JP2005020018A - Adhesive and electrical device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は接着剤にかかり、特に、半導体チップを基板に接続する接着剤に関する。 The present invention relates to an adhesive, and more particularly to an adhesive for connecting a semiconductor chip to a substrate.
従来より、半導体チップを基板上に接着するために熱硬化性又は熱可塑性樹脂から成る接着剤が用いられている。 Conventionally, an adhesive made of a thermosetting or thermoplastic resin has been used to bond a semiconductor chip onto a substrate.
図4は、半導体チップ111が、接着剤112によって基板113に貼付された状態を示しており、半導体チップ111が有するバンプ状の端子121は、基板113上の配線パターンの一部から成る端子122上に当接されている。この状態では、半導体チップ111内の電気素子は、端子121、122を介して基板113上の配線パターンに電気的に接続されている。
FIG. 4 shows a state in which the
しかし、半導体チップの線膨張係数は3ppm/℃程度であるのに対し、接着剤112の線膨張係数は25〜60ppm/℃と大きいため、線膨張係数の差から接着界面に応力が残留する。特に、半導体チップの周辺部では、チップサイズが大きくなるほど残留応力が大きくなるため、熱硬化性の接着剤112を硬化させた後、温度サイクル試験やプレッシャークッカー試験を行うと、半導体チップ111が剥離してしまうという問題が発生する。
However, the linear expansion coefficient of the semiconductor chip is about 3 ppm / ° C., whereas the linear expansion coefficient of the
また、従来技術の接着剤では、吸湿の条件によって半導体チップ111を接着した後の信頼性の低下が著しく、そのため、半導体チップ111を貼付した後、リフロー炉を通過させて接着剤112を硬化させる前に、予め100℃前後に昇温させ、脱水処理を行う必要があった。
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は信頼性が高い接着剤を提供することにある。 The present invention was created to solve the above-described disadvantages of the prior art, and an object thereof is to provide an adhesive having high reliability.
半導体チップを基板に接続する接着剤には、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂があるが、熱硬化性樹脂の場合、半導体チップの剥離を防止するために、接着剤のガラス転移点を半導体チップを使用する温度範囲よりも高温側に置く必要がある。 The adhesive that connects the semiconductor chip to the substrate includes thermoplastic resin and thermosetting resin. In the case of thermosetting resin, the glass transition point of the adhesive is used to prevent the semiconductor chip from peeling. It is necessary to place it on the higher temperature side than the temperature range to be used.
本発明の発明者等は、熱硬化性樹脂の場合に三次元網目構造を形成する主鎖が単一であると、弾性率の温度依存性は単一の主鎖に支配され、弾性率が単調に変化するため、半導体チップに及ぼす応力が大きなものになっていることを見出した。従って、三次元網目構造を維持しながら、使用温度範囲内で接着剤の弾性率の低下が急激に大きくなる温度を設定すれば、応力を緩和できることになる。 In the case of a thermosetting resin, the inventors of the present invention have a single main chain that forms a three-dimensional network structure, the temperature dependence of the elastic modulus is governed by a single main chain, and the elastic modulus is It has been found that the stress exerted on the semiconductor chip is large because it changes monotonously. Therefore, stress can be relieved by setting a temperature at which the decrease in the elastic modulus of the adhesive rapidly increases within the operating temperature range while maintaining the three-dimensional network structure.
本発明は上記知見に基づいて創作されたもので、請求項1記載の発明は、半導体チップと基板との接続に用いられる接着剤であって、重合可能な主樹脂成分と、前記主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、前記主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有する接着剤である。
請求項2記載の発明は、硬化後の物性において温度の上昇に伴って弾性率が低下する請求項1記載の接着剤であって、30℃よりも高温で150℃よりも低温の第1の温度と、130℃以上250℃以下の温度範囲にあり、且つ前記第1の温度よりも高温である第2の温度の両方において、弾性率の低下率が急増する接着剤である。
請求項3記載の発明は、前記第1の温度と前記第2の温度の間の温度差は、40℃以上ある特徴とする請求項2記載の接着剤である。
請求項4記載の発明は、前記主樹脂成分はエポキシ樹脂である請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項5記載の発明は、導電性粒子が含有された請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項6記載の発明は、前記主樹脂成分とは別に重合反応する副樹脂成分を含有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項7記載の発明は、予め半硬化され、シート状に成形された請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項8記載の発明は、半導体チップと、基板と、前記半導体チップと基板の間に配置され、熱処理によって硬化された請求項1乃至請求項7のいずれか1項記載の接着剤とを有する電気装置である。
請求項9記載の発明は、重合可能な主樹脂成分と、前記主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、前記主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有し、
半導体チップと基板との接続に用いられ、硬化後の物性において温度の上昇に伴って弾性率が低下する接着剤であって、30℃よりも高温で150℃よりも低温の第1の温度と、130℃以上250℃以下の温度範囲にあり、且つ前記第1の温度よりも高温である第2の温度の両方において、弾性率の低下率が急増する接着剤である。
請求項10記載の発明は、前記主樹脂成分:前記副硬化剤の値が20:5以上20:1.5以下の範囲で含有された請求項9記載の接着剤である。
請求項11記載の発明は、前記第1の温度と前記第2の温度の間の温度差は、40℃以上あることを特徴とする請求項10記載の接着剤である。
請求項12記載の発明は、前記主樹脂成分はエポキシ樹脂である請求項9乃至請求項11のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項13記載の発明は、前記副硬化剤は、アミン系、フェノール系、ヒドラジッド系、メルカプト系、ジシアンジアミド系の硬化剤である請求項9乃至請求項12のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項14記載の発明は、導電性粒子が含有された請求項9乃至請求項13のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項15記載の発明は、前記主樹脂成分とは別に重合反応する副樹脂成分を含有する請求項9乃至請求項14のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項16記載の発明は、予め半硬化され、シート状に成形された請求項9乃至請求項15のいずれか1項記載の接着剤である。
請求項17記載の発明は、半導体チップと、基板と、前記半導体チップと基板の間に配置され、熱処理によって硬化された請求項9乃至請求項16のいずれか1項記載の接着剤とを有する電気装置である。
The present invention was created based on the above knowledge, and the invention according to claim 1 is an adhesive used for connecting a semiconductor chip and a substrate, which is a polymerizable main resin component, and the main resin component Is an adhesive containing a main curing agent that undergoes a self-polymerization reaction and a secondary curing agent that undergoes an addition polymerization reaction with the main resin component.
The invention according to claim 2 is the adhesive according to claim 1, wherein the elastic modulus decreases as the temperature increases in the physical properties after curing, wherein the first temperature is higher than 30 ° C. and lower than 150 ° C. It is an adhesive whose elastic modulus decreases rapidly both at a temperature and in a temperature range of 130 ° C. or higher and 250 ° C. or lower and a second temperature that is higher than the first temperature.
A third aspect of the present invention is the adhesive according to the second aspect, wherein the temperature difference between the first temperature and the second temperature is 40 ° C. or more.
The invention according to claim 4 is the adhesive according to any one of claims 1 to 3, wherein the main resin component is an epoxy resin.
The invention according to
Invention of
The invention according to claim 7 is the adhesive according to any one of claims 1 to 6, which is semi-cured in advance and formed into a sheet shape.
Invention of Claim 8 has a semiconductor chip, a board | substrate, the adhesive agent of any one of Claim 1 thru | or 7 arrange | positioned between the said semiconductor chip and a board | substrate, and hardened | cured by heat processing. It is an electrical device.
Invention of Claim 9 contains the main resin component which can superpose | polymerize, the main hardening agent which carries out the self-polymerization reaction of the said main resin component, and the secondary hardening agent which carries out addition polymerization reaction to the said main resin component,
An adhesive that is used for connection between a semiconductor chip and a substrate and has an elastic modulus that decreases with increasing temperature in physical properties after curing, and is a first temperature that is higher than 30 ° C. and lower than 150 ° C. The adhesive has a rapidly decreasing elastic modulus both at a temperature range of 130 ° C. to 250 ° C. and at a second temperature higher than the first temperature.
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to claim 14 is the adhesive according to any one of claims 9 to 13 containing conductive particles.
A fifteenth aspect of the invention is the adhesive according to any one of the ninth to fourteenth aspects, comprising a sub resin component that undergoes a polymerization reaction separately from the main resin component.
The invention according to claim 16 is the adhesive according to any one of claims 9 to 15, which is semi-cured in advance and formed into a sheet shape.
The invention according to claim 17 includes a semiconductor chip, a substrate, and the adhesive according to any one of claims 9 to 16 disposed between the semiconductor chip and the substrate and cured by heat treatment. It is an electrical device.
本発明は上記のように構成されており、主硬化剤によって主樹脂成分が自己重合され、三次元網目構造の組織を作っており、その組織に副硬化剤が付加重合している。従って、弾性率変化には、網目構造の部分と、付加重合によって形成された網目構造の部分とで異なるガラス転移点が発現し、弾性率の変化率は第1、第2の温度の2点で急変する。第1、第2の温度付近以外の温度範囲では、弾性率の変化率は略一定であり、温度の増加に従って弾性率は低下する。 The present invention is configured as described above. The main resin component is self-polymerized by the main curing agent to form a three-dimensional network structure, and the sub-curing agent is addition-polymerized in the structure. Accordingly, in the elastic modulus change, different glass transition points appear in the network structure portion and the network structure portion formed by addition polymerization, and the elastic modulus change rate is two points of the first and second temperatures. It changes suddenly. In a temperature range other than the vicinity of the first and second temperatures, the rate of change of the elastic modulus is substantially constant, and the elastic modulus decreases as the temperature increases.
接着剤が昇温した場合温度上昇に伴って弾性率が低下するが、第1の温度よりも高温になると付加重合した部分がゴム状になり、弾性率が急激に減少する。従って、第1の温度以上の温度では、応力の増加が少なくなっている。 When the temperature of the adhesive is increased, the elastic modulus is reduced as the temperature is increased. However, when the temperature is higher than the first temperature, the addition-polymerized portion becomes rubbery and the elastic modulus is rapidly reduced. Therefore, the increase in stress is small at a temperature equal to or higher than the first temperature.
第1の温度よりも高温に昇温しても、第2の温度よりも低ければ、自己重合によって形成された三次元網目構造の部分はガラス状態を維持するので、接着力が低下せず、半導体チップが基板から剥離することはない。 Even if the temperature is raised to a temperature higher than the first temperature, if the temperature is lower than the second temperature, the portion of the three-dimensional network structure formed by self-polymerization maintains the glass state, so the adhesive force does not decrease, The semiconductor chip does not peel from the substrate.
弾性率の低下率が二段階に変化するので、半導体チップに加わる応力が小さく、信頼性の高い電気装置を得ることができる。 Since the rate of decrease in the elastic modulus changes in two stages, an electrical device with low stress applied to the semiconductor chip and high reliability can be obtained.
本発明の実施形態を説明する。
先ず、重合可能な主樹脂成分と、その主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを配合し、本発明の接着剤を作製した。この接着剤はペースト状である。
An embodiment of the present invention will be described.
First, a main resin component capable of polymerization, a main curing agent that self-polymerizes the main resin component, and a secondary curing agent that undergoes an addition polymerization reaction with the main resin component were blended to prepare the adhesive of the present invention. This adhesive is paste-like.
図1(a)の符号13は表面に銅配線が配置された基板であり、その銅配線の一部によって、接続端子22が形成されている。この接続端子22上に、接着剤を一定量塗布する。図1(b)の符号12は、塗布された状態の接着剤を示している。
図1(c)の符号11は半導体チップである。この半導体チップ11の一面には、内部回路に接続されたバンプ状の接続端子21が形成されている。半導体チップ11の接続端子21が位置する側の面を接着剤12に押し当て、基板13の接続端子22と半導体チップ11の接続端子21とを当接させると共に加熱し、接着剤12を硬化させると、半導体チップ11と基板13の接続端子21、22同士が電気的に接続された状態で半導体チップ11が基板13に固定され、本発明の電気装置5が得られる。
上記接着剤はペースト状であったが、本発明の接着剤は、自己支持性を示す程度に半硬化させたフィルム状のものや、固形樹脂を添加してフィルム状にしたものも含まれる。 The adhesive was in the form of a paste, but the adhesive of the present invention includes a film that has been semi-cured to such an extent that it exhibits self-supporting properties, and a film that has been made into a film by adding a solid resin.
図2(a)の符号15は、本発明の一例のフィルム状の接着剤を示しており、図2(b)に示すように、この接着剤15を、先ず、基板13の接続端子22が形成された側の面に貼付し、次いで、図2(c)に示すように、接着剤15の表面に半導体チップ11を貼付し、基板13の接続端子22と半導体チップ11の接続端子21とを当接させ、加熱処理して接着剤15を硬化させると、本発明の電気装置6が得られる。
図3は、本発明の一例の接着剤の温度に対する弾性率と損失弾性率とtanδの関係を示すグラフである。この接着剤は、重合可能な主樹脂成分としてエポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「HP4032D」)20重量部と、その主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤として、エポキシ分散イミダゾール系硬化剤(旭化成(株)製「HX3941HP」)15重量部と、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤として、フェノール系硬化剤(大日本インキ化学工業(株)製「VH4170」)5重量部と、また、エポキシ樹脂とは反応しない副樹脂成分としてフェノキシ樹脂(東都化成(株)製「YP50」)10重量部と、フィラーとしてシリカが45重量部それぞれ含有されている。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the elastic modulus, the loss elastic modulus, and tan δ with respect to the temperature of an adhesive according to an example of the present invention. This adhesive is an epoxy-dispersed imidazole as a main curing agent for self-polymerizing the main resin component with 20 parts by weight of an epoxy resin (“HP4032D” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as a main resin component that can be polymerized. 15 parts by weight of a hardener (“HX3941HP” manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) and a phenolic hardener (“VH4170” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) as a secondary hardener that undergoes an addition polymerization reaction with the
この接着剤を加熱した場合、先ず、約100℃の第1の温度P1で弾性率の低下率(温度変化に対する弾性率変化を示す曲線の勾配)が急激に大きくなり、次いで、約160℃の第2の温度P2で、更に弾性率の低下率が大きくなる。室温から第1の温度P1までの間、第1の温度P1から第2の温度P2の間、第2の温度P2から200℃までの間では、弾性率低下率は略一定である。 When this adhesive is heated, first, the rate of decrease in elastic modulus (the slope of the curve showing the change in elastic modulus with respect to temperature change) suddenly increases at a first temperature P 1 of about 100 ° C., and then about 160 ° C. At the second temperature P 2 , the rate of decrease in the elastic modulus is further increased. The elastic modulus decrease rate is substantially constant between room temperature and the first temperature P 1 , between the first temperature P 1 and the second temperature P 2 , and between the second temperature P 2 and 200 ° C. is there.
主樹脂成分にエポキシ樹脂を用いた場合、主樹脂成分を自己重合させる主硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤の他、3級アミン、ルイス酸系触媒を用いることができる。主樹脂成分に付加重合する副硬化剤としては、活性水素を持ったアミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、ヒドラジッド系硬化剤、メルカプト系硬化剤、ジシアンジアミド系硬化剤等を使用することができる。 When an epoxy resin is used as the main resin component, as the main curing agent for self-polymerizing the main resin component, a tertiary amine or a Lewis acid catalyst can be used in addition to the imidazole curing agent. As the secondary curing agent that undergoes addition polymerization to the main resin component, an amine curing agent having active hydrogen, a phenol curing agent, a hydrazide curing agent, a mercapto curing agent, a dicyandiamide curing agent, or the like can be used.
なお、本発明の樹脂は、生産の効率上短時間で硬化させることが望ましいため180℃以上250℃以下の温度で5秒以上20秒以下の時間加熱する。従って、第2の温度P2は少なくとも130℃以上であることが望ましい。また、リフロー炉で硬化させた後に残留応力が残らないためには、加熱中の最高温度において、0.5GPa以下の弾性率であることが望ましい。目安として250℃において、0.5GPa以下且つ0.1GPa以上であることが望ましい。 In addition, since it is desirable to harden the resin of this invention in a short time on the efficiency of production, it heats for 5 to 20 seconds at the temperature of 180 to 250 degreeC. Accordingly, the second temperature P 2 is desirably at least 130 ° C. or higher. Further, in order to leave no residual stress after curing in a reflow furnace, it is desirable that the elastic modulus is 0.5 GPa or less at the highest temperature during heating. As a guide, at 250 ° C., it is preferably 0.5 GPa or less and 0.1 GPa or more.
次に、下記表1に示す配合で、実施例1〜実施例6、及び比較例1の接着剤を作製した。 Next, adhesives of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 were prepared with the formulation shown in Table 1 below.
HP4032DとEP828が、本発明の重合可能な主樹脂成分であり、HX3941HPが主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤である。また、DICYとVH4170が、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤である。YP50は、主樹脂成分とは別に重合反応する副樹脂成分である。比較例1は、副硬化剤を含有していない。 HP4032D and EP828 are polymerizable main resin components of the present invention, and HX3941HP is a main curing agent that causes the main resin component to undergo a self-polymerization reaction. DICY and VH4170 are secondary curing agents that undergo an addition polymerization reaction with the main resin component. YP50 is a secondary resin component that undergoes a polymerization reaction separately from the main resin component. Comparative Example 1 does not contain a secondary curing agent.
上記実施例1〜6及び比較例1の接着剤はフィルム状であり、図1(a)〜(c)に示すように、接続試験用に特別に作製された半導体チップ11をガラスエポキシ基板である基板13に乗せ、180℃×20秒の条件で接続した。このとき印加した荷重は、半導体チップ11の接続端子11の1個当たり100gである。なお、用いた半導体チップ11の大きさは10mm角であり、シリコンチップである。
The adhesives of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 are in the form of a film, and as shown in FIGS. 1A to 1C, a
上記とは別に、実施例1〜6及び比較例1の接着フィルムを200℃の温度で5分間加熱して硬化させた後、2mm×5cm、厚み50μmの大きさに切り取り、試験片を作製した。その試験片によって半導体チップ11を基板13に貼付し、30℃、RH70%の雰囲気中に192時間放置した後、リフロー炉中を通過させ、最高温度240℃で加熱し、接着剤を硬化させた。
Separately from the above, the adhesive films of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 were cured by heating at a temperature of 200 ° C. for 5 minutes, and then cut into a size of 2 mm × 5 cm and a thickness of 50 μm to prepare a test piece. . The
試験片に対し、損失正接(tanδ)と250℃の弾性率、及び弾性率の変化率が増加方向に急変する第1、第2の温度P1、P2と、その第1、第2の温度P1、P2での弾性率を測定した。損失正接(tanδ)の測定方法は、JIS K7189-1991に従った。 The first and second temperatures P 1 and P 2 at which the loss tangent (tan δ), the elastic modulus at 250 ° C., and the change rate of the elastic modulus change suddenly in the increasing direction, and the first and second The elastic modulus at temperatures P 1 and P 2 was measured. The loss tangent (tan δ) was measured according to JIS K7189-1991.
また、半導体チップ11が接続された基板13に対し、温度サイクル試験(TCT)とプレッシャークッカー試験(PCT)を行った。
それらの結果を下記表2に示す。
Further, a temperature cycle test (TCT) and a pressure cooker test (PCT) were performed on the
The results are shown in Table 2 below.
上記表2から分かるとおり、実施例1〜6では、比較例1に比べ、温度サイクル試験で数十倍の信頼性が得られており、また、300時間のプレッシャークッカー試験の結果は、比較例1では、半導体チップ11と基板13の接続端子21、22間の電気的接続が失われ、不良になっているのに対し、本発明の接着剤を用いた実施例1〜6は電気的接続が維持され、全て良品になっている。
As can be seen from Table 2 above, in Examples 1 to 6, the reliability of the temperature cycle test is several tens of times higher than that in Comparative Example 1, and the results of the 300-hour pressure cooker test are as follows. 1, while the electrical connection between the
第1の温度P1での弾性率E1と第2の温度での弾性率E2の比E1/E2を求めてみると、表2から分かるように、本発明の接着剤では、E1/E2が2.8以上の値になっている。E1/E2の値が2.8以上であれば温度サイクル試験(TCT)
に合格できると予想される。
When I asked the elastic modulus E 1 at a first temperature P 1 ratio E 1 / E 2 of the elastic modulus E 2 at the second temperature, as can be seen from Table 2, with the adhesive of the present invention, E 1 / E 2 is a value of 2.8 or more. Temperature cycle test (TCT) if E 1 / E 2 is 2.8 or higher
Is expected to pass.
なお、上記各実施例では、導電性粒子に金属被膜樹脂粒子を用いたが、金属の粒子を用いることもできる。また、実施例3のように、導電性粒子を含有させなくてもよい。 In each of the above embodiments, metal-coated resin particles are used as the conductive particles, but metal particles can also be used. Moreover, it is not necessary to contain electroconductive particle like Example 3. FIG.
更にまた、上記実施例ではフィラーにシリカを用いたが、アルミナや酸化チタン等の他のフィラーを用いてもよい。主樹脂成分とは別に重合反応する副樹脂成分としてフェノキシ樹脂を用いたが、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の他の種類の樹脂を用いることができる。また、副樹脂成分を含有させなくてもよい。また、カップリング剤等の添加剤を配合することもできる。 Furthermore, in the above embodiment, silica is used as the filler, but other fillers such as alumina and titanium oxide may be used. Although a phenoxy resin is used as an auxiliary resin component that undergoes a polymerization reaction separately from the main resin component, other types of resins such as a polyester resin, an acrylic resin, and a urethane resin can be used. Moreover, it is not necessary to contain a sub resin component. Moreover, additives, such as a coupling agent, can also be mix | blended.
11……半導体チップ
12、15……接着剤
13……基板
5、6……電気装置
P1……第1の温度
P2……第2の温度
11 ......
Claims (17)
重合可能な主樹脂成分と、
前記主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、
前記主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有する接着剤。 An adhesive used to connect a semiconductor chip and a substrate,
A polymerizable main resin component;
A main curing agent for self-polymerizing the main resin component;
An adhesive containing a secondary curing agent that undergoes an addition polymerization reaction with the main resin component.
30℃よりも高温で150℃よりも低温の第1の温度と、130℃以上250℃以下の温度範囲にあり、且つ前記第1の温度よりも高温である第2の温度の両方において、弾性率の低下率が急増する接着剤。 The adhesive according to claim 1, wherein in the physical properties after curing, the elastic modulus decreases with increasing temperature,
Elasticity at both the first temperature higher than 30 ° C. and lower than 150 ° C. and the second temperature in the temperature range of 130 ° C. to 250 ° C. and higher than the first temperature. Adhesive whose rate of decline increases rapidly.
前記主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、
前記主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有し、
半導体チップと基板との接続に用いられ、硬化後の物性において温度の上昇に伴って弾性率が低下する接着剤であって、
30℃よりも高温で150℃よりも低温の第1の温度と、130℃以上250℃以下の温度範囲にあり、且つ前記第1の温度よりも高温である第2の温度の両方において、弾性率の低下率が急増する接着剤。 A polymerizable main resin component;
A main curing agent for self-polymerizing the main resin component;
A secondary curing agent that undergoes an addition polymerization reaction with the main resin component,
Used for connection between a semiconductor chip and a substrate, an adhesive whose elastic modulus decreases with increasing temperature in the physical properties after curing,
Elasticity at both the first temperature higher than 30 ° C. and lower than 150 ° C. and the second temperature in the temperature range of 130 ° C. to 250 ° C. and higher than the first temperature. Adhesive whose rate of decline increases rapidly.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2011231139A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Kyocera Chemical Corp | Method for forming adhesive layer and adhesive composition |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63154780A (en) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | Ibiden Co Ltd | Adhesive composition and method of using the same as adhesive |
WO1996031574A1 (en) * | 1995-04-04 | 1996-10-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive, adhesive film and adhesive-backed metal foil |
JPH09298369A (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Multilayer wiring board and its manufacture |
JPH10237410A (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-08 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermally conductive adhesive composition and thermally conductive adhesive film prepared by using the same |
JPH11219979A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Electronic part device |
JP2002118144A (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Sony Chem Corp | Adhesive and electrical device |
-
2004
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63154780A (en) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | Ibiden Co Ltd | Adhesive composition and method of using the same as adhesive |
WO1996031574A1 (en) * | 1995-04-04 | 1996-10-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive, adhesive film and adhesive-backed metal foil |
JPH09298369A (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Multilayer wiring board and its manufacture |
JPH10237410A (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-08 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermally conductive adhesive composition and thermally conductive adhesive film prepared by using the same |
JPH11219979A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Electronic part device |
JP2002118144A (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Sony Chem Corp | Adhesive and electrical device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011231139A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Kyocera Chemical Corp | Method for forming adhesive layer and adhesive composition |
US8772176B2 (en) | 2010-04-23 | 2014-07-08 | Kyocera Chemical Corporation | Method for forming an adhesive layer and adhesive composition |
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