JP2004349510A - Dicing sheet function-provided die-attach film, semiconductor device manufacturing method using the same, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
【０００３】
ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造されている。しかしながら、多段にチップを重ねる必要からウエハーの薄型化が進んでいるが従来のダイボンディング材である樹脂ペーストの場合、適量の接着剤を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、硬化後のチップの反りのためパッケージに組込み時の信頼性が低下したりするという問題があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
【０００４】
この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている（例えば、特許文献１、２参照）。また、工程の短縮からダイシングシートとダイボンディングシート一体型のものも一部では使用されているがウエハー貼り付け予定部分の接着剤層とウエハーリング貼り付け予定部分には粘着剤層には要求される機能が異なり効率の良い構成が必要となっていた。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３５３２５２号公報（全頁）
【特許文献２】
特開２００２−２９４１７７号公報（全頁）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができ、しかも、ウエハー貼り付け予定部分であるダイボンディング用に接着剤層は厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐える耐リフロー性に優れた接着剤層が形成しウエハーリングが貼り付けられる部分にはウエハーリング固定用の粘着剤が形成されているダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１） 基材フィルム（Ｉ）、粘着剤層、基材フィルム（ＩＩ）およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィルム（ＩＩ）と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きくウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とするダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、
（２） フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下である（１）項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
（３） フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物が、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる（１）又は（２）項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
（４） アクリル酸共重合体の分子量が１０万以上である（２）又は（３）項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
（５） アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である（２）（３）又は（４）項記載のダイシング機能付きダイアタッチフィルム、
（６） 粘着剤層がアクリル酸共重合体からなる（１）〜（５）項のいずれか１項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、
（７）基材フィルム（Ｉ）および基材フィルム（ＩＩ）が光透過性基材からなる（１）〜（６）項のいずれか１項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、
（８）（Ａ）（１）項記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層部分にシリコンウェハー裏面とを６０℃以下で貼り合わせる工程、
（Ｂ）基材フィルム（Ｉ）上に形成された粘着剤層にウエハーリングを貼り付ける工程、
（Ｃ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｄ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層と基材フィルム（ＩＩ）との接触界面を硬化させる工程、
（Ｅ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを基材フィルム（ＩＩ）から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｆ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法、
（９） （１）〜（８）項のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムは、基材フィルム（Ｉ）上に粘着剤層が形成されておりさらに基材フィルム（ＩＩ）が形成されその上に接着剤層が形成され基材フィルム（ＩＩ）と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きくウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とする。
【０００９】
基材フィルム（ＩＩ）上の接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分より大きいことでウエハー全面にフィルム状接着剤が貼りつきウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことでウエハーリングとフィルム状接着剤が貼り付く事を防ぐことができる。
ウエハーリングとフィルム状接着剤が接するとフィルム状接着剤がウエハーリングに貼りつきウエハーリングが汚染されるという問題が生じる恐れがある。
【００１０】
本発明の接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度は−３０℃以上６０℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が６０℃を超えると６０℃以下での貼り付け性が難しくなり−３０℃を下回るとタック性が強すぎハンドリング性が悪くなる。
【００１１】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【００１２】
本発明に用いられるアクリル酸共重合体のガラス転移温度としては−３０℃以上６０℃以下が好ましい。ガラス転移温度が−３０℃を下回るとタック性が強すぎハンドリングが難しくなり、６０℃を超えると６０℃以下での貼り付け性が悪くなる。
【００１３】
本発明に用いるアクリル酸共重合体としてはアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルニトリルのうち少なくとも１つをモノマー成分とした共重合体が挙げられ、中でもグリシジルエーテル基を有するグリシジルメタクリレート、水酸基を有するヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を有するカルボキシメタクリレートを含む共重合体が好ましい。
【００１４】
これらアクリル酸共重合体の分子量は凝集力を高めることから１０万以上が好ましく、１５万から１００万であることがより好ましい。
【００１５】
また本発明に用いるアクリル酸共重合体は、ニトリル基を含有したものであることが好ましい。ニトリル基を含有することにより、被着体との密着力を向上させる効果がある。
【００１６】
本発明に用いられるエポキシ樹脂はモノマー、オリゴマ−及びポリマー全般をいう。例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【００１７】
これらのエポキシ樹脂の内では、融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度を示す。
【００１８】
本発明に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸共重合体１００重量部に対し好ましくはエポキシ樹脂１０〜１００重量部、より好ましくは３０〜７０重量部である。
【００１９】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物はシアネート基を有する有機化合物を含んでもよい。シアネート基を有する有機化合物としては、ビスフェノールＡジシアネート、ビスフェノールＦジシアネート、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル、ビスフェノールＥジシアネート シアネートノボラック樹脂などが挙げられる。
【００２０】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物はフェノール樹脂を含んでいてもよい。この場合、フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用する。
【００２１】
本発明に用いるフェノール樹脂としてはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール及び、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００２２】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は紫外線硬化型樹脂を含んでもよく、紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系化合物（Ｃ−１）が好ましい。例えばアクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中でもジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０−デカンジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、トリメタクリル酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルである。
【００２３】
本発明に用いる紫外線硬化型樹脂であるアクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導される成分単位の含有量は、アクリル酸共重合体１００重量部に対して、通常２０〜５５重量部、好ましくは３０〜４０重量部である下限値未満であると粘着力に乏しくなり上限値を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上となり好ましくない。
【００２４】
また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又はメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御することができる。
紫外線硬化型樹脂には、更に、光重合開始剤（Ｃ−２）を混在させることにより、基材から剥離しにくい場合は紫外線を照射することにより粘着剤層の表面を硬化させ剥離しやすくさせることができダイアタッチフィルムとして使用するためにも、重要な成分である。
【００２５】
このような光重合開始剤（Ｃ−２）としては、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
【００２６】
本発明で用いられる紫外線硬化型樹脂は、好ましくは上記成分（Ｃ−１）〜（Ｃ−２）からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定されるが、一般的には成分（Ｃ−１）１００重量部に対して、成分（Ｃ−２）は好ましくは１〜３０重量部、より好ましくは３〜１５重量部程度で用いることが好ましい。１重量部未満であると光開始剤の効果が弱く３０重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。
【００２７】
本発明のフィルム状接着剤には、フィラーを含有していてもよくそのフィラーの平均粒径は０．１〜２５μｍであることが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満であるとフィラー添加の効果が少なく、２５μｍを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【００２８】
本発明のフィルム状接着剤に用いるフィラーとしては、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
フィラーの含有量は０％〜３０重量％が好ましく、３０％を超えるとフィルムとしてもろくなり接着性が低下する。
【００２９】
本発明における粘着剤層の樹脂組成物はアクリル酸共重合体からなることが好ましい。
【００３０】
粘着剤層のガラス転移温度は−３０℃以上６０℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が６０℃を超えるとウエハーリングを６０℃以下での貼り付け性が難しくなり−３０℃を下回るとタック性が強すぎウエハーリングの取り外しが難しくなる。
【００３１】
また、本発明の基材フィルム（Ｉ）及び基材フィルム（ＩＩ）は光透過性基材からなることが好ましい。
【００３２】
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられるが、３０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重量部のポリプロピレン樹脂と７０〜３０重量部、好ましくは６０〜４０重量部のポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重合体との混合物であることが好ましい。
【００３３】
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、２０〜２００μｍであることが好ましく、特に好ましくは２５〜１５０μｍである。
【００３４】
本発明において、フィルム状接着剤に用いる樹脂組成物は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、３７０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、紫外線照射され硬化したフィルム状接着剤と被接着物との界面において粘着性を持たなくなるという特徴を有することが好ましい。
【００３５】
本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの製造方法としては、先ず離型シート上に、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて接着剤層を形成しそこに光透過性基材を積層する。これをハーフカットすることにより円形に得られたものの上に粘着剤層と光透過性基材からなるもう一つのフィルムを積層することで光透過性基材、粘着剤層、光透過性基材、接着剤層及び保護フィルムからなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得ることができる。
【００３６】
このようにして形成される粘着剤層及び接着剤層の厚さは、好ましくは３〜１００μｍで、１０〜７５μｍであることがより好ましい。厚さが３μｍ未満であると粘接着剤としての効果が少なくなり、１００μｍを超えると製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。
【００３７】
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層を室温あるいは６０℃以下の温和な条件で貼付した後、ウエハーリングを粘着剤層に貼り付けた後ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、光透過性基材を介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。
【００３８】
続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材面に、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）を照射する。通常、照度は２０〜５００ｍＪ／ｃｍ２、さらに照射時間は、５〜６００秒の範囲内に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材と接着剤層界面で剥離する。
【００３９】
このようにして、ダイアタッチフィルムの接着層が固着されている半導体チップを、そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、１００〜３００℃の加熱温度、１〜１０秒の圧着時間であり、好ましくは１００〜２００℃の加熱、１〜５秒の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４０分間、好ましくは１０〜６０分間である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
【００４０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
Ｉ）接着剤層成分
（Ａ）アクリル酸共重合体樹脂成分
（Ａ−１）エポキシ基含有アクリル酸共重合体（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧ８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、分子量Ｍｗ＝３５００００）
（Ａ−２）エポキシ基含有アクリル酸共重合体（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧＰ３ＤＲ、Ｔｇ：１２℃、分子量はＭｗ＝８５００００）
【００４１】
（Ｂ）エポキシ樹脂成分
（Ｂ−１）クレゾールノボラックエポキシ樹脂（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量：２００ｇ／ｅｑ、メーカー：日本化薬（株））
（Ｃ）紫外線硬化型樹脂
〔（Ｃ−１）（メタ）アクリル酸エステルモノマー〕１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（メーカー：共栄社化学（株））
〔（Ｃ−２）光重合開始剤〕２，２−ジメトキシキ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（メーカー：チバガイギ（株））
（Ｄ）イミダゾール
（Ｄ−１）イミダゾール化合物（商品名：１Ｂ２ＭＺ、メーカー：四国化成）
ＩＩ）粘着剤層成分
アクリル酸共重合体成分
アクリル酸共重合体（ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＳＧ７０Ｌ、Ｔｇ：−１７℃、分子量Ｍｗ＝８０００００）
【００４２】
光透過性基材
ハイブラ６０重量部ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ８１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成した。
【００４３】
《実施例１》
表１に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート基材１００μｍに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム（ポリエチレンテレフタレート基材）、フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるシートを得た。このシートを使用ウエハーの外径よりも大きくまたウエハーリングの内径よりも小さく円形にハーフカットした。一方、粘着剤をポリエチレンテレフタレート基材１００μｍ上に塗布し乾燥させたシートに光透過性基材をラミネートしたあと先の円形にハーフカットしたシートの光透過性基材側に粘着剤層形成された光透過性基材をラミネートし、ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを作製した。
【００４４】
このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、接着剤面に半導体ウエハーを貼り付け、粘着剤層にウエハーリングを貼り付け固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード５０ｍｍ／ｓｅｃで、５×５ｍｍ角のチップサイズにカットした。次いで、紫外線を２０秒で２５０ｍＪ／ｃｍ２の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの残着した半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップをフィルム状接着剤を介して、４２−アロイ合金のリードフレームに、１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとしての各項目の評価を行った。結果を表２、３に示す。
【００４５】
《実施例２》
粘接着剤成分の配合割合を表１のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００４６】
《比較例１》
表１に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート基材１００μｍに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム（ポリエチレンテレフタレート基材）、フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを作製した。ウエハーリング貼り付け部分とウエハー貼り付け部分の接着剤層は同じ樹脂組成物である。
【００４７】
【表１】
【表２】
【表３】
実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）ガラス転移温度
セイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、フィルム状接着剤を昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１０Ｈｚで動的粘弾性を測定したときの緩和ピーク。
【００５１】
（２） ダイシング後のチップの飛散
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
【００５２】
（３） ピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）ができるかを評価した。
○：ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△：ダイシングしたチップの５０〜９０％がピックアップ可能なもの
×：ピックアップが５０％以下のもの
【００５３】
（４）チッピング特性
○：チップのかけの幅が最大で３０μｍ以下のもの。
△：チップのかけの幅が最大で３０〜５０μｍのもの。
×：チップのかけの幅が最大で５０μｍ以上のもの。
【００５４】
（５）ウエハーリング汚染
実施例１，２では粘着剤層に比較例では接着剤層にウエハーリングを貼り付け一週間放置後取り外した時のウエハーリングへの接着剤の転写を目視で評価した。ウエハーリングが汚染されていなければ○、汚染されていれば×の評価を行った。
【００５５】
（６） ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを４２−アロイ合金のリードフレームに１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
【００５６】
（７） 吸湿後の接着性
上記（８）でダイボンディングした測定サンプルを８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○：剪断強度が１ＭＰａ以上
△：剪断強度が０．５〜１．０ＭＰａ
×：剪断強度が０．５ＭＰａ未満
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、ウエハーを６０℃以下の条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供できるダイボンディング用材料であり、ウエハーを貼り付ける部分とウエハーリング貼り付け部分に別の粘接着剤層を設けることでリングフレームの接着剤による汚染を防止することができ、またこれを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’部分の断面図である。
【符号の説明】
１ウエハー
２ウエハーリング
３接着剤層
４基材フィルム（ＩＩ）
５粘着剤層
６基材フィルム（Ｉ）[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a film adhesive for die bonding, a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, demands for higher density and higher integration of semiconductor devices have been increasing in response to the increasing functionality of electronic devices and expansion to mobile applications, and IC packages have been increasing in capacity and density. As a method for manufacturing these semiconductor devices, an adhesive sheet is attached to a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, etc., cut and separated into individual semiconductor elements by dicing, expanding, picking up individual chips, Next, the semiconductor chip is transferred to a process of assembling a semiconductor device for die-bonding the semiconductor chip to a metal lead frame, a tape substrate, or an organic hard substrate.
[0003]
The semiconductor chip picked up is bonded to a lead frame or a substrate via a die attach material such as a liquid epoxy adhesive in a die bonding step, and a semiconductor device is manufactured. However, the thinning of wafers is progressing due to the necessity of stacking chips in multiple stages, but it is difficult to apply an appropriate amount of adhesive in the case of a resin paste, which is a conventional die bonding material, and the adhesive may protrude from the chip. Also, there is a problem that the reliability at the time of assembling into a package is reduced due to the warpage of the chip after curing. Further, the step of applying the adhesive is complicated, and improvement and improvement are required to simplify the process.
[0004]
To solve this problem, it has been proposed to use a film adhesive as the die attach material instead of the liquid die attach material, and some of them have already been used (for example, see
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-353252 (all pages)
[Patent Document 2]
JP-A-2002-294177 (all pages)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to have a function as a dicing sheet having excellent chipping resistance and cracking properties, can be used as an adhesive at the time of die mounting, and can be used for die bonding, which is a portion to be bonded to a wafer. The adhesive layer has excellent uniformity of thickness, adhesive strength, and shear strength, and an adhesive layer with excellent reflow resistance to withstand severe wet heat conditions. It is an object of the present invention to provide a die attach film with a dicing sheet function, on which is formed, a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention
(1) A die attach film comprising a base film (I), a pressure-sensitive adhesive layer, a base film (II), and a film-like adhesive layer in this order, wherein the base film (II) and the adhesive layer A die attach film with a dicing sheet function, wherein the outer diameter of the dicing sheet function is larger than the outer diameter of the portion where the wafer is to be attached, and smaller than the inner diameter of the portion where the wafer ring is to be attached.
(2) The die attach film with a dicing function according to (1), wherein the resin composition constituting the film adhesive layer has a glass transition temperature of −30 ° C. or more and 60 ° C. or less.
(3) The resin composition constituting the film adhesive comprises an acrylic acid copolymer having a glass transition temperature of −30 ° C. to 60 ° C. and an epoxy resin, and (1) or (2). Die attach film with dicing function
(4) The die attach film with a dicing function according to (2) or (3), wherein the acrylic acid copolymer has a molecular weight of 100,000 or more.
(5) The die attach film with a dicing function according to (2), (3) or (4), wherein the acrylic acid copolymer is an acrylic acid copolymer containing a nitrile group.
(6) The die attach film with a dicing sheet function according to any one of (1) to (5), wherein the pressure-sensitive adhesive layer is made of an acrylic acid copolymer.
(7) The die attach film with a dicing sheet function according to any one of (1) to (6), wherein the base film (I) and the base film (II) are made of a light-transmitting base.
(8) (A) a step of bonding the back surface of the silicon wafer to the adhesive layer portion of the die attach film with a dicing sheet function according to (1) at a temperature of 60 ° C. or less;
(B) a step of attaching a wafer ring to the pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film (I),
(C) dicing the silicon wafer and cutting it into individual dies;
(D) a step of irradiating the die attach film surface with ultraviolet rays after dicing to cure the contact interface between the adhesive layer and the base film (II);
(E) a pick-up step in which the die having the adhesive layer left on the back surface is peeled off from the base film (II) after the adhesive layer is cured by ultraviolet light, and
(F) a step of heating and bonding the die to a lead frame or a substrate via an adhesive, the method comprising the steps of:
(9) A semiconductor device in which a semiconductor element and a lead frame or a substrate are bonded by the die-bonding film adhesive according to any one of (1) to (8).
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The die attach film with a dicing sheet function of the present invention comprises a base film having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film (I), a base film (II) formed thereon, and an adhesive layer formed thereon. (II) wherein the outer diameter of the adhesive layer is larger than the outer diameter of the portion where the wafer is to be bonded and smaller than the inner diameter of the portion where the wafer ring is to be bonded.
[0009]
Since the outer diameter of the adhesive layer on the base film (II) is larger than the portion where the wafer is to be attached, the film adhesive is applied over the entire surface of the wafer and smaller than the inner diameter of the portion where the wafer ring is to be attached. It is possible to prevent the film adhesive from sticking.
When the wafer ring and the film adhesive come into contact with each other, there is a possibility that the film adhesive adheres to the wafer ring, causing a problem that the wafer ring is contaminated.
[0010]
The glass transition temperature of the resin composition constituting the adhesive of the present invention is preferably from -30 ° C to 60 ° C. If the glass transition temperature exceeds 60 ° C., the sticking property at 60 ° C. or lower becomes difficult, and if the glass transition temperature is lower than −30 ° C., the tackiness becomes too strong and the handling property deteriorates.
[0011]
The resin composition constituting the film adhesive of the present invention preferably contains an acrylic acid copolymer having a glass transition temperature of −30 ° C. or more and 60 ° C. or less, and an epoxy resin.
[0012]
The glass transition temperature of the acrylic acid copolymer used in the present invention is preferably from −30 ° C. to 60 ° C. If the glass transition temperature is lower than −30 ° C., the tackiness is so strong that handling becomes difficult, and if it exceeds 60 ° C., the adhesion at 60 ° C. or lower becomes poor.
[0013]
Examples of the acrylic acid copolymer used in the present invention include acrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, a copolymer containing at least one of acrylonitrile as a monomer component, among which glycidyl methacrylate having a glycidyl ether group, A copolymer containing hydroxy methacrylate having a hydroxyl group and carboxy methacrylate having a carboxyl group is preferred.
[0014]
The molecular weight of these acrylic acid copolymers is preferably 100,000 or more, more preferably 150,000 to 1,000,000, in order to increase the cohesive strength.
[0015]
The acrylic acid copolymer used in the present invention preferably contains a nitrile group. The inclusion of a nitrile group has the effect of improving the adhesion to the adherend.
[0016]
The epoxy resin used in the present invention refers to monomers, oligomers and polymers in general. For example, biphenyl type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, epoxy resin containing triazine nucleus And a dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resin, and these may be used alone or as a mixture.
[0017]
Among these epoxy resins, a crystalline epoxy resin having a melting point of 50 to 150 ° C. is preferable. Such a crystalline epoxy resin has a rigid structure such as a biphenyl skeleton, a bisphenol skeleton, or a stilbene skeleton in its main chain, and has relatively low molecular weight and thus exhibits crystallinity. The crystalline epoxy resin is a solid that crystallizes at room temperature, but rapidly melts and changes to a low-viscosity liquid in a temperature range higher than the melting point. The melting point of the crystalline epoxy resin indicates the apex temperature of the endothermic peak of crystal melting, which was heated from a room temperature at a temperature rising rate of 5 ° C./min using a differential scanning calorimeter.
[0018]
The amount of the epoxy resin used in the present invention is preferably 10 to 100 parts by weight, more preferably 30 to 70 parts by weight, based on 100 parts by weight of the acrylic acid copolymer.
[0019]
The resin composition constituting the film adhesive of the present invention may contain an organic compound having a cyanate group. Examples of the organic compound having a cyanate group include bisphenol A dicyanate, bisphenol F dicyanate, bis (4-cyanate phenyl) ether, and bisphenol E dicyanate cyanate novolak resin.
[0020]
The resin composition constituting the film adhesive of the present invention may contain a phenol resin. In this case, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin.
[0021]
Examples of the phenolic resin used in the present invention include bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane (commonly known as tetramethylbisphenol F), 4,4′-sulfonyldiphenol, and 4,4′-isopropylidenediphenol ( Bisphenol A), bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane, and bis (4-hydroxyphenyl) methane and bis Bisphenols such as (2-hydroxyphenyl) methane and three kinds of mixtures of (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane (for example, bisphenol FD manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.); 2-benzenediol, 1,3-benzenediol, 1,4-ben Dihydroxybenzenes such as diols, trihydroxybenzenes such as 1,2,4-benzenetriol, various isomers of dihydroxynaphthalenes such as 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,2′-biphenol, 4,4′- Examples include compounds such as various isomers of biphenols such as biphenol.
[0022]
The resin composition constituting the film adhesive of the present invention may contain an ultraviolet-curable resin, and as the ultraviolet-curable resin, an acrylic compound (C-1) is preferable. For example, acrylic acid or methacrylic acid ester monomers can be used. Among them, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, glyceryl diacrylate, glyceryl dimethacrylate, 1,10-decanediol diacrylate, dimethacryl Bifunctional acrylates such as 1,10-decanediol acid, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentahexamethacrylate And polyfunctional acrylates such as pentaerythritol. Of these, alkyl esters are preferred, and particularly preferred are acrylic acid and methacrylic acid alkyl esters having 1 to 15 carbon atoms at the ester site.
[0023]
The content of the component unit derived from acrylic acid or methacrylic acid ester which is an ultraviolet-curable resin used in the present invention is usually 20 to 55 parts by weight, preferably 30 to 55 parts by weight, based on 100 parts by weight of the acrylic acid copolymer. If the amount is less than the lower limit of 40 parts by weight, the adhesive strength becomes poor. If the amount exceeds the upper limit, the adhesion to the protective film becomes more than necessary, which is not preferable.
[0024]
In addition, by introducing acrylic acid or methacrylic acid ester of a UV-curable resin having a hydroxyl group such as a hydroxy group in the molecule, the adhesion to the adherend and the properties of the adhesive can be easily controlled. .
The UV-curable resin is further mixed with a photopolymerization initiator (C-2) to cure the surface of the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating ultraviolet rays when the resin is difficult to peel off from the substrate, thereby facilitating peeling. It is also an important component for use as a die attach film.
[0025]
Specific examples of such a photopolymerization initiator (C-2) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin isobutyl ether, methyl benzoin benzoate, benzoin benzoic acid, benzoin methyl ether, benzylfinyl sulfide, benzyl, and dibenzyl. , Diacetyl and the like.
[0026]
The ultraviolet-curable resin used in the present invention preferably comprises the above components (C-1) to (C-2), and the mixing ratio thereof is appropriately set according to the characteristics of each component. Specifically, the component (C-2) is preferably used in an amount of preferably 1 to 30 parts by weight, more preferably about 3 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the component (C-1). If the amount is less than 1 part by weight, the effect of the photoinitiator is weak, and if it exceeds 30 parts by weight, the reactivity increases and the storage stability deteriorates.
[0027]
The film adhesive of the present invention may contain a filler, and the filler preferably has an average particle size of 0.1 to 25 μm. If the average particle size is less than 0.1 μm, the effect of adding a filler is small, and if it exceeds 25 μm, the adhesive strength as a film may be reduced.
[0028]
As the filler used in the film adhesive of the present invention, silver, titanium oxide, silica, mica and the like are preferable.
The content of the filler is preferably 0% to 30% by weight, and if it exceeds 30%, the film becomes brittle and the adhesiveness is reduced.
[0029]
The resin composition of the pressure-sensitive adhesive layer in the present invention is preferably made of an acrylic acid copolymer.
[0030]
The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably from −30 ° C. to 60 ° C. If the glass transition temperature exceeds 60 ° C., it is difficult to attach the wafer ring at a temperature of 60 ° C. or less.
[0031]
Moreover, it is preferable that the base film (I) and the base film (II) of the present invention comprise a light-transmitting base.
[0032]
Examples of the light-transmitting substrate used in the present invention include a polypropylene film, a polyethylene film, a polybutadiene film, a polyvinyl chloride film, etc., and 30 to 70 parts by weight, preferably 40 to 60 parts by weight of a polypropylene resin and 70 parts by weight. It is preferably a mixture of 〜30 parts by weight, preferably 60-40 parts by weight, of a copolymer comprising a polystyrene block and a vinyl isoprene block.
[0033]
The thickness of the light-transmitting substrate used in the present invention is preferably from 20 to 200 μm, and particularly preferably from 25 to 150 μm.
[0034]
In the present invention, the resin composition used for the film adhesive has a sufficient adhesive property when not cured, contains a component that cures when irradiated with ultraviolet light of 370 nm or less, and is cured by irradiation with ultraviolet light. It is preferable to have a feature that the adhesive does not have tackiness at the interface between the adhesive and the adherend.
[0035]
As a method for manufacturing a die attach film with a dicing sheet function of the present invention, first, a resin composition constituting a film-like adhesive is varnished on a release sheet, and is generally known, such as a comma coater, a die coater, and a gravure coater. According to the method described above, coating and drying are performed to form an adhesive layer, and a light-transmitting substrate is laminated thereon. By half-cutting this, a film made of a pressure-sensitive adhesive layer and a light-transmitting substrate is laminated on the one obtained in a circular shape to form a light-transmitting substrate, a pressure-sensitive adhesive layer, and a light-transmitting substrate. Thus, a die attach film having a dicing sheet function comprising an adhesive layer and a protective film can be obtained.
[0036]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer thus formed is preferably 3 to 100 μm, and more preferably 10 to 75 μm. When the thickness is less than 3 μm, the effect as a pressure-sensitive adhesive is reduced.
[0037]
In the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, first, an adhesive layer of a die attach film with a dicing sheet function of the present invention is attached to the back surface of a silicon wafer at room temperature or at a mild condition of 60 ° C. or less, and then the wafer ring is adhered. After attaching the silicon wafer with the die attach film to the agent layer, the silicon wafer with the die attach film is fixed on a dicing device via a light-transmitting base material, and using a cutting means such as a dicing saw, the silicon wafer with the die attach film, A semiconductor chip which is cut into individual pieces to form individual dies is obtained.
[0038]
Subsequently, ultraviolet light (center wavelength = approximately 365 nm) is applied to the light transmitting substrate surface of the die attach film attached to the semiconductor chip obtained as described above. Usually, the illuminance is set in the range of 20 to 500 mJ / cm 2 , and the irradiation time is set in the range of 5 to 600 seconds. Various conditions can be set according to the above-described ultraviolet irradiation. Next, the die attach film is peeled off at the interface between the light transmitting substrate and the adhesive layer while the die attach film remains fixed on the back surface of the semiconductor chip.
[0039]
In this way, the semiconductor chip to which the adhesive layer of the die attach film is fixed is heated and pressure-bonded to the metal lead frame or the substrate via the adhesive layer as it is, thereby enabling die bonding. The heating and pressing conditions are usually a heating temperature of 100 to 300 ° C. and a pressing time of 1 to 10 seconds, preferably a heating of 100 to 200 ° C. and a pressing time of 1 to 5 seconds. Subsequently, by heating, the epoxy resin in the die attach film is cured, and a semiconductor device in which a semiconductor chip and a lead frame, a substrate, and the like are firmly bonded can be obtained. The heating temperature in this case is usually about 100 to 300 ° C, preferably about 150 to 250 ° C, and the heating time is usually 1 to 240 minutes, preferably 10 to 60 minutes.
The finally cured die attach film has high heat resistance, and the cured product has low brittleness due to the acrylic rubber resin component, and has excellent shear strength, high impact resistance, and heat resistance.
[0040]
【Example】
Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.
I) Adhesive layer component (A) Acrylic acid copolymer resin component (A-1) Epoxy group-containing acrylic acid copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: SG80 HDR, Tg: 10 ° C, molecular weight Mw) = 350,000)
(A-2) Epoxy group-containing acrylic acid copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: SGP3DR, Tg: 12 ° C, molecular weight Mw = 850000)
[0041]
(B) Epoxy resin component (B-1) Cresol novolak epoxy resin (trade name: EOCN-1020-80, epoxy equivalent: 200 g / eq, manufacturer: Nippon Kayaku Co., Ltd.)
(C) UV-curable resin [(C-1) (meth) acrylate monomer] 1,6-hexanediol dimethacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
[(C-2) Photopolymerization initiator] 2,2-dimethoxyki-1,2-diphenylethan-1-one (manufactured by Ciba-Geigy Corporation)
(D) Imidazole (D-1) imidazole compound (trade name: 1B2MZ, manufacturer: Shikoku Chemicals)
II) Pressure-sensitive adhesive layer component acrylic acid copolymer component acrylic acid copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: SG70L, Tg: -17 ° C, molecular weight Mw = 800000)
[0042]
A 100 μm thick film of Cleartec CT-H817 (manufactured by Kuraray) comprising 60 parts by weight of a light-transmitting base material Hibra and 40 parts by weight of polypropylene was formed with an extruder.
[0043]
<< Example 1 >>
Each component was blended at the ratio shown in Table 1 to obtain a resin composition. This resin composition was applied to a polyethylene terephthalate base material of 100 μm and dried to obtain a film adhesive. A sheet composed of a protective film (polyethylene terephthalate substrate), a film-like adhesive, and a light-transmitting substrate was obtained by laminating the film-like adhesive with a light-transmitting substrate. This sheet was half-cut into a circle larger than the outer diameter of the used wafer and smaller than the inner diameter of the wafer ring. On the other hand, an adhesive layer was formed on the light-transmitting substrate side of the previously half-cut sheet after laminating the light-transmitting substrate on a sheet obtained by applying an adhesive on a polyethylene terephthalate substrate 100 μm and drying. A light-transmitting substrate was laminated to produce a die attach film with a dicing sheet function.
[0044]
After peeling off the protective film of the die attach film, a semiconductor wafer is stuck on the adhesive surface, and a wafer ring is stuck and held on the adhesive layer. Using a dicing saw, the spindle rotation speed is 30,000 rpm, and the cutting speed is 50 mm. / Sec, the chip was cut into a chip size of 5 × 5 mm square. Next, after irradiating the integrated light amount of 250 mJ / cm 2 with ultraviolet rays for 20 seconds, the light-transmitting substrate is peeled off from the remaining semiconductor chip of the die attach film, and then the semiconductor chip is put through a film adhesive. A 42-alloy alloy lead frame was crimped under the conditions of 180 ° C.-1 MPa-1.0 sec, die-bonded, and each item as a dicing sheet and a die attach film was evaluated. The results are shown in Tables 2 and 3.
[0045]
<< Example 2 >>
The same operation as in Example 1 was performed except that the mixing ratio of the adhesive component was changed as shown in Table 1.
[0046]
<< Comparative Example 1 >>
Each component was blended at the ratio shown in Table 1 to obtain a resin composition. This resin composition was applied to a polyethylene terephthalate base material of 100 μm and dried to obtain a film adhesive. This film adhesive is laminated with a light-transmitting substrate to produce a protective film (polyethylene terephthalate substrate), a film-like adhesive, and a die attach film with a dicing sheet function composed of a light-transmitting substrate. did. The adhesive layer in the wafer-attached portion and the wafer-attached portion is the same resin composition.
[0047]
[Table 1]
[Table 2]
[Table 3]
The following evaluation methods were used to evaluate the examples and the comparative examples.
(1) Glass transition temperature Relaxation peak when dynamic viscoelasticity was measured at a temperature rising rate of 3 ° C./min and a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity device manufactured by Seiko Instruments Inc.
[0051]
(2) Scattering of chips after dicing After dicing the semiconductor wafer, evaluation was made by counting the number of semiconductor chips peeled off from the die attach film due to weak adhesion.
[0052]
(3) Pickup property The semiconductor wafer was irradiated with ultraviolet light after dicing, and it was evaluated whether the semiconductor chip with the die attach film could be picked up from the light transmitting substrate (pickup).
：: Pickup of almost all chips △: Pickup of 50 to 90% of diced chips X: Pickup of 50% or less
(4) Chipping characteristics ：: The chip width is 30 μm or less at maximum.
Δ: The width of the chip is 30 to 50 μm at the maximum.
×: The width of the chip is 50 μm or more at the maximum.
[0054]
(5) Wafer Ring Contamination In Examples 1 and 2, the transfer of the adhesive to the wafer ring when the wafer ring was attached to the adhesive layer and the adhesive layer in the comparative example and left for one week and then removed was visually evaluated. When the wafer ring was not contaminated, the evaluation was "O", and when the wafer ring was contaminated, the evaluation was "X".
[0055]
(6) Initial bonding as a die attach film A semiconductor chip with a die attach film is die-bonded to a 42-alloy alloy lead frame at 180 ° C.-1 MPa-1.0 sec, and the chip and the lead are left untreated. The shear strength with the frame was measured and evaluated.
[0056]
(7) Adhesion after Moisture Absorption After subjecting the measurement sample die-bonded in the above (8) to a moisture absorption treatment at 85 ° C./85% RH / 168 hours, the shear strength between the chip and the lead frame was measured and evaluated.
：: Shear strength is 1 MPa or more △: Shear strength is 0.5 to 1.0 MPa
×: Shear strength less than 0.5 MPa
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the function as a dicing sheet excellent in thickness uniformity, adhesive strength, and shear strength, and as a dicing film excellent in chipping resistance and cracking properties as a dicing film at the time of dicing by attaching a wafer at a temperature of 60 ° C. or less. It is a material for die bonding that can provide an adhesive layer by providing another adhesive layer on the part where the wafer is attached and the part where the wafer ring is attached, thereby preventing contamination of the ring frame by the adhesive. The used semiconductor device has the same or higher impact resistance and heat resistance as the conventional liquid epoxy die attach material.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an example of a die attach film with a dicing sheet function of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1;
[Explanation of symbols]
1
5
Claims (9)
（Ｂ）基材フィルム（Ｉ）上に形成された粘着剤層にウエハーリングを貼り付ける工程、
（Ｃ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｄ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層と基材フィルム（ＩＩ）との接触界面を硬化させる工程、
（Ｅ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを基材フィルム（ＩＩ）から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｆ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。(A) attaching the back surface of the silicon wafer to the adhesive layer portion of the die attach film with a dicing sheet function according to claim 1 at a temperature of 60 ° C. or less;
(B) a step of attaching a wafer ring to the pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film (I),
(C) dicing the silicon wafer and cutting it into individual dies;
(D) a step of irradiating the die attach film surface with ultraviolet rays after dicing to cure the contact interface between the adhesive layer and the base film (II);
(E) a pick-up step in which the die having the adhesive layer left on the back surface is peeled off from the base film (II) after the adhesive layer is cured by ultraviolet light, and
(F) a step of heating and bonding the die to a lead frame or a substrate via an adhesive.
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