JP2004342663A - 部材接合構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の部材接合構造体は、第1接続対象部材(2)と、第2接続対象部材(1)と、第1接続対象部材(2)と第2接続対象部材(1)との間に介在し且つ熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を相溶した状態で有する接着層(3)とを備え、接着層(3)が、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層(30)と、熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層(31)とを有する。熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値に応じて、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率を所定の範囲に定めたものである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、部材接合構造体およびその製造方法に関し、特に電子部品と基板とが接着層を介して一体化された部材接合構造体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子部品を基板に実装して得られる実装構造体として、電子部品と基板とが、熱可塑性樹脂を含む接着層あるいは熱硬化性樹脂を含む接着層を介して電気的に接続されたものがある。しかし、熱可塑性樹脂を含む接着層を介して接合されている実装構造体は、加熱により接着層が可塑化するため、接着層を介して基板に接合された電子部品のリペア性(取外しと再搭載の容易性)が良好であるものの、電子部品接合用途において充分な接合信頼性を得ることができない場合がある。また、熱硬化性樹脂を含む接着層を介して接合されている実装構造体は、接着層が熱に対して安定なため、高い接合信頼性が得られるものの、接着層を介して基板に接合された電子部品のリペアの困難性が増す。
【0003】
そこで、接合信頼性とリペア性とを兼ね備えた実装構造体として、電子部品と、基板と、少なくとも1つの熱可塑性樹脂の濃度が高い層および少なくとも1つの熱硬化性樹脂の濃度が高い層からなる接着層とを備えるものが公知となっている(例えば、特許文献1〜4参照。)。このような構造によると、熱可塑性樹脂の濃度が高い層によりリペア性を確保し、熱硬化性樹脂の濃度の高い層で接合信頼性を確保することが可能となる。
【0004】
このように熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用する場合においては、両樹脂が2つの層に画然と分かれて存在すると、リペア性の観点からは問題がないが、高温下での熱可塑性樹脂の可塑化が避けられないため、接合信頼性の観点からは問題がある。そこで、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用する場合には、両樹脂をリペア性と接合信頼性の何れもが確保できるように相溶させる必要がある。ここで、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との組み合わせのように異なる2種類の樹脂の間の相溶性は、それら2種類の樹脂の溶解度パラメータの差が大きいほど低くなり、逆に差が小さいほど高くなる。したがって、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との組合せに応じて、接着層における当該熱可塑性樹脂と当該熱硬化性樹脂との濃度分布が変化する。具体的には、例えば相溶性が高い組み合わせの場合、接着層形成時に熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂がよく混ざり合う。そのため、接着層における熱可塑性樹脂の含有率が小さいと、リペアを行いたい接合面において熱可塑性樹脂リッチ状態(熱可塑性樹脂がリペアを行うのに充分な濃度で存在する状態)となる接着層を形成することができない場合がある。したがって、接合信頼性とリペア性とを兼ね備えた実装構造体を得るには、単に熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを組み合わせるだけでは足りず、それらの相溶性についても考慮する必要がある。
【0005】
【特許文献1】
特開平10−189652号公報
【特許文献2】
特開2000−144070号公報
【特許文献3】
特開2000−294599号公報
【特許文献4】
特開2001−185582号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1〜4に開示されている技術においては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との相溶性に起因する接合信頼性およびリペア性に対する影響については充分考慮されておらず、接合信頼性およびリペア性の両立が充分に図れない場合がある。
【0007】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、高接合信頼性と高リペア性とを確実に兼ね備えた部材接合構造体、およびその製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の側面によると、第1接続対象部材と、第2接続対象部材と、上記第1接続対象部材と上記第2接続対象部材との間に介在し且つ熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を相溶した状態で有する接着層とを備え、当該接着層が、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層と、熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層とを有する部材接合構造体であって、上記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40〜65wt%であり、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、上記含有率が25〜50wt%であり、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、上記含有率が10〜40wt%であることを特徴とする部材接合構造体が提供される。
【0009】
本発明によれば、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との相溶性(両樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値)に応じて両樹脂の含有率を設定することにより、高接合信頼性と高リペア性とを兼ね備えた部材接合構造体を得ることができる。すなわち、上記絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との相溶性が非常に高く、接着層において熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とが非常によく混ざり合った状態になる。そのため、接着層における熱可塑性樹脂の含有率が40wt%未満になると、第1接合対象部材と第2接合対象部材とをリペアするのに充分な熱可塑性樹脂が存在する熱可塑性樹脂リッチ層がなくなり、高リペア性を確保することが困難となる。また、熱可塑性樹脂の含有率が65wt%を越えると、それに応じて接着層における熱硬化性樹脂の含有量が小さくなるため、高接合信頼性を確保することが困難となる。同様に、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、接着層における熱可塑性樹脂の含有率が25wt%未満になると、高リペア性を確保することが困難となり、熱可塑性樹脂の含有率が50wt%を越えると、それに応じて接着層における熱硬化性樹脂の含有量が小さくなるため、高接合信頼性を確保することが困難となる。また、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2未満である場合、接着層における熱可塑性樹脂の含有率が10wt%未満になると、高リペア性を確保することが困難となり、熱可塑性樹脂の含有率が40wt%を越えると、それに応じて接着層における熱硬化性樹脂の含有量が小さくなるため、高接合信頼性を確保することが困難となる。
【0010】
上記絶対値が大きくなる(相溶性が低くなる)ほど、接着層における熱可塑性樹脂の含有率が小さくても高リペア性を確保できる。これは、相溶性が低いほど熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混ざり合い難くなるため、熱可塑性樹脂の含有率が小さくても局部的に熱可塑性樹脂リッチな状態が生じ易いからである。
【0011】
また、上記絶対値が大きくなる(相溶性が低くなる)ほど、接着層における熱硬化性樹脂の含有率を大きくする(熱可塑性樹脂の含有率を小さくする)必要がある。これは、相溶性が低いほど熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混ざり合うことが困難になるため、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを相溶させることによって接合信頼性を高める効果はさほど期待することができないからである。したがって、熱硬化性樹脂の含有率が低いと、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との相溶による接合信頼性の向上が見込めないので、高接合信頼性を確保するために、接着層における熱硬化性樹脂自体の含有率を高めるのである。
【0012】
好ましくは、上記熱可塑性樹脂は、ポリメタクリル酸メチルである。また、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂などが好適である。
【0013】
本発明の第2の側面によると、第1接続対象部材と第2接続対象部材とを、熱可塑性樹脂を含む第1接着剤と熱硬化性樹脂組成物を含む第2接着剤とを用いて接合するにあたり、第1接続対象部材における第2接続対象部材接合領域に第1接着剤を供給して第1接着剤層を形成し、上記第1接着剤層に積層するように第2接着剤を供給して第2接着剤層を形成し、上記第2接続対象部材接合領域に上記第1および第2接着剤層を介して上記第2接合対象部材を載置した上で上記第1接合部材と上記第2接合部材とを熱圧着して、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層と熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層とを有する接着層を形成する部材接合構造体の製造方法であって、上記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂組成物から得られる熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40〜65wt%となるようにし、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、上記含有率が25〜50wt%となるようにし、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、上記含有率が10〜40wt%となるようにすることを特徴とする、部材接合構造体の製造方法が提供される。このような方法によって得られる部材接合構造体は、本発明の第1の側面の示したのと同様の効果が奏される。
【0014】
好ましくは、熱硬化性樹脂組成物は、主剤と、硬化剤と、硬化促進剤とを含んでおり、上記硬化促進剤の含有量は、上記主剤100重量部に対して1〜50重量部である。硬化促進剤の含有量が主剤100重量部に対して1重量部未満の場合は、主剤の硬化を促進する効果を充分に得ることができない。硬化促進剤の含有量が主剤100重量部に対して50重量部を超えると、接着剤の粘度が非常に高くなり流動性が悪くなる。そのため、接着剤が充分に広がらず、第1接続対象部材と第2接続対象部材との間に接着層が形成されない部分が生じる可能性がある。
【0015】
好ましくは、上記硬化促進剤は、3位の窒素が先に活性化されるように、イミノ基(−NH−)のHを、エポキシ基を有する原子団で置換した変性イミダゾール化合物である。3位の窒素は、高い反応性を有しているが、比較的反応性に低い1位の窒素に比べて活性化状態となり難い。しかし、上述のような構成にすると、イミダゾール化合物の反応は、主として活性化後の反応性の高い3位の窒素により起こるため、主剤および硬化剤の硬化反応を充分に促進することができる。
【0016】
好ましくは、硬化剤は、表面が熱可塑性樹脂により被覆された潜在性硬化剤である。硬化剤の表面が熱可塑性樹脂により被覆されていると、熱可塑性樹脂が溶解しない限りは主剤と硬化剤とは反応しない。そのため、接着剤を一液型として構成しても、常温でのポットライフが著しく向上する。さらに、一液型として構成すれば、使用時に主剤と硬化剤とを混合する必要はなく、しかも冷凍保存も不要となって解凍作業が不要となるため、作業性に優れるといった利点もある。
【0017】
好ましくは、硬化性樹脂組成物は、さらにシリコーン系カップリング剤を含んでいる。シリコーン系カップリング剤は、モノマにおいて既に主鎖にシロキサン結合を有するカップリング剤であり、その側鎖の一部が変性処理を受けて、モノマあたり一般に複数の有機反応基、有機相溶性基、有機抑制基などが導入されている。このように多様な変性基を有することにより、シリコーン系カップリング剤は、有機材料と無機材料との間の親和性を高めるというカップリング剤に要求される機能は高い。したがって、接着剤にシリコーン系カップリング剤を添加することによって、接着剤の固化状態における接着剤と接合対象物との接着性を高めることができる。
【0018】
好ましくは、熱硬化性樹脂組成物は、無機フィラーをさらに含んでおり、上記無機フィラーの含有量は、上記主剤100重量部に対して1〜100重量部である。無機フィラーは、固化状態における接着剤の熱膨張率を低下させたり、ヤング率を高める作用がある。しかし、無機フィラーの含有量が主剤100重量部に対して1重量部未満の場合は、上述の効果を充分に得ることができない。また、無機フィラーの含有量が主剤100重量部に対して100重量部を超えると、接着剤における無機フィラーの含有量が多すぎるため、接着剤中に無機フィラーを分散させることが困難となる。好ましくは、無機フィラーは、アルミナ粒子および/またはシリカ粒子である。より好ましくは、無機フィラーの最大粒子径は、40μm以下である。
【0019】
好ましい実施の形態では、接着層は、導電性粒子を絶縁性樹脂で被覆したマイクロカプセル型導電フィラーをさらに有している。接着層に導電性粒子を添加することによって導電性接着層として構成されることになる。したがって、表面実装部品の基板への接合の場合には、接着剤中の導電性粒子によって、電子部品側の電極部と、基板側の配線パターンにおける電極部との間の導通を図ることが可能となる。また、導電性粒子を絶縁性樹脂で被覆してマイクロカプセル化することにより得られるマイクロカプセル型導電フィラーを表面実装部品の基板への接合に使用する場合、接着剤中のマイクロカプセル型導電フィラーは、電子部品を基板に接合する際の押圧力によって押圧方向に相互に接触するとともに、電子部品の電極や基板の電極部に圧接することとなる。その結果、マイクロカプセル型導電フィラーの表面に形成された絶縁膜が押圧力に起因して破れ、導電性粒子どうしが連接し、電子部品の電極部と基板の電極部とが導電性粒子を介して導通することになる。押圧方向に交差する方向(横方向)については、マイクロカプセル型導電フィラーの絶縁膜が破れずに維持されるため、電子部品の電極部のピッチ間隔や基板に電極部のピッチ間隔が狭い場合であっても、横方向の絶縁を良好に図ることが可能となる。
【0020】
本発明のその他の利点および特徴については、以下に行う発明の実施形態の説明から、より明らかとなるであろう。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る部材接合構造体およびその製造方法について説明する。なお、以下の実施形態の説明においては、半導体素子1と配線基板2とを接合した構造体について説明を行うが、接合対象となる部材はこれらに限られない。
【0022】
本実施形態に係る部材接合構造体について、図1を参照しつつ、具体的に説明する。図1は、部材接合構造体の要部拡大断面図である。
【0023】
部材接合構造体は、図1に示したように、半導体素子1と、配線基板2と、半導体素子1と配線基板2とを電気的に接続する接着層3とを有している。半導体素子1は、それぞれスタッドバンプ10aが形成された複数の電極部10を有している。スタッドバンプ10aは、接合前は尖った形状を有するバンプであり、金や銀、銅などを用いて電気めっき法やボールボンディング法などによって形成される。ただし、図1では搭載時の押圧力により尖った部分は潰された状態となっている。配線基板2は、ガラス、ガラスエポキシ、セラミックなどからなり、銅やアルミニウムなどからなる複数の電極部20を含む配線パターンを有している。配線パターンは、スパッタリング法、蒸着法などにより配線パターン用金属膜(銅やアルミニウムなど)をエッチングするか、あるいは印刷法により形成される。
【0024】
接着層3は、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を相溶した状態で有し、かつ高リペア性を確保するのに充分な程度の熱可塑性樹脂を含む熱可塑性樹脂リッチ層30と、高接合強度を得るのに充分な程度の熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂リッチ層31とを有している。
【0025】
接着層3においての熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率は以下の通りである。熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂の含有率は40〜65wt%であり、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂の含有率が25〜50wt%であり、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、熱可塑性樹脂の含有率が10〜40wt%である。
【0026】
熱可塑性樹脂としては、メタクリル樹脂、ポリプロピレン、ポリ−4−メチル−メチルペンテン−1、ポリアミド樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド、ポリイミドなどが挙げられる。なかでも、メタクリル樹脂、特にポリメタクリル酸メチルが最も好ましく用いられる。
【0027】
熱硬化性樹脂は、そのもの単独または第2の物質(例えば、硬化剤など)を加えて加熱することにより三次元構造または網状構造となり不融不溶になる樹脂である。このような樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、特に二官能タイプのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂が最も好ましく用いられる。
【0028】
図1においては、熱可塑性樹脂リッチ層30が接着層3における配線基板2側に配置され、熱硬化性樹脂リッチ層31が接着層3における半導体素子1側に配置されているが、配置関係はこれらに限られない。例えば、熱可塑性樹脂リッチ層30を半導体素子1側に配置し、熱硬化性樹脂リッチ層31を配線基板2側に配置してもよい。また、接着層3において、熱可塑性樹脂硬化物と熱硬化性樹脂硬化物は相溶した状態にあり、ともに接着層3の厚み方向に濃度勾配を有している。そのため、熱可塑性樹脂リッチ層30と熱硬化性樹脂リッチ層31との明確な境界は実際には存在しないが、図示の便宜上、図1においては二点鎖線にて境界があるかのように表している。
【0029】
以上のような構造としたことにより、高接合信頼性と高リペア性とを兼ね備えた部材接合構造体を得ることができる。すなわち、図示の実施形態では、配線基板2側に熱可塑性樹脂リッチ層30が存在するため、リペア性が高められているが、実際には相溶により熱硬化性樹脂リッチ層31からの熱硬化性樹脂も適切に共存しているため、熱可塑性樹脂リッチ過ぎることにより接合信頼性が阻害されることもない。このような効果は、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の含有率をそれらの溶解度パラメータの差に応じて上記のように適切に設定したことにより得られたものである。
【0030】
次に、本実施形態に係る部材接合構造体の製造方法について、図2を参照しつつ、具体的に説明する。図2は、部材接合構造体の製造方法を工程順に説明する断面図である。
【0031】
まず、図2(a)に示したように、配線基板2において複数の電極部20を含む配線パターンが形成されている接合面2aに、後に熱可塑性樹脂リッチ層30となる第1接着剤層30’を、第1接着剤を用いて公知の方法により形成する。具体的には、第1接着剤としてフィルム状接着剤を用いた場合は、当該フィルム状接着剤を配線基板2上に貼り付けることによって行われるが、第1接着剤層30’の形成方法はこれに限られず、例えば熱可塑性樹脂を含む接着剤を印刷法によって配線基板2上に印刷してもよい。
【0032】
第1接着剤としては、熱可塑性樹脂を含む接着剤、特にフィルム状の熱可塑性樹脂が好適に用いられる。熱可塑性樹脂としては、上述したものと同様のものが挙げられる。熱可塑性樹脂の含有量は、上述したように、熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値によって決まる範囲内に収まるように任意に定めればよい。
【0033】
次に、図2(b)に示したように、配線基板2上に形成された第1接着剤層30’の上に、後に熱硬化性樹脂リッチ層31となる第2接着剤層31’を、第2接着剤を用いて公知の方法により形成する。具体的には、第2接着剤としてペースト状接着剤を用いた場合は、当該ペースト状接着剤を配線基板2上に塗布することによって行われるが、第2接着剤層31’の形成方法はこれに限られず、例えばフィルム状接着剤を第1接着剤層30’の上に貼り付けてもよい。
【0034】
第2接着剤としては、熱硬化性樹脂組成物を含む接着剤などが挙げられる。熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含んでおり、当該熱硬化性樹脂を構成するものとしては、主剤、硬化剤、硬化促進剤などが挙げられる。ただし、硬化剤および硬化促進剤は、熱硬化性樹脂の必須構成物ではない。主剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、特に二官能タイプのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂が最も好ましく用いられる。熱硬化性樹脂組成物における熱硬化性樹脂の含有量は、接着層3における熱可塑性樹脂の含有率が上述した範囲内に収まるように任意に定めればよい。硬化剤としては、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤などが挙げられ、特にこれらの硬化剤の表面を熱可塑性樹脂で被覆した潜在性硬化剤が好適に用いられる。被覆に用いられる熱可塑性樹脂は、主剤や硬化剤の種類(反応が活性化する温度)との関係などを考慮して適宜選択すればよい。また、熱硬化性樹脂組成物における硬化剤の含有量は、使用すべき硬化剤の種類や硬化速度、あるいは接着剤のポットライフなどの種々の要因を考慮して任意に定めればよい。硬化促進剤としては、イミダゾール類、有機ホスフィン類、ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロウンデセントルエンスルホン酸塩、ジアザビシクロウンデセンオクチル酸塩などが挙げられ、特にイミノ基(−NH−)のHを、エポキシ基を有する原子団で置換した変性イミダゾール化合物が好適に用いられる。熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、使用される硬化剤の種類や含有量、達成すべき硬化速度などを考慮して任意に定めればよいが、好ましくは主剤100重量部に対して1〜50重量部である。
【0035】
上記熱硬化性樹脂組成物は、シリコーン系カップリング剤をさらに含んでいてもよい。シリコーン系カップリング剤としては、ポリジメチルシロキサンに対してグリシロキシプロピル変性、ポリオキシレン変性、またはアルコキシ変性、あるいはこれらを組み合わせた変性処理を施したものなどが挙げられる。
【0036】
上記熱硬化性樹脂組成物は、無機フィラーをさらに含んでいてもよい。無機フィラーとしては、アルミナ粒子、またはシリカ粒子、あるいはこれらの混合粒子などが挙げられ、特に最大粒子径が40μm以下のものが好適に用いられる。熱硬化性樹脂組成物における無機フィラーの含有量は、必要に応じて任意に定めればよいが、好ましくは主剤100重量部に対して1〜100重量部である。
【0037】
次に、図2(c)に示したように、加熱、加圧および位置合わせを行うことができる治具(図示せず)により、半導体素子1のスタッドバンプ10aの位置を配線基板2の電極部20の位置に一致させる。続いて、図2(d)に示したように、半導体素子1を矢印A方向に加圧して押し当てつつ、所定温度で所定時間加熱することにより熱圧着する。この際、加熱の作用により、第1接着剤層30’に含まれる熱可塑性樹脂は第2接着剤層31’側に移動して熱硬化樹脂に相溶し、逆に第2接着剤層31’に含まれる熱硬化性樹脂は第1接着剤層30’側に移動して熱可塑性樹脂に相溶する。また、スタッドバンプ10aは第1接着剤層30’および第2接着剤層31’を容易に突き破るので、電極部20と良好な電気的接続を得ることが可能である。熱圧着を行う際の加熱温度と加熱時間は、第1接着剤および第2接着剤に含まれる材料に応じて任意に定めればよい。なお、より確実に電気的接続を得るために、電極部20上に位置する第1接着剤層30’および第2接着剤層31’に開口部(図示せず)を設けるようにしてもよいし、第1接着剤および/または第2接着剤に導電性粒子を絶縁性樹脂で被覆したマイクロカプセル型導電フィラーをさらに含有させてもよい。
【0038】
以上のようにして、高接合信頼性と高リペア性とを兼ね備えた部材接合構造体を得ることができる。
【0039】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、比較例とともに説明する。
【0040】
【実施例1】
<第1接着剤の作製>
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が0.7(cal/s・cm3)1/2であるポリメチルメタクリレート(商品名:PMMA、アルドリッチ製)0.3wt%と、導電性粒子として、粒径5〜10μmのAg粒子(商品名:X617、ナミックス製)の表面を約0.1μmの絶縁樹脂で被覆したマイクロカプセル化Agフィラー50wt%とを攪拌混合した後、厚さ20μmにフィルム加工し、本実施例の第1接着剤(熱可塑性樹脂フィルム)を作製した。
【0041】
<第2接着剤の調製>
主剤としてのビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)100重量部と、硬化剤としての2−メチル−4−エチルイミダゾールを、その表面を熱可塑性樹脂により被覆した状態でビスフェノールA型エポキシ樹脂中に分散させたもの(商品名:HX3921、旭チバ製)50重量部と、硬化促進剤としての、イミノ基のHを、エポキシ環を有するアルキル基で置換した変成イミダゾール化合物(商品名:PN23J、味の素製)20重量部と、無機フィラーとしての最大粒子径1μm以下のアルミナ粉末171重量部と、シリコーン系カップリング剤(商品名:MAC−2101、日本ユニカー製)1.0重量部とを均一に攪拌混合し、本実施例の第2接着剤を調製した。
【0042】
<電子部品の接合>
それぞれ金のスタッドバンプが形成された352個の電極部(125μmピッチ)を備えた接合面を有する電子部品としてのLSIチップ(12.5×12.5mm)を、第1および第2接着剤を介して、当該LSIチップに対応するピッチおよび数の電極部を備えた接合面を有するガラスエポキシ基板に接合した。まず、図2(a)に示したように、上述のようにして作製した第1接着剤(熱可塑性樹脂フィルム)をガラスエポキシ基板の接合面に貼り付けた。次に、図2(b)に示したように、第1接着剤上に第2接着剤を塗布した。この第2接着剤の塗布量は、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40wt%(熱硬化性樹脂の含有率が60wt%)となるようにした。次に、図2(c)に示したように、ガラスエポキシ基板の電極部に対してLSIチップの電極部を位置合わせした。その後、図2(d)に示したように、LSIチップを矢印A方向に加圧して押し当てつつ、190℃で3秒間加熱することにより熱圧着した。なお、ガラスエポキシ基板に対するLSIチップの押圧力は、30g/bumpとした。以上のようにして、本実施例の接合構造体サンプルを作製した。
【0043】
<接合信頼性の評価>
上述のようにして作製した接合構造体サンプルを50個用意し、これらについて接合安定性を調べた。具体的には、各サンプルにおいてLSIチップの電極部とガラスエポキシ基板の電極部とが接続された352個の電気的接続点の初期導通抵抗を測定した後に、−65〜125℃の範囲で温度サイクル試験を行い、再び導通抵抗を測定した。温度サイクル試験においては、まずサンプルを−65℃で15分間冷却し、次に室温まで温度を上昇させて10分間放置し、さらに125℃まで温度を上昇させて15分間加熱することを1サイクルとし、このサイクルを所定回数繰り返した。本実施例では、サイクル数を500とした。その結果、50個のサンプル全ての電気的接続点において、サイクル試験後の抵抗の上昇はサイクル試験前の抵抗に対して10%以下と良好であり、導通不良も確認されなかった。このように、本実施例のようにして得られる接合構造体は、温度が変化しても安定した接合状態を保つことが確認された。
【0044】
<取り外し性の評価>
上述のようにして作製した接合構造体サンプルを50個用意し、これらについて取り外し性を調べた。具体的には、図3に示したように、引っ張り試験機4の第1の治具5に、この治具5がガラスエポキシ基板2の下方から突出するような状態でガラスエポキシ基板2を固定し、加熱ヒータ(図示せず)が内蔵された第2の治具6に、LSIチップ1の上方に突出するような状態でLSIチップ1を固定した。この状態において、第2の治具に内蔵されたヒータにより、LSIチップ1側から基板2とチップ1とを接着している第1および第2接着剤からなる接着層を130℃に加熱しつつ、第1の治具5を下動させるとともに第2の治具6を上動させて、当該接着層に垂直方向の負荷を加えるとともに、第2の治具6をねじるようにして水平方向にも負荷を加えて、LSIチップ1のガラスエポキシ基板2からの取り外しを試みた。その結果、50個のサンプル全てにおいて、ガラスエポキシ基板2からLSIチップ1が容易に取り外せた。また、LSIチップ1を取り外した後のガラスエポキシ基板2の表面を観察したところ、ガラスエポキシ基板の劣化はなく、また電極剥離も見受けられなかった。
【0045】
<リペア(再搭載)性の評価>
上述の「取り外し性の評価」においてLSIチップを取り外した50枚のガラスエポキシ基板のそれぞれについて、100℃に加熱した状態においてN−メチル−2−ピロリドンおよびメチルエチルケトンにより、残留した接着剤の拭き取りを行った。なお、接着剤の拭き取り作業は、各ガラスエポキシ基板とも3分以内に行えた。次いで、接着剤の拭き取りを行ったガラスエポキシ基板に対して、取り外したLSIチップと同種のLSIチップを再搭載し、新たなサンプルを作製した。このサンプルについて、導通抵抗を測定し、また先に説明したのと同一の温度サイクル試験を行った後に導通抵抗を測定して接合安定性を評価した。その結果、各サンプルの全ての電気的接続点において、サイクル試験後の抵抗の上昇はサイクル試験前の抵抗に対して10%以下と良好であり、導通不良も確認されなかった。このように、再搭載によって得られる接合構造体も、温度が変化しても安定した接合状態を保つことが確認された。
【0046】
【実施例2】
第1接着剤の厚さを33μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が65wt%(熱硬化性樹脂の含有率が35wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0047】
【実施例3】
第1接着剤を構成する熱可塑性樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が1.3(cal/s・cm3)1/2であるポリメチルメタクリレート(商品名:メタクリル酸メチルポリマー、和光純薬製)を用い、第1接着剤の厚さを20μmとし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40wt%(熱硬化性樹脂の含有率が60wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0048】
【実施例4】
第1接着剤の厚さを33μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が65wt%(熱硬化性樹脂の含有率が35wt%)となるようにした以外は、実施例3と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0049】
【比較例1】
第1接着剤の厚さを17μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が35wt%(熱硬化性樹脂の含有率が65wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、取り外し性およびリペア性に問題が確認された。
【0050】
【比較例2】
第1接着剤の厚さを35μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が70wt%(熱硬化性樹脂の含有率が30wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、接合信頼性に問題が確認された。
【0051】
【比較例3】
第1接着剤の厚さを17μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が35wt%(熱硬化性樹脂の含有率が65wt%)となるようにした以外は、実施例3と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、取り外し性およびリペア性に問題が確認された。
【0052】
【比較例4】
第1接着剤の厚さを35μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が70wt%(熱硬化性樹脂の含有率が30wt%)となるようにした以外は、実施例3と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、接合信頼性に問題が確認された。
【0053】
【実施例5】
第1接着剤を構成する熱可塑性樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が2.7(cal/s・cm3)1/2である酢酸ビニル樹脂(商品名:ウルトラセン630、東ソー製)を用い、第1接着剤の厚さを13μmとし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が25wt%(熱硬化性樹脂の含有率が75wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0054】
【実施例6】
第1接着剤の厚さを25μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が50wt%(熱硬化性樹脂の含有率が50wt%)となるようにした以外は、実施例5と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0055】
【実施例7】
第1接着剤を構成する熱可塑性樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が4.6(cal/s・cm3)1/2であるポリエチレン樹脂(商品名:ペトロセン173、東ソー製)を用い、第1接着剤の厚さを13μmとし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が25wt%(熱硬化性樹脂の含有率が75wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0056】
【実施例8】
第1接着剤の厚さを25μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が50wt%(熱硬化性樹脂の含有率が50wt%)となるようにした以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0057】
【比較例5】
第1接着剤の厚さを10μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が20wt%(熱硬化性樹脂の含有率が80wt%)となるようにした以外は、実施例5と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、取り外し性およびリペア性に問題が確認された。
【0058】
【比較例6】
第1接着剤の厚さを28μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が55wt%(熱硬化性樹脂の含有率が45wt%)となるようにした以外は、実施例5と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、接合信頼性に問題が確認された。
【0059】
【比較例7】
第1接着剤の厚さを10μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が20wt%(熱硬化性樹脂の含有率が80wt%)となるようにした以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、取り外し性およびリペア性に問題が確認された。
【0060】
【比較例8】
第1接着剤の厚さを28μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が55wt%(熱硬化性樹脂の含有率が45wt%)となるようにした以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、接合信頼性に問題が確認された。
【0061】
【実施例9】
第1接着剤を構成する熱可塑性樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が5.3(cal/s・cm3)1/2であるポリエーテルスルフォン(商品名:PES4003、住友化学工業製)を用い、第1接着剤の厚さを5μmとし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が10wt%(熱硬化性樹脂の含有率が90wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0062】
【実施例10】
第1接着剤の厚さを20μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40wt%(熱硬化性樹脂の含有率が60wt%)となるようにした以外は、実施例9と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0063】
【実施例11】
第1接着剤を構成する熱可塑性樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が7.1(cal/s・cm3)1/2であるポリスチレン(商品名:カプトン2002、クラレ製)を用い、第1接着剤の厚さを5μmとし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が10wt%(熱硬化性樹脂の含有率が90wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0064】
【実施例12】
第1接着剤の厚さを20μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40wt%(熱硬化性樹脂の含有率が60wt%)となるようにした以外は、実施例11と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0065】
【実施例13】
第1接着剤を構成する熱可塑性樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:830LVP、大日本インキ製)との溶解度パラメータの差が7(cal/s・cm3)1/2であるポリメタクリル酸メチル(商品名:PMMA、アルドリッチ製)を用い、第1接着剤の厚さを5μmとし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が10wt%(熱硬化性樹脂の含有率が90wt%)となるようにした以外は、実施例1と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0066】
【実施例14】
第1接着剤の厚さを20μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40wt%(熱硬化性樹脂の含有率が60wt%)となるようにした以外は、実施例13と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、いずれも実施例1と同様の結果が得られた。
【0067】
【比較例9】
第1接着剤の厚さを3μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が5wt%(熱硬化性樹脂の含有率が95wt%)となるようにした以外は、実施例9と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、取り外し性およびリペア性に問題が確認された。
【0068】
【比較例10】
第1接着剤の厚さを23μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が45wt%(熱硬化性樹脂の含有率が55wt%)となるようにした以外は、実施例9と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、接合信頼性に問題が確認された。
【0069】
【比較例11】
第1接着剤の厚さを3μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が5wt%(熱硬化性樹脂の含有率が95wt%)となるようにした以外は、実施例11と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、取り外し性およびリペア性に問題が確認された。
【0070】
【比較例12】
第1接着剤の厚さを23μmにし、かつ、第2接着剤の塗布量を、第1接着剤に含まれる熱可塑性樹脂、および第2接着剤に含まれる熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が45wt%(熱硬化性樹脂の含有率が55wt%)となるようにした以外は、実施例11と同様にして接合構造体サンプルを作製した。これらのサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行ったところ、接合信頼性に問題が確認された。
【0071】
【実施例15】
実施例1に係る第2接着剤(ビスフェノールF型エポキシ樹脂)のポットライフについて、粘度の変化および硬化反応の進行の観点から調べた。具体的には、実施例7の第2接着剤を室温(25℃)で15日間放置し、接着剤の粘度の変化を調べた。更に、赤外吸収スペクトルにおける、接着剤におけるエポキシ基ピーク面積/P位フェニレンピーク面積の変化を同時に調べた。この比が変化するということは、エポキシ樹脂が硬化剤と反応して重合硬化が進行していることを意味する。同様にして、−20℃で12カ月間冷凍保存した第2接着剤の粘度の変化およびエポキシ基ピーク面積/P位フェニレンピーク面積の変化をそれぞれ調べた。これらの結果は表1に掲げる。
【0072】
【表1】
【0073】
表1に示すように、常温放置で15日間経過後および冷凍保存で12カ月間経過後のいずれにおいても、粘度およびエポキシ基ピーク面積/P位フェニレンピーク面積ともに第2接着剤の作製直後と比べて大きく変化していなかった。したがって、実施例13の第2接着剤は、室温放置においても冷凍保存においても主剤と硬化剤とがほとんど反応せず、そのポットライフは、常温放置では少なくとも15日以上であり、冷凍保存で少なくとも12カ月以上であることが確認された。
【0074】
【実施例16〜実施例19】
硬化促進剤としての、イミノ基(−NH−)のHをエポキシ環を有するアルキル基で置換した変成イミダゾール化合物(商品名:PN23J、味の素製)の添加量を、20重量部に代えて0.9重量部(実施例16)、1.0重量部(実施例17)、50重量部(実施例18)、または60重量部(実施例19)とした以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。各実施例のサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行った。
【0075】
その結果、各実施例ともに、実施例1と同様に接合信頼性、取り外し性、リペア性のいずれも良好であることが確認された。温度サイクル試験においては、実施例17および実施例18では、50枚のサンプルの17600(352×50)個の全ての接続点において、500サイクルを終えても導通不良は生じず、サイクル試験後の抵抗の上昇はサイクル試験前の抵抗に対して10%以下と良好であった。一方、実施例16および実施例19では、100サイクルまで導通不良は生じなかった。これらの結果から、硬化促進剤の含有量は、主剤100重量部に対して1.0〜50重量部の範囲とするのが好ましいことがわかる。
【0076】
【実施例20】
硬化剤として、熱可塑性樹脂で被覆したイミダゾール化合物(商品名:HX3921、旭チバ製)50重量部に代えて、樹脂で被覆されていないイミダゾール化合物としての2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−S−トリアジンイソシアヌル酸付加物(2MA−OK、四国化成製)50重量部を使用した以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。各実施例のサンプルについて実施例1と同様にして接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行うとともに、実施例15と同様にしてポットライフの調査を行った。
【0077】
その結果、実施例1と同様に接合信頼性、取り外し性、リペア性のいずれも良好であることが確認された。ポットライフの調査においては、常温放置で3時間経過後に粘度は2倍となり、−20℃の冷凍保存で20日経過後に粘度は2倍となった。
【0078】
【実施例21】
カップリング剤として、シリコーン系カップリング剤(商品名:MAC−2101、日本ユニカー製)1.0重量部に代えて、シラン系カップリング剤(商品名:KBM403、信越化学工業製)1.0重量部を使用した以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。各実施例のサンプルについて実施例1と同様にして接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行った。
【0079】
その結果、実施例1と同様に接合信頼性、取り外し性、リペア性のいずれも良好であることが確認された。温度サイクル試験においては、50枚のサンプルの17600(352×50)個の全ての接続点において、200サイクルまで導通不良は生じなかった。この結果から、カップリング剤は、シリコーン系カップリング剤を用いるのが好ましいことがわかる。
【0080】
【実施例22〜25】
第2接着剤を構成する無機フィラーとしてのアルミナ粉末の含有量を、171重量部に代えて9重量部(実施例22)、10(実施例23)、300(実施例24)、310(実施例25)とした以外は、実施例7と同様にして接合構造体サンプルを作製した。各実施例のサンプルについて実施例1と同様にして、接合信頼性、取り外し性、リペア性の各評価を行った。
【0081】
その結果、各実施例ともに、実施例1と同様に接合信頼性、取り外し性、リペア性のいずれも良好であることが確認された。温度サイクル試験においては、実施例23および実施例24では、50枚のサンプルの17600(352×50)個の全ての接続点において、500サイクルを終えても導通不良は生じず、サイクル試験後の抵抗の上昇もサイクル試験前の抵抗に対して10%以下と良好であった。一方、実施例22および実施例25では、70サイクルまで導通不良は生じなかった。これらの結果から、アルミナ粉末の含有量は、10〜300の範囲とするのが好ましいことがわかる。
【0082】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションについて、以下に付記として列挙する。
【0083】
(付記1)第1接続対象部材と、第2接続対象部材と、上記第1接続対象部材と上記第2接続対象部材との間に介在し且つ熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を相溶した状態で有する接着層とを備え、当該接着層が、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層と、熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層とを有する部材接合構造体であって、
上記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40〜65wt%であり、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、上記含有率が25〜50wt%であり、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、上記含有率が10〜40wt%であることを特徴とする、部材接合構造体。
(付記2)上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である、付記1に記載の部材接合構造体。
(付記3)第1接続対象部材と第2接続対象部材とを、熱可塑性樹脂を含む第1接着剤と熱硬化性樹脂組成物を含む第2接着剤とを用いて接合するにあたり、第1接続対象部材における第2接続対象部材接合領域に第1接着剤を供給して第1接着剤層を形成し、上記第1接着剤層に積層するように第2接着剤を供給して第2接着剤層を形成し、上記第2接続対象部材接合領域に上記第1および第2接着剤層を介して上記第2接合対象部材を載置した上で上記第1接合部材と上記第2接合部材とを熱圧着して、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層と熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層とを有する接着層を形成する部材接合構造体の製造方法であって、
上記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂組成物から得られる熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40〜65wt%となるようにし、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、上記含有率が25〜50wt%となるようにし、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、上記含有率が10〜40wt%となるようにすることを特徴とする、部材接合構造体の製造方法。
(付記4)上記熱硬化性樹脂組成物は、主剤と、硬化剤と、硬化促進剤とを含んでおり、上記硬化促進剤の含有量は、上記主剤100重量部に対して1〜50重量部である、付記3に記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記5)上記硬化促進剤は、イミノ基(−NH−)のHを、エポキシ基を有する原子団で置換した変性イミダゾール化合物である、付記4に記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記6)上記硬化剤は、表面が熱可塑性樹脂により被覆された潜在性硬化剤である、付記4または5に記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記7)上記熱硬化性樹脂組成物は、さらにシリコーン系カップリング剤を含んでいる、付記4から6のいずれか1つに記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記8)上記熱硬化性樹脂組成物は、無機フィラーをさらに含んでおり、上記無機フィラーの含有量は、上記主剤100重量部に対して1〜100重量部である、付記4から7のいずれか1つに記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記9)上記無機フィラーは、アルミナ粒子および/またはシリカ粒子を含んでいる、付記8に記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記10)上記無機フィラーの最大粒子径は、40μm以下である、付記9に記載の部材接合構造体の製造方法。
(付記11)上記第1接着剤および/または第2接着剤は、導電性粒子を絶縁性樹脂で被覆したマイクロカプセル型導電フィラーをさらに有している、付記3から10のいずれか1つに記載の部材接合構造体。
【0084】
【発明の効果】
本発明によると、接合構造体における接着層に含まれる熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との相溶性の程度に応じて、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との含有比率を調整することにより、接合信頼性、取り外し性、リペア性のいずれの点においても良好な結果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る接合構造体の要部拡大断面図である。
【図2】図1に示した接合構造体の製造方法を各工程順に説明する要部拡大断面図である。
【図3】図1に示した接合構造体を構成するLSIチップやガラスエポキシ基板に対して垂直方向および水平方向に負荷を作用させ、ガラスエポキシ基板からLSIチップを取り外す状態を説明するための正面図である。
【符号の説明】
1 半導体素子(第2接合対象部材)
2 配線基板(第1接合対象部材)
3 接着層
4 引っ張り試験機
5 第1の治具
6 第2の治具
10 半導体素子の電極部
10a スタッドバンプ
20 配線基板の電極部
30 熱可塑性樹脂リッチ層
30’ 第1接着剤層
31 熱硬化性樹脂リッチ層
31’ 第2接着剤層
Claims (4)
- 第1接続対象部材と、第2接続対象部材と、上記第1接続対象部材と上記第2接続対象部材との間に介在し且つ熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を相溶した状態で有する接着層とを備え、当該接着層が、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層と、熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層とを有する部材接合構造体であって、
上記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40〜65wt%であり、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、上記含有率が25〜50wt%であり、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、上記含有率が10〜40wt%であることを特徴とする、部材接合構造体。 - 第1接続対象部材と第2接続対象部材とを、熱可塑性樹脂を含む第1接着剤と熱硬化性樹脂組成物を含む第2接着剤とを用いて接合するにあたり、第1接続対象部材における第2接続対象部材接合領域に第1接着剤を供給して第1接着剤層を形成し、上記第1接着剤層に積層するように第2接着剤を供給して第2接着剤層を形成し、上記第2接続対象部材接合領域に上記第1および第2接着剤層を介して上記第2接合対象部材を載置した上で上記第1接合部材と上記第2接合部材とを熱圧着して、熱可塑性樹脂を主体的に含む熱可塑性樹脂リッチ層と熱硬化性樹脂を主体的に含む熱硬化性樹脂リッチ層とを有する接着層を形成する部材接合構造体の製造方法であって、
上記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータと、上記熱硬化性樹脂組成物から得られる熱硬化性樹脂の溶解度パラメータとの差の絶対値が0(cal/s・cm3)1/2以上2(cal/s・cm3)1/2未満である場合、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる樹脂全体における熱可塑性樹脂の含有率が40〜65wt%となるようにし、上記絶対値が2(cal/s・cm3)1/2以上5(cal/s・cm3)1/2未満である場合、上記含有率が25〜50wt%となるようにし、上記絶対値が5(cal/s・cm3)1/2以上8(cal/s・cm3)1/2以下である場合、上記含有率が10〜40wt%となるようにすることを特徴とする、部材接合構造体の製造方法。 - 上記熱硬化性樹脂組成物は、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含んでおり、上記硬化促進剤の含有量は、上記主剤100重量部に対して1〜50重量部である、請求項2に記載の部材接合構造体の製造方法。
- 上記組成物は、無機フィラーをさらに含んでおり、上記無機フィラーの含有量は、上記主剤100重量部に対して1〜100重量部である、請求項3に記載の部材接合構造体の製造方法。
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WO2010143507A1 (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 絶縁性樹脂フィルム、並びにこれを用いた接合体及びその製造方法 |
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JP2009105276A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Omron Corp | 半導体チップの実装方法及び半導体搭載用配線基板 |
EP2053647A3 (en) * | 2007-10-24 | 2012-08-01 | Omron Corporation | Semiconductor chip mounting method, semiconductor mounting wiring board producing method and semiconductor mounting wiring board |
WO2010143507A1 (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 絶縁性樹脂フィルム、並びにこれを用いた接合体及びその製造方法 |
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TWI512076B (zh) * | 2009-06-10 | 2015-12-11 | Dexerials Corp | 絕緣性樹脂薄膜、以及使用其之接合體及其製造方法 |
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