JP2004510328A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 光センサのためのＴＦＴアクティブマトリックスであって、
   −基板、
   −基板上に形成され、各々がゲート、ソースおよびドレインを有する複数のＴＦＴトランジスタの行列、
   −基板上の段に配置され、各ＴＦＴトランジスタをゲートによって制御するための複数の制御用行線の群、
   −各々がピクセルと称する領域を画定する複数の電極からなる行列を形成する特定のパターンを有する導電性の段、
   −ＴＦＴトランジスタのソースに接続され、電極と外部の電子回路との間で、トランジスタを通じて電荷を転送させることを可能にする複数の列線の群、
   −電極と列線との間の絶縁層であって、ピクセル電極をＴＦＴトランジスタのドレインと接続させるために各ピクセル上において局部的に開いている絶縁層、
   −電磁放射線を電極によって収集された電荷に変換するためのピクセル電極に接続された感光性半導体層、
   −ピクセル電極またはドレインとともに、キャパシタを形成する複数の蓄電用行線の群、および
   −連続する蓄電用行線を電気的に接続し、ピクセルの行を制御する時に、ピクセルの行全体に亘る電荷の除去を、複数の平行な蓄電用行線に分散することを可能にする、ブリッジ状の接続を具備し、
   蓄電用行線が、制御用行線の下の基板上に位置する段に設けてあり、蓄電用行線の段と制御用行線の段との間に薄絶縁体の段が配置されていることを特徴とするＴＦＴアクティブマトリックス。
2. 蓄電用行線が、制御用行線に対して平行であり、接続が列線に対して平行であることを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
3. 制御用行線と同じ段に形成され、ピクセル電極に電気的に接続された特定電極を具備し、蓄電用行線が、該特定電極とともにキャパシタを形成することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
4. 接続が列線に対して平行であり、列線と同じ段に位置することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
5. 接続が列線に対して平行であり、その数が等しいことを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
6. 接続が列線に対して平行であり、その数が少ないことを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
7. １６本の列線毎に列線に対して平行な接続を有することを特徴とする請求項６に記載のマトリックス。
8. 基板上に配置された蓄電用行線の段、薄絶縁体の段および上部導電性段からなる３つの段の積重ねによって大容量領域が画定され、該積重ねが、蓄電用行線段のステップを上部導電性段から絶縁させるために、薄絶縁体段が単独で使用されることがない平面キャパシタを画定することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
9. 可電圧に対する保護装置を有することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
10. 請求項１に記載のマトリックスを有する、特にＸ線用の光センサ。