JP2005019322A

JP2005019322A - Electroluminescent display device

Info

Publication number: JP2005019322A
Application number: JP2003185239A
Authority: JP
Inventors: Manabu Takei; 学武居; Tomoyuki Shirasaki; 友之白嵜
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2003-06-27
Filing date: 2003-06-27
Publication date: 2005-01-20
Anticipated expiration: 2023-06-27
Also published as: JP4465992B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of a display screen with color mixture. <P>SOLUTION: A plurality of EL elements 11 are arrayed on a base plate 12 in a matrix shape. The EL element 11 is of a laminated structure laminating a reflecting layer 14 for reflecting light, a transparent pixel electrode 15, an EL layer 16 emitting electroluminescence, and a common electrode 17 of a light transmitting property in this order from the base plate 12 side. The pixel electrode 15 functions as a light interference film canceling light reflected on the surface and light reflected by the reflecting layer 14 by interference. The common electrode 17 is coated with a sealing film 19 of a light-transmitting property. A prism sheet 3 is adhered on the surface of the sealing film 19 with an optical adhesive 4. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイパネルを用いたＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子はＥＬ層をカソードとアノードとの間に挟持した構造となっており、カソードとアノードとの間に電圧を印加するとＥＬ層で電界発光する。このようなＥＬ素子を画素として用いるＥＬディスプレイパネルの研究・開発が近年盛んに行われている。一般的に、ＥＬディスプレイパネルは複数のＥＬ素子を基板上にマトリクス状に配列した構造となっており、各ＥＬ素子は基板側からアノード、ＥＬ層、カソードの積層順となっている。特にアノード及びＥＬ層はＥＬ素子ごとに独立して形成されているが、カソードは全てのＥＬ素子に共通してべた一面に形成されており、このカソードは劣化防止のために封止膜によって被覆されている。この際、基板側のアノードを透明電極とし且つ基板を透明基板としたＥＬディスプレイパネルはいわゆるボトムエミッション型といい、基板の裏面が表示面となる。
【０００３】
ＥＬディスプレイパネルの視認性を向上させるために、ＥＬディスプレイパネルの表示面に光学的加工を施すことがある。例えば、外光をＥＬディスプレイパネルの表示面で反射させないために、ＥＬディスプレイパネルの表示面にＡＲ（ＡｎｔｉＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）コートを施すことが行われている。また、ＥＬディスプレイパネルの輝度を向上させるために、ＥＬディスプレイの表示面にマイクロレンズアレイを形成することも行われている（例えば、特許文献１参照。）。また、ＥＬディスプレイパネルの正面指向性を向上させ更に輝度を向上させるために、多数の断面三角形状のプリズムが形成されたプリズムシートをＥＬディスプレイパネルの表示面に接着することも行われている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３２２０００号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マイクロレンズアレイ、プリズムシート、ＡＲコート等をＥＬディスプレイパネルの表示面に施した場合、輝度・正面指向性が向上したり映り込みを防止できたりする反面、プリズム内で光散乱し、ある画素の光が周囲の画素上から出射してしまい、互いの本来の色を打ち消しあってしまい、ユーザにとってはあまり鮮明でない像に見えてしまう。
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、混色の起きた表示画面を防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明のＥＬ表示装置は、複数のＥＬ素子が画素としてマトリクス状に配列され、前記複数のＥＬ素子が光透過性材料で被覆されたＥＬディスプレイパネルと、前記ＥＬディスプレイパネルに光学的特性を付与するために前記光透過性材料の表面に設けられた光学部材と、を備え、
それぞれの前記ＥＬ素子が、前記光透過性材料側から順に、光を透過する光透過性電極、電界発光するＥＬ層、前記ＥＬ層との界面での光の反射を抑制するための反射抑制層を積層してなることを特徴とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明では、ＥＬディスプレイパネルの表示面つまり光透過性材料の表面に光学部材を設けると、或るＥＬ素子のＥＬ層から発した光が光透過性電極、光透過性材料を通じて光学部材に入射した場合に光学部材の再帰反射効果により別のＥＬ素子の反射抑制層に入射する。ここで反射抑制層によって反射が抑制されるため、或るＥＬ素子のＥＬ層から発した光が別のＥＬ素子で反射することを抑えることができる。そのため、ＥＬ素子における混色が低減し、鮮明な像が表示される。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＥＬ表示装置において、前記反射抑制層は電極であることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明では、反射抑制層が電極であることによりＥＬ層に直接電流又は電界を加えることができ、接触抵抗を低く抑え、効率よく発光させることができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のＥＬ表示装置において、光を反射する反射層が前記反射抑制層の前記光透過性電極とは反対側に積層され、前記反射抑制層が透明電極であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明では、反射抑制層が透明電極であるため、ＥＬ層側から反射抑制層に入射した光の一部は反射抑制電極を通じて反射層で反射する。従って、反射抑制電極で反射した反射光と反射層で反射した反射光が光干渉作用によって打ち消し合うことが可能となる。つまり、反射抑制電極は光学干渉膜として機能し、結果として反射抑制電極における光の反射を防止することができる。そのため、請求項１に記載の発明と同様に、或るＥＬ素子のＥＬ層から発した光が別のＥＬ素子で反射を抑制するため、鮮明な像が表示される。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１から３の何れか一項に記載のＥＬ表示装置において、前記反射抑制層は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４の何れか一項に記載のＥＬ表示装置において、前記反射抑制層は、前記ＥＬ層から前記反射抑制層内に進入した後再び前記ＥＬ層内に進行する光を、前記ＥＬ層内に進行する光と、逆位相になるような光学的膜厚であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項１又は２に記載のＥＬ表示装置において、前記反射抑制層が光を吸収する黒色体であることを特徴とする。
【００１５】
請求項６に記載の発明では、反射抑制層が光を吸収する黒色体であるため、反射抑制層における光の反射を抑制することができる。そのため、請求項１に記載の発明と同様に、或るＥＬ素子のＥＬ層から発した光が別のＥＬ素子で反射することがないため、ＥＬ素子で混色が起こらず、鮮明な像が表示される。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項１から６の何れか一項に記載のＥＬ表示装置において、前記光学部材が複数の断面三角形状のプリズムを前記光透過性材料の表面に互いに平行にして配列してなることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明では、ＥＬ表示装置の光の正面指向性が向上するため、斜め方向に進行する光が相対的に減少するので周辺のＥＬ素子にまで到達するような光の乱反射を低減することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を実施するための好適な形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、『平面視して』とは、『表示面に対して垂直な方向に向かって見て』という意味である。
【００１９】
〔第一の実施の形態〕
図１は本発明が適用されたＥＬ表示装置１の分解斜視図である。図１に示すように、このＥＬ表示装置１は、画素が列方向にｉ（ｉは２以上の自然数である。）個、行方向にｊ（ｊは２以上の自然数である。）個のマトリクス状に配列されてなるＥＬディスプレイパネル２と、ＥＬディスプレイパネル２の表示光に正面指向性を付与するためにＥＬディスプレイパネル２の光出射面（表示面）２ａに貼着された光学部材としてのプリズムシート３と、を備える。なお、図１において、プリズムシート３の厚さを実際よりも厚く図示しているが、実際にはＥＬディスプレイパネル２よりも十分に薄い。これに伴い、プリズムシート３のマイクロプリズム３ａは誇張して大きく図示されている。
【００２０】
図２を用いてＥＬディスプレイパネル２について説明する。図２（ａ）は、マトリクス状に配列されている複数の画素のうち横方向に隣り合う三つの画素を示した平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示されたＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、実際には基板１２、封止膜１９は他の層に比較して十分に厚いが、図２（ｂ）において基板１２、封止膜１９を薄く図示している。
【００２１】
このＥＬディスプレイパネル２の画素には自発光素子としてのＥＬ素子１１を用いており、一つの画素を構成するＥＬ素子１１につき二つのトランジスタ３１，３１が設けられており、ＥＬディスプレイパネル２はアクティブマトリクス駆動方式によりドットマトリクス表示を行うものであり、トランジスタ３１，３１のいずれかに流れる電流の電流値により階調を制御する電流階調表示型でもよく、トランジスタ３１，３１のいずれかに印加される電圧の電圧値により階調を制御する電圧階調表示型でもよい。
【００２２】
このＥＬディスプレイパネル２は基板１２を具備し、この基板１２はホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラス、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート、その他の樹脂で平板状に形成されたものである。
【００２３】
基板１２の表面１２ａ上には、行方向に長尺となって帯状に形成された複数の走査線（図示略）が互いに平行になって配列されている。これら走査線は絶縁膜（図示略）によって被覆されており、この絶縁膜上には、走査線と直交するように列方向に長尺となって帯状に形成された複数の信号線が互いに平行となって配列されている。更に、トランジスタ３１，３１…は、基板１２の表面１２ａに形成されている。これらトランジスタ３１，３１，…はＭＯＳ型電界効果薄膜トランジスタである。一画素中の二つのトランジスタ３１，３１のうち一方のトランジスタ３１のゲート電極が走査線と接続されており、他方のトランジスタ３１のドレイン電極が信号線と共通となっている。トランジスタ３１，３１は逆スタガ構造でもコプラナ型でもよく、またｎチャネル型トランジスタでもｐチャネル型トランジスタであってもよく、アモルファスシリコンＴＦＴでもポリシリコンＴＦＴであってもよい。
【００２４】
二つのトランジスタ３１，３１は、データドライバ・走査ドライバから信号線及び走査線を介して信号を入力し、入力した信号に従ってＥＬ素子１１に流れる電流の電流値を次の周期まで保持することでＥＬ素子１１の発光輝度を一定に保持する画素回路を構成している。
【００２５】
全てのトランジスタ３１，３１，…は絶縁被覆膜１３によって被覆されている。絶縁被覆膜１３は基板１２のほぼ全面に成膜されており、基板１２の表面１２ａとトランジスタ３１，３１，…との間に生じた段差がこの絶縁被覆膜１３によって緩和され、絶縁被覆膜１３の表面はほぼ平坦な面となっている。この絶縁被覆膜１３は、有機樹脂（例えば、アクリル樹脂（メタクリル樹脂を含む）、エポキシ樹脂）或いは酸化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物からなるものである。なお、トランジスタ３１，３１，…の光劣化を防止するために、例えばカーボンブラック等の顔料を混在させるようにして遮光性の絶縁被覆膜１３が遮光性であることが望ましい。
【００２６】
絶縁被覆膜１３上には、ＥＬ素子１１が形成されている。ＥＬ素子１１は、絶縁被覆膜１３側から順に、光を反射させるミラー状の反射層１４、アノードとしての画素電極１５、電界発光を行うためのＥＬ層１６、カソードとしての対向電極１７を積層した積層構造となっている。このうち、反射層１４、画素電極１５及びＥＬ層１６はＥＬ素子１１ごとに独立して形成され、複数の反射層１４、複数の画素電極１５及び複数のＥＬ層１６が平面視してマトリクス状となって配列されているが、対向電極１７は全てのＥＬ素子１１，１１，…に共通して形成され平面視して基板１２の全面に形成されている。
【００２７】
反射層１４は、金属、合金等のＥＬ素子１１の光に対して高反射率の材料から形成されている。反射層１４としては、例えば、アルミニウムがある。反射層１４が導電性材料で形成されているので、画素電極１５自体のシート抵抗が高い場合でも反射層１４が画素電極１５の電気伝導を補助し、低抵抗化する。なお、反射層１４が絶縁体材料から形成されている場合には、反射層１４が全てのＥＬ素子１１，１１，…に共通して形成されていても良い。
【００２８】
画素電極１５は、金属酸化物、合金等の導電性を有した透明な材料で形成されており、ＥＬ層１６に正孔を注入するものである。画素電極１５としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、カドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））で形成されたものが挙げられる。透明な画素電極１５の表面でも可視光領域の光が反射するが、画素電極１５自体の光反射率は反射層１４自体の光反射率よりも低い。
【００２９】
反射層１４及び画素電極１５は、絶縁被覆膜１３に形成されたコンタクトホールを通じて一方のトランジスタ３１のソース電極に電気的に接続されている。
【００３０】
画素電極１５上には、ＥＬ層１６が形成されている。ＥＬ層１６は、発光材料で形成された層であって、画素電極１５から注入された正孔と対向電極１７から注入された電子を再結合させることによって発光する層である。なお、図１においてＥＬ素子１１に付されたＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）はＥＬ層１６で発する光の色を表している。
【００３１】
ＥＬ層１６には、電子輸送性の物質が適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質が適宜混合されていても良い。つまり、ＥＬ層１６は、画素電極１５から正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層した三層構造であっても良いし、正孔輸送層、発光層の順に積層した二層構造であっても良いし、発光層、電子輸送層の順に積層した二層構造であっても良いし、発光層からなる単層構造であっても良い、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した多層構造であっても良い。また、ＥＬ層１６を構成した層全てが有機化合物からなるものであっても良いし、ＥＬ層１６を構成した層全てが無機化合物（例えば、硫化亜鉛）からなるものであっても良いし、ＥＬ層１６が無機化合物からなる層と有機化合物からなる層とを積層したものでも良い。なお、ＥＬ層１６を構成した層全てが無機化合物からなる場合には、ＥＬ素子１１が無機ＥＬ素子であり、ＥＬ層１６を構成した層に有機化合物からなる層がある場合には、ＥＬ素子１１が有機ＥＬ素子である。
【００３２】
ＥＬ層１６が低分子有機材料又は無機物からなる場合、蒸着法、スパッタリング法等の気相成長法によってＥＬ層１６を形成することができる。一方、ＥＬ層１６が高分子有機材料又は低分子有機材料からなる場合、有機化合物含有液を塗布すること（つまり、湿式塗布法）によってＥＬ層１６を形成することができる。有機化合物含有液とは、ＥＬ層１６を構成した有機化合物又はその前駆体を含有した液であり、ＥＬ層１６を構成した有機化合物又はその前駆体が溶質として溶媒に溶けた溶液であっても良いし、ＥＬ層１６を構成した有機化合物又はその前駆体が分散媒に分散した分散液であっても良い。
【００３３】
ここでは、ＥＬ層１６は、湿式塗布法により形成された層であって、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）からなる正孔輸送層１６ａ、ポリフルオレン系発光材料からなる発光層１６ｂの順に積層した二層構造である。ここで、発光層１６ｂは発光色ごとに成分が異なっても良いが、正孔輸送層１６ａは何れの色でも成分が同じであるのが良い。なお、ＥＬ層１６が湿式塗布法により形成される場合、液体に対してなじんで液体が４０°以下の接触角で濡れる性質（以下、「親液性」という。）を有した親液性膜を画素電極１５上に形成した状態で有機化合物含有液をその親液性膜に塗布するのが望ましい。
【００３４】
ＥＬ層１６の周囲には、ポリイミド等の感光性樹脂、酸化珪素、窒化珪素等から選択された絶縁膜１８が形成されている。平面視して、絶縁膜１８が網目状に形成されることで、絶縁膜１８によって囲繞された複数の囲繞領域がマトリクス状に配列され、囲繞領域内にＥＬ層１６が形成されている。絶縁膜１８の一部は画素電極１５の外縁の一部に重なっている。なお、ＥＬ層１６を湿式塗布法により形成する場合には、絶縁膜１８の表面に、液体をはじいて液体が５０°以上の接触角で濡れる性質（以下、「撥液性」という。）を有した撥液性膜（例えば、フッ素樹脂膜、反応性シリコン膜）が形成されていても良い。
【００３５】
ＥＬ層１６上には、対向電極１７が形成されている。対向電極１７は基板１２のほぼ全面に形成されている。対向電極１７は、ＥＬ層１６側から電子注入層１７ａ、補助電極１７ｂの順に積層した積層構造である。電子注入層１７ａは、光を透過する程度に非常に薄く形成されており、比較的仕事関数の低い材料（例えば、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム若しくは希土類からなる単体金属又はこれらの単体を少なくとも一種を含む合金）からなり、その厚さは可視光波長域よりも薄く、１０〜２００ｎｍである。補助電極１７ｂは、可視光に対して透過性を有するとともに導電性を有し、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、カドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））で形成されている。従って、対向電極１７は光を透過する光透過性電極である。
【００３６】
ここで、画素電極１５は、干渉作用により所定波長の光を弱めて、表面における光の反射光を防止する光学干渉膜として機能する。従って、画素電極１５は所定波長の光の反射光を防止する反射抑制電極である。詳細に説明すると、所定波長の光がＥＬ層１６から画素電極１５に入射した場合、画素電極１５が、ＥＬ層１６内に進行し再び画素電極１５を透過する光の位相を、ＥＬ層内を進行する光の位相とπだけずれるような光学的膜厚なので、これらの光が画素電極１５で干渉作用によって減衰する。ここで、ＥＬ層１６（特に正孔輸送層１６ａ）の屈折率をｎ_１、画素電極１５の厚さをｄとし、画素電極１５の屈折率をｎ_２とした場合に、次の条件のときに波長λの光が画素電極１５の表面で干渉する。
【００３７】
条件（Ａ）：ｎ_１＞ｎ_２の場合には、画素電極１５とＥＬ層１６との界面が自由端となってその界面で光が反射するので、次式（１）を満たす波長λの光が画素電極１５の表面で干渉する。
λ＝４ｎ_２ｄ／（２ｍ） … （１）
但し、ｍは自然数である。
【００３８】
条件（Ｂ）：ｎ_１＜ｎ_２の場合には、画素電極１５とＥＬ層１６との界面が固定端となってその界面で光が反射するので、次式（２）を満たす波長λの光が画素電極１５の表面で干渉する。
λ＝４ｎ_２ｄ／（２ｍ＋１） … （２）
但し、ｍは自然数である。
【００３９】
従って、画素電極１５が一層の透明導電層からなる場合には、波長λを中心波長とした光を干渉により反射抑制するためには、式（１）又は式（２）のように画素電極１５の厚さｄと画素電極１５の屈折率ｎ_２を光学設計すれば良い。一方、画素電極１５が複数の透明導電層からなる場合（但し、隣り合う透明導電層の屈折率が異なっている。）には、それぞれの界面で干渉作用が生じるので干渉される中心波長が複数になり、可視光領域全体の光が反射抑制される。
【００４０】
特に光の干渉により効率よく光を打ち消すために、ｎ_１＝３ｎ_２となるように、画素電極１５及びＥＬ層１６を光学的に設計するのが良い。
【００４１】
この関係は次のようにして求めている。
即ち、ＥＬ層１６から画素電極１５に入射する光の振幅をＷ_１とした場合、その界面での反射光の振幅Ｗ_２はＷ_１×（ｎ_１−ｎ_２）／（ｎ_１＋ｎ_２）となり、屈折光の振幅Ｗ_３はＷ_１×２ｎ_２／（ｎ_１＋ｎ_２）となる。屈折光が反射層１４で反射すると画素電極１５とＥＬ層１６の界面に入射し、その屈折光が振幅Ｗ_２の反射光と干渉して完全に打ち消し合うとしたら、Ｗ_３＝Ｗ_２となる。従って、ｎ_１＝３ｎ_２となる。
【００４２】
対向電極１７は封止膜１９によって被覆されている。封止膜１９は基板１２の全面に成膜されており、対向電極１７に生じた段差が封止膜１９によって解消され、封止膜１９の表面はほぼ平坦な面となっている。この封止膜１９は光を透過する性質を有し、透明な樹脂（例えば、アクリル樹脂（メタクリル樹脂も含む）、エポキシ樹脂）からなるものである。封止膜１９が光透過性部材であり、封止膜１９の表面１９ａが、図１におけるＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａとなる。
【００４３】
次に、プリズムシート３について説明する。
プリズムシート３の表面には、光学素子である多数のマイクロプリズム３ａが形成されており、マイクロプリズム３ａの裏面には、両面が平滑なシート材３ｂが設けられている。マイクロプリズム３ａ及びシート材３ｂは屈折率がほぼ等しい方が望ましい。マイクロプリズム３ａ及びシート材３ｂのように複数に分割されていた光学シート３の場合、後述する『光学シート３の屈折率』は他に注釈がなければ、光学シート３内の光路となる複数の部材の屈折率を考慮してなされた値とする。光学シート３の厚さは、封止膜１７の厚さに比べて極めて薄いため、複数の部材の屈折率が多少異なっていても光路が大きく変わることはなく、その影響は小さい。プリズムシート３の裏面は平滑に形成されている。どのマイクロプリズム３ａも、縦方向に長尺であり、その長手方向に直交する面で破断した断面形状、つまり、Ｂ−Ｂ線で破断した断面形状が三角形状、より好ましくは二等辺三角形状に形成されている。これら複数のマイクロプリズム３ａは長手方向が互いに平行となってほぼ等間隔に配列されており、マイクロプリズム３ａのピッチａが画素（ＥＬ素子１１）のピッチｂ以下である。また、どのマイクロプリズム３ａの稜角αも互いに等しい。
【００４４】
プリズムシート３は、光透過性の光学接着剤４を介して封止膜１９の表面１９ａに接着されている。光学接着剤４としては、カナダバルサム、紫外線硬化性エポキシ系光学接着剤、紫外線硬化性アクリル系光学接着剤等がある。プリズムシート３の屈折率、光学接着剤４の屈折率、封止膜１９の屈折率は互いに近似していることが望ましい。光学接着剤４は厚いほどＥＬ素子１１の発光領域における隣接するＥＬ素子１１からの光によって混色する幅が広がり、また光学接着剤４を透過する光の割合が減少するので、できるだけ薄い方が好ましい。
【００４５】
一例としてプリズムシート３のシート材３ｂは、ポリエステル（屈折率１．５８〜１．６８）又はポリエチレンテレフタレートからなり、マイクロプリズム３ａは、アクリル樹脂（屈折率１．４９〜１．５１）又は紫外線硬化樹脂からなる。マイクロプリズム３ａ及びシート材３ｂは同一材料で一体化して形成されていてもよく、プリズムシート３を封止膜１９の表面１９ａに接着する代わりに、多数のマイクロプリズム３ａをフォトリソグラフィー法によって封止膜１９の表面１９ａに直接形成しても良い。
【００４６】
このようなプリズムシート３をＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに接着することによって、ＥＬ表示装置１の出射光の正面指向性が高くなり、ＥＬ表示装置１の表示画面に対して正面からＥＬ表示装置１を見た場合にはその表示画面が明るく見え、表示画面に対して所定の傾斜角をもってＥＬ表示装置１を見た場合には表示画面が暗く見える。特に、マイクロプリズム３ａの稜角αが７０〜１１０°の場合には、出射光の正面指向性がより高くなり、稜角αが１００°の場合には、正面指向性が最も高い。
【００４７】
マイクロプリズム３ａのピッチａが画素のピッチｂ以下であるため、隣り合う画素間で混色の起きた表示画面や像ずれのおきた表示画面を防ぐことができる。
【００４８】
また、プリズムシート３の再帰反射効果により、或るＥＬ素子１１のＥＬ層１６から発した光がマイクロプリズム３ａの表面で反射し、別のＥＬ素子１１に入射し、別のＥＬ素子１１に入射した光はそのＥＬ素子１１の画素電極１５に入射する。ところが、上述したように画素電極１５の表面で干渉作用が生ずるので、画素電極１５で光が反射しないから、プリズムシート３の再帰反射効果により別のＥＬ素子１１に入射した光と、その周囲のＥＬ素子１１のＥＬ層１６が発した光とが混色した状態とならない。そのため、混色が起きず、各画素の色調を損なうことのない鮮明な像を実現することができる。
【００４９】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、上記実施形態では画素電極１５が干渉により表面反射を防止するものであったが、酸化クロム、クロム、炭素繊維等の黒色体（光吸収体）で画素電極１５を形成することによって画素電極１５で表面反射を防止するようにしても良い。この場合には、ミラー状の反射層１４を形成しなくても良い。
【００５０】
また、プリズムシート３は断面三角形状のマイクロプリズム３ａを多数配列したものであるが、マイクロプリズム３ａの代わりに断面半円状のシリンドリカルレンズを多数配列したものでも良い。断面半円状のシリンドリカルレンズが形成されている場合であっても、正面指向性が高く且つ混色のない表示画面となる。
【００５１】
また、上記実施形態では出射光の正面指向性を付与するためにプリズムシート３をＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに接着しているが、プリズムシート３の代わりに別の光学部材をＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに設けても良い。例えば、ＥＬディスプレイパネル２の表面反射（映り込み）を防止するために偏光フィルム、アンチグレアフィルム、アンチリフレクションフィルムをＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに接着しても良いし、同等の光学的作用を有する偏光コーティング、アンチグレアコーティング、アンチリフレクションコーティングをＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに直接施しても良い。何れの場合でも、混色のない鮮明な像を画素電極１５の干渉作用によって実現することができる。
【００５２】
また、上記実施形態では対向電極１７がカソードであり、画素電極１５がアノードであったが、逆に対向電極１７がアノードであり、画素電極１５がカソードであっても良い。つまり、対向電極１７がＩＴＯ等の透明導電層からなり、画素電極１５が反射層１４から透明な補助電極、電子注入層の順に積層した積層構造であっても良い。この場合において、正孔輸送層１６ａと発光層１６ｂの積層順番も変わり、ＥＬ層１６は画素電極１５から発光層、正孔輸送層の順に積層した積層構造となり、更に、補助電極が光干渉膜として発光層からの光を干渉する機能する。
【００５３】
また、上記実施形態ではＥＬ素子１１の積層順番が基板１２側から順に画素電極１５、ＥＬ層１６、対向電極１７の順であるが、逆に基板１２側から順に対向電極、ＥＬ層、画素電極の順でも良い。この場合において、対向電極がカソードであるときには、ＥＬ素子１１は、基板１２側から反射層（共通又は独立）、透明な補助電極（共通）、電子注入層（共通）、発光層（独立）、正孔輸送層（独立）、アノードとしての透明な画素電極（独立）の順に積層した積層構造となり、補助電極が光干渉膜として機能する。逆に対向電極がアノードであるときには、ＥＬ素子１１は、基板１２側から反射層（共通又は独立）、アノードとしての透明な対向電極（共通）、正孔輸送層（独立）、発光層（独立）、電子注入層（独立）、補助電極（独立）の順に積層した積層構造となり、対向電極が光干渉膜として機能する。ここで、括弧書きはＥＬ素子１１ごとに独立して形成されているか、それとも全てのＥＬ素子１１に共通して形成されているかを表している。
【００５４】
何れの場合でも、ＥＬ素子の二つの電極のうち、光出射面２ａ側にある電極が光透過性電極であり、反射層側にある電極が光干渉膜としての反射抑制電極である。
【００５５】
〔第二の実施の形態〕
次に、本発明を適用した第二実施形態について説明する。
第一実施形態のＥＬ表示装置１では、ＥＬディスプレイパネル２が、封止膜１９側から外部に光出射する、いわゆるトップエミッション型のパネルであった。それに対して、図３に示すように、第二実施形態のＥＬ表示装置１０１では、ＥＬディスプレイパネル２が、基板１２側から外部に光出射する、いわゆるボトムエミッション型のパネルである。従って、基板１２の裏面１２ｂが光出射面２ａとなる。以下、第一実施形態のＥＬ表示装置１と第二実施形態のＥＬ表示装置１０１と異なる点について詳細に説明する。なお、第二実施形態のＥＬ表示装置１０１と第一実施形態のＥＬ表示装置１と互いに対応する部分に同じ符号を付して説明する。
【００５６】
基板１２はガラス、アクリル樹脂等からなる透明基板である。基板１２側に絶縁被覆膜１３及び反射層１４が形成されておらず、複数の画素電極１５が基板１２上にマトリクス状に配列されている。第二実施形態では、基板１２が光透過性部材となる。
【００５７】
ＥＬ素子１１は、第一実施形態の場合と同様に、基板１２側から画素電極１５、ＥＬ層１６、対向電極１７の順に積層した積層構造であり、このうち画素電極１５とＥＬ層１６がＥＬ素子１１ごとに独立して形成されており、対向電極１７は全てのＥＬ素子１１に共通して形成されている。但し、第二実施形態では、画素電極１５が光透過性電極であり、対向電極１７が反射抑制電極である。
【００５８】
詳細に説明すると、画素電極１５はＩＴＯ等からなる透明電極であるが、画素電極１５の下に反射層１４が形成されていないので画素電極１５が光干渉膜として機能しない。ＥＬ１６は、第一実施形態の場合と同様に、画素電極１５側から正孔輸送層１６ａ、発光層１６ｂの順に積層した積層構造となっている。対向電極１７は、ＥＬ層１６側から電子注入層１７ａ、補助電極１７ｂの順に積層した積層構造となっている。電子注入層１７ａは、光を透過する程度に非常に薄く形成されており、比較的仕事関数の低い材料からなる。補助電極１７ｂは、ＩＴＯ等の透明電極である。透明な補助電極１７ｂの表面でも可視光領域の光が反射するが、補助電極１７ｂ自体の光反射率は反射層１４自体の光反射率よりも低い。
【００５９】
補助電極１７ｂ上に反射層１４がべた一面に形成されており、全てのＥＬ素子１１に共通して形成されている。反射層１４は、金属、合金等の高反射率の材料（例えばアルミニウム）で形成されている。反射層１４上には封止膜１９がべた一面に形成されている。
【００６０】
以上の構成において対向電極１７特に補助電極１７ｂは、干渉作用により所定波長の光を弱めて、光の反射光を防止する光学干渉膜として機能する。即ち、ＥＬ層１６（特に発光層１６ｂ）の屈折率をｎ_１、補助電極１７ｂの厚さをｄとし、補助電極１７ｂの屈折率をｎ_２とした場合に、次の条件のときに波長λの光が補助電極１７ｂと電子注入層１７ａとの界面で干渉する。
【００６１】
条件（Ａ）：ｎ_１＞ｎ_２の場合には、次式（３）を満たす波長λの光が干渉する。
λ＝４ｎ_２ｄ／（２ｍ） … （３）
但し、ｍは自然数である。
【００６２】
条件（Ｂ）：ｎ_１＜ｎ_２の場合には、次式（４）を満たす波長λの光が干渉する。
λ＝４ｎ_２ｄ／（２ｍ＋１） … （４）
但し、ｍは自然数である。
【００６３】
また、光の干渉により効率よく光を打ち消すために、ｎ_１＝３ｎ_２となるように、補助電極１７ｂ及びＥＬ層１６を光学的に設計すると良い。
【００６４】
なお、補助電極が一層の透明導電層ではなく複数層の透明導電層からなれば、反射抑制される光の波長域が広域になる。
【００６５】
第二実施形態のＥＬ表示装置１０１では、ＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａが基板１２の裏面１２ｂであるため、プリズムシート３が透明な光学接着剤４を介して基板１２の裏面１２ｂに接着されている。なお、プリズムシート３の代わりに、偏光フィルム、アンチグレアフィルム、アンチリフレクションフィルムをＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに接着しても良いし、同等の光学的作用を有する偏光コーティング、アンチグレアコーティング、アンチリフレクションコーティングをＥＬディスプレイパネル２の光出射面２ａに直接施しても良い。ＥＬ素子１１の二つの電極のうち光出射面２ａ側にある画素電極１５が第一電極であり、反射層側にある対向電極１７（特に補助電極１７ｂ）が光干渉膜としての第二電極である。
【００６６】
また、第二実施形態のＥＬ表示装置１０１では、基板１２の裏面１２ｂが光出射面２ａであるため、封止膜１９が透明である必要はない。
【００６７】
このＥＬ表示装置１０１は、以上のことを除いて、図２に示されたＥＬ表示装置１と同様の構成をしている。このＥＬ表示装置１０１でも、混色が起きていない鮮明な像を実現することができる。
【００６８】
なお、上述の説明では補助電極１７ｂが干渉により表面反射を防止するものであったが、酸化クロム、クロム、炭素繊維等の黒色体で補助電極１７ｂを形成することによって画素電極１５で表面反射を防止するようにしても良い。この場合には、ミラー状の反射層１４を形成しなくても良い。
【００６９】
【実施例】
以下、実施例を挙げて、本発明について更に具体的に説明する。
図４は、図２に示したＥＬ表示装置１において干渉膜として機能する画素電極１５の屈折率ｎ_２と波長との関係、下面が画素電極１５に接する膜である正孔輸送層１６ａの屈折率ｎ_１と波長との関係を示したグラフである。図５は、このような屈折率の画素電極１５と５０ｎｍ厚の正孔輸送層１６ａを用いて、画素電極１５の厚さｄが５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍのそれぞれの場合において画素電極１５の表面における反射率と波長との関係を示したグラフである。図５からわかるように、画素電極１５と正孔輸送層１６ａの屈折率が図４に示すような場合、画素電極１５の厚さｄが１００ｎｍのＥＬ表示装置１が比視感度の高い可視光波長域（主に４００ｎｍ〜６５０ｎｍ）に対して低い反射率、すなわち効率よく干渉作用を生じた。
【００７０】
【発明の効果】
本発明によれば、或るＥＬ素子のＥＬ層から発した光が別のＥＬ素子で反射することがないため、ＥＬ素子で混色が起こらず、鮮明な像が表示される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されたＥＬ表示装置の分解斜視図である。
【図２】（ａ）は図１に示されたＥＬ表示装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】（ａ）は図２に示されたＥＬ表示装置とは別のＥＬ表示装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】画素電極の屈折率と波長との関係、正孔輸送層の屈折率と波長との関係を示したグラフである。
【図５】図４に示すような画素電極と正孔輸送層を用いた場合に画素電極における反射率と波長との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
１、１０１ … ＥＬ表示装置
２ … ＥＬディスプレイパネル
３ … プリズムシート
３ａ … マイクロプリズム
４ … 光学接着剤
１２ … 基板
１４ … 反射層
１５ … 画素電極
１６ … ＥＬ層
１６ａ … 正孔輸送層
１６ｂ … 発光層
１７ … 対向電極
１７ａ … 電子注入層
１７ｂ … 補助電極
１９ … 封止膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an EL display device using an electroluminescence (EL) display panel.
[0002]
[Prior art]
An organic EL element has a structure in which an EL layer is sandwiched between a cathode and an anode. When a voltage is applied between the cathode and the anode, electroluminescence is generated in the EL layer. In recent years, research and development of EL display panels using such EL elements as pixels have been actively conducted. In general, an EL display panel has a structure in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix on a substrate, and each EL element is in the order of lamination of an anode, an EL layer, and a cathode from the substrate side. In particular, the anode and the EL layer are formed independently for each EL element, but the cathode is formed on one surface common to all EL elements, and this cathode is covered with a sealing film to prevent deterioration. Has been. At this time, an EL display panel in which the anode on the substrate side is a transparent electrode and the substrate is a transparent substrate is a so-called bottom emission type, and the back surface of the substrate is the display surface.
[0003]
In order to improve the visibility of the EL display panel, the display surface of the EL display panel may be optically processed. For example, in order not to reflect external light on the display surface of the EL display panel, an AR (Anti Reflection) coat is applied to the display surface of the EL display panel. In addition, in order to improve the luminance of the EL display panel, a microlens array is also formed on the display surface of the EL display (see, for example, Patent Document 1). Further, in order to improve the front directivity of the EL display panel and further improve the brightness, a prism sheet on which a large number of triangular prisms are formed is bonded to the display surface of the EL display panel.
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2000-322000 A
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a microlens array, prism sheet, AR coating, etc. are applied to the display surface of an EL display panel, brightness and front directivity can be improved or reflection can be prevented, but light is scattered within the prism. Pixel light is emitted from the surrounding pixels, canceling each other's original colors, and the image looks less clear to the user.
Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to prevent a display screen in which color mixture occurs.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, an EL display device according to the first aspect of the present invention is an EL in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix as pixels, and the plurality of EL elements are covered with a light-transmitting material. A display panel, and an optical member provided on the surface of the light transmissive material to impart optical characteristics to the EL display panel,
Each of the EL elements, in order from the light transmissive material side, a light transmissive electrode that transmits light, an EL layer that emits light, and a reflection suppression layer for suppressing reflection of light at the interface with the EL layer. It is characterized by being laminated.
[0007]
According to the first aspect of the present invention, when an optical member is provided on the display surface of the EL display panel, that is, the surface of the light transmissive material, light emitted from the EL layer of a certain EL element is transmitted through the light transmissive electrode and the light transmissive material. Is incident on the reflection suppressing layer of another EL element due to the retroreflection effect of the optical member. Here, since reflection is suppressed by the reflection suppressing layer, light emitted from the EL layer of one EL element can be suppressed from being reflected by another EL element. Therefore, the color mixture in the EL element is reduced, and a clear image is displayed.
[0008]
According to a second aspect of the present invention, in the EL display device according to the first aspect, the antireflection layer is an electrode.
[0009]
In the second aspect of the invention, since the reflection suppressing layer is an electrode, a current or an electric field can be directly applied to the EL layer, and the contact resistance can be kept low and light can be emitted efficiently.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, in the EL display device according to the first or second aspect, a reflection layer that reflects light is laminated on a side of the reflection suppression layer opposite to the light transmissive electrode, and the reflection suppression is performed. The layer is a transparent electrode.
[0011]
In the invention according to claim 3, since the reflection suppression layer is a transparent electrode, a part of the light incident on the reflection suppression layer from the EL layer side is reflected by the reflection layer through the reflection suppression electrode. Therefore, the reflected light reflected by the reflection suppressing electrode and the reflected light reflected by the reflecting layer can be canceled out by the optical interference action. That is, the reflection suppressing electrode functions as an optical interference film, and as a result, reflection of light at the reflection suppressing electrode can be prevented. Therefore, similarly to the first aspect of the invention, since light emitted from the EL layer of one EL element suppresses reflection by another EL element, a clear image is displayed.
[0012]
According to a fourth aspect of the present invention, in the EL display device according to any one of the first to third aspects, the reflection suppression layer is 50 nm to 150 nm.
[0013]
According to a fifth aspect of the present invention, in the EL display device according to any one of the first to fourth aspects, the antireflection layer enters the antireflection layer again after entering the antireflection layer from the EL layer. The light traveling in the optical layer has an optical film thickness so as to be opposite in phase to the light traveling in the EL layer.
[0014]
The invention according to claim 6 is the EL display device according to claim 1 or 2, wherein the antireflection layer is a black body that absorbs light.
[0015]
In the invention according to claim 6, since the reflection suppressing layer is a black body that absorbs light, reflection of light in the reflection suppressing layer can be suppressed. Therefore, similarly to the invention described in claim 1, since light emitted from the EL layer of one EL element is not reflected by another EL element, color mixing does not occur in the EL element, and a clear image is displayed. Is done.
[0016]
According to a seventh aspect of the present invention, in the EL display device according to any one of the first to sixth aspects, the optical member has a plurality of triangular prisms in parallel with each other on the surface of the light transmissive material. It is characterized by being arranged.
[0017]
According to the seventh aspect of the present invention, since the front directivity of the light of the EL display device is improved, the light traveling in the oblique direction is relatively reduced, so that the light is diffusely reflected to reach the surrounding EL elements. Can be reduced.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, although various technically preferable limitations for implementing the present invention are given to the embodiments described below, the scope of the invention is not limited to the following embodiments and illustrated examples. Further, in the following description, “when viewed in plan” means “when viewed in a direction perpendicular to the display surface”.
[0019]
[First embodiment]
FIG. 1 is an exploded perspective view of an EL display device 1 to which the present invention is applied. As shown in FIG. 1, this EL display device 1 has i pixels (i is a natural number of 2 or more) in the column direction and j (j is a natural number of 2 or more) in the row direction. As an EL display panel 2 arranged in a matrix, and an optical member attached to the light emission surface (display surface) 2a of the EL display panel 2 in order to give front directivity to the display light of the EL display panel 2 The prism sheet 3 is provided. In FIG. 1, the thickness of the prism sheet 3 is shown to be thicker than actual, but actually it is sufficiently thinner than the EL display panel 2. Accordingly, the microprism 3a of the prism sheet 3 is exaggerated and greatly illustrated.
[0020]
The EL display panel 2 will be described with reference to FIG. FIG. 2A is a plan view showing three pixels adjacent in the horizontal direction among a plurality of pixels arranged in a matrix, and FIG. 2B is shown in FIG. It is sectional drawing along line BB. In practice, the substrate 12 and the sealing film 19 are sufficiently thicker than the other layers, but the substrate 12 and the sealing film 19 are shown thin in FIG.
[0021]
An EL element 11 as a self-luminous element is used as a pixel of the EL display panel 2, and two transistors 31 and 31 are provided for each EL element 11 constituting one pixel. The EL display panel 2 is active. Dot matrix display is performed by a matrix driving method, and may be a current gradation display type in which gradation is controlled by a current value of a current flowing through either of the transistors 31 and 31, and is applied to either of the transistors 31 and 31. A voltage gradation display type in which gradation is controlled by the voltage value of the voltage to be applied may be used.
[0022]
The EL display panel 2 includes a substrate 12, and the substrate 12 is formed into a flat plate shape using borosilicate glass, quartz glass, other glass, PMMA, polycarbonate, or other resin.
[0023]
On the surface 12a of the substrate 12, a plurality of scanning lines (not shown) that are elongated in the row direction and formed in a strip shape are arranged in parallel to each other. These scanning lines are covered with an insulating film (not shown). On this insulating film, a plurality of signal lines formed in a strip shape extending in the column direction so as to be orthogonal to the scanning lines are parallel to each other. It is arranged. Further, the transistors 31, 31... Are formed on the surface 12 a of the substrate 12. These transistors 31, 31,... Are MOS type field effect thin film transistors. Of the two transistors 31, 31 in one pixel, the gate electrode of one transistor 31 is connected to the scanning line, and the drain electrode of the other transistor 31 is shared with the signal line. The transistors 31 and 31 may be an inverted staggered structure or a coplanar type, may be an n-channel transistor or a p-channel transistor, and may be an amorphous silicon TFT or a polysilicon TFT.
[0024]
The two transistors 31 and 31 receive signals from the data driver / scan driver via the signal line and the scan line, and hold the current value of the current flowing through the EL element 11 in accordance with the input signal until the next period. A pixel circuit that holds the light emission luminance of the element 11 constant is configured.
[0025]
All the transistors 31, 31,... Are covered with an insulating coating film 13. The insulating coating film 13 is formed on almost the entire surface of the substrate 12, and the step formed between the surface 12a of the substrate 12 and the transistors 31, 31,. The surface of the covering film 13 is a substantially flat surface. The insulating coating film 13 is made of an organic resin (for example, an acrylic resin (including a methacrylic resin) or an epoxy resin) or an inorganic compound such as silicon oxide or silicon nitride. In order to prevent the photodegradation of the transistors 31, 31,..., It is desirable that the light-shielding insulating coating film 13 is light-shielding so that a pigment such as carbon black is mixed.
[0026]
An EL element 11 is formed on the insulating coating film 13. The EL element 11 includes a mirror-like reflective layer 14 that reflects light, a pixel electrode 15 that serves as an anode, an EL layer 16 that performs electroluminescence, and a counter electrode 17 that serves as a cathode in order from the insulating coating film 13 side. It has a laminated structure. Among these, the reflective layer 14, the pixel electrode 15, and the EL layer 16 are formed independently for each EL element 11, and the plurality of reflective layers 14, the plurality of pixel electrodes 15, and the plurality of EL layers 16 are viewed in a matrix form. The counter electrode 17 is formed in common to all the EL elements 11, 11,... And formed on the entire surface of the substrate 12 in plan view.
[0027]
The reflective layer 14 is made of a material having a high reflectivity with respect to the light of the EL element 11 such as a metal or an alloy. An example of the reflective layer 14 is aluminum. Since the reflective layer 14 is formed of a conductive material, even when the sheet resistance of the pixel electrode 15 itself is high, the reflective layer 14 assists the electrical conduction of the pixel electrode 15 and lowers the resistance. When the reflective layer 14 is made of an insulating material, the reflective layer 14 may be formed in common for all the EL elements 11, 11.
[0028]
The pixel electrode 15 is made of a transparent material having conductivity such as a metal oxide or an alloy, and injects holes into the EL layer 16. As the pixel electrode 15, for example, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, or a mixture containing at least one of them (for example, tin-doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide, cadmium-tin oxide (CTO)). )). Although light in the visible light region is reflected even on the surface of the transparent pixel electrode 15, the light reflectance of the pixel electrode 15 itself is lower than the light reflectance of the reflective layer 14 itself.
[0029]
The reflective layer 14 and the pixel electrode 15 are electrically connected to the source electrode of one transistor 31 through a contact hole formed in the insulating coating film 13.
[0030]
An EL layer 16 is formed on the pixel electrode 15. The EL layer 16 is a layer formed of a light emitting material, and emits light by recombining holes injected from the pixel electrode 15 and electrons injected from the counter electrode 17. In FIG. 1, R (red), G (green), and B (blue) attached to the EL element 11 represent the color of light emitted from the EL layer 16.
[0031]
In the EL layer 16, an electron transporting substance may be mixed as appropriate, a hole transporting substance may be mixed as appropriate, and an electron transporting substance and a hole transporting substance may be mixed as appropriate. It may be mixed. That is, the EL layer 16 may have a three-layer structure in which the pixel electrode 15 is stacked in the order of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer, or a two layer structure in which the hole transport layer and the light emitting layer are stacked in this order. It may be a two-layer structure in which a light emitting layer and an electron transport layer are laminated in this order, or may be a single layer structure composed of a light emitting layer. In these layer structures, electrons are placed between appropriate layers. Alternatively, a multilayer structure in which a hole injection layer is interposed may be used. Further, all the layers constituting the EL layer 16 may be made of an organic compound, or all the layers constituting the EL layer 16 may be made of an inorganic compound (for example, zinc sulfide). The EL layer 16 may be a laminate of an inorganic compound layer and an organic compound layer. When all the layers constituting the EL layer 16 are made of an inorganic compound, the EL element 11 is an inorganic EL element, and when the layer constituting the EL layer 16 is a layer made of an organic compound, the EL element 11 is an organic EL element.
[0032]
When the EL layer 16 is made of a low molecular organic material or an inorganic material, the EL layer 16 can be formed by a vapor deposition method such as an evaporation method or a sputtering method. On the other hand, when the EL layer 16 is made of a high molecular organic material or a low molecular organic material, the EL layer 16 can be formed by applying an organic compound-containing liquid (that is, a wet application method). The organic compound-containing liquid is a liquid containing an organic compound constituting the EL layer 16 or a precursor thereof, and even if the organic compound constituting the EL layer 16 or a precursor thereof is dissolved in a solvent as a solute. Alternatively, a dispersion liquid in which the organic compound constituting the EL layer 16 or a precursor thereof is dispersed in a dispersion medium may be used.
[0033]
Here, the EL layer 16 is a layer formed by a wet coating method, and includes a hole transport layer 16a made of PEDOT (polythiophene) as a conductive polymer and PSS (polystyrene sulfonic acid) as a dopant, polyfluorene. It has a two-layer structure in which a light emitting layer 16b made of a light emitting material is stacked in this order. Here, the light emitting layer 16b may have different components for each emission color, but the hole transport layer 16a may have the same component in any color. In addition, when the EL layer 16 is formed by a wet coating method, the lyophilic film has a property (hereinafter referred to as “lyophilic”) that is familiar with the liquid and wets the liquid at a contact angle of 40 ° or less. It is desirable that the organic compound-containing liquid is applied to the lyophilic film in a state where is formed on the pixel electrode 15.
[0034]
An insulating film 18 selected from a photosensitive resin such as polyimide, silicon oxide, silicon nitride, or the like is formed around the EL layer 16. When the insulating film 18 is formed in a mesh shape in a plan view, a plurality of surrounding regions surrounded by the insulating film 18 are arranged in a matrix, and the EL layer 16 is formed in the surrounding region. A part of the insulating film 18 overlaps a part of the outer edge of the pixel electrode 15. In the case where the EL layer 16 is formed by a wet coating method, the surface of the insulating film 18 has a property of repelling the liquid so that the liquid gets wet with a contact angle of 50 ° or more (hereinafter referred to as “liquid repellency”). A liquid repellent film (for example, a fluororesin film or a reactive silicon film) may be formed.
[0035]
A counter electrode 17 is formed on the EL layer 16. The counter electrode 17 is formed on almost the entire surface of the substrate 12. The counter electrode 17 has a stacked structure in which an electron injection layer 17a and an auxiliary electrode 17b are stacked in this order from the EL layer 16 side. The electron injection layer 17a is formed so thin as to transmit light, and is made of a material having a relatively low work function (for example, a single metal made of magnesium, calcium, lithium, barium or rare earth, or at least one of these simple substances). The thickness is 10 to 200 nm, which is thinner than the visible light wavelength region. The auxiliary electrode 17b is transparent to visible light and conductive, for example, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, or a mixture containing at least one of them (for example, tin-doped indium oxide (ITO ), Zinc-doped indium oxide, cadmium-tin oxide (CTO)). Therefore, the counter electrode 17 is a light transmissive electrode that transmits light.
[0036]
Here, the pixel electrode 15 functions as an optical interference film that weakens light of a predetermined wavelength by interference action and prevents light reflected from the surface. Accordingly, the pixel electrode 15 is a reflection suppression electrode that prevents reflected light of a predetermined wavelength. More specifically, when light of a predetermined wavelength is incident on the pixel electrode 15 from the EL layer 16, the pixel electrode 15 travels through the EL layer 16 and again transmits the phase of the light transmitted through the pixel electrode 15 in the EL layer. Since the optical film thickness is shifted by π from the phase of the traveling light, the light is attenuated by the interference action at the pixel electrode 15. Here, the refractive index of the EL layer 16 (especially the hole transport layer 16a) is expressed as ₁ , The thickness of the pixel electrode 15 is d, and the refractive index of the pixel electrode 15 is n ₂ In this case, light of wavelength λ interferes with the surface of the pixel electrode 15 under the following conditions.
[0037]
Condition (A): n ₁ > N ₂ In this case, since the interface between the pixel electrode 15 and the EL layer 16 becomes a free end and light is reflected at the interface, light having a wavelength λ satisfying the following formula (1) interferes with the surface of the pixel electrode 15. .
λ = 4n ₂ d / (2m) (1)
However, m is a natural number.
[0038]
Condition (B): n ₁ <N ₂ In this case, since the interface between the pixel electrode 15 and the EL layer 16 becomes a fixed end and light is reflected at the interface, light having a wavelength λ satisfying the following equation (2) interferes with the surface of the pixel electrode 15. .
λ = 4n ₂ d / (2m + 1) (2)
However, m is a natural number.
[0039]
Therefore, in the case where the pixel electrode 15 is made of a single transparent conductive layer, the pixel electrode 15 is expressed by the following equation (1) or equation (2) in order to suppress reflection of light having the wavelength λ as the center wavelength by interference. Thickness d and the refractive index n of the pixel electrode 15 ₂ Can be optically designed. On the other hand, when the pixel electrode 15 is composed of a plurality of transparent conductive layers (however, the refractive indexes of the adjacent transparent conductive layers are different), an interference action occurs at each interface, so that there are a plurality of interference center wavelengths. Thus, reflection of the light in the entire visible light region is suppressed.
[0040]
Especially in order to cancel light efficiently by light interference, n ₁ = 3n ₂ The pixel electrode 15 and the EL layer 16 are preferably optically designed so that
[0041]
This relationship is obtained as follows.
That is, the amplitude of light incident on the pixel electrode 15 from the EL layer 16 is expressed as W. ₁ The amplitude W of the reflected light at the interface ₂ Is W ₁ × (n ₁ -N ₂ ) / (N ₁ + N ₂ ) And the amplitude W of the refracted light ₃ Is W ₁ × 2n ₂ / (N ₁ + N ₂ ) When the refracted light is reflected by the reflective layer 14, it enters the interface between the pixel electrode 15 and the EL layer 16, and the refracted light has an amplitude W. ₂ If it interferes with the reflected light and completely cancels out, W ₃ = W ₂ It becomes. Therefore, n ₁ = 3n ₂ It becomes.
[0042]
The counter electrode 17 is covered with a sealing film 19. The sealing film 19 is formed on the entire surface of the substrate 12, and the step generated in the counter electrode 17 is eliminated by the sealing film 19, and the surface of the sealing film 19 is a substantially flat surface. The sealing film 19 has a property of transmitting light and is made of a transparent resin (for example, an acrylic resin (including a methacrylic resin) or an epoxy resin). The sealing film 19 is a light transmissive member, and the surface 19a of the sealing film 19 becomes the light emitting surface 2a of the EL display panel 2 in FIG.
[0043]
Next, the prism sheet 3 will be described.
A large number of microprisms 3a, which are optical elements, are formed on the surface of the prism sheet 3, and a sheet material 3b having smooth surfaces is provided on the back surface of the microprism 3a. It is desirable that the microprism 3a and the sheet material 3b have substantially the same refractive index. In the case of the optical sheet 3 divided into a plurality of parts such as the microprism 3a and the sheet material 3b, a “refractive index of the optical sheet 3” described later is a plurality of optical paths in the optical sheet 3 unless otherwise noted. The value is determined in consideration of the refractive index of the member. Since the thickness of the optical sheet 3 is extremely smaller than the thickness of the sealing film 17, even if the refractive indexes of the plurality of members are slightly different, the optical path does not change greatly, and the influence is small. The back surface of the prism sheet 3 is formed smoothly. Each of the microprisms 3a is long in the vertical direction, and the cross-sectional shape broken at a plane orthogonal to the longitudinal direction, that is, the cross-sectional shape broken at the line BB is a triangular shape, more preferably an isosceles triangular shape. Is formed. The plurality of microprisms 3a are arranged at substantially equal intervals in the longitudinal direction, and the pitch a of the microprisms 3a is equal to or less than the pitch b of the pixels (EL elements 11). Further, the ridge angles α of the microprisms 3a are equal to each other.
[0044]
The prism sheet 3 is bonded to the surface 19 a of the sealing film 19 through the light-transmitting optical adhesive 4. Examples of the optical adhesive 4 include Canadian balsam, an ultraviolet curable epoxy optical adhesive, and an ultraviolet curable acrylic optical adhesive. It is desirable that the refractive index of the prism sheet 3, the refractive index of the optical adhesive 4, and the refractive index of the sealing film 19 are close to each other. The thicker the optical adhesive 4 is, the wider the width of color mixing by the light from the adjacent EL elements 11 in the light emitting region of the EL element 11, and the ratio of the light transmitted through the optical adhesive 4 is reduced. .
[0045]
As an example, the sheet material 3b of the prism sheet 3 is made of polyester (refractive index 1.58 to 1.68) or polyethylene terephthalate, and the microprism 3a is acrylic resin (refractive index 1.49 to 1.51) or UV-cured. Made of resin. The microprism 3a and the sheet material 3b may be integrally formed of the same material. Instead of adhering the prism sheet 3 to the surface 19a of the sealing film 19, a large number of microprisms 3a are sealed by photolithography. It may be formed directly on the surface 19 a of the film 19.
[0046]
By adhering such a prism sheet 3 to the light emission surface 2 a of the EL display panel 2, the front directivity of the emitted light of the EL display device 1 is increased, and the EL from the front with respect to the display screen of the EL display device 1 is enhanced. When the display device 1 is viewed, the display screen looks bright, and when the EL display device 1 is viewed with a predetermined tilt angle with respect to the display screen, the display screen looks dark. In particular, when the ridge angle α of the micro prism 3a is 70 to 110 °, the front directivity of the emitted light is higher, and when the ridge angle α is 100 °, the front directivity is the highest.
[0047]
Since the pitch a of the microprisms 3a is equal to or less than the pixel pitch b, it is possible to prevent a display screen in which color mixture occurs between adjacent pixels or a display screen with image shift.
[0048]
Further, due to the retroreflection effect of the prism sheet 3, the light emitted from the EL layer 16 of a certain EL element 11 is reflected by the surface of the microprism 3 a, enters another EL element 11, and enters another EL element 11. The incident light enters the pixel electrode 15 of the EL element 11. However, since the interference action occurs on the surface of the pixel electrode 15 as described above, the light is not reflected by the pixel electrode 15, so that the light incident on another EL element 11 due to the retroreflection effect of the prism sheet 3 and the surroundings The light emitted from the EL layer 16 of the EL element 11 is not mixed. Therefore, it is possible to realize a clear image in which color mixing does not occur and the color tone of each pixel is not impaired.
[0049]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, the pixel electrode 15 prevents surface reflection due to interference, but the pixel electrode 15 is formed by forming the pixel electrode 15 with a black body (light absorber) such as chromium oxide, chromium, or carbon fiber. 15 may prevent surface reflection. In this case, the mirror-like reflective layer 14 need not be formed.
[0050]
In addition, the prism sheet 3 has a large number of triangular prisms 3a arranged in a triangular shape. However, a plurality of cylindrical lenses having a semicircular sectional shape may be arranged instead of the microprisms 3a. Even when a cylindrical lens having a semicircular cross section is formed, the display screen has high front directivity and no color mixing.
[0051]
Further, in the above embodiment, the prism sheet 3 is bonded to the light emitting surface 2a of the EL display panel 2 in order to give the front directivity of the emitted light, but another optical member is used instead of the prism sheet 3 for the EL display. You may provide in the light-projection surface 2a of the panel 2. FIG. For example, in order to prevent surface reflection (reflection) of the EL display panel 2, a polarizing film, an antiglare film, and an antireflection film may be bonded to the light emitting surface 2a of the EL display panel 2, or an equivalent optical function. A polarizing coating, an anti-glare coating, and an anti-reflection coating having the above may be directly applied to the light emitting surface 2 a of the EL display panel 2. In any case, a clear image with no color mixture can be realized by the interference action of the pixel electrode 15.
[0052]
In the above embodiment, the counter electrode 17 is a cathode and the pixel electrode 15 is an anode. Conversely, the counter electrode 17 may be an anode and the pixel electrode 15 may be a cathode. In other words, the counter electrode 17 may be formed of a transparent conductive layer such as ITO, and the pixel electrode 15 may be stacked in the order of the reflective layer 14, the transparent auxiliary electrode, and the electron injection layer. In this case, the stacking order of the hole transport layer 16a and the light emitting layer 16b is also changed, the EL layer 16 has a stacked structure in which the pixel electrode 15 is stacked in the order of the light emitting layer and the hole transport layer, and the auxiliary electrode is an optical interference film. As a function of interfering with light from the light emitting layer.
[0053]
In the above embodiment, the stacking order of the EL elements 11 is the pixel electrode 15, the EL layer 16, and the counter electrode 17 in this order from the substrate 12 side. Conversely, the counter electrode, the EL layer, and the pixel electrode in this order from the substrate 12 side. The order is also acceptable. In this case, when the counter electrode is a cathode, the EL element 11 includes a reflective layer (common or independent) from the substrate 12 side, a transparent auxiliary electrode (common), an electron injection layer (common), a light emitting layer (independent), A stacked structure is formed by sequentially stacking a hole transport layer (independent) and a transparent pixel electrode (independent) as an anode, and the auxiliary electrode functions as a light interference film. On the contrary, when the counter electrode is an anode, the EL element 11 includes a reflective layer (common or independent) from the substrate 12 side, a transparent counter electrode (common) as an anode, a hole transport layer (independent), and a light emitting layer (independent). ), An electron injection layer (independent), and an auxiliary electrode (independent) in this order, and the counter electrode functions as an optical interference film. Here, the parentheses indicate whether each EL element 11 is formed independently or common to all the EL elements 11.
[0054]
In any case, of the two electrodes of the EL element, the electrode on the light emitting surface 2a side is a light transmissive electrode, and the electrode on the reflective layer side is a reflection suppressing electrode as a light interference film.
[0055]
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described.
In the EL display device 1 of the first embodiment, the EL display panel 2 is a so-called top emission type panel that emits light from the sealing film 19 side to the outside. On the other hand, as shown in FIG. 3, in the EL display device 101 of the second embodiment, the EL display panel 2 is a so-called bottom emission type panel that emits light from the substrate 12 side to the outside. Therefore, the back surface 12b of the substrate 12 becomes the light emitting surface 2a. Hereinafter, differences between the EL display device 1 of the first embodiment and the EL display device 101 of the second embodiment will be described in detail. In addition, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated to the part which mutually respond | corresponds with EL display apparatus 101 of 2nd embodiment, and EL display apparatus 1 of 1st embodiment.
[0056]
The substrate 12 is a transparent substrate made of glass, acrylic resin, or the like. The insulating coating film 13 and the reflective layer 14 are not formed on the substrate 12 side, and a plurality of pixel electrodes 15 are arranged on the substrate 12 in a matrix. In the second embodiment, the substrate 12 is a light transmissive member.
[0057]
As in the first embodiment, the EL element 11 has a stacked structure in which the pixel electrode 15, the EL layer 16, and the counter electrode 17 are stacked in this order from the substrate 12, and the pixel electrode 15 and the EL layer 16 are EL elements. Each element 11 is formed independently, and the counter electrode 17 is formed in common to all the EL elements 11. However, in the second embodiment, the pixel electrode 15 is a light transmissive electrode, and the counter electrode 17 is a reflection suppressing electrode.
[0058]
More specifically, the pixel electrode 15 is a transparent electrode made of ITO or the like. However, since the reflective layer 14 is not formed under the pixel electrode 15, the pixel electrode 15 does not function as an optical interference film. As in the case of the first embodiment, the EL 16 has a stacked structure in which the hole transport layer 16a and the light emitting layer 16b are stacked in this order from the pixel electrode 15 side. The counter electrode 17 has a stacked structure in which an electron injection layer 17a and an auxiliary electrode 17b are stacked in this order from the EL layer 16 side. The electron injection layer 17a is formed so thin as to transmit light and is made of a material having a relatively low work function. The auxiliary electrode 17b is a transparent electrode such as ITO. Although the light in the visible light region is reflected even on the surface of the transparent auxiliary electrode 17b, the light reflectance of the auxiliary electrode 17b itself is lower than the light reflectance of the reflective layer 14 itself.
[0059]
The reflective layer 14 is formed on the entire surface of the auxiliary electrode 17b, and is formed in common to all the EL elements 11. The reflection layer 14 is made of a highly reflective material (for example, aluminum) such as a metal or an alloy. A sealing film 19 is formed on the entire surface of the reflective layer 14.
[0060]
In the above configuration, the counter electrode 17, particularly the auxiliary electrode 17 b, functions as an optical interference film that attenuates light of a predetermined wavelength by interference action and prevents reflected light. That is, the refractive index of the EL layer 16 (particularly the light emitting layer 16b) is set to n. ₁ The thickness of the auxiliary electrode 17b is d, and the refractive index of the auxiliary electrode 17b is n. ₂ In this case, light of wavelength λ interferes at the interface between the auxiliary electrode 17b and the electron injection layer 17a under the following conditions.
[0061]
Condition (A): n ₁ > N ₂ In this case, light of wavelength λ satisfying the following equation (3) interferes.
λ = 4n ₂ d / (2m) (3)
However, m is a natural number.
[0062]
Condition (B): n ₁ <N ₂ In this case, light having a wavelength λ satisfying the following expression (4) interferes.
λ = 4n ₂ d / (2m + 1) (4)
However, m is a natural number.
[0063]
In addition, in order to cancel light efficiently by light interference, n ₁ = 3n ₂ The auxiliary electrode 17b and the EL layer 16 may be optically designed so that
[0064]
If the auxiliary electrode is formed of a plurality of transparent conductive layers instead of a single transparent conductive layer, the wavelength range of light to be reflected is widened.
[0065]
In the EL display device 101 of the second embodiment, the light emission surface 2 a of the EL display panel 2 is the back surface 12 b of the substrate 12, so that the prism sheet 3 is bonded to the back surface 12 b of the substrate 12 through the transparent optical adhesive 4. Has been. In place of the prism sheet 3, a polarizing film, an antiglare film, and an antireflection film may be bonded to the light emitting surface 2 a of the EL display panel 2. Reflection coating may be applied directly to the light emitting surface 2a of the EL display panel 2. Of the two electrodes of the EL element 11, the pixel electrode 15 on the light emitting surface 2a side is the first electrode, and the counter electrode 17 (especially the auxiliary electrode 17b) on the reflective layer side is the second electrode as a light interference film. is there.
[0066]
In the EL display device 101 according to the second embodiment, the back surface 12b of the substrate 12 is the light emitting surface 2a, and therefore the sealing film 19 does not need to be transparent.
[0067]
The EL display device 101 has the same configuration as the EL display device 1 shown in FIG. 2 except for the above. This EL display device 101 can also realize a clear image with no color mixing.
[0068]
In the above description, the auxiliary electrode 17b prevents surface reflection due to interference. However, by forming the auxiliary electrode 17b with a black body such as chromium oxide, chromium, or carbon fiber, the pixel electrode 15 performs surface reflection. You may make it prevent. In this case, the mirror-like reflective layer 14 need not be formed.
[0069]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
FIG. 4 shows the refractive index n of the pixel electrode 15 that functions as an interference film in the EL display device 1 shown in FIG. ₂ The refractive index n of the hole transport layer 16a, which is the film whose bottom surface is in contact with the pixel electrode 15, ₁ It is the graph which showed the relationship between and wavelength. FIG. 5 shows a case where the pixel electrode 15 having such a refractive index and the hole transport layer 16a having a thickness of 50 nm are used, and the thickness d of the pixel electrode 15 is 50 nm, 100 nm, and 150 nm. It is the graph which showed the relationship between a reflectance and a wavelength. As can be seen from FIG. 5, when the refractive indexes of the pixel electrode 15 and the hole transport layer 16a are as shown in FIG. 4, the EL display device 1 having a pixel electrode 15 with a thickness d of 100 nm is visible light with high relative visibility. Low reflectivity in the wavelength range (mainly 400 nm to 650 nm), that is, an interference effect was efficiently generated.
[0070]
【The invention's effect】
According to the present invention, since light emitted from the EL layer of one EL element is not reflected by another EL element, color mixing does not occur in the EL element, and a clear image is displayed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view of an EL display device to which the present invention is applied.
2A is a plan view of the EL display device shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a sectional view taken along line BB in FIG.
3A is a plan view of an EL display device different from the EL display device shown in FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the refractive index and wavelength of a pixel electrode and the relationship between the refractive index and wavelength of a hole transport layer.
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the reflectance and wavelength of a pixel electrode when a pixel electrode and a hole transport layer as shown in FIG. 4 are used.
[Explanation of symbols]
1, 101... EL display device
2 ... EL display panel
3 ... Prism sheet
3a ... Micro Prism
4 ... Optical adhesive
12 ... Substrate
14 ... Reflective layer
15 ... Pixel electrode
16 ... EL layer
16a ... hole transport layer
16b ... Light emitting layer
17 ... Counter electrode
17a ... Electron injection layer
17b ... Auxiliary electrode
19 ... Sealing film

Claims

An EL display panel in which a plurality of EL elements are arranged in a matrix as pixels, and the plurality of EL elements are covered with a light transmissive material, and the light transmissive material for imparting optical characteristics to the EL display panel An optical member provided on the surface of
Each EL element, in order from the light transmissive material side, a light transmissive electrode that transmits light, an EL layer that emits light, and a reflection suppression layer for suppressing reflection of light at the interface with the EL layer. An EL display device characterized by being laminated.

The EL display device according to claim 1, wherein the reflection suppression layer is an electrode.

The EL display device according to claim 1, wherein a reflection layer that reflects light is laminated on a side of the reflection suppression layer opposite to the light transmissive electrode, and the reflection suppression layer is a transparent electrode. .

The EL display device according to claim 1, wherein the reflection suppression layer has a thickness of 50 nm to 150 nm.

The reflection suppression layer has an optical film thickness such that light that travels into the EL layer again after entering the reflection suppression layer from the EL layer has an opposite phase to the light traveling into the EL layer. The EL display device according to claim 1, wherein the display device is an EL display device.

The EL display device according to claim 1, wherein the antireflection layer is a black body that absorbs light.

The EL display device according to claim 1, wherein the optical member includes a plurality of triangular prisms arranged in parallel with each other on the surface of the light transmissive material. .