JP2004500616A - 絶縁された高速通信バス - Google Patents

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Abstract

通信バス(180)とプラグインモジュール(200)を共通バスに接続するコネクタ(110a乃至110z)との間に絶縁部品(320、420)を直接的に接続して、前記通信バスにおける容量性負荷を最小化する。本発明の一実施例においては、ダイオード(320)が通信バス(180)とコネクタ(110)との間に置かれ、以って前記ダイオードがオフ状態にある場合に前記通信バスを前記コネクタ及び関連配線のキャパシタンスから絶縁する。本発明の好ましい実施例においては、絶縁トランジスタ(420)が通信バス(180)とコネクタ(110)との間に置かれ、オン状態とオフ状態との両方において前記通信バスに対し小さな一定コレクタキャパシタンスを呈するように構成される。通信バスを形成する伝送線上の既知の点に既知のキャパシタンスを供することにより、これらのキャパシタンスの影響を最小化する又は取り除くために従来の補償技術を用いることが出来る。ここに記載されている技術は、一方向バス通信と二方向バス通信との両方に適用され得る。

Description

【0001】
【技術分野】
本発明は電子システムの分野、とりわけ一般にプラグインモジュールを接続する高速通信バスに関する。
【0002】
【背景技術】
モジュラーシステムは、一般に該システムを有するモジュールを相互接続するために相互接続ボード又はリボンケーブルを用いる。モジュラーシステムに対してしばしばバス構造(bus structure)が設けられ、相互接続ボード又はケーブルにプラグ接続される各モジュールは、他のモジュールと共通である信号パスに対し必要に応じてアクセスを供される。
【0003】
図1は、複数の入力コネクタ110a乃至110z及び出力コネクタ120を有する相互接続 ボード/ケーブル100の例を図示している。参照を容易にするため、以降、プラグイン モジュールを相互接続するための剛性回路ボード(rigid circuit board)、可撓ケーブル(flexible cable)、又は他のどの構成のいずれを参照するのにも“相互接続ボード”という用語を用いる。典型的なモジュラーシステムにおいては、図示されているように相互接続トレース(interconnection trace)180により、各入力コネクタ110a乃至110zの各ピンは各他の入力コネクタ110a乃至110zの対応するピンと同様に接続される。一般に、出力コネクタ120もまた、図1に図示されているように入力コネクタ110a乃至110zのピンの各々に対し対応するピンを持つが、入力コネクタと出力コネクタとの間で異なるピン配列(pinout)を用いても良い。図2は、相互接続ボード100の典型的な用途に対応する回路図の一例を図示している。 図2にはプラグインモジュール(PIMs)200a乃至200zが図示されている。高周波において、トレース180は伝送線(transmission line)として作用し、信号の波長又は整数倍の(multiple)波長の有効部分(significant portion)に相当し得る。 参照を容易にするため、ここでは、高周波信号を伝達するトレース180を伝送線 180と呼ぶ。終端抵抗(termination resistor)231及び232は各伝送線180の端部に設けられ、モジュール200a乃至200zの各々は、信号反射(signal reflection)を低減し、信号ひずみ(signal distortion)を最小化するために情報を伝達する場合以外は伝送線180から絶縁されるように構成される。各PIM200は、各モジュール200を相互接続ボード100から絶縁する絶縁トランジスタ210を収容している。図示されてはいないが、各モジュール200は信号Vin201を作成するための回路装置(circuitry)を有し、信号Vin201は、伝送線180を介して出力モジュール250に伝達される情報信号 、又はモジュール200を伝送線180から絶縁するバイアス信号のどちらかである。図2には1つの伝送線180しか図示されていないが、各モジュール200の別のピンに対応する各伝送線180は、図2に図示されているように構成され得る。高速信号を伝達しない電力トレース及びグランドトレースといった幾つかのトレースは、各モジュール200上に対応する絶縁トランジスタ210を持たないだろう。
【0004】
当該技術において一般的であるように、典型的には一度に1つの入力モジュール200しか通信伝送線180を介する通信をせず、各モジュール上の絶縁トランジスタ210が通信をしていない(non−communicating)モジュール200の各々を切断する(disconnect)一方で、現在選択されている(currently−selected)モジュール200は 、コネクタ120を介して接続される出力モジュール250に伝送線180を介して自身の情報Vin201を送信する。当業者にとって明らかであるように、“マザーボード”のように入力コネクタ110a乃至110zを収容する同一回路ボード上に出力モジュール250が収容される場合にはコネクタ120は用いられない。通信をしていないモジュール200は、伝送線180から該通信をしていないモジュール200への如何なる電流、又は該通信をしていないモジュール200からの如何なる電流が流れるのも防ぐために絶縁トランジスタ210に対し信号201をバイアスする。幾つかの用途においては、複数のモジュール200が同時に伝送線180を介する通信をしても良く、これらの用途においては、通信をしている(communicating)モジュール200の各々が自身の情報信号201を伝達するために導通状態へ絶縁トランジスタ210をバイアスする。
【0005】
図2に図示されている従来の絶縁方式(isolation scheme)は、伝送線180からモジュール200の構成要素の大半を絶縁するのに効果的ではあるが、伝送線180とモジュール200a乃至200zの各々との間の配線及びコネクタ110a乃至110zを絶縁しない。コネクタ110a乃至110zの各々及び関連配線(associated wiring)は各接続点(connection point)において伝送線180に並行にキャパシタンス(capacitance)を付加する。このインピーダンスにおける突然の変化又は不連続(discontinuity)は、該不連続のどちらか一方側から来る信号に対する反射をもたらす。信号の一部は不連続を越えて伝播するであろうが、前記信号の一部は該信号の源、現在通信をしている(currently communicating)モジュール200に向けて反射し戻されるであろう。次いで、原信号及び反射信号は他のコネクタにおける不連続に遭遇し、以って更なる反射を生じる。これらの反射は伝送線180において元の所望の信号を大きくし、前記所望の信号が出力モジュール250において受け取られる際に該所望の信号は歪まされる。この問題は、不適切に設計されたモジュール200が相互接続ボードにプラグ接続される場合に更に複雑にされ得る。絶縁トランジスタが接続部110a乃至110zからかなり離れたところに位置するようにモジュール200上に置かれる場合に、このことは伝送線180上に“スタブ(stub)”を形成し、伝送線180上を伝わる(travel)信号に対し付加的なキャパシタンスとして現れるであろう。このスタブの付加的なキャパシタンスは、この付加的なキャパシタンスを含有する誤って設計された(mis−designed)モジュール200からの信号の伝達に影響を及ぼすかもしれないし、又は影響を及ぼさないかもしれないが、一般的には他のモジュール200の各々からの信号を歪ませるであろう。同様に、伝送線におけるこのスタブの接続点は伝送線180を2つのセクションに分割し、短い方のセクションが誤って設計されたモジュール200から来る信号に対するスタブとして現れ、以って斯様な信号に対して歪みを生じさせるであろう。スタブの挿入(introduction)とその他の該スタブに依存していない信号における該スタブの挿入の後続の効果との間の特定の因果関係のため、これらの歪みはしばしば原因を究明し(diagnose)、取り除くのが非常に困難である。
【0006】
【発明の開示】
本発明の目的は、共通バスを介してプラグインモジュールから出力プロセッサに送信される信号の信号品質を改善することにある。更に本発明の目的は、前記プラグインモジュールの設計への依存性が最小である相互接続方式を供することにある。
【0007】
これらの目的及び他の目的は、共通バスにプラグインモジュールを取り付ける(accept)のに用いられるコネクタの前に、共通バスに直接的に接続される絶縁部品(isolation component)を設けることにより達成される。本発明の一実施例においては、伝送線と前記コネクタとの間にダイオードを置いて、該ダイオードがオフ状態にある場合に該コネクタ及び関連配線のキャパシタンスから該伝送線を絶縁する。本発明の好ましい実施例においては、絶縁トランジスを前記伝送線と前記コネクタとの間に置き、前記コネクタによりもたらされるスタブを取り除くように構成する。これにより、前記絶縁トランジスタは、オン状態とオフ状態との両方において前記伝送線に対し小さな一定コレクタキャパシタンス(collector capacitance)を、前記オフ状態及び非飽和オン状態(non−saturated on condition)において該伝送線に対し高いインピーダンスを呈する(present)。前記伝送線において既知の点に既知のキャパシタンスを供することにより、これらのキャパシタンスの影響を最小化し、又は取り除くために従来の補償技術を用いることが出来る。 ここに記載されている技術は一方向(unidirectional)バス通信と二方向(bi−directional)バス通信との両方に適用され得る。
【0008】
一例として添付図を参照して本発明を更に詳細に説明する。
【0009】
図全体を通して、同一参照数字は同様の又は対応する特徴又は機能を指す。
【0010】
【本発明を実施するための最良の形態】
図3は、本発明による絶縁ダイオード320a乃至320zを備える相互接続ボード/ケーブルの回路図の一例を図示している。絶縁ダイオード320a乃至320zの各々は伝送線180と対応するコネクタ110a乃至110zとの間に接続される。各通信をしていないモジュール200のVin201信号が、オフ状態へトランジスタ210をバイアスする場合、ダイオード320もまたオフ状態へバイアスされ、絶縁トランジスタ210に対するコネクタ110及びどの関連配線のキャパシタンスも伝送線180から絶縁される。この絶縁は、各通信をしていないモジュール200と関連するキャパシタンスを最小化することにより、伝送線180沿いの不連続によりもたらされる歪みを最小化する。しかしながら、この絶縁は、通信をしているモジュール200と関連するキャパシタンスを最小化しない。このキャパシタンスは送信される信号の品質に悪影響を及ぼし得る。各モジュール200が通信時に異なるキャパシタンスを呈し得ることから、従来の伝送線歪み最小化技術は特定のモジュール200のキャパシタンスに依存して様々な影響を及ぼすであろう。
【0011】
図4は、本発明による通信をしているモジュール200’と通信をしていないモジュール200’との両方を絶縁する絶縁トランジスタ420を備える相互接続ボード/ケーブルの回路図の一例を図示している。図4の例において絶縁トランジスタ420は、伝送線180とコネクタ110との間に置かれ、実質的にコネクタ110及び関連配線のキャパシタンスより小さく、トランジスタ420が導通しているのか又は導通していないのかに実質的に依存しないコレクタキャパシタンスを伝送線180に対して供する。その上、相互接続ボード400に絶縁トランジスタ420を設けることにより、コネクタ110及び該コネクタ110の関連配線は伝送線180に対するスタブとして現れない。つまり、伝送線180の特性は、コネクタ110及び各モジュール200’の配線を含む関連配線のキャパシタンスに実質的に依存しない。伝送線180への各接続部のキャパシタンスはより小さくなり、一定になるであろうから、各モジュール200’の具体的な設計とは無関係に従来の伝送線歪み最小化技術を効果的に用いることが出来る。好ましい実施例においては、安定性のために抵抗440をトランジスタ420のベースとグランドとの間に置く。
【0012】
絶縁トランジスタ420が、従来のシステム構成においては絶縁トランジスタ210が供する絶縁を供することから、この実施例におけるモジュール200’は絶縁トランジスタ210を収容する必要がないことに注意されたい。相互接続ボード400上のトランジスタ420によって供される絶縁はまた、各モジュール200’の設計における設計の制約条件(design constraints)及び伝送線の考慮すべき事項(transmission−line considerations)を低減し、以って各モジュール200’と関連する設計コスト及び検査コストを潜在的に低減する。トランジスタ420のコレクタ出力部は、オフである場合及びオンではあるが飽和していない場合に伝送線180に対して高いインピーダンスを呈することにも注意されたい。この高いインピーダンスは2つ以上のトランジスタ420を同時にオン状態にすることを可能にし、伝送線180において信号を組合わせることを可能にする。好ましい実施例においては、コレクタ出力部のインピーダンスが伝送線180のインピーダンスの少なくとも10倍であり、信号を能動的に(actively)伝達していないモジュールは、オフの非導通状態へ対応するトランジスタ420をバイアスする。
【0013】
図5は、本発明による二方向絶縁トランジスタ420及び520を備える相互接続ボード/ケーブル500の回路図の一例を図示している。この例のモジュール550は、入力信号Vin201を供し、出力信号Vout505を受けるように構成される。絶縁トランジスタ420は上記の入力絶縁を供し、絶縁トランジスタ520は伝送線180に対し低いキャパシタンス負荷(capacitance load)を供するレシーバ(receiver)を形成する。
【0014】
上述のことは単に本発明の原理を例示しているに過ぎない。斯くして、当業者は、ここには明示的に記載されていない又は示されていないが、本発明の原理を実施し、斯くして本発明の範囲内である種々の構成を考案することが出来るであろうということを認識されるだろう。例えば、コネクタ110は、コネクタ110のハウジング内に適当な絶縁装置320、420、520を収容するように構成され得る。その上、相互接続ボードは、この例の入力専用モジュール200及び200’並びに二方向モジュール550の両方を受けるコネクタを供するように構成され得る。同様に、本発明は信号ごとに単一の伝送線を用いるよう示されているが、耐雑音性(noise immunity)を改善するために2つの伝送線が互いに反対に動作される差分信号(differential signaling)もまた用いられ得る。バイポーラトランジスタ及びダイオードを備える実施例が例示されているが、電界効果トランジスタを含む他のスイッチング装置もまた、該スイッチング装置が非導通モードに入れられる場合に伝送線に対し高いインピーダンスを呈するように構成され得るという条件下で用いられ得る。他のシステム構成及び最適化特徴(optimization feature)はこの開示を見ることで当業者にとって明らかであろうし、上記の特許請求の範囲内に含まれるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】プラグインモジュールに適応するための相互接続ボード/ケーブルの先行技術の一例を図示する。
【図2】プラグインモジュールに適応するための相互接続ボード/ケーブルの先行技術と関連する回路図の一例を図示する。
【図3】本発明による絶縁ダイオードを備える相互接続ボード/ケーブルの回路図の一例を図示する。
【図4】本発明による絶縁トランジスタを備える相互接続ボード/ケーブルの回路図の一例を図示する。
【図5】本発明による二方向絶縁トランジスタを備える相互接続ボード/ケーブルの回路図の一例を図示する。
【符号の説明】
110コネクタ
180伝送線
200プラグインモジュール
200’プラグインモジュール
201信号Vin
210絶縁トランジスタ
250出力モジュール
320絶縁ダイオード
400相互接続ボード
420絶縁トランジスタ
440抵抗

Claims (13)

  1. −高周波信号を伝達する1つ以上の伝送線、及び
    −各々がプラグインモジュールを受けるように構成される複数のコネクタを有し、前記複数のコネクタの各コネクタが絶縁装置を介して前記1つ以上の伝送線に動作可能に結合される1つ以上のピンを持つ相互接続ボードであって、各絶縁装置が、該絶縁装置が非導通状態にある場合に前記1つ以上の伝送線に対し低いキャパシタンス負荷を供するように構成される相互接続ボード。
  2. 更に各絶縁装置が、該絶縁装置が導通状態にある場合に前記1つ以上の伝送線に対し低いキャパシタンス負荷を供するように構成される請求項1に記載の相互接続ボード。
  3. 前記絶縁装置が、前記プラグインモジュールから受ける入力信号によって前記非導通状態へバイアスをされる半導体装置を有する請求項1に記載の相互接続ボード。
  4. 更に各絶縁装置が、該絶縁装置が非導通状態にある場合に前記1つ以上の伝送線に対し高いインピーダンス負荷を供するように構成される請求項1に記載の相互接続ボード。
  5. 更に各絶縁装置が、該絶縁装置が非飽和導通状態にある場合に前記1つ以上の伝送線に対し高いインピーダンス負荷を供するように構成される請求項4に記載の相互接続ボード。
  6. 各絶縁装置が、
    −ベース、コレクタ及びエミッタを持つバイポーラトランジスタ、並びに
    −前記ベースを基準電位に結合する抵抗を含み、
    −前記コレクタ及び前記エミッタが、前記1つ以上の伝送線の対応する伝送線と前記コネクタの前記1つ以上のピンの対応するピンとの間にスイッチパスを形成する請求項1に記載の相互接続ボード。
  7. −少なくとも1つの伝送線、複数のコネクタ、及び第1状態にある場合に前記少なくとも1つの伝送線を前記複数のコネクタの各コネクタに動作可能に結合し、第2状態にある場合に前記少なくとも1つの伝送線を前記複数のコネクタの各コネクタから動作可能に切断するように構成される複数の絶縁装置を含む相互接続ボード、並びに
    −前記複数のコネクタの対応するコネクタに接続される場合に前記少なくとも1つの伝送線を介して情報を伝達するように構成される複数のプラグインモジュールを有する通信システム。
  8. 前記複数の絶縁装置の各絶縁装置が、該絶縁装置が前記第2状態にある場合に前記少なくとも1つの伝送線に対し低いキャパシタンス負荷を供するように構成される請求項7に記載の通信システム。
  9. 更に各絶縁装置が、該絶縁装置が前記第1状態にある場合に前記少なくとも1つの伝送線に対し低いキャパシタンス負荷を供するように構成される請求項8に記載の通信システム。
  10. 前記複数の絶縁装置の各絶縁装置が、前記プラグインモジュールから受ける入力信号によって前記第1状態及び前記第2状態へバイアスされる半導体装置を有する請求項7に記載の通信システム。
  11. 更に各絶縁装置が、該絶縁装置が非導通状態にある場合に前記少なくとも1つの伝送線に対し高いインピーダンス負荷を供するように構成される請求項7に記載の通信システム。
  12. 更に各絶縁装置が、該絶縁装置が非飽和導通状態にある場合に前記少なくとも1つの伝送線に対し高いインピーダンス負荷を供するように構成される請求項11に記載の通信システム。
  13. 各絶縁装置が、
    −ベース、コレクタ及びエミッタを持つバイポーラトランジスタ、並びに
    −前記ベースを基準電位に結合する抵抗を含み、
    各絶縁装置の前記コレクタ及び前記エミッタが、
    −前記トランジスタが前記第1状態へバイアスされる場合に前記少なくとも1つの伝送線を前記複数のコネクタの対応するコネクタの対応するピンに動作可能に結合し、
    −前記トランジスタが前記第2状態へバイアスされる場合に前記少なくとも1つの伝送線を前記対応するコネクタから動作可能に切断するように構成される請求項11に記載の通信システム。
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