JP2004535068A - 気密封止された外部共振器レーザ・システムおよび方法 - Google Patents

気密封止された外部共振器レーザ・システムおよび方法 Download PDF

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Abstract

【課題】気密封止されたコンテナ内の外部共振器レーザおよび外部共振器レーザを気密封止する方法。
【解決手段】複数の選択可能な波長チャネルにおける送信を可能にするために、外部共振器レーザが様々なメカニズムによって同調可能となる。
【選択図】図1

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は、気密封止された外部共振器レーザ・システムおよび方法に関する。
【背景技術】
【0002】
光ファイバによるテレコミュニケーションは、帯域幅の増加のデマンドに常に対応している。一例として、高密度波長分割多重方式(DWDM)によって帯域幅の拡張が達成され、DWDMにおいて、複数の異なるデータ・ストリームが単一の光ファイバ内に同時に存在し、各データ・ストリームの変調が異なるチャネル上に出現する。各データ・ストリームは、特定のチャネル波長で作動する半導体トランスミッタ・レーザーに対応する出力ビームに変調され、半導体レーザからの変調出力が、それぞれのチャネルの送信のために単一の光ファイバに纏められる。国際電気通信連合(ITU)は、現在約0.4ナノメートル、即ち約50GHzのチャネルセパレーションを定めている。このチャネルセパレーションに依れば、現在利用可能なファイバおよびファイバ・アンプの帯域幅の範囲内において、単一の光ファイバによって128までのチャネルを伝搬する事が可能である。ファイバ技術における改良と、より広い帯域幅へと常に増加するデマンドによって、将来的にはチャネルセパレーションがより狭くなる事が予想される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
DWDMシステムにおいて使用されるトランスミッタ・レーザーは、通常、ITU波長グリッドを画定する基準エタロンと共に、フィードバック制御ループに関連した基準エタロンによって作動する分散形フィードバック(DFB)レーザに基づいている。個々のDFBレーザの製造の際の統計的な変動によって、チャネル中心波長の分布が波長グリッドを横切ってしまい、また、したがって、個々のDFBトランスミッタは単一のチャネルあるいは少数の隣接したチャネルだけにしか使用出来ない。連続波長可変外部共振器レーザが、この問題を克服するために開発されている。
【0004】
連続波長可変テレコミュニケーション用レーザの到来によって、テレコミュニケーション送信システムに新たな複雑さが発生した。特に、このようなレーザの同調の様態は、使用の際の汚染および劣化に対して影響を受けやすい複数の光学部の表面を含む。以前、連続的に波長可変電気通信レーザに適切な保護を提供するシステムは利用可能ではなかった。このため、このようなレーザのコストは高く、性能寿命は短かった。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、コンテナ内に気密封止されたテレコミュニケーション・レーザー装置、および気密封止されたレーザ・システムを使用するレーザ方法を提供する。一般的に、本発明の装置は、外部共振器レーザ、および不活性雰囲気下で外部共振器レーザを収容するために形成される気密封止可能なコンテナを備える。外部共振器レーザは、複数の選択可能な波長チャネルでの送信が出来る様に、様々なメカニズムによって波長が可変であって良い。
【0006】
外部共振器レーザはゲイン媒体とエンドミラーを備えていて良い。ゲイン媒体は、第1出力面および反射防止コーティングが施されている第2出力面を含むダイオード・エミッタ・チップを備えていて良い。第1の出力面およびエンドミラーが、外部共振器の境界を定め、外部共振器内において、ゲイン媒体の第2出力面が、外部共振器の光路に沿ってコヒーレントなビームをエンドミラーまで放射する。チャネル・セレクタあるいは同様の同調部材が、外部共振器内におけるエンドミラーとエミッタ・チップの間の光路中に位置しても良い。
【0007】
気密封止可能なコンテナは、エンドミラー、ゲイン媒体および同調素子を備える外部共振器レーザを収容する。不活性雰囲気の下で外部共振器レーザを気密封止する事によって、ゲイン媒体の反射防止(AR)コーティング、チャネル・セレクタおよび他の光学コンポーネントの表面を保護する事が出来る。気密封止されていない状態において起こり得る外部共振器レーザに関する部品の光学表面上への汚染物質の付着によって、外部共振器レーザのパフォーマンスを低下させ、重要な光学表面の劣化を促進するような収差を引き起こす。本発明によって提供されるように、外部共振器レーザを気密封止することによって、レーザの光学表面の腐食および汚染を防ぐための制御された環境が達成される。
【0008】
本発明で使用可能な波長可変外部共振器レーザは、グリッド・ジェネレータ、エンドミラーとチャネル・セレクタを調節するために構成された同調装置、および同調とレーザの運転に関与する様々な他の部品を更に備えても良い。これらの部品の多くはレーザ運転中に多量の気体を発生する特性を持ち得、揮発性炭化水素が外部共振器レーザの様々な光学の表面を汚染し、および(または)劣化させ得る。この点において、外部共振器レーザは、注意深い材料選定および気体を放出し得る材料の使用の最小化によって、潤滑材、接着剤、ケーブル絶縁材、および揮発分と残留水分を含んだ他の部品による気体の放出に関連する問題を最小限にするか排除するべく構成される。
【0009】
ある実施形態において、1つ以上の活性炭ドレンが気密封止された筐体内に封止され、外部共振器レーザの部品から放出される気体によって生成される揮発性炭化水素を収集するために配置されて良い。活性炭ドレンは、レーザの運転中に放出される揮発性有機化合物を吸収またはトラッピングするために、活性炭の大きな表面を形成する。外部共振器レーザの組み立て中に、もしくは気密封止可能な筐体を封止する際に用いられるエポキシ樹脂および潤滑剤から放出される有機炭化水素も、活性炭ドレンによってトラッピングされる。活性炭ドレンによって、波長可変外部共振器レーザの光学表面に、性能を低下させる有機汚染物質が気密封止された筐体において存在しない状態を維持する事が可能になる。
【0010】
他の実施形態において、1つ以上の水分トラップが気密封止可能なコンテナ内に含まれ、外部共振器レーザの中に存在するポリイミドまたは他の水分を含む絶縁材または材料から放出される水蒸気を集めるために配置されて良い。このような放出された水分は、もしトラッピングされなければ、外部共振器レーザの重要な光学表面上に凝縮し、外部共振器レーザの性能を低下させ、部品の腐食を促進し得る。水分の凝縮は、レーザが使用されていない時の「クールダウン」期間の後に特に問題となる。水分トラップの材料は、様々な乾燥剤を含んで良い。水分トラップは、外部共振器レーザの運転中の性能を低下させて気密封止された筐体内のレーザ部品の腐食を促進する水分が光学の表面および他の場所に凝縮する事を防ぐ。
【0011】
一実施形態において、気密封止されたコンテナ内にシーリングされた不活性気体は、窒素を含む。ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、あるいは窒素とヘリウムの混合、ネオンとヘリウムの混合、クリプトンとヘリウムの混合、あるいはキセノンとヘリウムの混合を含む様々な混合物の様な不活性気体が気密封止された筐体に収容されていても良い。封止されたコンテナの機密度をテストおよび監視する事を可能にするために、ヘリウムが不活性気体に加えられても良い。気密封止されたコンテナ内に含まれる不活性気体または混合気体は、特定の屈折率あるいは他の光学的性質によって選定されても良い。
【0012】
本発明の装置は、波長可変外部共振器レーザの光学系の汚染を避けるために、放出された凝縮水分および揮発性炭化水素の双方をトラッピングする犠牲表面を気密封止された筐体内に備えても良い。犠牲表面は、レーザの運転中に周囲の表面よりも低い温度に保たれるように構成され、冷却源によって能動的に冷却され、および(または)、揮発性炭化水素および水蒸気を誘引するヒートシンクの役割をすることにより、受動的に冷却するような材料で作られていて良い。
【0013】
ある実施形態において、重要な光学表面を選択的に加熱する事が、汚染物質の凝縮を防ぐために使用されても良い。このような加熱は、電力がゲイン媒体に供給されておらず、外部共振器レーザが使用されていない時の凝縮を防ぐために、クールダウン期間中に用いられて良い。レーザが使用されていない際のゲイン媒体の出力面上の反射防止コーティング上への凝集を防ぐべくゲイン媒体の出力面を比較的高温度を保つために、気密封止された筐体の内部または外部に配置された1つ以上の熱源が、ゲイン媒体に電力が供給されていない時に外部共振器レーザのゲイン媒体を加熱するために使用されて良い。この方式による加熱はエンドミラー、同調可能な部材または敏感な光学表面を有する他の要素に対して用いられ、これらの温度を気密封止されたコンテナ内の活性炭ドレン、水分トラップおよび(または)犠牲表面よりも高温に保ち、これらの光学表面の汚染を更に防いでも良い。
【0014】
本発明は、気密封止された光ファイバ・フィードスルーを貫通して気密封止されたコンテナに延長し、外部共振器レーザの出力面に光学的に接続されて光学出力をそこから受信する光ファイバを備えるテレコミュニケーション・レーザシステムにおいて実施されて良い。気密封止可能なコンテナは、その構成において変化し得るものの、一般には、光ファイバが気密封止可能なコンテナの側面から挿入され得るように構成される。外部共振器レーザの運転に必要な様々な電線が、気密筐体の側面の気密フィードスルーを貫通して気密コンテナへ延長しても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
図面をより詳細に参照して、説明の目的のために、本発明は図1〜図7に示される装置および方法によって実施される。本願明細書に開示されている基礎概念から逸脱する事無く、本装置が構成に関して、および部分の詳細について変化し得、本方法が、その詳細およびイベントの順序について変化し得ると言う事は言うまでもない。本発明は、外部共振器レーザと共に使用される例によって主に開示される。
【0016】
図面をより詳細に参照して、説明の目的のために、本発明は図1〜図7に示される装置によって実施される。本願明細書に開示されている基礎概念から逸脱する事無く、本装置が構成に関して、および部分の詳細について変化し得、本方法が、その詳細および行為の順序について変化し得ると言う事は言うまでもない。本発明は、外部共振型ダイオード・レーザ(ECDL)パッケージおよびECDLを気密封止する方法に関して主に開示される。しかしながら、本発明が他のレーザ装置あるいは光学系と共に使用されてもよいことは、当業者にとっては非常に明白であろう。本願明細書に使用される用語は、特定の実施形態について記載するためだけに使用されているのであって、制限する事を意図していないと言う事が更に理解されるべきである。
【0017】
ここで図1を参照して、気密封止されたコンテナ11に収容された外部共振器レーザ10を備えるテレコミュニケーション・レーザー装置8が示される。外部共振器レーザ10は、ゲイン媒体12と、エンド、即ち外部反射部材、即ちエンドミラー14を備える。ゲイン媒体12は、反射防止(AR)コーティングが施された正面16および一部反射する裏面18を有する従来のファブリーペロー型ダイオード・エミッタ・チップを備えていても良い。外部共振器レーザは、裏面18およびエンドミラー14によって境界が定められる。外部共振器の光軸と同一直線上に整列される光路22を画定するために、ゲイン媒体12は、コヒーレントなビームを正面16から放射し、放射されたビームはレンズ20によってコリメートされる。同様に、ゲイン媒体12の正面と裏面16、18は、外部共振器の光軸と心合する。外部共振器レーザ10の出力を光ファイバ23へカップリングするために、従来の出力光学系(図示されない)が裏面18に対応付けられる。コンテナ11内に外部共振器レーザ10を収容するために、コンテナ11はコンテナを気密封止するための蓋(図示されない)を備える。コンテナ11の形状にほぼ一致するように、蓋の形状はほぼフラットでかつ矩形状であって良い。蓋は、融合、はんだ付けあるいは他の気密封止技術によってコンテナ11に結合するようになされている耐酸化性金属またはNi/Auのような合金でめっき、またはコーティングされて良い。
【0018】
外部共振器レーザ10はグリッド・ジェネレータ部材および同調部材を備え、これらは、ゲイン媒体12とエンドミラー14の間の光路22の中に位置するグリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26として図1においてそれぞれ示される。通常、グリッド・エタロン24は、光路22上において、同調部材26の前方に位置し、平行な反射面28、30を備える。グリッド・エタロン24は干渉フィルタとして作用し、グリッド・エタロン24の屈折率、および、面28、30の間隔によって決められるグリッド・エタロン24の光学厚さによって、例えばITU(国際電気通信連合)グリッドの様な選択された波長グリッドの中央部分の波長と一致する波長において、通信帯域内における複数の最小値が生じる。もしくは、他の波長グリッドが選択されても良い。グリッド・エタロンは、ITUグリッドのグリッド線間の間隔に対応する自由スペクトル領域(FSR)を有する。従って、グリッド・エタロン24は波長グリッドのグリッドラインのそれぞれを中心とする複数の通過帯域を供給するように作動する。グリッド・エタロン24は、波長グリッドの各チャネル間の外部共振器レーザの隣接するモードを抑制するようなフィネス(自由スペクトル領域÷半値全幅(FWHM))を有する。
【0019】
グリッド・エタロン24は固体、液体、または気体の平行平板によって離間されたエタロンであって良く、温度制御による熱膨張と収縮によって面28、30間の光学厚さの正確な寸法を画定することによって同調されて良い。もしくは、グリッド・エタロン24は、面28、30の間の光学厚さを変えるために傾斜させる事により同調されても良いし、あるいは電気光学的エタロン材料へ電界を印加する事により同調されても良い。外部共振器レーザ10の運転中の熱の変動によって発生し得る選択されたグリッド中の変化を防ぐために、グリッド・エタロン24が温度制御されても良い。もしくは、グリッド・エタロン24は、ダイバー等によって本願と共に出願された「グリッド・ジェネレータの連続同調を伴った外部共振器レーザ」という名称の米国特許出願番号第09/900474号に記載されるようなレーザの運転に際して、能動的に同調されてもよい。前述の開示は、参照によって本願に援用される。グリッド・エタロン以外の様々な他のタイプのグリッド・ジェネレータが、外部共振器レーザ10と共に使用されてもよい。
【0020】
ウェッジ・エタロン26もまた干渉フィルタとして機能し、平行では無い反射面32、34によってテーパ状の形状を有する。例えば、ウェッジ・エタロン26は、テーパ状の透過基板、隣接した透過基板の反射面間のテーパ状のエアギャップ、あるいは薄膜のウェッジ干渉フィルタを備えても良い。図1に示されるウェッジ・エタロン26は、外部共振器レーザに関する本発明において使用され得る同調部材あるいはチャネル・セレクタの一例に過ぎない。ウェッジ・エタロン26は、グレーチング装置および電気光学的装置のようなエタロン以外の様々な同調部材と置換されても良い。チャネル・セレクタとしてエアギャップ・ウェッジ・エタロンを使用する例が米国特許第6108355号明細書に記載されており、該明細書中において、「ウェッジ」とは隣接した基板によって画定されたテーパ状のエアギャップである。グレーチングの角度調整によって同調される枢動的に調整可能なグレーチング装置をチャネル・セレクタとして使用する事、また、電圧を選択的に印加する事によって同調される電気光学的な同調チャネル・セレクタを外部共振器レーザに使用する事が、2001年3月21日に出願された発明者アンドリュー・ダイバーによる米国特許出願番号第09/814646号に記載されている。並進的に同調された傾斜した薄膜干渉フィルタを使用する事が、ホプキンス等によって本願と共に出願された「傾斜した薄膜ウェッジ干渉フィルタ、およびレーザ同調に対して使用する際の方法」という名称の米国特許出願番号第09/814646号および米国特許出願番号第09/990412号に記載される。前述の開示は、参照によって本願に援用される。
【0021】
幾つかの例における外部共振器レーザ10の様々な光学要素間の相対的なサイズ、形状、および距離は、明瞭性を保つために誇張して示されている場合があり、必ずしも等縮尺であるとは限らない。外部共振器レーザ10は、焦点を合わせる要素、およびコリメーション要素と言った追加の要素(図示されず)を備えても良く、外部共振器レーザ10の様々な要素に関連した偽フィードバックを除去するように構成される偏光光学系を備えていても良い。
【0022】
ウェッジ・エタロン26によって画定される通過帯域は、グリッド・エタロン24によって画定される通過帯域よりも実質的に広く、その一周期は、グリッド・エタロン24によって画定される最短波長のチャネルと最長波長のチャネルの間の波長との差と実質的に対応する。換言すれば、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域は、グリッド・エタロン24によって画定された波長の全ての波長領域と対応する。ウェッジ・エタロン26は、特定の選択されたチャネルに隣接するチャネルを抑制するようなフィネスを有する。
【0023】
ウェッジ・エタロン26は、ウェッジ・エタロン26の面32、34間の光学厚さを変える事により、複数の通信チャネルの中から1つを選択するために使用される。
これは、x軸に沿ってウェッジ・エタロン26を変位させることにより達成される。x軸は、ウェッジ・エタロン26のテーパの方向と平行であり、光路22および外部共振器レーザ11の光軸に対して垂直である。ウェッジ・エタロン26によって画定される通過帯域のそれぞれによってチャネルが選択可能となり、また、ウェッジが光路22中に押し込まれる方向に変位するにつれて、光路22に沿って移動するビームはウェッジ・エタロン26のより厚い部分を貫通することになり、これによって、より長い波長チャネルにおける、相対する面32、34間の建設的干渉が得られる。ウェッジ・エタロン26が光路22から引き出される方向に変位するにつれて、ビームはウェッジ・エタロン26より薄い部分を貫通し、より短い波長チャネルに対応する光路22用の通過帯域を露出する。上述したように、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域は、グリッド・エタロン24の完全な波長の範囲に対応している。その結果、全ての波長グリッドの領域において、通信帯域内の単一のロスミニマムが同調される事が可能である。
グリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26からゲイン媒体12への統合化されたフィードバックによって、選択されたチャネルの中心波長においてレーザ光線を発することを可能にする。全同調レンジに渡って、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域はグリッド・エタロン24の自由スペクトル領域より広い。
【0024】
ウェッジ・エタロン26は、選択されたチャンネルに応じてウェッジ・エタロン26を調整可能に位置決めするように構成・構築された駆動部材36を含む同調装置により位置を変えられることによって同調される。駆動部材36は、ウェッジ・エタロン26の精密並進運動に好適なハードウェアと共にステッパーモータを備えても良い。もしくは、駆動部材は、直流サーボモーター、ソレノイド、ボイスコイル・アクチュエーター、圧電アクチュエーター、超音波ドライバ、形状記憶デバイス、または同様の往復型アクチュエーターのように、様々なタイプのアクチュエーターを含んでも良い。アクチュエーターの種類は上記されてものに限定されない。
【0025】
駆動部材36は制御装置38に動作可能なように接続され、制御装置38は、駆動部材36によるウェッジ・エタロン26の位置決めを制御する信号を供給する。制御装置38はデータ処理装置およびメモリ(図示されない)を備えて良く、選択可能なチャネル波長に対応するウェッジ・エタロン26の位置情報のルックアップテーブルが内部に保存される。制御装置38は駆動部材36の内部にあっても良いし、外部にあって、外部共振器レーザ10の他の要素の位置決めおよびサーボ機能と共有されても良い。図示される制御装置は気密封止されたコンテナ11の外部に存在するが、コンテナ11の内部に存在しても良い。
【0026】
外部共振器レーザ10が異なる通信チャネルに同調される時、制御装置38はルックアップテーブル中の位置データに応じて駆動部材36に信号を送り、駆動部材36はウェッジ・エタロン26を正確な位置まで移動させ、光路22中に位置するウェッジ・エタロン26の位置における光学厚さが、選択されたチャネルのための建設的干渉が得られるようになされる。ドライバ36によってウェッジ・エタロン26を正確・確実に位置調整するために、直線エンコーダ40がウェッジ・エタロン26および駆動部材36に関して使用されてもよい。
【0027】
ウェッジ・エタロン26の同調の最中に、他の同調メカニズム(図示されない)を用いて、エンドミラー14の位置を調整することによって、レーザ共振器の長さが同調されても良い。この他の同調メカニズムは、直流サーボ電動機、ソレノイド、ボイスコイル・アクチュエーター、圧電アクチュエーター、超音波ドライバ、形状記憶デバイス、あるいは他のタイプのアクチュエーターを含んで良い。本願と平行して出願され、参照によって本願に援用された、発明者ライス等による「外部共振器の能動的温度同調を伴うレーザ装置」という名称の米国特許出願番号第09/900443号に開示されているように、一実施形態において、エンドミラー14は、エンドミラーに接続された補償要素を選択的に加熱または冷却する事によって位置決めされても良い。ゲイン媒体の両端で監視された電圧に由来した誤差信号による電気光学部材を備えた外部レーザ共振器の同調が、本願と平行して出願された、発明者ダイバー等による「ゲイン媒体の両端の電圧によるレーザ損失の評価および調整」という名称の米国特許出願番号第09/990426号によって開示され、参照によって本願に援用される。
【0028】
ウェッジ・エタロン26は、光学上検知可能で、ウェッジ・エタロン26が最長または最短のチャネル波長に位置決めされた際にウェッジ・エタロン26の位置を確認するために用いられる不透明領域42、44を、ウェッジ・エタロン26の両端に備えていても良い。不透明領域42、44は、ウェッジ・エタロンの位置決めにおいて使用可能なエンコーダ・メカニズムを付加的に提供する。不透明領域42、44が光路22に進入するようにウェッジ26が位置決めされる時、不透明領域42、44は、光路に沿ってビームを遮断または減衰する。以下詳細される通り、この光の減衰は検知可能である。ウェッジ・エタロン26上の不透明領域42、44の位置は正確に決定され得るので、制御装置38は不透明領域42、44が何時光路22に進入するかを予想する事が出来る。予想されたポイント以外に光路22中の不透明領域の42、44が出現すると言う事は、エンコーダのエラーを表しており、また、制御装置38は、光路22中の不透明領域42、44の検知された位置に基づいて、適切な補正を行う事が出来る。別の不透明領域(図示されない)が、ウェッジ・エタロン26の任意の他の位置に更に含まれていても良い。
【0029】
気密コンテナ11内にある、水分、および揮発性有機物または炭化水素のような汚染物質に敏感な外部共振器レーザ10の光学部品の表面は、ARコーティングされているゲイン媒体12の表面16、エンドミラー14、グリッド・エタロン24の反射面28、30ウェッジ・エタロン26の平行ではない反射面32、34、コリメーターレンズ20の表面を含むが、これに限定されない。図示されておらず、汚染に対して敏感な外部共振器レーザ10の他の重要な光学部品の表面として、偏光およびダイクロイック光学部品および他のコリメーション部品が挙げられる。気密封止が可能なコンテナ11の内部に外部共振器レーザ10を気密封止することは、テレコミュニケーション・レーザー装置10を管理された環境に配置することによって、外部共振器レーザ11および他の敏感な部品を保護する。
【0030】
筐体11内を封止した後の外部共振器レーザ10の他の要素の気体放出によって生ずる揮発性有機物および炭化水素を吸着またはトラッピングするために、レーザ装置10は、気密封止された筐体11内に少なくとも1つの活性炭ドレン48を備える。活性炭ドレン48は、接着材、潤滑剤、絶縁材あるいは以下詳細に記述されるようにコンテナ11内に存在する他の有機材を含む部品から放出され得る揮発性有機化合物をトラッピングし保持するために、活性炭の大きな表面を形成する。
【0031】
外部共振器レーザ10をコンテナ11内に気密封止した後に、湿気を吸収し、外部共振器レーザ10の敏感な光学部品の表面上に水分が凝縮するのを妨げるために、水分トラップ50が、気密封止されたコンテナ11内にさらに提供される。例えば、水蒸気は、コンテナ11内の運転中に、外部共振器レーザの中に存在するポリイミドあるいは他の絶縁材から放出され得る。水分トラップ50は、多孔性容器に入れられた乾燥シリカ、硫酸カルシウムおよび(または)他の種類の一般的な乾燥剤を含んでいて良い。
【0032】
波長可変外部共振器レーザ10の光学系の汚染を回避するために、本発明の封止された筐体11は、水分の凝縮と、放出される揮発性炭化水素の両方をトラッピングするために犠牲となる犠牲表面52を更に備えていても良い。犠牲表面52は外部の冷却源によって冷却され、および(または)、高温度の表面に囲まれるか隣接している中において、揮発性有機物および水蒸気の凝縮を選択的に誘引するヒートシンクとして動作し得るような材料で製作または構成されても良い。
【0033】
外部共振器レーザ10が使用されておらず、ゲイン媒体12に電力が供給されていない時に、出力面16のARコーティングのために上昇させられた温度を維持し、表面上の凝縮を防ぐために、熱源54がゲイン媒体を加熱するために使用されても良い。図示されるように、熱源54は、ゲイン媒体12に接続された熱電制御装置を有する。ゲイン媒体12における面16、18の間の幅である光学厚さを熱的に制御するために、熱電制御装置54がさらにゲイン媒体12の運転中に使用されても良い。気密封止された筐体11を高温に保ち、汚染物質が選択された部品上に凝縮するのを防ぐために、1つ以上の発熱体(図示されない)が、気密封止された筐体11の内部または外部に配置されても良い。従って、活性炭ドレン48、水分トラップ50および(または)犠牲表面52の温度よりもエンドミラー14あるいはチャネル・セレクタ26を高い温度に維持し、光学表面32、34の汚染を防ぐために、エンドミラー14あるいはチャネル・セレクタ26に関して加熱が用いられてもよい。外部共振器レーザ中の重要な光学部品および光学表面への選択的な加熱もまた、ダイバー等によって本願と共に出願された「選択的な温度制御を伴う外部共振器レーザ」という名称の米国特許出願番号第09/900429号に記載され、参照によって本願に援用される。
【0034】
本発明の気密封止されたコンテナ11は、光ファイバ23がコンテナ11に入る箇所を気密封止するための光ファイバ・フィードスルー56と、コンテナ11の壁を貫通する電線またはインタフェース59用の少なくとも1つの電線フィードスルー58を備える。以下詳述されるように、通常は複数の電線が気密コンテナ11へ貫通する。ファイバ・フィードスルー56は、図7に関して以下詳述される。
【0035】
図2は、裏面18およびエンドミラー14によって画定されるグリッド・エタロン24、ウェッジ・エタロン26、および外部共振器の通過帯域の関係の一例を示すグラフである。図2は、外部共振器通過帯域PB1、グリッド・エタロン通過帯域PB2およびウェッジ・エタロン通過帯域PB3を示す。相対ゲインが縦軸に、波長が横軸に示される。図から明らかなように、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域(FSRChannel Sel)は、グリッド・エタロン24の自由スペクトル領域(FSRGrid Gen)より大きく、グリッド・エタロン24の自由スペクトル領域(FSRGrid Gen)は、外部共振器の自由スペクトル領域(FSRCavity)より大きい。外部共振器通過帯域PB1のピークは、グリッド・エタロン24の波長グリッドによって画定された通過帯域PB2の中心波長と周期的に一致する。全ての波長グリッドの通過帯域PB2に渡って広がるウェッジ・エタロン26の通過帯域PB3のピークは1つである。図2に示される特定の例において、波長グリッドは、0.5nm(62GHz)間隔で離間し、最短波長チャネルが1532nm、最長波長チャネルが1563.5nmであって、64個のチャネルに渡って延長している。
【0036】
グリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26のフィネスは、隣接しているモードまたはチャネルの減衰を決定する。上述されたように、フィネスは、自由スペクトル領域を半値全幅で割った値と等しい。即ち、フィネス=FSR/FWHMである。グリッド・エタロン通過帯域PB2の半値全幅が図2bに示され、ウェッジ・エタロン通過帯域PB3の半値全幅が図2cに示される。外部共振器内におけるグリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26の位置の調整によって、サイドモード抑圧比が向上する。
【0037】
1549.5nmおよびそれに隣接する1550nmに中心が合わせられたチャネル間におけるウェッジ・エタロン26の通過帯域PB3の同調の例が、図3のグラフによって示される。また、グリッド・エタロン24によって生成されたチャネルの選択と、隣接するチャネルまたはモードの減衰も示されている。図2に示される外部共振器の通過帯域PB1は、明瞭性を保つために図3においては省略される。グリッド・エタロン24は、グリッド・チャネル間隔に対応する外部共振器の周期的な縦モードを選択する一方で、隣接するモードは拒絶する。ウェッジ・エタロン26は、該波長グリッド中の特定のチャネルを選択し、他の全てのチャネルを拒絶する。選択されたチャネルあるいはレーザ光線のモードは、チャネル間隔のプラスマイナス約半分の範囲のフィルタ・オフセットにより、1つの特定のチャネルに画定される。チャネルのオフセットがより大きい場合、レーザ光線のモードは隣接するチャネルへとジャンプする。
【0038】
図3aにおいて、ウェッジ・エタロン通過帯域PB3のピークは、1549.5nmのグリッド・チャネルに合わせられている。1549.5nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインは高いが、その一方で隣接している1549.0nmおよび1550.0nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインレベルは、選択された1549.5nmのチャネルに比べて抑圧されている。1550.5nmおよび1548.5nmにおける通過帯域PB2に関するゲインは一層抑圧されている。1点鎖線は、ウェッジ・エタロン26によって抑圧されていない状態の通過帯域PB2の相対ゲインを示す。
【0039】
図3bはウェッジ・エタロン通過帯域PB3が、チャネル切り替えの最中に1549.5nmおよび1550.0nmのチャネルの間に位置する状態を示す。1549.5nmおよび1550.0nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインは両方とも高く、どちらも抑制されていない。1549.0nmおよび1550.5nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインのレベルは、1549.5nmおよび1550.0nmのチャネルに比べれば抑圧されている。1点鎖線は、ウェッジ・エタロン26によって抑圧されていない状態の通過帯域PB2の相対ゲインを示す。
【0040】
図3cは、ピークが1550.0nmのグリッド・チャネルに合わせられているウェッジ・エタロン通過帯域PB3を示し、1550.0nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインは高いが、その一方で隣接している1549.5nmおよび1550.5nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインレベルは、選択された1520.0nmのチャネルに比べて抑圧されており、1551.0nmおよび1549.0nmにおける通過帯域PB2に関するゲインは更に抑圧されている。再び、1点鎖線は、ウェッジ・エタロン26によって抑圧されていない状態の通過帯域PB2の相対ゲインを示す。
【0041】
図3に示し、また上述した様態で外部共振器レーザ10を正確に同調するためには、レーザの運転中に多量の気体を発生する特性を有する様々な種類の要素が必要であり、従って、揮発性有機化合物と水分が、外部共振器レーザ10の様々な光学部品の表面を汚染し得る要素から拡散し得る。図4および図5は、気密封止された容器内の多量に気体を発生する様々な部品をより明白に示した、密閉容器中の外部共振器レーザ装置61の別の実施形態を示す。同様の参照番号は、同様の部品を示すために使用される。明瞭性を保つため、電線59は図5からは省略される。コンテナ11は、さらに気密封止可能な蓋を有するが、明瞭性を保つために図示されない。
【0042】
図4および5に示された外部共振器レーザ装置61において、選択されたチャネルに従ってウェッジ・エタロン26を調整可能に位置決めするように組み立て・構成されたステッパーモータ62として、駆動部材36が提供される。ステッパーモータはモータ・ブラケット64にマウントされ、ベアリング67にマウントされたねじ式シャフト66を回転させる。ねじ式シャフト66は、ブラケット70によってウェッジ・エタロン26に結合されるねじ式半割りナット68を駆動する。もしくは、駆動部材36は、直流サーボモーター、ソレノイド、ボイスコイル・アクチュエーター、圧電アクチュエーター、超音波ドライバ、形状記憶デバイス、または同様のアクチュエーター(図示されず)のように、様々なタイプのアクチュエーターを含んでも良い。アクチュエーターの種類は上記にものに限定されない。潤滑剤の使用を最小限にし、半割ナット38のような部品にデルリン(登録商標)ナイロンのような低摩擦で気体を発生しにくい材料を使用する事によって、駆動部材36は、装置61の運転中の気体の発生を最小限にするようになされている。コンテナ11の内部の絶縁材の表面が表出する面積を最小限にするために、モータ62内の内部コンダクタ(図示されない)の長さはでできるだけ短くされる。
【0043】
半割りナット68はブラケット70に結合され、ブラケット70はステージ72に結合される。ステージ72はウェッジ・エタロン26を支持し、ウェッジ・エタロン26の位置調整を可能にするために、ウェッジ・エタロン26をレール74に沿って滑動可能に移動させる。シャフト66がステッパーモータ62によって回されるとともに、半割りナット67は螺動による相互作用によってシャフト66に沿って移動させられる。半割りナット68の動作によって、駆動装置ブラケット70およびステージ72が、ウェッジ・エタロン26を位置決めするためのレールに沿って駆動される。
【0044】
ステッパーモータ62によるウェッジ・エタロン26の並進運動用の制御装置として作動するEEPROMチップ(図示されない)を支持するために、セラミック基盤78がコンテナ11にはんだ付けされる。また、上述されたように、制御装置は外部に存在しても良い。レーザー・エンドミラー(図示されない)に接続された位相変調器83(図4)に電力を供給するために、トランス80がセラミック基盤82上に支持される。直線エンコーダ40が、エンコーダ・スケール84に隣接するようにコンテナ11にマウントされ、ウェッジ・エタロン26の位置調整を監視するために使用される。光検出器85(図4)がレーザ光路の中の位相変調器83の後方に位置し、レーザ性能を監視するために使用される。
【0045】
ステッパーモータ62と同様に、エンコーダ84およびトランス80は、レーザ運転中に気密コンテナ11内における気体放出を最小限にするために設計・構成される。この点において、他の気密コンテナ内の全ての箇所と同様に、エンコーダ84およびトランス80の絶縁材は最小化され、気体放出性の低いものが選択される。
【0046】
穴86(図4)がコンテナ11中に提供され、電線フィードスルー58(図1)を使用することによって、穴86貫通して延長する電線59を気密封止する事が出来るようになされる。フィードスルー58は、穴86に嵌入するガラススリーブを備え、それに電線59が挿入される。フィードスルー58および電線59は、高温に曝される事によって穴86へ溶融して密閉される。この方式による電線の気密封止は、コンテナ11内の全ての熱に敏感な部品を導入する前に実行される。
【0047】
気密封止可能な筐体11は、外部共振器レーザ61を封止した後にさびまたは腐食が、筐体11内に発生するのを防ぐために金属めっきされる。気密封止筐体11は、コバール(登録商標)Ni−Fe−Co合金、またはあるいは気密筐体に適している良好な耐食性および成形性を有する他の金属・合金で出来ていでも良い。清潔かつ耐腐食性を有する表面を得るために、気密の筐体11は、金、または他の耐腐食性金属・合金でめっきされる。筐体11は、クラス100より清潔なクリーンルーム内のように、起こり得る汚染に対して保護されている条件の下で金属めっきされる。可能な場合、気密コンテナ11内に接着材を使用することは避けられる。また、フラックスレスはんだが接合のために用いられる。樹脂を含んでいる基盤から気体が放出される事を避けるために、回路基板88、82および78は、繊維ガラス強化樹脂の代わりにセラミックで作られており、フラックスレスはんだプロセスによってコンテナ11に直接取り付けられる。内部のレーザ装置61の周囲の気密封止された筐体を成形するために、蓋89(その一部のみが図5に示される)は、コンテナ11の形に略一致し、レーザ装置61を内部に収容する気密封止された筐体を形成するために、コンテナ11を気密封止するためのNi−Auめっきを含んでいる。
【0048】
装置61の重要な光学部品の表面の多くは、レーザ・サブアセンブリ・モジュール90の別個または離間した温度制御されている基板に設置されても良い。図6は、図5のレーザ・サブアセンブリ90の略図である。サブアセンブリ・モジュール90において、他の外部共振器レーザ部品を支持する1つまたは複数の基盤とは別個かつ離間している基板92上にレーザ出力部材を配置する事が可能である。サブアセンブリ90は、出力面16、18を備えたダイオード・エミッタ・チップ12と、面16、18にそれぞれ光学的に結合したコリメーターレンズ20、96と、ドッグボーン状材100と、サーミスタ102と、光アイソレータ104と、ファイバ・フォーカス・レンズ106と、ファイバ・フェルール108とを備え、これらはレーザ出力サブアセンブリ92上にマウントされる。
【0049】
出力サブアセンブリ90の基板92は熱電制御装置(示されない)に結合され、熱電制御装置はサーミスタ102を経由して基板92の温度を監視し、基板92および基板92上の出力サブアセンブリ部品の温度が制御される。ダイオード面16および18、コリメーター20、96および106の表面はレーザ装置61の重要な光学部品の表面の一部であり、これらの部品が単一の温度制御された基板92に搭載される事によって、水分あるいは放出された揮発性有機化合物が光学部品の表面上に凝縮することを防ぐべく、部品の集合的な温度制御をする事が出来る。
【0050】
基板92は、アルミニウム窒化物および(または)炭化けい素のような高い熱伝導率の材料を含んでも良い。温度制御されたサブアセンブリ90は、さらに基板92上における部品の最適なアライメントを維持するために、温度制御を使用する事が出来る。この点において、基板92のCTE(熱膨張率)は、ダイオード・エミッタ12のCTEと一致しても良い。さらに、サブアセンブリ90によって提供されるような選択された光学部品の温度を制御する事で、重要な光学部品および光学部品の表面だけを選択的に加熱するので、装置61の電力消費を最小化する。
【0051】
様々な他の光学要素が基板92上に、あるいは他の温度制御された基板(図示されない)上にマウントされる事により、選択的な温度制御の支配下に入り得る。例えば、グリッド・ジェネレータ24および(または)低解像度のスペクトロメータ(図示されない)が基板92に配置されても良い。外部共振器レーザ中の光学要素を選択的に温度制御することもまた、ダイバー等によって本願と共に出願された「選択的な温度制御を伴う外部共振器レーザ」という名称の米国特許出願番号第09/900429号に記載され、参照によって本願に援用される。
【0052】
光ファイバ23に関する気密封止はファイバ・フィードスルー装置56によって提供され、図7において概略的に示される。ファイバ・フィードスルー56は光ファイバ23を気密封止するように構成される。光ファイバ23の外部ジャケット110および内部ジャケット112は、内部ジャケット112および外部ジャケット110の絶縁材から気体が放出される事を避けるために筐体11へ延長するファイバ23の部分から取り除かれる。フェルール114はコンテナ11の壁を貫通して延長し、ファイバ23はフェルール114を貫通する。コンテナ11の内側115において、ジャケット110、112が除かれたファイバ23は、はんだプラグ116によって融合され封止される。光ファイバ23およびフェルール114の内表面は、容易にはんだ付け出来る様に金属化されていても良い。エポキシプラグ117は、コンテナ11の外側118に隣接した適当な位置にファイバ23を保持する。ファイバ・フィードスルー56は、取り扱い上の損傷を防ぐため、ファイバに引張応力を加えて支持するように構成される。
【0053】
気密封止された外部共振器レーザ装置61の製作において、材料からの気体放出を抑制するために、潤滑剤、接着材、ケーブル絶縁材、および揮発性物質および残留水分を含んでいる他の材料の使用は最小限にされる。気密封止されたレーザ61の中で最も気体を放出する傾向にある部品は、ステッパーモータ62、エンコーダ40およびトランス80である。可能な限り、気体放出を避けるための材料選定が実行される。装置61の様々な部品の準備および組み立ては、クリーンルームの中で行なわれても良く、および(または)、外部共振器レーザの筐体61を気密封止するのに先立って様々な部品から残余の水分および揮発性の有機炭化水素を取り除くために、1回以上の真空ベーキングおよび(または)不活性雰囲気の下でのベーキングが実行されても良い。詳細には、1回以上の真空ベーキング、およびそれに続いて不活性気体によるパージが、気密封止可能な蓋89を含んだ組み立てられた装置61全体に対して実行されても良い。
【0054】
筐体内の内側の全ての部品を気密封止するために、最終真空ベーキング/不活性気体によるパージに続いて、不活性かつ水分が制御された雰囲気下で、蓋が筐体に気密封止される。水分を制御する事によって、コンテナ11に乾燥した不活性ガスを供給し、シーリング後のコンテナ11内の水分量が最小である事を保証する。コンテナへ蓋を気密封止する多数の方法が従来技術において周知であり、かつ使用可能である。気密封止のために使用される不活性気体は窒素、アルゴン、ヘリウム、クリプトン、キセノンあるいは他の不活性ガス、またはその様々な混合物を含んでいて良い。
【0055】
本発明は特定の実施例に関して記載された一方、本発明の真の精神と範囲から逸脱することなく、さまざまな修正がなされ得、均等物によって置換され得る事が当業者によって理解されるべきである。加えて、特定の状況、材料、組成物、プロセス、工程段階を、本発明の目的、精神および範囲に適応させるために、多くの変更が成され得る。この種の変更の全てが、添付の特許請求の範囲の範囲内であることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【0056】
【図1】気密封止された外部共振器レーザ装置の概略図である。
【図2】或る波長グリッド内の選択されたチャネルに関するウェッジ・エタロン・チャネルセレクター、グリッド・ジェネレータ・エタロンおよび外部共振器に関する、図1に関して説明された外部共振器レーザの通過帯域特性の例を示すグラフである。
【図3】或る波長グリッド内の複数のチャネルにおける、図1に関して説明された外部共振器レーザの同調に対するゲイン応答の例を示すグラフである。
【図4】カバーが取り払われた状態の、気密封止可能な筐体内の外部共振器レーザの斜視図である。
【図5】エンドミラーが省略された状態の、図4に示された外部共振器レーザおよび気密封止可能な筐体の平面図である。
【図6】図5の気密封止可能な外部共振器レーザのレーザ・サブアセンブリの略図である。
【図7】図5の気密封止可能な外部共振器レーザの光ファイバ・フィードスルーの略図である。

Claims (37)

  1. 外部共振器レーザと、
    前記外部共振器レーザを不活性気体の中で収容するように構成される気密封止可能なコンテナとを備えるレーザ装置。
  2. 前記不活性気体の水分量が制御されている、請求項1に記載の装置。
  3. 前記外部共振器レーザは波長が可変である、請求項1に記載の装置。
  4. 前記外部共振器レーザが、第1および第2出力面を含むゲイン媒体を備え、
    前記第2出力面に反射防止コーティングが施されている、請求項3に記載の装置。
  5. 前記外部共振器レーザがエンドミラーを更に備え、
    前記エンドミラーおよび前記ゲイン媒体の前記第1出力面が外部共振器を画定し、
    前記ゲイン媒体が、前記第2出力面から出力パスに沿ってビームを放射する、請求項4に記載の装置。
  6. 前記気密封止可能なコンテナの内部において、前記エンドミラーに動作可能なように接続され、前記エンドミラーを調節するように構成される同調装置を更に備える、請求項5に記載の装置。
  7. 前記外部共振器レーザがグリッド・ジェネレータを備える、請求項3に記載の装置。
  8. 前記外部共振器レーザがチャネル・セレクタを備える、請求項1に記載の装置。
  9. 前記チャネル・セレクタに移動可能なように接続され、前記チャネル・セレクタを調節するように構成される同調装置をさらに備える、請求項8に記載の装置。
  10. 前記気密封止可能なコンテナの内側に位置する活性炭ドレンを更に備える、請求項1に記載の装置。
  11. 前記気密封止可能なコンテナの内側に位置する水分トラップを更に備える、請求項1に記載の装置。
  12. 前記不活性気体は、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素とヘリウムの混合、ネオンとヘリウムの混合、クリプトンとヘリウムの混合、およびキセノンとヘリウムの混合の中から選択される気体である、請求項1に記載の装置。
  13. 前記気密封止可能なコンテナ内に延長し、前記外部共振器からの光出力を受信するべく配置された光ファイバと、
    前記光ファイバを気密封止するように構成されたファイバ・フィードスルーとを更に備える、請求項3に記載の装置。
  14. レーザ装置であって、
    (a) 第1出力面、および表面に反射防止コーティングが施された第2出力面を有するゲイン媒体と、
    (b) エンドミラーとを備え、
    前記ゲイン媒体の前記第1出力面および前記エンドミラーが外部共振器を画定し、前記ゲイン媒体が前記外部共振器の内部の光路に沿ってビームを放射し、前記エンドミラーが前記光路中に配置され、
    前記レーザ装置が更に、
    (c)不活性かつ水分が制御された雰囲気において前記外部共振器を収容する気密封止されたコンテナを備える、装置。
  15. 前記エンドミラーに動作可能なように接続され、前記エンドミラーを調節するように構成される同調装置を更に備え、
    前記同調装置が前記気密封止可能なコンテナの内部に位置する、請求項14に記載の装置。
  16. 前記外部共振器レーザがグリッド・ジェネレータを更に備え、
    前記グリッド・ジェネレータが、前記外部共振器の前記光路中に位置する、請求項14に記載の装置。
  17. チャネル・セレクタを更に備え、
    前記チャネル・セレクタが、前記外部共振器の前記光路中に位置する、請求項14に記載の装置。
  18. 前記チャネル・セレクタに移動可能なように接続され、前記チャネル・セレクタを調節するように構成される同調装置を更に備え、
    前記同調装置が前記気密封止可能なコンテナの内部に位置する、請求項17に記載の装置。
  19. 前記気密封止されたコンテナの内側に位置する活性炭ドレンを更に備える、請求項14に記載の装置。
  20. 前記気密封止されたコンテナの内側に位置する水分トラップを更に備える、請求項14に記載の装置。
  21. 前記不活性気体は、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素とヘリウムの混合、ネオンとヘリウムの混合、クリプトンとヘリウムの混合、およびキセノンとヘリウムの混合の中から選択される気体である、請求項14に記載の装置。
  22. (a)外部共振器レーザを提供するステップと、
    (b)前記外部共振器レーザを、気密封止されるコンテナ内に不活性雰囲気において気密封止するステップとを備える、レーザを製造する方法。
  23. 前記外部共振器レーザが、
    反射防止表面を有するゲイン媒体と
    前記ゲイン媒体から放射されたビームによって画定される光路中に位置するエンドミラーとを備える、請求項22に記載の方法。
  24. 前記外部共振器レーザが、前記エンドミラーに動作可能なように接続され、前記エンドミラーを調節するように構成される同調装置を備える、請求項23に記載の方法。
  25. 前記外部共振器レーザがグリッド・ジェネレータを備える、請求項22に記載の方法。
  26. 前記外部共振器レーザがチャネル・セレクタを備える、請求項22に記載の方法。
  27. 前記外部共振器レーザが同調装置を備え、前記同調装置が、前記チャネル・セレクタに移動可能なように接続され、前記チャネル・セレクタを調節するように構成される、請求項26に記載の方法。
  28. 前記気密封止ステップに先立って、前記外部共振器レーザを真空ベーキングするステップを更に備える、請求項22に記載の方法。
  29. 前記気密封止ステップに先立って、前記外部共振器レーザの少なくとも1個の多量の気体を放出する部品を真空ベーキングするステップを更に備える、請求項22に記載の方法。
  30. 前記外部共振器レーザに隣接する前記気密封止されたコンテナ中に活性炭ドレンを提供するステップと、
    前記活性炭ドレンで揮発性有機炭化水素を吸収するステップとを更に備える、請求項22に記載の方法。
  31. 前記外部共振器レーザに隣接する前記気密封止されたコンテナ中に水分トラップを提供するステップと、
    前記水分トラップ上に水分を凝縮させるステップとを更に備える、請求項22に記載の方法。
  32. 前記同調装置がステッパーモータを備える、請求項27に記載の方法。
  33. (a)外部共振器レーザと、
    (b)前記外部共振器レーザを不活性雰囲気において気密封止する手段とを備える、レーザ装置。
  34. 前記不活性雰囲気中の揮発性有機化合物を吸着する手段を更に備える、請求項33に記載の装置。
  35. 前記不活性雰囲気中の気体から水分をトラッピングする手段を更に備える、請求項33に記載の装置。
  36. 前記外部共振器レーザを同調する手段を更に備える、請求項33に記載の装置。
  37. 前記外部共振器レーザおよび前記同調する手段が、前記気密封止する手段に収容される、請求項36に記載の装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013153704A1 (ja) * 2012-04-09 2013-10-17 三菱電機株式会社 レーザ装置
JP2020177985A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 日亜化学工業株式会社 外部共振器型半導体レーザ

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6512385B1 (en) 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
US6879619B1 (en) * 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
US6816516B2 (en) 2001-03-21 2004-11-09 Intel Corporation Error signal generation system
US6788724B2 (en) 2001-07-06 2004-09-07 Intel Corporation Hermetically sealed external cavity laser system and method
US6822979B2 (en) 2001-07-06 2004-11-23 Intel Corporation External cavity laser with continuous tuning of grid generator
US6804278B2 (en) 2001-07-06 2004-10-12 Intel Corporation Evaluation and adjustment of laser losses according to voltage across gain medium
US7289544B2 (en) * 2001-09-20 2007-10-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
US7733499B2 (en) 2001-12-06 2010-06-08 Attofemto, Inc. Method for optically testing semiconductor devices
US8462350B2 (en) 2001-12-06 2013-06-11 Attofemto, Inc. Optically enhanced holographic interferometric testing methods for the development and evaluation of semiconductor devices, materials, wafers, and for monitoring all phases of development and manufacture
US9952161B2 (en) 2001-12-06 2018-04-24 Attofemto, Inc. Methods for obtaining and analyzing digital interferometric data for computer testing and developing semiconductor and anisotropic devices and materials
GB0201113D0 (en) * 2002-01-18 2002-03-06 Tyco Electronics Raychem Nv Enclosed optical circuits
JP2003214958A (ja) * 2002-01-21 2003-07-30 Gigaphoton Inc 波長検出装置、レーザ装置及び波長検出方法
US7230959B2 (en) * 2002-02-22 2007-06-12 Intel Corporation Tunable laser with magnetically coupled filter
US7120178B2 (en) * 2002-06-15 2006-10-10 Intel Corporation Chip carrier apparatus and method
US6845121B2 (en) 2002-06-15 2005-01-18 Intel Corporation Optical isolator apparatus and methods
US6763047B2 (en) * 2002-06-15 2004-07-13 Intel Corporation External cavity laser apparatus and methods
JP4209144B2 (ja) * 2002-06-21 2009-01-14 パナソニック株式会社 圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置
US7436867B2 (en) * 2002-11-27 2008-10-14 Intel Corporation Hermetically sealed external cavity laser system and method
US7218650B2 (en) * 2003-12-31 2007-05-15 Intel Corporation Wavelength reference filter
DE102004057494A1 (de) * 2004-11-29 2006-06-08 Siemens Ag Metallisierte Folie zur flächigen Kontaktierung
US20070002922A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Intel Corporation Retro-reflecting lens for external cavity optics
US7295582B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 Intel Corporation Thermo-optic tunable laser apparatus
CN100487623C (zh) * 2005-10-10 2009-05-13 中国科学院安徽光学精密机械研究所 封闭式双晶体可调温控盒
EP1958302B1 (en) * 2005-12-06 2019-02-20 Google LLC Passive phase control in an external cavity laser
US8442082B2 (en) * 2006-10-03 2013-05-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser controller
US8259765B2 (en) * 2006-12-06 2012-09-04 Google Inc. Passive phase control in an external cavity laser
US8942267B2 (en) 2011-05-17 2015-01-27 Redshift Systems Corporation Thermo-optically tunable laser system
EP2860830B1 (en) 2013-10-14 2021-03-17 Camlin Technologies (Switzerland) Limited Hermetically sealed container for laser device
DE102014109618A1 (de) * 2014-07-09 2016-01-14 Sick Ag Sensor mit Kondensationsfalle
CN113573840A (zh) * 2019-02-02 2021-10-29 努布鲁有限公司 高可靠性、高功率、高亮度蓝色激光二极管系统及其制造方法
US11302590B2 (en) 2019-02-15 2022-04-12 Kla Corporation Delivery of light into a vacuum chamber using an optical fiber
DE102019205602B4 (de) * 2019-04-17 2020-11-05 Zf Friedrichshafen Ag Parksperrenrad und Parksperrenanordnung
DE112020004127T5 (de) * 2019-10-16 2022-07-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Siloxan-minderung für lasersysteme
EP4101036A4 (en) * 2020-02-03 2024-04-17 Nuburu, Inc. LONG LIFE LASER DIODE PACKAGING

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE789352A (fr) 1971-09-27 1973-01-15 Siemens Ag Procede pour la stabilisation de la frequence d'un laser
US3788743A (en) 1972-03-02 1974-01-29 California Inst Of Techn Laser receiver system
US3921099A (en) 1974-09-16 1975-11-18 Hughes Aircraft Co Frequency stabilized laser
US3965440A (en) 1975-04-02 1976-06-22 Hughes Aircraft Company Tunable laser oscillator
US4410992A (en) 1980-03-26 1983-10-18 Laser Science, Inc. Generation of pulsed laser radiation at a finely controlled frequency by transient regerative amplification
JPS57133531A (en) 1981-02-12 1982-08-18 Agency Of Ind Science & Technol Optical information processor
US5124993A (en) 1984-09-20 1992-06-23 International Sensor Technology, Inc. Laser power control
US4730105A (en) 1986-07-25 1988-03-08 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Apparatus for the stabilization of the output intensity of a laser using a Fabry-Perot cavity
US4847854A (en) * 1987-11-13 1989-07-11 Dijk Johannes W Van Lasers
US4934816A (en) 1988-05-18 1990-06-19 Southwest Sciences, Incorporated Laser absorption detection enhancing apparatus and method
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US5163063A (en) 1990-02-07 1992-11-10 Copal Co., Ltd. Semiconductor laser driving circuit
SE468337B (sv) 1991-05-08 1992-12-14 Radians Innova Ab Saett att anordna och justera in en laser samt laseranordning vilken genomfoer saettet
US5181214A (en) * 1991-11-18 1993-01-19 Harmonic Lightwaves, Inc. Temperature stable solid-state laser package
US5319668A (en) 1992-09-30 1994-06-07 New Focus, Inc. Tuning system for external cavity diode laser
US5289491A (en) 1993-03-22 1994-02-22 Amoco Corporation Intracavity harmonic sub-resonator with extended phase matching range
JPH0766482A (ja) 1993-08-26 1995-03-10 Anritsu Corp 可変波長光源
TW268913B (ja) * 1993-08-30 1996-01-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
US6337660B1 (en) 1993-09-17 2002-01-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fiber optic true time-delay array antenna feed system
US5418800A (en) 1993-10-27 1995-05-23 Yeda Research And Development Co. Ltd. Reduced linewidth from an electrically coupled two section semiconductor laser
US5414280A (en) 1993-12-27 1995-05-09 Xerox Corporation Current driven voltage sensed laser drive (CDVS LDD)
US5412676A (en) 1994-06-06 1995-05-02 National Research Council Of Canada Method and apparatus for the determination of the relative frequency offset between an input optical signal and a resonance frequency of an optical cavity
US5428700A (en) 1994-07-29 1995-06-27 Litton Systems, Inc. Laser stabilization
DE4428194C2 (de) 1994-08-09 1998-02-12 Rofin Sinar Laser Gmbh Lasersystem mit einer kompensierten Spiegeloptik
US5696785A (en) * 1994-10-11 1997-12-09 Corning Incorporated Impurity getters in laser enclosures
JP3378103B2 (ja) 1994-12-28 2003-02-17 富士写真フイルム株式会社 レーザーダイオード励起固体レーザー
US5721430A (en) * 1995-04-13 1998-02-24 Engelhard Sensor Technologies Inc. Passive and active infrared analysis gas sensors and applicable multichannel detector assembles
US5917188A (en) * 1995-09-01 1999-06-29 Innovative Lasers Corporation Diode laser-pumped laser system for intracavity laser spectroscopy (ILS)
JPH09211272A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール
US6111681A (en) 1996-02-23 2000-08-29 Ciena Corporation WDM optical communication systems with wavelength-stabilized optical selectors
US5673129A (en) 1996-02-23 1997-09-30 Ciena Corporation WDM optical communication systems with wavelength stabilized optical selectors
CA2172873C (en) 1996-03-28 2002-03-12 Kim Byron Roberts Method of determining optical amplifier failures
US6052401A (en) * 1996-06-12 2000-04-18 Rutgers, The State University Electron beam irradiation of gases and light source using the same
US6165816A (en) * 1996-06-13 2000-12-26 Nikko Company Fabrication of electronic components having a hollow package structure with a ceramic lid
AU729110B2 (en) 1996-07-26 2001-01-25 Perkin-Elmer Corporation, The Tunable external cavity diode laser
SG125044A1 (en) * 1996-10-14 2006-09-29 Mitsubishi Gas Chemical Co Oxygen absorption composition
US6044095A (en) 1996-10-30 2000-03-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting device drive circuit
US5777773A (en) 1996-10-31 1998-07-07 Northern Telecom Limited Optical frequency control system and method
US5872881A (en) * 1997-02-12 1999-02-16 Sdl, Inc. High-thermal-conductivity sealed package for fiber optic coupling to an optoelectronic device
US5943352A (en) 1997-03-25 1999-08-24 Mci Communication Corporation External cavity laser with optically switched tuning mechanism
AU7757098A (en) * 1997-06-06 1998-12-21 Forskningscenter Riso Laser systems using phase conjugate feedback
SE9702175D0 (sv) 1997-06-06 1997-06-06 Geotronics Ab A laser
US6205159B1 (en) 1997-06-23 2001-03-20 Newport Corporation Discrete wavelength liquid crystal tuned external cavity diode laser
US6034799A (en) 1997-06-30 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Tuning source for lightwave systems
US6115121A (en) 1997-10-31 2000-09-05 The Regents Of The University Of California Single and double superimposing interferometer systems
US6229835B1 (en) 1997-12-05 2001-05-08 Hitachi, Ltd. Compact solid-state laser and transmitter using the same
US6040950A (en) 1998-01-05 2000-03-21 Intel Corporation Athermalized mounts for lenses
US6201638B1 (en) 1998-01-23 2001-03-13 University Technology Corporation Comb generating optical cavity that includes an optical amplifier and an optical modulator
JP3438770B2 (ja) 1998-03-06 2003-08-18 Kddi株式会社 光ディジタル再生装置
JP3197869B2 (ja) 1998-03-31 2001-08-13 アンリツ株式会社 波長可変レーザ光源装置
KR20010074479A (ko) 1998-04-08 2001-08-04 추후제출 고속 전기광학 변조기
JPH11307864A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変光源
US6151337A (en) 1998-05-06 2000-11-21 The Research And Development Institute, Inc. Continuous-wave Raman laser having a high-finesse cavity
KR100295810B1 (ko) 1998-06-02 2001-10-26 서평원 파장분할다중방식광전송망채널감시시스템
JP2002525856A (ja) 1998-09-11 2002-08-13 ニュー・フォーカス・インコーポレイテッド 波長可変レーザ
US6259712B1 (en) 1998-10-01 2001-07-10 International Business Machines Corporation Interferometer method for providing stability of a laser
US6108355A (en) * 1998-10-16 2000-08-22 New Focus, Inc. Continuously-tunable external cavity laser
US6301280B1 (en) 1999-01-11 2001-10-09 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Apparatus and method for forming a laser control signal, and a laser including the apparatus
EP1069659A4 (en) 1999-02-03 2003-03-05 Furukawa Electric Co Ltd SEMICONDUCTOR LASERS AND SEMICONDUCTOR LASER MODULES USING THEM
AU3859000A (en) 1999-02-19 2000-09-04 New Focus, Inc. Tunable laser transmitter with internal wavelength grid generators
US6220767B1 (en) 1999-05-14 2001-04-24 Corning Incorporated Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making
US6215802B1 (en) 1999-05-27 2001-04-10 Blue Sky Research Thermally stable air-gap etalon for dense wavelength-division multiplexing applications
US6181717B1 (en) 1999-06-04 2001-01-30 Bandwidth 9 Tunable semiconductor laser system
US6580734B1 (en) 1999-07-07 2003-06-17 Cyoptics Ltd. Laser wavelength stabilization
US6516010B1 (en) * 1999-07-13 2003-02-04 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for active numeric temperature compensation of an etalon in a wavelength stabilized laser
EP1214762A4 (en) * 1999-07-27 2007-11-28 New Focus Inc METHOD AND DEVICE FOR FILTERING AN OPTICAL BEAM
US6879619B1 (en) * 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
US6524016B1 (en) 1999-09-24 2003-02-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module
US6366689B1 (en) 1999-10-14 2002-04-02 Asti, Inc. 3D profile analysis for surface contour inspection
US6455930B1 (en) * 1999-12-13 2002-09-24 Lamina Ceramics, Inc. Integrated heat sinking packages using low temperature co-fired ceramic metal circuit board technology
JP3931545B2 (ja) * 2000-03-22 2007-06-20 住友電気工業株式会社 発光モジュール
JP3884213B2 (ja) * 2000-03-31 2007-02-21 三菱電機株式会社 レーザ発振器
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2002131585A (ja) * 2000-10-20 2002-05-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ
US6366592B1 (en) * 2000-10-25 2002-04-02 Axsun Technologies, Inc. Stepped etalon semiconductor laser wavelength locker
US6470036B1 (en) 2000-11-03 2002-10-22 Cidra Corporation Tunable external cavity semiconductor laser incorporating a tunable bragg grating
WO2002078137A1 (en) 2001-03-21 2002-10-03 Intel Corporation Laser apparatus with active thermal tuning of external cavity
US6631146B2 (en) 2001-07-06 2003-10-07 Intel Corporation Tunable laser control system
US6901088B2 (en) 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US6788724B2 (en) 2001-07-06 2004-09-07 Intel Corporation Hermetically sealed external cavity laser system and method
US6663294B2 (en) * 2001-08-29 2003-12-16 Silicon Bandwidth, Inc. Optoelectronic packaging assembly

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013153704A1 (ja) * 2012-04-09 2013-10-17 三菱電機株式会社 レーザ装置
JP2020177985A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 日亜化学工業株式会社 外部共振器型半導体レーザ
JP7364850B2 (ja) 2019-04-16 2023-10-19 日亜化学工業株式会社 外部共振器型半導体レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
KR100620369B1 (ko) 2006-09-14
US20030007539A1 (en) 2003-01-09
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