JP2004325766A - アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】図14に示すように、画素電極120の構成材料がマスキング油70の非塗布部分、即ち、透過部155を除いた領域に堆積することにより、拡散反射膜の役割を果たす画素電極120が形成される。透過部155だけにパターン塗布されていたマスキング油70の一部または全部が徐々にゆっくりと揮発する。
【選択図】 図14
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、外光反射および照明装置の照明光を利用して表示を行なう半透過反射型の表示装置に用いて好適なアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
表示デバイスの分野では、高表示品質の得られるアクティブマトリクス型の表示装置が広く用いられている。この表示装置では、多数の画素電極の一つ一つにスイッチング素子が設けられており、確実なスイッチングにより大型化,高精細化等の特性を容易に得ることができるようになっている。
【0003】
近年、消費電力の低減が強く要求されており、外光とバックライトからの照明光のいずれを光源としても、明るく鮮明に表示が可能な半透過反射型のアクティブマトリクス型表示装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−183892号公報
【0005】
このような半透過反射型のアクティブマトリクス型表示装置では、高反射率の金属材料から形成され、入射した外光を反射させる役割を果たす画素電極の一部に開口を形成し、この開口に照明装置からの光を透過させるITOなどの光透過性電極を形成することによって、外光とバックライトからの照明光のいずれを光源としても、明るく鮮明に表示を可能にしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の半透過反射型の表示装置では、その製造にあたって、金属薄膜の画素電極と光透過性電極とではフォトリソグラフィーによる加工の選択性に困難な点があり、画素電極と光透過性電極との接続点で断線の懸念がある。さらに、絶縁層の一部を掘り込むことによって、外光を利用した反射光、およびバックライト等の照明装置からの透過光との光路長を同じにする、いわゆるマルチギャップ構造では、段差による光透過性電極の断線等の懸念がある。
【0007】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、透過表示と反射表示のいずれの状態でも良好な表示状態が得られるマルチギャップ構造を実現した上で、加工が容易であり、画素電極と光透過性電極との接続点での断線を防止することが可能なアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明によれば、複数の走査線と、前記走査線に交差して設けられた複数の信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に通じるコンタクトホールが形成され前記走査線と信号線とスイッチング素子とを被覆する絶縁層と、前記絶縁層の一部に開けられた透過部と、前記透過部の底部に形成された光透過性電極と、前記絶縁層上に形成され前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子および光透過性電極に電気的に接続される画素電極とを有するアクティブマトリクス型表示装置を製造するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、前記光透過性電極を前記絶縁層の形成よりも前工程で形成し、前記透過部および前記光透過性電極をマスキング油で覆ってから前記絶縁層の上面に前記画素電極を蒸着形成するパターン蒸着によって前記画素電極を形成することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法が提供される。
【0009】
このようなアクティブマトリクス型表示装置の製造方法によれば、マスキング油で透過部を覆ってから絶縁層の上面に画素電極を蒸着形成するので、画素電極をエッチングしたりする必要が無く、製造工程を簡略化できると共に、画素電極と光透過性電極との断線のおそれを低減することができる。また、マスキング油で透過部を覆う際に、透過部の縦側面までマスキング油で覆われるので、画素電極が透過部の内部まで入り込んで形成されることがなく、電流のリークの発生などを抑えることができる。
【0010】
前記マスキング油は洗浄によって除去されればよい。また、前記マスキング油は前記透過部の形成位置に合わせて転写するのが好ましい。前記透過部は配向膜で埋められるようにしてもよい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面により、本発明の一実施形態としてのアクティブマトリクス表示装置の一例である半透過反射型液晶表示装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【0012】
図1に示すように、本実施形態の半透過反射型液晶表示装置1は、本体である液晶パネル100と、この液晶パネル100の下面に配された照明装置であるバックライト200とを備えて構成されている。液晶パネル100は、アクティブマトリクス基板110と、対向基板140と、基板110,140の間に保持される光変調層としての液晶層150とを備えて構成されている。
【0013】
アクティブマトリクス基板110は、図2に示すように、ガラスやプラスチック等からなる基板本体111上に、それぞれ行方向(x軸方向),列方向(y軸方向)にそれぞれ複数の走査線126,信号線125が電気的に絶縁されて形成され、各走査線126,信号線125の交差部近傍にTFT(スイッチング素子)130が形成されている。以下では、基板110上において、画素電極120が形成される領域,TFT130が形成される領域,走査線116及び信号線115が形成される領域を、それぞれ画素領域,素子領域,配線領域と呼ぶ。
【0014】
再び図1を参照して、本実施形態のTFT130は逆スタガ型の構造を有し、本体となる基板111の最下層部から順にゲート電極112,ゲート絶縁膜113,半導体層114,115,ソース電極116及びドレイン電極117が形成されている。すなわち、走査線126の一部が延出されてゲート電極112が形成され、これを覆ったゲート絶縁層113上にゲート電極112を平面視で跨るようにアイランド状の半導体層114が形成され、この半導体層114の両端側の一方に半導体層115を介してソース電極116が、他方に半導体層115を介してドレイン電極117が形成されている。
【0015】
基板111には、ガラスの他、ポリ塩化ビニル,ポリエステル,ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂類や天然樹脂等、バックライト200からの照明光を透過可能な光透過性の絶縁基板を用いることができる。
【0016】
ゲート電極112は、例えば、アルミニウム(Al),モリブデン(Mo),タングステン(W),タンタル(Ta),チタン(Ti),銅(Cu),クロム(Cr)等の金属或いはこれら金属を一種類以上含んだMo−W等の合金から構成されれば良く、図2に示すように、行方向に配設される走査線125と一体に形成されている。
【0017】
ゲート絶縁層113は、例えば、酸化シリコン(SiOx)や窒化シリコン(SiNy)等のシリコン系の絶縁膜からなり、図2に示す走査線126及びゲート電極112を覆うように基板111全面に形成されている。
【0018】
半導体層114は、不純物ドープの行なわれないアモルファスシリコン(a−Si)等からなるi型の半導体層であり、ゲート絶縁層113を介してゲート電極112と対向する領域がチャネル領域として構成される。ソース電極116及びドレイン電極117は、例えば、Al,Mo,W,Ta,Ti,Cu,Cr等の金属及びこれら金属を一種類以上含んだ合金から形成されればよく、i型半導体層114上に、チャネル領域を挟むように対向して形成されている。また、ソース電極116は列方向に配設される信号線125から延出されて形成されている。
【0019】
なお、i型半導体層114とソース電極116及びドレイン電極117との間で良好なオーミック接触を得るために、i型半導体層114と各電極116,117との間には、例えばリン(P)等のV族元素を高濃度にドープしたn型半導体層115が設けられている。
【0020】
また、基板111上には絶縁層118,119が積層され、更にこの絶縁層119上の、後述する光透過領域122以外の領域にAlやAg等の高反射率の金属材料からなる画素電極(拡散反射電極)120が形成されている。
【0021】
画素電極120は、有機絶縁層119上にマトリクス状に複数形成され、例えば走査線126と信号線125とによって区画された領域に対応させて一つずつ設けられている。そして、この画素電極120は、その端辺が走査線126及び信号線125に沿うように配されており、TFT130及び走査線126,信号線125を除く基板111のほぼ全ての領域を画素領域とするようになっている。
【0022】
絶縁層は窒化シリコン(SiN)等のシリコン系絶縁膜からなる無機絶縁層118と、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテンポリマ(BCB)等からなる有機絶縁層119との二層構造となっており、TFT130の保護機能を強化するようになっている。この有機絶縁層119は基板111上に比較的厚く積層され、画素電極120とTFT130及び配線126,125との絶縁を確実にし、画素電極120との間に大きな寄生容量が発生するのを防止するとともに、厚膜の有機絶縁層119によりTFT130や配線126,125によって形成された基板111の段差構造が平坦化されるようになっている。
【0023】
絶縁層118,119には、バックライト200からの照明光を透過させるための透過部155が形成されている。透過部155は、例えば30〜60μm×20〜40μm程度の大きさの矩形に形成され、内部を後述する配向膜123で埋められる。そして、この透過部155の形成位置にあたる基板111上には、光透過性電極151が形成されている。光透過性電極151は透明な導電体、例えばITOを積層してなり、厚みが例えば0.05〜0.3μm程度に形成されている。このような、透過部155および光透過性電極151によって、バックライト200からの照明光を透過させる光透過領域122が形成される。
【0024】
絶縁層118,119にはドレイン電極117および光透過性電極151に通じるコンタクトホール121が形成されており、これらのコンタクトホール121を埋めるように形成された導電部120aを介して、絶縁層119上に形成された画素電極120と、絶縁層118の下層に配されたドレイン電極117および光透過性電極151とが電気的に接続されている。なお、このようなコンタクトホール121は、1画素あたり任意の数を形成しても構わない。
【0025】
有機絶縁層119の表面には画素領域に対応する位置に、表面に微細な凹凸が形成された転写型を有機絶縁層119表面に圧着するなどして形成された複数の微細な凹部119gが設けられている。この有機絶縁層119表面に形成された凹部119gは、図3(A)および図3(B)に示すように画素電極120に所定の表面形状(凹部120g)を付与し、画素電極120に形成された凹部120gによって、液晶パネル100に入射した光は一部散乱され、より広い観察範囲でより明るい表示が得られるようになっている。
【0026】
図4に示すように、この凹部120gの内面は球面形状に形成され、画素電極120に所定角度(例えば30°)で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として略対称となるようになっている。具体的には、凹部120gの内面の傾斜角θgは−18°〜+18°の範囲に設定されている。また、隣接する凹部120gのピッチはランダムとなるように配置されており、凹部120gの配列に起因するモアレの発生を防止できるようになっている。
【0027】
なお、製造の容易性から凹部120gの直径は5μm〜100μmに設定されている。さらに、凹部120gの深さは0.1μm〜3μmの範囲に構成されている。これは、凹部120gの深さが0.1μmに満たない場合には反射光の拡散効果を十分得ることができず、又、深さが3μmを超える場合には上記内面の傾斜角の条件を満たすために凹部120gのピッチを広げなければならず、モアレを発生させる虞があるためである。
【0028】
ここで、「凹部120gの深さ」とは凹部120gが形成されていない部分の画素電極120の表面から凹部120gの底部までの距離をいい、「隣接する凹部120gのピッチ」とは平面視したときに円形形状を有する凹部120gの中心間距離をいう。また、「凹部120gの内面の傾斜角」とは、図4に示すように、凹部120gの内面の任意の箇所において0.5μm幅の微小な範囲をとったときに、その微小範囲内における斜面の水平面(基板111の表面)に対する角度θgのことである。この角度θgの正負は、凹部120gが形成されていない部分の画素電極120の表面に立てた法線に対して、例えば図4における右側の斜面を正、左側の斜面を負と定義する。
【0029】
図5は、上述のように構成された画素電極120の反射特性と示す図であり、基板表面Sに対して入射角30°で外光を照射し、視角を、基板表面Sに対する正反射の方向である30°の位置を中心として、基板表面Sの法線方向に対して0°の位置(垂線位置)から60°の位置まで振ったときの受光角θと明るさ(反射率)との関係を示している。本実施形態の画素電極120では、反射光は、正反射方向である反射角度30°の位置を中心として±10°の範囲で略一定となっており、この範囲において均一な明るい表示を得ることができるようになっている。
【0030】
再び図1を参照して、基板111上には、更に画素電極120及び有機絶縁層119を覆うようにラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなる配向膜123が形成されている。
【0031】
一方、対向基板140はカラーフィルタアレイ基板として構成され、ガラスやプラスチック等からなる透光性の基板本体141の下面に、カラーフィルタ層142が形成されている。カラーフィルタ層142は、図6に示すように、それぞれ赤(R),緑(G),青(B)の波長の光を透過するカラーフィルタ142R,142G,142Bが周期的に配列された構成となっており、各カラーフィルタ142R,142G,142Bは各画素電極120に対向する位置に設けられている。
【0032】
また、上記カラーフィルタ層142において、カラーフィルタ142R,142G,142Bが形成されていない領域には、遮光層142Sが形成されている。この遮光層142Sは、図2に示すように、平面視で、コンタクトホール121,122の配置される画素電極120の上端部を覆うようにストライプ状に形成されており、コンタクトホール121,122の導電層120aで散乱された光を遮光するようになっている。
【0033】
カラーフィルタ層142の下層には、ITOやIZO等の透明な対向電極(共通電極)143が形成され、更に、基板140の少なくとも表示領域に対応する位置に、所定の配向処理が施されたポリイミド等からなる配向膜144が形成されている。そして、上述のように構成された基板110,140は、スペーサ(図示略)によって互いに一定に離間された状態で保持されるとともに、基板周辺部に矩形枠状に塗布された熱硬化性のシール材(図示略)によって接着されている。そして、基板110,140及びシール材によって密閉された空間に液晶が封入されて光変調層としての液晶層150が形成され、液晶パネル100が構成されている。
【0034】
以上のような構成の反射型液晶表示装置を構成する液晶パネルの製造方法について、画素電極(拡散反射電極)の成膜工程を中心に詳細に説明する。まず、図7に示すように、基板本体111上に、ゲート電極112や光透過性電極151を形成し、更に半導体層114やソース電極116を積層した後、これらを覆う有機絶縁層119を積層する。このような有機絶縁層119は、例えば1〜3μm程度で積層されればよい。そして、有機絶縁層119のうち、光透過性電極151が形成されている領域を、例えばフォトリソグラフィーなどの手法によってエッチングして、開口型の透過部155を形成する。こうして、液晶パネルの製造中間体である被加工パネル162が形成される。
【0035】
本発明の製造方法は、加熱型押し法によって予め多数の凹部を形成した被加工パネル162を基板として、この被加工パネル162の凹部形成面に画素電極120を形成するというものである。
【0036】
そこで最初に、加熱型押し法によって、被加工パネル162の有機絶縁層119上面に多数の微細な凹部119gを形成する加熱型押し工程について説明する。この加熱型押し工程は、表面に凹凸形状が形成されてなる略円柱状の母型と、母型に組み込まれた加熱ヒータとを用意し、加熱ヒータにより母型を加熱した状態で、母型を加工前の被加工パネル162の有機絶縁層119上面に押圧しながら回転させることにより、有機絶縁層119上面に前記母型の凹凸形状を加熱型押しして凹部119gを得るという工程である。
【0037】
即ち、この工程ではまず図8Aに示すように、上述した構成の被加工パネル162を用意する。この被加工パネル162の有機絶縁層119に対して以下に説明する方法で凹部119gを形成することにより被加熱型押し樹脂板が得られる。有機絶縁層119は、例えばガラス転移温度が100℃以上250℃以下、好ましくは130℃〜210℃の範囲の樹脂からなるものであり、具体的にはポリカーボネート等の熱可塑性樹脂からなる。この有機絶縁層119の厚さは、形成しようとする凹部の深さによるが、例えば5μm以上200μm以下の範囲である。
【0038】
また、図8Bに示すように、被加工パネル162に凹部119gを形成するための母型45を用意する。この母型45は、その周面の加工領域46に微細な凸部が多数形成された領域を有する円柱状の部材であり、型押しロール47と、型押しロール47の周面に巻き付けられた、例えばNiからなる電鋳型48と、型押しロール47の軸中心部に配置された棒状の加熱ヒータ49とから構成されている。電鋳型48の表面が前述の加工領域46であって微細な凸部が形成されている。この凸部の形状は、有機絶縁層119の凹部119gの形状に対応したものとなっている。また、加熱ヒータ49によって電鋳型48の表面(加工領域46)を加熱できるようになっている。
【0039】
次に、図9に示すように、図8に示す母型45の表面形状を被加工パネル162の有機絶縁層119に型押し転写する工程を行う。この工程において、母型45は、受側シリコンゴムローラ50と軸平行に垂直に配置されている。そして、母型45と受側シリコンゴムローラ50との間に、被加工パネル162が通過できるようになっている。母型45と被型押し材35の間には、母型45の滑りを防止するために回転/移動を同期するための手段を設けることもできる。
【0040】
上記構成の図9Aに示す工程では、母型45及び受側シリコンゴムローラ50を回転させるとともに、加熱ヒータ49によって母型45の表面温度を、例えば200℃前後に保った状態で、母型45と受側シリコンゴムローラ50との間に被加工パネル162を挿入して被加工パネル162を図示右方向へ移動させる。そして、有機絶縁層119の表面に母型45の表面を押し当てて、母型45の表面形状を有機絶縁層119の表面に転写することにより、有機絶縁層119の表面に多数の凹部119gを形成する。
【0041】
被加工パネル162が加熱状態の母型45に押し当てられると、有機絶縁層119の温度が上昇して軟化するので、母型45の形状を有機絶縁層119に容易に型押し転写できる。母型45を通過した被加工パネル162は、周囲の雰囲気により急速に冷却されて硬化し、凹部119gの形状が保持される。以上の工程により、図10に示すように、有機絶縁層119の表面に母型45と逆凹凸の凹部119gを形成した被加工パネル162が得られる。
【0042】
被加工パネル162の有機絶縁層119に凹部119gを形成する際の、母型45表面の温度は、ガラス転移温度以上ガラス転移温度よりも10〜20℃高い温度以下、より具体的には105℃以上215℃以下の範囲が好ましく、195℃以上215℃以下の範囲がより好ましい。母型45表面の温度がガラス転移温度未満であると、有機絶縁層119の軟化が不十分となり、凹部119gの転写率が低下するので好ましくなく、一方、温度がガラス転移温度よりも10〜20℃高い温度より超えると、有機絶縁層119が軟化し過ぎて凹部119gの形状が崩れてしまうので好ましくない。
【0043】
また、被加工パネル162の送り速度は、例えば0.3m/分以上0.5m/分以下の範囲が好ましく、0.35m/分以上0.4m/分の範囲がより好ましい。送り速度が0.3m/分未満であると、被加工パネル162と母型45との接触時間が長くなり、被加工パネル162に過剰の熱が加わって有機絶縁層119が軟化しすぎてしまうとともに、加熱型押し工程に長時間を要して生産効率が低下してしまうので好ましくない。また、送り速度が0.5m/分を超えると、被加工パネル162と母型45との接触時間が短くなり、有機絶縁層119の加熱が不十分となって有機絶縁層119が充分に軟化せず、凹部119gの転写率が低下してしまうので好ましくない。
【0044】
次に、有機絶縁層119に凹部119gを形成した得られた被加工パネル162に画素電極120を形成する工程について説明する。この画素電極形成工程は、有機絶縁層119に形成された透過部155にマスキング油を転写ないし印刷によりパターン塗布した後、このマスキング油の非塗布部分に画素電極の構成材料を減圧雰囲気下で蒸着し、透過部155以外の領域に画素電極120を得るという工程である。
【0045】
図11には、画素電極形成工程において好適に用いられる画素電極形成装置の模式図を示す。図11に示す画素電極形成装置60は、塗布工程室60aと蒸着室60bとを具備してなり、塗布工程室60aと蒸着室60bの間は、一部に窓部60cが設けられた隔壁60dによって区画されている。圧力は真空ポンプ60eによって10−3Pa〜10−5Pa程度に調整されている。
【0046】
塗布工程室60a内にはオフセット印刷機64が備えられる。オフセット印刷機64は、マスキング油を貯蔵するとともにこれを噴霧する噴霧器64aと、噴霧器64aの上側に配置された回転駆動するオフセットロール64bと、オフセットロールに接触してオフセットロール64bにより回転駆動される転写ロール64cとから構成されている。
【0047】
このオフセット印刷機64は、図12に示すように、噴霧器64aにより噴霧されたマスキング油70がオフセットロール64b表面に付着され、次に付着されたマスキング油70がオフセットロール64bから転写ロール64cに転写され、最終的にマスキング油70が転写ロール64cによって被加工パネル162の有機絶縁層119に形成された透過部155にパターン塗布されるように構成されている。即ち、オフセットロール64b表面には有機絶縁層119に形成された透過部155に対応する印刷版64dが備えられており、マスキング油70が印刷版64dの図示略の画線部にパターン塗布され、このパターン塗布されたマスキング油70が転写ロール64cを介して最終的に被加工パネル162の有機絶縁層119に形成された透過部155に塗布されるように構成されている。
【0048】
また、蒸着室60b内には、画素電極120の構成材料が充填された蒸着源69が設置されている。蒸着源69は、被加工パネル162を介して冷却ロール65と対向するように配置されている。
【0049】
次に、画素電極形成装置60による画素電極120の形成方法を説明する。まず図11の矢印方向に被加工パネル162を固定した搬送コンベア167を案内させてオフセット印刷機60の転写ローラ64cに導く。転写ローラ64cには図12に示すように、所定のパターンでマスキング油70が付着しており、このマスキング油70を被加工パネル162に転写させる。これによって、図13に示すように、被加工パネル162の有機絶縁層119に形成された透過部155だけにマスキング油70が塗布される。
【0050】
再び図11を参照して、マスキング油70が有機絶縁層119の透過部155だけに塗布された被加工パネル162を固定した搬送コンベア167を冷却ロール65に導く。冷却ロール65の下方には画素電極120の構成材料が充填された蒸着源69が配置されており、蒸着源69により画素電極120の構成材料を加熱するとともに蒸着室60bを減圧雰囲気に導いて画素電極120の構成材料の蒸気を発生させ、この蒸気を被加工パネル162の有機絶縁層119に蒸着させる。被加工パネル162が冷却ロール65によって冷却されているので、画素電極120の構成材料の蒸気が被加工パネル162に接触すると直ちに蒸着する。
【0051】
また、被加工パネル162が減圧状態の蒸着室60bに曝されるため、透過部155だけにパターン塗布されていたマスキング油70の一部または全部が徐々にゆっくりと揮発する。図14に示すように、画素電極120の構成材料がマスキング油70の非塗布部分、即ち、有機絶縁層119に形成された透過部155を除いた領域に堆積することにより、拡散反射膜の役割を果たす画素電極120が形成される。画素電極120は、表面に微細な凹部119aが形成された有機絶縁層119上に蒸着されることによって、画素電極120の表面には凹部119aに倣った凹部120aが多数形成される。こうした微細な凹部120aは、画素電極120に入射した光を液晶層150に向けてムラ無く拡散反射させる役割を果たす。
【0052】
一方、マスキング油70の塗布部分、即ち、透過部155からはマスキング油70の蒸気が発生し、この蒸気が飛来して来る画素電極120の構成材料の蒸着粒子に衝突する。従って、透過部155内には画素電極120が形成されることがない。このため、マスキング油70の非塗布部分、即ち、有機絶縁層119に形成された透過部155を除いた領域にのみ画素電極120が形成される。
【0053】
そして、画素電極120の構成材料の蒸着の際にマスキング油70が全て蒸発した場合は、被加工パネル162をそのまま取り出す。また、マスキング油70の一部のみ蒸発して残部が残った場合は、適当な洗浄液を用いて残部を洗浄除去すればよい。この後、被加工パネル162の上層には、画素電極120および透過部155を覆うように配向膜123が形成される。そして、配向膜123の上面に液晶層150から対向基板140に至る各層が形成されて、反射型液晶表示装置1が完成する。
【0054】
本発明の製造方法で用いられるマスキング油70としては、両端がF基、CF3 基、CF3 O基またはC2 F5 基で安定化され、繰返し単位が下式(I)〜(III)示される構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルの夫々単独またはそれらの中の2種以上の混合物が例示される。
【0055】
式(I):−(−C3 F6 O−)n−
式(II):−(−C3 F6 O−)n−(−CF2 O−)m−
式(III):−(−C2 F4 O−)n−(−CF2 O−)m−
ただし、n,mは、パーフロロアルキルポリエーテル全体として1000〜15000の平均分子量を与える平均繰り返し単位数を示す。
【0056】
なお、式(II)、(III)中のn:mは、例えば約30〜40:1というように、前者がかなり大であるのが通常である。繰返し単位−(−C3 F6 O−)n −は、直鎖構造または分岐構造の何れであってもよい。
【0057】
上記のパーフロロアルキルポリエーテルには平均分子量が1000〜15000のものが用いられるが、特に1500〜10000の範囲のものが好ましく用いられる。分子量が1000未満のものは、蒸気圧が高く真空蒸着中の蒸発損失が大きい。また、パーフロロアルキルポリエーテルは有機絶縁層119に対するパターン塗布に適した粘度を有する必要があり、15000を超えるものは、塗布のために高温への加熱が必要となり、有機絶縁層119ヘの塗布時に変形を招くため好ましくない。
【0058】
画素電極120としては、Alの他に、Ag等の金属が好ましく用いられる。また、オフセット印刷装置64に代えて、各種転写手段あるいは印刷手段を用いることができ、更にマスキング油70を有機絶縁層119向けてインクジェット法等により直接噴霧してパターン塗布する噴霧手段を用いることもできる。
【0059】
なお、透過部155に適量のマスキング油70が均一に塗布されるように、有機絶縁層119ヘ直接接触する転写ロール63に先立って、オフセットロール64bに先ずマスキング油70を付着させるのが好ましい。オフセットロール64bへのオイルの付着は塗布、浸漬、蒸発ないし噴霧の各方法が採られる。
【0060】
なお、有機絶縁層119への画素電極120の形成にあたっては、上述した各項目以外にも、例えば、特許第2805473号公報に記載の各材料を用いて、特開平6−136513号公報に記載の方法で成膜することができる。
【0061】
上記のアクティブマトリクス型表示装置によれば、マスキング油70で透過部155を覆ってから有機絶縁層119へ画素電極120を形成するので、画素電極120をエッチングしたりする必要が無く、製造工程を簡略化できると共に、画素電極120と光透過性電極151との断線のおそれを低減することができる。また、マスキング油70で透過部155を覆う際には、透過部155の縦側面までマスキング油70で覆われるので、画素電極120が透過部155の内部まで入り込んで形成されることがなく、電流のリークの発生などを抑えることができる。
【0062】
なお、上述した実施形態の凹部の形状を断面略楕円形にしてもよい。図15は本変形例に係る液晶パネルにおける1つの凹部を示す斜視図、図16は凹部をy軸に平行な面で切ったY断面図、図17はその反射特性を示す図である。本変形例に係るアクティブマトリクス型表示装置は、上記実施形態の液晶パネル100における画素電極120の凹部120gの内面形状を変形したものであり、画素電極120に所定角度(例えば30°)で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として非対称となるように構成されている。
【0063】
具体的には、本凹部120gは曲率の小さい第1曲面と曲率の大きい第2曲面とから構成され、第1曲面及び第2曲面はそれぞれ図11に示すY断面において、凹部120gの一方の周辺部S1から最深点Dに至る第1曲線Aと、第1曲線Aになだらかに連続して凹部120gの最深点Dから他方の周辺部S2に至る第2曲線Bとで示される形状を有している。
【0064】
この最深点Dは凹部120gの中心Oからy方向側にずれた位置にあり、基板111の水平面に対する第1曲線Aの傾斜角及び第2曲線Bの傾斜角の絶対値の平均値はそれぞれ1°〜89°,0.5°〜88°の各範囲で不規則にばらついて設定され、第1曲線Aの傾斜角の平均値は第2曲線Bのものに比べて大きくなっている。また、最大傾斜角を示す第1曲線Aの周辺部S1における傾斜角δaは、各凹部120gにおいて概ね4°〜35°の範囲内で不規則にばらついている。これにより、各凹部120gの深さdは0.25μm〜3μmの範囲内で不規則にばらついて構成されている。
【0065】
図17は、上述のように構成された画素電極120の反射特性を示す図であり、基板表面Sに対して上記y方向側から入射角30°で外光を照射し、視角を、基板表面Sに対する正反射の方向である30°の位置を中心として、基板表面Sの法線方向に対して0°の位置(垂線位置)から60°の位置まで振ったときの受光角θと明るさ(反射率)との関係を示している。なお、図12では、比較のために、上記実施形態で用いた球面状の凹部120gを有する画素電極120における受光角と反射率との関係(図6参照)を点線で併記している。
【0066】
図17に示すように、本変形例の画素電極120では、y方向側から30°の角度で液晶パネルに入射した光の反射光は、正反射方向である反射角度30°よりも小さい角度(20°付近)において上記第1実施形態のものよりも輝度が大きくなり、逆に反射角度30°よりも大きい角度(40°付近)において上記第1実施形態のものよりも輝度が小さくなっている。つまり、凹部120gの最深点Dが凹部120gの中心Oからy方向側にずれているため、第2曲面で反射される光の割合が第1曲面で反射されるものよりも大きくなり、y方向側の反射表示がより明るくなっている。
【0067】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法によれば、マスキング油で透過部を覆ってから絶縁層の上面に画素電極を蒸着形成するので、画素電極をエッチングしたりする必要が無く、製造工程を簡略化できると共に、画素電極と光透過性電極との断線のおそれを低減することができる。また、マスキング油で透過部を覆う際に、透過部の縦側面までマスキング油で覆われるので、画素電極が透過部の内部まで入り込んで形成されることがなく、電流のリークの発生などを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、アクティブマトリクス型表示装置の構造を示す部分拡大断面である。
【図2】図2は、アクティブマトリクス型表示装置を構成する液晶パネルの拡大平面図である。
【図3】図3は、図1に示す画素電極の拡大斜視図である。
【図4】図4は、画素電極に形成された凹部の内面形状を示す断面図である。
【図5】図5は、画素の反射特性例を示すグラフである。
【図6】図6は、アクティブマトリクス型表示装置を構成する液晶パネルの平面図であり、対向基板をフロントライトの側から見た状態を示す図である。
【図7】図7は、本発明の製造方法を示す部分拡大断面図である。
【図8】図8は、絶縁膜に凹部を形成する工程を示す説明図である。
【図9】図9は、絶縁膜に凹部を形成する工程を示す断面図である。
【図10】図10は、本発明の製造方法を示す部分拡大断面図である。
【図11】図11は、画素電極形成工程において好適に用いられる画素電極形成装置の模式図。
【図12】図12は、絶縁層にマスキング油をパターン形成する工程を示す平面図である。
【図13】図13は、本発明の製造方法を示す部分拡大断面図である。
【図14】図14は、本発明の製造方法を示す部分拡大断面図である。
【図15】図15は、本発明の他の実施形態を示す部分拡大斜視図である。
【図16】図16は、本発明の他の実施形態を示す部分拡大断面図である。
【図17】図17は、本発明の他の実施形態における画素の反射特性例を示すグラフである。
【符号の説明】
1 半透過反射型液晶表示装置(アクティブマトリクス型表示装置)
70 マスキング油
118 絶縁層
119 有機絶縁層(絶縁層)
120 画素電極(反射膜)
121 コンタクトホール
125 信号線
126 走査線
130 TFT(スイッチング素子)
151 光透過性電極
155 透過部
Claims (4)
- 複数の走査線と、前記走査線に交差して設けられた複数の信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に通じるコンタクトホールが形成され前記走査線と信号線とスイッチング素子とを被覆する絶縁層と、前記絶縁層の一部に開けられた透過部と、前記透過部の底部に形成された光透過性電極と、前記絶縁層上に形成され前記コンタクトホールを介して前記スイッチング素子および光透過性電極に電気的に接続される画素電極とを有するアクティブマトリクス型表示装置を製造するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法であって、
前記光透過性電極を前記絶縁層の形成よりも前工程で形成し、前記透過部および前記光透過性電極をマスキング油で覆ってから前記絶縁層の上面に前記画素電極を蒸着形成するパターン蒸着によって前記画素電極を形成することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。 - 前記マスキング油は洗浄によって除去されることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
- 前記マスキング油は前記透過部の形成位置に合わせて転写することを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
- 前記透過部は配向膜で埋められることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
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JP2003120036A JP2004325766A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
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-
2003
- 2003-04-24 JP JP2003120036A patent/JP2004325766A/ja active Pending
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