【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハに形成される複数の半導体装置の個々の電気特性を測定する検査装置に関するとともに半導体装置の電極パッドと接触し信号の授受を行う複数のプロ−ブを有する検査装置のプロ−ブカ−ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体ウェハ（以下ウェハと記す）に形成された複数の半導体装置の個々の電気特性を測定し半導体装置を選別する検査工程がある。この検査装置は、ステ−ジ上に載置されたウェハの半導体装置にある複数の電極パッドに接触するプロ−ブを具備するプロ−ブカ−ドを備えるプロ−ビング装置と、プロ−ブからの信号授受により半導体装置の電気特性を測定するテスタ本体とで構成されている。
【０００３】
この検査装置では、如何に電極パッドとプロ−ブとの電気的接触を安定して得て信頼性の高い検査ができるか否かが重要な課題であった。この接触を安定して得るために、種々の方法が提案されている。
【０００４】
例えば、プロ−ブが電極パッドに接触する毎に、プロ−ブをクリ−ニングするクリ−ニングシ−トにプロ−ブを突き当て、プロ−ブに被着する異物を除去するといった方法がある。しかしながら、この方法は、クリ−ニングシ−トでプロ−ブの先端部に付着する異物が除去されるものの、プロ−ブの側面に付着した異物は除去されない。また、クリ−ニング頻度が高くなりプロ−ブの磨耗が進み寿命が短くなるという問題がある。
【０００５】
図５（ａ）および（ｂ）は従来の半導体装置の検査方法の一例を説明するための図である。従来、この種の半導体装置の検査方法では、複数の半導体装置の検査を行った後に、図５（ａ）に示すクリ−ニングシ−ト２７にプロ−ブ２２を当接させプロ−ブ２２に付着した異物を除去している。
【０００６】
このクリ−ニングシ−トは、図５（ａ）に示すように、第１のクッション材２３に粘着材２４を介して研磨剤層２５を施しその上に第２のクッション材２６を貼り付けた構造である。そして、プロ−ブ２２をクリ−ニングする際は、プロ−ブ２２を第２のクッション材２６に突き刺し研磨剤層２５に当接させることにより、プロ−ブ２２の先端部２２ａを研磨すると同時にプロ−ブ２２の先端部２２ａおよび側面２２ｂに付着した異物２８を除去している。
【０００７】
そして、異物２８が除去されたプロ−ブ２２は、図５（ｂ）に示すように、半導体装置２０のＡＵバンプ電極２１に対し接触する部分、すなわち、鋭角で球面状の先端部２２ａを接触させ検査していた。このプロ−ブ２２の先端部２２ａの形状が鋭角かつ球面であるためオ−バドライブ量（プロ−ブの先端部の電極への押さえ込み量）なく接触できるので、磨耗の低減ができ寿命を長くすることができる。
【０００８】
また、ＡＵバンプ電極２１へのオ−バドライブ量がないため、ＡＵバンプ電極２１の上面の剥がれを防止し、プロ−ブ２２への異物の付着を低減している（特許文献１）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−３１９６０５号公報（第４−５頁、図１、図２）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した半導体装置の検査方法では、プロ−ブをクリ−ニングするクリ−ニングシ−トを必要とし、このクリ−ニングシ−トにプロ−ブを位置決めするという操作しなければならないという欠点がある。この操作は検査のスル−プットの向上を妨げることになる。
【００１１】
また、クリ−ニングシ−トにプロ−ブを当接しても、必ずしもプロ−ブから異物が除去されるか否かは疑問がある。よしんば、除去されても、異物がクリ−ニングシ−トに残り、再度、プロ−ブをクリ−ニングシ−トに当接するとき、残存した異物がプロ−ブに再付着する懸念がある。
【００１２】
従って、本発明の目的は、プロ−ブをクリ−ニングする手段を必要することなく検査のスル−プットを向上が図れる検査装置のプロ−ブカ−ドおよび半導体装置の検査方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、テスタ本体と信号授受する配線と接続されるプリント配線板と、このプリント配線板の周辺から派生し斜めに下方に伸びかつ略垂直に折り曲げられウェハに形成された半導体装置の電極パッドに先端部を当接し前記信号授受を行う複数のプロ−ブとを備えるプロ−ブカ−ドにおいて、前記電極パッドの表面を削る刃部と前記電極パッドの表面に当接するコンタクト部とが前記半導体装置の中心に向け前記プロ−ブの先端部に並べて形成されているプロ−ブカ−ドである。
【００１４】
また、前記刃部と前記コンタクト部とは独立して前記プリント配線板から派生している前記プロ−ブに取り付けているか、または、前記刃部と前記コンタクト部は同一の前記プロ−ブに取付けられていることが望ましい。そして、好ましくは、前記刃部は、高融点金属で高硬度の金属を気相エピタキシアル成長法で成長させて製作されることである。一方、前記刃部はタングステンとレニウムとの合金よりなる材質であるとともに前記コンタクト部は銅を主成分とする銅合金であることが望ましい。
【００１５】
本発明の他の特徴は、テスタ本体と信号授受する配線と接続されるプリント配線板と、このプリント配線板の周辺から派生し斜めに下方に伸びかつ略垂直に折り曲げられウェハに形成された半導体装置の電極パッドに先端部を当接し前記信号授受を行うとともに前記電極パッドの表面を削る刃部と前記電極パッドの表面に当接するコンタクト部とが前記半導体装置の中心に向け前記先端部に並べて形成さている複数のプロ−ブとを備えるプロ−ブカ−ドにおいて、前記半導体ウェハと前記プロ−ブカ−ドとの相対的距離を縮め前記プロ−ブの先端部と前記電極パッドと接触させ、さらに前記プロ−ブの先端部の前記電極パッドへの押さえ込み量を増加させ前記プロ−ブの先端部の前記電極パッド面上のすべりを発生させる半導体装置の検査方法である。
【００１６】
また、前記プロ−ブの先端部の前記電極パッド面のすべり量は、１０乃至２０μｍであることが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は本発明の一実施の形態におけるプロ−ブカ−ド部分断面図およびＡ部拡大図である。このプロ−ブカ−ドは、図１に示すように、テスタ本体（図示せず）と信号授受する配線と接続されるプリント配線板２と、このプリント配線板２の周辺から派生し斜めに下方に伸びかつ略垂直に折り曲げられ電極パッド１２に当接し、ウェハ１０に形成された半導体装置１１の電極パッド１２と前記信号授受を行うとともに電極パッド１２の表面を削る刃部５と電極パッド１２の表面に当接するコンタクト部４とが半導体装置１１の中心に向け前記先端部に並べて形成さている複数のプロ−ブ１とを備えている。
【００１９】
また、また、刃部５とコンタクト部４とは独立してプリント配線板２から派生しているスクライブ用プロ−ブ１ｂとコンタクト用プロ−ブ１ａに取付けられている。そして、刃部５をもつスクライブ用プロ−ブ１ｂは、タングステン（Ｗ）、タングステン合金であるレニウムタングステンで製作されることが望ましい。一方、コンタクト部４をもつコンタクト用プロ−ブ１ａは、導電性の高くバネ性の高いベリリウム銅（ＢｅＣｕ）で製作することが望ましい。
【００２０】
なお、スクライブ用プロ−ブ１ｂおよびコンタクト用プロ−ブ１ａは、プリント配線板２のランドに共に接続しても良い。また、複数のプロ−ブ１は、プリント配線板２から垂下する支持部３に固定されカンチレバ−構造になっている。そして、右側のサ−クルに示す、オ−バ−ドライブ時に、プロ−ブ１とプリント配線板２との接続部に直接力が加わらないようになっている。
【００２１】
このプロ−ブカ−ドは、左側のサ−クル内に示すように、コンタクト用プロ−ブ１ａおよびスクライブ用プロ−ブ１ｂは、共にその先端部にあるコンタクト部４と刃部５とが接触しているが、オ−バ−ドライブすることによって、右側のサ−クル内に示すように、刃部５は電極パッド１２面をすべり、電極パッド１２面の酸化膜や異物を削り取り、コンタクト部４は、異物や酸化膜が除去された電極パッド１２面に押し付けられ良好な電気的接触が得られる。なお、刃部５はその先端が鋭角に形成され、コンタクト部４の先端は球面状に形成されている。
【００２２】
図２は図１のプロ−ブカ−ドの一変形例を示す部分断面図である。このプロ−ブカ−ドは、図２に示すように、プリント配線板２から派生したプロ−ブ１の先端部に半導体装置の中心に向け、刃部５とコンタクト部４とを並べて取り付けている。
【００２３】
なお、レニウムタングステン材でプロ−ブ１と刃部５とを一体化して製作し、ベリリウム銅材のコンタクト部５をロ−付けなどにより取り付けても良いし、あるいは、ベリリウム銅材でプロ−ブ１とコンタクト部４とを一体化して製作し、レニウムタングステン材の刃部材にコバルト材などをフィラ−として使用し、レ−ザまたは電子ビ−ムなどで融接し突き合わせ溶接しても良い。プロ−ブ１に必要であるバネ性と導電性および刃部５に必要である硬度を考慮すると、後者の方が優れている。
【００２４】
図３（ａ）および（ｂ）は図１のプロ−ブカ−ドのその他の変形例を説明するためのプロ−ブの部分を示す図である。このプロ−ブカ−ドは、図３に示すように、プロ−ブ１の先端部のコンタクト部４とプロ−ブ１と一体化して製作し、刃部５をコンタクト部４と並べて取り付けている。
【００２５】
プロ−ブ１およびコンタクト部４は、例えば、バネ性が高く導電性が優れているベリリウム銅を使用することが望ましい。また、刃部５は、通常のタングステン焼結合金でなく、プロ−ブ１の先端部の平坦面にタングステンスパッタ膜を形成し、スパッタ膜上に気相エピタキシアル成長方法によりタングステン結晶の突起部を形成し、この突起部をイオンミ−リングにより刃先を加工することが望ましい。なお、プロ−ブ１の先端部のすべりが直線的になるように、プロ−ブ１に湾曲部６を設けることが望ましい。
【００２６】
図４（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施の形態における半導体装置の検査方法を説明するための平面図およびＡ−Ａ断面矢視図である。この半導体装置の検査方法は、まず、図４のウェハ１０を載置したステ−ジ（図示せず）を上昇させ、プロ−ブ１の先端部を電極パッド１２に接触させる。このときの状態は、プロ−ブ１の先端部は、図４の実線でしめされる。
【００２７】
次に、プロ−ブ１の先端部が電極パッド１２に接触した状態から、さらにステ−ジを上昇させ、オ−バ−ドライブをかける、このことによりプロ−ブ１の先端部は半導体装置１１の中心方向にすべる。図４では、プロ−ブ１の先端部は二点鎖線に示す位置にすべる。その結果、刃部５は電極パッド１２の酸化膜を除去し、電極パッド１２の新鮮な面にコンタクト部４が接触し正確な信号授受を行え得る。なお、刃部５に切屑が付着しても、刃部５は電気的接触に寄与していないので問題はない。そして、常に、コンタクト部４が新鮮な面と接触しているので、安定した電気的接触が得られる。
【００２８】
なお、すべり量は、電極パッドの寸法によりことなるが、コンタクト部４の大きさが最小のときでも１０ミクロンメ−タが必要である。また、刃部５とコンタクト部の間隔が製作上２０ミクロンメ−タ程度必要であることとコンタクト部４の接触長さが最小の電極パッド１２でも２０ミクロンメ−タであることを考慮すると、オ−バ−ドライブにより起こるプロ−ブ１の先端部のすべり量は、１０乃至２０μｍが適切である。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、プロ−ブの先端部に電極パッドと接触するコンタクト部と並んで刃部を設け、測定時にオ−バ−ドライブをかけることにより、刃部が電極パッドの表面の酸化膜や異物を削り取り、新鮮になった電極パッド面にコンタクト部が常に接触できることによって、安定した測定し得るとともに高い信頼性の検査ができるという効果がある。
【００３０】
また、プロ−ブをクリ−ニングする機構を設ける必要なく、さらに、クリ−ニング機構への位置決め操作が無くなり、スル−プットの向上が図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるプロ−ブカ−ドを示す部分断面図およびＡ部拡大図である。
【図２】図１のプロ−ブカ−ドの一変形例を示す部分断面図である。
【図３】図１のプロ−ブカ−ドのその他の変形例を説明するためのプロ−ブの部分を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態における半導体装置の検査方法を説明するための平面図およびＡＡ断面矢視図である。
【図５】従来の半導体装置の検査方法の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１ プロ−ブ
１ａ コンタクト用プロ−ブ
１ｂ スクライブ用プロ−ブ
２ プリント配線板
３ 支持部
４ コンタクト部
５ 刃部
６ 湾曲部
１０ ウェハ
１１ 半導体装置
１２ 電極パッド[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an inspection apparatus for measuring individual electrical characteristics of a plurality of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer and a probe of an inspection apparatus having a plurality of probes for transmitting and receiving signals by contacting electrode pads of the semiconductor device. -Concerning the card.
[0002]
[Prior art]
Generally, there is an inspection step of measuring individual electrical characteristics of a plurality of semiconductor devices formed on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) and selecting the semiconductor devices. The inspection apparatus includes a probing apparatus including a probe card including a probe that contacts a plurality of electrode pads on a semiconductor device of a wafer mounted on a stage; And a tester main body that measures electrical characteristics of the semiconductor device by transmitting and receiving signals.
[0003]
In this inspection apparatus, an important issue is how to stably obtain electrical contact between the electrode pad and the probe and perform a highly reliable inspection. Various methods have been proposed for stably obtaining this contact.
[0004]
For example, there is a method in which a probe is brought into contact with a cleaning sheet for cleaning the probe every time the probe comes into contact with an electrode pad to remove foreign substances adhered to the probe. . However, in this method, although the foreign substances adhering to the tip of the probe are removed by the cleaning sheet, the foreign substances adhering to the side surface of the probe are not removed. Further, there is another problem that the cleaning frequency is increased, the probe is worn and the life is shortened.
[0005]
FIGS. 5A and 5B are diagrams for explaining an example of a conventional semiconductor device inspection method. Conventionally, in this type of semiconductor device inspection method, after a plurality of semiconductor devices have been inspected, the probe 22 is brought into contact with a cleaning sheet 27 shown in FIG. Adhered foreign matter is removed.
[0006]
In this cleaning sheet, as shown in FIG. 5A, an abrasive layer 25 is applied to a first cushion material 23 via an adhesive material 24, and a second cushion material 26 is attached thereon. Structure. When cleaning the probe 22, the probe 22 is pierced into the second cushion material 26 and brought into contact with the abrasive layer 25, so that the tip 22a of the probe 22 is polished at the same time. Foreign matter 28 attached to the tip 22a and the side surface 22b of the probe 22 is removed.
[0007]
Then, as shown in FIG. 5B, the probe 22 from which the foreign matter 28 has been removed comes into contact with the portion in contact with the AU bump electrode 21 of the semiconductor device 20, that is, the acute-angled spherical tip portion 22a. Had been inspected. Since the shape of the tip 22a of the probe 22 is acute and spherical, it can be contacted without an overdrive amount (amount of the tip of the probe pressed onto the electrode), so that wear can be reduced and the life can be extended. can do.
[0008]
Further, since there is no overdrive amount to the AU bump electrode 21, peeling of the upper surface of the AU bump electrode 21 is prevented, and adhesion of foreign matter to the probe 22 is reduced (Patent Document 1).
[0009]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-319605 (pages 4 to 5, FIGS. 1 and 2)
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described method for inspecting a semiconductor device has a disadvantage that a cleaning sheet for cleaning the probe is required, and an operation of positioning the probe on the cleaning sheet must be performed. is there. This operation hinders the improvement of the inspection throughput.
[0011]
Also, even if the probe is brought into contact with the cleaning sheet, it is doubtful whether foreign matter is necessarily removed from the probe. Even if removed, foreign matter remains on the cleaning sheet, and when the probe comes into contact with the cleaning sheet again, there is a concern that the remaining foreign matter may adhere to the probe again.
[0012]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a probe card of an inspection apparatus and a method of inspecting a semiconductor device, which can improve the throughput of the inspection without requiring a means for cleaning the probe. is there.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
A feature of the present invention is a printed wiring board connected to a tester main body and wiring for transmitting and receiving signals, and a semiconductor device derived from the periphery of the printed wiring board, extending obliquely downward, bent substantially vertically, and formed on a wafer. In a probe card provided with a plurality of probes for transmitting and receiving the signal by contacting the tip portion with the electrode pad, a blade portion for shaving the surface of the electrode pad and a contact portion for contacting the surface of the electrode pad. A probe card formed side by side at the tip of the probe toward the center of the semiconductor device.
[0014]
The blade and the contact are independently attached to the probe derived from the printed wiring board, or the blade and the contact are attached to the same probe. Is desirable. Preferably, the blade portion is manufactured by growing a metal having a high melting point and a high hardness by a vapor phase epitaxial growth method. On the other hand, it is preferable that the blade portion is made of a material made of an alloy of tungsten and rhenium, and the contact portion is made of a copper alloy containing copper as a main component.
[0015]
Another feature of the present invention is a printed wiring board connected to a tester main body and wiring for transmitting and receiving signals, and a semiconductor formed from a periphery of the printed wiring board, extending obliquely downward and bent substantially vertically, and formed on a wafer. A blade portion for shaving the surface of the electrode pad and a contact portion for abutting the surface of the electrode pad are arranged on the tip portion toward the center of the semiconductor device, while the tip portion abuts on the electrode pad of the device to perform the signal transmission and reception. A probe card having a plurality of probes formed thereon, wherein a relative distance between the semiconductor wafer and the probe card is reduced to bring a tip of the probe into contact with the electrode pad; A method of inspecting a semiconductor device in which a tip of the probe is pressed onto the electrode pad to increase a slip on the electrode pad surface of the tip of the probe. It is.
[0016]
It is preferable that the amount of slip on the electrode pad surface at the tip of the probe is 10 to 20 μm.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
[0018]
FIG. 1 is a partial sectional view of a probe card and an enlarged view of a portion A in one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the probe card has a printed wiring board 2 connected to a tester main body (not shown) and a wiring for transmitting and receiving signals, and a diagonally lower part derived from the periphery of the printed wiring board 2. The blade 5 and the electrode pad 12, which extend and extend vertically and abut against the electrode pad 12, make contact with the electrode pad 12 of the semiconductor device 11 formed on the wafer 10, transmit and receive the signal, and scrape the surface of the electrode pad 12. A contact portion 4 in contact with the surface and a plurality of probes 1 formed side by side at the tip portion toward the center of the semiconductor device 11 are provided.
[0019]
Further, the blade portion 5 and the contact portion 4 are independently attached to a scribe probe 1b and a contact probe 1a derived from the printed wiring board 2. The scribing probe 1b having the blade portion 5 is desirably made of tungsten (W) or rhenium tungsten which is a tungsten alloy. On the other hand, it is preferable that the contact probe 1a having the contact portion 4 is made of beryllium copper (BeCu) having high conductivity and high spring property.
[0020]
The scribe probe 1b and the contact probe 1a may be connected to the land of the printed wiring board 2 together. A plurality of probes 1 are fixed to a support portion 3 hanging down from a printed wiring board 2 to have a cantilever structure. In addition, no force is directly applied to the connection between the probe 1 and the printed wiring board 2 during overdrive as shown in the right-hand cycle.
[0021]
In the probe card, as shown in the left-hand circuit, the contact probe 1a and the scribe probe 1b both come into contact with the contact portion 4 and the blade portion 5 at the tips. However, by overdriving, the blade portion 5 slides on the surface of the electrode pad 12 as shown in the right-hand circle, scrapes off the oxide film and foreign matter on the surface of the electrode pad 12, and contacts the contact portion. 4 is pressed against the surface of the electrode pad 12 from which foreign substances and oxide films have been removed, and good electrical contact is obtained. The tip of the blade portion 5 is formed at an acute angle, and the tip of the contact portion 4 is formed in a spherical shape.
[0022]
FIG. 2 is a partial sectional view showing a modification of the probe card of FIG. In this probe card, as shown in FIG. 2, a blade portion 5 and a contact portion 4 are attached to the tip of a probe 1 derived from a printed wiring board 2 so as to face the center of the semiconductor device. .
[0023]
In addition, the probe 1 and the blade portion 5 may be integrally manufactured by using a rhenium tungsten material, and the contact portion 5 made of a beryllium copper material may be attached by brazing, or the probe may be made of a beryllium copper material. 1 and the contact portion 4 may be integrally formed, and a cobalt member or the like may be used as a filler for a blade member made of a rhenium tungsten material, and may be welded and butt-welded with a laser or an electron beam. The latter is superior in consideration of the resiliency and conductivity required for the probe 1 and the hardness required for the blade portion 5.
[0024]
FIGS. 3 (a) and 3 (b) are views showing a probe portion for explaining another modification of the probe card of FIG. As shown in FIG. 3, this probe card is manufactured integrally with the contact part 4 at the tip of the probe 1 and the probe 1, and the blade part 5 is mounted side by side with the contact part 4. .
[0025]
For the probe 1 and the contact part 4, it is desirable to use, for example, beryllium copper having high spring properties and excellent conductivity. The blade 5 is not formed of a normal tungsten sintered alloy, but a tungsten sputter film is formed on a flat surface at the tip of the probe 1 and a tungsten crystal projection is formed on the sputter film by vapor phase epitaxy. It is desirable to form a cutting edge and process the cutting edge by ion milling. It is desirable that the probe 1 be provided with a curved portion 6 so that the tip of the probe 1 has a linear slip.
[0026]
4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA for explaining a method of inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. In this method of inspecting a semiconductor device, first, a stage (not shown) on which the wafer 10 of FIG. 4 is mounted is raised, and the tip of the probe 1 is brought into contact with the electrode pad 12. In this state, the tip of the probe 1 is indicated by a solid line in FIG.
[0027]
Next, from the state where the tip of the probe 1 is in contact with the electrode pad 12, the stage is further raised and an overdrive is performed. Glide in the direction of the center. In FIG. 4, the tip of the probe 1 slides at the position shown by the two-dot chain line. As a result, the blade portion 5 removes the oxide film of the electrode pad 12, and the contact portion 4 comes into contact with a fresh surface of the electrode pad 12, so that accurate signal transmission and reception can be performed. Even if chips are attached to the blade 5, there is no problem because the blade 5 does not contribute to electrical contact. And since the contact part 4 is always in contact with the fresh surface, stable electrical contact can be obtained.
[0028]
The amount of slip depends on the dimensions of the electrode pad, but a 10 micron meter is required even when the size of the contact portion 4 is minimum. Considering that the gap between the blade portion 5 and the contact portion is required to be about 20 μm in manufacturing and that the electrode pad 12 having the minimum contact length of the contact portion 4 is 20 μm, it is considered to be of an automatic type. The slip amount of the tip of the probe 1 caused by the bar drive is suitably 10 to 20 μm.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the blade portion is provided at the tip of the probe along with the contact portion that comes into contact with the electrode pad, and the blade portion is over-driven at the time of measurement so that the blade portion has the surface of the electrode pad. Since the oxide film and foreign matter are removed and the contact portion can always come into contact with the fresh electrode pad surface, there is an effect that stable measurement can be performed and high reliability inspection can be performed.
[0030]
Further, there is no need to provide a mechanism for cleaning the probe, and further, there is an effect that positioning operation for the cleaning mechanism is eliminated, thereby improving throughput.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial sectional view showing a probe card and an enlarged view of a portion A in an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partial sectional view showing a modified example of the probe card of FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a probe part for explaining another modification of the probe card of FIG. 1;
4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA for explaining a method of inspecting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram for explaining an example of a conventional semiconductor device inspection method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe 1a Contact probe 1b Scribe probe 2 Printed wiring board 3 Support part 4 Contact part 5 Blade part 6 Curved part 10 Wafer 11 Semiconductor device 12 Electrode pad
