【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に通信機器分野で用いられるもので、絶縁体層と導体パターンを積層して積層体内にバンドパスフィルタが形成された積層型バンドパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のバンドパスフィルタに、図５に示す様に、コイルＬ６とコンデンサＣ８が並列接続された共振回路５３と、コイルＬ７とコンデンサＣ９が並列接続された共振回路５４を電磁気的に結合し、共振回路５３がコンデンサＣ１０を介して入力端子５１に、共振回路５４がコンデンサＣ１１を介して出力端子５２にそれぞれ接続され、コンデンサＣ１０とコンデンサＣ１１間がコンデンサＣ１２で接続されたものがある。この様なバンドパスフィルタは、ＳＡＷフィルタや誘電体フィルタ等によって構成されている。また、最近では、アース電極が形成された第１の絶縁体層、１対の電極が形成された第２の絶縁体層、入力電極と出力電極が形成された第３の絶縁体を積層した共振型の積層型バンドパスフィルタによって構成されたものもある（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−４６４０１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、この種のバンドパスフィルタにおいては、通信機器のマルチバンド化に伴い、通過帯域が４００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚ付近のもので、−３ｄＢの帯域幅が３００ＭＨｚ程度有するものが望まれるようになってきている。
しかしながら、この様に構成されたバンドパスフィルタは、磁気的結合や容量的結合を利用しているので、選択性に優れているものの、通過帯域を４００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚ付近に設定した場合、−３ｄＢの帯域幅を数１０ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚ程度までしか広げることができなかった。
【０００５】
本発明は、通過帯域における−３ｄＢの帯域幅を広げることができる積層型バンドパスフィルタを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型バンドパスフィルタは、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、直列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された複数の第１の並列共振回路を接続し、並列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された第２の並列共振回路を接続したバンドパスフィルタが形成されると共に、バンドパスフィルタの入力側が第１のコンデンサを介して入力端子に接続され、バンドパスフィルタの出力側が第２のコンデンサを介して出力端子に接続される。
また、本発明の積層型バンドパスフィルタは、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、コイルとコンデンサが並列に接続された２つの第１の並列共振回路を接続し、一方の第１の並列共振回路を第１のコンデンサを介して入力端子に接続し、他方の第１の並列共振回路を第２のコンデンサを介して出力端子に接続し、２つの第１の並列共振回路の接続点、第１の並列共振回路と第１のコンデンサの接続点及び、第１の並列共振回路と第２のコンデンサの接続点にそれぞれコイルとコンデンサが並列に接続された第２の並列共振回路を接続したバンドパスフィルタが形成される。第１の並列共振回路のコイルは、積層体内で横に並べて配置される。第２の並列共振回路のコイルは、積層体内で横に並べて配置される。第１の並列共振回路のコイルと第２の並列共振回路のコイルは、絶縁体層と導体パターンの積層方向にコンデンサを介して積層される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の積層型バンドパスフィルタは、絶縁体層と導体パターンを積層して積層体内にバンドパスフィルタが形成される。このバンドパスフィルタは、コイルとコンデンサが並列に接続された２つの第１の並列共振回路が直列に接続され、一方の第１の並列共振回路が第１のコンデンサを介して入力端子に接続され、他方の第１の並列共振回路が第２のコンデンサを介して出力端子に接続され、２つの第１の並列共振回路の接続点、第１の並列共振回路と第１のコンデンサの接続点及び、第１の並列共振回路と第２のコンデンサの接続点にそれぞれコイルとコンデンサを並列に接続した第２の並列共振回路が接続される。この時、入出力端子間に接続された２つの第１の並列共振回路のコイルが、絶縁体層上に１対のコイル用導体パターンを並べて形成し、絶縁体層間のコイル用導体パターンを各組同士で接続することにより、積層体内に横に並べて配置される。また、並列腕に接続された３つの第２の並列共振回路のコイルが、絶縁体層上に３つのコイル用導体パターンをその平面上で互いに斜めにずれて位置する様に形成し、絶縁体層間のコイル用導体パターンを各組同士で接続することにより、積層体内に横に並べて配置される。さらに、この第１の並列共振回路のコイルと第２の並列共振回路のコイルの間には、絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層することによりコンデンサが配置される。
従って、本発明の積層型バンドパスフィルタは、第１のコンデンサと第２のコンデンサによって通過帯域の低域側を減衰することができ、第１の並列共振回路によって通過帯域の高域側を減衰することができる。また、各並列共振回路のコイル間の距離、特に、直列腕の並列共振回路のコイルと並列腕の並列共振回路のコイル間の距離を離すことができる。
【０００８】
【実施例】
以下、本発明の積層型バンドパスフィルタを図１乃至図４を参照して説明する。
図１は本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例の回路図、図２は本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例を示す分解斜視図、図３は本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例を示す斜視図である。
図１において、１１は入力端子、１２は出力端子である。
入力端子１１と出力端子１２間には、コンデンサＣ６、コイルＬ２とコンデンサＣ２が並列に接続された並列共振回路１３、コイルＬ４とコンデンサＣ４が並列に接続された並列共振回路１４及び、コンデンサＣ７がこの順序で直列に接続される。
このコンデンサＣ６と並列共振回路１３との接続点とアース間には、コイルＬ１とコンデンサＣ１が並列に接続された並列共振回路１５が接続される。また、並列共振回路１３と並列共振回路１４の接続点とアース間には、コイルＬ３とコンデンサＣ３が並列に接続された並列共振回路１６が接続される。さらに、並列共振回路１４とコンデンサＣ７の接続点とアース間には、コイルＬ５とコンデンサＣ５が並列に接続された並列共振回路１７が接続される。
【０００９】
この様な回路構成のバンドパスフィルタは、図２の様に絶縁体層と導体パターンを交互に積層して積層体内に形成される。
絶縁体層２１Ａの表面には、アース電極２２が形成される。アース電極２２は、対向する側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｂの表面には、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃが形成される。コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは、絶縁体層２１Ｂの表面の長さ方向を三等分し、一方の端面側の部分にコイル用導体パターン２３Ａが、他方の端面側の部分にコイル用導体パターン２３Ｃが、中央部分にコイル用導体パターン２３Ｂが形成される。このコイル用導体パターン２３Ａ、コイル用導体パターン２３Ｂ、コイル用導体パターン２３Ｃは、それぞれ一端が絶縁体層２１Ｂの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｃの表面には、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃが形成される。コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは、絶縁体層２１Ｃの表面の長さ方向を三等分し、一方の端面側の部分にコイル用導体パターン２３Ａが、中央部分にコイル用導体パターン２３Ｂが、他方の端面側の部分にコイル用導体パターン２３Ｃがそれぞれ形成される。この時、コイル用導体パターン２３Ａとコイル用導体パターン２３Ｃが一方の側面側に、コイル用導体パターン２３Ｂが他方の側面側に形成されることにより、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは絶縁体層２１Ｃの表面上で互いに斜めにずれた位置に配置される。
絶縁体層２１Ｄの表面には、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃが形成される。コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは、絶縁体層２１Ｄの表面を三等分し、コイル用導体パターン２３Ａ、コイル用導体パターン２３Ｂ、コイル用導体パターン２３Ｃの順序で、コイル用導体パターン２３Ａとコイル用導体パターン２３Ｃが一方の側面側に、コイル用導体パターン２３Ｂが他方の側面側に形成される。これによりコイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは、絶縁体層２１Ｄの表面上で互いに斜めにずれた位置に配置される。
絶縁体層２１Ｅの表面には、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃが形成される。コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃは、絶縁体層２１Ｅの表面上で互いに斜めにずれた位置に配置される様に形成される。コイル用導体パターン２３Ｂの一端は、絶縁体層２１Ｅの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｆの表面には、コイル用導体パターン２３Ａ、２３Ｃが形成される。コイル用導体パターン２３Ａとコイル用導体パターン２３Ｃは、絶縁体層２１Ｆの表面の中央部分を空けて、一方の端面側の部分にコイル用導体パターン２３Ａが、他方の端面側の部分にコイル用導体パターン２３Ｃがそれぞれ形成される。
この絶縁体層２１Ｂ〜２１Ｆのコイル用導体パターン２３Ａを螺旋状に接続することによりコイルＬ１が形成される。また、絶縁体層２１Ｂ〜２１Ｆのコイル用導体パターン２３Ｂを螺旋状に接続することによりコイルＬ３が形成される。さらに、絶縁体層２１Ｂ〜２１Ｆのコイル用導体パターン２３Ｃを螺旋状に接続することによりコイルＬ５が形成される。
絶縁体層２１Ｇの表面には、コンデンサ用導体パターン２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄは、絶縁体層２１Ｇの表面の中央部分を空けて、一方の端面側の部分にコンデンサ用導体パターン２４Ａ、２４Ｃが、他方の端面側の部分にコンデンサ用導体パターン２４Ｂ、２４Ｄがそれぞれ形成される。コンデンサ用導体パターン２４Ａの引出端とコンデンサ用導体パターン２４Ｂの引出端が同じ側面まで引き出される。また、コンデンサ用導体パターン２４Ｃの引出端とコンデンサ用導体パターン２４Ｄの引出端が同じ側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｈの表面には、コンデンサ用導体パターン２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃが形成される。コンデンサ用導体パターン２５Ａは、コンデンサ用導体パターン２４Ａとコンデンサ用導体パターン２４Ｃと対向するように形成され、絶縁体層２１Ｆのコイル用導体パターン２３Ａの他端と接続される。また、コンデンサ用導体パターン２５Ｃは、コンデンサ用導体パターン２４Ｂとコンデンサ用導体パターン２４Ｄと対向するように形成され、絶縁体層２１Ｆのコイル用導体パターン２３Ｃの他端と接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン２５Ａとコンデンサ用導体パターン２５Ｃの間にコンデンサ用導体パターン２５Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン２５Ｂの引出端は、絶縁体層２１Ｈの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｉの表面には、コンデンサ用導体パターン２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ、２６Ｄが形成される。コンデンサ用導体パターン２６Ａは、コンデンサ用導体パターン２５Ａと対向する様に形成される。また、コンデンサ用導体パターン２６Ｂは、コンデンサ用導体パターン２５Ｃと対向するように形成される。さらに、コンデンサ用導体パターン２６Ｃは、コンデンサ用導体パターン２５Ｂと対向する様に形成される。またさらに、コンデンサ用導体パターン２６Ｄは、コンデンサ用導体パターン２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃと対向する様に形成される。コンデンサ用導体パターン２６Ａの引出端、コンデンサ用導体パターン２６Ｂの引出端、コンデンサ用導体パターン２６Ｃの引出端は、同じ側面まで引き出される。この側面と対向する側面に、コンデンサ用導体パターン２６Ｄの引出端が引き出される。
絶縁体層２１Ｊの表面には、コイル用導体パターン２７Ａ、２７Ｂが形成される。コイル用導体パターン２７Ａは、絶縁体層２１Ｊの片側半面に形成され、一端が絶縁体層２１Ｆ上に形成されたコイル用導体パターンの２３Ａの他端に接続される。コイル用導体パターン２７Ｂは、絶縁体層２１Ｊの残りの反面に形成され、一端が絶縁体層２１Ｆ上に形成されたコイル用導体パターンの２３Ｃの他端に接続される。
絶縁体層２１Ｋの表面には、コイル用導体パターン２７Ａ、２７Ｂが形成される。コイル用導体パターン２７Ａとコイル用導体パターン２７Ｂは、コイル用導体パターン２７Ａが絶縁体層２１Ｋの片側半面に、コイル用導体パターン２７Ｂが絶縁体層２１Ｋの残りの半面にそれぞれ形成される。コイル用導体パターン２７Ａとコイル用導体パターン２７Ｂは、互いに接続され、共通接続端が絶縁体層２１Ｋの側面まで引き出される。この絶縁体層２１Ｊ、２１Ｋのコイル用導体パターン２７Ａを接続することによりコイルＬ２が形成される。また、絶縁体層２１Ｊ、２１Ｋのコイル用導体パターン２７Ｂを接続することによりコイルＬ４が形成される。
この絶縁体層２１Ｋ上には、絶縁体層２１Ｌが積層される。
この様に積層された積層体には、図３に示す様に積層体の側面に、入力端子３１、出力端子３２、３つのアース端子Ｇ、ダミー端子３３が形成される。そして、コンデンサ用導体パターン２４Ａ、２６Ａが入力端子３１に、コンデンサ用導体パターン２４Ｂ、２６Ｂが出力端子３２に、コイル用導体パターン２３Ｂ、コンデンサ用導体パターン２５Ｂ、コンデンサ用導体パターン２６Ｄ、コイル用導体パターン２７Ａと２７Ｂの共通端がダミー端子３３にそれぞれ接続される。また、アース電極２２、コイル用導体パターン２３Ｂ、コンデンサ用導体パターン２６Ｃがアース端子Ｇに、アース電極２２、コイル用導体パターン２３Ａ、コンデンサ用導体パターン２４Ｃが別のアース端子Ｇに、アース電極２２、コイル用導体パターン２３Ｃ、コンデンサ用導体パターン２４Ｄがさらに別のアース端子Ｇに接続される。
【００１０】
この様に形成された積層型バンドパスフィルタは、コイル用導体パターン２３ＡによってコイルＬ１が、コイル用導体パターン２７ＡによってコイルＬ２が、コイル用導体パターン２３ＢによってコイルＬ３が、コイル用導体パターン２７ＢによってコイルＬ４が、コイル用導体パターン２３ＣによってコイルＬ５がそれぞれ形成され、コンデンサ用導体パターン２４Ａと２５Ａ間の容量とコンデンサ用導体パターン２５Ａと２６Ａ間の容量によってコンデンサＣ６が、コンデンサ用導体パターン２４Ｂと２５Ｃ間の容量とコンデンサ用導体パターン２５Ｃと２６Ｂ間の容量によってコンデンサＣ７が、コンデンサ用導体パターン２４Ｃと２５Ａ間の容量によってコンデンサＣ１が、コンデンサ用導体パターン２４Ｄと２５Ｃ間の容量によってコンデンサＣ５が、コンデンサ用導体パターン２５Ｂと２６Ｃ間の容量によってコンデンサＣ３が、コンデンサ用導体パターン２６Ｄと２５Ａ間の容量によってコンデンサＣ２が、コンデンサ用導体パターン２６Ｄと２５Ｃ間の容量によってコンデンサＣ４がそれぞれ形成される。そして、ダミー端子３３によって、コイルＬ２とコイルＬ４の接続点と、コンデンサＣ２、Ｃ３、Ｃ４が接続される。
【００１１】
この様な積層型バンドパスフィルタは、絶縁体層の誘電率を２３、コイル用導体パターンの線幅を７５μｍ、素子全体の形状を２．５ｍｍ×２ｍｍ×１．２ｍｍとしたところ、図４に示す様に、通過帯域が４７０〜７７０ＭＨｚ、２００ＭＨｚよりも低い周波数の減衰量が２６．２ｄＢ以上、８６０ＭＨｚよりも高い周波数の減衰量が２２．６ｄＢ以上となった。なお、図４において、横軸は周波数、縦軸は減衰量をそれぞれ示し、４１に伝送特性、４２に反射特性をそれぞれ示している。
また、この時の挿入損失が２．６６ｄＢ、リターンロスが８．７９ｄＢとなった。この積層型バンドパスフィルタにおいて、コイルＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５間の磁気的結合を算出したところ、０．１以下にすることができた。
【００１２】
以上、本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例を述べたが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例えば、直列腕に３つ以上の並列共振回路が接続されてもよい。また、コイル用導体パターンは、特性に応じてターン数や形状を変えることができる。
【００１３】
【発明の効果】
以上述べた様に、本発明の積層型バンドパスフィルタは、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、直列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された複数の第１の並列共振回路を接続し、並列腕にコイルとコンデンサが並列に接続された第２の並列共振回路を接続したバンドパスフィルタが形成されると共に、バンドパスフィルタの入力側が第１のコンデンサを介して入力端子に接続され、バンドパスフィルタの出力側が第２のコンデンサを介して出力端子に接続されるので、コイル間の結合の結合の影響を受けることなく、入出力側のコンデンサによって通過帯域の低域側を、直列腕の並列共振回路によって通過帯域の高域側をそれぞれ減衰させることができる。
従って、本発明の積層型バンドパスフィルタは、通過帯域における−３ｄＢの帯域幅を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例の回路図である。
【図２】本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の積層型バンドパスフィルタの実施例を示す斜視図である。
【図４】本発明の積層型バンドパスフィルタの特性図である。
【図５】従来のバンドパスフィルタの回路図である。
【符号の説明】
１１ 入力端子
１２ 出力端子[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a laminated band-pass filter mainly used in the field of communication equipment, in which an insulator layer and a conductor pattern are laminated to form a band-pass filter in a laminate.
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 5, a resonance circuit 53 in which a coil L6 and a capacitor C8 are connected in parallel and a resonance circuit 54 in which a coil L7 and a capacitor C9 are connected in parallel are electromagnetically coupled to a conventional bandpass filter, as shown in FIG. In some cases, the circuit 53 is connected to the input terminal 51 via the capacitor C10, the resonance circuit 54 is connected to the output terminal 52 via the capacitor C11, and the capacitor C10 and the capacitor C11 are connected via the capacitor C12. Such a band-pass filter is composed of a SAW filter, a dielectric filter, and the like. Recently, a first insulator layer on which a ground electrode is formed, a second insulator layer on which a pair of electrodes are formed, and a third insulator on which an input electrode and an output electrode are formed are laminated. There is also a filter configured by a resonance-type laminated band-pass filter (for example, see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-8-46401
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, with this kind of bandpass filter, with the increase in the number of bands of communication equipment, a filter having a pass band of about 400 MHz to 800 MHz and a bandwidth of about -3 dB of about 300 MHz has been desired. .
However, since the band-pass filter configured as described above uses magnetic coupling and capacitive coupling, it has excellent selectivity. However, when the pass band is set to around 400 MHz to 800 MHz, the bandpass filter has a power of -3 dB. The bandwidth could only be extended to a few tens of MHz to about 150 MHz.
[0005]
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a multilayer bandpass filter capable of expanding a bandwidth of -3 dB in a pass band.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A multilayer bandpass filter according to the present invention is configured such that a plurality of first parallel resonance circuits each having a coil and a capacitor connected in parallel to a series arm are connected to a multilayer body in which an insulator layer and a conductor pattern are stacked, and a parallel arm is connected to the parallel arm. A band-pass filter is formed by connecting a second parallel resonance circuit in which a coil and a capacitor are connected in parallel, and the input side of the band-pass filter is connected to the input terminal via the first capacitor. The output side is connected to the output terminal via the second capacitor.
Further, in the multilayer bandpass filter of the present invention, two first parallel resonance circuits in which a coil and a capacitor are connected in parallel are connected in a multilayer body in which an insulator layer and a conductor pattern are stacked. Is connected to an input terminal via a first capacitor, the other first parallel resonant circuit is connected to an output terminal via a second capacitor, and the two first parallel resonant circuits are connected. A second parallel resonance circuit in which a coil and a capacitor are connected in parallel to a point, a connection point between the first parallel resonance circuit and the first capacitor, and a connection point between the first parallel resonance circuit and the second capacitor, respectively. A connected bandpass filter is formed. The coils of the first parallel resonance circuit are arranged side by side in the laminate. The coils of the second parallel resonance circuit are arranged side by side in the laminate. The coil of the first parallel resonance circuit and the coil of the second parallel resonance circuit are stacked via a capacitor in the stacking direction of the insulator layer and the conductor pattern.
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In the multilayer bandpass filter of the present invention, an insulator layer and a conductor pattern are stacked to form a bandpass filter in the multilayer body. In this bandpass filter, two first parallel resonance circuits each having a coil and a capacitor connected in parallel are connected in series, and one first parallel resonance circuit is connected to an input terminal via the first capacitor. The other first parallel resonance circuit is connected to an output terminal via a second capacitor, and a connection point between the two first parallel resonance circuits, a connection point between the first parallel resonance circuit and the first capacitor, and A second parallel resonance circuit in which a coil and a capacitor are connected in parallel is connected to a connection point between the first parallel resonance circuit and the second capacitor. At this time, the coils of the two first parallel resonance circuits connected between the input and output terminals are formed by arranging a pair of coil conductor patterns on the insulator layer, and the coil conductor patterns between the insulator layers are formed by respective coils. By connecting the sets, they are arranged side by side in the laminate. Also, the coils of the three second parallel resonance circuits connected to the parallel arms are formed on the insulator layer so that three coil conductor patterns are positioned obliquely shifted from each other on the plane thereof. By connecting the coil conductor patterns between layers in each set, they are arranged side by side in the laminate. Further, a capacitor is arranged between the coil of the first parallel resonance circuit and the coil of the second parallel resonance circuit by laminating an insulator layer and a conductor pattern for the capacitor.
Therefore, the multilayer bandpass filter of the present invention can attenuate the lower side of the pass band with the first capacitor and the second capacitor, and attenuate the higher side of the pass band with the first parallel resonance circuit. can do. Further, the distance between the coils of each parallel resonance circuit, particularly, the distance between the coil of the parallel resonance circuit of the series arm and the coil of the parallel resonance circuit of the parallel arm can be increased.
[0008]
【Example】
Hereinafter, a multilayer bandpass filter of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the multilayer bandpass filter of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view showing an embodiment of the multilayer bandpass filter of the present invention, and FIG. It is a perspective view showing an example.
In FIG. 1, 11 is an input terminal, and 12 is an output terminal.
A capacitor C6, a parallel resonance circuit 13 in which a coil L2 and a capacitor C2 are connected in parallel, a parallel resonance circuit 14 in which a coil L4 and a capacitor C4 are connected in parallel, and a capacitor C7 are provided between the input terminal 11 and the output terminal 12. They are connected in series in this order.
A parallel resonance circuit 15 in which the coil L1 and the capacitor C1 are connected in parallel is connected between the connection point between the capacitor C6 and the parallel resonance circuit 13 and the ground. A parallel resonance circuit 16 in which a coil L3 and a capacitor C3 are connected in parallel is connected between a connection point between the parallel resonance circuits 13 and 14 and the ground. Further, a parallel resonance circuit 17 in which a coil L5 and a capacitor C5 are connected in parallel is connected between a connection point between the parallel resonance circuit 14 and the capacitor C7 and the ground.
[0009]
A bandpass filter having such a circuit configuration is formed in a laminate by alternately laminating insulator layers and conductor patterns as shown in FIG.
A ground electrode 22 is formed on the surface of the insulator layer 21A. The ground electrode 22 is drawn out to the opposing side surface.
The coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C are formed on the surface of the insulator layer 21B. The coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C divide the length direction of the surface of the insulator layer 21B into three equal parts, and the coil conductor pattern 23A is provided on one end face side and the coil conductor pattern is provided on the other end face side. A conductor pattern 23C is formed at the center of the conductor pattern 23C. One end of each of the coil conductor pattern 23A, the coil conductor pattern 23B, and the coil conductor pattern 23C is extended to the side surface of the insulator layer 21B.
On the surface of the insulator layer 21C, coil conductor patterns 23A, 23B and 23C are formed. The coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C divide the length direction of the surface of the insulator layer 21C into three equal parts, and the coil conductor pattern 23A is provided at one end face side, and the coil conductor pattern 23B is provided at the center. A coil conductor pattern 23C is formed on the other end face side. At this time, the coil conductor pattern 23A and the coil conductor pattern 23C are formed on one side, and the coil conductor pattern 23B is formed on the other side. On the surface of layer 21C, they are arranged at positions obliquely shifted from each other.
The coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C are formed on the surface of the insulator layer 21D. The coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C divide the surface of the insulator layer 21D into three equal parts, and in the order of the coil conductor pattern 23A, the coil conductor pattern 23B, and the coil conductor pattern 23C, form the coil conductor pattern 23A. The coil conductor pattern 23C is formed on one side surface, and the coil conductor pattern 23B is formed on the other side surface. As a result, the coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C are arranged at positions obliquely shifted from each other on the surface of the insulator layer 21D.
On the surface of the insulator layer 21E, coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C are formed. The coil conductor patterns 23A, 23B, and 23C are formed so as to be arranged at positions obliquely shifted from each other on the surface of the insulator layer 21E. One end of the coil conductor pattern 23B is drawn out to the side surface of the insulator layer 21E.
The coil conductor patterns 23A and 23C are formed on the surface of the insulator layer 21F. The coil conductor pattern 23A and the coil conductor pattern 23C are spaced apart from each other at a central portion of the surface of the insulator layer 21F, and the coil conductor pattern 23A is disposed on one end surface side and the coil conductor pattern is disposed on the other end surface side. Patterns 23C are respectively formed.
The coil L1 is formed by spirally connecting the coil conductor patterns 23A of the insulator layers 21B to 21F. The coil L3 is formed by spirally connecting the coil conductor patterns 23B of the insulator layers 21B to 21F. Furthermore, the coil L5 is formed by spirally connecting the coil conductor patterns 23C of the insulator layers 21B to 21F.
The conductor patterns 24A, 24B, 24C, and 24D for capacitors are formed on the surface of the insulator layer 21G. The conductor patterns for capacitors 24A, 24B, 24C, and 24D have a center portion on the surface of the insulator layer 21G, and the conductor patterns for capacitors 24A and 24C are provided on one end face side and the capacitor is provided on the other end face side. Conductor patterns 24B and 24D are respectively formed. The leading end of the capacitor conductor pattern 24A and the leading end of the capacitor conductor pattern 24B are pulled out to the same side. The leading end of the capacitor conductor pattern 24C and the leading end of the capacitor conductor pattern 24D are pulled out to the same side.
The conductor patterns 25A, 25B, and 25C for capacitors are formed on the surface of the insulator layer 21H. The capacitor conductor pattern 25A is formed so as to face the capacitor conductor pattern 24A and the capacitor conductor pattern 24C, and is connected to the other end of the coil conductor pattern 23A of the insulator layer 21F. The capacitor conductor pattern 25C is formed so as to face the capacitor conductor pattern 24B and the capacitor conductor pattern 24D, and is connected to the other end of the coil conductor pattern 23C of the insulator layer 21F. Further, a capacitor conductor pattern 25B is formed between the capacitor conductor pattern 25A and the capacitor conductor pattern 25C. The leading end of the capacitor conductor pattern 25B extends to the side surface of the insulator layer 21H.
The conductor patterns 26A, 26B, 26C, and 26D for capacitors are formed on the surface of the insulator layer 21I. The capacitor conductor pattern 26A is formed so as to face the capacitor conductor pattern 25A. The capacitor conductor pattern 26B is formed so as to face the capacitor conductor pattern 25C. Further, the capacitor conductor pattern 26C is formed so as to face the capacitor conductor pattern 25B. Further, the capacitor conductor pattern 26D is formed so as to face the capacitor conductor patterns 25A, 25B, and 25C. The leading end of the capacitor conductive pattern 26A, the leading end of the capacitor conductive pattern 26B, and the leading end of the capacitor conductive pattern 26C are pulled out to the same side surface. The leading end of the capacitor conductor pattern 26D is drawn out to a side surface opposite to this side surface.
On the surface of the insulator layer 21J, coil conductor patterns 27A and 27B are formed. The coil conductor pattern 27A is formed on one half surface of the insulator layer 21J, and one end is connected to the other end of the coil conductor pattern 23A formed on the insulator layer 21F. The coil conductor pattern 27B is formed on the other side of the insulator layer 21J, and has one end connected to the other end of the coil conductor pattern 23C formed on the insulator layer 21F.
The conductor patterns 27A and 27B for coils are formed on the surface of the insulator layer 21K. In the coil conductor pattern 27A and the coil conductor pattern 27B, the coil conductor pattern 27A is formed on one half surface of the insulator layer 21K, and the coil conductor pattern 27B is formed on the other half surface of the insulator layer 21K. The coil conductor pattern 27A and the coil conductor pattern 27B are connected to each other, and the common connection end is drawn out to the side surface of the insulator layer 21K. The coil L2 is formed by connecting the coil conductor patterns 27A of the insulator layers 21J and 21K. The coil L4 is formed by connecting the coil conductor patterns 27B of the insulator layers 21J and 21K.
The insulator layer 21L is stacked on the insulator layer 21K.
In the laminated body thus laminated, an input terminal 31, an output terminal 32, three ground terminals G, and a dummy terminal 33 are formed on the side surface of the laminated body as shown in FIG. The conductor patterns 24A and 26A for the capacitor are connected to the input terminal 31, the conductor patterns 24B and 26B for the capacitor are connected to the output terminal 32, the conductor pattern 23B for the coil, the conductor pattern 25B for the capacitor, the conductor pattern 26D for the coil, and the conductor pattern for the coil. The common end of 27A and 27B is connected to the dummy terminal 33, respectively. The ground electrode 22, the coil conductor pattern 23B, and the capacitor conductor pattern 26C are connected to the ground terminal G. The ground electrode 22, the coil conductor pattern 23A, and the capacitor conductor pattern 24C are connected to another ground terminal G. The conductor pattern for coil 23C and the conductor pattern for capacitor 24D are connected to another ground terminal G.
[0010]
The laminated bandpass filter thus formed has a coil L1 formed by the coil conductor pattern 23A, a coil L2 formed by the coil conductor pattern 27A, a coil L3 formed by the coil conductor pattern 23B, and a coil L3 formed by the coil conductor pattern 27B. L4 is formed by the coil conductor pattern 23C to form the coil L5, and the capacitor C6 is formed between the capacitor conductor patterns 24B and 25C by the capacitance between the capacitor conductor patterns 24A and 25A and the capacitance between the capacitor conductor patterns 25A and 26A. And the capacitance between the capacitor conductor patterns 25C and 26B, the capacitance between the capacitor conductor patterns 24C and 25A, and the capacitance between the capacitor conductor patterns 24D and 25C. The capacitor C5 is formed by the capacitance between the capacitor conductor patterns 25B and 26C, the capacitor C2 is formed by the capacitance between the capacitor conductor patterns 26D and 25A, and the capacitor C4 is formed by the capacitance between the capacitor conductor patterns 26D and 25C. Is done. The connection point between the coil L2 and the coil L4 and the capacitors C2, C3, and C4 are connected by the dummy terminal 33.
[0011]
In such a laminated band-pass filter, the dielectric constant of the insulator layer was 23, the line width of the conductor pattern for the coil was 75 μm, and the shape of the entire device was 2.5 mm × 2 mm × 1.2 mm. As shown in the figure, the attenuation of the passband is 470 to 770 MHz, the attenuation of the frequency lower than 200 MHz is 26.2 dB or more, and the attenuation of the frequency higher than 860 MHz is 22.6 dB or more. In FIG. 4, the horizontal axis indicates frequency, and the vertical axis indicates attenuation, 41 indicates transmission characteristics, and 42 indicates reflection characteristics.
At this time, the insertion loss was 2.66 dB and the return loss was 8.79 dB. In this laminated bandpass filter, the magnetic coupling between the coils L1, L2, L3, L4, and L5 was calculated.
[0012]
Although the embodiments of the multilayer bandpass filter of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. For example, three or more parallel resonance circuits may be connected to the series arm. The number of turns and the shape of the coil conductor pattern can be changed according to the characteristics.
[0013]
【The invention's effect】
As described above, the multilayer bandpass filter of the present invention includes a plurality of first parallel resonance circuits each having a coil and a capacitor connected in parallel to a series arm in a multilayer body in which an insulator layer and a conductor pattern are stacked. A band-pass filter is formed by connecting a second parallel resonance circuit in which a coil and a capacitor are connected in parallel to the parallel arm, and the input side of the band-pass filter is connected to the input terminal via the first capacitor Since the output side of the band-pass filter is connected to the output terminal via the second capacitor, the low-pass side of the pass band is not affected by the coupling between the coils, The high frequency side of the pass band can be attenuated by the parallel resonance circuit of the series arm.
Therefore, the multilayer bandpass filter of the present invention can increase the bandwidth of -3 dB in the pass band.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a multilayer bandpass filter of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view showing an embodiment of the multilayer bandpass filter of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment of the multilayer bandpass filter of the present invention.
FIG. 4 is a characteristic diagram of the multilayer bandpass filter of the present invention.
FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional bandpass filter.
[Explanation of symbols]
11 input terminal 12 output terminal
