JP2004358587A - スラリー供給装置、スラリーの供給方法および研磨方法 - Google Patents

スラリー供給装置、スラリーの供給方法および研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004358587A
JP2004358587A JP2003157928A JP2003157928A JP2004358587A JP 2004358587 A JP2004358587 A JP 2004358587A JP 2003157928 A JP2003157928 A JP 2003157928A JP 2003157928 A JP2003157928 A JP 2003157928A JP 2004358587 A JP2004358587 A JP 2004358587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
tank
particle size
stock
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003157928A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4400096B2 (ja
Inventor
Fumitaka Itou
史隆 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2003157928A priority Critical patent/JP4400096B2/ja
Publication of JP2004358587A publication Critical patent/JP2004358587A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4400096B2 publication Critical patent/JP4400096B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】スラリーに含まれる、研磨粒子の粒径、もしくは粒度を調整することにより、粗大粒子の形成を防止する。
【解決手段】スラリー原液槽1又は2と、スラリー調合槽3と、スラリー原液槽1又は2とスラリー調合槽3とを繋ぐ配管9と、スラリー調合槽3から研磨装置へスラリーを供給する供給管11と、粒度センサー5とを備えるスラリー供給装置を提供する。ここで、粒度センサー5はスラリーの砥粒径、もしくは砥粒密度をモニターし、粒度センサー5がスラリー原液槽1又は2、もしくはスラリー調合槽3に備えられていることに特徴がある。その結果、研磨時における欠陥のあるスラリー供給を防ぎ、安定した研磨を行うことにより、マイクロスクラッチの形成を防止する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばシリコン半導体基板製造に際して行う化学機械研磨(CMP)等の平坦化工程等において用いられる研磨装置に関し、特に研磨液の供給装置及び研磨液の供給方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、シリコン半導体基板など平板状の被加工材表面を平坦化する際に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)装置が使用されている。
【0003】
具体的には、銅を用いた埋め込み配線(ダマシン配線)を例に、CMPを用いた配線構造の形成方法について図面を参照しながら説明する。
【0004】
まず図2(a)に示すように、層間絶縁膜にドライエッチングにより配線溝を形成する。
【0005】
次に、図2(b)に示すように、配線溝を含む酸化膜の上にバリア層、シード層(図示せず)を堆積させ、めっき法を用いて配線、例えばCu膜を埋め込んでいく。
【0006】
その後、図2(c)に示すように、CMP法を用いて配線溝からはみ出した余剰なCu膜を除去し、配線を形成する。
【0007】
このような技術として、例えば特許文献1に示される方法が知られている。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−156029号公報([0020]〜[0031])
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし従来方法によると、CMP工程において研磨面の腐食、研磨面上でのスクラッチの発生、研磨スラリー中に含まれる研磨粒子の凝集などにより、被研磨面に表面欠陥が発生する場合がある。
【0010】
具体的には、図3(a)に示すように、配線溝からはみ出した絶縁膜に対して、スラリーを用いて研磨を行う。ここで、凝集した砥粒粒子を有する研磨スラリー(2次粒子)を用いて研磨が行われた場合に、図3(b)に示すように、研磨面により大きな傷(マイクロスクラッチ)が発生する。このような傷が被研磨面に形成された状態で研磨を続けると、図3(c)に示すように、マイクロスクラッチによって形成された傷にCu膜が埋め込まれる。配線の微細化が進み配線間幅がより狭くなるにつれこの現象は顕著となり、この形成された傷が配線間をまたがると、配線リーク、または配線間ショートが発生してしまう場合がある。
【0011】
そこで本発明では、CMP工程において使用するスラリーに含まれる、研磨粒子の粒径、もしくは粒度を調整することにより、マイクロスクラッチの形成を防止し、安定した研磨方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、スラリー原液槽1又は2と、スラリー調合槽3と、スラリー原液槽1又は2とスラリー調合槽3とを繋ぐ配管9と、スラリー調合槽3から研磨装置へスラリーを供給する供給管11と、粒度センサー5とを備え、粒度センサー5はスラリーの砥粒径、もしくは砥粒密度をモニターし、粒度センサー5がスラリー原液槽1又は2、もしくはスラリー調合槽3に備えられていることを特徴とする、スラリー供給装置を提供する。
【0013】
その結果、原液槽1又は2、もしくはスラリー調合槽3におけるスラリー粒度をモニターすることにより、スラリーの槽毎にスラリーの状態を監視することができ、2次粒子が存在する槽の特定が可能となる。
【0014】
また、上記スラリー供給装置に加えて、原液槽、もしくは調合槽に、槽にスラリーを供給する供給口と、槽内のスラリーを前記配管へ流す流出口とを有し、槽内のスラリーを排出する排出口、もしくは槽内のスラリーを循環させるポンプを備えていることを特徴とする、スラリー供給装置を提供する。
【0015】
その結果、2次粒子が発見された槽のスラリーを入れ替えることにより、2次粒子のないスラリーを適宜供給出来る、または槽内のスラリーを循環させることが出来るため、2次粒子の発生を抑制することが出来る。また、ポンプを用いて槽内のスラリーを循環させることにより、スラリーの凝集を防ぐことが出来る。
【0016】
さらに、上記スラリー供給装置においてモニターを、スラリー供給ラインのスラリー原液槽、スラリー調合槽及び各スラリー槽間を繋ぐ配管に設置する。
【0017】
その結果、2次粒子が形成された箇所を特定することが出来るため、装置復旧に必要な時間やメンテナンス時間を短縮出来る。
【0018】
以上より、本発明によると、2次粒子が形成された箇所を特定し、アラームを発し装置を停止させること、あるいはスラリー供給ラインを自動で切り換えること、あるいは循環させることで2次粒子の発生を予防することにより、ウェハ研磨前にスラリー起因による研磨不良の発生を防ぐことができる。その結果、マイクロスクラッチの発生原因となる凝集粒子が研磨時に供給されないため、配線間リーク、または配線間ショートの発生を防止し、歩留まりの高いデバイスを提供することが出来る。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0020】
図1に本発明に基づく光学式砥粒濃度センサーをCMPスラリー供給ラインに適用したモニタリング管理の概略構成を示す。
【0021】
図1において、1はスラリー原液槽A、2はスラリー原液槽B、3はスラリー調合槽、4はポンプ、5は光学式砥粒濃度センサー、6はドレインバルブ、7はモニタリング装置、8はスラリー循環用配管、9はスラリー供給用配管、10はセンサー信号ライン、11はスラリードレイン配管を表している。
【0022】
次に、モニタリング管理を行いながらCMP工程時に供給されるスラリーを調整する方法について、図1を参照しながら説明する。
【0023】
まず、スラリー原液槽A1をモニターすることについて説明する。
【0024】
スラリー原液槽A1内にスラリー原液を、スラリー原液配管12を通って供給口から供給する。
【0025】
その後、スラリー原液槽A1に供給されたスラリーは、槽内循環用ポンプ4によりスラリー循環用配管8内を通ってスラリー原液槽1内のスラリーが循環する。この時、光学式スラリー砥粒濃度センサー5により原液槽内の砥粒濃度及び砥粒粒子径が測定される。
【0026】
ここで測定された光学式スラリー砥粒濃度センサー信号は、センサー信号ライン10を通ってモニタリング装置7でモニタリングされる。このモニタリング結果が、予め設定された砥粒濃度の濃度レンジを外れた場合、もしくは設定された砥粒粒子径よりも大きな砥粒粒子径の粒子がカウントされた場合には、アラームを発生させて異常を知らせる。このようにスラリーの粒度に関して問題が発生した場合には、ドレインバルブ6を開き、スラリー原液槽A1から2次粒子を含むスラリーを排出する。その後、ドレインバルブ6を締め、2次粒子の存在しない新しい原液スラリーを供給口から原液槽内に供給する。なお、モニタリング装置7において、アラームが発生すると自動的にドレインバルブ6が開き、原液槽1内のスラリーを入れ替えるように設定しておいても良い。
【0027】
また、スラリー原液槽A1(常備槽)に対し、スラリー原液槽B2(予備槽)を備えてもよい。スラリー原液槽が複数存在することにより、常備槽であるA1に異常が生じた場合、原液槽内のスラリーを入れ替える前に、予備槽に切り替え、原液スラリーを供給することが出来る。例えば、モニタリング装置7において予め設定された砥粒濃度の濃度レンジを外れた場合、もしくは設定された砥粒粒子径よりも大きな砥粒粒子径の粒子がカウントされた場合に、アラームを発生させ、スラリー原液の供給を自動的に予備槽である原液槽B2に切り替える。その結果、原液スラリーに2次粒子等の欠陥があったとしても、予備槽に切り替えることで、直ちに欠陥のない絵スラリーを供給することが出来るため、効率よくスラリーの調整を行うことが出来、光学式スラリー砥粒濃度センサー5を用いてスラリー原液槽内のスラリー管理を行うことができる。
【0028】
次に、供給用配管9もしくは調合槽3のスラリー粒度をモニターすることについて説明する。
【0029】
スラリー原液槽A1またはスラリー原液槽B2から供給されるスラリーは、スラリー供給用配管9を通ってスラリー調合槽3に供給される。本実施形態では、スラリー供給用配管9内の調合槽3に近い部分に光学式スラリー砥粒濃度センサー5を設置し、スラリー供給用配管9内の砥粒濃度及び砥粒粒子径を測定する。ここで測定された光学式スラリー砥粒濃度センサー信号はセンサー信号ライン10を通ってモニタリング装置7でモニタリングされる。このようにモニタリングした結果、予め設定された砥粒濃度の濃度レンジを外れる(例えば7〜15wt%)、または設定された砥粒粒子径よりも大きな砥粒粒子(例えば50nm以上)がカウントされる等の異常を検知すると、アラームを上げて異常を知らせる。このようにスラリーの粒度に関して問題が発生した場合には、スラリー調合槽3にスラリーが供給されないように、供給用配管9からのスラリーの供給を停止させる。その後、供給用配管9内にあるスラリー中の2次粒子を除去する。例えば、供給用配管9と調合槽3の接続部を一度切り離して供給用配管9を洗浄し、配管内に付着もしくは残留した不純物や2次粒子を除去する。その後、再び供給用配管9と調合槽3を接続する。従って、この光学式スラリー砥粒濃度センサー5によってスラリー供給用配管9内のスラリーの状態管理を行うことにより、2次粒子を含むスラリーが調合槽3へ供給されるのを防ぐことが出来る。
【0030】
続いて、スラリー調合槽のモニタリングについて説明する。
【0031】
スラリー調合槽3内に、スラリー原液がスラリー供給用配管9を通って供給され、予め設定された混合比でスラリー原液とDIW(脱イオン水)などが調合される。
【0032】
その後、スラリー調合槽3内のスラリーは槽内循環用ポンプ4を使用することで、循環用配管8を通して調合槽3内のスラリーが循環する。この時、光学式スラリー砥粒濃度センサー5により調合槽3内の砥粒濃度及び砥粒粒子径が測定される。この測定結果である光学式スラリー砥粒濃度センサー信号は、センサー信号ライン10を通してモニタリング装置7に伝達され、粒径及び粒度が予め設定された砥粒濃度の濃度レンジを外れる(例えば7〜15wt%)、もしくは砥粒粒子径よりも大きな砥粒粒子(例えば50nm以上)がカウントされる等の異常を検知した場合には、アラームが発生する。このようにスラリーの粒度に関して問題が発生した場合には、欠陥のあるスラリーが研磨面へ供給されないように、調合槽3からのスラリーの供給を停止させる。その後、ドレインバルブ6を開いて、欠陥のあるスラリーを調合槽3から排出し、2次粒子のないスラリーを新しく原液槽1Aもしくは2Bから供給する。なお、アラームが発生したら、ポンプ4を用いて自動的にドレインバルブ6を開き、欠陥のあるスラリーを排出した後、新たに原液スラリーを調合槽3内に供給させても良い。その結果、この光学式スラリー砥粒濃度センサー5によってスラリー調合槽3内のスラリーの状態管理を行うことにより、研磨時に2次粒子等を含むスラリーが供給されるのを未然に防ぐことが出来る。
【0033】
次に、調合槽3からウェハ上のスラリー供給口の間にある供給用配管13のモニタリングについて説明する。
【0034】
調合槽3のスラリーは、スラリー供給用配管13を通ってウェハ上のスラリー供給口に供給される。スラリー供給用配管9においてスラリーがウェハ上に供給されるユースポイントの直前に光学式スラリー砥粒濃度センサー5を設置することにより、スラリー供給用配管13内の砥粒濃度及び砥粒粒子径を測定することが出来る。ここでも、光学式スラリー砥粒濃度センサー信号はセンサー信号ライン10によってモニタリング装置7でモニタリングされ、予め設定された砥粒濃度の濃度レンジを外れる場合(例えば7〜15wt%)、もしくは設定された砥粒粒子径よりも大きな砥粒粒子がカウントされる場合(例えば50nm以上)等の異常を検知すると、アラームを発生し異常を知らせる。このようにスラリーの粒度に関して問題が発生した場合には、欠陥のあるスラリーが研磨面へ供給されないように、スラリー供給用配管9からのスラリーの供給を停止させる。その結果、この光学式スラリー砥粒濃度センサー5によってスラリー調合槽3内のスラリーの状態管理を行うことにより、研磨時に2次粒子等を含むスラリーが供給されるのを未然に防ぐことが出来る。
【0035】
なお、本実施形態の装置では、原液槽もしくはスラリー調合槽にポンプを設置することにより、適宜スラリーを槽内で循環させることが出来る。その結果、槽内ではスラリーに含まれる砥粒が絶えず、もしくは定期的に移動しているので、砥粒同士は凝集しにくくなっており、粗大粒子の発生を防ぐことが出来る。
【0036】
【発明の効果】
以上本発明によると、スラリー原液槽、スラリー調合槽、もしくはスラリー配管の各箇所に粒度モニターを設置することにより、各箇所でスラリーに発生する異常を検知することが出来る。また、各箇所のモニター結果を集中的に管理するモニタリング装置を設置することにより、その異常が発生する箇所を容易に特定することが出来る。つまり、各スラリー槽ごとに砥粒濃度センサーを取り付けて信号を統合しモニタリング管理を行うことにより、問題発生箇所の特定が可能となり、装置復旧に必要な時間やメンテナンス時間を短縮でき、また過度のスラリー槽およびスラリー配管の洗浄回数を減らしメンテナンスコストを引き下げることができる。
【0037】
従って、本発明の研磨液の供給装置、研磨液の供給方法および研磨方法によれば、研磨時に2次粒子などの凝集した粒子を含む欠陥のあるスラリーが研磨時に供給されないため、スクラッチの発生を抑制でき、配線配線間のショートを防止できる。
【0038】
また、センサーにより粒子濃度を測定しているので、均一な粒子濃度のスラリーを供給できるため、均一な研磨レートで研磨を行うことが出来る。
【0039】
なお、本発明では、Cu−CMP、バリア層CMPの後に溶液を用いてバフ研磨を行うステップ、抑制剤溶液又は脱イオン水を用いてリンスするステップ、研磨スラリーを使用してバフ研磨を行うステップ、もしくは抑制剤溶液又は脱イオン水でリンスを行うことにより欠陥を低減するステップ等において、特に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に基づくスラリー供給ラインの概略構成図
【図2】配線形成方法の工程断面図
【図3】配線間ショートの発生を示す工程断面図
【符号の説明】
1 スラリー原液槽A
2 スラリー原液槽B
3 スラリー調合槽
4 ポンプ
5 光学式砥粒濃度センサー
6 ドレインバルブ
7 モニタリング装置
8 スラリー循環用配管
9 スラリー供給用配管
10 センサー信号ライン
11 スラリードレイン配管
12 スラリー原液配管
13 スラリー供給用配管

Claims (12)

  1. スラリー原液槽と、スラリー調合槽と、前記スラリー原液槽と前記スラリー調合槽とを繋ぐ配管と、前記スラリー調合槽から研磨装置へスラリーを供給する供給管と、粒度センサーとを備え、
    前記粒度センサーはスラリーの砥粒径、もしくは砥粒密度をモニターし、前記粒度センサーは、前記スラリー原液槽、もしくは前記スラリー調合槽に備えられていることを特徴とする、スラリー供給装置。
  2. 前記スラリー原液槽は、槽にスラリーを供給する供給口と、槽内のスラリーを前記配管へ流す流出口とを有し、
    前記スラリー原液槽内のスラリーを排出する排出口、もしくは前記スラリー原液槽内のスラリーを循環させるポンプを備えていることを特徴とする、請求項1記載のスラリー供給装置。
  3. 前記スラリー調合槽は、前記配管から原液スラリーを供給する原液供給口と、調合液を供給する調合液供給口と、前記調合液を前記供給管へ流す調合液流出口とを有し、
    前記スラリー調合槽内のスラリーを排出する排出口、もしくは前記スラリー調合槽内のスラリーを循環させるポンプを備えていることを特徴とする、請求項1記載のスラリー供給装置。
  4. 前記粒度センサーが、前記配管の前記スラリー調合槽の近くに配置されることを特徴とする、請求項1記載のスラリー供給装置。
  5. 前記スラリー原液槽は少なくとも2個以上あり、一方は予備槽であることを特徴とする、請求項1記載のスラリー供給装置。
  6. スラリー原液槽に原液スラリーを供給しスラリー原液を貯蔵する工程と、
    前記スラリー原液槽から配管を通してスラリー調合槽へスラリーを流出する工程と、
    流出されたスラリーを、スラリー調合槽においてスラリー調合液を用いて調合する工程と、
    調合されたスラリーを研磨装置へ供給する工程とを備え、
    前記スラリー原液槽、前記配管、もしくは前記スラリー調合槽において、スラリーの粒度をモニターする工程を備えることを特徴とする、スラリーの供給方法。
  7. 前記スラリーを貯蔵する工程、もしくは前記スラリーを調合する工程において、スラリー粒度をモニターし、前記スラリー原液、もしくは前記スラリー調合液の粒度が使用当初と比較して変化した場合に、前記スラリー原液槽内、もしくは前記スラリー調合槽内のスラリーを循環させることを特徴とする、請求項6記載のスラリー供給方法。
  8. 前記スラリーを貯蔵する工程においてスラリー粒度をモニターし、前記スラリー原液の粒度が使用当初と比較して大きく変化した場合に、前記スラリー原液を排出し、新しい原液に入れ替えることを特徴とする、請求項6記載のスラリー供給方法。
  9. 前記スラリーを調合する工程においてスラリー粒度をモニターし、前記スラリー調合液の粒度が使用当初と比較して大きく変化した場合に、前記スラリー調合液を排出し、予備のスラリー原液槽に切り替えてスラリー原液を供給することを特徴とする、請求項6記載のスラリー供給方法。
  10. 前記スラリー原液槽から配管を通してスラリー調合槽へスラリーを流出する工程においてスラリー粒度をモニターし、前記スラリー原液の粒度が使用当初と比較して大きく変化した場合に、
    前記調合槽へのスラリーの供給を停止し、前記配管を洗浄した後スラリー原液を供給することを特徴とする、請求項6記載のスラリー供給方法。
  11. 前記粒度センサーを、前記スラリー原液槽、前記スラリー調合槽、前記スラリー原液槽と前記スラリー調合槽を繋ぐ配管、にそれぞれ配置し、前記粒度センサーからの情報を一箇所でモニターすることを特徴とする、請求項6記載のスラリー供給方法。
  12. 前記粒度センサーは、砥粒径、及び砥粒密度を測定出来ることを特徴とする、請求項1又は6記載のスラリー供給方法。
JP2003157928A 2003-06-03 2003-06-03 スラリー供給装置、スラリーの供給方法 Expired - Fee Related JP4400096B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003157928A JP4400096B2 (ja) 2003-06-03 2003-06-03 スラリー供給装置、スラリーの供給方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003157928A JP4400096B2 (ja) 2003-06-03 2003-06-03 スラリー供給装置、スラリーの供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004358587A true JP2004358587A (ja) 2004-12-24
JP4400096B2 JP4400096B2 (ja) 2010-01-20

Family

ID=34051500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003157928A Expired - Fee Related JP4400096B2 (ja) 2003-06-03 2003-06-03 スラリー供給装置、スラリーの供給方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4400096B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014100747A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd 混合液供給装置
KR20160132043A (ko) 2014-03-07 2016-11-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014100747A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd 混合液供給装置
KR20160132043A (ko) 2014-03-07 2016-11-16 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US10618140B2 (en) 2014-03-07 2020-04-14 Ebara Corporation Substrate processing system and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4400096B2 (ja) 2010-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7559823B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10814455B2 (en) Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station
US6806193B2 (en) CMP in-situ conditioning with pad and retaining ring clean
JP3841995B2 (ja) 化学的機械的研磨用スラリー
JP2001189295A (ja) 金属配線形成方法
CN101459124B (zh) 化学机械研磨方法及晶片清洗方法
Seo et al. Effects of slurry filter size on the chemical mechanical polishing (CMP) defect density
US6358119B1 (en) Way to remove CU line damage after CU CMP
KR101900788B1 (ko) 웨이퍼 연마 시스템
JPH11195628A (ja) 研磨方法
US20050218008A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
Seo et al. Reduction of process defects using a modified set-up for chemical mechanical polishing equipment
JP4400096B2 (ja) スラリー供給装置、スラリーの供給方法
Seo et al. Advantages of point of use (POU) slurry filter and high spray method for reduction of CMP process defects
US6589872B1 (en) Use of low-high slurry flow to eliminate copper line damages
US20060014479A1 (en) Arrangement of a chemical-mechanical polishing tool and method of chemical-mechanical polishing using such a chemical-mechanical polishing tool
US20030203705A1 (en) Chemical-mechanical polishing slurry with improved defectivity
Seo et al. Effects of various facility factors on chemical mechanical polishing process defects
JP2012134357A (ja) Cmp研磨液用洗浄液、これを用いた洗浄方法、並びにこれを用いた半導体基板の製造方法
Kim et al. Improvements of CMP characteristics using slurry filter and high-spray bar of de-ionized water
Park et al. Reduction of micro-defects in the inter-metal dielectrics (IMD) chemical mechanical polishing (CMP) for ULSI applications
WO2022085414A1 (ja) 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法
KR100238213B1 (ko) 슬러리 공급장치 및 이를 이용한 슬러리 공급방법
KR100406285B1 (ko) 반도체 장비에 공급되는 세척액의 유량 및 유압 제어방법
JP2004207422A (ja) 半導体装置の研磨方法、半導体装置の製造方法および研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060413

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090721

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091006

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091019

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees