の円で囲まれた部分の拡大図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第９の工程の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ表示装置の製造方法の第１０の工程の説明図である。
【符号の説明】
１基板、２ＴＦＴ、３ドレイン電極、４ゲート絶縁膜、５平坦化絶縁膜、６コンタクトホール、７画素電極層、８画素分離膜、９無機絶縁膜、１０ＥＬ層、１１透明電極、１２フォトマスク、１３ＵＶ光、１４フォトレジスト、１４ｃ露光部分、１５部分、１６蒸着マスク、１７（発光の向きを表す）矢印、１８感光性アクリル樹脂膜、１８ｃ露光部分。

Claims

基板と、
前記基板の上側において画素領域の各々を隔てて区画するように樹脂で形成された画素分離膜と、
前記画素領域を覆ってさらに前記画素分離膜の一部を覆うように配置されたＥＬ層とを備え、
前記ＥＬ層が前記画素分離膜を覆う部分では、前記ＥＬ層と前記画素分離膜とが直接接することのないように両者の間に水分遮断のための無機絶縁膜が介在している、有機電界発光表示装置。
前記無機絶縁膜は、前記画素分離膜の上面および側面を完全に覆っている、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
基板の上側に平坦化絶縁膜が形成され、前記平坦化絶縁膜の上側に画素領域の各々を隔てて区画するように画素分離膜が形成されている状態で、前記基板の上側の前記画素分離膜がある部分とない部分とを一括して覆うように無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記画素分離膜を覆っていない部分の前記無機絶縁膜に開口部を形成する工程とを含む、有機電界発光表示装置の製造方法。
基板の上側に平坦化絶縁膜が形成され、前記平坦化絶縁膜の上側を覆うように感光性樹脂層を形成する工程と、
フォトマスクを用いて前記感光性樹脂層にパターンを焼きつけて現像することによって、画素分離膜を形成する工程と、
前記画素分離膜がある部分とない部分とを一括して覆うように無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜を覆うようにフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトマスクを再び用いて前記フォトレジスト層にパターンを焼きつけて現像することによって、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングする工程とを含む、有機電界発光表示装置の製造方法。
前記無機絶縁膜を形成する工程は、２３０℃以下の条件で行う、請求項３または４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
前記無機絶縁膜のエッチングは、フッ素系ガスと酸素との混合ガスによるドライエッチングで行なう、請求項３または４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。