JP2004303382A - Nonvolatile magnetic memory device and data write method for nonvolatile magnetic memory device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性磁気メモリ装置、及び、不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関し、より詳しくは、TMR(Tunnel Magnetoresistance)タイプのMRAM(Magnetic Random Access Memory)と呼ばれる不揮発性磁気メモリ装置、及び、係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報通信機器、特に携帯端末等の個人用小型機器の飛躍的な普及に伴い、これらを構成するメモリやロジック等の各種半導体装置には、高集積化、高速化、低電力化等、一層の高性能化が要請されている。特に不揮発性メモリは、ユビキタス時代に必要不可欠であると考えられている。電源の消耗やトラブル、サーバーとネットワークとが何らかの障害により切断された場合でも、不揮発性メモリによって重要な情報を保存、保護することができる。また、最近の携帯機器は不要の回路ブロックをスタンバイ状態とし、出来る限り消費電力を抑えるように設計されているが、高速のワークメモリと大容量ストレージメモリを兼ねることができる不揮発性メモリが実現できれば、消費電力とメモリの無駄を無くすことができる。また、電源を投入すると瞬時に起動できる「インスタント・オン」機能も、高速、且つ、大容量の不揮発性メモリが実現できれば可能となる。
【0003】
不揮発性メモリとして、半導体材料を用いたフラッシュメモリや、強誘電体材料を用いた強誘電体型不揮発性半導体メモリ(FERAM,Ferroelectric Random Access Memory)等を挙げることができる。しかしながら、フラッシュメモリは、書込み速度がマイクロ秒のオーダーであり、書込み速度が遅いという欠点がある。一方、FERAMにおいては、書換え可能回数が1012〜1014であり、SRAMやDRAMをFERAMに置き換えるにはFERAMの書換え可能回数が十分とは云えず、また、強誘電体層の微細加工が難しいという問題が指摘されている。
【0004】
これらの欠点を有さない不揮発性メモリとして、MRAM(Magnetic Random Access Memory)と呼ばれる不揮発性磁気メモリが注目されている。初期のMRAMは、GMR(Giant magnetoresistance)効果を用いたスピンバルブをベースにしたものであった。しかし、負荷のメモリセル抵抗が10〜100Ωと低いため、読み出し時のビット当たりの消費電力が大きく、大容量化が難しいという欠点があった。
【0005】
一方、TMR(Tunnel Magnetoresistance)効果を用いたMRAM(例えば、R.Meservey et al. Physics Reports, vol.238, pp214−217,1994 参照)は、開発初期においては、抵抗変化率が室温で1〜2%程度しかなかったが、近年、20%近くの抵抗変化率が得られるようになり(例えば、T.Miyazaki et al, J.Magnetism & Magnetic Material, vol139,(L231),1995 参照)、TMR効果を用いたMRAMに注目が集まっている。TMRタイプのMRAMは、構造が単純で、スケーリングも容易であり、また、磁気モーメントの回転により記録を行うために、書換え可能回数が大である。更には、アクセス時間についても非常に高速であることが予想され、既に100MHzで動作可能であると云われている。
【0006】
従来のTMRタイプのMRAM(以下、単に、MRAMと呼ぶ)の模式的な一部断面図を、図3に示す。このMRAM21は、MOS型FETから成る選択用トランジスタTRと、トンネル磁気抵抗素子70から構成されている。
【0007】
トンネル磁気抵抗素子70は、第1の強磁性体層71、トンネル絶縁膜74、第2の強磁性体層の積層構造を有する。第1の強磁性体層71は、より具体的には、例えば、下から反強磁性体層72と強磁性体層(固着層、磁化固定層73とも呼ばれる)との2層構成を有し、これらの2層の間に働く交換相互作用によって強い一方向の磁気異方性を有する。磁化方向が比較的容易に回転する第2の強磁性体層は、自由層あるいは記録層75とも呼ばれる。トンネル絶縁膜74は、記録層75と磁化固定層73との間の磁気的結合を切ると共に、トンネル電流を流すための役割を担う。MRAM21とMRAM21を接続するビット線BLは、第3の層間絶縁層66上に形成されている。ビット線BLと記録層75との間に設けられたトップコート膜76は、ビット線BLを構成する原子と記録層75を構成する原子の相互拡散の防止、接触抵抗の低減、及び、記録層75の酸化防止を担っている。図中、参照番号77は、反強磁性体層72の下面に接続された引き出し電極を示す。
【0008】
更には、トンネル磁気抵抗素子70の下方には、第2の層間絶縁層64を介して書込みワード線RWLが配置されている。尚、書込みワード線RWLの延びる方向(第1の方向)とビット線BLの延びる方向(第2の方向)とは、通常、直交している。
【0009】
一方、選択用トランジスタTRは、素子分離領域51によって囲まれたシリコン半導体基板50の部分に形成されており、第1の層間絶縁層61によって覆われている。そして、一方のソース/ドレイン領域55は、タングステンプラグ62、ランディングパッド63、タングステンプラグ65を介して、トンネル磁気抵抗素子70の引き出し電極77に接続されている。また、他方のソース/ドレイン領域54は、タングステンプラグ56を介してセンス線57に接続されている。図中、参照番号52はゲート電極を示し、参照番号53はゲート絶縁膜を示す。
【0010】
MRAMアレイにあっては、ビット線BL及び書込みワード線RWLから成る格子の交点にMRAM21が配置されている。
【0011】
このような構成のMRAM21へのデータの書込みにおいては、ビット線BL及び書込みワード線RWLに電流を流し、その結果形成される合成磁界によって第2の強磁性体層(記録層75)の磁化の方向を変えることで、第2の強磁性体層(記録層75)にデータ「1」又はデータ「0」を記録する。
【0012】
一方、データの読出しは、選択用トランジスタTRをオン状態とし、ビット線BLに電流を流し、磁気抵抗効果によるトンネル電流変化をセンス線57にて検出することにより行う。記録層75と磁化固定層73の磁化方向が等しい場合、低抵抗となり(この状態を例えばデータ「0」とする)、記録層75と磁化固定層73の磁化方向が反平行の場合、高抵抗となる(この状態を例えばデータ「1」とする)。
【0013】
図18に、MRAM21のアステロイド曲線を示す。ビット線BL及び書込みワード線RWLに電流を流し、その結果発生する合成磁界に基づき、MRAM21を構成するトンネル磁気抵抗素子70にデータを書き込む。ビット線BLを流れる書込み電流によって記録層75の磁化容易軸方向の磁界(HEA)が形成され、書込みワード線RWLを流れる電流によって記録層75の磁化困難軸方向の磁界(HHA)が形成される。尚、MRAM21の構成にも依るが、ビット線BLを流れる書込み電流によって記録層75の磁化困難軸方向の磁界(HHA)が形成され、書込みワード線RWLを流れる電流によって記録層75の磁化容易軸方向の磁界(HEA)が形成される場合もある。
【0014】
アステロイド曲線は、合成磁界(記録層75に加わる磁界HHAと磁界HEAの磁界ベクトルの合成)による記録層75の磁化方向の反転閾値を示しており、アステロイド曲線の外側(OUT1,OUT2)に相当する合成磁界が発生した場合、記録層75の磁化方向の反転が起こり、データの書込みが行われる。一方、アステロイド曲線の内部(IN)に相当する合成磁界が発生した場合、記録層75の磁化方向の反転は生じない。また、電流を流している書込みワード線RWL及びビット線BLの交点以外のMRAM21においても、書込みワード線RWL若しくはビット線BL単独で発生する磁界が加わるため、この磁界の大きさが保磁力(一方向反転磁界)HC以上の場合[図18における点線の外側の領域(OUT2)]、交点以外のMRAM21を構成する記録層75の磁化方向も反転してしまう。それ故、合成磁界がアステロイド曲線の外側であって図18の点線の内側の領域(OUT1)内にある場合のみに、選択されたMRAM21に対する選択書込みが可能となる。
【0015】
【非特許文献1】R.Meservey et al. Physics Reports, vol.238, pp214−217,1994
【非特許文献2】T.Miyazaki et al, J.Magnetism & Magnetic Material, vol139,(L231),1995
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、高速・高集積化が容易であるという長所を有するTMRタイプのMRAM21ではあるが、ビット線BL及び書込みワード線RWLに電流を流すことによって発生する電流磁場によって記録層75の磁化を回転させることによりデータの書き込みを行っているが故に、外部磁場の影響を受け易いという問題がある。
【0017】
即ち、複数の不揮発性磁気メモリ(MRAM)21を備えたメモリチップを、特殊な環境化での使用を除いて、使用環境の制限を受けること無く通常の民生用品として用いるためには、外部磁場中でも誤動作しないようにする必要がある。この場合、最も大きな問題となるのは、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)である。データ書き込み時以外の状態(即ち、データ読み出し状態、あるいは、データ保持状態)では、不揮発性磁気メモリ(MRAM)21に保磁力Hc以上の磁界が加わらなければデータの破壊は無い。上述したとおり、合成磁界をアステロイド曲線の外側であって図18の点線の内側の領域(OUT1)内とすることで、選択されたMRAM21に対するデータの選択書込みを行うが、このような合成磁界とアステロイド曲線上の閾値磁場との差は、不揮発性磁気メモリ(MRAM)21の製造時のばらつきを考慮すると、保磁力HCの1/4以下であり、データ書き込み時、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)の影響を最も受け易い。
【0018】
即ち、外部磁場の大きさや向きにも依るが、データを書き込むべき選択された不揮発性磁気メモリ(MRAM)21に所望のデータが書き込まれない場合があり、あるいは又、データを書き込むべきでない不揮発性磁気メモリ(MRAM)21にデータが書き込まれる場合(即ち、保持状態にあるデータの破壊発生が生じる場合)がある。
【0019】
保磁力Hcの値を大きくすることで外部磁場の影響を受け難くする方法もあるが、このような方法ではMRAMへのデータ書き込みのための消費電力が大きくなるといった問題がある。
【0020】
従って、本発明の目的は、外部磁場の大きさや向きに拘わらず、低消費電力で、データを書き込むべき選択された不揮発性磁気メモリ(MRAM)にデータを確実に書き込むことを可能とする構造を有する不揮発性磁気メモリ装置、及び、係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明の第1の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置は、複数の不揮発性磁気メモリを備えたメモリチップ、及び、外部磁場検出手段を有する不揮発性磁気メモリ装置であって、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われることを特徴とする。
【0022】
上記の目的を達成するための本発明の第2の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置は、複数の不揮発性磁気メモリを備えたメモリチップ、及び、外部磁場検出手段を有する不揮発性磁気メモリ装置であって、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、外部磁場検出手段によって該所定の値未満の外部磁場が検出された後(外部磁場検出手段によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、該不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが行われることを特徴とする。
【0023】
上記の目的を達成するための本発明の第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置は、複数の不揮発性磁気メモリを備えたメモリチップ、及び、外部磁場検出手段を有する不揮発性磁気メモリ装置であって、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、外部磁場検出手段によって該所定の値未満の外部磁場が検出された後(外部磁場検出手段によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、該不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが行われ、
該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって該所定の値以上の外部磁場が検出された場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われることを特徴とする。
【0024】
上記の目的を達成するための本発明の第1の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法は、
複数の不揮発性磁気メモリを備えたメモリチップ、及び、外部磁場検出手段を有する不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法であって、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値以上の場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行うことを特徴とする。
【0025】
上記の目的を達成するための本発明の第2の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法は、複数の不揮発性磁気メモリを備えたメモリチップ、及び、外部磁場検出手段を有する不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法であって、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値以上の場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、その後、外部磁場検出手段によって再び外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値未満の場合、該不揮発性磁気メモリへデータの書き込みを行うことを特徴とする。
【0026】
上記の目的を達成するための本発明の第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法は、複数の不揮発性磁気メモリを備えたメモリチップ、及び、外部磁場検出手段を有する不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法であって、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値以上の場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、その後、外部磁場検出手段によって再び外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値未満の場合、該不揮発性磁気メモリへデータの書き込みを行い、
該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって再び外部磁場を検出し、該外部磁場の値が該所定の値以上の場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行うことを特徴とする。
【0027】
本発明の第1の態様〜第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1の態様〜第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法(以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある)においては、外部磁場検出手段は、メモリチップの外部に配置されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第1Aの態様〜第3Aの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1Aの態様〜第3Aの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と呼ぶ場合がある。この場合、外部磁場検出手段として、周知のホール素子、磁気抵抗素子を例示することができる。外部磁場検出手段は、メモリチップの外部に少なくとも1個、配置されていればよく、例えば、メモリチップの外部の四隅にそれぞれ1個、合計4個を配置する構成とすることもできる。
【0028】
あるいは又、本発明においては、外部磁場検出手段は、メモリチップの内部に配置されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第1Bの態様〜第3Bの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1Bの態様〜第3Bの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と呼ぶ場合がある。外部磁場検出手段は、メモリチップの内部に少なくとも1個、配置されていればよく、例えば、メモリチップの内部の四隅に相当する部分にそれぞれ1個、合計4個を配置する構成とすることもできる。
【0029】
そして、本発明の第1Bの態様〜第3Bの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1Bの態様〜第3Bの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法にあっては、
不揮発性磁気メモリは、
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる(例えば直交する)第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されている構成を挙げることができる。
【0030】
尚、このような構成を、便宜上、本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と呼ぶ場合がある。
【0031】
ビット線、第1参照ビット線、第2参照ビット線は第2の強磁性体層と電気的に接続されているが、このような構成には、ビット線、第1参照ビット線、第2参照ビット線が、第2の強磁性体層と間接的に接続されている形態が包含される。
【0032】
また、本発明の第1の態様〜第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1の態様〜第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法にあっても、不揮発性磁気メモリは、本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置を構成する不揮発性磁気メモリ、あるいは、本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法における不揮発性磁気メモリ装置を構成する不揮発性磁気メモリと同様の構成とすることが好ましい。即ち、本発明の第1の態様〜第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1の態様〜第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法にあっても、不揮発性磁気メモリは、
(A)第1の方向(図面の紙面と垂直な方向)に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる(例えば直交する)第2の方向(図面の紙面と平行な方向)に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることが好ましい。
【0033】
本発明の第1Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置においては、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、併せて、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」が書き込まれ、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出される構成とすることが好ましい。あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」が書き込まれており、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出される構成とすることが好ましい。そして、これらの場合、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われる構成とすることが好ましい。更には、この場合、外部磁場検出手段は、更に、データ読み出しのための差動センスアンプを備え、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されている構成とすることができ、差動センスアンプの出力が略0の場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われる構成とすることが好ましい。
【0034】
また、本発明の第2Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置においては、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」が書き込まれており、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出される構成とすることが好ましい。あるいは又、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」が書き込まれる構成とすることが好ましい。更には、この場合、外部磁場検出手段は、更に、データ読み出しのための差動センスアンプを備え、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されている構成とすることができ、差動センスアンプの出力が略0の場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断される構成とすることが好ましい。
【0035】
また、本発明の第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置においては、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」が書き込まれており、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出され、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが再び読み出される構成とすることが好ましい。あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」が書き込まれる構成とすることが好ましい。そして、これらの場合を含む本発明の第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置においては、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」が書き込まれ、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出される構成とすることが好ましい。更には、これらの場合、外部磁場検出手段は、更に、データ読み出しのための差動センスアンプを備え、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されている構成とすることができ、差動センスアンプの出力が略0の場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われる構成とすることが好ましい。
【0036】
本発明の第1Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法においては、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」を書き込み、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出す構成とすることが好ましい。あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」を書き込んでおき、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出す構成とすることが好ましい。そして、これらの場合、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行う構成とすることが好ましい。更には、この場合、外部磁場検出手段は、更に、データ読み出しのための差動センスアンプを備え、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されている構成とすることができ、差動センスアンプの出力が略0の場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行う構成とすることが好ましい。
【0037】
また、本発明の第2Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法においては、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」を書き込んでおき、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出す構成とすることが好ましい。あるいは又、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」を書き込む構成とすることが好ましい。更には、この場合、外部磁場検出手段は、更に、データ読み出しのための差動センスアンプを備え、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されている構成とすることができ、差動センスアンプの出力が略0の場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断する構成とすることが好ましい。
【0038】
本発明の第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法においては、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」を書き込んでおき、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出し、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを再び読み出す構成とすることが好ましい。あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」を書き込む構成とすることが好ましい。そして、これらの場合を含む本発明の第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法においては、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリから読み出したデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」を書き込み、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出す構成とすることが好ましい。更には、これらの場合、外部磁場検出手段は、更に、データ読み出しのための差動センスアンプを備え、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されている構成とすることができ、差動センスアンプの出力が略0の場合、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行う構成とすることが好ましい。
【0039】
本発明の第1Cの態様、第2Cの態様、第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、若しくは、本発明の第1Cの態様、第2Cの態様、第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法においては、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、第1参照不揮発性磁気メモリにデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリにデータ「1」を書き込む場合、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさよりも小さいことが望ましい。あるいは又、第1参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリに予めデータ「1」を書き込んでおく場合、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリにデータに既に記憶されたデータが破壊されるような磁場の大きさよりも小さいことが望ましい。言い換えれば、不揮発性磁気メモリのトンネル磁気抵抗素子を構成する第2の強磁性体層の保磁力の値は、第1参照不揮発性磁気メモリの第1参照トンネル磁気抵抗素子を構成する第2の強磁性体層の保磁力の値、及び、第2参照不揮発性磁気メモリの第2参照トンネル磁気抵抗素子を構成する第2の強磁性体層の保磁力の値よりも大きいことが好ましい。このような構成にすることで、不揮発性磁気メモリに対する外部磁場の影響よりも、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに対する外部磁場の影響の方が大きくなり、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込む際の外部磁場の影響を確実に把握することができる。
【0040】
このような状態は、即ち、外部磁場に対するトンネル磁気抵抗素子の感度よりも第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子の感度を高くするためには、具体的には、トンネル磁気抵抗素子、第1参照トンネル磁気抵抗素子、第2参照トンネル磁気抵抗素子の平面形状を矩形とし、矩形の対向する2辺を記録層の磁化困難軸方向と平行とし(長さをLHAとする)、矩形の対向する他の2辺を記録層の磁化容易軸方向と平行とした場合(長さをLEAとする)、第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子のアスペクト比(LEA/LHAであり、1よりも大きい)の値を、トンネル磁気抵抗素子のアスペクト比よりも小さくすることによって達成できる。あるいは又、トンネル磁気抵抗素子、第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子のアスペクト比を同じとした場合、第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子の平面形状の大きさを、トンネル磁気抵抗素子の平面形状の大きさよりも大きくすることによって達成できる。あるいは又、トンネル磁気抵抗素子の平面形状を矩形とし、第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子の平面形状を楕円形とすることによっても達成できる。更には、第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子はトンネル磁気抵抗素子と同じ形状を有しているが、第1参照トンネル磁気抵抗素子及び第2参照トンネル磁気抵抗素子の近傍には高透磁率を有する磁束集中手段が設けられている構成によっても達成できる。
【0041】
外部磁場の値における所定の値、第1の所定の値、第2の所定の値は、不揮発性磁気メモリの構造、構成、大きさ等に依存するので、不揮発性磁気メモリを作製あるいは試作し、不揮発性磁気メモリへのデータの書込時の外部磁場の影響を調べることによって、決定すればよい。
【0042】
本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法において、第1の強磁性体層は、より具体的には、例えば、下から反強磁性体層と強磁性体層(固着層あるいは磁化固定層とも呼ばれる)との2層構成を有していることが好ましく、これによって、これらの2層の間に働く交換相互作用によって強い一方向の磁気異方性を有することができる。磁化固定層がトンネル絶縁膜と接する。磁化方向が比較的容易に回転する第2の強磁性体層は、自由層あるいは記録層とも呼ばれる。トンネル絶縁膜は、第2の強磁性体層(記録層)と磁化固定層との間の磁気的結合を切ると共に、トンネル電流を流すための役割を担う。
【0043】
強磁性体層(固着層、磁化固定層)及び第2の強磁性体層(記録層、自由層)は、例えば、遷移金属磁性元素、具体的には、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)又はコバルト(Co)から構成された強磁性体、あるいはこれらの合金(例えば、Co−Fe、Co−Fe−Ni、Ni−Fe等)を主成分とする強磁性体から構成することができる。また、所謂ハーフメタリック強磁性体材料や、CoFe−Bといったアモルファス強磁性体材料を用いることもできる。反強磁性体層を構成する材料として、例えば、鉄−マンガン合金、ニッケル−マンガン合金、白金−マンガン合金、イリジウム−マンガン合金、ロジウム−マンガン合金、コバルト酸化物、ニッケル酸化物を挙げることができる。これらの層は、例えば、スパッタリング法、イオンビーム堆積法、真空蒸着法に例示される物理的気相成長法(PVD法)、ALD(Atomic Layer Deposition)法に代表されるCVD法にて形成することができる。
【0044】
トンネル絶縁膜を構成する絶縁材料として、アルミニウム酸化物(AlOX)、アルミニウム窒化物(AlN)、マグネシウム酸化物(MgO)、マグネシウム窒化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物を挙げることができ、更には、Ge、NiO、CdOX、HfO2、Ta2O5、BN、ZnSを挙げることができる。トンネル絶縁膜は、例えば、スパッタリング法にて形成された金属膜を酸化若しくは窒化することにより得ることができる。より具体的には、トンネル絶縁膜を構成する絶縁材料としてアルミニウム酸化物(AlOX)を用いる場合、例えば、スパッタリング法にて形成されたアルミニウムを大気中で酸化する方法、スパッタリング法にて形成されたアルミニウムをプラズマ酸化する方法、スパッタリング法にて形成されたアルミニウムをIPCプラズマで酸化する方法、スパッタリング法にて形成されたアルミニウムを酸素中で自然酸化する方法、スパッタリング法にて形成されたアルミニウムを酸素ラジカルで酸化する方法、スパッタリング法にて形成されたアルミニウムを酸素中で自然酸化させるときに紫外線を照射する方法、アルミニウムを反応性スパッタリング法にて成膜する方法、酸化アルミニウムをスパッタリング法にて成膜する方法を例示することができる。あるいは又、トンネル絶縁膜をALD法に代表されるCVD法によって形成することができる。
【0045】
ビット線あるいは書込みワード線は、例えば、アルミニウム、Al−Cu等のアルミニウム系合金、銅(Cu)から成り、例えば、スパッタリング法に例示されるPVD法や、CVD法、電解メッキ法に代表されるメッキ法にて形成することができる。
【0046】
積層構造やビット線、書込みワード線等のパターニングは、例えば、反応性イオンエッチング(RIE)法やイオンミリング法にて行うことができる。また、場合によっては、所謂リフトオフ法にてパターニングを行うこともできる。
【0047】
本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置、あるいは、本発明の第1Cの態様〜第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法において、限定するものではないが、不揮発性磁気メモリ、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリのそれぞれは、
(a)半導体基板に形成された選択用トランジスタ、
(b)選択用トランジスタを覆う第1の層間絶縁層、
(c)第2の層間絶縁層、並びに、
(d)第3の層間絶縁層、
を更に備え、
書込みワード線(第1参照書込みワード線、第2参照書込みワード線)は、第1の層間絶縁層上に形成されており、
第2の層間絶縁層は、書込みワード線(第1参照書込みワード線、第2参照書込みワード線)及び第1の層間絶縁層上を覆い、
第1の強磁性体層は、第2の層間絶縁層上に形成されており、
第3の層間絶縁層は、トンネル磁気抵抗素子(第1参照トンネル磁気抵抗素子、第2参照トンネル磁気抵抗素子)及び第2の層間絶縁層を覆い、
第1の強磁性体層の延在部、あるいは、第1の強磁性体層から第2の層間絶縁層上を延びる引き出し電極が、第2の層間絶縁層及び第1の層間絶縁層に設けられた接続孔(あるいは接続孔とランディングパッド)を介して選択用トランジスタに電気的に接続されており、
ビット線(第1参照ビット線、第2参照ビット線)が第3の層間絶縁層上に形成されている構成とすることができる。
【0048】
接続孔は、不純物がドーピングされたポリシリコンや、タングステン、Ti、Pt、Pd、Cu、TiW、TiNW、WSi2、MoSi2等の高融点金属や金属シリサイドから構成することができ、化学的気相成長法(CVD法)や、スパッタリング法に例示されるPVD法に基づき形成することができる。
【0049】
選択用トランジスタは、例えば、周知のMIS型FETやMOS型FET、バイポーラトランジスタから構成することができる。
【0050】
第1の層間絶縁層や第2の層間絶縁層、第3の層間絶縁層を構成する材料として、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)、SiON、SOG、NSG、BPSG、PSG、BSG、FSG、SiOC、SiC、有機膜(所謂Low−k材料)、あるいは、LTOを例示することができる。
【0051】
本発明においては、外部磁場検出手段を備えているが故に、この外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われ、あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断される結果、外部磁場の大きさや向きに拘わらず、データを書き込むべき選択された不揮発性磁気メモリにデータを確実に書き込むことが可能となる。
【0052】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、発明の実施の形態(以下、実施の形態と略称する)に基づき本発明を説明する。
【0053】
(実施の形態1)
実施の形態1は、本発明の第1の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関し、より詳しくは、本発明の第1Aの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。
【0054】
実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置10は、図1に回路図を示すように、複数の不揮発性磁気メモリ21を備えたメモリチップ20、及び、外部磁場検出手段40を有する。ここで、複数の不揮発性磁気メモリ21によって不揮発性磁気メモリ・アレイ21’が構成されている。メモリチップ20は、更に、不揮発性磁気メモリ21に書き込むべき外部から送られてきたデータを一旦記憶し、保存するFIFOメモリから構成された入力バッファ22、不揮発性磁気メモリ21から読み出されたデータを一旦記憶する出力バッファ23、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みを制御するためのアドレス・バッファ24、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みを制御するためのコラム・レコーダ25、センスアンプ26、ビット線ドライバ27、ロー・デコーダ28、書込みワード線ドライバ29を備えている。不揮発性磁気メモリ装置10は、更に、メモリ制御回路30を有する。入力バッファ22、出力バッファ23、アドレス・バッファ24、コラム・レコーダ25、センスアンプ26、ビット線ドライバ27、ロー・デコーダ28、書込みワード線ドライバ29、メモリ制御回路30は、周知の回路から構成することができる。
【0055】
ここで、外部磁場検出手段40は、メモリチップ20の外部に配置されており、1つのホール素子から構成されている。より具体的には、パッケージ化されたメモリチップ20の外側表面に取り付けられた1つのホール素子から構成されている。外部磁場検出手段40は、周知の第2のメモリ制御回路41を備えている。
【0056】
また、不揮発性磁気メモリ21は、図3を参照して説明した不揮発性磁気メモリと同じ構造を有している。従って、不揮発性磁気メモリ21の構造の詳細な説明は省略する。メモリチップ20内における不揮発性磁気メモリアレイ21’にあっては、ビット線BL及び書込みワード線RWLから成る格子の交点に不揮発性磁気メモリ21が配置されている。
【0057】
以下、図1、及び、図2の流れ図を参照して、実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0058】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
先ず、メモリ制御回路30の制御下、書込禁止信号が存在していた場合には、書込禁止信号が解除され、入力バッファ22に保存されていたデータ(このデータは、既に不揮発性磁気メモリ21に書き込まれている)が廃棄され、図示しないカウンタがリセットされ、外部から送られてきたデータが、入力バッファ22に一旦記憶、保存される。また、外部から送られてきたアドレスは、メモリ制御回路30の制御下、アドレス・バッファ24に一旦記憶される。そして、アドレス・バッファ24に一旦記憶されたアドレスの内、コラム・アドレスがコラム・レコーダ25に送られ、併せて、入力バッファ22に一旦記憶されたデータもコラム・レコーダ25に送られる。一方、アドレス・バッファ24に一旦記憶されたアドレスの内、ロー・アドレスがロー・デコーダ28に送られる。そして、ロー・デコーダ28の動作によって、書込みワード線ドライバ29が駆動され、書込みワード線RWLに電流IRWLが流される。一方、コラム・レコーダ25の動作によって、センスアンプ26及びビット線ドライバ27が駆動され、書き込むべきデータに依存してビット線BLにが電流IBL又は電流−IBLが流される。その結果形成される合成磁界によって第2の強磁性体層(記録層75)の磁化の方向を変えることで、選択された不揮発性磁気メモリ21にデータ「1」又はデータ「0」が記録される(書き込まれる)。
【0059】
[外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段40によって外部磁場を検出する。
【0060】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の動作]
そして、この外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0061】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出されたときには、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。次いで、外部磁場検出手段40によって再び外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段40によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段40によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、これと同時に、あるいは又、その後、メモリ制御回路30の制御下、外部磁場によって影響を受けた期間(シンクロナス動作であれば1つ前の書き込みサイクル及び外部磁場検出手段40からの信号遅延を加えた期間)のデータ(このデータは入力バッファ22に保存された状態にある)を同一アドレス(このアドレスは、アドレス・バッファ24及びコラム・レコーダ25に保存された状態にある)に再度書き込む。
【0062】
また、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0063】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在し続ける場合の動作]
一方、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0064】
(実施の形態2)
実施の形態2は、実施の形態1の変形であり、本発明の第1Bの態様及び第1Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。
【0065】
実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置110の回路図を図4に示し、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aの模式的な一部断面図を図6に示し、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bの模式的な一部断面図を図7に示す。更には、外部磁場検出手段140の回路図を図8の(A)に示し、第1参照ビット線BLA、第2参照ビット線BLB、第1参照書込みワード線(第2参照書込みワード線RWLBと共通である)RWLAの模式的なレイアウト図を図8の(B)に示す。尚、図8の(B)においては、第1参照ビット線BLA、第2参照ビット線BLB、第1参照書込みワード線(第2参照書込みワード線RWLBと共通である)RWLAを明示するために、これらに斜線を付した。
【0066】
実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置110も、図4に回路図を示すように、複数の不揮発性磁気メモリ21を備えたメモリチップ120、及び、外部磁場検出手段140を有する。メモリチップ120及びメモリ制御回路30の構成は、実施の形態1におけるメモリチップ20及びメモリ制御回路30の構成と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【0067】
ここで、外部磁場検出手段140は、メモリチップ120の内部に配置されている。外部磁場検出手段140は、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから構成されている。外部磁場検出手段140は、更に、周知の第2のメモリ制御回路141、データ読み出しのための差動センスアンプ142及びパルス発生回路143を備えている。第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bは、差動センスアンプ142に接続されている。より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照ビット線BLA及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照ビット線BLBは、それぞれ、差動センスアンプ142に接続されている。また、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照書込みワード線RWLA及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照書込みワード線RWLBは、それぞれ、パルス発生回路143に接続されている。更には、第1参照選択用トランジスタTRA及び第2参照選択用トランジスタTRBのワード線も、パルス発生回路143に接続されている。
【0068】
尚、代替的に、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成するセンス線57A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2センス線57Bが、それぞれ、差動センスアンプ142に接続されている構成とすることもできる。
【0069】
不揮発性磁気メモリ21は、図3を参照して説明した不揮発性磁気メモリ21と同様の構造を有する。従って、不揮発性磁気メモリ21の構造の詳細な説明は省略する。メモリチップ120内における不揮発性磁気メモリアレイ21’にあっては、ビット線BL及び書込みワード線RWLから成る格子の交点に不揮発性磁気メモリ21が配置されている。
【0070】
第1参照不揮発性磁気メモリ21Aは、図6に模式的な一部断面図を示すように、
第1の方向(図面の紙面と垂直な方向)に延びる第1参照書込みワード線RWLA、
第2の方向(図面の紙面と平行な方向)に延びる第1参照ビット線BLA、及び、
第1参照書込みワード線RWLAと第1参照ビット線BLAとの重複領域に設けられ、第1の強磁性体層71A[反強磁性体層72Aと強磁性体層(固着層、磁化固定層73Aとも呼ばれる)の積層構造を有する]、トンネル絶縁膜74A、第2の強磁性体層(記録層)75Aの積層構造を有し、第1の強磁性体層71A(より具体的には、反強磁性体層72A)は第1参照書込みワード線RWLAと電気的に絶縁され、第2の強磁性体層(記録層)75Aは第1参照ビット線BLAに電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子70A、
から構成されている。
【0071】
第1参照ビット線BLAは、第3の層間絶縁層66上に形成されている。第1参照ビット線BLAと記録層75Aとの間に設けられたトップコート膜76Aは、第1参照ビット線BLAを構成する原子と記録層75Aを構成する原子の相互拡散の防止、接触抵抗の低減、及び、記録層75Aの酸化防止を担っている。図中、参照番号77Aは、反強磁性体層72Aの下面に接続された引き出し電極を示す。更には、第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの下方には、第2の層間絶縁層64を介して第1参照書込みワード線RWLAが配置されている。尚、第1参照書込みワード線RWLAの延びる方向(第1の方向)と第1参照ビット線BLAの延びる方向(第2の方向)とは、通常、直交している。
【0072】
一方、第1参照選択用トランジスタTRAは、素子分離領域51Aによって囲まれたシリコン半導体基板50の部分に形成されており、第1の層間絶縁層61によって覆われている。そして、一方のソース/ドレイン領域55Aは、タングステンプラグ62A、ランディングパッド63A、タングステンプラグ65Aを介して、第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの引き出し電極77Aに接続されている。また、他方のソース/ドレイン領域54Aは、タングステンプラグ56Aを介して第1センス線57Aに接続されている。図中、参照番号52Aはゲート電極を示し、参照番号53Aはゲート絶縁膜を示す。
【0073】
第2参照不揮発性磁気メモリ21Bは、図7に模式的な一部断面図を示すように、
第1の方向(図面の紙面と垂直な方向)に延びる第2参照書込みワード線RWLB(この第2参照書込みワード線RWLBは第1参照書込みワード線RWLAと共通である)、
第2の方向(図面の紙面と平行な方向)に延びる第2参照ビット線BLB、及び、
第2参照書込みワード線RWLBと第2参照ビット線BLBとの重複領域に設けられ、第1の強磁性体層71B[反強磁性体層72Bと強磁性体層(固着層、磁化固定層73Bとも呼ばれる)の積層構造を有する]、トンネル絶縁膜74B、第2の強磁性体層(記録層)75Bの積層構造を有し、第1の強磁性体層71B(より具体的には、反強磁性体層72B)は第2参照書込みワード線RWLBと電気的に絶縁され、第2の強磁性体層(記録層)75Bは第2参照ビット線BLBに電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子70B、
から構成されている。
【0074】
第2参照ビット線BLBは、第3の層間絶縁層66上に形成されている。第2参照ビット線BLBと記録層75Bとの間に設けられたトップコート膜76Bは、第2参照ビット線BLBを構成する原子と記録層75Bを構成する原子の相互拡散の防止、接触抵抗の低減、及び、記録層75Bの酸化防止を担っている。図中、参照番号77Bは、反強磁性体層72Bの下面に接続された引き出し電極を示す。更には、第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの下方には、第2の層間絶縁層64を介して第2参照書込みワード線RWLBが配置されている。尚、第2参照書込みワード線RWLBの延びる方向(第2の方向)と第2参照ビット線BLBの延びる方向(第2の方向)とは、通常、直交している。
【0075】
一方、第2参照選択用トランジスタTRBは、素子分離領域51Bによって囲まれたシリコン半導体基板50の部分に形成されており、第2の層間絶縁層61によって覆われている。そして、一方のソース/ドレイン領域55Bは、タングステンプラグ62B、ランディングパッド63B、タングステンプラグ65Bを介して、第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの引き出し電極77Bに接続されている。また、他方のソース/ドレイン領域54Bは、タングステンプラグ56Bを介して第2センス線57Bに接続されている。図中、参照番号52Bはゲート電極を示し、参照番号53Bはゲート絶縁膜を示す。
【0076】
尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさよりも小さい。即ち、不揮発性磁気メモリ21のトンネル磁気抵抗素子70を構成する第2の強磁性体層(記録層)75の保磁力HCの値は、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aの第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aを構成する第2の強磁性体層(記録層)75Aの保磁力の値、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bの第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bを構成する第2の強磁性体層(記録層)75Bの保磁力の値よりも大きい。
【0077】
このような状態は、具体的には、トンネル磁気抵抗素子70、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A、第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの平面形状を矩形とし、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A及び第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bのアスペクト比(LEA/LHAであり、1よりも大きい)の値を、トンネル磁気抵抗素子70のアスペクト比よりも小さくすることによって達成できる(図8の(B)参照)。あるいは又、トンネル磁気抵抗素子70、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A及び第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bのアスペクト比を同じとした場合、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A及び第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの平面形状の大きさを、トンネル磁気抵抗素子70の平面形状の大きさよりも大きくすることによって達成できる。あるいは又、トンネル磁気抵抗素子70の平面形状を矩形とし、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A及び第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの平面形状を楕円形とすることによっても達成できる。更には、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A及び第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bはトンネル磁気抵抗素子70と同じ形状を有しているが、第1参照トンネル磁気抵抗素子70A及び第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの近傍には高透磁率を有する磁束集中手段(図示せず)が設けられている構成によっても達成できる。以下に説明する各種の実施の形態においても、同様とすることができる。
【0078】
第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bは、不揮発性磁気メモリ21の作製時、同時に作製することができる。
【0079】
以下、図4、及び、図5の流れ図を参照して、実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0080】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
先ず、実施の形態1における[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]と同様にして、不揮発性磁気メモリ21にデータ「1」又はデータ「0」が記録される(書き込まれる)。
【0081】
[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み動作]
実施の形態2においては、不揮発性磁気メモリ21にデータが記録される(書き込まれる)と同時に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)にデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)にデータ「1」が書き込まれる。具体的には、パルス発生回路143から第2参照書込みワード線RWLBと共通である第1参照書込みワード線RWLAに電流IRWLが流され、同時に、差動センスアンプ142から、第1参照ビット線BLAに電流−IBLが、第2参照ビット線BLBに電流IBLが流される。
【0082】
[外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出す。より具体的には、第1参照選択用トランジスタTRA及び第2参照選択用トランジスタTRBをオン状態とし、第1参照ビット線BLA及び第2参照ビット線BLBに電流を流し、次いで、第1参照ビット線BLA及び第2参照ビット線BLBにおける磁気抵抗効果によるトンネル電流変化に相当する第1参照ビット線BLAと第2参照ビット線BLBとの電位差を差動センスアンプ142にて検出する。記録層と磁化固定層の磁化方向が等しい場合、低抵抗となり(この状態を例えばデータ「0」とする)、記録層と磁化固定層の磁化方向が反平行の場合、高抵抗となる(この状態を例えばデータ「1」とする)。即ち、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照ビット線BLAの電位は低くなり、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照ビット線BLBの電位は高くなる。その結果、差動センスアンプ142は高電位を出力する。
【0083】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の動作]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに記憶されていたデータ(データ「0」)、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータ(データ「1」)に変化が生じないので、差動センスアンプ142は高電位を出力する。差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]、[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み動作]及び[外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0084】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、不揮発性磁気メモリ21にデータが書き込まれ、同時に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)にデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)にデータ「1」を書き込んだはずでも、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aにデータ「1」が書き込まれ、あるいは又、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにもデータ「1」が書き込まれる場合がある。これとは逆に、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aにデータ「0」が書き込まれ、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにもデータ「0」が書き込まれる場合もある。
【0085】
このような場合、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出すと、差動センスアンプ142は低電位を出力する。即ち、差動センスアンプ142の出力が略0の場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。
【0086】
以上のように、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出し、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。次いで、あるいは、これと同時に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)にデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)にデータ「1」を、再び書き込む。次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを再び読み出す。即ち、外部磁場検出手段140によって再び外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段140によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段140によって外部磁場が検出されなくなった場合を含み、より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」であり、且つ、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」である場合)、これと同時に、あるいは又、その後、外部磁場によって影響を受けた期間(シンクロナス動作であれば1つ前の書き込みサイクル及び外部磁場検出手段140からの信号遅延を加えた期間)のデータ(このデータは入力バッファ22に保存された状態にある)を同一アドレス(このアドレスは、アドレス・バッファ24及びコラム・レコーダ25に保存された状態にある)に再度書き込む。
【0087】
また、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]、[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み動作]及び[外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0088】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在し続ける場合の動作]
一方、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0089】
(実施の形態3)
実施の形態3は、実施の形態2の変形である。実施の形態3における不揮発性磁気メモリ装置は、実施の形態2における不揮発性磁気メモリ装置110と同様の構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【0090】
実施の形態3にあっては、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに予めデータ「1」が書き込まれている。そして、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出す。尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊されるような磁場の大きさよりも小さい。
【0091】
以下、図4、及び、図9の流れ図を参照して、実施の形態3の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態3の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0092】
[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み]
実施の形態3においては、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予めデータ「1」が書き込まれている。具体的には、パルス発生回路143から第2参照書込みワード線RWLBと共通である第1参照書込みワード線RWLAに電流I’RWLが流され、同時に、差動センスアンプ142から、第1参照ビット線BLAに電流−I’BLが、第2参照ビット線BLBに電流I’BLが流され、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータが書き込まれる。
【0093】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、実施の形態1の[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]と同様にして、不揮発性磁気メモリ21にデータ「1」又はデータ「0」が記録される(書き込まれる)。
【0094】
[外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。具体的には、実施の形態2の[外部磁場の検出]と同様にして、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出す。
【0095】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の動作]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに記憶されていたデータ(データ「0」)、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータ(データ「1」)に変化が生じないので、差動センスアンプ142は高電位を出力する。差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0096】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予め書き込まれていたデータ「0」が「1」へと変化し、あるいは又、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予め書き込まれていたデータ「1」が「0」へと変化する。尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが書き換えられる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊される(書き換えられる)磁場の大きさよりも小さいので、他の不揮発性磁気メモリ21に記憶されたデータが破壊されない(書き換えられない)程度の外部磁場によっても、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aあるいは第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータの外部磁場による書き換えが生じ得る。
【0097】
このような場合、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出すと、差動センスアンプ142は低電位を出力する。即ち、差動センスアンプ142の出力が略0の場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。
【0098】
以上のように、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出し、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。次いで、あるいは、これと同時に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)にデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)にデータ「1」を、再び書き込む。次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを再び読み出す。即ち、外部磁場検出手段140によって再び外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段140によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段140によって外部磁場が検出されなくなった場合を含み、より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」であり、且つ、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」である場合)、これと同時に、あるいは又、その後、外部磁場によって影響を受けた期間(シンクロナス動作であれば1つ前の書き込みサイクル及び外部磁場検出手段140からの信号遅延を加えた期間)のデータ(このデータは入力バッファ22に保存された状態にある)を同一アドレス(このアドレスは、アドレス・バッファ24及びコラム・レコーダ25に保存された状態にある)に再度書き込む。
【0099】
また、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0100】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在し続ける場合の動作]
一方、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0101】
(実施の形態4)
実施の形態4は、本発明の第2の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関し、より詳しくは、本発明の第2Aの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。実施の形態4における不揮発性磁気メモリ装置は、実施の形態1における不揮発性磁気メモリ装置10と同様の構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【0102】
実施の形態4にあっては、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが中断され、外部磁場検出手段40によって所定の値未満の外部磁場が検出された後(外部磁場検出手段40によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが行われる。
【0103】
以下、図1、及び、図10の流れ図を参照して、実施の形態4の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態4の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0104】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]
不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みにあたっては、先ず、メモリ制御回路30の制御下、書込禁止信号が存在していた場合には、書込禁止信号が解除され、入力バッファ22に保存されていたデータ(このデータは、既に不揮発性磁気メモリ21に書き込まれている)が廃棄され、図示しないカウンタがリセットされ、外部から送られてきたデータが、入力バッファ22に一旦記憶、保存される。また、外部から送られてきたアドレスは、メモリ制御回路30の制御下、アドレス・バッファ24に一旦記憶される。そして、アドレス・バッファ24に一旦記憶されたアドレスの内、コラム・アドレスがコラム・レコーダ25に送られ、併せて、入力バッファ22に一旦記憶されたデータもコラム・レコーダ25に送られる。一方、アドレス・バッファ24に一旦記憶されたアドレスの内、ロー・アドレスがロー・デコーダ28に送られる。
【0105】
[外部磁場の検出]
そして、外部磁場検出手段40によって外部磁場を検出する。
【0106】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、ロー・デコーダ28の動作によって、書込みワード線ドライバ29が駆動され、書込みワード線RWLに電流IRWLが流される。一方、コラム・レコーダ25の動作によって、センスアンプ26及びビット線ドライバ27が駆動され、書き込むべきデータに依存してビット線BLにが電流IBL又は電流−IBLが流される。その結果形成される合成磁界によって第2の強磁性体層(記録層75)の磁化の方向を変えることで、選択された不揮発性磁気メモリ21にデータ「1」又はデータ「0」が記録される(書き込まれる)。そして、この外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]、[外部磁場の検出]及び[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0107】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、外部磁場の値が所定の値以上の場合、即ち、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みを中断する。具体的には、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。そして、再び、外部磁場検出手段40によって外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段40によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段40によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが行われる。一方、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0108】
(実施の形態5)
実施の形態5は、実施の形態4の変形であり、本発明の第2Bの態様及び第2Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。実施の形態5における不揮発性磁気メモリ装置は、実施の形態2における不揮発性磁気メモリ装置110と同様の構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【0109】
尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊されるような磁場の大きさよりも小さい。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが書き換えられる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊される(書き換えられる)磁場の大きさよりも小さい。即ち、不揮発性磁気メモリ21のトンネル磁気抵抗素子70を構成する第2の強磁性体層(記録層)75の保磁力HCの値は、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aの第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aを構成する第2の強磁性体層(記録層)75Aの保磁力の値、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bの第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bを構成する第2の強磁性体層(記録層)75Bの保磁力の値よりも大きい。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータが外部磁場の影響によって破壊される(書き換えられる)状態にあっても、不揮発性磁気メモリ21に記憶されていたデータが外部磁場の影響によって破壊される(書き換えられる)ことはない。
【0110】
以下、図4、及び、図11の流れ図を参照して、実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0111】
[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み]
実施の形態5においては、実施の形態3の[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み]と同様に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予めデータ「1」が書き込まれている。
【0112】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]
不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みにあたっては、先ず、実施の形態4の[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]と同様の動作が行われる。
【0113】
[外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。具体的には、実施の形態2の[外部磁場の検出]と同様にして、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出す。
【0114】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに記憶されていたデータ(データ「0」)、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータ(データ「1」)に変化が生じないので、差動センスアンプ142は高電位を出力する。差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、実施の形態4にて説明したと同様に、不揮発性磁気メモリ21にデータを書き込む。そして、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]及び[外部磁場の検出]、[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0115】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予め書き込まれていたデータ「0」が「1」へと変化し、あるいは又、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予め書き込まれていたデータ「1」が「0」へと変化する。尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが書き換えられる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊される(書き換えられる)磁場の大きさよりも小さいので、他の不揮発性磁気メモリ21に記憶されたデータが破壊されない(書き換えられない)程度の外部磁場によっても、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aあるいは第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータの外部磁場による書き換えが生じ得る。
【0116】
このような場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータを読み出すと、差動センスアンプ142は低電位を出力する。即ち、差動センスアンプ142の出力が略0の場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。
【0117】
この場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みを中断する。具体的には、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。そして、第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込みを実行する。次いで、再び、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段140によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段140によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが行われる。一方、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0118】
(実施の形態6)
実施の形態6は、本発明の第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関し、より詳しくは、本発明の第3Aの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。実施の形態6における不揮発性磁気メモリ装置は、実施の形態1における不揮発性磁気メモリ装置10と同様の構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【0119】
実施の形態6にあっては、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが中断され、外部磁場検出手段40によって所定の値未満の外部磁場が検出された後(外部磁場検出手段40によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが行われ、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの再書き込みが行われる。
【0120】
即ち、実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法は、実質的に、実施の形態4の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と、実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法とを組み合わせたものである。
【0121】
以下、図1、並びに、図12及び図13の流れ図を参照して、実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0122】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]
不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みにあたっては、先ず、実施の形態4の[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]と同様の動作が行われる。
【0123】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み前の外部磁場の検出]
そして、外部磁場検出手段40によって外部磁場を検出する。
【0124】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、メモリ制御回路30の制御下、書込禁止信号が存在していた場合には、書込禁止信号が解除され、ロー・デコーダ28の動作によって、書込みワード線ドライバ29が駆動され、書込みワード線RWLに電流IRWLが流される。一方、コラム・レコーダ25の動作によって、センスアンプ26及びビット線ドライバ27が駆動され、書き込むべきデータに依存してビット線BLにが電流IBL又は電流−IBLが流される。その結果形成される合成磁界によって第2の強磁性体層(記録層75)の磁化の方向を変えることで、選択された不揮発性磁気メモリ21にデータ「1」又はデータ「0」が記録される(書き込まれる)。
【0125】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、外部磁場の値が所定の値以上の場合、即ち、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みを中断する。具体的には、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。そして、再び、外部磁場検出手段40によって外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段40によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段40によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが行われる。一方、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0126】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み時、若しくは、書き込み後の外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段40によって外部磁場が再び検出される。
【0127】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の動作]
そして、この外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み前の外部磁場の検出]、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み時、若しくは、書き込み後の外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0128】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出されたときには、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。次いで、外部磁場検出手段40によって再び外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段40によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段40によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、これと同時に、あるいは又、その後、メモリ制御回路30の制御下、外部磁場によって影響を受けた期間(シンクロナス動作であれば1つ前の書き込みサイクル及び外部磁場検出手段40からの信号遅延を加えた期間)のデータ(このデータは入力バッファ22に保存された状態にある)を同一アドレス(このアドレスは、アドレス・バッファ24及びコラム・レコーダ25に保存された状態にある)に再度書き込む。
【0129】
また、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み前の外部磁場の検出]、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み時、若しくは、書き込み後の外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0130】
一方、外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路41からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段40によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0131】
(実施の形態7)
実施の形態7は、実施の形態6の変形であり、本発明の第3Bの態様及び第3Cの態様に係る不揮発性磁気メモリ装置及び不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法に関する。実施の形態7における不揮発性磁気メモリ装置は、実施の形態2における不揮発性磁気メモリ装置110と同様の構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【0132】
そして、実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法は、実質的に、実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と、実施の形態3の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法とを組み合わせたものである。
【0133】
即ち、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに予めデータ「1」が書き込まれており、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが読み出され、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが再び読み出される。
【0134】
ここで、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが中断され、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aにデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータ「1」が書き込まれる。また、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとして、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aにデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータ「1」が書き込まれ、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが読み出される。
【0135】
尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bにデータを書き込むために必要とされる磁場の大きさは、実施の形態5にて説明したと同様に、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊されるような磁場の大きさよりも小さい。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが書き換えられる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊される(書き換えられる)磁場の大きさよりも小さい。即ち、不揮発性磁気メモリ21のトンネル磁気抵抗素子70を構成する第2の強磁性体層(記録層)75の保磁力HCの値は、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aの第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aを構成する第2の強磁性体層(記録層)75Aの保磁力の値、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bの第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bを構成する第2の強磁性体層(記録層)75Bの保磁力の値よりも大きい。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータが外部磁場の影響によって破壊される(書き換えられる)状態にあっても、不揮発性磁気メモリ21に記憶されていたデータが外部磁場の影響によって破壊される(書き換えられる)ことはない。
【0136】
以下、図4、並びに、図14及び図15の流れ図を参照して、実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置の動作、実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明する。
【0137】
[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み]
実施の形態5においては、実施の形態3の[第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込み]と同様に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予めデータ「0」が、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予めデータ「1」が書き込まれている。
【0138】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]
不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みにあたっては、先ず、実施の形態4の[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]と同様の動作が行われる。
【0139】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み前の外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み前に外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。具体的には、実施の形態2の[外部磁場の検出]と同様にして、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出す。
【0140】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに記憶されていたデータ(データ「0」)、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータ(データ「1」)に変化が生じないので、差動センスアンプ142は高電位を出力する。差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、実施の形態5にて説明したと同様に、不揮発性磁気メモリ21にデータを書き込む。
【0141】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予め書き込まれていたデータ「0」が「1」へと変化し、あるいは又、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予め書き込まれていたデータ「1」が「0」へと変化する。尚、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータが書き換えられる磁場の大きさは、不揮発性磁気メモリ21にデータに既に記憶されたデータが破壊される(書き換えられる)磁場の大きさよりも小さいので、他の不揮発性磁気メモリ21に記憶されたデータが破壊されない(書き換えられない)程度の外部磁場によっても、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aあるいは第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータの外部磁場による書き換えが生じ得る。
【0142】
このような場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されていたデータを読み出すと、差動センスアンプ142は低電位を出力する。即ち、差動センスアンプ142の出力が略0の場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。
【0143】
この場合、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みを中断する。具体的には、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。そして、第1及び第2参照不揮発性磁気メモリ21A,21Bへのデータ書き込みを実行する。次いで、再び、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段140によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段140によって外部磁場が検出されなくなった場合を含む)、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが行われる。一方、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0144】
[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み時、若しくは、書き込み後の外部磁場の検出]
不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出する。具体的には、実施の形態2の[外部磁場の検出]と同様にして、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出す。
【0145】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合の動作]
外部磁場の値が所定の値未満の場合、即ち、例えば、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在しない場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aに記憶されたデータ(データ「0」)、及び、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータ(データ「1」)に変化が生じないので、差動センスアンプ142は高電位を出力する。差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、以上に説明した[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みの準備]、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み前の外部磁場の検出]、[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み]及び[不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込み時、若しくは、書き込み後の外部磁場の検出]が、選択された不揮発性磁気メモリ21に対して順次続行される。
【0146】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合の動作]
一方、不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在する場合、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)に予め書き込まれていたデータ「0」が「1」へと変化し、あるいは又、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)に予め書き込まれていたデータ「1」が「0」へと変化する。
【0147】
このような場合、次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを読み出すと、差動センスアンプ142は低電位を出力する。即ち、差動センスアンプ142の出力が略0の場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。言い換えれば、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」でなく、若しくは、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」でない場合、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたとみなすことができる。
【0148】
以上のように、不揮発性磁気メモリ21へのデータ書き込み後、外部磁場検出手段140によって外部磁場を検出し、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が送出される。次いで、あるいは、これと同時に、第1参照不揮発性磁気メモリ21A(より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aを構成する第1参照トンネル磁気抵抗素子70Aの記録層75A)にデータ「0」を、第2参照不揮発性磁気メモリ21B(より具体的には、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bを構成する第2参照トンネル磁気抵抗素子70Bの記録層75B)にデータ「1」を、再び書き込む。次いで、第1参照不揮発性磁気メモリ21A及び第2参照不揮発性磁気メモリ21Bに記憶されたデータを再び読み出す。即ち、外部磁場検出手段140によって再び外部磁場を検出する。このとき、外部磁場検出手段140によって所定の値未満の外部磁場が検出されたならば(外部磁場検出手段140によって外部磁場が検出されなくなった場合を含み、より具体的には、第1参照不揮発性磁気メモリ21Aから読み出されたデータが「0」であり、且つ、第2参照不揮発性磁気メモリ21Bから読み出されたデータが「1」である場合)、これと同時に、あるいは又、その後、外部磁場によって影響を受けた期間(シンクロナス動作であれば1つ前の書き込みサイクル及び外部磁場検出手段140からの信号遅延を加えた期間)のデータ(このデータは入力バッファ22に保存された状態にある)を同一アドレス(このアドレスは、アドレス・バッファ24及びコラム・レコーダ25に保存された状態にある)に再度書き込む。
【0149】
また、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止解除信号が送出される。そして、差動センスアンプ142からの高電位を出力を受け取ったメモリ制御回路30の制御下、以上に説明した選択された不揮発性磁気メモリ21へのデータの書き込みが順次続行される。
【0150】
[不特定の変動磁場ノイズ(外部磁場)が存在し続ける場合の動作]
一方、外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出されたならば、第2のメモリ制御回路141からメモリ制御回路30に書込禁止信号が再び送出される。以上の動作を、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数、実行し、それでも外部磁場検出手段140によって所定の値以上の外部磁場が検出され続けたならば、外部磁場の影響を排除できないとして、例えば、警告を発し、データの書き込み動作を中止する。尚、所定のサイクル(所定期間)あるいは所定の回数に達したか否かは、カウンタによって調べることができる。そして、データの書き込み動作を中止した場合、例えば、使用者が不揮発性磁気メモリ装置を搭載した電子機器を外部磁場の影響を受けない場所に移動させた後、使用者がデータの書き込みを再スタート命令を発する(例えば、押しボタンを押す)ことによって、データの書き込みを再スタートすればよい。
【0151】
尚、以上に説明した不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法は、実質的に、実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と、実施の形態3の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法とを組み合わせたものであるが、その代わりに、実質的に、実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法と、実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法とを組み合わせることもできる。このような不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法の流れ図を、図14及び図16の流れ図に示す。
【0152】
以上、本発明を、発明の実施の形態に基づき説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。発明の実施の形態にて説明した不揮発性磁気メモリ装置の構造、構成等は例示であり、適宜変更することができる。
【0153】
例えば、実施の形態1において説明した外部磁場検出手段40と、実施の形態2において説明した外部磁場検出手段140とを組み合わせることもできる。このような場合の回路図を図17に示す。そして、例えば、外部磁場検出手段40によって、実施の形態6にて説明した動作の一部(図12参照)を実行し、外部磁場検出手段140によって、実施の形態2あるいは実施の形態3にて説明した動作(図5あるいは図9参照)を実行すればよい。あるいは又、例えば、外部磁場検出手段140によって、実施の形態7にて説明した動作の一部(図14参照)にて説明した動作を実行し、外部磁場検出手段40によって、実施の形態1にて説明した動作(図2参照)を実行すればよい。
【0154】
【発明の効果】
本発明においては、外部磁場検出手段を備えているが故に、この外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われ、あるいは又、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断される結果、外部磁場の大きさや向きに拘わらず、データを書き込むべき選択された不揮発性磁気メモリにデータを確実に書き込むことが可能となり、外部磁場中での誤動作発生を抑制することができる。しかも、外部磁場の影響を抑制するために不揮発性磁気メモリを構成する記録層における保磁力Hcの値を大きくする必要がないので、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込みのための消費電力を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、発明の実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置の回路図である。
【図2】図2は、発明の実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図3】図3は、不揮発性磁気メモリの模式的な一部断面図である。
【図4】図4は、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置の回路図である。
【図5】図5は、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図6】図6は、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置における第1参照不揮発性磁気メモリの模式的な一部断面図である。
【図7】図7は、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置における第2参照不揮発性磁気メモリの模式的な一部断面図である。
【図8】図8の(A)は、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置における外部磁場検出手段の回路図であり、図8の(B)は、発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置における第1参照ビット線、第2参照ビット線、第1参照書込みワード線(第2参照書込みワード線RWLと共通である)の模式的なレイアウト図である。
【図9】図9は、発明の実施の形態3の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態3の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図10】図10は、発明の実施の形態4の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態4の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図11】図11は、発明の実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態5の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図12】図12は、発明の実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図13】図13は、図12に引き続き、発明の実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態6の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図14】図14は、発明の実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図15】図15は、図14に引き続き、発明の実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置の動作、発明の実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法を説明するための流れ図である。
【図16】図16は、図14に引き続き、発明の実施の形態7の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法の変形例を説明するための流れ図である。
【図17】図17は、発明の実施の形態1の不揮発性磁気メモリ装置と発明の実施の形態2の不揮発性磁気メモリ装置との組合せの回路図である。
【図18】図18は、不揮発性磁気メモリのアステロイド曲線を模式的に示す図である。
【符号の説明】
10,110,210・・・不揮発性磁気メモリ装置、20,120,220・・・メモリチップ、21・・・不揮発性磁気メモリ、21’・・・不揮発性磁気メモリ・アレイ、21A・・・第1参照不揮発性磁気メモリ、21B・・・第1参照不揮発性磁気メモリ、22・・・入力バッファ、23・・・出力バッファ、24・・・アドレス・バッファ、25・・・コラム・レコーダ、26・・・センスアンプ、27・・・ビット線ドライバ、28・・・ロー・デコーダ、29・・・書込みワード線ドライバ、30・・・メモリ制御回路、40,140・・・外部磁場検出手段、41,141・・・第2のメモリ制御回路、142・・・差動センスアンプ、143・・・パルス発生回路、50・・・シリコン半導体基板、51,51A,51B・・・素子分離領域、52,52A,52B・・・ゲート電極、53,53A,53B・・・ゲート絶縁膜、54,54A,54B,55,55A,55B・・・ソース/ドレイン領域、56,56A,56B・・・タングステンプラグ、57,57A,57B・・・センス線、61・・・第1の層間絶縁層、62,62A,62A,65,65A,65A・・・タングステンプラグ、63,63A,63B・・・ランディングパッド、64・・・第2の層間絶縁層、66・・・第3の層間絶縁層、70・・・トンネル磁気抵抗素子、70A・・・第1参照トンネル磁気抵抗素子、70B・・・第2参照トンネル磁気抵抗素子、71,71A,71B・・・第1の強磁性体層、72,72A,72B・・・反強磁性体層、73,73A,73B・・・磁化固定層、74,74A,74B・・・トンネル絶縁膜、75,75A,75B・・・第2の強磁性体層(記録層)、76・・・トップコート膜、77,77A,77B・・・引き出し電極、143・・・パルス発生回路、BL・・・ビット線、BLA・・・第1参照ビット線、BLB・・・第1参照ビット線、RWL・・・書込みワード線、RWLA・・・第1参照書込みワード線、RWLB・・・第2参照書込みワード線、TR・・・選択用トランジスタ、TRA・・・第1参照選択用トランジスタ、TRB・・・第2参照選択用トランジスタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a nonvolatile magnetic memory device and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device, and more particularly, to a nonvolatile magnetic memory device called a TMR (tunnel magnetic resistance) type MRAM (Magnetic Random Access Memory). And a method of writing data to such a nonvolatile magnetic memory device.
[0002]
[Prior art]
With the rapid spread of information communication devices, especially small personal devices such as mobile terminals, various semiconductor devices such as memories and logics, which constitute these devices, are required to have higher integration, higher speed, lower power, etc. There is a demand for higher performance. In particular, nonvolatile memories are considered to be indispensable in the ubiquitous era. Even in the event of power consumption, trouble, or disconnection between the server and the network due to some kind of failure, the non-volatile memory can save and protect important information. In addition, recent portable devices are designed to put unnecessary circuit blocks in standby state and reduce power consumption as much as possible, but if a non-volatile memory that can serve as both high-speed work memory and large-capacity storage memory can be realized, In addition, power consumption and waste of memory can be eliminated. In addition, an “instant-on” function that can be started instantly when the power is turned on can be realized if a high-speed and large-capacity nonvolatile memory can be realized.
[0003]
Examples of the non-volatile memory include a flash memory using a semiconductor material and a ferroelectric non-volatile semiconductor memory (FERAM, Ferroelectric Random Access Memory) using a ferroelectric material. However, the flash memory has a drawback that the write speed is on the order of microseconds and the write speed is low. On the other hand, in FERAM, the number of rewrites is 10 12 -10 14 It has been pointed out that the number of rewritable times of the FERAM is not sufficient to replace the SRAM or the DRAM with the FERAM, and that the fine processing of the ferroelectric layer is difficult.
[0004]
As a non-volatile memory that does not have these disadvantages, a non-volatile magnetic memory called an MRAM (Magnetic Random Access Memory) has attracted attention. Early MRAMs were based on spin valves using the Giant Magnetoresistance (GMR) effect. However, since the memory cell resistance of the load is as low as 10 to 100 Ω, there is a drawback that the power consumption per bit at the time of reading is large, and it is difficult to increase the capacity.
[0005]
On the other hand, in an MRAM using the TMR (Tunnel Magnetoresistance) effect (for example, see R. Mesvey et al. Physics Reports, vol. 238, pp. 214-217, 1994), the resistance change rate at room temperature in the early stage of development is 1 to 1. Although it was only about 2%, in recent years, a resistance change rate of about 20% has been obtained (see, for example, T. Miyazaki et al, J. Magnetism & Magnetic Material, vol. 139, (L231), 1995), and TMR. Attention has been focused on MRAM using effects. The TMR type MRAM has a simple structure, is easy to scale, and has a large number of rewritable times because recording is performed by rotating a magnetic moment. Furthermore, the access time is expected to be very fast, and it is said that the device can already operate at 100 MHz.
[0006]
FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view of a conventional TMR type MRAM (hereinafter, simply referred to as MRAM). The
[0007]
The tunnel
[0008]
Further, below the tunnel
[0009]
On the other hand, the selection transistor TR is formed in a portion of the
[0010]
In the MRAM array, the
[0011]
When writing data to the
[0012]
On the other hand, data is read by turning on the selection transistor TR, passing a current through the bit line BL, and detecting a change in tunnel current due to the magnetoresistance effect with the
[0013]
FIG. 18 shows an asteroid curve of the MRAM 21. A current is applied to the bit line BL and the write word line RWL, and data is written to the tunnel
[0014]
The asteroid curve indicates the synthetic magnetic field (the magnetic field H applied to the recording layer 75). HA And the magnetic field H EA Of the magnetization direction of the recording layer 75 due to the synthesis of the magnetic field vector of the recording medium 75, and indicates the threshold value outside the asteroid curve (OUT 1 , OUT 2 When a composite magnetic field corresponding to ()) is generated, the magnetization direction of the recording layer 75 is reversed, and data is written. On the other hand, when a synthetic magnetic field corresponding to the inside (IN) of the asteroid curve is generated, the magnetization direction of the recording layer 75 does not reverse. Also, in the
[0015]
[Non-Patent Document 1] Mesveyy et al. Physics Reports, vol. 238, pp 214-217, 1994
[Non-Patent Document 2] Miyazaki et al, J. Mol. Magnetism & Magnetic Material, vol 139, (L231), 1995
[0016]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, although the
[0017]
That is, in order to use a memory chip provided with a plurality of nonvolatile magnetic memories (MRAM) 21 as ordinary consumer goods without being restricted by the use environment, except for use in a special environment, an external magnetic field is required. Above all, it is necessary to prevent malfunction. In this case, the biggest problem is unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field). In a state other than the time of data writing (that is, a data reading state or a data holding state), the coercive force H is applied to the nonvolatile magnetic memory (MRAM) 21. c Unless the above magnetic field is applied, there is no data destruction. As described above, the combined magnetic field is defined as a region (OUT) outside the asteroid curve and inside the dotted line in FIG. 1 ), The data is selectively written to the selected
[0018]
That is, depending on the magnitude and direction of the external magnetic field, desired data may not be written to the selected nonvolatile magnetic memory (MRAM) 21 to which data is to be written, or non-volatile data to which data should not be written. There is a case where data is written to the magnetic memory (MRAM) 21 (that is, a case where destruction of data in a holding state occurs).
[0019]
Coercive force H c There is a method of reducing the influence of an external magnetic field by increasing the value of, but such a method has a problem that power consumption for writing data to the MRAM increases.
[0020]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a structure capable of reliably writing data to a selected nonvolatile magnetic memory (MRAM) to which data is to be written with low power consumption regardless of the magnitude and direction of the external magnetic field. It is an object of the present invention to provide a nonvolatile magnetic memory device having the same and a method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a nonvolatile magnetic memory device according to a first aspect of the present invention is a nonvolatile magnetic memory device having a plurality of nonvolatile magnetic memories and a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting unit. So,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing the data to the nonvolatile magnetic memory, if an external magnetic field having a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, the data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory. The writing is performed.
[0022]
In order to achieve the above object, a nonvolatile magnetic memory device according to a second aspect of the present invention is a nonvolatile magnetic memory device having a plurality of nonvolatile magnetic memories and a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting unit. So,
If the external magnetic field detecting means detects an external magnetic field of a predetermined value or more before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted and the external magnetic field detecting means detects the external magnetic field. After detecting the external magnetic field of less than (including the case where the external magnetic field is not detected by the external magnetic field detecting means), data is written to the nonvolatile magnetic memory.
[0023]
In order to achieve the above object, a nonvolatile magnetic memory device according to a third aspect of the present invention is a nonvolatile magnetic memory device having a plurality of nonvolatile magnetic memories and a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting unit. So,
If the external magnetic field detecting means detects an external magnetic field of a predetermined value or more before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted and the external magnetic field detecting means detects the external magnetic field. After detecting an external magnetic field of less than (including the case where the external magnetic field is no longer detected by the external magnetic field detecting means), data is written to the nonvolatile magnetic memory,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing the data to the nonvolatile magnetic memory, when an external magnetic field having a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, the data is written to the nonvolatile magnetic memory. Data is rewritten.
[0024]
To achieve the above object, a method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to a first aspect of the present invention comprises:
A memory chip having a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting means,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing the data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected by the external magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is equal to or more than a predetermined value, It is characterized by rewriting data to the memory.
[0025]
A method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to a second aspect of the present invention for achieving the above object includes a memory chip having a plurality of nonvolatile magnetic memories and an external magnetic field detecting means. A method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device, comprising:
Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected by the external magnetic field detecting means. If the value of the external magnetic field is equal to or greater than a predetermined value, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted. An external magnetic field is detected again by the magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, data is written to the nonvolatile magnetic memory.
[0026]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device, comprising: a memory chip including a plurality of nonvolatile magnetic memories; and an external magnetic field detecting unit. A method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device, comprising:
Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected by the external magnetic field detecting means. If the value of the external magnetic field is equal to or greater than a predetermined value, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted. The external magnetic field is detected again by the magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, data is written to the nonvolatile magnetic memory,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected again by the external magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is equal to or more than the predetermined value, Data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory.
[0027]
The nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention (hereinafter, referred to as In some cases, the external magnetic field detecting means may be disposed outside the memory chip. For the sake of convenience, the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the non-volatile magnetic memory according to the first to third aspects of the present invention, may be used for convenience. It may be referred to as a method of writing data to the device. In this case, well-known Hall elements and magneto-resistive elements can be exemplified as the external magnetic field detecting means. It is sufficient that at least one external magnetic field detecting means is provided outside the memory chip. For example, one external magnetic field detecting means may be provided at each of the four corners outside the memory chip, for a total of four external magnetic field detecting means.
[0028]
Alternatively, in the present invention, the external magnetic field detecting means may be arranged inside the memory chip. For the sake of convenience, the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention or the non-volatile magnetic memory according to the first to third aspects of the present invention may be configured as described above. It may be referred to as a method of writing data to the device. It is sufficient that at least one external magnetic field detecting means is disposed inside the memory chip. For example, one external magnetic field detecting means may be disposed at each of the four corners inside the memory chip, for a total of four external magnetic field detecting means. it can.
[0029]
The nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention or the method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention. If so,
Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from (for example, orthogonal to) the first direction, and
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
Can be cited.
[0030]
Note that, for convenience, such a configuration is used for the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the nonvolatile magnetic memory according to the first to third aspects of the present invention. It may be referred to as a method of writing data to the device.
[0031]
The bit line, the first reference bit line, and the second reference bit line are electrically connected to the second ferromagnetic layer. Such a configuration includes a bit line, a first reference bit line, and a second reference bit line. A mode in which the reference bit line is indirectly connected to the second ferromagnetic layer is included.
[0032]
Further, the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention. Even so, the non-volatile magnetic memory may be a non-volatile magnetic memory constituting the non-volatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the first to third aspects of the present invention. In the method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the aspect, it is preferable that the nonvolatile magnetic memory device has the same configuration as that of the nonvolatile magnetic memory. That is, the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention. Even if there is a non-volatile magnetic memory,
(A) a write word line extending in a first direction (a direction perpendicular to the plane of the drawing);
(B) a bit line extending in a second direction (a direction parallel to the plane of the drawing) different from (for example, orthogonal to) the first direction, and
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Preferably.
[0033]
In the nonvolatile magnetic memory device according to the first aspect of the present invention, when data is written to the nonvolatile magnetic memory, data “0” is simultaneously written to the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory. It is preferable that data “1” be written to the memory, and then the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory be read. Alternatively, before writing data to the nonvolatile magnetic memory, data “0” is previously written to the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory in advance. After writing data to the magnetic memory, it is preferable that data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory be read. In these cases, if the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is not “0” or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”, the external magnetic field It is preferable that data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory when the external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the detecting means. Further, in this case, the external magnetic field detecting means further includes a differential sense amplifier for reading data, and the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. When the output of the differential sense amplifier is substantially 0, it is determined that an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detection means, and the data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory. Is preferably performed.
[0034]
Further, in the nonvolatile magnetic memory device according to the second aspect of the present invention, data “0” is written in the first reference nonvolatile magnetic memory in advance, and data “1” is written in the second reference nonvolatile magnetic memory in advance. It is preferable that the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory be read before writing the data to the nonvolatile magnetic memory. Alternatively, if the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is not “0” or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”, the external magnetic field detecting means Assuming that an external magnetic field of a predetermined value or more is detected, writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted, and then data “0” is stored in the first reference nonvolatile magnetic memory, and the data is stored in the second reference nonvolatile magnetic memory. It is preferable that data “1” be written. Further, in this case, the external magnetic field detecting means further includes a differential sense amplifier for reading data, and the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. When the output of the differential sense amplifier is substantially 0, it is determined that an external magnetic field of a predetermined value or more has been detected by the external magnetic field detection means, and writing of data to the nonvolatile magnetic memory is not performed. It is preferable that the configuration be interrupted.
[0035]
Further, in the nonvolatile magnetic memory device according to aspect 3C of the present invention, data “0” is written in advance in the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written in advance in the second reference nonvolatile magnetic memory. Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read, and after writing data to the nonvolatile magnetic memory, It is preferable that the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory be read again. Alternatively, before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is not “0”, or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “0”. If the value is not “1”, it is determined that the external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detection means, and the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted. Then, the data “0” is stored in the first reference nonvolatile magnetic memory. Is preferably configured such that data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory. Then, in the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment of the present invention including these cases, after writing data to the nonvolatile magnetic memory, the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is set to “0”. Or if the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”, it is determined that the external magnetic field of a predetermined value or more has been detected by the external magnetic field detection means. A configuration in which data “0” is written to the memory and data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory, and then the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are read. It is preferable that Further, in these cases, the external magnetic field detecting means further includes a differential sense amplifier for reading data, and the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. When the output of the differential sense amplifier is substantially 0, it is determined that an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, and data is written to the nonvolatile magnetic memory. Is preferably interrupted, or data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory.
[0036]
In the method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to the first aspect of the invention, when data is written to the nonvolatile magnetic memory, data "0" is written to the first reference nonvolatile magnetic memory, and data is written to the second reference nonvolatile magnetic memory. It is preferable that data “1” be written to the nonvolatile magnetic memory, and then the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory be read. Alternatively, before writing data to the nonvolatile magnetic memory, data “0” is written in advance to the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory in advance. After writing data to the memory, it is preferable to read data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory. In these cases, when the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is not “0” or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”, a predetermined It is preferable to adopt a configuration in which data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory assuming that an external magnetic field equal to or larger than the value is detected. Further, in this case, the external magnetic field detecting means further includes a differential sense amplifier for reading data, and the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. When the output of the differential sense amplifier is substantially 0, it is determined that an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detection means, and the data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory. Is preferably performed.
[0037]
Further, in the method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the second aspect of the present invention, the data "0" is previously stored in the first reference nonvolatile magnetic memory, and the data is previously stored in the second reference nonvolatile magnetic memory. It is preferable to write "1" and to read data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory before writing data to the nonvolatile magnetic memory. Alternatively, if the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is not “0” or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”, the external magnetic field detecting means may exceed a predetermined value. , The writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted, then data “0” is written to the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory. Is preferably written. Further, in this case, the external magnetic field detecting means further includes a differential sense amplifier for reading data, and the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. When the output of the differential sense amplifier is substantially 0, it is determined that an external magnetic field of a predetermined value or more has been detected by the external magnetic field detection means, and writing of data to the nonvolatile magnetic memory is performed. It is preferable to adopt a configuration in which interruption is performed.
[0038]
In the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the third aspect of the present invention, data “0” is previously stored in the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is stored in the second reference nonvolatile magnetic memory in advance. Is written, and before the data is written to the nonvolatile magnetic memory, the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read, and after the data is written to the nonvolatile magnetic memory, It is preferable that the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory be read again. Alternatively, before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the data read from the first reference nonvolatile magnetic memory is not “0”, or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”. In this case, assuming that an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detection means, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted, and then the data “0” is written to the first reference nonvolatile magnetic memory. It is preferable to write the data “1” into the 2-reference nonvolatile magnetic memory. Then, in the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the aspect 3C of the present invention including these cases, after writing data to the nonvolatile magnetic memory, data is read from the first reference nonvolatile magnetic memory. If the data is not “0” or the data read from the second reference nonvolatile magnetic memory is not “1”, it is determined that the external magnetic field having a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detection means. "0" is written to the non-volatile magnetic memory, data "1" is written to the second reference nonvolatile magnetic memory, and then the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are read. It is preferable that Further, in these cases, the external magnetic field detecting means further includes a differential sense amplifier for reading data, and the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. When the output of the differential sense amplifier is substantially 0, it is determined that an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, and data is written to the nonvolatile magnetic memory. Is preferably interrupted or data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory.
[0039]
The nonvolatile magnetic memory device according to the first, second, and third aspects of the present invention, or the nonvolatile magnetic memory according to the first, second, and third aspects of the present invention. In the method of writing data to the device, when writing data to the nonvolatile magnetic memory, when writing data “0” to the first reference nonvolatile magnetic memory and writing data “1” to the second reference nonvolatile magnetic memory, The magnitude of the magnetic field required for writing data to the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is larger than the magnitude of the magnetic field required for writing data to the nonvolatile magnetic memory. Desirably small. Alternatively, when data “0” is written in the first reference nonvolatile magnetic memory in advance and data “1” is written in the second reference nonvolatile magnetic memory in advance, the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory may be used. The magnitude of the magnetic field required to write data to the magnetic memory is desirably smaller than the magnitude of the magnetic field that would destroy data already stored in the nonvolatile magnetic memory. In other words, the value of the coercive force of the second ferromagnetic layer forming the tunneling magneto-resistance element of the nonvolatile magnetic memory is equal to the value of the second coercive force of the first reference tunneling magneto-resistance element of the first reference nonvolatile magnetic memory. It is preferable that the value is larger than the value of the coercive force of the ferromagnetic layer and the value of the coercive force of the second ferromagnetic layer constituting the second reference tunneling magneto-resistance element of the second reference nonvolatile magnetic memory. With such a configuration, the influence of the external magnetic field on the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory becomes larger than the influence of the external magnetic field on the nonvolatile magnetic memory. The influence of an external magnetic field when writing data to the memory can be reliably grasped.
[0040]
In order to make the sensitivity of the first reference tunneling magneto-resistance element and the second reference tunneling magneto-resistance element higher than the sensitivity of the tunneling magneto-resistance element to the external magnetic field, specifically, the tunnel magnetic field must be set in such a state. The planar shape of the resistance element, the first reference tunneling magnetoresistance element, and the second reference tunneling magnetoresistance element is rectangular, and two opposing sides of the rectangle are parallel to the hard axis direction of the recording layer (length is L HA ), The other two opposite sides of the rectangle are parallel to the direction of the easy axis of magnetization of the recording layer (length is L EA ), The aspect ratio (L) of the first reference tunneling magneto-resistance element and the second reference tunneling magneto-resistance element. EA / L HA And greater than 1) can be achieved by making the aspect ratio smaller than the aspect ratio of the tunnel magnetoresistive element. Alternatively, when the aspect ratios of the tunnel magnetoresistive element, the first reference tunnel magnetoresistive element, and the second reference tunnel magnetoresistive element are the same, the planar shapes of the first reference tunnel magnetoresistive element and the second reference tunnel magnetoresistive element may be changed. Can be achieved by making the size larger than the size of the planar shape of the tunnel magnetoresistive element. Alternatively, this can be achieved by making the planar shape of the tunneling magneto-resistance element rectangular, and making the planar shapes of the first and second reference tunneling magneto-resistance elements elliptical. Further, the first reference tunneling magneto-resistance element and the second reference tunneling magneto-resistance element have the same shape as the tunneling magneto-resistance element, but are in the vicinity of the first reference tunneling magneto-resistance element and the second reference tunneling magneto-resistance element. Can also be achieved by a configuration provided with a magnetic flux concentration means having a high magnetic permeability.
[0041]
The predetermined value, the first predetermined value, and the second predetermined value in the value of the external magnetic field depend on the structure, configuration, size, and the like of the nonvolatile magnetic memory. It may be determined by examining the effect of an external magnetic field when writing data to the nonvolatile magnetic memory.
[0042]
In the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, More specifically, the one ferromagnetic layer may have, for example, a two-layer structure of an antiferromagnetic layer and a ferromagnetic layer (also called a fixed layer or a fixed magnetization layer) from below. Preferably, this allows for strong unidirectional magnetic anisotropy due to the exchange interaction acting between these two layers. The magnetization fixed layer is in contact with the tunnel insulating film. The second ferromagnetic layer whose magnetization direction rotates relatively easily is also called a free layer or a recording layer. The tunnel insulating film serves to cut off magnetic coupling between the second ferromagnetic layer (recording layer) and the magnetization fixed layer and to flow a tunnel current.
[0043]
The ferromagnetic layer (fixed layer, pinned layer) and second ferromagnetic layer (recording layer, free layer) are made of, for example, a transition metal magnetic element, specifically, nickel (Ni), iron (Fe). Alternatively, the ferromagnetic material can be formed of a ferromagnetic material composed of cobalt (Co), or a ferromagnetic material mainly composed of an alloy thereof (eg, Co—Fe, Co—Fe—Ni, Ni—Fe). Further, a so-called half-metallic ferromagnetic material or an amorphous ferromagnetic material such as CoFe-B can also be used. Examples of the material forming the antiferromagnetic layer include an iron-manganese alloy, a nickel-manganese alloy, a platinum-manganese alloy, an iridium-manganese alloy, a rhodium-manganese alloy, a cobalt oxide, and a nickel oxide. . These layers are formed, for example, by a physical vapor deposition method (PVD method) exemplified by a sputtering method, an ion beam deposition method, or a vacuum evaporation method, or a CVD method represented by an ALD (Atomic Layer Deposition) method. be able to.
[0044]
Aluminum oxide (AlO) is used as an insulating material for forming the tunnel insulating film. X ), Aluminum nitride (AlN), magnesium oxide (MgO), magnesium nitride, silicon oxide, and silicon nitride. Ge, NiO, CdO X , HfO 2 , Ta 2 O 5 , BN, and ZnS. The tunnel insulating film can be obtained, for example, by oxidizing or nitriding a metal film formed by a sputtering method. More specifically, aluminum oxide (AlO) is used as an insulating material for forming the tunnel insulating film. X ) Is used, for example, a method of oxidizing aluminum formed by a sputtering method in the atmosphere, a method of plasma oxidizing aluminum formed by a sputtering method, and a method of oxidizing aluminum formed by a sputtering method with IPC plasma. , Method of spontaneously oxidizing aluminum formed by sputtering in oxygen, method of oxidizing aluminum formed by sputtering with oxygen radicals, natural oxidation of aluminum formed by sputtering in oxygen A method of irradiating with ultraviolet rays, a method of forming aluminum by a reactive sputtering method, and a method of forming aluminum oxide by a sputtering method can be exemplified. Alternatively, the tunnel insulating film can be formed by a CVD method represented by the ALD method.
[0045]
The bit line or the write word line is made of, for example, aluminum, an aluminum-based alloy such as Al-Cu, or copper (Cu), and is represented by, for example, a PVD method exemplified by a sputtering method, a CVD method, and an electrolytic plating method. It can be formed by a plating method.
[0046]
Patterning of the laminated structure, bit lines, write word lines, and the like can be performed by, for example, a reactive ion etching (RIE) method or an ion milling method. In some cases, patterning can be performed by a so-called lift-off method.
[0047]
In the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, or the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first to third aspects of the present invention, Although not required, each of the nonvolatile magnetic memory, the first reference nonvolatile magnetic memory, and the second reference nonvolatile magnetic memory
(A) a selection transistor formed on a semiconductor substrate,
(B) a first interlayer insulating layer covering the selection transistor;
(C) a second interlayer insulating layer, and
(D) a third interlayer insulating layer,
Further comprising
Write word lines (first reference write word line, second reference write word line) are formed on the first interlayer insulating layer,
A second interlayer insulating layer that covers the write word lines (first reference write word line, second reference write word line) and the first interlayer insulating layer;
The first ferromagnetic layer is formed on the second interlayer insulating layer,
A third interlayer insulating layer that covers the tunneling magneto-resistance element (first reference tunneling magneto-resistance element, second reference tunneling magneto-resistance element) and the second interlayer insulating layer;
An extended portion of the first ferromagnetic layer or a lead electrode extending from the first ferromagnetic layer to the second interlayer insulating layer is provided in the second interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer. Is electrically connected to the selection transistor through the connection hole (or the connection hole and the landing pad),
Bit lines (first and second reference bit lines) may be formed on the third interlayer insulating layer.
[0048]
The connection holes are made of doped polysilicon, tungsten, Ti, Pt, Pd, Cu, TiW, TiNW, WSi. 2 , MoSi 2 And the like, and can be formed based on a chemical vapor deposition (CVD) method or a PVD method exemplified by a sputtering method.
[0049]
The selection transistor can be composed of, for example, a well-known MIS-type FET, MOS-type FET, or bipolar transistor.
[0050]
Silicon oxide (SiO 2) is used as a material for forming the first interlayer insulating layer, the second interlayer insulating layer, and the third interlayer insulating layer. 2 ), Silicon nitride (SiN), SiON, SOG, NSG, BPSG, PSG, BSG, FSG, SiOC, SiC, an organic film (a so-called Low-k material), or LTO.
[0051]
In the present invention, since the external magnetic field detecting means is provided, when an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory, or Further, as a result of interrupting the writing of data to the nonvolatile magnetic memory, the data can be reliably written to the selected nonvolatile magnetic memory to which the data is to be written, regardless of the magnitude or direction of the external magnetic field.
[0052]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments of the present invention (hereinafter, abbreviated as embodiments) with reference to the drawings.
[0053]
(Embodiment 1)
[0054]
As shown in the circuit diagram of FIG. 1, the nonvolatile
[0055]
Here, the external magnetic
[0056]
The nonvolatile
[0057]
Hereinafter, an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the first embodiment and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 1 and 2.
[0058]
[Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
First, under the control of the
[0059]
[Detection of external magnetic field]
At the time of writing data to the nonvolatile
[0060]
[Operation when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field)]
When the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the above-described [writing of data to the nonvolatile magnetic memory 21]. And [Detection of external magnetic field] are sequentially continued for the selected nonvolatile
[0061]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when the external magnetic
[0062]
Further, a write inhibit release signal is sent from the second
[0063]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) continues to exist]
On the other hand, if the external magnetic
[0064]
(Embodiment 2)
The second embodiment is a modification of the first embodiment, and relates to a nonvolatile magnetic memory device and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first and second aspects of the present invention.
[0065]
FIG. 4 is a circuit diagram of the nonvolatile
[0066]
The nonvolatile
[0067]
Here, the external magnetic field detection means 140 is arranged inside the memory chip 120. The external magnetic field detecting means 140 includes a first reference nonvolatile
[0068]
Alternatively, the
[0069]
The nonvolatile
[0070]
As shown in a schematic partial cross-sectional view of FIG.
First reference write word line RWL extending in a first direction (a direction perpendicular to the plane of the drawing) A ,
First reference bit line BL extending in a second direction (a direction parallel to the plane of the drawing) A ,as well as,
First reference write word line RWL A And the first reference bit line BL A And a first ferromagnetic layer 71A [having a laminated structure of an antiferromagnetic layer 72A and a ferromagnetic layer (fixed layer, also called a fixed magnetization layer 73A)], a tunnel insulating film 74A. , A second ferromagnetic layer (recording layer) 75A, and the first ferromagnetic layer 71A (more specifically, the antiferromagnetic layer 72A) has a first reference write word line RWL. A The second ferromagnetic layer (recording layer) 75A is electrically insulated from the first reference bit line BL. A A first reference tunneling magneto-
It is composed of
[0071]
First reference bit line BL A Are formed on the third
[0072]
On the other hand, the first reference selection transistor TR A Is formed in a portion of the
[0073]
As shown in a schematic partial cross-sectional view of FIG.
Second reference write word line RWL extending in a first direction (a direction perpendicular to the plane of the drawing) B (This second reference write word line RWL B Is the first reference write word line RWL A And common)
Second reference bit line BL extending in a second direction (a direction parallel to the plane of the drawing) B ,as well as,
Second reference write word line RWL B And the second reference bit line BL B And a first ferromagnetic layer 71B [having a laminated structure of an antiferromagnetic layer 72B and a ferromagnetic layer (fixed layer, also called a fixed magnetization layer 73B)] and a tunnel insulating film 74B. , A second ferromagnetic layer (recording layer) 75B, and the first ferromagnetic layer 71B (more specifically, the antiferromagnetic layer 72B) has a second reference write word line RWL. B The second ferromagnetic layer (recording layer) 75B is electrically insulated from the second reference bit line BL. B A second reference tunneling magneto-
It is composed of
[0074]
Second reference bit line BL B Are formed on the third
[0075]
On the other hand, the second reference selection transistor TR B Is formed in a portion of the
[0076]
The magnitude of the magnetic field required for writing data to the first reference nonvolatile
[0077]
Specifically, such a state is such that the planar shape of the
[0078]
The first reference non-volatile
[0079]
Hereinafter, the operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the second embodiment and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the second embodiment will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 4 and 5.
[0080]
[Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
First, data “1” or data “0” is recorded (written) in the nonvolatile
[0081]
[Operation of Writing Data to First and Second Reference Nonvolatile
In the second embodiment, at the same time that data is recorded (written) in the nonvolatile
[0082]
[Detection of external magnetic field]
After writing data to the nonvolatile
[0083]
[Operation when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field)]
When the value of the external magnetic field is less than the predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the data (data “0”) stored in the first reference nonvolatile
[0084]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, data is written to the nonvolatile
[0085]
In such a case, when the data stored in the first reference nonvolatile
[0086]
As described above, after writing data to the nonvolatile
[0087]
In addition, a write inhibit release signal is sent from the second
[0088]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) continues to exist]
On the other hand, if the external magnetic field detecting means 140 detects an external magnetic field of a predetermined value or more, the second
[0089]
(Embodiment 3)
The third embodiment is a modification of the second embodiment. Since the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment has the same structure as the nonvolatile
[0090]
In the third embodiment, before writing data to the nonvolatile
[0091]
Hereinafter, an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 9.
[0092]
[Data Writing to First and Second Reference Nonvolatile
In the third embodiment, the first reference nonvolatile
[0093]
[Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
When there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), data “1” or data “1” is stored in the nonvolatile
[0094]
[Detection of external magnetic field]
After writing data to the nonvolatile
[0095]
[Operation when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field)]
When the value of the external magnetic field is less than the predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the data (data “0”) stored in the first reference nonvolatile
[0096]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when an unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) is present, the first reference nonvolatile
[0097]
In such a case, when the data stored in the first reference nonvolatile
[0098]
As described above, after writing data to the nonvolatile
[0099]
Further, a write inhibit release signal is sent from the second
[0100]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) continues to exist]
On the other hand, if the external magnetic field detecting means 140 detects an external magnetic field of a predetermined value or more, the second
[0101]
(Embodiment 4)
Embodiment 4 relates to the nonvolatile magnetic memory device according to the second embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device, and more particularly, to the nonvolatile magnetic memory according to Embodiment 2A of the present invention. The present invention relates to a method for writing data to a memory device and a nonvolatile magnetic memory device. The nonvolatile magnetic memory device according to the fourth embodiment has the same structure as that of the nonvolatile
[0102]
In the fourth embodiment, when an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic
[0103]
Hereinafter, an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the fourth embodiment and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 10.
[0104]
[Preparation for Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
When writing data to the nonvolatile
[0105]
[Detection of external magnetic field]
Then, the external magnetic field is detected by the external magnetic
[0106]
[Writing of Data to Non-Volatile
When the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the operation of the
[0107]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when the value of the external magnetic field is equal to or more than the predetermined value, that is, when an unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists, the writing of data to the nonvolatile
[0108]
(Embodiment 5)
The fifth embodiment is a modification of the fourth embodiment, and relates to a nonvolatile magnetic memory device and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to modes 2B and 2C of the present invention. The nonvolatile magnetic memory device according to the fifth embodiment has the same structure as that of the nonvolatile
[0109]
Note that the magnitude of the magnetic field required to write data in the first reference nonvolatile
[0110]
The operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the fifth embodiment and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the fifth embodiment will be described below with reference to FIGS. 4 and 11.
[0111]
[Data Writing to First and Second Reference Nonvolatile
In the fifth embodiment, the first reference nonvolatile
[0112]
[Preparation for Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
In writing data to the nonvolatile
[0113]
[Detection of external magnetic field]
Before writing data to the nonvolatile
[0114]
[Writing of Data to Non-Volatile
When the value of the external magnetic field is less than the predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the data (data “0”) stored in the first reference nonvolatile
[0115]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when an unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) is present, the first reference nonvolatile
[0116]
In such a case, when the data stored in the first reference nonvolatile
[0117]
In this case, the writing of data to the nonvolatile
[0118]
(Embodiment 6)
Embodiment 6 relates to the nonvolatile magnetic memory device according to the third aspect of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device, and more particularly, to the nonvolatile magnetic memory according to Embodiment 3A of the present invention. The present invention relates to a method for writing data to a memory device and a nonvolatile magnetic memory device. The nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment has the same structure as that of the nonvolatile
[0119]
In the sixth embodiment, when an external magnetic field having a predetermined value or more is detected by the external magnetic
[0120]
That is, the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment is substantially the same as the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the fourth embodiment, and the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first embodiment. This is a combination of a method of writing data to a memory device.
[0121]
Hereinafter, the operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment will be described with reference to FIG. 1 and the flowcharts of FIGS. I do.
[0122]
[Preparation for Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
In writing data to the nonvolatile
[0123]
[Detection of External Magnetic Field Before Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
Then, the external magnetic field is detected by the external magnetic
[0124]
[Writing of Data to Non-Volatile
When the value of the external magnetic field is less than the predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), when the write inhibit signal exists under the control of the
[0125]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when the value of the external magnetic field is equal to or more than the predetermined value, that is, when an unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists, the writing of data to the nonvolatile
[0126]
[Detection of External Magnetic Field During or After Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
When writing data to the nonvolatile
[0127]
[Operation when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field)]
When the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the above-described [Data Write to Non-Volatile Magnetic Memory 21] Preparation], [Detection of external magnetic field before writing data to nonvolatile magnetic memory 21], [Writing data to nonvolatile magnetic memory 21], and [writing data to nonvolatile magnetic memory 21], or Detection of External Magnetic Field After Writing] is sequentially performed on the selected nonvolatile
[0128]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when the external magnetic
[0129]
Further, a write inhibit release signal is sent from the second
[0130]
On the other hand, if the external magnetic
[0131]
(Embodiment 7)
The seventh embodiment is a modification of the sixth embodiment, and relates to a nonvolatile magnetic memory device and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the third and third aspects of the present invention. The nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment has the same structure as that of the nonvolatile
[0132]
The method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment is substantially the same as the method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the fifth embodiment, and the method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment. This is a combination of a method of writing data to a memory device.
[0133]
That is, data “0” is written in advance to the first reference nonvolatile
[0134]
Here, before writing data to the nonvolatile
[0135]
The magnitude of the magnetic field required to write data in the first reference nonvolatile
[0136]
Hereinafter, the operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment and the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment will be described with reference to FIG. 4 and the flowcharts of FIGS. I do.
[0137]
[Data Writing to First and Second Reference Nonvolatile
In the fifth embodiment, the first reference nonvolatile
[0138]
[Preparation for Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
In writing data to the nonvolatile
[0139]
[Detection of External Magnetic Field Before Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
Before writing data to the nonvolatile
[0140]
[Writing of Data to Non-Volatile
When the value of the external magnetic field is less than the predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the data (data “0”) stored in the first reference nonvolatile
[0141]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when an unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) is present, the first reference nonvolatile
[0142]
In such a case, when the data stored in the first reference nonvolatile
[0143]
In this case, the writing of data to the nonvolatile
[0144]
[Detection of External Magnetic Field During or After Writing Data to Nonvolatile Magnetic Memory 21]
After writing data to the nonvolatile
[0145]
[Operation when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field)]
When the value of the external magnetic field is less than the predetermined value, that is, for example, when there is no unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field), the data (data “0”) stored in the first reference nonvolatile
[0146]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) exists]
On the other hand, when an unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) is present, the first reference nonvolatile
[0147]
In such a case, when the data stored in the first reference nonvolatile
[0148]
As described above, after writing data to the nonvolatile
[0149]
Further, a write inhibit release signal is sent from the second
[0150]
[Operation when unspecified fluctuating magnetic field noise (external magnetic field) continues to exist]
On the other hand, if the external magnetic field detecting means 140 detects an external magnetic field of a predetermined value or more, the second
[0151]
The data writing method for the nonvolatile magnetic memory device described above is substantially the same as the data writing method for the nonvolatile magnetic memory device of the fifth embodiment and the nonvolatile magnetic memory of the third embodiment. The method is a combination of the method of writing data to the device and, instead, substantially the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device of the fifth embodiment and the method of writing the nonvolatile magnetic memory of the second embodiment. A method of writing data to a memory device can be combined. A flowchart of a method of writing data to such a nonvolatile magnetic memory device is shown in the flowcharts of FIGS.
[0152]
As described above, the present invention has been described based on the embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to these. The structure, configuration, and the like of the nonvolatile magnetic memory device described in the embodiment of the invention are merely examples, and can be changed as appropriate.
[0153]
For example, the external magnetic field detecting means 40 described in the first embodiment and the external magnetic field detecting means 140 described in the second embodiment can be combined. FIG. 17 shows a circuit diagram in such a case. Then, for example, a part of the operation described in the sixth embodiment (see FIG. 12) is executed by the external magnetic field detecting means 40, and the external magnetic field detecting means 140 performs the operation in the second or third embodiment. The described operation (see FIG. 5 or FIG. 9) may be performed. Alternatively, for example, the operation described in part of the operation described in the seventh embodiment (see FIG. 14) is executed by the external magnetic
[0154]
【The invention's effect】
In the present invention, since the external magnetic field detecting means is provided, when an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory, or In addition, as a result of interrupting the writing of data to the nonvolatile magnetic memory, it is possible to reliably write data to the selected nonvolatile magnetic memory to which data is to be written regardless of the magnitude or direction of the external magnetic field. The occurrence of a malfunction in a magnetic field can be suppressed. In addition, in order to suppress the influence of an external magnetic field, the coercive force H in the recording layer constituting the nonvolatile magnetic memory c Does not need to be increased, power consumption for writing data to the nonvolatile magnetic memory can be suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a nonvolatile magnetic memory device according to
FIG. 2 is a flowchart for explaining an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the first embodiment of the present invention and a method for writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view of a nonvolatile magnetic memory.
FIG. 4 is a circuit diagram of a nonvolatile magnetic memory device according to Embodiment 2 of the present invention;
FIG. 5 is a flowchart for explaining an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the second embodiment of the invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the second embodiment of the invention;
FIG. 6 is a schematic partial sectional view of a first reference nonvolatile magnetic memory in the nonvolatile magnetic memory device according to Embodiment 2 of the present invention;
FIG. 7 is a schematic partial sectional view of a second reference nonvolatile magnetic memory in the nonvolatile magnetic memory device according to Embodiment 2 of the present invention;
FIG. 8A is a circuit diagram of an external magnetic field detecting means in the nonvolatile magnetic memory device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a circuit diagram of the second embodiment of the present invention; FIG. 4 is a schematic layout diagram of a first reference bit line, a second reference bit line, and a first reference write word line (common to a second reference write word line RWL) in the nonvolatile magnetic memory device.
FIG. 9 is a flowchart for explaining an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the third embodiment of the present invention;
FIG. 10 is a flowchart for explaining an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the fourth embodiment of the invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the fourth embodiment of the invention;
FIG. 11 is a flowchart illustrating an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the fifth embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the fifth embodiment of the present invention;
FIG. 12 is a flowchart illustrating an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment of the present invention;
FIG. 13 is a continuation of FIG. 12 for describing an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the sixth embodiment of the present invention; It is a flowchart of.
FIG. 14 is a flowchart for explaining an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment of the present invention;
FIG. 15 is a continuation of FIG. 14 to describe an operation of the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment of the present invention and a method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment of the present invention; It is a flowchart of.
FIG. 16 is a flowchart for explaining a modification of the method of writing data to the nonvolatile magnetic memory device according to the seventh embodiment of the present invention, following FIG. 14;
FIG. 17 is a circuit diagram of a combination of the nonvolatile magnetic memory device according to
FIG. 18 is a diagram schematically illustrating an asteroid curve of a nonvolatile magnetic memory;
[Explanation of symbols]
10, 110, 210 ... nonvolatile magnetic memory device, 20, 120, 220 ... memory chip, 21 ... nonvolatile magnetic memory, 21 '... nonvolatile magnetic memory array, 21A ... 1st reference nonvolatile magnetic memory, 21B ... 1st reference nonvolatile magnetic memory, 22 ... input buffer, 23 ... output buffer, 24 ... address buffer, 25 ... column recorder, 26
Claims (58)
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。A memory chip including a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a nonvolatile magnetic memory device including an external magnetic field detection unit,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing the data to the nonvolatile magnetic memory, if an external magnetic field of a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, the data is rewritten to the nonvolatile magnetic memory. A nonvolatile magnetic memory device in which writing is performed.
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性磁気メモリ装置。Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from the first direction;
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
The nonvolatile magnetic memory device according to claim 3, wherein the nonvolatile magnetic memory device comprises:
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出されることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性磁気メモリ装置。Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, data “0” is written in advance to the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory in advance.
5. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 4, wherein after the data is written to the nonvolatile magnetic memory, the data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are read.
第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されていることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性磁気メモリ装置。The external magnetic field detection means further includes a differential sense amplifier for reading data,
The nonvolatile magnetic memory device according to claim 7, wherein the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier.
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、外部磁場検出手段によって該所定の値未満の外部磁場が検出された後、該不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが行われることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。A memory chip including a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a nonvolatile magnetic memory device including an external magnetic field detection unit,
If the external magnetic field detecting means detects an external magnetic field of a predetermined value or more before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted and the external magnetic field detecting means detects the external magnetic field. A non-volatile magnetic memory device wherein data writing to the non-volatile magnetic memory is performed after an external magnetic field of less than is detected.
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性磁気メモリ装置。Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from the first direction;
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
14. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 13, comprising:
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出されることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性磁気メモリ装置。Data “0” is written in advance in the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written in advance in the second reference nonvolatile magnetic memory.
15. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 14, wherein data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read before writing data to the nonvolatile magnetic memory. .
第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されていることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性磁気メモリ装置。The external magnetic field detection means further includes a differential sense amplifier for reading data,
17. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 16, wherein the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier.
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって所定の値以上の外部磁場が検出された場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが中断され、外部磁場検出手段によって該所定の値未満の外部磁場が検出された後、該不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みが行われ、
該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって該所定の値以上の外部磁場が検出された場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みが行われることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。A memory chip including a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a nonvolatile magnetic memory device including an external magnetic field detection unit,
If the external magnetic field detecting means detects an external magnetic field of a predetermined value or more before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted and the external magnetic field detecting means detects the external magnetic field. After an external magnetic field of less than is detected, data is written to the nonvolatile magnetic memory,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing the data to the nonvolatile magnetic memory, when an external magnetic field having a predetermined value or more is detected by the external magnetic field detecting means, the data is written to the nonvolatile magnetic memory. A nonvolatile magnetic memory device wherein data is rewritten.
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることを特徴とする請求項22に記載の不揮発性磁気メモリ装置。Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from the first direction;
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
23. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 22, comprising:
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが読み出され、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータが再び読み出されることを特徴とする請求項23に記載の不揮発性磁気メモリ装置。Data “0” is written in advance in the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written in advance in the second reference nonvolatile magnetic memory.
Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read,
24. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 23, wherein, after writing data to the nonvolatile magnetic memory, data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read again. .
第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されていることを特徴とする請求項25又は請求項26に記載の不揮発性磁気メモリ装置。The external magnetic field detection means further includes a differential sense amplifier for reading data,
27. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 25, wherein the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier.
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値以上の場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行うことを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。A memory chip having a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting means,
At the time of writing data to the nonvolatile magnetic memory or after writing the data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected by the external magnetic field detecting means. A method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device, comprising rewriting data to a memory.
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることを特徴とする請求項32に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from the first direction;
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
33. The method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to claim 32, comprising:
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出すことを特徴とする請求項33に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, data “0” is written in advance to the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written to the second reference nonvolatile magnetic memory in advance.
34. The method according to claim 33, further comprising reading data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory after writing the data to the nonvolatile magnetic memory. Data writing method.
第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されていることを特徴とする請求項36に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。The external magnetic field detection means further includes a differential sense amplifier for reading data,
37. The method according to claim 36, wherein the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier.
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値以上の場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、その後、外部磁場検出手段によって再び外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値未満の場合、該不揮発性磁気メモリへデータの書き込みを行うことを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。A memory chip having a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting means,
Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected by the external magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is equal to or greater than a predetermined value, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted. Data writing to the non-volatile magnetic memory device, wherein the external magnetic field is detected again by the magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, data is written to the non-volatile magnetic memory Method.
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることを特徴とする請求項42に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from the first direction;
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
43. The method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to claim 42, comprising:
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出すことを特徴とする請求項43に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。Data “0” is written in advance in the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written in advance in the second reference nonvolatile magnetic memory.
44. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 43, wherein data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read before writing data to the nonvolatile magnetic memory. Data writing method.
第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されていることを特徴とする請求項45に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。The external magnetic field detection means further includes a differential sense amplifier for reading data,
The method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to claim 45, wherein the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier.
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に外部磁場検出手段によって外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値以上の場合、不揮発性磁気メモリへのデータの書き込みを中断し、その後、外部磁場検出手段によって再び外部磁場を検出し、該外部磁場の値が所定の値未満の場合、該不揮発性磁気メモリへデータの書き込みを行い、
該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み時、若しくは、該不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、外部磁場検出手段によって再び外部磁場を検出し、該外部磁場の値が該所定の値以上の場合、該不揮発性磁気メモリへのデータの再書き込みを行うことを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。A memory chip having a plurality of nonvolatile magnetic memories, and a method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device having an external magnetic field detecting means,
Before writing data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected by the external magnetic field detecting means. If the value of the external magnetic field is equal to or greater than a predetermined value, the writing of data to the nonvolatile magnetic memory is interrupted. The external magnetic field is detected again by the magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is less than a predetermined value, data is written to the nonvolatile magnetic memory,
When writing data to the nonvolatile magnetic memory, or after writing data to the nonvolatile magnetic memory, the external magnetic field is detected again by the external magnetic field detecting means, and when the value of the external magnetic field is equal to or more than the predetermined value, A method for writing data to a nonvolatile magnetic memory device, comprising rewriting data to the nonvolatile magnetic memory.
(A)第1の方向に延びる書込みワード線、
(B)該第1の方向とは異なる第2の方向に延びるビット線、及び、
(C)該書込みワード線と該ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該ビット線に電気的に接続されたトンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
外部磁場検出手段は、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリから成り、
該第1参照不揮発性磁気メモリは、
(D)該第1の方向に延びる第1参照書込みワード線、
(E)該第2の方向に延びる第1参照ビット線、及び、
(F)該第1参照書込みワード線と該第1参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第1参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第1参照ビット線に電気的に接続された第1参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成され、
該第2参照不揮発性磁気メモリは、
(G)該第1の方向に延びる第2参照書込みワード線、
(H)該第2の方向に延びる第2参照ビット線、及び、
(I)該第2参照書込みワード線と該第2参照ビット線との重複領域に設けられ、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有し、第1の強磁性体層は該第2参照書込みワード線と電気的に絶縁され、第2の強磁性体層は該第2参照ビット線に電気的に接続された第2参照トンネル磁気抵抗素子、
から構成されていることを特徴とする請求項51に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。Non-volatile magnetic memory is
(A) a write word line extending in a first direction;
(B) a bit line extending in a second direction different from the first direction;
(C) a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, which are provided in an overlapping region of the write word line and the bit line; A body layer electrically insulated from the write word line, a second ferromagnetic layer being a tunnel magnetoresistive element electrically connected to the bit line;
Consisting of
The external magnetic field detecting means includes a first reference nonvolatile magnetic memory and a second reference nonvolatile magnetic memory,
The first reference nonvolatile magnetic memory includes:
(D) a first reference write word line extending in the first direction;
(E) a first reference bit line extending in the second direction;
(F) provided in an overlapping region of the first reference write word line and the first reference bit line, and having a laminated structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the first reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a first reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the first reference bit line. element,
Consisting of
The second reference nonvolatile magnetic memory includes:
(G) a second reference write word line extending in the first direction;
(H) a second reference bit line extending in the second direction;
(I) a stacked structure of a first ferromagnetic layer, a tunnel insulating film, and a second ferromagnetic layer, provided in an overlapping region of the second reference write word line and the second reference bit line; , A first ferromagnetic layer is electrically insulated from the second reference write word line, and a second ferromagnetic layer is a second reference tunneling magneto-resistor electrically connected to the second reference bit line. element,
52. The method of writing data to a nonvolatile magnetic memory device according to claim 51, comprising:
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み前に、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを読み出し、
不揮発性磁気メモリへのデータ書き込み後、第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリに記憶されたデータを再び読み出すことを特徴とする請求項52に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。Data “0” is written in advance in the first reference nonvolatile magnetic memory, and data “1” is written in advance in the second reference nonvolatile magnetic memory.
Reading data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory before writing data to the nonvolatile magnetic memory;
53. The nonvolatile magnetic memory device according to claim 52, wherein after writing data to the nonvolatile magnetic memory, data stored in the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory is read again. Data writing method.
第1参照不揮発性磁気メモリ及び第2参照不揮発性磁気メモリは、該差動センスアンプに接続されていることを特徴とする請求項54又は請求項55に記載の不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法。The external magnetic field detection means further includes a differential sense amplifier for reading data,
56. The data stored in the nonvolatile magnetic memory device according to claim 54, wherein the first reference nonvolatile magnetic memory and the second reference nonvolatile magnetic memory are connected to the differential sense amplifier. Writing method.
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