JP2005020736A - 半導体集積回路装置および携帯端末システム - Google Patents

半導体集積回路装置および携帯端末システム Download PDF

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Abstract

【課題】 ベースバンド処理用半導体集積回路装置の入力レベルに見合ったI/Q信号の出力電圧を可変して出力することにより、受信特性を大幅に向上する。
【解決手段】 電源投入後、通信移動体システムがトレーニング期間になると、スイッチ34がOFF、スイッチ35がONとなり、出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)から出力される調整用電圧とベースバンド回路6の基準電圧とをデジタルコンパレータ37が比較し、比較結果を出力する。制御回路CCは、その比較結果に基づいて、調整用電圧がベースバンド回路6の基準電圧と同じ程度になるように電圧可変部32を制御して可変調整する。これによって、RF処理部から出力されるI信号(、Q信号)の出力レベルが修正され、該I信号(、Q信号)の出力レベルとベースバンド回路6の基準電圧とを同じ程度のレベルに設定する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、無線信号の送受信技術に関し、特に、携帯電話などにおける受信感度の向上に適用して有効な技術に関するものである。
近年、移動体通信の1つとして携帯電話が広く普及しており、その機能に対しても多様性が求められている。このような携帯電話においては、一般にRF(高周波)処理用とベースバンド処理用との2つの半導体集積回路装置が用いられている。
RF処理用半導体集積回路装置は、受信した信号をベースバンドに変換し、いわゆるI信号、Q信号として出力する。ベースバンド処理用半導体集積回路装置は、RF処理用半導体集積回路装置によって周波数変換されたI信号、Q信号をデジタル信号に変換し、そのデジタル信号のレベルを測定してレベルコントロールを実行している。
このベースバンド処理用半導体集積回路装置に用いられる入力レベル(基準電圧)は製品毎に異なるために、RF処理用半導体集積回路装置では、I/Q信号の出力電圧を数種類用意し、ベースバンド処理用半導体集積回路装置に応じて該出力電圧が最適となるようにプログラムなどによって切り替えている。特開2001−156275号公報(特許文献1)には、支持基板上に絶縁膜を介して設けられた薄い単結晶薄膜内に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する技術が記載されている。
特開2001−156275号公報
ところが、上記のような半導体集積回路装置における付加情報書き込み技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
ところが、上記のようなRF処理用半導体集積回路装置におけるI/Q信号の出力電圧の切り替え技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
ベースバンド処理用半導体集積回路装置の入力レベル、およびRF処理用半導体集積回路装置における出力電圧は、製造ばらつきによりそれぞれ変動してしまう。
その製造ばらつきにより、RF処理用半導体集積回路装置から出力されるI/Q信号の振幅が、ベースバンド処理用半導体集積回路装置の入力ダイナミックレンジの許容範囲を超えてしまうと、携帯電話などにおける受信特性などが悪化してしまうという問題がある。
また、受信特性の大幅な悪化を抑えるために、電気的特性を考慮してRF処理用半導体集積回路装置のスペックを規定する必要があり、該RF処理用半導体集積回路装置の歩留まりが大きくなってしまう恐れがある。
本発明の目的は、ベースバンド処理用半導体集積回路装置の入力レベルに見合ったI/Q信号の出力電圧を可変して出力することにより、受信特性を大幅に向上することのできる半導体集積回路装置および携帯端末システムを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
(1)本発明は、受信信号をベースバンドに周波数変換し、I信号、およびQ信号として出力する高周波処理用の半導体集積回路装置であって、該I信号、およびQ信号の出力電圧レベルの調整指示を行う調整用信号が入力される外部入力端子を備えたものである。
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
(2)高周波処理用の半導体集積回路装置によって周波数変換されたI信号、Q信号をデジタル信号に変換し、そのデジタル信号のレベルを測定してレベルコントロールを実行するベースバンド処理用の半導体集積回路装置であって、該I信号、およびQ信号の出力電圧レベルの調整指示を行う調整用信号を出力する外部出力端子を備えたものである。
(3)受信信号をベースバンドに周波数変換し、I信号、およびQ信号として出力する高周波処理用の第1の半導体集積回路装置と、該第1の半導体集積回路装置によって周波数変換されたI信号、Q信号をデジタル信号に変換し、そのデジタル信号のレベルを測定してレベルコントロールを実行するベースバンド処理用の第2の半導体集積回路装置とを備えた携帯端末システムであって、該第1の半導体集積回路装置は、I信号、およびQ信号の出力電圧レベルの調整指示を行う調整用信号が入力される外部入力端子を備え、第2の半導体集積回路装置は、調整用信号を出力する第1の半導体集積回路装置の外部入力端子に出力する外部出力端子を備えたものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
(1)I信号/Q信号の出力レベルを短時間で、かつ高精度に調整することができる。
(2)また、製造ばらつきなどによってI信号/Q信号の出力レベルが許容範囲を超えた高周波処理用の半導体集積回路装置であっても問題なく使用することができ、該半導体集積回路装置の歩留まりを小さくすることができる。
(3)上記(1)、(2)により、携帯端末システムの受信特性を向上させることができるとともに、該携帯端末システムの製造コストを小さくすることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態による通信移動体システムのブロック図、図2は、図1の通信移動体システムにおけるRF処理部とベースバンド回路との回路構成を示す説明図、図3は、図2の出力電圧調整回路に設けられた電圧可変部の回路構成の一例を示す説明図、図4は、図2のベースバンド回路に設けられたA/D変換器の一例を示す回路図、図5は、図2の出力電圧調整回路における電圧の可変調整の際の状態遷移図、図6は、比較例として本発明者が検討したI信号/Q信号の出力波形の一例を示す説明図、図7は、図2のRF処理部から出力されるI信号/Q信号の出力波形例である。
本実施の形態において、通信移動体システム(携帯端末システム)1は、たとえば、携帯電話などの通信システムである。この通信移動体システム1は、図1に示すように、送受信用アンテナ2、アンテナスイッチ2a、高周波フィルタ3、高周波電力増幅回路4、RF処理部(半導体集積回路装置、第1の半導体集積回路装置)5、およびベースバンド回路(半導体集積回路装置、第2の半導体集積回路装置)6から構成されている。
アンテナ2は、信号電波の送受信を行う。アンテナスイッチ2aは、送受信した信号を切り替える。高周波フィルタ3は、受信信号から不要波を除去するSAWフィルタなどからなる。
高周波電力増幅回路4は、送信信号を増幅する。RF処理部5は、受信信号を復調したり、送信信号を変調したりする。このRF処理部5は、1つの半導体チップ上に半導体集積回路として構成される。ベースバンド回路6は、送信データをI信号、Q信号に変換したりRF処理部5を制御する。
特に制限されるものでないが、RF処理部5は、GSM850とGSM900、DCS1800、PCS1900の4つの通信方式による信号の変復調が可能に構成されている。
また、これに応じて、高周波フィルタ3は、GSM系の周波数帯の受信信号を通過させるフィルタ3aと、DCS1800の周波数帯の受信信号を通過させるフィルタ30bと、PCS1900の周波数帯の受信信号を通過させるフィルタ3cとが設けられる。GSM850とGSM900は周波数帯が近いので、この場合では共通のフィルタ3aによってフィルタリングされる。
また、RF処理部5は、大きく分けると、受信系回路RXCと、送信系回路TXCと、それ以外の制御回路やクロック系回路などの送受信系に共通の回路からなる制御系回路CTCとで構成される。
受信系回路RXCは、ローノイズアンプ7〜9、位相分周回路10、ミキサ回路11,12、高利得増幅部13,14、オフセットキャンセル回路15などからなる。
ローノイズアンプ7〜9は、受信信号を増幅するアンプである。位相分周回路10は、後述する高周波用発振回路(RFVCO)31で生成された発振信号φRFを分周し互いに90°位相がずれた直交信号を生成する。
ミキサ回路11,12は、ローノイズアンプ7〜9で増幅された受信信号に分周回路10で分周された直交信号を合成することで復調を行う復調回路である。高利得増幅部13,14は、復調されたI,Q信号をそれぞれ増幅してベースバンド回路6へ出力する。オフセットキャンセル回路15は、高利得増幅部13,14内のアンプの入力DCオフセットをキャンセルする。
高利得増幅部13は、ローパスフィルタLPF11,LPF12,LPF13,LPF14、利得制御アンプPGA11,PGA12,PGA13、アンプAMP1、および出力電圧調整回路(電圧出力調整部)CVC1から構成されており、I信号を増幅してベースバンド回路6へ出力する。
これらローパスフィルタLPF11,LPF12,LPF13,LPF14、と利得制御アンプPGA11,PGA12,PGA1とは交互に直列形態に接続され、その出力には、利得が固定のアンプAMP1が接続されている。
アンプAMP1の後の出力段には、出力電圧調整回路CVC1が接続されている。出力電圧調整回路CVC1は、ベースバンド回路6から出力される制御信号に基づいて、I信号の出力電圧を可変する。
また、高利得増幅部14も同様に、ローパスフィルタLPF21,LPF22,LPF23,LPF24、利得制御アンプPGA21,PGA22,PGA23、アンプAMP2、ならびに出力電圧調整回路(電圧出力調整部)CVC2から構成されており、Q信号を増幅してベースバンド回路6へ出力する。
ローパスフィルタLPF21,LPF22,LPF23,LPF24と利得制御アンプPGA21,PGA22,PGA23とは交互に直列形態に接続され、その後の出力段には、利得が固定のアンプAMP2が接続されている。
そして、アンプAMP2の後の出力段には、出力電圧調整回路CVC2が接続されている。出力電圧調整回路CVC2は、ベースバンド回路6から出力される制御信号に基づいて、Q信号の出力電圧を可変する。
オフセットキャンセル回路15は、利得制御アンプPGA11〜PGA23にそれぞれ接続され、そのアンプの入力端子が短絡したときに、それぞれの利得制御アンプの出力に存在する差動DCオフセットをディジタル信号に変換するA/D(Analog/Digital)変換回路と、これらのA/D変換回路による変換結果に基づき対応する利得制御アンプPGA11〜PGA23の出力のDCオフセットを「0」とするような入力オフセット電圧を生成し差動入力に対して与えるD/A(Digital/Analog)変換回路と、これらのA/D変換回路とD/A変換回路とを制御してオフセットキャンセル動作を行わせる制御回路CC(図2)などから構成される。
送信系回路TXCは、発振回路(IFVCO)16、分周回路17、位相分周回路18、変調回路19,20、加算器21、送信用発振回路(TXVCO)22、オフセットミキサ23、アナログ位相比較器24、ディジタル位相比較器25、ループフィルタ26などから構成されている。
発振回路(IFVCO)16は、たとえば640MHz程度の中間周波数の発振信号φIFを生成する。分周回路17は、発振回路16で生成された発振信号φIFを1/4分周して160MHz程度の信号を生成する。
位相分周回路18は、該分周回路17で分周された信号をさらに分周しかつ互いに90°位相がずれた直交信号を生成する。変調回路19,20は、生成された直交信号をベースバンド回路6から供給されるI信号とQ信号により変調をかける。
加算器21は、変調された信号を合成する。送信用発振回路(TXVCO)22は、所定の周波数の送信信号φTXを発生する。オフセットミキサ23は、送信用発振回路22から出力される送信信号φTXをカプラなどで抽出したフィードバック信号と高周波用発振回路31で生成された発振信号φRFを分周した信号φRF’とを合成することでそれらの周波数差に相当する周波数の信号を生成する。
アナログ位相比較器24、およびディジタル位相比較器25は、オフセットミキサ23の出力と加算器21で合成された信号TXIFとを比較して位相差を検出する。ループフィルタ26は、位相検出回路24,25の出力に応じた電圧を生成する。
なお、ループフィルタ26を構成する抵抗および容量は、外付け素子としてRF処理部5の外部端子に接続される。送信用発振回路22は、GSM850とGMS900の送信信号を生成する発振回路22aと、DCS1800とPCS1900の送信信号を生成する発振回路22bとからなる。
このように発振回路を2つ設けているのは、送信用発振回路は、高周波用発振回路31や中間周波数の発振回路16に比べて周波数の可変範囲が広く1つの発振回路ですべてカバーできる回路を設計するのは容易でないためである。
アナログ位相比較器24とディジタル位相比較器25とが設けられているのは、PLL回路の動作開始時における引き込み動作を早くするためである。もっと正確に言えば、送信開始時はまずディジタル位相比較器25で位相比較を行い、その後アナログ位相比較器24に切り替えることで、高速で位相ループをロックさせることができるようにされる。
また、RF処理部5のチップ上には、制御回路27、RFシンセサイザ28、IFシンセサイザ29、基準発振回路(VCXO)30が設けられている。
制御回路27は、チップ全体の制御を司る。RFシンセサイザ28は、高周波用発振回路31とともにRF用PLL回路を構成する。IFシンセサイザ29は、中間周波数の発振回路16とともにIF用PLL回路を構成する。基準発振回路30は、RFシンセサイザ28、ならびにIFシンセサイザ29の基準信号となるクロック信号φrefを生成する。
RFシンセサイザ28、IFシンセサイザ29は、位相比較回路とチャージポンプとループフィルタなどでそれぞれ構成される。なお、基準発振信号φrefは周波数精度の高いことが要求されるため、基準発振回路30には外付けの水晶振動子が接続される。基準発振信号φrefとしては、26MHzあるいは13MHzのような周波数が選択される。かかる周波数の水晶振動子は比較的安価に手に入るからである。
図1において1/2,1/4などの分数が付記されているブロックはそれぞれ分周回路、符号Bufで示されているのはバッファ回路である。また、SW1,SW2は、GSM方式に従った送受信を行うGSMモードとDCSまたはPCS方式に従った送受信を行うDCS/PCSモードとで接続状態が切り替えられて、伝達される信号の分周比を選択するスイッチである。
SW3は送信時にベースバンド回路6からのI,Q信号を変調用ミキサ19,20に供給すべくON、OFF制御されるスイッチである。これらのスイッチSW1〜SW3は制御回路27からの信号によって制御される。
制御回路27には、コントロールレジスタCRGが設けられ、このレジスタCRGはベースバンド回路6からの信号に基づいて設定が行われる。さらに詳細には、ベースバンド回路6からRF処理部5に対して同期用のクロック信号CLKと、データ信号SDATAと、制御信号としてロードイネーブル信号LENとが供給されており、制御回路27は、ロードイネーブル信号LENが有効レベルにアサートされると、ベースバンド回路6から伝送されてくるデータ信号SDATAをクロック信号CLKに同期して順次取り込んで、上記コントロールレジスタCRGにセットする。特に制限されるものでないが、データ信号SDATAはシリアルで伝送される。ベースバンド回路6はマイクロプロセッサなどから構成される。
コントロールレジスタCRGは、特に制限されるものでないが、高周波用発振回路(RFVCO)31や中間周波数の発振回路16におけるVCOの周波数測定を開始させる制御ビットや、受信モード、送信モード、アイドルモード、ウォームアップモードなどのモードを指定するビットフィールドなどが設けられる。
ここで、アイドルモードは待ち受け時などごく一部の回路のみ動作し少なくとも発振回路を含む大部分の回路が停止するスリープ状態となるモード、ウォームアップモードは送信または受信の直前にPLL回路を起動させるモードである。
この実施例では、位相検出回路24,25と、ループフィルタ26、送信用発振回路22a,22b、およびオフセットミキサ23とによって周波数変換を行う送信用PLL回路(TXPLL)が構成される。
本実施例のマルチバンド方式の移動体通信システム1では、たとえばベースバンド回路6からの指令によって制御回路27が、送受信時に高周波用発振回路31の発振信号の周波数φRFを使用するチャネルに応じて変更するとともに、GSMモードかDCS/PCSモードかに応じて上記スイッチSW2を切り替えることで、オフセットミキサ23に供給される信号の周波数が変更されることによって送信周波数の切り替えが行なわれる。
中間周波用発振回路16の発振周波数はGSM、DCS、PCSいずれの場合にも640MHzに設定され、これが分周回路17と位相分周回路18で、1/8に分周されて80MHzの搬送波(TXIF)が生成されて変調が行われる。
一方、高周波用発振回路31の発振周波数は、受信モードと送信モードとで異なる値に設定される。高周波用発振回路31の発振周波数fRFは、送信モードでは、たとえばGSM850の場合3616〜3716MHzに、GSM900の場合3840〜3980MHzに、またDCSの場合3610〜3730MHzに、さらにPCSの場合3860〜3980MHzに設定され、これが分周回路でGSMの場合は1/4に分周され、またDCSとPCSの場合は1/2に分周されてφRF’としてオフセットミキサ23に供給される。
オフセットミキサ23では、このφRF’と送信用発振回路4からの送信用発振信号φTXの周波数の差(fRF’−fTX)に相当する信号が出力され、この差信号の周波数が変調信号TXIFの周波数と一致するように送信用PLL(TXPLL)が動作する。
言いかえると、送信用発振回路22は、高周波用発振回路31からの発振信号φRF’の周波数(fRF/4)と変調信号TXIFの周波数(fTX)の差である周波数にロックされる。この送信システムが、いわゆるオフセットPLL方式と呼ばれる。
また、RF処理部5の出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)、およびベースバンド回路6に設けられた修正指示部の回路構成、および接続構成について、図2を用いて説明する。
RF処理部5には、調整用信号が外部入力される外部入力端子Tinが備えられており、ベースバンド回路6には、該調整用信号を出力する外部出力端子Toutが備えられている。
出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)は、電圧可変部(電圧発生部)32、アンプ(増幅部)33、およびスイッチ34,35から構成されている。さらに、ベースバンド回路6に設けられた修正指示部は、A/D変換器36とデジタルコンパレータ(比較部)37とからなる。
A/D変換器36は、アンプ33から出力されたI信号(、Q信号)、または該I信号(、Q信号)の出力電圧をデジタルデータに変換する。デジタルコンパレータ37は、A/D変換器36から出力されたデジタルデータと基準電圧とを比較し、その比較結果(調整用信号)を調整用信号として外部出力端子Toutから外部出力する。この外部出力端子Toutから出力された比較結果は、RF処理部5の外部入力端子Tinを介して出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)に入力される。
デジタルコンパレータ37に入力される基準電圧は、図4において後述するA/D変換器36で生成される中間レベルの基準電圧(Center)がデジタルデータに変換された値である。
電圧可変部32は、オフセットキャンセル回路15の制御回路(制御部)CCに設けられたレジスタ(格納部)15aの設定値に基づいて可変した設定電圧を出力する。この設定電圧は、たとえば、0.1V程度、またはそれ以下のステップで可変された電圧である。
また、レジスタ15aへのデータ設定は、オフセットキャンセル回路15の制御回路CCに設けられたCPU15bによって行われる。CPU15bは、後述するデジタルコンパレータ37から出力される比較結果に基づいてレジスタ15aにデータ設定を行う。
アンプ33は、正(+)側入力端子と同じ程度の電圧レベルの出力電圧を出力する。アンプ33の正(+)側入力端子には、電圧可変部32の出力端子に接続されている。アンプ33の出力端子と負(−)側入力端子は相互に接続され、スイッチ34の一方の端子に接続されている。さらに、アンプ33の出力端子は、ベースバンド回路6に設けられたA/D変換器36の入力部に接続されている。
前段でのアンプAMP1(,AMP2)の出力は、スイッチ34の他方の端子に接続されている。スイッチ34は、アンプAMP1(,AMP2)から出力される信号のスイッチングを行う。
スイッチ35の一方の端子には、制御回路CCが接続されており、該スイッチ35の他方の端子には、ベースバンド回路6に設けられたデジタルコンパレータ37から出力される比較結果の入力制御を行う。スイッチ35は、デジタルコンパレータ37から出力される比較結果の入力制御を行う。
これらスイッチ34,35は、制御回路CCによってON/OFF制御が行われる。スイッチ34は、通信移動体システム1に電源が投入され、受信期間となる前のトレーニング期間中にOFFとなり、アンプAMP1(,AMP2)から出力される出力信号を遮断し、該トレーニング期間後はONとなる。
スイッチ35は、トレーニング期間中にONとなってデジタルコンパレータ37から出力される比較結果を制御回路CCに出力し、該トレーニング期間後はOFFとなる。
また、ベースバンド回路6において、A/D変換器36は、アンプ33から出力されたI信号(、Q信号)をデジタルデータに変換する。デジタルコンパレータ37には、A/D変換器36から出力されるデジタルデータ、およびベースバンド回路6の基準電圧がそれぞれ入力され、該A/D変換器36のデジタルデータと基準電圧とを比較し、比較結果を出力する。
さらに、出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)の電圧可変部32の回路構成について、図3を用いて説明する。
電圧可変部32は、電流源381〜38N、スイッチ391〜39N、および抵抗40から構成されている。スイッチ391〜39Nの一方の接続部には、電流源381〜38Nがそれぞれ接続されている。
スイッチ391〜39Nの他方の接続部は、抵抗40の一方の接続部、およびアンプ33の正側入力端子に共通接続され、該抵抗40の他方の接続部には、基準電位(VSS)が接続されている。
電流源381〜38Nは、たとえば、10μA、20μA、40μA、80μA・・・となるように、電流値が倍々になるように設定されている。スイッチ391〜39Nは、レジスタ15aによってON/OFF制御が行われる。
レジスタ15aは、スイッチ391〜39Nのうち、いずれか1つを選択してONにする。選択したスイッチを介して任意の電流源から出力された電流は、抵抗40によって電圧に変換されてアンプ33の正側入力端子に入力される。
また、図4は、A/D変換器36の回路構成を示す図である。
A/D変換器36は、抵抗41〜49、アンプ50〜52、コンパレータ53〜57、エンコーダ58、および電流源59から構成されている。
ある電流値を流す電流源59と基準電位との間には、抵抗41〜44が直列接続されている。また、抵抗45〜49は、コンパレータ53の他方の入力部と基準電位との間に直列接続されている。
抵抗41と抵抗42、抵抗42と抵抗43、ならびに抵抗43と抵抗44との接続部には、アンプ50〜52の正(+)側入力端子がそれぞれ接続されている。
アンプ50の出力端子には、該アンプ50の負(−)側入力端子、抵抗45の一方の接続端子、およびコンパレータ53の一方の入力端子が接続されている。アンプ51の出力端子には、該アンプ51の負側入力端子、および抵抗46と抵抗47の接続端子が接続されている。アンプ52の出力端子には、該アンプ52の負側入力端子、ならびに抵抗49の一方の接続端子が接続されている。
コンパレータ53〜57の一方の入力端子には、RF処理部5から出力されたI信号(、Q信号)が入力されるように接続されている。コンパレータ54の他方の入力端子には、抵抗45と抵抗46との接続端子が接続されており、コンパレータ55の他方の入力端子には、抵抗46と抵抗47との接続端子が接続されている。
また、コンパレータ56の他方の入力端子には、抵抗47と抵抗48との接続端子が接続されている。コンパレータ57の他方の入力端子には。抵抗48と抵抗49との接続端子が接続されている。
抵抗41〜44によって分圧されたそれぞれの電圧は、アンプ50〜52を介して出力され、コンパレータ53,55,57の他方の入力端子にそれぞれ入力される。
アンプ50から出力された電圧が、最も高い基準電圧(Hi)となり、アンプ51から出力された電圧が、中間レベルの基準電圧(Center)となる。アンプ52から出力された電圧が、最も低い基準電圧(Lo)となる。
さらに、コンパレータ54,56の他方の入力部には、抵抗45,46で分圧された電圧、および抵抗47,48で分圧された電圧が、基準電圧としてそれぞれ入力される。
よって、コンパレータ53〜57には、異なる5つのレベルの基準電圧がそれぞれ入力され、RF処理部5から出力されたI信号(、Q信号)と該基準電圧とを比較し、その比較結果をエンコーダ58に出力する。
エンコーダ58は、コンパレータ53〜57から出力された比較結果をエンコードして、デジタル信号処理に用いるデジタルデータとして後段の回路に出力するとともにデジタルコンパレータ37に出力する。
次に、本実施の形態のRF処理部5、およびベースバンド回路6による作用について説明する。
まず、電源投入後、通信移動体システム1がトレーニング期間になると、制御回路CCは、スイッチ34をOFF、スイッチ35をONにして、アンプAMP1(,AMP2)から出力される信号を遮断するとともに、デジタルコンパレータ37を導通状態する。
A/D変換器36は、出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)から出力される調整用電圧をデジタルデータに変換してデジタルコンパレータ37に出力する。
デジタルコンパレータ37は、A/D変換器36から出力されたデジタルデータと基準電圧とを比較し、その比較結果を制御回路CCに出力する。制御回路CCは、デジタルコンパレータ37の比較結果に基づいて、A/D変換器36のデジタルデータが該ベースバンド回路6の基準電圧と同じ程度になるように電圧を可変して調整する。
出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)における電圧の可変調整を図5の遷移図を用いて説明する。
CPUは、レジスタ15aのデータを設定してスイッチ391をONさせ、最も電流値の小さい電流源381のみを導通させる。スイッチ391を介して電流源381からの電流により、抵抗40に発生したある電圧が、アンプ33の正(+)側入力端子に入力される。
アンプ33は、正側入力端子に存在する電圧と同じ程度の電圧をベースバンド回路6のA/D変換器36に出力する。A/D変換器36は、入力された電圧をデジタルデータに変換してデジタルコンパレータ37に出力する。
デジタルコンパレータ37は、入力レベルを設定するベースバンド回路6の基準電圧とデジタルコンパレータ37から出力されたデジタルデータとを比較し、その比較結果を制御回路CCに出力する。
そして、ベースバンド回路6の基準電圧がデジタルコンパレータ37のデジタルデータよりも小さい場合(ステップS101)、CPUは、レジスタ15aのデータを再設定してスイッチ392をONさせ、電流源381よりも大きい電流値の電流源382を導通させる(ステップS102)。
制御回路CCは、ステップS101,102の処理をベースバンド回路6の基準電圧がデジタルコンパレータ37のデジタルデータよりも大きくなるまで繰り返し実行し、該基準電圧がデジタルコンパレータ37のデジタルデータよりも大きくなったところで処理が終了となる。
これによって、I信号(、Q信号)の出力レベルは、ベースバンド回路6の基準電圧(入力レベル)にほぼ等しくなるまで調整される。
その後、トレーニング期間が終了すると、制御回路CCは、スイッチ34をONにしてアンプAMP1(,AMP2)から出力されるI信号(、Q信号)がアンプ33の負側入力端子に入力されるようにするとともに、スイッチ35をOFFにして、デジタルコンパレータ37からの比較結果を遮断し、通常の受信期間となる。
ここでは、スイッチ33,34を有する構成としたが、これらスイッチ33,34を設けず、たとえば、トレーニング期間中は、デジタルコンパレータ37から出力される信号を有効、アンプAMP1(,AMP2)から出力される信号を無効にし、トレーニング期間が終了すると、デジタルコンパレータ37から出力される信号を無効、アンプAMP1(,AMP2)から出力される信号が有効となるようにソフトウェア的に実現するようにしてもよい。
また、図6は、比較例として本発明者が検討したI信号/Q信号の出力波形の一例を示す説明図であり、図7は、本実施の形態によるRF処理部5から出力されるI信号/Q信号の出力波形例である。
たとえば、図6に示すように、I信号/Q信号の出力レベルとベースバンド回路6の基準電圧とが、製造ばらつきなどによってばらついていても、出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)がない場合には、I信号/Q信号がそのままベースバンド回路6に出力されてしまうので、該I信号/Q信号がベースバンド回路6の入力ダイナミックレンジの許容範囲外となってしまい、受信特性が悪化してしまう恐れがある。
しかし、図7に示すように、出力電圧調整回路CVC1(,CVC2)によって、I信号/Q信号の出力レベルをベースバンド回路6の基準電圧に見合うように調整して出力することにより、該出力レベルがベースバンド回路6の入力ダイナミックレンジの許容範囲内となるので良好な受信特性を得ることができる。
それにより、本実施の形態によれば、出力電圧調整回路CVC1,CVC2が、トレーニング期間中にI信号/Q信号の出力レベルをベースバンド回路6の基準電圧に見合うように調整することにより、通信移動体システム1の受信特性を向上させることができる。
また、製造ばらつきなどによってI信号/Q信号の出力レベルが大きくばらついても、RF処理部5を問題なく使用することができるので、該RF処理部5の歩留まりを小さくすることができるとともに、通信移動体システム1の製造コストを小さくすることができる。
以上、本発明者によってなされたシステムを1つの特定の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、基本的に内在する技術に基づいて必要ならば変更、および変形可能であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施の形態では、フィードバック制御によってベースバンド回路の基準電圧に見合うようにRF処理部のI信号/Q信号の出力レベルを調整したが、図8に示すように、ベースバンド回路6の基準電圧をRF処理部5のアンプ33の正側入力端子に直接入力する構成としてもよい。
ベースバンド回路6の基準電圧は、A/D変換器36において生成される基準電圧(Center)が用いられ、この基準電圧(Center)は、ベースバンド回路6に設けられた外部出力端子Toutから出力され、RF処理部5に設けられた外部入力端子Tinを介して入力される。
この場合、RF処理部5のI信号/Q信号の出力レベルを、基準電圧(Center)に合わせることができる。
それによっても、通信移動体システム1の受信特性を向上させることができ、かつ製造コストを小さくすることができる。また、出力電圧調整回路CVC1,CVC2(図2)が不要となり、RF処理部5の小型化、および低コスト化を実現することができる。
本発明の実施の形態による通信移動体システムのブロック図である。 図1の通信移動体システムにおけるRF処理部とベースバンド回路との回路構成を示す説明図である。 図2の出力電圧調整回路に設けられた電圧可変部の回路構成の一例を示す説明図である。 図2のベースバンド回路に設けられたA/D変換器の一例を示す回路図である。 図2の出力電圧調整回路における電圧の可変調整の際の状態遷移図である。 比較例として本発明者が検討したI信号/Q信号の出力波形の一例を示す説明図である。 図2のRF処理部から出力されるI信号/Q信号の出力波形例である。 本発明の他の実施の形態によるRF処理部とベースバンド回路との回路構成を示す説明図である。
符号の説明
1 通信移動体システム(携帯端末システム)
2 送受信用アンテナ
2a アンテナスイッチ
3 高周波フィルタ
4 高周波電力増幅回路
5 RF処理部(半導体集積回路装置、第1の半導体集積回路装置)
6 ベースバンド回路(半導体集積回路装置、第2の半導体集積回路装置)
7〜9 ローノイズアンプ
10 位相分周回路
11,12 ミキサ回路
13,14 高利得増幅部
15 オフセットキャンセル回路
15a レジスタ(格納部)
16 発振回路
17 分周回路
18 位相分周回路
19,20 変調回路
21 加算器
22 送信用発振回路
23 オフセットミキサ
24 アナログ位相比較器
25 ディジタル位相比較器
26 ループフィルタ
27 制御回路
28 RFシンセサイザ
29 IFシンセサイザ
30 基準発振回路
31 高周波用発振回路
32 電圧可変部(電圧発生部)
33 アンプ(増幅部)
34,35 スイッチ
36 A/D変換器
37 デジタルコンパレータ(比較部)
381〜38N 電流源
391〜39N スイッチ
40〜49 抵抗
50〜52 アンプ
53〜57 コンパレータ
58 エンコーダ
59 電流源
RXC 受信系回路
TXC 送信系回路
CTC 制御系回路
LPF11〜LPF14 ローパスフィルタ
LPF21〜LPF24 ローパスフィルタ
PGA11〜PGA13 利得制御アンプ
PGA21〜PGA23 利得制御アンプ
AMP1,AMP2 アンプ
CVC1,CVC2 出力電圧調整回路(電圧出力調整部)
SW1〜SW3 スイッチ
CRG コントロールレジスタ
CC 制御回路(制御部)

Claims (11)

  1. 受信信号をベースバンドに周波数変換し、I信号、およびQ信号として出力する高周波処理用の半導体集積回路装置であって、前記I信号、およびQ信号の出力電圧レベルの調整指示を行う調整用信号が入力される外部入力端子を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 請求項1記載の半導体集積回路装置において、前記外部入力端子を介して入力された調整用信号に基づいて、I信号、およびQ信号の出力電圧レベルを調整する出力電圧調整部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  3. 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
    前記出力電圧調整部は、
    前記調整用信号の指示に基づいて、制御データを出力する制御部と、
    前記制御部の制御信号を格納する格納部と、
    前記格納部に格納された制御信号に基づいて、複数の異なる電流値のうち、任意の電流値を流して任意の電圧に変換する電圧発生部と、
    前記電圧発生部によって変換された電圧値を、I信号、およびQ信号の出力電圧レベルとして出力する増幅部とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
  4. 請求項3記載の半導体集積回路装置において、前記電圧発生部から出力される電圧は、0.1V程度、またはそれ以下のステップで変化することを特徴とする半導体集積回路装置。
  5. 受信信号をベースバンドに周波数変換し、I信号、およびQ信号として出力する高周波処理用の半導体集積回路装置であって、
    前記I信号、およびQ信号における出力電圧レベルの調整指示を行う基準電圧が入力される外部入力端子を備え、
    前記外部入力端子を介して入力された基準電圧に基づいて、前記I信号、およびQ信号の出力電圧レベルを調整する増幅部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  6. 高周波処理用の半導体集積回路装置によって周波数変換されたI信号、Q信号をデジタル信号に変換し、そのデジタル信号のレベルを測定してレベルコントロールを実行するベースバンド処理用の半導体集積回路装置であって、
    前記I信号、およびQ信号の出力電圧レベルの調整指示を行う調整用信号を出力する外部出力端子を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  7. 請求項6記載の半導体集積回路装置において、外部入力された出力電圧レベルをデジタルデータに変換するA/D変換器と、
    前記A/D変換器から出力されたデジタルデータと基準電圧とを比較し、その比較結果を調整用信号として出力する比較部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  8. 受信信号をベースバンドに周波数変換し、I信号、およびQ信号として出力する高周波処理用の第1の半導体集積回路装置と、前記第1の半導体集積回路装置によって周波数変換されたI信号、Q信号をデジタル信号に変換し、そのデジタル信号のレベルを測定してレベルコントロールを実行するベースバンド処理用の第2の半導体集積回路装置とを備えた携帯端末システムであって、
    前記第1の半導体集積回路装置は、前記I信号、およびQ信号の出力電圧レベルの調整指示を行う調整用信号が入力される外部入力端子を備え、
    前記第2の半導体集積回路装置は、前記調整用信号を出力する前記第1の半導体集積回路装置の外部入力端子に出力する外部出力端子を備えたことを特徴とする携帯端末システム。
  9. 請求項8記載の携帯端末システムにおいて、
    前記第1の半導体集積回路装置は、
    前記外部入力端子を介して入力された調整用信号に基づいて、I信号、およびQ信号の出力電圧レベルを調整する出力電圧調整部を備え、
    前記第2の半導体集積回路装置は、
    外部入力された出力電圧レベルをデジタルデータに変換するA/D変換器と、
    前記A/D変換器から出力されたデジタルデータと基準電圧とを比較し、その比較結果を調整用信号として出力する比較部とを備えたことを特徴とする携帯端末システム。
  10. 請求項9記載の携帯端末システムにおいて、
    前記第1の半導体集積回路装置の出力電圧調整部は、
    前記調整用信号の指示に基づいて、制御データを出力する制御部と、
    前記制御部の制御信号を格納する格納部と、
    前記格納部に格納された制御信号に基づいて、複数の異なる電流値のうち、任意の電流値を流して任意の電圧に変換する電圧発生部と、
    前記電圧発生部によって変換された電圧値を、I信号、およびQ信号の出力電圧レベルとして出力する増幅部とを備えることを特徴とする携帯端末システム。
  11. 請求項10記載の携帯端末システムにおいて、
    前記電圧発生部から出力される電圧は、0.1V程度、またはそれ以下のステップで変化することを特徴とする携帯端末システム。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2424324B (en) * 2005-03-14 2008-10-01 Renesas Tech Corp Communication semiconductor integrated circuit device incorporating a pll circuit therein
US8374225B2 (en) * 2006-12-19 2013-02-12 Broadcom Corporation Voice/data/RF integrated circuit
TWM407384U (en) * 2010-11-17 2011-07-11 Middleland Sensing Technology Inc Digitalized sensor system
JP5702124B2 (ja) * 2010-12-02 2015-04-15 ラピスセミコンダクタ株式会社 無線通信装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4560941A (en) * 1984-09-21 1985-12-24 General Electric Company Frequency modulation detector using digital signal vector processing
US5724652A (en) * 1996-10-24 1998-03-03 Motorola, Inc. Method for acquiring a rapid automatic gain control (AGC) response in a narrow band receiver
JP3048136B2 (ja) * 1997-12-18 2000-06-05 日本電気株式会社 無線選択呼出受信機
US6484042B1 (en) * 1999-08-25 2002-11-19 Skyworks Solutions, Inc. Secondary automatic gain control loops for direct conversion CDMA receivers
US6735422B1 (en) * 2000-10-02 2004-05-11 Baldwin Keith R Calibrated DC compensation system for a wireless communication device configured in a zero intermediate frequency architecture
JP2003173211A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Rohm Co Ltd レギュレータ
JP2003198404A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイレクトコンバージョン受信機及びこれを用いた移動無線機、並びにrf信号の受信方法
US6904268B2 (en) * 2002-09-30 2005-06-07 Motorola, Inc. Low noise linear transmitter using cartesian feedback
DE10250613B4 (de) * 2002-10-30 2007-02-08 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Integrierter RF-Signalpegeldetektor, der für die automatische Leistungspegelsteuerung verwendbar ist
US7187916B2 (en) * 2003-02-07 2007-03-06 Broadcom Corporation Method and system for measuring receiver mixer IQ mismatch
US8027376B2 (en) * 2003-02-07 2011-09-27 Broadcom Corporation Method and system for measuring IQ path mismatch

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