JP2005025098A - 光学リソグラフィー用ボルテックス位相シフトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクによって形成された光の位相シフトは、点の周りをらせん型に変化するので、点を通過するマスクの表面を横切る線に沿って測定された位相シフトは、その点において180°急増し、その点の周りを通過する線は、130°と230°の間の急増はなく、最も好ましくは、100°と260°の間の急増はないように階段状の基板とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、集積回路、磁性デバイス、マイクロマシン等のその他マイクロデバイスの製造用のマイクロリソグラフィーの分野に関する。この分野において最終製品は、まず種々のパターンが「レジスト」材料に形成され、個々のパターンはその後製品の属性を決める段階的な方法で製造される。「レジスト」材料は一般的には高分子組成物であり、光やその他の形態の放射線に対し感度を有する。パターンは、レジスト材料の領域ごとに異なる放射線量で露光することによりレジストに形成される。ブライト(bright)な(高放射線量)領域では、レジスト中で化学変化が起こり、ディム(dim)(低放射線)領域よりも、薬浴中での溶解や、ガスやプラズマによるエッチング除去がされ易く(ポジ型レジストの場合)なったり、され難く(ネガ型レジストの場合)なったりする。レジスト上への放射フラックスが少なすぎる場合は、レジストは未露光であると言え、レジストが「現像」(すなわち溶解またはエッチング)されると、一般的にポジ型レジストの未露光部は全部は溶解除去されず、ネガ型レジストは一部のみが溶解除去される。露光用の放射フラックスが十分な場合は、レジストの露光部および未露光部は、現像されると、一方の領域は全てが溶解除去され、他方の領域はウエハ製造の次の工程用の保護膜として残存する。放射フラックスが強すぎると、レジストは過露光され、露光された部分は ブルーム(bloom out)し、線を超えてエッチングされる傾向にあり、例えば、適量な露光の場合よりも広くなる。良いレジストとするためには、そのような過小露光および過剰露光フラックスの間に、 「マニュファクチャリング・ウィンドウ」(manufacturing window)が存在する。
上記ブライトおよびディム領域は、通常はマスクやレチクルからレジストへ対応する特徴部分(features)を転写する露光機を用いて形成される。マスクやレチクルは、石英やレジストを露光するのに用いられる放射線に対して透過性のあるその他の材料の板であるマスク基板から形成され、クロムのような不透明な材料でコーティングされている。クロムはパターン状にエッチング除去されてマスクが形成される。(これらには限定されないが)紫外線やX線などの放射線を用いることができ、マスクの透明および不透明の領域が、均一に照射された際に明暗のパターンを形成する。この技術において最も一般的に行なわれる方法では、平面の基板上のレジストフィルムに映写レンズがマスクパターンの像を形成する。その像は、レジストパターンを形成する高放射線量および低放射線量領域を含む。この工程にある形態の光が用いられた場合、それはフォトリソグラフィーと呼ばれる。
レジストに形成されるパターンはマスクのパターンと同一ではなく、マイクロリソグラフィー工程における不完全さにも係わらず、最終的に製造されるデバイス用の所望のパターンを得る方法は、「波面工学」と呼ばれる。この目的で用いられる種々のデバイスの中に、位相シフトマスク(PSM)があり、干渉により所望の遮光領域を作り出す。位相シフトマスクは、本発明の発明者により、"Improving resolution in photolithography with a phase shifting mask," M. D. Levenson, N. S. Viswanathan, and R. A. Simpson, IEEE Trans. Electron Devices ED-29, 1828-1836(1982) と題される論文の中で最初に公表された。その後、「位相シフトマスク」という文言を含む何百もの特許や何千もの論文が発行された。位相シフトマスクは、従来のフォトリソグラフィーよりも細い線幅の特徴部分の生産を可能にし、フォトレジストの低放射線量部分は高放射線量部分よりも大幅に細い。しかし、上記のような細い線幅特徴部分のピッチはλ/N.A.に制限され、この場合のλはレジストを露光するのに用いられる光の波長であり、N.A.はレジストを露光するのに用いられる光学システムの開口数である。
従来型および位相シフトマスクに用いられるパターンを形成するための種々の自動電子デザイン(EDA)機器が知られている。それに加え、これらのパターンを改変するOPC機器は、露光システムの現状を説明する。位相シフトマスクの開口パターンは、少なくとも交互開口PSMを用いた最初の露光と合わせてレジストフィルムの2回目の露光に従来の遮蔽マスクを用いない場合は、最終的なサーキットパターンと厳密に対応している必要がないことが知られている。このような2回目の露光は位相の衝突による変則性を消滅させる。ニューメリカルテクノロジーズ株式会社は、特に米国特許第5,858,580号において、一方の位相が0°であり、他方の位相が180°である、一対の小さい開口(シフター)からなる交互開口PSMと共に、最終的な回路の特徴部分に幾何的に類似した遮蔽マスクを用いたイン−フェーズ(In-Phase)デザイン・システムが、この開口の間で最も細く暗い特徴部分(features)の輪郭を明瞭にすることを明示した。
本発明は、デバイス上に極小領域の特徴部分を形成するための装置、方法、およびシステムを提供することを目的とする。
本発明は、デバイス上に極小領域の特徴部分を形成するための特徴部分を有する位相シフトマスクを提供することを目的とする。
本発明は、λがフォトリソグラフィックシステムによって用いられる光の波長であり、NAがフォトリソグラフィックシステムの開口数である場合に、λ/NA未満のピッチを有する小領域特徴部分の2次元配列のフォトリソグラフィック露光を行う方法を提供することを目的とする。
本発明は、デバイス上に極小領域特徴部分を形成するシステム、装置、および方法である。位相シフトマスク基板は、そのマスク基板上のある領域が、ある一点の周りで位相シフト変化を有し、その点の周りの領域と相互作用する光は、その点に対応する一番目の領域において、鋭く、かつ深い最小の光強度となるようにシフトされた光の位相を有し、一番目の領域を取り囲む、環状の二番目の領域では、全体の環状の領域において最小光強度よりもはるかに大きい光強度になるよう製造される。位相シフトは、その点を交差する線に沿って測定した場合に、約180°位相が急にシフトし、二番目の環状の領域に対応するマスク上の領域を横切るいかなる他の線に沿って測定した場合には、130°未満または230°より大きい値でゆっくり又は急に位相がシフトするように、その点の周りで渦巻き状(螺旋状)パターンで変化する。特に、最も好ましい態様は、表面から基板へエッチングされた、位相シフトを形成する各段の高さが130°未満、または130°より大幅に少なく、最下段から1段目への位相シフトが約230°より大きい、1回転の階段状の「段」を持つ基板を有する。
図2は、本発明の好ましい態様を示す斜視図である。位相シフトマスク基板の平らな表面20は、その上にエッチングされた特徴部分21を有する。特徴部分21の円形縁22は、表面20へのカッティングを示す。図は、中心線25の周りを廻るらせん状のスロープ23を示す。ランプは、位相シフトマスク基板のオリジナルの表面20において、オリジナルの表面20において生じる位相シフトに対して、位相シフトが0°である線24から始まり、中心線25の周りを時計回りに進む。ランプは、カットの深さに従って、位相シフトマスク上に当たる光に位相シフトを与える。最初の表面20に対して位相シフトが90°、180°、270°、および360°を図に印を付けた箇所に示す。位相シフトは、中心線25が位相シフトマスク基板の表面21と交差する点に対応する点において光が深い最小強度を有する、特徴部分21に対応する光パターンを形成する。らせん状のスロープの1つの領域から他の領域への鋭い位相変化はないので、交差点を囲む領域には暗い線は形成されず、らせん状スロープ23の底26とらせん状のスロープの頂部24との間の鋭い位相変化は360°であり、これも暗い線を形成しない。縁22は、最初の表面20とスロープ23との間の位相シフトが180°に近いとき、照度パターン中に暗い線を形成する。得られた未露光フォトレジストは、後の工程において露光されてもよい。
Claims (9)
- 表面および表面パターンを有する位相シフトマスク(基板)と、前記表面パターンにより定められるパターンにおいて光の位相を変化させるように波長λおよび強度I0の光と相互作用するための表面と、を有する装置において、前記表面と相互作用した後の光強度は、少なくとも一部が前記表面パターンにより引き起こされた位相変化により定められ、かつ、前記光が、前記表面が像平面上に像を形成するように、開口数(N.A.)を有するリソグラフィーシステムのレンズを通過すると、像平面に像を形成する光強度は、複数の点の像を有し、各々の点の像は、強度Iminの最小強度を有し、前記最小強度を取り囲む環状領域の全体を通じて、Iminより非常に大きい強度を有する環状領域によって取り囲まれており、最小強度の全幅はλ/2・N.A.である装置。
- 多数の位相シフト領域を有し、前記多数の位相シフト領域の少なくとも一部が、少なくとも1つの楔型領域境界を有している位相シフトマスク(PSM)基板を有する装置において、前記PSM基板上の1番目の点を囲むように、共にはめ込まれているn個の位相シフト領域のn個の楔型領域境界によって特徴部分が形成されており、前記n個の位相シフト領域は共に協働して、n個の位相シフト領域と相互作用する波長λおよび強度I0の光に対して光強度のパターンを生成し、かつ、光強度のパターンは、PSM上の前記点に対応する光強度において深い最小Iminを有し、かつ、前記表面と相互作用した後の光強度は、前記1番目の点を取り囲む環状領域において、Iminより非常に大きい強度を有し、さらに、nは、4以上であり、各々の前記n個の位相シフト領域は異なる位相シフトを有する、装置。
- 多数の位相シフト領域が、表面が互いに平行である平らな領域である請求項2に記載の装置。
- n=4であり、前記4つの位相シフト領域の位相シフトは前記1番目の点の周りを一方向へ数えて約0°、90°、180°、および270°であり、前記4つの位相シフト領域は前記1番目の点に関してらせん階段の形を形成する請求項3に記載の装置。
- 前記楔形領域境界は楔角を持ち、前記0°および180°位相シフト領域はほぼ同じ楔角を持ち、前記90°および270°位相シフト領域はほぼ同じ楔角を持つ請求項4に記載の装置。
- 2番目の点は前記1番目の点の近くに配置されており、前記1番目と2番目の点の周りの前記らせん階段はそれぞれ異なった左右像を有し、各らせん階段の1段は同じ位相シフト領域である請求項4に記載の装置。
- 前記PSM基板は、倍率M、および、開口数N.A.を有するフォトリソグラフィーシステムに用いられるためにデザインされ、前記1番目の点と前記2番目の点とが2Mλ/N.A.未満の距離をおいて配置されている請求項6に記載の装置。
- 表面および表面パターンを有する位相シフトマスク(基板)と、前記表面パターンにより定められるパターンにおいて光の位相を変化させるように波長λおよび強度I0の光と相互作用するための表面と、を有する装置において、前記表面と相互作用した後の光強度は、少なくとも一部が前記表面パターンより引き起こされた位相変化により定められ、かつ、前記表面上の複数の点は、各々の点をほぼ取り囲むように線が、この線に沿って位相変化するように存在し、かつ、前記線に沿って120°を超えて急増するような位相変化をせず、前記線の一端からもう一端へ少なくとも240°の位相変化をするように、各々の点を取り囲むように表面パターンを有する、装置。
- mは1以上の整数であるとき、前記線の一端からもう一端への位相変化は、ほぼm×360°である請求項8に記載の装置。
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