JP2006237465A - Die attaching film fitted with dicing-sheet function, semiconductor device manufacturing method using same, and semiconductor device - Google Patents

Die attaching film fitted with dicing-sheet function, semiconductor device manufacturing method using same, and semiconductor device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon-wafer regeneration method using a highly reliable die attaching film fitted with a dicing-sheet function capable of peeling a film-like bonding agent from the rear surface of a silicon wafer without damaging the wafer, when requiring the reuse of the silicon wafer due to the faultiness generated in the case of sticking, etc. <P>SOLUTION: The silicon-wafer regeneration method includes a process for irradiating with ultraviolet rays a die attaching film fitted with a dicing-sheet function whereon a silicon wafer 5 is stuck, and includes a process for peeling thereafter the silicon wafer 5 from the die attaching film fitted with a dicing-sheet function whereon the silicon wafer 5 is stuck. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a die attach film with a dicing sheet function, a method for manufacturing a semiconductor device using the die attach film, and a semiconductor device.

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
In response to the recent increase in functionality of electronic devices and expansion to mobile applications, there is an increasing demand for higher density and higher integration of semiconductor devices, and IC packages are increasing in capacity and density.
As a manufacturing method of these semiconductor devices, an adhesive sheet is attached to a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, etc., and after cutting and separating into individual semiconductor elements by dicing, expanding, picking up individual chips, Next, the semiconductor chip is transferred to an assembly process of a semiconductor device in which a semiconductor chip is die-bonded to a metal lead frame, a tape substrate, or an organic hard substrate.

ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、フィルム状接着剤層などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造されている(特許文献1、2)。   The picked-up semiconductor chip is bonded to a lead frame or a substrate through a die attach material such as a film adhesive layer in a die bonding process, and a semiconductor device is manufactured (Patent Documents 1 and 2).

特開2002−353252号公報JP 2002-353252 A 特開2002−294177号公報JP 2002-294177 A

このダイボンディング材にペースト状接着剤に替わりフィルム状接着剤が主流になりつつある。これはフィルム状接着材を予めシリコンウェハーの裏面に貼付したものをフィルム状接着剤ごとダイシングにより個々の半導体素子に切断し基板もしくはチップ上にダイマウントするものである。ペースト状接着剤を個々の半導体素子ごとに基板上に塗布する工程に比較して工程の短縮化を図ることが可能であり、かつダイマウント後の接着剤層厚みの均一性を向上することが可能である。 Instead of paste adhesives, film adhesives are becoming mainstream for this die bonding material. In this method, a film-like adhesive previously pasted on the back surface of a silicon wafer is cut into individual semiconductor elements by dicing together with the film-like adhesive and die-mounted on a substrate or chip. It is possible to shorten the process compared to the process of applying the paste adhesive on the substrate for each individual semiconductor element, and to improve the uniformity of the adhesive layer thickness after die mounting. Is possible.

さらにこのフィルム状接着剤の新たなアプリケーションとしてダイシングシート機能を付与したフィルム状接着剤も開発、上市されている。これはダイシングシートにウェハーを貼付すると同時にフィルム状接着剤も貼付することで更なる工程の短縮化を図ることができるものである。一度フィルム状接着剤のみをウェハー裏面に貼り付けてから再度ダイシングシートに貼付する工程に比較して、大口径ウェハーおよび厚みの薄いウェハーの取り扱いに効果的である。 Furthermore, a film adhesive having a dicing sheet function has been developed and put on the market as a new application of this film adhesive. This can further shorten the process by attaching a wafer adhesive to the dicing sheet and also attaching a film adhesive. Compared to the process of pasting only the film adhesive once on the back side of the wafer and then sticking it again to the dicing sheet, it is more effective for handling large-diameter wafers and thin wafers.

しかしいずれのフィルム状接着剤を用いても、ウェハー裏面に貼り付ける際に貼付不良が生じる場合がある。これはフィルム状接着剤にシワが生じたり、特に大口径ウェハーにおいては貼付時の圧力不均一が生じるために空気層の巻きこみが懸念される。 However, even if any film adhesive is used, a sticking failure may occur when it is attached to the back surface of the wafer. This is worried about wrinkles in the film-like adhesive, and particularly in large-diameter wafers, pressure non-uniformity at the time of sticking occurs, and there is a concern about the air layer being involved.

ダイシングシートと異なり、フィルム状接着剤を一度ウェハー裏面に貼り付けてしまうと剥がすことは困難であり、無理に剥がせばウェハーの破損等に至る。また容易に剥がすことができるものでは、その後の工程において組立時に接着剤剥れに起因する不具合が生じてしまう。よってフィルム状接着剤の貼付で不良が生じたウェハーにおいては廃棄されるのが一般的である。特に大口径ウェハーにおいてこのような問題が生じると廃棄すべき半導体素子の損失は量、金額的にも深刻なものとなる。 Unlike a dicing sheet, once the film adhesive is applied to the back side of the wafer, it is difficult to remove it, and if it is forcibly removed, the wafer is damaged. In addition, if it can be easily peeled off, there will be a problem due to peeling of the adhesive during assembly in the subsequent steps. Therefore, it is common to discard a wafer in which a defect has occurred due to application of a film adhesive. In particular, when such a problem occurs in a large-diameter wafer, the loss of semiconductor elements to be discarded becomes serious in terms of quantity and amount.

本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、その目的とするところは貼付時に不具合が生じる等によりシリコンウェハーを再利用する必要性が生じた場合、ウェハーを破損することなくフィルム状接着剤の部分をシリコンウェハー裏面から剥離できる機能を付与した高信頼性のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを用いたシリコンウェハーの再生方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to form a film-like adhesive without damaging the wafer when it becomes necessary to reuse the silicon wafer due to a problem during sticking. Another object of the present invention is to provide a method for reclaiming a silicon wafer using a highly reliable die attach film function with a dicing sheet function to which a part of the silicon wafer is peeled from the back surface of the silicon wafer.

[1] シリコンウェハーが貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムに紫外線を照射する工程、その後に前記シリコンウェハーが貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムからシリコーンウェハーを剥離させる工程を含むことを特徴とするシリコーンウェハーの再生方法であって、
前記ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなり、前記フィルム状接着剤層が、アクリル酸エステル共重合体、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂を含むものであるシリコーンウェハーの再生方法。
[2] 前記基材フィルム(II)のフィルム状接着剤層側の界面が離型処理されている[1]記載のシリコーンウェハーの再生方法。
[3] 前記アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度が−30℃以上60℃以下である[1]または[2]記載のシリコーンウェハーの再生方法。
[4] 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である[1]乃至[3]のいずれかに記載のシリコーンウェハーの再生方法。
[5] 前記光硬化性樹脂がアクリル系樹脂である[1]乃至[4]のいずれかに記載のシリコーンウェハーの再生方法。
[1] It includes a step of irradiating a die attach film with a dicing sheet function to which a silicon wafer is attached, and then a step of peeling the silicon wafer from the die attach film with a dicing sheet function to which the silicon wafer is attached. A method for reclaiming a silicone wafer, characterized in that
The die attach film with a dicing sheet function is composed of a base film (I), an adhesive layer, a base film (II) and a film adhesive layer in this order, and the film adhesive layer is an acrylic film. A method for reclaiming a silicone wafer comprising an acid ester copolymer, a thermosetting resin, and a photocurable resin.
[2] The method for reclaiming a silicone wafer according to [1], wherein the interface on the film adhesive layer side of the base film (II) is subjected to a release treatment.
[3] The method for reclaiming a silicone wafer according to [1] or [2], wherein the acrylic ester copolymer has a glass transition temperature of −30 ° C. or more and 60 ° C. or less.
[4] The method for reclaiming a silicone wafer according to any one of [1] to [3], wherein the thermosetting resin is an epoxy resin.
[5] The method for reclaiming a silicone wafer according to any one of [1] to [4], wherein the photocurable resin is an acrylic resin.

本発明の再生方法は、シリコンウェハーが貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムに紫外線を照射する工程、その後に前記シリコンウェハーが貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムからシリコーンウェハーを剥離させる工程を含むことを特徴とするシリコーンウェハーの再生方法であって、
前記ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなり、前記フィルム状接着剤層が、アクリル酸エステル共重合体、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂を含むものであるシリコーンウェハーの再生方法である。
なお下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。以下に本発明に用いられるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの各構成要素、及びそれを用いた再生方法について詳細に説明する。
The recycling method of the present invention includes a step of irradiating a die attach film with a dicing sheet function to which a silicon wafer is attached, and then peeling the silicone wafer from the die attach film with a dicing sheet function to which the silicon wafer is attached. A method for reclaiming a silicone wafer, comprising the step of:
The die attach film with a dicing sheet function is composed of a base film (I), an adhesive layer, a base film (II) and a film adhesive layer in this order, and the film adhesive layer is an acrylic film. A method for reclaiming a silicone wafer comprising an acid ester copolymer, a thermosetting resin and a photocurable resin.
The following is an example, and the present invention is not limited to the following. Hereinafter, each component of the die attach film with a dicing sheet function used in the present invention and a reproducing method using the same will be described in detail.

本発明で用いる基材フィルム(I)としては公知のものを使用してもよく、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等の一般的な熱可塑性樹脂からなるフィルムの他、さらにこれらの混合物からできるフィルム、さらにこれらを積層したフィルムを用いることができる
これらの基材フィルム(I)のうち、ポリプロピレン樹脂を30〜70重量部(好ましくは40〜60重量部)と、ポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重合体70〜30重量部(好ましくは60〜40重量部)の混合物を用いることが好ましい。また粘着剤層との密着性を上げるために、これら基材の表面にコロナ処理を行ってもよい。基材フィルム(I)の厚みとしては、好ましくは30〜300μm、特に好ましくは50〜200μmである。
As the base film (I) used in the present invention, known materials may be used. For example, polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene. General thermoplastics such as terephthalate, polyurethane, ethylene vinyl acetate copolymer, ionomer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, vinyl polyisoprene, polycarbonate In addition to the film made of resin, a film made of a mixture of these, and a film obtained by laminating these can be used. Of these base film (I), 30 to 70 parts by weight (preferably 40 to 60 parts by weight) And a mixture of 70 to 30 parts by weight (preferably 60 to 40 parts by weight) of a copolymer composed of a polystyrene block and a vinyl isoprene block. Moreover, in order to raise adhesiveness with an adhesive layer, you may perform the corona treatment on the surface of these base materials. The thickness of the base film (I) is preferably 30 to 300 μm, particularly preferably 50 to 200 μm.

本発明で用いる粘着剤層としては特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸及びそれらのエステルモノマーを重合させたポリマーの他、前記モノマーと共重合可能な不飽和単量体(例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなど)とを共重合させたコポリマーが用いられる。
また本発明の粘着剤層には、凝集力を高めるためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加しても構わない。
The pressure-sensitive adhesive layer used in the present invention is not particularly limited. For example, in addition to a polymer obtained by polymerizing acrylic acid, methacrylic acid and an ester monomer thereof, an unsaturated monomer copolymerizable with the monomer ( For example, a copolymer obtained by copolymerizing vinyl acetate, styrene, acrylonitrile, or the like) is used.
The adhesive layer of the present invention has a rosin resin, a terpene resin, a coumarone resin, a phenol resin, a styrene resin, an aliphatic petroleum resin, an aromatic petroleum resin, and an aliphatic aromatic copolymer to increase the cohesive force. A tackifier such as petroleum resin may be added.

さらに上記の粘着剤層の成分として帯電防止剤を添加することもできる。帯電防止剤を添加することにより、エキスパンド時あるいはピックアップ時に発生する静電気を抑制できるため、チップの信頼性が向上する。帯電防止剤としては、具体的にはアニオン性、カチオン性、非イオン性、ないし両イオン性の一般に公知の界面活性剤、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。帯電防止剤は、粘着剤中に0〜30重量部、特に0〜20重量部の範囲で用いられることが好ましい。   Furthermore, an antistatic agent can be added as a component of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer. By adding an antistatic agent, static electricity generated at the time of expanding or picking up can be suppressed, so that the reliability of the chip is improved. Specific examples of the antistatic agent include anionic, cationic, nonionic, and amphoteric surfactants, carbon black, silver, nickel, antimony-doped tin oxide, tin-doped indium oxide. Such powder is used. The antistatic agent is preferably used in the pressure-sensitive adhesive in an amount of 0 to 30 parts by weight, particularly 0 to 20 parts by weight.

また本発明における粘着剤層は基材フィルム(I)及び基材フィルム(II)を固定し、かつウエハーリングに簡便に貼り付き、かつ簡便に取り外しができるようにガラス転移温度が−30℃以上60℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が60℃を超えるとウエハーリングを60℃以下で貼り付けることが難しくなり、−30℃を下回ると粘着力が強すぎてウエハーリングの取り外しが難しくなる。   The pressure-sensitive adhesive layer of the present invention has a glass transition temperature of −30 ° C. or higher so that the base film (I) and the base film (II) can be fixed, and can be easily attached to the wafer ring and can be easily removed. It is preferable that it is 60 degrees C or less. If the glass transition temperature exceeds 60 ° C., it becomes difficult to attach the wafer ring at 60 ° C. or less, and if it falls below −30 ° C., the adhesive force is too strong and it becomes difficult to remove the wafer ring.

本発明において、前記粘着剤層の厚さは特に限定されるものではないが、5〜35μm程度であるのが好ましい。5μm未満であると、粘着力が充分でなくダイシング時にチップが飛散する問題があり、35μm以上であると、ダイシング時にチッピング等が起こりやすくなる。   In the present invention, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably about 5 to 35 μm. If it is less than 5 μm, there is a problem that the adhesive force is not sufficient and chips are scattered during dicing, and if it is 35 μm or more, chipping or the like tends to occur during dicing.

前記粘着剤層を製造するには、粘着剤層を構成する成分を必要に応じて適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により基材上に塗工し、80〜100℃、30秒〜10分程度加熱処理等で乾燥させることにより得ることができる。   In order to produce the pressure-sensitive adhesive layer, the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer are dissolved in an appropriate organic solvent as necessary, and an appropriate thickness is obtained according to a generally known method such as a comma coater, a gravure coater, a die coater, or a reverse coater. It can be obtained by coating on a substrate by coating or spraying, and drying by heat treatment or the like at 80 to 100 ° C. for about 30 seconds to 10 minutes.

本発明に用いる基材フィルム(II)としては、片面が表面離型処理されているものであれば公知のものを使用してよく、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等があげられる。離型処理としては離型剤をフィルム表面にコーティングする処理や、フィルム表面に細かい凹凸をつける処理等があげられる。前記離型剤としてはシリコーン系、アルキッド系、フッ素系等があげられるが、特にダイシング後のピックアップ性に優れるため、シリコーン系の離型剤による処理が好ましい。
基材フィルム(II)の厚みとしては、5〜100μmが好ましく、特に10〜60μmが好ましい。厚みが薄すぎるとダイシング時にチップが飛散する問題があり、厚すぎるとピックアップ不良が起こる問題がある。
本発明では、基材フィルム(II)の表面離型された面にフィルム状接着剤層を形成し、表面離型されてない面を粘着剤層に貼り付けることにより、ピックアップ工程において、基材フィルム(II)がフィルム状接着剤層間の界面から容易に剥離することを可能にし、優れたピックアップ性を実現させる。
As the base film (II) used in the present invention, a known film may be used as long as one surface is subjected to surface release treatment, and examples thereof include a polypropylene film, a polyethylene film, and a polyethylene terephthalate film. Examples of the mold release treatment include a process for coating the film surface with a mold release agent and a process for forming fine irregularities on the film surface. Examples of the release agent include silicone-based, alkyd-based, and fluorine-based agents. In particular, treatment with a silicone-based release agent is preferable because of excellent pickup properties after dicing.
As thickness of base film (II), 5-100 micrometers is preferable, and 10-60 micrometers is especially preferable. If the thickness is too thin, there is a problem that chips are scattered during dicing, and if it is too thick, there is a problem that pickup failure occurs.
In the present invention, a film-like adhesive layer is formed on the surface of the substrate film (II) that has been surface-released, and the surface that has not been surface-released is attached to the pressure-sensitive adhesive layer. The film (II) can be easily peeled from the interface between the film-like adhesive layers, and excellent pick-up properties are realized.

本発明のフィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物は、アクリル酸エステル共重合体、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂からなる。   The resin composition which comprises the film adhesive layer of this invention consists of an acrylate ester copolymer, a thermosetting resin, and a photocurable resin.

本発明のフィルム状接着剤層に用いるアクリル酸エステル共重合体は、接着力の向上、凝集力の向上という点で優れている。またアクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は−20〜120℃であることが好ましい。さらに−20〜60℃がより好ましく、特に−10〜50℃が好ましい。ガラス転移温度が低すぎるとフィルム状接着剤層の粘着力が強くなり、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性が低下する場合がある。ガラス転移温度が高すぎるとチッピングやクラックが起こる場合や、低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。   The acrylate copolymer used for the film-like adhesive layer of the present invention is excellent in terms of improvement in adhesion and cohesion. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature of an acrylate ester copolymer is -20-120 degreeC. Furthermore, -20-60 degreeC is more preferable, and -10-50 degreeC is especially preferable. If the glass transition temperature is too low, the adhesive strength of the film-like adhesive layer becomes strong, and pickup failure may occur or workability may be reduced. If the glass transition temperature is too high, chipping or cracking may occur, or the effect of improving low-temperature adhesion may be reduced.

前記アクリル酸エステル共重合体は、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびアクリルニトリルのうち少なくとも1つをモノマー成分とした共重合体が挙げられる。この中でも、官能基としてエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物を有するアクリル酸エステル共重合体が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。
前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
Examples of the acrylic ester copolymer include a copolymer having at least one monomer component among acrylic acid, acrylic ester, methacrylic ester and acrylonitrile. Among these, an acrylate copolymer having a compound having an epoxy group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitrile group, or the like as a functional group is preferable. Thereby, the adhesiveness to adherends, such as a semiconductor element, can be improved more.
Specific examples of the compound having a functional group include glycidyl methacrylate having a glycidyl ether group, hydroxy methacrylate having a hydroxyl group, carboxy methacrylate having a carboxyl group, and acrylonitrile having a nitrile group.

前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル酸エステル共重合体全体の0.5〜40重量%が好ましく、特に5〜30重量%が好ましい。含有量が低すぎるとチッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合がある。含有量が高すぎると粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。   The content of the compound having a functional group is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 40% by weight, particularly preferably 5 to 30% by weight, based on the entire acrylate copolymer. If the content is too low, chipping or cracks may occur, or the effect of improving adhesion may be reduced. If the content is too high, the adhesive strength is too strong, and pickup failure may occur or the effect of improving workability may be reduced.

前記アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、特に限定されないが、10万以上が好ましく、特に15万以上100万以下が好ましい。重量平均分子量がこの範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。   The weight average molecular weight of the acrylate copolymer is not particularly limited, but is preferably 100,000 or more, particularly preferably 150,000 to 1,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, the film forming property of the adhesive film for a semiconductor can be improved.

次に、本発明のフィルム状接着剤層に用いる熱硬化性樹脂は、例えばビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられ、またフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等も挙げられる。これらは単独でも混合して用いても良い。   Next, the thermosetting resin used for the film-like adhesive layer of the present invention includes, for example, bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A epoxy resin and bisphenol F epoxy resin, novolak type epoxy resins such as novolac epoxy resin and cresol novolac epoxy resin. , Epoxy resins such as biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin, etc. In addition, phenol novolac resins, cresol novolac resins, bisphenol A novolac resins and other novolac phenol resins, resol phenol resins and other phenol resins, urea (urea) resins, Resins having a triazine ring such as Min resin, unsaturated polyester resins, bismaleimide resins, polyurethane resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, resins having a benzoxazine ring, and also cyanate ester resin. These may be used alone or in combination.

熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂が好ましく、特に結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂としては、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子量であるものが挙げられる。結晶性エポキシ樹脂が好ましい理由は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するからである。それによって、本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層部分にシリコンウエハー裏面とを貼り合わせる工程における、初期密着性をより向上することができる。   The thermosetting resin is preferably an epoxy resin, and particularly preferably a crystalline epoxy resin. Examples of such crystalline epoxy resins include those having a rigid structure such as a biphenyl skeleton, a bisphenol skeleton, and a stilbene skeleton in the main chain and having a relatively low molecular weight. The reason why the crystalline epoxy resin is preferable is that it is a solid that is crystallized at room temperature, but rapidly melts into a low-viscosity liquid in a temperature range above the melting point. Thereby, the initial adhesion in the step of bonding the back surface of the silicon wafer to the adhesive layer portion of the die attach film with a dicing sheet function of the present invention can be further improved.

本発明のフィルム状接着剤層に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸エステル共重合体100重量部に対し好ましくはエポキシ樹脂10〜100重量部、より好ましくは30〜70重量部である。配合量が多すぎるとチッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合がある。配合量が低すぎると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。   The amount of the epoxy resin used in the film-like adhesive layer of the present invention is preferably 10 to 100 parts by weight, more preferably 30 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic ester copolymer. If the amount is too large, chipping or cracking may occur, or the effect of improving adhesion may be reduced. If the blending amount is too low, the adhesive strength is too strong and pick-up failure may occur, or the effect of improving workability may be reduced.

本発明のフィルム状接着剤層に用いる光硬化性樹脂としては、アクリル系樹脂が好ましい。例えばアクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中でもジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸1,10−デカンジオール、ジメタクリル酸1,10−デカンジオール等の2官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が1〜15のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルである。 As photocurable resin used for the film adhesive layer of this invention, acrylic resin is preferable. Examples include acrylic acid or methacrylic acid ester monomers. Among them, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, glycerol diacrylate, glycerol dimethacrylate, 1,10-decanediol diacrylate, dimethacrylate Bifunctional acrylates such as acid 1,10-decanediol, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate And other polyfunctional acrylates. Of these, alkyl esters are preferred, and acrylic acid and methacrylic acid alkyl esters having 1 to 15 carbon atoms in the ester moiety are particularly preferred.

本発明に用いる光硬化性樹脂であるアクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導される成分単位の含有量は、アクリル酸エステル共重合体100重量部に対して、通常10〜100重量部、好ましくは20〜50重量部である。下限値未満であると粘着力に乏しくなり上限値を超えるとタック性が強くなり作業性が悪くなる。   The content of the component unit derived from acrylic acid or methacrylic acid ester which is a photocurable resin used in the present invention is usually 10 to 100 parts by weight, preferably 20 to 100 parts by weight of acrylic acid ester copolymer. ~ 50 parts by weight. If it is less than the lower limit, the adhesive strength is poor, and if it exceeds the upper limit, tackiness is increased and workability is deteriorated.

また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する光硬化性樹脂のアクリル酸又はメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御することができる。   In addition, by introducing acrylic acid or methacrylic acid ester of a photocurable resin having a hydroxyl group such as a hydroxy group in the molecule, the adhesion to the adherend and the properties of the adhesive can be easily controlled. .

光硬化性樹脂には、更に、重合開始剤を混在させることにより、紫外線、熱などを与えて光硬化性樹脂の重合を促進することができる。   Further, by mixing a polymerization initiator in the photocurable resin, it is possible to accelerate the polymerization of the photocurable resin by applying ultraviolet rays, heat or the like.

このような重合開始剤としては、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。   Specific examples of such a polymerization initiator include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin isobutyl ether, methyl benzoin benzoate, benzoin benzoic acid, benzoin methyl ether, benzylfinyl sulfide, benzyl, dibenzyl, and diacetyl. .

重合開始剤の含有量は光硬化性樹脂100重量部に対し0.1〜30重量部、好ましくは1〜10重量部である。1重量部未満であると光開始剤の効果が弱く10重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。   Content of a polymerization initiator is 0.1-30 weight part with respect to 100 weight part of photocurable resins, Preferably it is 1-10 weight part. If it is less than 1 part by weight, the effect of the photoinitiator is weak, and if it exceeds 10 parts by weight, the reactivity becomes high and the storage stability becomes poor.

本発明のフィルム状接着剤層は必要に応じて硬化剤を含むことができる。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。
これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
The film adhesive layer of this invention can contain a hardening | curing agent as needed.
Examples of the curing agent include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), and diaminodiphenylsulfone. In addition to aromatic polyamines such as (DDS), amine-based curing agents such as polyamine compounds including dicyandiamide (DICY) and organic acid dihydralazide, and fats such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA) and methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) Acid anhydride curing agents such as aromatic acid anhydrides such as cyclic acid anhydride (liquid acid anhydride), trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA) , Phenolic tree Phenolic curing agent and the like.
Among these, a phenolic curing agent is preferable, and specifically, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane (common name: tetramethylbisphenol F), 4,4′-sulfonyldiphenol, 4,4′- Isopropylidene diphenol (commonly called bisphenol A), bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane and bis (4-hydroxy) Bisphenols such as three mixtures of phenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, and (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane (for example, bisphenol FD manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) , 1,2-benzenediol, 1,3-benzenediol Dihydroxybenzenes such as 1,4-benzenediol, trihydroxybenzenes such as 1,2,4-benzenetriol, various isomers of dihydroxynaphthalene such as 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,2′-biphenol, Examples of the compound include various isomers of biphenols such as 4,4′-biphenol.

前記硬化剤の配合量は、特に限定されないが、前記アクリル酸エステル共重合体100重量部に対して1〜90重量部が好ましく、特に3〜60重量部が好ましい。配合量が低すぎると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、配合量が高すぎると保存性が低下する場合がある。   Although the compounding quantity of the said hardening | curing agent is not specifically limited, 1-90 weight part is preferable with respect to 100 weight part of said acrylate ester copolymers, and 3-60 weight part is especially preferable. If the blending amount is too low, the effect of improving the heat resistance may be lowered, and if the blending amount is too high, the storage stability may be lowered.

本発明のフィルム状接着剤層は、硬化促進剤としてイミダゾール類を含んでもよい。具体的には、2メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ベンジルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−エチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2−フェニルイミダゾール イソシアヌル付加物、2−メチルイミダゾール イソシアヌル付加物、2−フェニルー4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール臭化水素酸塩、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物などの化合物が挙げられる。   The film adhesive layer of the present invention may contain imidazoles as a curing accelerator. Specifically, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2- Methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-benzylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-ethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazo Lithium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 1-cyanoethyl-2 -Phenylimidazolium trimellitate, 2 4-Diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4-methylimidazolyl- (1')] -Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2-phenylimidazole isocyanuric adduct, 2-methylimidazole isocyanuric adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-benzyl-2- Phenylimidazole hydrobromide, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s -Compounds such as -triazine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct.

前記硬化促進剤の配合量は、特に限定されないが、前記アクリル酸エステル共重合体100重量部に対して0.01〜30重量部が好ましく、特に0.5〜10重量部が好ましい。配合量が低すぎると硬化性が不十分である場合があり、高すぎると保存性が低下する場合がある。   Although the compounding quantity of the said hardening accelerator is not specifically limited, 0.01-30 weight part is preferable with respect to 100 weight part of said acrylate ester copolymers, and 0.5-10 weight part is especially preferable. If the blending amount is too low, the curability may be insufficient, and if it is too high, the storage stability may decrease.

本発明のフィルム状接着剤層は必要に応じてさらにカップリング剤を含むことができる。これにより樹脂と被着体及び樹脂とシリカ界面との密着性を向上させることができる。   The film adhesive layer of the present invention can further contain a coupling agent as required. Thereby, the adhesiveness between the resin and the adherend and between the resin and the silica interface can be improved.

カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。   Examples of coupling agents include silane-based, titanium-based, and aluminum-based, among which silane-based coupling agents are preferable. As the coupling agent, for example, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyl Methyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β (Aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ Aminopropyltrimethoxysilane, .gamma.-chloropropyl trimethoxy silane, .gamma.-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanate propyl triethoxysilane, 3-acryloxypropyl and propyl trimethoxy silane.

前記カップリング剤の配合量は、特に限定されないが、前記アクリル酸エステル共重合体100重量部に対して0.01〜10重量部が好ましく、特に0.1〜10重量部が好ましい。配合量が低すぎると密着性の効果が不十分である場合があり、高すぎるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。   Although the compounding quantity of the said coupling agent is not specifically limited, 0.01-10 weight part is preferable with respect to 100 weight part of said acrylate ester copolymers, and 0.1-10 weight part is especially preferable. If the blending amount is too low, the adhesion effect may be insufficient, and if it is too high, it may cause outgassing or voids.

本発明のフィルム状接着剤層には、必要に応じてフィラーを配合してもよい。フィラーの平均粒径は0.1〜25μmであることが好ましい。平均粒径が0.1μm未満であるとフィラー添加の効果が少なく、25μmを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。   You may mix | blend a filler with the film adhesive layer of this invention as needed. The average particle size of the filler is preferably 0.1 to 25 μm. When the average particle size is less than 0.1 μm, the effect of filler addition is small, and when it exceeds 25 μm, the adhesive strength as a film may be reduced.

本発明のフィルム状接着剤層に用いるフィラーとしては、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。フィラーの配合量は0.1%〜30重量%が好ましく、30%を超えるとフィルムとしてもろくなり接着性が低下する。   As a filler used for the film adhesive layer of the present invention, silver, titanium oxide, silica, mica and the like are preferable. The blending amount of the filler is preferably 0.1% to 30% by weight, and if it exceeds 30%, the film becomes brittle and the adhesiveness is lowered.

本発明のフィルム状接着剤層のウエハーへの貼り付け温度は15℃以上60℃以下であることを特徴とする。温和な条件での貼り付けを可能にすることでウエハー貼り付け後の反り、割れを抑制することができる。   The film adhesive layer of the present invention is affixed to a wafer at a temperature of 15 ° C. or more and 60 ° C. or less. By enabling bonding under mild conditions, warping and cracking after wafer bonding can be suppressed.

本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの製造方法としては、先ず基材フィルム(II)の離型処理された面上に、フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物を必要に応じて適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させてフィルム状接着剤層を形成し、そこに保護シートを積層する。または耐熱性の保護シート上に、フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物を必要に応じて適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って塗工し、乾燥させて接着剤層を形成しそこに、基材フィルム(II)を積層する。ここで得られた基材フィルム(II)と接着剤層をハーフカットすることにより円形に得られた基材フィルム(II)及びフィルム状接着剤層と、カットされていない保護フィルムの三層構造シートが得られる。ハーフカットの円形はウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きく、かつウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいものであるため、ウエハーリングを汚染することなく半導体装置作成作業に用いることができる。   As a method for producing a die attach film with a dicing sheet function of the present invention, first, a resin composition constituting a film-like adhesive layer is appropriately formed on the surface of the base film (II) that has been subjected to a release treatment. It is made into a solution with a simple organic solvent, applied and dried according to generally known methods such as a comma coater, a die coater, and a gravure coater to form a film-like adhesive layer, and a protective sheet is laminated thereon. Alternatively, on the heat-resistant protective sheet, the resin composition constituting the film-like adhesive layer is made into a solution with an appropriate organic solvent as necessary, and is applied according to generally known methods such as a comma coater, die coater, and gravure coater. And dried to form an adhesive layer, on which the base film (II) is laminated. The three-layer structure of the base film (II) and the film-like adhesive layer obtained in a circular shape by half-cutting the base film (II) and the adhesive layer obtained here, and an uncut protective film A sheet is obtained. Since the half-cut circle is larger than the outer diameter of the portion to which the wafer is to be attached and smaller than the inner diameter of the portion to which the wafer ring is to be attached, it can be used for semiconductor device fabrication work without contaminating the wafer ring.

また、粘着剤層を構成する成分を必要に応じて適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法に従って適宜の厚みに塗布又は散布等により基材フィルム(I)上に塗工し、基材フィルム(I)上に粘着剤層が塗られた2層構造シートが得られる。または耐熱性の保護シート上に、粘着剤層を構成する樹脂組成物を必要に応じて適当な有機溶剤により溶液化し、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って塗工し、乾燥させて粘着剤層を形成しそこに、基材フィルム(I)を積層することにより、基材フィルム(I)上に粘着剤層が塗られた2層構造シートが得られる。   In addition, the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer are made into a solution with an appropriate organic solvent as necessary, and a base material is applied or spread to an appropriate thickness according to a generally known method such as a comma coater, gravure coater, die coater, reverse coater, etc. A two-layer structure sheet coated on the film (I) and coated with the pressure-sensitive adhesive layer on the base film (I) is obtained. Alternatively, on the heat-resistant protective sheet, the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer is dissolved in an appropriate organic solvent as necessary, and is applied according to a generally known method such as a comma coater, a die coater, a gravure coater, By drying, a pressure-sensitive adhesive layer is formed, and the base film (I) is laminated thereon, whereby a two-layer structure sheet in which the pressure-sensitive adhesive layer is coated on the base film (I) is obtained.

前述の粘着剤層が塗られた基材フィルム(I)の2層構造シートに前述のハーフカットされた3層構造シートを積層することで、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムを得ることができる。   By laminating the above-mentioned half-cut three-layer structure sheet on the two-layer structure sheet of the base film (I) coated with the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer, the base film (I), the pressure-sensitive adhesive layer, and the base material A die attach film in which the film (II) and the film adhesive layer are formed in this order can be obtained.

本発明の一つの態様として、基材フィルム(II)と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きく、かつウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とするものがある。基材フィルム(II)上のフィルム状接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分より大きいことでウエハー全面にフィルム状接着剤層が貼りつき、ウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことでウエハーリングとフィルム状接着剤層が貼り付くことを防ぎ、基材フィルム(I)上の粘着剤にウエハーリングを貼り付けることができる。ウエハーリングとフィルム状接着剤層が接するとフィルム状接着剤層がウエハーリングに貼りつきウエハーリングが汚染されるという問題が生じる。   As one aspect of the present invention, the outer diameter of the base film (II) and the adhesive layer is larger than the outer diameter of the portion to be attached to the wafer and smaller than the inner diameter of the portion to be attached to the wafer ring. There is something. The outer diameter of the film-like adhesive layer on the base film (II) is larger than the part to be attached to the wafer, so that the film-like adhesive layer is attached to the entire surface of the wafer and is smaller than the inner diameter of the part to be attached to the wafer ring. Thus, the wafer ring and the film-like adhesive layer can be prevented from sticking, and the wafer ring can be attached to the pressure-sensitive adhesive on the base film (I). When the wafer ring and the film-like adhesive layer come into contact with each other, there arises a problem that the film-like adhesive layer adheres to the wafer ring and the wafer ring is contaminated.

本発明に用いられるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムは通常は次のように使用される。
まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層を室温あるいは60℃以下の温和な条件で貼付した後、ウエハーリングを粘着剤層に貼り付けた後ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、光透過性基材を介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。
The die attach film with a dicing sheet function used in the present invention is usually used as follows.
First, the adhesive layer of the die attach film with a dicing sheet function of the present invention is pasted on the back surface of the silicon wafer under a mild condition of room temperature or 60 ° C., and then the wafer ring is pasted on the adhesive layer and then the die attach film A silicon wafer with a die is fixed on a dicing apparatus via a light-transmitting substrate, and the above silicon wafer with a die attach film is cut into individual pieces by using a cutting means such as a dicing saw. A semiconductor chip is obtained.

続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材面に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。通常、照度は20〜500mJ/cm2、さらに照射時間は、5〜600秒の範囲内に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材と接着剤層界面で剥離する。
この際、シリコンウェハーの裏面との接着界面においても接着力が低下するが、ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを構成している基材フィルム(II)の表面に離型処理を施すことによって光透過性基材と接着剤層界面での剥離を優先させることができ、裏面にダイアタッチフィルムを固着残存させた半導体チップを得ることができる。
Subsequently, ultraviolet light (center wavelength = about 365 nm) is irradiated onto the light-transmitting substrate surface of the die attach film attached to the semiconductor chip obtained as described above. Usually, the illuminance is set to 20 to 500 mJ / cm 2 and the irradiation time is set to a range of 5 to 600 seconds. Various conditions can be set according to the case of the above-mentioned ultraviolet irradiation.
Next, the die attach film is peeled off at the interface between the light-transmitting base material and the adhesive layer while the die attach film remains fixed on the back surface of the semiconductor chip.
At this time, the adhesive force also decreases at the adhesive interface with the back surface of the silicon wafer. However, the surface of the base film (II) that constitutes the die attach film with the dicing sheet function is subjected to a mold release treatment to transmit light. It is possible to give priority to peeling at the interface between the adhesive substrate and the adhesive layer, and it is possible to obtain a semiconductor chip in which the die attach film remains fixed on the back surface.

このようにして、ダイアタッチフィルムのフィルム状接着剤層が固着されている半導体チップを、そのまま金属リードフレームや基板に、フィルム状接着剤層を介し、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、100〜300℃の加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、好ましくは100〜200℃の加熱、1〜5秒の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ましくは150〜250℃程度であり、加熱時間は通常は1〜240分間、好ましくは10〜60分間である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
In this way, die bonding is performed by heating and pressure-bonding the semiconductor chip to which the film-like adhesive layer of the die attach film is fixed to a metal lead frame or substrate through the film-like adhesive layer as it is. Can do. The heating and pressure bonding conditions are usually a heating temperature of 100 to 300 ° C., a pressure bonding time of 1 to 10 seconds, preferably a heating of 100 to 200 ° C. and a pressure bonding time of 1 to 5 seconds. Subsequently, by heating, the epoxy resin in the die attach film is cured, and a semiconductor device in which the semiconductor chip and the lead frame, the substrate, etc. are firmly bonded can be obtained. The heating temperature in this case is usually about 100 to 300 ° C, preferably about 150 to 250 ° C, and the heating time is usually 1 to 240 minutes, preferably 10 to 60 minutes.
The finally cured die attach film has high heat resistance, and because of the acrylic rubber resin component, the cured product has low brittleness, excellent shear strength, high impact resistance, and heat resistance.

以上が、本発明に用いられるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの通常の使用方法である。しかしながら現実的な作業においては、シリコンウェハ貼り付け時に不良が生じる場合があり、本発明によればそのような場合でもウェハを無駄にすることなくフィルム状接着剤層から剥離させることができる。シリコンウェハの貼り付け不良とは、具体的には、フィルム状接着剤にシワが生じたり、特に大口径ウェハーにおいては貼付時の圧力不均一が生じるために空気層の巻きこみ等が挙げられる。   The above is the normal usage method of the die attach film with a dicing sheet function used for this invention. However, in actual work, a defect may occur when a silicon wafer is attached. According to the present invention, even in such a case, the wafer can be peeled off from the film adhesive layer without wasting it. Specifically, the defective adhesion of the silicon wafer includes wrinkles in the film adhesive, and in particular, in a large-diameter wafer, pressure non-uniformity at the time of application occurs, so that an air layer is involved.

本発明のシリコンウェハーの再生方法としては、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層を室温あるいは60℃以下の温和な条件で貼付する。貼付時に接着剤層とシリコンウェハーの裏面の間においてシワや巻きこみボイド等の不良が発生した場合に、ダイアタッチフィルムの光透過性基材面に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。通常、照度は20〜500mJ/cm2、さらに照射時間は、5〜600秒の範囲内に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。紫外線照射され硬化したフィルム状接着剤とシリコンウェハーとの界面においては粘着性が低くなるためにシリコンウェハーの裏面から接着剤層およびダイシング機能付きダイアタッチフィルムをシリコンウェハーを破損することなく剥離させることができる。 As a method for reclaiming a silicon wafer of the present invention, first, the adhesive layer of the die attach film with a dicing sheet function of the present invention is attached to the back surface of the silicon wafer under room temperature or a mild condition of 60 ° C. or less. When defects such as wrinkles or entangled voids occur between the adhesive layer and the back surface of the silicon wafer at the time of application, the light-transmitting substrate surface of the die attach film is irradiated with ultraviolet rays (center wavelength = about 365 nm). Usually, the illuminance is set to 20 to 500 mJ / cm 2 and the irradiation time is set to a range of 5 to 600 seconds. Various conditions can be set according to the case of the above-mentioned ultraviolet irradiation. The adhesive layer and the die attach film with a dicing function are peeled off from the back surface of the silicon wafer without damaging the silicon wafer because the adhesiveness at the interface between the film adhesive cured with ultraviolet rays and the silicon wafer becomes low. Can do.

以上により、シリコンウェハを適切に本発明に用いられるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層に貼り付けたときには問題なくシリコンウェハを基板に貼り付けることができる一方で、ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層にシリコンウェハを誤って貼り付けたときには、ダイシングソーで個片ダイに切断する前に紫外線を照射することでシリコンウェハに貼り付いたフィルム状接着剤層を容易に剥離させることができる。   As described above, when the silicon wafer is appropriately attached to the adhesive layer of the die attach film with dicing sheet function used in the present invention, the silicon wafer can be attached to the substrate without any problem, while the die attach with dicing sheet function is possible. When a silicon wafer is mistakenly attached to the adhesive layer of the film, the film-like adhesive layer attached to the silicon wafer can be easily peeled off by irradiating ultraviolet rays before cutting into individual dies with a dicing saw. Can do.

(実施例1)
[1]基材フィルム(I)及び粘着剤層
基材フィルム(I)としてハイブラ60重量部ポリプロピレン40重量部からなるクリアテックCT−H717(クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムを形成し、表面をコロナ処理した。次にアクリル酸2−エチルヘキシル50重量部とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合して得られた重量平均分子量500000の共重合体を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80℃で5分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後粘着剤層を基材フィルム(I)のコロナ処理面にラミネートして基材フィルム(I)及び粘着剤層を得た。
Example 1
[1] Base film (I) and pressure-sensitive adhesive layer As a base film (I), Cleartech CT-H717 (Kuraray) consisting of 60 parts by weight of Hibra and 40 parts by weight of polypropylene is used to form a 100 μm thick film with an extruder. Formed and corona treated. Next, a copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. Was applied to a polyester film having a thickness of 38 μm, and the thickness after drying was 10 μm, followed by drying at 80 ° C. for 5 minutes to obtain a pressure-sensitive adhesive layer. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer was laminated on the corona-treated surface of the base film (I) to obtain the base film (I) and the pressure-sensitive adhesive layer.

[2]フィルム状接着剤層成分
フィルム状接着剤成分A: アクリル酸エステル共重合体(グリシジル基含有アクリル酸エステル共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、日本化薬(株)製)32重量部と、エポキシ樹脂(NC6000、日本化薬(株)製)48重量部、フェノール硬化剤(MEH7500、明和化成(株)製)39重量部、光硬化樹脂(TMP、共栄社化学(株)製)50重量部、光開始材(IG651、チバスペシャリティケミカルズ(株)製)5重量部、
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.2重量部、とをメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40%の樹脂ワニスを得た。
[2] Film adhesive layer component Film adhesive component A: Acrylic acid ester copolymer (glycidyl group-containing acrylic acid ester copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-80H, Tg: 15 ° C, 100 parts by weight of a weight average molecular weight: 350,000), 32 parts by weight of a crystalline cresol novolac epoxy resin (EOCN-1020-80, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a thermosetting resin, and an epoxy resin (NC6000, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 48 parts by weight, phenol curing agent (MEH7500, Meiwa Kasei Co., Ltd.) 39 parts by weight, photo-curing resin (TMP, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 50 parts by weight, photoinitiator ( IG651, Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 5 parts by weight,
As a coupling agent, 0.2 part by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) to obtain a resin varnish having a resin solid content of 40%. .

[3]フィルム状接着剤層及び基材フィルム(II)
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、基材フィルム(II)であるポリエチレンテレフタレートフィルム(王子製紙(株)製、RL−07、厚さ38μm)のシリコーン離型面に塗布し、70℃、10分間乾燥して、基材フィルム(II)つきのフィルム状接着剤層を得た。
[3] Film adhesive layer and substrate film (II)
Using a comma coater, the above-mentioned resin varnish was applied to the silicone release surface of a polyethylene terephthalate film (Oji Paper Co., Ltd., RL-07, thickness 38 μm) as the base film (II), It dried for 10 minutes and obtained the film adhesive layer with base film (II).

[4]ダイシングシート機能付きダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム
上述の基材フィルム(II)つきのフィルム状接着剤層に保護フィルムを貼り付け、基材フィルム(II)及びフィルム状接着剤層をハーフカットし、上述の基材フィルム(I)上の粘着剤層に貼り付け、保護フィルムを剥がすことにより、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。
[4] Die attach film with dicing sheet function Dicing sheet function with dicing sheet function A protective film is pasted on the film-like adhesive layer with the base film (II) described above, and the base film (II) and the film-like adhesive layer are half-cut. The base film (I), the pressure-sensitive adhesive layer, the base film (II) and the film-like adhesive layer are obtained by attaching the adhesive film on the above-mentioned base film (I) and peeling off the protective film. A die attach film with a dicing sheet function constituted in this order was obtained.

[5]ダイシング機能付きダイアタッチフィルムを用いた半導体装置
得られたダイシング機能付きダイアタッチフィルムを6インチ550μmウエハーの裏面に60℃で貼り付けし、ダイシング機能付きダイアタッチフィルム付きウエハーを得た。このダイシング機能付きダイアタッチフィルム付きウェハーの基材フィルム(I)の裏面
から紫外線(中心波長=約365nm)を積算照射量として250mJ/cm2照射した後にシリコンウェハーからダイシング機能付きダイアタッチフィルムを剥離させた。そしてダイシング機能付きダイアタッチフィルムが剥離されたシリコンウェハーの裏面に再び新たなダイシング機能付きダイアタッチフィルムを60℃で貼付し、ダイシング機能付きダイアタッチフィルム付きウェハーを得た。その後ダイシング機能付きダイアタッチフィルム付きウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数30,000rpm、切断速度50mm/secで5mm×5mm角の半導体素子のサイズにダイシング(切断)して、次にダイシングシート機能付きダイシングシートの裏面から突上げし基材フィルム(II)及びフィルム状接着剤層間で剥離した。
[5] Semiconductor device using a die attach film with a dicing function The obtained die attach film with a dicing function was attached to the back surface of a 6-inch 550 μm wafer at 60 ° C. to obtain a wafer with a die attach film with a dicing function. The die attach film with the dicing function is peeled off from the silicon wafer after irradiating with 250 mJ / cm 2 of ultraviolet rays (center wavelength = about 365 nm) as an integrated dose from the back surface of the base film (I) of the wafer with the die attach film with the dicing function. It was. Then, a new die attach film with a dicing function was attached to the back surface of the silicon wafer from which the die attach film with a dicing function was peeled off at 60 ° C. to obtain a wafer with a die attach film with a dicing function. After that, the wafer with a die attach film with a dicing function is diced (cut) into a size of a semiconductor element of 5 mm × 5 mm square at a spindle rotation speed of 30,000 rpm and a cutting speed of 50 mm / sec using a dicing saw, and then diced. The dicing sheet with sheet function was pushed up from the back surface and peeled off between the base film (II) and the film adhesive layer.

(実施例2)
フィルム状接着剤成分B: フィルム状接着剤層成分の樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムおよびそれを用いた半導体チップを得た。
アクリル酸エステル共重合体(グリシジル基含有アクリル酸エステル共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、日本化薬(株)製)10重量部と、エポキシ樹脂(NC6000、日本化薬(株)製)20重量部、フェノール硬化剤(MEH7500、明和化成(株)製)15重量部、光硬化樹脂(TMP、共栄社化学(株)製)40重量部、光開始材(IG651、チバスペシャリティケミカルズ(株)製)4重量部、カップリング剤としてγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.1重量部。
(Example 2)
Film adhesive component B: A die attach film with a dicing sheet function and a semiconductor chip using the same are obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition of the resin varnish of the film adhesive layer component is as follows. It was.
100 parts by weight of acrylic ester copolymer (glycidyl group-containing acrylic ester copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corp., SG-80H, Tg: 15 ° C., weight average molecular weight: 350,000), and thermosetting As resin, crystalline cresol novolac epoxy resin (EOCN-1020-80, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 10 parts by weight, epoxy resin (NC6000, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 20 parts by weight, phenol curing agent ( MEH7500, Meiwa Kasei Co., Ltd.) 15 parts by weight, photo-curing resin (TMP, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 40 parts by weight, photoinitiator (IG651, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.), 4 parts by weight, coupling 0.1 part by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as an agent.

(実施例3)
基材フィルム(II)に離型処理がされていないポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムおよびそれを用いた半導体チップを得た。
(Example 3)
A die attach film with a dicing sheet function and a semiconductor chip using the same were obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate film that was not subjected to release treatment was used as the base film (II).

(比較例1)
フィルム状接着剤層成分の樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムおよびそれを用いた半導体チップを得た。
フィルム状接着剤成分C: アクリル酸エステル共重合体(グリシジル基含有アクリル酸エステル共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、日本化薬(株)製)32重量部と、エポキシ樹脂(NC6000、日本化薬(株)製)48重量部、フェノール硬化剤(MEH7500、明和化成(株)製)39重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.2重量部、とを用いた。
(Comparative Example 1)
A die attach film with a dicing sheet function and a semiconductor chip using the same were obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition of the resin varnish of the film adhesive layer component was as follows.
Film adhesive component C: Acrylic acid ester copolymer (glycidyl group-containing acrylic acid ester copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-80H, Tg: 15 ° C., weight average molecular weight: 350,000) 100 Parts by weight, 32 parts by weight of crystalline cresol novolac epoxy resin (EOCN-1020-80, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a thermosetting resin, and epoxy resin (NC6000, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 48 Parts by weight, 39 parts by weight of a phenol curing agent (MEH7500, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), 0.2 parts by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent, Was used.

(比較例2)
フィルム状接着剤成分D: フィルム状接着剤層成分の樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムおよびそれを用いた半導体チップを得た。
アクリル酸エステル共重合体(グリシジル基含有アクリル酸エステル共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.2重量部、とを用いた。
(Comparative Example 2)
Film adhesive component D: A die attach film with a dicing sheet function and a semiconductor chip using the same are obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin varnish of the film adhesive layer component is mixed as follows. It was.
100 parts by weight of an acrylic ester copolymer (glycidyl group-containing acrylic ester copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corp., SG-80H, Tg: 15 ° C., weight average molecular weight: 350,000), and a coupling agent And 0.2 part by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.

各実施例および比較例で得られたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムおよびおよびそれを用いた半導体チップに関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表1、2に示す。   The following evaluation was performed regarding the die attach film with a dicing sheet function obtained in each of the examples and comparative examples, and the semiconductor chip using the same. The evaluation items are shown together with the contents. The obtained results are shown in Tables 1 and 2.

(1) ウエハ貼り付け正常時のウエハピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評価した。
○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアップ可能なもの
×:ピックアップが50%以下のもの
(1) Wafer pick-up property under normal wafer attachment It was evaluated whether a semiconductor chip with a die attach film could be picked up from a light-transmitting substrate (pick-up) by irradiating with ultraviolet light after dicing the semiconductor wafer.
○: Almost all chips can be picked up △: 50-90% of diced chips can be picked up ×: Pick-up is 50% or less

(2) ウエハ貼り付け不良時のウエハ再生状態
○: きれいに剥離させることができた。
△: 剥離させることができたが、接着剤の残存物がシリコンウェハーの裏面に存在し た。
×: 剥離させることができず、またシリコンウェハーが破損した。
(2) Wafer regeneration state at the time of wafer sticking failure ○: It was possible to peel off cleanly.
Δ: Although it was able to be peeled off, an adhesive residue was present on the back surface of the silicon wafer.
×: Cannot be peeled off, and the silicon wafer was damaged.

Figure 2006237465
Figure 2006237465

Figure 2006237465
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表2から明らかなように、実施例1〜2は、紫外線照射後の剥離性に優れ、ピックアップ性も優れていた。   As is apparent from Table 2, Examples 1 and 2 were excellent in peelability after ultraviolet irradiation and excellent in pick-up properties.

本発明のシリコンウェハーの再生方法は、半導体素子組立時の歩留まり向上に大きく貢献する。 The method for reclaiming a silicon wafer according to the present invention greatly contributes to an improvement in yield at the time of assembling semiconductor elements.

図1は本発明に用いられるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの断面図を示す。FIG. 1 shows a sectional view of a die attach film with a dicing sheet function used in the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1基材フィルム(I)
2粘着剤層
3基材フィルム(II)
4フィルム状接着剤層
5シリコンウエハー
6ウエハーリング
1 Base film (I)
2 Adhesive layer 3 Base film (II)
4 film adhesive layer 5 silicon wafer 6 wafer ring

Claims (5)

シリコンウェハーが貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムに紫外線を照射する工程、その後に前記シリコンウェハーが貼り付けられたダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムからシリコーンウェハーを剥離させる工程を含むことを特徴とするシリコーンウェハーの再生方法であって、
前記ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなり、前記フィルム状接着剤層が、アクリル酸エステル共重合体、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂を含むものであるシリコーンウェハーの再生方法。
It includes a step of irradiating a die attach film with a dicing sheet function to which a silicon wafer is attached, and a step of peeling the silicone wafer from the die attach film with a dicing sheet function to which the silicon wafer is attached. A method for reclaiming a silicone wafer,
The die attach film with a dicing sheet function is composed of a base film (I), an adhesive layer, a base film (II) and a film adhesive layer in this order, and the film adhesive layer is an acrylic film. A method for reclaiming a silicone wafer comprising an acid ester copolymer, a thermosetting resin, and a photocurable resin.
前記基材フィルム(II)のフィルム状接着剤層側の界面が離型処理されている請求項1記載のシリコーンウェハーの再生方法。   The method for reclaiming a silicone wafer according to claim 1, wherein the interface on the film adhesive layer side of the base film (II) is subjected to a release treatment. 前記アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度が−30℃以上60℃以下である請求項1または2記載のシリコーンウェハーの再生方法。   The method for reclaiming a silicone wafer according to claim 1 or 2, wherein the acrylic ester copolymer has a glass transition temperature of -30 ° C to 60 ° C. 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項1乃至3のいずれかに記載のシリコーンウェハーの再生方法。   The method for reclaiming a silicone wafer according to any one of claims 1 to 3, wherein the thermosetting resin is an epoxy resin. 前記光硬化性樹脂がアクリル系樹脂である請求項1乃至4のいずれかに記載のシリコーンウェハーの再生方法。   The method for reclaiming a silicone wafer according to claim 1, wherein the photocurable resin is an acrylic resin.
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