JP2004342783A - 固体撮像素子およびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化および多画素化にともなう感度や画質の低下を防止できる単板式のカラー固体撮像素子およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板3の表面側に複数の受光部11を設け、各受光部11上に略同心形状に複数色のカラーフィルタ50〜52を平面配置している。また、各受光部11上に、複数色のカラーフィルタ50〜52を介して屈折率可変のマイクロレンズを設けている。各受光部11上においては、各カラーフィルタ50〜52は、中心から外周側に向かって透過波長が短い順、すなわちBフィルタ50,Gフィルタ51,Rフィルタ52の順に配置されている。また、マイクロレンズ60は、電気光学結晶性材料で構成されており、電極に接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】エピタキシャル基板3の表面側に複数の受光部11を設け、各受光部11上に略同心形状に複数色のカラーフィルタ50〜52を平面配置している。また、各受光部11上に、複数色のカラーフィルタ50〜52を介して屈折率可変のマイクロレンズを設けている。各受光部11上においては、各カラーフィルタ50〜52は、中心から外周側に向かって透過波長が短い順、すなわちBフィルタ50,Gフィルタ51,Rフィルタ52の順に配置されている。また、マイクロレンズ60は、電気光学結晶性材料で構成されており、電極に接続されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、単板式のカラーCCD固体撮像素子やカラーCMOS固体撮像素子の構造およびその駆動方法に関し、特には画素の縮小化に伴い問題となる飽和信号量や感度の低下を改善することが可能な固体撮像素子およびその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7には、単板式のカラー固体撮像素子の一例として、CCD固体撮像素子の断面構成図を示す。この図に示す単板式のカラー固体撮像素子においては、基板101の表面側に複数の受光部102が設けられ、この受光部102脇の基板101上に転送電極103が配置されている。また、基板101上には、転送電極103を埋め込む状態で平坦化絶縁膜104が形成され、この平坦化絶縁膜104上に各受光部102に対応させて各カラーフィルタ105−1,105−2,105−3がオンチップで形成され、さらにこれらの各カラーフィルタ105−1,105−2,105−3上にそれぞれマイクロレンズ106が積層されている。
【0003】
カラーフィルタ105−1〜105−3の組み合わせには原色系と補色系とがあり、原色系は色再現性が良く、補色系はカラーフィルタの透過率が高く感度が良いため、それぞれの目的に応じて使い分けられている。また、これらのカラーフィルタ105−1〜105−3の配列にも様々なものがあり、代表的なものとしては、原色系ではGストライプRB線順次、G市松RB線順次、およびRGB縦ストライプがある。一方、補色系では、Ye・Cy・Mg・G色差線順次、Ye・G・Cy縦ストライプ、W・Ye・Cy縦ストライプ等がある。
【0004】
さらに、これらのカラーフィルタ105−1〜105−3は、一部において異なるカラーフィルタを複数層重ねることにより目的のカラーフィルタとする場合もある。このような場合、カラーフィルタ105−1〜105−3の積層部分の平坦化絶縁膜104を選択的にエッチングして凹状とすることで、受光部102とマイクロレンズ106との間隔が広がることを防止し、感度を確保する構成が提案されている(以上、下記特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−184965号公報(図1参照)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した何れの構成であっても、1つの受光部を備えた1画素に1色のカラーフィルタを対応させて構成しているため、最終的に赤(R)・緑(G)・B(青)の各色に受光信号を分離してフルカラー表示を行う為には、最低でも3画素を1組とする必要がある。
【0007】
このような中、近年、固体撮像素子の小型化および多画素化に伴い、1画素のセルサイズが3μm角から2.5μm角にまで縮小化されてきている。このようなセルサイズの縮小化は、固体撮像素子における飽和信号量や感度の低下、さらには画質の低下を招く要因となっている。このため、3画素を1組としてフルカラーの撮像を行わせる従来の技術では、感度や画質を維持した状態においてのさらなるセルサイズの微細化が困難となってきている。
【0008】
そこで本発明は、小型化および多画素化にともなう感度や画質の低下を防止できる単板式の固体撮像素子およびその駆動方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するための本発明の固体撮像素子は、基板の表面側に設けられた複数の受光部と、受光部上に設けられた複数色のカラーフィルタと、このカラーフィルタを介して各受光部上に設けられたマイクロレンズとを備えている。そして特に、カラーフィルタは、各受光部上に複数色が平面配置されている。またマイクロレンズは、屈折率可変であり、複数色のカラーフィルタを介して各受光部上に設けられている。
【0010】
このような構成の固体撮像素子では、マイクロレンズの屈折率を変化させることによって、当該マイクロレンズで集光した入射光が透過するカラーフィルタの範囲が変化する。また、各受光部上には、複数色のカラーフィルタが平面配置されている。このため、屈折率の変化による入射光の透過範囲と複数色のカラーフィルタの配置状態とを一致させることで、マイクロレンズの屈折率によって当該入射光が透過する複数色のカラーフィルタの組み合わせを制御することができる。
【0011】
また本発明は、このような構成の固体撮像素子の駆動方法でもあり、マイクロレンズの屈折率を変化させることによって、複数のカラーフィルタのうち入射光を通過させるカラーフィルタの組み合わせを変化させた複数回の受光信号の読み出しを行うことを特徴としている。
【0012】
このような駆動方法では、マイクロレンズの屈折率を変化させた複数回の信号読み出しを行うことで、通過するカラーフィルタの色の組み合わせに対応した独自の分光特性を有する複数の受光信号が得られる。このため、これらの受光信号を信号処理することにより、特定の分光特性を示す受光信号の分離が行われる。したがって、カラーフィルタの色の組み合わせと配置状態を調整することで、上述した複数の受光信号を、例えば3原色に対応する受光信号に分離することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0014】
<固体撮像素子>
図1は、本発明を適用した実施形態の固体撮像素子における1画素分の断面構成図である。この図に示す単板式のカラー固体撮像素子と、図7を用いて説明した従来の単板式のカラー固体撮像素子との異なることころは、カラーフィルタの構成とマイクロレンズの構成とにあり、他の構成は同様であることとする。
【0015】
すなわち、実施形態の固体撮像素子は、例えば単結晶シリコンのエピタキシャル層で覆われた基板3の表面層に、不純物拡散領域からなる受光部11が各画素に対応させてマトリックス状に配列形成されている。そして、これらの受光部11脇の基板3上には、ゲート絶縁膜18を介して転送電極19がパターン形成されている。この転送電極19は、例えばポリシリコン膜をパターニングしてなる2層構造で構成されていることとする。そして、この転送電極19を覆う状態で、基板3上に層間絶縁膜20が形成され、この層間絶縁膜20を介して遮光膜21がパターン形成されている。この遮光膜21は、転送電極19を覆うと共に受光部11を露出する状態にパターン形成されている。
【0016】
また、遮光膜21が形成された基板3上には、P−SiNからなるパッシベーション膜25を介して平坦化絶縁膜26が形成されている。そして、この平坦化絶縁膜26上に、各受光部11に対応させて複数色のカラーフィルタ50〜52が配置されている。各カラーフィルタ50〜52は、例えばR(赤)・G(緑)・B(青)の原色系の3色であり、これらのカラーフィルタ50〜52が1画素中に平面配置されている。
【0017】
図2は、カラーフィルタ50〜52の構成を示す斜視図である。この図、および先の図1に示すように、各カラーフィルタ50〜52は、略同心状に平面配置され、中心から外周側に向かって、青色のカラーフィルタ(B)50,緑色のカラーフィルタ(G)51,赤色のカラーフィルタ(R)52と、透過波長が短い順に配置されている。本実施例では,中心から波長の短い色のフィルターを配置しているが、必ずしもこれに限定されない。但し、各波長のシリコン基板への透過深さが、(浅)B<G<R(深)である為、この例で示した配置が総合的な感度に対しては有効と考える。尚、カラーフィルタ50〜52は、補色系のカラーフィルタであっても良い。
【0018】
また、このようなカラーフィルタ50〜52上には、屈折率可変のマイクロレンズ60が各受光部11に対応させて配置されている。このマイクロレンズ60は、電気光学結晶の特性を持つ材料(例えばLiNbO3)を用いて構成され、カラーフィルタ50〜52と反対側に凸となるレンズ形状を有している。そして、ここでの図示は省略したが、このマイクロレンズ60に電圧を印加する透明電極膜が、マイクロレンズ60を覆う状態またはマイクロレンズ60とカラーフィルタ50〜52との間に設けられている。この透明電極膜は、例えばITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)、TO(Tin Oxide:酸化スズ),PET(ポリエチレン酸化スズ)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IXO(インジウムと亜鉛と酸素の化合物)等からなることとする。
【0019】
尚、屈折率可変のマイクロレンズは、このような構成に限定されることはなく、所定の屈折率を有する透明材料層と、電気光学結晶の特性を持つ材料層との積層構造であっても良い。この場合、例えば、透明材料層が凸状または凹状のレンズ形状に成形され、この上部にこのレンズ形状を埋め込むように電気光学結晶の特性を持つ材料層が設けられているか、またはこれと逆の積層状態であっても良い。ただし、電気光学結晶の特性を持つ材料層に接続させて透明電極膜が設けられることとする。
【0020】
ここで、上述した各カラーフィルタ50〜52は、透明電極膜によってマイクロレンズ60に電圧を印加することで当該マイクロレンズ60の屈折率を段階的に変化させた場合に、各段階で入射光Hが透過するカラーフィルタ50〜52の数が変化するような形状で、各受光部11上に平面配置されていることとする。具体的には、マイクロレンズ60の屈折率が最も大きい第1段階では、マイクロレンズ60で集光された第1光路h1の入射光Hがカラーフィルタ(B)50のみを通過するように、カラーフィルタ(B)50が配置されている。また、マイクロレンズ60の屈折率が次に大きい第2段階では、マイクロレンズ60で集光された第2光路h2の入射光Hがカラーフィルタ(B)50とカラーフィルタ(G)51のみを通過するように、カラーフィルタ(B)50およびカラーフィルタ(G)51が配置されている。そして、マイクロレンズ60の屈折率が最も小さい第3段階では、マイクロレンズ60で集光された第3光路h3の入射光Hがカラーフィルタ(B)50,カラーフィルタ(G)51,およびカラーフィルタ(R)52を通過するように、カラーフィルタ50〜52が配置されている。
【0021】
尚、図2においては、各カラーフィルタ50〜52の外形を長方形で、かつ同一中心を有する配置状態として示した。しかしながら、各カラーフィルタ50〜52の外形および配置状態でこのような形態に限定されることはなく、マイクロレンズ60で屈折率可変に集光した入射光Hが各カラーフィルタ50〜52を通過する際の光路h1〜h3の外形により近い形状および配置状態であることが望ましい。このため、各カラーフィルタ50〜52は、マイクロレンズ60の集光特性によっては、円形や多角形でも良く、方やマイクロレンズ60の屈折率の変化のさせ方によっては偏心した配置状態であっても良い。特に、短射出瞳距離のレンズを用いたセット用としては、固体撮像素子のチップ中央の受光部に比べ、チップ周辺の受光部においては、受光部への入射角度がより斜になるためシェーディングが悪化する。この対策として、マイクロレンズ中心とカラーフィルタ中心をわざとずらすことがある。このため、本発明でもそのように形成しても当然良い。この場合、チップ端のマイクロレンズや色フィルターの中心部を画面の中央側にずらすこととする。
【0022】
このような構成の固体撮像素子においては、屈折率可変のマイクロレンズ60を各受光部11に対応させて設けたことにより、このマイクロレンズ60の屈折率によって入射光Hが透過するカラーフィルタの範囲が変化することになる。そして、各受光部11上には、複数色のカラーフィルタ50〜52が平面配置されているため、マイクロレンズ60の屈折率の段階的な変化による入射光Hの透過範囲とカラーフィルタ50〜52の配置状態とを一致させることで、入射光Hが透過するカラーフィルタ50〜52の組み合わせが変化する。
【0023】
したがって、マイクロレンズ60の屈折率の制御により、入射光Hを第1光路h1で集光させてカラーフィルタ(B)50のみを通過させるか、入射光Hを第2光路h2で集光させてカラーフィルタ(B)50+カラーフィルタ(G)51のみを通過させるか、入射光Hを第3光路h3で集光させてカラーフィルタ(B)50+カラーフィルタ(G)51+カラーフィルタ(R)52を通過させるかにより、それぞれの分光特性を有する光を受光部11で受光して信号検出を行うことが可能になる。
【0024】
<固体撮像素子の駆動方法>
次に、上記構成の固体撮像素子の駆動方法を図1に基づいて説明する。
【0025】
先ず、あるタイミングで、屈折率可変のマイクロレンズ60に第1の所定電圧を加えることにより、マイクロレンズ60による集光光路を第1光路h1にする。これにより、入射光Hはカラーフィルタ(B)50のみを透過して受光部11で受光されることになる。この状態で所定の期間の受光を行い、転送電極19下に受光信号を読み出す。読み出された受光信号の分光特性は図3(1)の第1光路h1に示すようになる。
【0026】
そして、次のタイミングで、屈折率可変マイクロレンズ60に第2の所定電圧を加えることにより、マイクロレンズ60による集光光路を第2光路h2の状態にする。これにより、入射光Hはカラーフィルタ(B)50とカラーフィルタ(G)51のみ透過して受光部11で受光されることになる。この状態で所定の期間の受光を行い、転送電極19下に受光信号を読み出す。読み出された受光信号の分光特性は図3(1)の第2光路h2のようになる。
【0027】
そしてさらに、次のタイミングで、屈折率可変マイクロレンズ60に第3の所定電圧を加えることにより、マイクロレンズ60による集光光路を第3光路h3の状態にする。これにより、入射光Hはカラーフィルタ50〜カラーフィルタ52を透過して受光部11で受光されることになる。この状態で所定の期間の受光を行い、転送電極19下に受光信号を読み出す。読み出された受光信号の分光特性は図3(1)の第3光路h3のようになる。
【0028】
以上のような3回の受光と受光信号の読み出しとを行うことで、図3(1)に示した各分光特性を有する各受光信号を得た後、信号処理によってこのような分光特性を有する各受光信号を色分離処理することにより、図3(2)に示すようにR光/G光/B光の原色の分光特性を有する各信号に分離する。
【0029】
以上のような駆動方法によれば、マイクロレンズ60の屈折率を制御した3回の受光と受光信号の読み出しにより、各色組み合わせのカラーフィルタ50〜52を通過した入射光に対応する複数の受光信号を得、この受光信号を信号処理することによってR光/G光/B光の原色に対応する各信号を分離することができる。このため、1つの画素で複数色分(ここでは3色分)の受光信号を得ることが可能になる。
【0030】
したがって、例えば図7を用いて説明した従来の固体撮像素子と比較し、従来のR/G/Bの3画素分の撮像を1画素で実行できる。このため、1画素のセルサイズが同じである場合には、分解能の向上を図ることが可能になる。一方、分解能を一定とした場合には、3つの画素間のチャネルストップ領域や転送電極が1つにまとめられるため、画素領域における受光部の拡大が図られ、感度の向上を図ることが可能になる。以上の結果、固体撮像素子における小型化および多画素化が進行した場合であっても、感度や画質の維持向上を図ることが可能になる。
【0031】
<固体撮像素子の製造方法>
次に、上述した実施形態の固体撮像素子の製造方法を、図4〜図6の断面工程図に基づいて説明する。
【0032】
先ず、図4(A)に示すように、例えばCZ法で形成したシリコン単結晶から切り出した半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、リン(P)がドープされたn型の基板であり、比抵抗は8〜12Ωcm、直径200mmであることとする。そして、この半導体基板1の表面側をRCA洗浄した後、半導体基板1の表面層に1000℃のドライ酸化による熱酸化膜31を20nmの膜厚で形成する。続いて、熱酸化膜31を介して基板1の表面側に炭素注入領域34を形成する。この際、160keVの加速エネルギー及び1×1015cm−2のドーズ量で炭素を注入する。この時の炭素の投影射程距離は約0.35μm程度であり、ピーク濃度は約5×1018cm−3程度である。この炭素がゲッターシンクとして働き、プロセス形成工程で混入する金属不純物を除去する。次に、1000℃、10分のアニールを施すことで、炭素注入領域34が形成される。その後、熱酸化膜31をHF溶液を含む溶液で除去する。
【0033】
次に、図4(B)に示すように、炭素注入領域34が形成された半導体基板1上に、エピタキシャル層2を形成する。ここでは、SiHCl3ガスを用いて1100℃程度の温度で成膜処理を行うことで、比抵抗40−50Ωcm、リン(P)がドープされたn型シリコンからなるエピタキシャル層2を8μmの厚さに成長させる。これにより、表面がシリコンのエピタキシャル層2で覆われたエピタキシャル基板3を完成させる。尚、このエピタキシャル基板3が上述した基板3に対応し、以下、単に基板3と記す。
【0034】
次に、図4(C)に示すように、基板3の表面領域、さらに詳しくはエピタキシャル層2の表面領域に第1のp型ウェル領域4を形成する。
【0035】
その後、図4(D)に示すように、基板3の表面上に、酸化シリコン層/窒化シリコン層/酸化シリコン層を積層してなるONO構造のゲート絶縁膜18を形成する。次いで、第1のp型ウェル領域4内にn型及びp型不純物を選択的にイオン注入して、垂直転送レジスタを構成するn型の転送チャネル領域7と、p型のチャネルストップ領域8と、第2のp型ウェル領域10をそれぞれ形成する。
【0036】
次に、図5(E)に示すように、ゲート絶縁膜18上に、転送電極19をパターン形成する。この際、転送電極19から露出する分部のゲート絶縁膜18は除去されるため、転送電極19を形成した後には、転送電極19の開口底部に位置する基板3の表面層に酸化シリコン膜を形成する工程を行う。尚、基板3の表面層における絶縁膜の層構造は、このような構造に限定されるものではなく、例えばゲート絶縁膜18はONO構造でなくても良い。
【0037】
続いて、図5(F)に示すように、転送電極19をマスクにしたイオン注入によって、n型不純物拡散領域5とp型ウェル領域9とのpn接合によるフォトダイオードからなる受光部(光電変換部)11を形成する。これにより、受光部11脇の基板3上に、ゲート電極18を介して転送電極19が配置された構成となる。
【0038】
その後、図5(G)に示すように、転送電極19を覆うように基板3上に層間絶縁膜20を形成した後、この層間絶縁膜20を介して転送電極19を覆うように遮光膜21をパターン形成する。この遮光膜21は、アルミニウムまたはタングステンで構成され、受光部11上に開口を設けるようにパターン形成される。
【0039】
以上の工程は、1画素分の断面工程図を示す図4,5を用いて説明したが、以下の工程からは3画素分の断面工程図を示す図6を用いて説明を行う。
【0040】
先ず、図6(H)に示すように、遮光膜21上にP−SIN膜からなるパッシベーション膜25を形成後、平坦化絶縁膜26を形成する。そして、この平坦化絶縁膜26上に、上述した構成のカラーフィルタを形成する。ここでは先ず、青色のカラーフィルタ(B)50を形成する。これは全面にレジスト系の青色カラーレジストを塗布後、露光によりパターン形成する。そして、各受光部11の中央部上に青色のカラーフィルタ(B)50を形成する。
【0041】
次に、第6図(I)に示すように、青色のカラーフィルタ(B)50の周囲に緑色のカラーフィルタ(G)51を形成する。このカラーフィルタ(G)51も、カラーフィルタ(B)50と同様にカラーレジストを用いて形成する。
【0042】
次いで、第6図(J)に示すように、緑色のカラーフィルタ(G)51の周囲に赤色のカラーフィルタ(R)52を形成する。このカラーフィルタ(R)52も、カラーフィルタ(B)50およびカラーフィルタ(G)と同様にカラーレジストを用いて形成する。この赤色のカラーフィルタ(R)52は、1つの受光部11上における際外周に配置され、隣接する画素間を埋め込む状態で形成される。
【0043】
尚、プロセス上、後から形成するカラーフィルタ(G)51およびカラーフィルタ(R)52のエッジが立った状態となるが、このエッジが集光の妨害となる場合は露光条件により平坦に形成することも可能である。
【0044】
以上の後、第6図(K)に示すように、各受光部11上に対応するカラーフィルタ50〜52上に、屈折率可変のマイクロレンズ60をそれぞれ形成する。このマイクロレンズ60を形成する場合には、先ず、カラーフィルタ50〜52が形成された基板3の上方に、電気光学結晶の特性を持つ材料(例えばLiNbO3)からなる薄膜を形成する。次に、この薄膜上にレジストパターンを形成してリフロー処理し、レジストパターンをレンズ形状に成形する。その後、レジストパターン上からのエッチングにより、薄膜にレンズ形状を転写してマイクロレンズ60を形成する。
【0045】
また、このマイクロレンズ60を形成した後には、マイクロレンズ60を覆う状態で透明電極膜(図示省略)を形成し、この透明電極膜を必要に応じてパターンニングする処理を行う。
【0046】
以上により、各受光部11に複数色のカラーフィルタ50,51,52を有し、さらにこの上部に屈折率可変のマイクロレンズ60設けてなる本発明の単板式のカラー固体撮像素子を完成させる。この固体撮像素子は、図1および図2を用いて説明した構成となる。
【0047】
尚、上述した製造方法では、図5(F)を用いて説明したように、n型シリコンのエピタキシャル層2に形成されたp型ウェル領域4表面層にn型不純物拡散領域5を形成して、p型ウェル領域9とのpn接合によって、フォトダイオードからなる受光部11を形成した例である。しかし、受光部は、p型のSiエピタキシャル層2にn型のウェル領域を形成し、このpn接合によるフォトダイオードからなるものであっても良い。
【0048】
また、上述した実施形態においては、層内レンズを複数個有するタイプのCCD固体撮像装置や、縦型オーバーフローバリア形成後にエピタキシャル層を形成し、近赤外線にも感度を持つCCD固体撮像装置、紫外線に透過性を有する膜のみにて受光部を形成したCCD固体撮像装置にも適用できる。
【0049】
また、上述した実施形態では、本発明をCCD固体撮像装置に適用した場合を説明した。しかし、本発明は、増幅型固体撮像装置やCMOS型固体撮像装置等の製造にも適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の固体撮像素子およびその駆動方法によれば、単板式のカラー固体撮像素子において、1画素内に複数色のカラーフィルタを平面配置してその上部に屈折率可変のマイクロレンズを設けたことで、マイクロレンズの屈折率を時系列で変化させることにより、入射する光の集光光路を変えて透過するカラーフィルタの色組み合わせを制御することで、R/G/Bの色信号を得ることができる。したがって、1画素でカラー撮像を行うことが可能になり、セルの縮小化に伴い問題となる飽和信号量や感度の低下、さらには画質の低下を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態の固体撮像素子の断面構成図である。
【図2】図1の固体撮像素子に設けたカラーフィルタの一例を示す斜視図である。
【図3】図1の固体撮像素子の駆動方法を説明する図である。
【図4】図1の固体撮像素子の製造工程を示す断面工程図(その1)である。
【図5】図1の固体撮像素子の製造工程を示す断面工程図(その2)である。
【図6】図1の固体撮像素子の製造工程を示す断面工程図(その3)である。
【図7】従来のカラー固体撮像素子の断面工程図である。
【符号の説明】
3…基板、11…受光部、50…カラーフィルタ(B)、51…カラーフィルタ(G)、52…カラーフィルタ(R)、60…マイクロレンズ
【発明の属する技術分野】
本発明は、単板式のカラーCCD固体撮像素子やカラーCMOS固体撮像素子の構造およびその駆動方法に関し、特には画素の縮小化に伴い問題となる飽和信号量や感度の低下を改善することが可能な固体撮像素子およびその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7には、単板式のカラー固体撮像素子の一例として、CCD固体撮像素子の断面構成図を示す。この図に示す単板式のカラー固体撮像素子においては、基板101の表面側に複数の受光部102が設けられ、この受光部102脇の基板101上に転送電極103が配置されている。また、基板101上には、転送電極103を埋め込む状態で平坦化絶縁膜104が形成され、この平坦化絶縁膜104上に各受光部102に対応させて各カラーフィルタ105−1,105−2,105−3がオンチップで形成され、さらにこれらの各カラーフィルタ105−1,105−2,105−3上にそれぞれマイクロレンズ106が積層されている。
【0003】
カラーフィルタ105−1〜105−3の組み合わせには原色系と補色系とがあり、原色系は色再現性が良く、補色系はカラーフィルタの透過率が高く感度が良いため、それぞれの目的に応じて使い分けられている。また、これらのカラーフィルタ105−1〜105−3の配列にも様々なものがあり、代表的なものとしては、原色系ではGストライプRB線順次、G市松RB線順次、およびRGB縦ストライプがある。一方、補色系では、Ye・Cy・Mg・G色差線順次、Ye・G・Cy縦ストライプ、W・Ye・Cy縦ストライプ等がある。
【0004】
さらに、これらのカラーフィルタ105−1〜105−3は、一部において異なるカラーフィルタを複数層重ねることにより目的のカラーフィルタとする場合もある。このような場合、カラーフィルタ105−1〜105−3の積層部分の平坦化絶縁膜104を選択的にエッチングして凹状とすることで、受光部102とマイクロレンズ106との間隔が広がることを防止し、感度を確保する構成が提案されている(以上、下記特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−184965号公報(図1参照)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した何れの構成であっても、1つの受光部を備えた1画素に1色のカラーフィルタを対応させて構成しているため、最終的に赤(R)・緑(G)・B(青)の各色に受光信号を分離してフルカラー表示を行う為には、最低でも3画素を1組とする必要がある。
【0007】
このような中、近年、固体撮像素子の小型化および多画素化に伴い、1画素のセルサイズが3μm角から2.5μm角にまで縮小化されてきている。このようなセルサイズの縮小化は、固体撮像素子における飽和信号量や感度の低下、さらには画質の低下を招く要因となっている。このため、3画素を1組としてフルカラーの撮像を行わせる従来の技術では、感度や画質を維持した状態においてのさらなるセルサイズの微細化が困難となってきている。
【0008】
そこで本発明は、小型化および多画素化にともなう感度や画質の低下を防止できる単板式の固体撮像素子およびその駆動方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するための本発明の固体撮像素子は、基板の表面側に設けられた複数の受光部と、受光部上に設けられた複数色のカラーフィルタと、このカラーフィルタを介して各受光部上に設けられたマイクロレンズとを備えている。そして特に、カラーフィルタは、各受光部上に複数色が平面配置されている。またマイクロレンズは、屈折率可変であり、複数色のカラーフィルタを介して各受光部上に設けられている。
【0010】
このような構成の固体撮像素子では、マイクロレンズの屈折率を変化させることによって、当該マイクロレンズで集光した入射光が透過するカラーフィルタの範囲が変化する。また、各受光部上には、複数色のカラーフィルタが平面配置されている。このため、屈折率の変化による入射光の透過範囲と複数色のカラーフィルタの配置状態とを一致させることで、マイクロレンズの屈折率によって当該入射光が透過する複数色のカラーフィルタの組み合わせを制御することができる。
【0011】
また本発明は、このような構成の固体撮像素子の駆動方法でもあり、マイクロレンズの屈折率を変化させることによって、複数のカラーフィルタのうち入射光を通過させるカラーフィルタの組み合わせを変化させた複数回の受光信号の読み出しを行うことを特徴としている。
【0012】
このような駆動方法では、マイクロレンズの屈折率を変化させた複数回の信号読み出しを行うことで、通過するカラーフィルタの色の組み合わせに対応した独自の分光特性を有する複数の受光信号が得られる。このため、これらの受光信号を信号処理することにより、特定の分光特性を示す受光信号の分離が行われる。したがって、カラーフィルタの色の組み合わせと配置状態を調整することで、上述した複数の受光信号を、例えば3原色に対応する受光信号に分離することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0014】
<固体撮像素子>
図1は、本発明を適用した実施形態の固体撮像素子における1画素分の断面構成図である。この図に示す単板式のカラー固体撮像素子と、図7を用いて説明した従来の単板式のカラー固体撮像素子との異なることころは、カラーフィルタの構成とマイクロレンズの構成とにあり、他の構成は同様であることとする。
【0015】
すなわち、実施形態の固体撮像素子は、例えば単結晶シリコンのエピタキシャル層で覆われた基板3の表面層に、不純物拡散領域からなる受光部11が各画素に対応させてマトリックス状に配列形成されている。そして、これらの受光部11脇の基板3上には、ゲート絶縁膜18を介して転送電極19がパターン形成されている。この転送電極19は、例えばポリシリコン膜をパターニングしてなる2層構造で構成されていることとする。そして、この転送電極19を覆う状態で、基板3上に層間絶縁膜20が形成され、この層間絶縁膜20を介して遮光膜21がパターン形成されている。この遮光膜21は、転送電極19を覆うと共に受光部11を露出する状態にパターン形成されている。
【0016】
また、遮光膜21が形成された基板3上には、P−SiNからなるパッシベーション膜25を介して平坦化絶縁膜26が形成されている。そして、この平坦化絶縁膜26上に、各受光部11に対応させて複数色のカラーフィルタ50〜52が配置されている。各カラーフィルタ50〜52は、例えばR(赤)・G(緑)・B(青)の原色系の3色であり、これらのカラーフィルタ50〜52が1画素中に平面配置されている。
【0017】
図2は、カラーフィルタ50〜52の構成を示す斜視図である。この図、および先の図1に示すように、各カラーフィルタ50〜52は、略同心状に平面配置され、中心から外周側に向かって、青色のカラーフィルタ(B)50,緑色のカラーフィルタ(G)51,赤色のカラーフィルタ(R)52と、透過波長が短い順に配置されている。本実施例では,中心から波長の短い色のフィルターを配置しているが、必ずしもこれに限定されない。但し、各波長のシリコン基板への透過深さが、(浅)B<G<R(深)である為、この例で示した配置が総合的な感度に対しては有効と考える。尚、カラーフィルタ50〜52は、補色系のカラーフィルタであっても良い。
【0018】
また、このようなカラーフィルタ50〜52上には、屈折率可変のマイクロレンズ60が各受光部11に対応させて配置されている。このマイクロレンズ60は、電気光学結晶の特性を持つ材料(例えばLiNbO3)を用いて構成され、カラーフィルタ50〜52と反対側に凸となるレンズ形状を有している。そして、ここでの図示は省略したが、このマイクロレンズ60に電圧を印加する透明電極膜が、マイクロレンズ60を覆う状態またはマイクロレンズ60とカラーフィルタ50〜52との間に設けられている。この透明電極膜は、例えばITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)、TO(Tin Oxide:酸化スズ),PET(ポリエチレン酸化スズ)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IXO(インジウムと亜鉛と酸素の化合物)等からなることとする。
【0019】
尚、屈折率可変のマイクロレンズは、このような構成に限定されることはなく、所定の屈折率を有する透明材料層と、電気光学結晶の特性を持つ材料層との積層構造であっても良い。この場合、例えば、透明材料層が凸状または凹状のレンズ形状に成形され、この上部にこのレンズ形状を埋め込むように電気光学結晶の特性を持つ材料層が設けられているか、またはこれと逆の積層状態であっても良い。ただし、電気光学結晶の特性を持つ材料層に接続させて透明電極膜が設けられることとする。
【0020】
ここで、上述した各カラーフィルタ50〜52は、透明電極膜によってマイクロレンズ60に電圧を印加することで当該マイクロレンズ60の屈折率を段階的に変化させた場合に、各段階で入射光Hが透過するカラーフィルタ50〜52の数が変化するような形状で、各受光部11上に平面配置されていることとする。具体的には、マイクロレンズ60の屈折率が最も大きい第1段階では、マイクロレンズ60で集光された第1光路h1の入射光Hがカラーフィルタ(B)50のみを通過するように、カラーフィルタ(B)50が配置されている。また、マイクロレンズ60の屈折率が次に大きい第2段階では、マイクロレンズ60で集光された第2光路h2の入射光Hがカラーフィルタ(B)50とカラーフィルタ(G)51のみを通過するように、カラーフィルタ(B)50およびカラーフィルタ(G)51が配置されている。そして、マイクロレンズ60の屈折率が最も小さい第3段階では、マイクロレンズ60で集光された第3光路h3の入射光Hがカラーフィルタ(B)50,カラーフィルタ(G)51,およびカラーフィルタ(R)52を通過するように、カラーフィルタ50〜52が配置されている。
【0021】
尚、図2においては、各カラーフィルタ50〜52の外形を長方形で、かつ同一中心を有する配置状態として示した。しかしながら、各カラーフィルタ50〜52の外形および配置状態でこのような形態に限定されることはなく、マイクロレンズ60で屈折率可変に集光した入射光Hが各カラーフィルタ50〜52を通過する際の光路h1〜h3の外形により近い形状および配置状態であることが望ましい。このため、各カラーフィルタ50〜52は、マイクロレンズ60の集光特性によっては、円形や多角形でも良く、方やマイクロレンズ60の屈折率の変化のさせ方によっては偏心した配置状態であっても良い。特に、短射出瞳距離のレンズを用いたセット用としては、固体撮像素子のチップ中央の受光部に比べ、チップ周辺の受光部においては、受光部への入射角度がより斜になるためシェーディングが悪化する。この対策として、マイクロレンズ中心とカラーフィルタ中心をわざとずらすことがある。このため、本発明でもそのように形成しても当然良い。この場合、チップ端のマイクロレンズや色フィルターの中心部を画面の中央側にずらすこととする。
【0022】
このような構成の固体撮像素子においては、屈折率可変のマイクロレンズ60を各受光部11に対応させて設けたことにより、このマイクロレンズ60の屈折率によって入射光Hが透過するカラーフィルタの範囲が変化することになる。そして、各受光部11上には、複数色のカラーフィルタ50〜52が平面配置されているため、マイクロレンズ60の屈折率の段階的な変化による入射光Hの透過範囲とカラーフィルタ50〜52の配置状態とを一致させることで、入射光Hが透過するカラーフィルタ50〜52の組み合わせが変化する。
【0023】
したがって、マイクロレンズ60の屈折率の制御により、入射光Hを第1光路h1で集光させてカラーフィルタ(B)50のみを通過させるか、入射光Hを第2光路h2で集光させてカラーフィルタ(B)50+カラーフィルタ(G)51のみを通過させるか、入射光Hを第3光路h3で集光させてカラーフィルタ(B)50+カラーフィルタ(G)51+カラーフィルタ(R)52を通過させるかにより、それぞれの分光特性を有する光を受光部11で受光して信号検出を行うことが可能になる。
【0024】
<固体撮像素子の駆動方法>
次に、上記構成の固体撮像素子の駆動方法を図1に基づいて説明する。
【0025】
先ず、あるタイミングで、屈折率可変のマイクロレンズ60に第1の所定電圧を加えることにより、マイクロレンズ60による集光光路を第1光路h1にする。これにより、入射光Hはカラーフィルタ(B)50のみを透過して受光部11で受光されることになる。この状態で所定の期間の受光を行い、転送電極19下に受光信号を読み出す。読み出された受光信号の分光特性は図3(1)の第1光路h1に示すようになる。
【0026】
そして、次のタイミングで、屈折率可変マイクロレンズ60に第2の所定電圧を加えることにより、マイクロレンズ60による集光光路を第2光路h2の状態にする。これにより、入射光Hはカラーフィルタ(B)50とカラーフィルタ(G)51のみ透過して受光部11で受光されることになる。この状態で所定の期間の受光を行い、転送電極19下に受光信号を読み出す。読み出された受光信号の分光特性は図3(1)の第2光路h2のようになる。
【0027】
そしてさらに、次のタイミングで、屈折率可変マイクロレンズ60に第3の所定電圧を加えることにより、マイクロレンズ60による集光光路を第3光路h3の状態にする。これにより、入射光Hはカラーフィルタ50〜カラーフィルタ52を透過して受光部11で受光されることになる。この状態で所定の期間の受光を行い、転送電極19下に受光信号を読み出す。読み出された受光信号の分光特性は図3(1)の第3光路h3のようになる。
【0028】
以上のような3回の受光と受光信号の読み出しとを行うことで、図3(1)に示した各分光特性を有する各受光信号を得た後、信号処理によってこのような分光特性を有する各受光信号を色分離処理することにより、図3(2)に示すようにR光/G光/B光の原色の分光特性を有する各信号に分離する。
【0029】
以上のような駆動方法によれば、マイクロレンズ60の屈折率を制御した3回の受光と受光信号の読み出しにより、各色組み合わせのカラーフィルタ50〜52を通過した入射光に対応する複数の受光信号を得、この受光信号を信号処理することによってR光/G光/B光の原色に対応する各信号を分離することができる。このため、1つの画素で複数色分(ここでは3色分)の受光信号を得ることが可能になる。
【0030】
したがって、例えば図7を用いて説明した従来の固体撮像素子と比較し、従来のR/G/Bの3画素分の撮像を1画素で実行できる。このため、1画素のセルサイズが同じである場合には、分解能の向上を図ることが可能になる。一方、分解能を一定とした場合には、3つの画素間のチャネルストップ領域や転送電極が1つにまとめられるため、画素領域における受光部の拡大が図られ、感度の向上を図ることが可能になる。以上の結果、固体撮像素子における小型化および多画素化が進行した場合であっても、感度や画質の維持向上を図ることが可能になる。
【0031】
<固体撮像素子の製造方法>
次に、上述した実施形態の固体撮像素子の製造方法を、図4〜図6の断面工程図に基づいて説明する。
【0032】
先ず、図4(A)に示すように、例えばCZ法で形成したシリコン単結晶から切り出した半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、リン(P)がドープされたn型の基板であり、比抵抗は8〜12Ωcm、直径200mmであることとする。そして、この半導体基板1の表面側をRCA洗浄した後、半導体基板1の表面層に1000℃のドライ酸化による熱酸化膜31を20nmの膜厚で形成する。続いて、熱酸化膜31を介して基板1の表面側に炭素注入領域34を形成する。この際、160keVの加速エネルギー及び1×1015cm−2のドーズ量で炭素を注入する。この時の炭素の投影射程距離は約0.35μm程度であり、ピーク濃度は約5×1018cm−3程度である。この炭素がゲッターシンクとして働き、プロセス形成工程で混入する金属不純物を除去する。次に、1000℃、10分のアニールを施すことで、炭素注入領域34が形成される。その後、熱酸化膜31をHF溶液を含む溶液で除去する。
【0033】
次に、図4(B)に示すように、炭素注入領域34が形成された半導体基板1上に、エピタキシャル層2を形成する。ここでは、SiHCl3ガスを用いて1100℃程度の温度で成膜処理を行うことで、比抵抗40−50Ωcm、リン(P)がドープされたn型シリコンからなるエピタキシャル層2を8μmの厚さに成長させる。これにより、表面がシリコンのエピタキシャル層2で覆われたエピタキシャル基板3を完成させる。尚、このエピタキシャル基板3が上述した基板3に対応し、以下、単に基板3と記す。
【0034】
次に、図4(C)に示すように、基板3の表面領域、さらに詳しくはエピタキシャル層2の表面領域に第1のp型ウェル領域4を形成する。
【0035】
その後、図4(D)に示すように、基板3の表面上に、酸化シリコン層/窒化シリコン層/酸化シリコン層を積層してなるONO構造のゲート絶縁膜18を形成する。次いで、第1のp型ウェル領域4内にn型及びp型不純物を選択的にイオン注入して、垂直転送レジスタを構成するn型の転送チャネル領域7と、p型のチャネルストップ領域8と、第2のp型ウェル領域10をそれぞれ形成する。
【0036】
次に、図5(E)に示すように、ゲート絶縁膜18上に、転送電極19をパターン形成する。この際、転送電極19から露出する分部のゲート絶縁膜18は除去されるため、転送電極19を形成した後には、転送電極19の開口底部に位置する基板3の表面層に酸化シリコン膜を形成する工程を行う。尚、基板3の表面層における絶縁膜の層構造は、このような構造に限定されるものではなく、例えばゲート絶縁膜18はONO構造でなくても良い。
【0037】
続いて、図5(F)に示すように、転送電極19をマスクにしたイオン注入によって、n型不純物拡散領域5とp型ウェル領域9とのpn接合によるフォトダイオードからなる受光部(光電変換部)11を形成する。これにより、受光部11脇の基板3上に、ゲート電極18を介して転送電極19が配置された構成となる。
【0038】
その後、図5(G)に示すように、転送電極19を覆うように基板3上に層間絶縁膜20を形成した後、この層間絶縁膜20を介して転送電極19を覆うように遮光膜21をパターン形成する。この遮光膜21は、アルミニウムまたはタングステンで構成され、受光部11上に開口を設けるようにパターン形成される。
【0039】
以上の工程は、1画素分の断面工程図を示す図4,5を用いて説明したが、以下の工程からは3画素分の断面工程図を示す図6を用いて説明を行う。
【0040】
先ず、図6(H)に示すように、遮光膜21上にP−SIN膜からなるパッシベーション膜25を形成後、平坦化絶縁膜26を形成する。そして、この平坦化絶縁膜26上に、上述した構成のカラーフィルタを形成する。ここでは先ず、青色のカラーフィルタ(B)50を形成する。これは全面にレジスト系の青色カラーレジストを塗布後、露光によりパターン形成する。そして、各受光部11の中央部上に青色のカラーフィルタ(B)50を形成する。
【0041】
次に、第6図(I)に示すように、青色のカラーフィルタ(B)50の周囲に緑色のカラーフィルタ(G)51を形成する。このカラーフィルタ(G)51も、カラーフィルタ(B)50と同様にカラーレジストを用いて形成する。
【0042】
次いで、第6図(J)に示すように、緑色のカラーフィルタ(G)51の周囲に赤色のカラーフィルタ(R)52を形成する。このカラーフィルタ(R)52も、カラーフィルタ(B)50およびカラーフィルタ(G)と同様にカラーレジストを用いて形成する。この赤色のカラーフィルタ(R)52は、1つの受光部11上における際外周に配置され、隣接する画素間を埋め込む状態で形成される。
【0043】
尚、プロセス上、後から形成するカラーフィルタ(G)51およびカラーフィルタ(R)52のエッジが立った状態となるが、このエッジが集光の妨害となる場合は露光条件により平坦に形成することも可能である。
【0044】
以上の後、第6図(K)に示すように、各受光部11上に対応するカラーフィルタ50〜52上に、屈折率可変のマイクロレンズ60をそれぞれ形成する。このマイクロレンズ60を形成する場合には、先ず、カラーフィルタ50〜52が形成された基板3の上方に、電気光学結晶の特性を持つ材料(例えばLiNbO3)からなる薄膜を形成する。次に、この薄膜上にレジストパターンを形成してリフロー処理し、レジストパターンをレンズ形状に成形する。その後、レジストパターン上からのエッチングにより、薄膜にレンズ形状を転写してマイクロレンズ60を形成する。
【0045】
また、このマイクロレンズ60を形成した後には、マイクロレンズ60を覆う状態で透明電極膜(図示省略)を形成し、この透明電極膜を必要に応じてパターンニングする処理を行う。
【0046】
以上により、各受光部11に複数色のカラーフィルタ50,51,52を有し、さらにこの上部に屈折率可変のマイクロレンズ60設けてなる本発明の単板式のカラー固体撮像素子を完成させる。この固体撮像素子は、図1および図2を用いて説明した構成となる。
【0047】
尚、上述した製造方法では、図5(F)を用いて説明したように、n型シリコンのエピタキシャル層2に形成されたp型ウェル領域4表面層にn型不純物拡散領域5を形成して、p型ウェル領域9とのpn接合によって、フォトダイオードからなる受光部11を形成した例である。しかし、受光部は、p型のSiエピタキシャル層2にn型のウェル領域を形成し、このpn接合によるフォトダイオードからなるものであっても良い。
【0048】
また、上述した実施形態においては、層内レンズを複数個有するタイプのCCD固体撮像装置や、縦型オーバーフローバリア形成後にエピタキシャル層を形成し、近赤外線にも感度を持つCCD固体撮像装置、紫外線に透過性を有する膜のみにて受光部を形成したCCD固体撮像装置にも適用できる。
【0049】
また、上述した実施形態では、本発明をCCD固体撮像装置に適用した場合を説明した。しかし、本発明は、増幅型固体撮像装置やCMOS型固体撮像装置等の製造にも適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の固体撮像素子およびその駆動方法によれば、単板式のカラー固体撮像素子において、1画素内に複数色のカラーフィルタを平面配置してその上部に屈折率可変のマイクロレンズを設けたことで、マイクロレンズの屈折率を時系列で変化させることにより、入射する光の集光光路を変えて透過するカラーフィルタの色組み合わせを制御することで、R/G/Bの色信号を得ることができる。したがって、1画素でカラー撮像を行うことが可能になり、セルの縮小化に伴い問題となる飽和信号量や感度の低下、さらには画質の低下を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態の固体撮像素子の断面構成図である。
【図2】図1の固体撮像素子に設けたカラーフィルタの一例を示す斜視図である。
【図3】図1の固体撮像素子の駆動方法を説明する図である。
【図4】図1の固体撮像素子の製造工程を示す断面工程図(その1)である。
【図5】図1の固体撮像素子の製造工程を示す断面工程図(その2)である。
【図6】図1の固体撮像素子の製造工程を示す断面工程図(その3)である。
【図7】従来のカラー固体撮像素子の断面工程図である。
【符号の説明】
3…基板、11…受光部、50…カラーフィルタ(B)、51…カラーフィルタ(G)、52…カラーフィルタ(R)、60…マイクロレンズ
Claims (6)
- 基板の表面側に設けられた複数の受光部と、
前記各受光部上に平面配置された複数色のカラーフィルタと、
前記各受光部上に前記複数色のカラーフィルタを介して設けられた屈折率可変のマイクロレンズとを備えた
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子において、
前記複数色のカラーフィルタは略同心形状に平面配置されている
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子において、
前記マイクロレンズは、電気光学結晶性材料で構成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 基板の表面側に設けられた複数の受光部と、
前記各受光部上に平面配置された複数色のカラーフィルタと、
前記各受光部上に前記複数色のカラーフィルタを介して設けられた屈折率可変のマイクロレンズとを備えた固体撮像素子の駆動方法であって、
前記マイクロレンズの屈折率を変化させることによって前記複数のカラーフィルタのうち入射光を通過させるカラーフィルタの組み合わせを変化させた複数回の受光信号の読み出しを行う
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項4記載の固体撮像素子の駆動方法において、
前記複数回の読み出しで得た各受光信号を信号処理することにより、各色に対応する信号を分離する
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項4記載の固体撮像素子の駆動方法において、
前記複数色のカラーフィルタは略同心形状に平面配置され、
前記マイクロレンズの屈折率を変化させることにより、前記複数色のカラーフィルタのうち通過させるカラーフィルタの数を変化させた複数回の受光信号の読み出しを行う
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
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Cited By (2)
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US8455933B2 (en) | 2009-12-29 | 2013-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor using light-sensitive transparent oxide semiconductor material |
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-
2003
- 2003-05-15 JP JP2003136753A patent/JP2004342783A/ja active Pending
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