JP2004523763A5 - - Google Patents

Claims (29)

1. 全体的に細長いアモルファス軟磁性又はナノ結晶の電気抵抗素子と、該素子にバイアス磁界を印加するバイアス手段とを備えるセンサであって、前記素子に沿って配向される前記磁界の成分が、前記素子に沿って空間的に実質的に変化する振幅パターンを有するセンサ。
2. 前記パターンが予め定められていることを特徴とする請求項１に記載のセンサ。
3. 前記バイアス手段が、前記パターン内で変化を生じるように制御可能であることを特徴とする請求項１に記載のセンサ。
4. 前記変化が、前記パターンの振幅における変化であることを特徴とする請求項３に記載のセンサ。
5. 前記変化が、前記素子の長さに対する前記パターンの位置における変化であることを特徴とする請求項３又は４に記載のセンサ。
6. 前記変化が、パターン自体の変化であることを特徴とする請求項３又は４に記載のセンサ。
7. 前記振幅変化が周期的であることを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
8. 前記パターンが、実質的に直線的な立ち上がり及び／又は立ち下がりの傾斜又はその近似を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載のセンサ。
9. 前記素子が、該素子の長さに沿って比較的高導電性の材料でコートされた部分を有することを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
10. 前記素子が、ワイヤ、リボン、又は繊維の形態であることを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
11. 前記素子がメルトスパンされることを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
12. 前記素子が、メルトスパンされた後にアニールされることを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
13. 前記素子が、小さな負の磁気歪みを示すことを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
14. 前記素子が、小さな正の磁気歪みを示すことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１つに記載のセンサ。
15. 前記素子が、コバルト含有量の高い合金で形成されることを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
16. 前記素子が、１つのマトリックス内に埋め込まれることを特徴とする先出の請求項のいずれかに記載のセンサ。
17. 複数の前記素子が、１つのマトリックス内に埋め込まれる
    ことを特徴とする先出の請求項のいずれか１つに記載のセンサ。
18. 前記マトリックスが、電気絶縁性を有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載のセンサ。
19. 先出の請求項のいずれかに記載のセンサと、素子に交流電流を供給する電流供給手段とを備える感知デバイス。
20. 前記交流電流の周波数が、無線周波数範囲内にあることを特徴とする請求項１９に記載の装置。
21. 前記交流電流の周波数が、少なくとも１００ＫＨｚであることを特徴とする請求項２０に記載の装置。
22. 前記交流電流の周波数が、少なくとも１ＭＨｚであることを特徴とする請求項２１に記載の装置。
23. 前記電流供給手段が、センサ素子に直接結合されることを特徴とする請求項１９乃至２２のいずれかに記載の装置。
24. 前記電流供給手段が、誘導性結合、容量性結合、又はＲＦ結合等により前記素子に間接的に結合されることを特徴とする請求項１９乃至２２のいずれか１つに記載の装置。
25. 請求項１９乃至２４のいずれか１つに記載の装置と、交流電流により前記素子内で発生する交流電圧を測定する測定手段とを含む感知装置。
26. 前記素子が、共振回路の一部を形成することを特徴とする請求項２５に記載の装置。
27. 前記素子が、ブリッジ回路の一部を形成することを特徴とする請求項２５に記載の構成。
28. 全体的に細長いアモルファス軟磁性又はナノ結晶応力センサ素子の外部磁界に対するインピーダンス感度を低下させる方法であって、該方法がセンサ素子に沿ってバイアス磁界を印加することを含み、前記センサの長さに沿って配向される前記磁界の成分が、前記素子に沿って空間的に実質的に変化する振幅パターンを有する方法。
29. 全体的に細長いアモルファス軟磁性又はナノ結晶応力センサ素子を含む応力センサを固定し、前記素子に交流電流を供給して、前記素子のインピーダンスを測定することによって対象物内の応力を測定する方法であって、前記素子に沿った位置に応じて変化する振幅を有するバイアス磁界の成分が、前記センサの長さに沿って配向されて、外部磁界に対する前記素子の感度を低下させるように前記素子に沿って空間的に実質的に変化する振幅パターンを有する方法。