JP2004309807A - 積層光導波路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】積層光導波路は、シリコン基板1上に、下部クラッド層2、下部コア21、中間クラッド層4、上部コア22、上部クラッド層6を積層して構成されている。そして、上下のコア21,22により、光結合直線部7を有する層間光方向性結合器が構成されている。光結合直線部7において、コア21,22の高さは等しく、下部コア21の幅は上部コア22の幅よりも狭くしている。これによりTM偏波であってもTM偏波であっても、同様な結合率となる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度集積を可能にする積層光導波路に係り、上下導波路層(上下コア)の偏波依存性の違いを解消すると共に、層間光方向性結合器に適用した場合に結合率の偏波依存性を低減できるように工夫したものである。
【0002】
【従来の技術】
光通信技術の急速な発達により、各種光部品が研究開発されているが、中でも平面基板上の光導波路を基本とした導波路型光部品が最も重要な位置を占めている。これは、導波路型光部品がフォトリソグラフィ技術および微細加工技術により光波長以下の精度で再現性良く量産可能という特徴を有するからである。
【0003】
しかしながら、これらの導波路型光部品の規模は通信システムの規模に比べて小さく、多数の部品を組み合わせてシステムを実現する必要がある。例えば、実用化が進みつつある256の入力線と256の出力線を任意の組み合わせで実現するクロスコネクトシステムでは、8×8マトリックススイッチを用いた場合でも、1000個以上ものモジュールが必要となる。したがって、個々の光部品の大規模化が切望されている。
【0004】
光回路の規模を大きくするには、回路基板のサイズを大きくして集積する方法や、回路を構成する要素素子を小型化して集積度を高める方法が挙げられる。チップサイズを大きくするには導波路作製装置の大型化が必要であり、その開発には多くの時間が必要であり短時間での対応は困難である。また、チップサイズの大型化はそのチップを搭載したモジュールサイズの大型化を招くが、モジュールに搭載可能な基板には規定の大きさがあり、チップサイズを無限に大型化することはできない。
【0005】
一方、要素素子を小型化するためには、光導波路におけるコアとその周囲のクラッドの比屈折率差を大きくすることで、コア中の光の閉じ込め効果を強くして導波路の曲げ半径を小さくすることが有効である。しかしながら、比屈折率差を大きくするに従って、同じ量の作製誤差に対する光路長の誤差も大きくなる。比屈折率差が変わっても幾何的な作製精度は同じであるから、光の干渉によりその制御を行う導波路型光部品においては比屈折率差が大きくなるほど、光の干渉状態を大きく狂わせてしまい、部品の性能低下を招いてしまう。そのため、比屈折率差を大きくし、集積度を高める方式にも限界がある。
【0006】
集積度を上げるもうひとつの方法として、基板と垂直な方向に複数の光導波路構造を多層に形成し、回路を基板に対して垂直に積み上げていく積層回路構造がある。積層回路構造を用いる場合、上下層の異なる導波路で光の受け渡しを行う層間光方向性結合器の実現が不可欠である。層間光方向性結合器の例として、発明者らによる報告(第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集(2001.9.愛知工業大学)、P900、講演番号:12p−Y−6、“研磨を用いた石英系PLCの積層化”鈴木他)がある(図8参照)。
【0007】
この報告によれば、下部クラッド、中間クラッド、上部クラッド、下部コアおよび上部コアを火炎堆積法(FHD法)により成膜し、中間クラッド層堆積直後に、中間クラッド層表面を研磨することで層間光方向性結合器を作製できることが示されている。
【0008】
図8においては、シリコン基板1上に下部クラッド層2、下部コア3、中間クラッド層4、上部コア5、上部クラッド層6を有し、光結合直線部7において一定のギャップ8を有する層間光方向性結合器が示されている。
【0009】
なお理解を容易にするため、図8の層間光方向性結合器の上面図を図9に、図9の位置AA−AA’、BB−BB’、CC−CC’における断面図を図10(a)(b)(c)にそれぞれ示す。
【0010】
図11は、前記報告において示された層間光方向性結合器の結合特性である。図11において横軸は光結合直線部7の長さ、縦軸はTE,TM両偏波に対する結合率である。上部コア5、下部コア3ともに比屈折率差0.75%の導波路で構成され、そのサイズ(断面の縦寸法及び横寸法)は6μm×6μm、上下コア間のギャップ8は3μmであった。この報告の層間光方向性結合器では、TE偏波に対しては、光結合直線部7の長さが1400μmでほぼ100%の結合が得られているのに対し、TM偏波に対しては、最大でも70%程度の結合しか得られていない。
【0011】
【非特許文献1】
第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集(2001.9.愛知工業大学)、P900、講演番号:12p−Y−6、“研磨を用いた石英系PLCの積層化”
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように従来の積層光導波路(層間光方向性結合器)は、TE偏波に対してはほぼ100%の結合率が得られているものの、TM偏波に対しては高々70%程度の結合率しか得られていなかった。
【0013】
一般に、石英系光導波路では、その成膜工程において高温の熱処理を必要とする。この工程は、導波路コアに対して基板水平方向の圧縮応力を誘起するが、積層光導波路においては、上部コアおよび下部コアのシリコン基板からの距離が異なるため、その圧縮応力も上部コア、下部コアで異なる。一般に、光導波路の伝搬定数は偏波方向と垂直な応力成分が大きく影響する。したがって、この基板水平方向の応力の違いはTM偏波に対して、上下コア間での伝搬定数の不整合を生み、層間光方向性結合器においてはTM偏波に対して非対称方向性結合器を生み出し、その偏波依存性を誘起する。
【0014】
本発明は、光通信用デバイスである積層光導波路の上下導波路層間での偏波依存性の差を低減し、且つ、上下導波路各層での偏波依存性を低減する、積層光導波路を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を簡単に説明すれば次の通りである。
基板上に、下部クラッド層、下部コア、中間クラッド層、上部コア、上部クラッド層を順次積層してなる積層光導波路であって、下部コア断面の高さをHl、下部コア断面の幅をWl、上部コア断面の高さをHu、上部コア断面の幅をWuとし、下部コア断面のアスペクト比をRl=Hl/Wl、上部コア断面のアスペクト比をRu=Hu/Wuと定義するときに、前記上部コアのアスペクト比Ruと下部コアのアスペクト比RlがRl>Ruとなることを特徴とする積層光導波路である。
【0016】
このように、Rl>Ruとすることで、下部コアの複屈折と上部コアの複屈折を等しく設定することができ、上下導波路層での偏波依存性の差を低減することが可能である。これは、上部コア,下部コアに異なる構造複屈折を与えることで、上部コア,下部コアの基板との距離の違いにより生じる水平方向の応力の違いを、等しくすることができるからである。
【0017】
さらに、基板上に、下部クラッド層、下部コア、中間クラッド層、上部コア、上部クラッド層を順次積層してなる積層光導波路であって、入力湾曲部において上部コアと下部コアがそれぞれの存在する平面上で光結合を生じる距離まで徐々に湾曲しながら接近し、一定長の光結合直線部において前記上部コアが前記下部コアの真上に位置しながら平行に延在し、再び出力湾曲部において前記上部コアと前記下部コアがそれぞれの存在する平面上で両コア間の光結合を生じない距離まで徐々に湾曲しながら離れていく構造の層間光方向性結合器を有し、前記一定長の光結合直線部を構成する前記下部コアの高さHlと前記一定長の光結合直線部を構成する前記上部コアの高さHuとが等しく、前記一定長の光結合直線部を構成する前記下部コアのコア幅Wlが前記一定長の光結合直線部を構成する前記上部コアのコア幅Wuよりも狭い構造の層間光方向性結合器を有してもよい。
【0018】
こうすることで、積層光導波路に作製された層間光方向性結合器において上部コア、下部コアの複屈折をともにゼロとすることができるため、層間光方向性結合器の偏波依存性を解消することができる。積層光導波路においては、上部コア、下部コアにはたらく応力の基板垂直方向成分はほぼ等しいので、Hl=Huとすることで、TE偏波に対する伝搬定数を上部コア、下部コア間で等しくすることができる。さらに、Wl<Wuとすることで、応力の基板水平方向成分が下部コア、上部コア間で等しく設定され、TM偏波に対する伝搬定数を上部コア、下部コア間で等しくすることができる。結果として、上部コア、下部コアでの伝搬定数を全て等しく設定することが可能であり、層間光方向性結合器において偏波依存性を低減することができる。
【0019】
加えて、前記入力湾曲部において、前記下部コアが徐々にコア幅を狭めながら前記光結合直線部に向かって接近するとともに、前記出力湾曲部において、前記下部コアが前記光結合直線部から徐々にコア幅を広げながら離れていく構造の層間光方向性結合器を有してもよい。
また、前記積層光導波路はシリコン基板上に構成されたガラス導波路であってもよい。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【0021】
[実施例1]
図1は本発明の実施例1にかかる、層間光方向性結合器を有する積層光導波路を示す斜視図、図2は積層光導波路における層間光方向性結合器を示す上面図、図3(a)(b)(c)(d)(e)は図2のA−A’,B−B’,C−C’,D−D’,E−E’断面図である。
【0022】
図1に示すように、この積層光導波路は、シリコン基板1上に、火炎積層法(FHD法)による成膜により、下部クラッド層2、下部コア21、中間クラッド層4、上部コア22、上部クラッド層6を順次積層して構成された石英系光導波路である。なお、7は予め設定された長さ(一定長さ)となっている光結合直線部、8はギャップである。
【0023】
図1及び図2に示されるように、層間光方向性結合器は、下部コア21と上部コア22により構成されている。
【0024】
このうち、下部コア21は、下部入力導波路11、下部入力導波路11に接続された下部入力湾曲部13、下部入力湾曲部13に接続された下部光結合直線部15、下部光結合直線部15に接続された下部出力湾曲部17、および下部出力湾曲部17に接続された下部出力導波路19により構成される。
【0025】
また、上部コア22は、上部入力導波路12、上部入力導波路12に接続された上部入力湾曲部14、上部入力湾曲部14に接続された上部光結合直線部16、上部光結合直線部16に接続された上部出力湾曲部18、上部出力湾曲部18に接続された上部出力導波路20から構成される。
【0026】
図3に示すように、層間光方向性結合器は、断面A−A’において、互いに光結合を生じない距離に位置する下部入力導波路11および上部入力導波路12が、下部入力湾曲部13および上部入力湾曲部14にて徐々に接近した後(断面B−B’)、互いに光結合を生じる位置に存在する下部光結合直線部15が上部光結合直線部16へと光接続される。
【0027】
断面C−C’を含む光結合直線部7において、上部光結合直線部16は下部光結合直線部15の真上に位置し、両者の間で光結合を生じる。ここで、下部光結合直線部15の上面と上部光結合直線部16の下面は一定のギャップGをもって平行に延在する。一定の長さLにわたって平行に延在した下部光結合直線部15と上部光結合直線部16はそれぞれ、下部出力湾曲部17および上部出力湾曲部18において(断面D−D’)、再び光結合を生じない位置に存在する下部出力導波路19および上部出力導波路20まで徐々に離遠する(断面E−E’)。
【0028】
下部コア21および上部コア22の高さはその全体にわたってともにHであり、上部コアの幅はその全体にわたってW1で一定である。
さらに、下部コア21は、下部入力湾曲部13において徐々にその幅をW1からW2まで狭めつつ湾曲し、下部出力湾曲部17において徐々にその幅をW2からW1まで広げつつ湾曲する。
【0029】
したがって、光結合直線部7を構成する下部コア21(下部光結合直線部15)の幅は、光直線部7を構成する上部コア22(上部光結合直線部16)の幅よりも狭くなっている。
【0030】
本実施例1では、G=3μm、H=6μm、W1=7.5μm、W2=6.5μmとして層間光方向性結合器を含む積層光導波路を火炎堆積法による石英系光導波路にて作製した。
【0031】
また、下部入力導波路11と上部入力導波路12との間の水平方向距離(幅方向に沿う距離)は、互いに光結合を生じないようにするため、本実施例1では200μmとした。
同様に、下部出力導波路19と上部出力導波路20との間の水平距離(幅方向に沿う距離)は、互いに光結合を生じないようにするため、本実施例1では200μmとした。
【0032】
図4は、本実施例1の層間光方向性結合器の光結合直線部7の長さLに対する結合率の変化を示すグラフである。TM偏波モードに対し、層間光方向性結合器の非対称性は低減され、最大結合率は従来値70%が90%まで改善された。TM,TE両偏波に対して、偏波依存性なく、50%結合長240μmが得られている。
【0033】
[実施例2]
図5は本発明の実施例2における積層光導波路における層間マッハツェンダ干渉計の概略図であり、図6(f)(g)(h)(i)(j)は図5のF−F’,G−G’,H−H’,I−I’,J−J’断面図である。
【0034】
本実施例2においても実施例1と同様に、積層光導波路は火炎堆積法による石英系光導波路によって作製した。
【0035】
図5,図6に示す層間マッハツェンダ干渉計は、層間光方向性結合器31,32と下部導波路層に形成された下部アーム導波路33、および上部導波路層に形成された上部アーム導波路34からなる。また、上部アーム導波路34の真上には薄膜ヒータ35を配置した。また、上部アーム導波路34の幅Wuはその全体にわたって7.5μmとし、下部アーム導波路33の幅Wlはその全体にわたって6.5μmとした。さらに、下部アーム導波路33の高さHl、上部アーム導波路34の高さHuはともに6μmとした。また、層間光方向性結合器31,32の光結合直線部の長さは240μm、層間ギャップは3μmとした。
【0036】
結局、下部アーム導波路33のコア断面のアスペクト比をRl=Hl/Wl、上部アーム導波路のコア断面のアスペクト比をRu=Hu/Wuと定義するときに、上部コアのアスペクト比Ruと下部コアのアスペクト比RlがRl>Ruとなるようにしている。
【0037】
層間マッハツェンダ干渉計の上部入力導波路36へ入射した光波は、上部出力導波路37へと出力されるが、薄膜ヒータ35への印加電力により、出力強度は変化する。
【0038】
図7は層間マッハツェンダ干渉計の薄膜ヒータ35への印加電力と上部出力導波路37への出力強度の関係である。図7に示されるように、OFF電力はTM偏波に対して0.46W、TE偏波に対して0.48Wと偏波依存性の小さい良好な特性が得られた。
【0039】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば次のとおりである。すなわち、本発明によれば、積層光導波路の上部コアのアスペクト比Ruと下部コアのアスペクト比RlがRl>Ruとなるようにしたので、積層光導波路において上下導波路層の偏波依存性の違いを解消することができる。
【0040】
また、層間光方向性結合器に本発明を適用した場合、光結合直線部において、下部コアの高さHlと上部コアの高さHuとが等しく、下部コアのコア幅Wlが上部コアのコア幅Wuよりも狭くしたので、その結合率の偏波依存性は低減でき、TM,TE両偏波に対して良好に完全結合が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1にかかる、層間光方向性結合器を含む積層光導波路を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施例1にかかる、層間光方向性結合器を含む積層光導波路を示す上面図である。
【図3】本発明の実施例1にかかる、層間光方向性結合器を含む積層光導波路を示す断面図であり、図3(a)(b)(c)(d)(e)は図2のA−A’,B−B’,C−C’,D−D’,E−E’断面図である。
【図4】本発明の実施例1の層間光方向性結合器の光結合直線部の長さLに対する結合率の変化を示すグラフである。
【図5】本発明の実施例2にかかる層間マッハツェンダ干渉計を示す上面図である。
【図6】本発明の実施例2にかかる層間マッハツェンダ干渉計を示す断面図であり、図6(f)(g)(h)(i)(j)は図5のF−F’,G−G’,H−H’,I−I’,J−J’断面図である。
【図7】本発明の実施例2の層間マッハツェンダ干渉計の印加電力に対する出力強度の関係を示すグラフである。
【図8】従来の層間光方向性結合器を含む積層光導波路を示す斜視図である。
【図9】従来の層間光方向性結合器を含む積層光導波路を示す上面図である。
【図10】従来の層間光方向性結合器を含む積層光導波路を示す断面図であり、図10(a)(b)(c)は図9のAA−AA’、BB−BB’、CC−CC’断面図である。
【図11】従来の層間光方向性結合器の結合特性を示す特性図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 下部クラッド層
3,21 下部コア
4 中間クラッド層
5,22 上部コア
6 上部クラッド層
7 光結合直線部
8 ギャップ
31,32 層間光方向性結合器
33 下部アーム導波路
34 上部アーム導波路
35 薄膜ヒータ
Claims (4)
- 基板上に、下部クラッド層、下部コア、中間クラッド層、上部コア、上部クラッド層を順次積層してなる積層光導波路であって、
下部コア断面の高さをHl、下部コア断面の幅をWl、上部コア断面の高さをHu、上部コア断面の幅をWuとし、下部コア断面のアスペクト比をRl=Hl/Wl、上部コア断面のアスペクト比をRu=Hu/Wuと定義するときに、
前記上部コアのアスペクト比Ruと下部コアのアスペクト比RlがRl>Ruとなることを特徴とする積層光導波路。 - 基板上に、下部クラッド層、下部コア、中間クラッド層、上部コア、上部クラッド層を順次積層してなる積層光導波路であって、
入力湾曲部において上部コアと下部コアがそれぞれの存在する平面上で光結合を生じる距離まで徐々に湾曲しながら接近し、一定長の光結合直線部において前記上部コアが前記下部コアの真上に位置しながら平行に延在し、再び出力湾曲部において前記上部コアと前記下部コアがそれぞれの存在する平面上で両コア間の光結合を生じない距離まで徐々に湾曲しながら離れていく構造の層間光方向性結合器を有し、
前記一定長の光結合直線部を構成する前記下部コアの高さHlと前記一定長の光結合直線部を構成する前記上部コアの高さHuとが等しく、
前記一定長の光結合直線部を構成する前記下部コアのコア幅Wlが前記一定長の光結合直線部を構成する前記上部コアのコア幅Wuよりも狭い構造の層間光方向性結合器を有することを特徴とする積層光導波路。 - 前記入力湾曲部において、前記下部コアが徐々にコア幅を狭めながら前記光結合直線部に向かって接近するとともに、
前記出力湾曲部において、前記下部コアが前記光結合直線部から徐々にコア幅を広げながら離れていく構造の層間光方向性結合器を有することを特徴とする請求項2に記載の積層光導波路。 - 前記積層光導波路はシリコン基板上に構成されたガラス導波路によることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の積層光導波路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003103597A JP4114791B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 積層光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003103597A JP4114791B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 積層光導波路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004309807A true JP2004309807A (ja) | 2004-11-04 |
JP4114791B2 JP4114791B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=33466643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003103597A Expired - Fee Related JP4114791B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 積層光導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4114791B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US8285092B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-10-09 | Nec Corporation | Optical waveguide and spot size converter using the same |
JP2016180864A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 沖電気工業株式会社 | 光導波路素子 |
JP2016183456A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 富士通株式会社 | 太陽光発電装置、センシング装置及び情報処理システム |
JP2017003778A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光方向性結合器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11275210B1 (en) | 2018-12-07 | 2022-03-15 | PsiQuantum Corp. | Waveguide couplers for multi-mode waveguides |
US11635570B1 (en) | 2019-02-08 | 2023-04-25 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode multi-pass delay |
US11391890B1 (en) | 2019-05-15 | 2022-07-19 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode spiral delay device |
-
2003
- 2003-04-08 JP JP2003103597A patent/JP4114791B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4114791B2 (ja) | 2008-07-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070808 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080410 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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