JP2004295146A - Manipulator, probe device using it, and sample preparing device - Google Patents

Manipulator, probe device using it, and sample preparing device Download PDF

Info

Publication number
JP2004295146A
JP2004295146A JP2004171000A JP2004171000A JP2004295146A JP 2004295146 A JP2004295146 A JP 2004295146A JP 2004171000 A JP2004171000 A JP 2004171000A JP 2004171000 A JP2004171000 A JP 2004171000A JP 2004295146 A JP2004295146 A JP 2004295146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
vacuum
chamber
sample
air lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004171000A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3851640B2 (en
JP2004295146A5 (en
Inventor
Masaru Matsushima
勝 松島
Kaoru Umemura
馨 梅村
Satoshi Tomimatsu
聡 富松
Hidemi Koike
英巳 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2004171000A priority Critical patent/JP3851640B2/en
Publication of JP2004295146A publication Critical patent/JP2004295146A/en
Publication of JP2004295146A5 publication Critical patent/JP2004295146A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3851640B2 publication Critical patent/JP3851640B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manipulator capable of improving the operation rate of a device by shortening the stop time of the device at replacing a probe, as for a manipulator for operating the probe inside a vacuum device. <P>SOLUTION: The device is provided with a vacuum guiding mechanism of taking the probe in and out of the vacuum chamber 1 of the device main body without opening the vacuum chamber 1 in the air in the case of taking the probe in and out of the vacuum chamber. Concretely, an air lock chamber 3 is arranged in the vacuum chamber 1, and the air lock chamber 3 is connected to the vacuum chamber 1 of the main body through a vacuum bellows 2. A probe holder 5 is attached to the air lock chamber 3, and the probe 4 is moved together with the air lock chamber 3 by a moving mechanism 7 arranged in the main body. The air lock chamber 3 is constituted so that the evacuation can be performed through a discharge port 9, and a space between the air lock chamber 3 and the vacuum chamber 1 is partitioned by a vacuum valve 8. A 2nd moving mechanism 10 is arranged so that the probe 4 can be moved between the air lock chamber 3 and the vacuum chamber 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、真空内における微小探針のマニピュレータに係り、特に電子素子の性能を評価、ないしは不良を解析するプローブ装置、もしくは集束イオンビームを利用して、試料片から分析や観察に必要な部分のみを加工・摘出する試料作製装置に関する。   The present invention relates to a manipulator for a micro-tip in a vacuum, and particularly to a probe device for evaluating the performance of an electronic element or analyzing a failure, or a portion necessary for analysis and observation from a sample piece using a focused ion beam. The present invention relates to a sample preparation apparatus for processing and extracting only a sample.

従来の電子素子の評価方法として、プローブ装置がある。これは、大気中で光学顕微鏡により検査試料を観察しながら、電気的特性を測定したい位置に探針を接触させる方法である。この探針に、電圧印加手段と電流測定手段を設けることにより、素子の電流電圧特性を評価したり、導通不良箇所を特定することが可能である。近年では、半導体の高集積化が進み、サブミクロンの配線を持った電子素子の評価をする手法が考案されている。例えば、特許文献1に開示されているように、前述したプローブ装置において、光学顕微鏡の代わりに、真空中にて荷電粒子を試料に照射し、その二次電子を検出する顕微手段(電子顕微鏡等)を用い、高精度の探針移動機構により、探針を試料に接触させている。   As a conventional method for evaluating an electronic element, there is a probe device. This is a method in which a probe is brought into contact with a position where electrical characteristics are to be measured while observing an inspection sample with an optical microscope in the atmosphere. By providing the probe with a voltage applying unit and a current measuring unit, it is possible to evaluate the current-voltage characteristics of the element and to specify a conduction failure portion. In recent years, semiconductors have been highly integrated, and techniques for evaluating electronic devices having submicron wiring have been devised. For example, as disclosed in Patent Document 1, in the above-described probe device, instead of an optical microscope, a sample is irradiated with charged particles in a vacuum, and microscopic means (such as an electron microscope or the like) for detecting secondary electrons of the sample is applied. ), The probe is brought into contact with the sample by a high-precision probe moving mechanism.

また、半導体の高集積化により、走査型電子顕微鏡(以下、SEMと略記)の分解能では測定できないほど極微細なものにおける解析の必要性が高まっている。そのため、SEMに代わって観察分解能が高い透過型電子顕微鏡(以下、TEMと略記)が有力視されている。TEMで観察するには、試料の観察部の厚さを、0.1μmまで薄く加工する必要がある。この加工手順の例として、まず、ダイシング装置を用いてウエハ等の試料から、観察すべき領域を含む短冊状ペレットを切り出す。このペレットの一部に、集束イオンビーム(以下、FIBと略記)を照射して、薄壁状の部分を作る。TEM観察時には、この薄壁面に垂直に電子線を照射することで行う。この方法の欠点は、一つの試料を作成するのに、作業が煩雑になることや、ウエハを切断するために分析できない箇所があるという点が挙げられる。これに対し、特許文献2では、以下のような手法が開示されている。これは、試料の姿勢を変化させながら、FIB加工のみで試料を切り出してしまう方法である。ここでは、切り出し後の試料摘出手段として、前述したプローブ装置の探針と同様な形状の操作針を試料に接触させ、堆積ガスを供給し、イオンビームアシストデポジション膜を形成することで、操作針と試料との接着を行い、ウエハから分離を行う。   In addition, due to the high integration of semiconductors, the necessity of analysis of extremely fine objects that cannot be measured with the resolution of a scanning electron microscope (hereinafter abbreviated as SEM) is increasing. For this reason, a transmission electron microscope (hereinafter abbreviated as TEM) having a high observation resolution has been regarded as a promising alternative to the SEM. In order to observe with a TEM, it is necessary to make the thickness of the observation portion of the sample as thin as 0.1 μm. As an example of this processing procedure, first, a strip-shaped pellet including a region to be observed is cut out from a sample such as a wafer using a dicing apparatus. A part of the pellet is irradiated with a focused ion beam (hereinafter abbreviated as FIB) to form a thin-walled part. At the time of TEM observation, the thin wall surface is irradiated with an electron beam vertically. Disadvantages of this method are that the work involved in preparing one sample is complicated, and that there is a part that cannot be analyzed because the wafer is cut. On the other hand, Patent Document 2 discloses the following method. This is a method of cutting out a sample only by FIB processing while changing the posture of the sample. Here, as a sample extracting means after cutting out, an operating needle having the same shape as the probe of the probe device described above is brought into contact with the sample, a deposition gas is supplied, and an ion beam assisted deposition film is formed, thereby performing the operation. The needle and the sample are bonded and separated from the wafer.

特開平9−326425号公報JP-A-9-326425

特開平5−52721号公報JP-A-5-52721

しかしながら、前者のプローブ装置、および後者の試料作製装置ともに共通な問題として、探針、もしくは操作針(以下、プローブという)を試料に接触させるため、プローブ先端の劣化が挙げられる。接触させたときのプローブの変形が、弾性変形領域に収まるような荷重・変位であるよう、接触検出の方法も検討されている。しかし、試料の表面が絶縁物で覆われているなど、接触面の状態が常に同一ではないため、プローブの接触検知不良により必要以上に試料に押し付ける場合が生じる。これにより、プローブ先端が塑性変形し、次回以降のプローブの使用が困難になる。この問題は、半導体の集積度が上がり、プローブ先端が細くなるに従って、顕著となる。   However, a problem common to both the former probe device and the latter sample preparation device is deterioration of the probe tip because a probe or an operating needle (hereinafter, referred to as a probe) is brought into contact with the sample. A contact detection method is also being studied so that the deformation of the probe upon contact is a load / displacement that falls within the elastic deformation region. However, since the state of the contact surface is not always the same, for example, the surface of the sample is covered with an insulator, the probe may be pressed against the sample more than necessary due to poor contact detection of the probe. As a result, the tip of the probe is plastically deformed, and it becomes difficult to use the probe after the next time. This problem becomes more remarkable as the degree of integration of the semiconductor increases and the tip of the probe becomes thinner.

また、後者の試料作製装置に限って言えば、プローブ先端を試料に接着し、ウエハから試料を分離した後に、別の試料を作成・摘出する際には、プローブ先端を切断しなければならない。この切断はFIBで行え、さらに切断面をFIBで鋭利にすることは可能であるが、平面的な加工のみため、厚さ方向に太い、くさび状のプローブになってしまう。このため、繰り返し使用するには、限度がある。   Speaking of the latter sample preparation apparatus alone, the probe tip must be cut off when the probe tip is bonded to the sample and the sample is separated from the wafer, and then another sample is prepared and extracted. This cutting can be performed with the FIB, and the cut surface can be sharpened with the FIB. However, only flat processing is performed, resulting in a wedge-shaped probe that is thick in the thickness direction. Therefore, there is a limit for repeated use.

上記理由により、いずれの装置においてもプローブは消耗品であり、かなりの頻度で交換が必要となる。ところで、これらの装置に取り付けられているプローブ移動用のマニピュレータは、機構部とプローブが一体になっており、プローブ交換時には真空チャンバを大気開放して、本体から取り外さなければならなかった。このため、交換後の真空立ち上げにおいて、長時間を必要とし、装置の稼働率を低下させる原因となっていた。   For these reasons, the probe is a consumable item in any device and needs to be replaced quite frequently. By the way, the manipulator for moving the probe attached to these devices has a mechanical unit and a probe integrated with each other, and it is necessary to open the vacuum chamber to the atmosphere and remove it from the main body when replacing the probe. Therefore, it takes a long time to start up the vacuum after the replacement, which causes a reduction in the operation rate of the apparatus.

上記課題を解決するために、以下の手段を用いる。   In order to solve the above problems, the following means are used.

装置本体である真空チャンバからプローブを出し入れする際に、真空チャンバを大気開放することなく行える真空導入機構を設ける。具体的には、真空チャンバにはエアロック室を設けており、このエアロック室は、本体の真空チャンバとフレキシブルな真空ベローズで接続されている。プローブを保持している部材は、エアロック室に取り付けられており、本体に設けられた移動機構によりエアロック室ごとプローブを移動できる。エアロック室は真空排気が可能な構造であり、エアロック室と真空チャンバの間は真空バルブで仕切られている。プローブはエアロック室と真空チャンバの間を移動できるよう、第二の移動機構を設ける。   There is provided a vacuum introduction mechanism that can be used when the probe is taken in and out of the vacuum chamber that is the apparatus main body without opening the vacuum chamber to the atmosphere. Specifically, an airlock chamber is provided in the vacuum chamber, and the airlock chamber is connected to a vacuum chamber of the main body by a flexible vacuum bellows. The member holding the probe is attached to the airlock chamber, and the probe can be moved together with the airlock chamber by a moving mechanism provided in the main body. The airlock chamber has a structure capable of evacuating, and the airlock chamber and the vacuum chamber are separated by a vacuum valve. A second moving mechanism is provided so that the probe can move between the airlock chamber and the vacuum chamber.

本発明により、プローブを本体の真空チャンバから出し入れする際に、真空チャンバを大気開放する必要がないため、装置の稼働率を向上させることが可能となる。   According to the present invention, it is not necessary to open the vacuum chamber to the atmosphere when the probe is moved in and out of the vacuum chamber of the main body, so that the operation rate of the apparatus can be improved.

以下、本発明を実施例にしたがって説明する。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.

図1は本発明の実施例を示すマニピュレータの概略構成図である。図において、装置本体である真空チャンバ1には、真空ベローズ2で接続されたエアロック室3が設けてある。プローブ4を装着したプローブホルダ5は真空シール6を介してエアロック室3に固定されており、真空チャンバ1に設けられた3軸の移動機構7a、7b、7cにより、エアロック室3ごとプローブ4の移動が可能である。エアロック室3と真空チャンバ1の仕切りは、開閉可能な真空バルブ8で構成されており、排気ポート9は三方弁12を介して真空ポンプ11に接続されている。この三方弁12を切り替えることにより、エアロック室3の真空排気/大気開放が可能となる。排気ポート9には、エアロック室3内の圧力を測定するための真空ゲージ13が設けられており、この圧力がある設定値内に入っていない場合、真空バルブ8が開かない構造となっている。また、プローブ4はエアロック室3と真空チャンバ1の間を移動できるよう、プローブホルダ5には1軸の移動機構10が設けられている。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a manipulator showing an embodiment of the present invention. In the figure, an airlock chamber 3 connected by a vacuum bellows 2 is provided in a vacuum chamber 1 which is a main body of the apparatus. The probe holder 5 on which the probe 4 is mounted is fixed to the airlock chamber 3 via a vacuum seal 6, and the three-axis moving mechanisms 7 a, 7 b, 7 c provided in the vacuum chamber 1 provide a probe together with the airlock chamber 3. 4 movements are possible. The partition between the air lock chamber 3 and the vacuum chamber 1 is constituted by a vacuum valve 8 that can be opened and closed, and the exhaust port 9 is connected to a vacuum pump 11 via a three-way valve 12. By switching the three-way valve 12, the air lock chamber 3 can be evacuated / released to the atmosphere. The exhaust port 9 is provided with a vacuum gauge 13 for measuring the pressure in the air lock chamber 3. If the pressure does not fall within a certain set value, the vacuum valve 8 does not open. I have. The probe holder 5 is provided with a uniaxial moving mechanism 10 so that the probe 4 can move between the airlock chamber 3 and the vacuum chamber 1.

ここで、本実施例の動作について説明する。プローブ4を交換する際には、図2(a)に示すように、移動機構10を用いてプローブホルダ5を退避させ、真空バルブ8を閉じる。これにより、エアロック室3は本体真空チャンバ1とは別空間になる。ここで、エアロック室3に排気ポート9からエアを入れて、エアロック室3内を大気圧にする。この後、プローブホルダ5をエアロック室3から取り外し、図2(b)の状態にしてからプローブ4の交換作業を行う。交換後は、逆の手順でプローブホルダ5をエアロック室3に取り付け、エアロック室3内を真空排気する。エアロック室3と真空チャンバ1の圧力差が小さくなったことを確認し、真空バルブ8を開く。プローブホルダ3は移動機構10により、真空チャンバ1内に導入される。プローブ4を所望の位置に操作するには3軸の移動機構7a、7b、7cを用いてエアロック室3ごと移動させる。これにより、真空チャンバを大気開放すること無く、プローブの交換が可能となる。   Here, the operation of the present embodiment will be described. When exchanging the probe 4, as shown in FIG. 2A, the probe holder 5 is retracted using the moving mechanism 10, and the vacuum valve 8 is closed. Thereby, the air lock chamber 3 becomes a separate space from the main body vacuum chamber 1. Here, air is introduced into the air lock chamber 3 from the exhaust port 9 to make the inside of the air lock chamber 3 atmospheric pressure. Thereafter, the probe holder 5 is removed from the airlock chamber 3, and the probe 4 is replaced after the state shown in FIG. After the replacement, the probe holder 5 is attached to the airlock chamber 3 in the reverse order, and the airlock chamber 3 is evacuated. After confirming that the pressure difference between the air lock chamber 3 and the vacuum chamber 1 has become small, the vacuum valve 8 is opened. The probe holder 3 is introduced into the vacuum chamber 1 by the moving mechanism 10. To operate the probe 4 at a desired position, the airlock chamber 3 is moved together with the three-axis moving mechanisms 7a, 7b, 7c. Thus, the probe can be replaced without exposing the vacuum chamber to the atmosphere.

図3は本発明の別の実施例を示すマニピュレータの詳細断面図である。また、図4は図3の平面図、図5は図3のAA断面図、そして図6はプローブホルダの断面図である。図において、装置本体である真空チャンバ31には、ベースフランジ32が真空シール33を用いて固定されている。エアロック室34は真空ベローズ35を介して、ベースフランジ32に接続されており、エアロック室34の端面には真空バルブ37を備えている。真空バルブ37の開閉は、エアロック室34内に構成した筒状のバルブ開閉機構38を回転させることによって行う。また、エアロック室34には、排気用の配管39が真空ベローズ40を介してベースフランジ32に取り付けられており、排気ポート41に通じている。これにより、エアロック室34内の排気(あるいはリーク)を行う。ベースフランジ32にはY軸用リニアガイド42を介してベース(Y)43が取り付けられている。その両端には、ベースフランジ32に固定されたY軸用リニアアクチュエータ44と予圧用押しバネ45aが仕込まれており、ベース(Y)43のY軸方向への移動を行う。同様に、ベース(Y)43にはZ軸用リニアガイド46を介してベース(Z)47が取り付けられており、ベース(Y)43に固定されたZ軸リニアアクチュエータ48と予圧押しバネ45bによって、Z軸方向への移動を行う。X軸方向へは、X軸用リニアガイド49に沿ってベース(X)50を移動させるが、このとき、X軸用リニアアクチュエータ51の出力をてこ55を用いて反転させている。ベース(X)50には、エアロック室32、およびプローブ36を装着しているプローブホルダ54を固定しているため、各軸のリニアアクチュエータ44,48,51を駆動させることにより、プローブ36の移動を行える。プローブ36の位置は、各軸のエンコーダ52a、52b、52cの出力値によって把握され、高精度な位置制御が可能である。プローブホルダ54はエアロック室32の軸に沿って、真空を保ちながら移動可能なように、軸用の真空シール53を設けてある。プローブホルダ54の先端には、給電用に板バネ状の導電板56が接触しており、この導電板56は導線57によってベースフランジ32に設けられた電流導入端子58に接続されている。これによりプローブへの給電が可能である。なお、給電部材として板バネを用いる理由は、接触抵抗を小さくして安定した給電を実現するためと、プローブホルダ54の先端を一方向に荷重をかけることにより、先端の振動の発生を抑制するためである。   FIG. 3 is a detailed sectional view of a manipulator showing another embodiment of the present invention. 4 is a plan view of FIG. 3, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the probe holder. In the figure, a base flange 32 is fixed to a vacuum chamber 31 which is an apparatus main body by using a vacuum seal 33. The air lock chamber 34 is connected to the base flange 32 via a vacuum bellows 35, and a vacuum valve 37 is provided on an end face of the air lock chamber 34. The opening and closing of the vacuum valve 37 is performed by rotating a cylindrical valve opening and closing mechanism 38 formed in the air lock chamber 34. In the air lock chamber 34, an exhaust pipe 39 is attached to the base flange 32 via a vacuum bellows 40 and communicates with an exhaust port 41. As a result, the air in the air lock chamber 34 is exhausted (or leaked). A base (Y) 43 is attached to the base flange 32 via a Y-axis linear guide 42. At both ends, a Y-axis linear actuator 44 fixed to the base flange 32 and a preload pressing spring 45a are provided to move the base (Y) 43 in the Y-axis direction. Similarly, a base (Z) 47 is attached to the base (Y) 43 via a Z-axis linear guide 46. The base (Y) 43 is fixed by a Z-axis linear actuator 48 fixed to the base (Y) 43 and a preload pressing spring 45b. , In the Z-axis direction. The base (X) 50 is moved along the X-axis linear guide 49 in the X-axis direction. At this time, the output of the X-axis linear actuator 51 is inverted using the lever 55. Since the air lock chamber 32 and the probe holder 54 on which the probe 36 is mounted are fixed to the base (X) 50, the linear actuators 44, 48, 51 of each axis are driven so that the probe 36 You can move. The position of the probe 36 is grasped by the output values of the encoders 52a, 52b, 52c of each axis, and highly accurate position control is possible. The probe holder 54 is provided with a shaft vacuum seal 53 so as to be movable along the axis of the airlock chamber 32 while maintaining a vacuum. A leaf spring-like conductive plate 56 is in contact with the tip of the probe holder 54 for power supply. The conductive plate 56 is connected to a current introducing terminal 58 provided on the base flange 32 by a conductive wire 57. Thus, power can be supplied to the probe. The reason why a leaf spring is used as the power supply member is to realize stable power supply by reducing the contact resistance and to suppress the generation of vibration at the distal end of the probe holder 54 by applying a load to the distal end of the probe holder 54 in one direction. That's why.

図6(a)に示すようにプローブホルダ54は、プローブ36が取り付けられたロッド59と、外筒60の二重構造になっており、Oリング61によって真空シールされている。ロッド59はツマミ62の操作によって、外筒60に対して直線および回転移動を行う。ロッド59はストッパ63によりその位置が固定され、プローブ先端の収納・保護が可能となる。また、プローブホルダ54の先端には、板バネ64を径方向に6ヶ配列したプローブソケット66を有している。この板バネ64によりプローブ36を固定するため、プローブ36の抜き差しが可能となり、ネジ等を用いること無くプローブ36の取り外しが容易となっている。プローブ36は絶縁材65によってロッド59とは電気的に絶縁されているため、前述した導電板56の接触による給電が可能となっている。   As shown in FIG. 6A, the probe holder 54 has a double structure of a rod 59 to which the probe 36 is attached and an outer cylinder 60, and is vacuum-sealed by an O-ring 61. The rod 59 moves linearly and rotationally with respect to the outer cylinder 60 by operating the knob 62. The position of the rod 59 is fixed by the stopper 63, so that the tip of the probe can be stored and protected. At the tip of the probe holder 54, a probe socket 66 having six leaf springs 64 arranged in the radial direction is provided. Since the probe 36 is fixed by the leaf spring 64, the probe 36 can be inserted and removed, and the probe 36 can be easily removed without using screws or the like. Since the probe 36 is electrically insulated from the rod 59 by the insulating material 65, power can be supplied by the contact of the conductive plate 56 described above.

ここで、本実施例の動作について説明する。プローブ36の先端の破損、または消耗によりプローブ36を交換する際には、まず、図6(b)に示すように、ツマミ62を直進および回転させて、プローブ36を外筒60に収納する。その後、図7(a)に示すように、プローブホルダ54を手動により退避させ、バルブ開閉機構38を動作させて真空バルブ37を閉じる。これにより、エアロック室34は本体真空チャンバ31とは別空間になる。ここで、エアロック室34に排気ポート41からガス、例えばエアを入れて、エアロック室34内を大気圧にする。この後、さらにプローブホルダ54をエアロック室34から引き抜き、ツマミ63を元に戻して図7(b)の状態にし、プローブ36の交換作業を行う。なお、ここではプローブはタングステン製の針67と針支持部材68で構成され、針67は針支持部材68に溶接により固定されている。プローブ36の交換はピンセット等を用いて、図6(c)、(d)に示すようにプローブ36をプローブホルダ54から引き抜き、替わりに新品のプローブを差し込む。交換後は、逆の手順で組み込めば良い。まず、プローブホルダ36をエアロック室34に挿入し、エアロック室34内を真空排気する。エアロック室34と真空チャンバ31の圧力差が小さくなるまで、例えばエアロック室34の圧力が5Pa以下になったことを確認して、バルブ開閉機構38を動作させて真空バルブ37を開く。プローブホルダ54はさらに手動により、真空チャンバ31内に挿入される。プローブ36を所望の位置に操作するには3軸のリニアアクチュエータ44,48,51を用いてエアロック室34ごと移動させる。これにより、真空チャンバを大気開放すること無く、容易にプローブの交換が可能となる。なお、装置本体の真空チャンバ31には、ベースフランジ32で固定しているだけなので、本体への取り付け/取り外しは容易な構造となっている。このため、本体の取り付けフランジの寸法および位置に合わせることにより、既納装置に対しても追加取り付けが容易である。   Here, the operation of the present embodiment will be described. When replacing the probe 36 due to breakage or wear of the tip of the probe 36, first, the knob 62 is moved straight and rotated, and the probe 36 is stored in the outer cylinder 60, as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 7A, the probe holder 54 is manually retracted, and the valve opening / closing mechanism 38 is operated to close the vacuum valve 37. As a result, the air lock chamber 34 becomes a separate space from the main body vacuum chamber 31. Here, gas, for example, air is introduced into the air lock chamber 34 from the exhaust port 41 to make the inside of the air lock chamber 34 atmospheric pressure. Thereafter, the probe holder 54 is further pulled out of the air lock chamber 34, and the knob 63 is returned to the original state as shown in FIG. 7B, and the probe 36 is replaced. Here, the probe is constituted by a needle 67 made of tungsten and a needle support member 68, and the needle 67 is fixed to the needle support member 68 by welding. For replacement of the probe 36, the probe 36 is pulled out from the probe holder 54 as shown in FIGS. 6C and 6D using tweezers or the like, and a new probe is inserted instead. After the replacement, it is only necessary to incorporate them in the reverse order. First, the probe holder 36 is inserted into the airlock chamber 34, and the inside of the airlock chamber 34 is evacuated. Until the pressure difference between the air lock chamber 34 and the vacuum chamber 31 becomes small, for example, it is confirmed that the pressure in the air lock chamber 34 has become 5 Pa or less, and the valve opening / closing mechanism 38 is operated to open the vacuum valve 37. The probe holder 54 is further manually inserted into the vacuum chamber 31. To operate the probe 36 at a desired position, the airlock chamber 34 is moved together with the three-axis linear actuators 44, 48, 51. Thereby, the probe can be easily replaced without exposing the vacuum chamber to the atmosphere. It should be noted that the apparatus is simply fixed to the vacuum chamber 31 of the apparatus main body by the base flange 32, so that the apparatus can be easily attached to and detached from the main body. For this reason, it is easy to additionally attach to the already delivered device by adjusting the size and position of the attachment flange of the main body.

図8は本発明の別の実施例を示すマニピュレータを搭載したプローブホルダ断面図である。図において、ロッド59の先端にはプローブ36が放射状に6ヶ配置され、各々板バネ64にて固定されている。ロッド59は外筒60に対して回転が可能な構造となっており、ロッド59の先端のツマミ63を回転させることにより、使用するプローブを選択することが可能である。これにより、プローブ先端の破損あるいは消耗時に交換のために行うプローブホルダの引出し作業の頻度が、およそ1/6に減少し、装置稼働率がさらに向上することになる。   FIG. 8 is a sectional view of a probe holder on which a manipulator according to another embodiment of the present invention is mounted. In the figure, six probes 36 are radially arranged at the tip of a rod 59, and are fixed by leaf springs 64, respectively. The rod 59 is configured to be rotatable with respect to the outer cylinder 60, and the probe to be used can be selected by rotating the knob 63 at the tip of the rod 59. As a result, the frequency of pulling out the probe holder for replacement when the tip of the probe is damaged or worn is reduced to about 1/6, and the operation rate of the apparatus is further improved.

図9は本発明の実施例をプローブ装置に適用したときの概略図である。図において、電子銃71から放出された電子ビーム72は、アパーチャ73により成形され、集束レンズ74により電子ビーム72の拡がりを制御し、偏向器75と対物レンズ76を通ることによってステージ77上の所望の位置に集束される。ステージ77上には、半導体ウエハや半導体チップ等の基板78を載置しており、ステージ位置コントローラ79により基板78の評価する素子の位置を特定する。複数のマニピュレータ80a、80b、80cに装着された各々のプローブ81a、81b、81cは、ステージ77とは独立に駆動可能なプローブ位置コントローラ82a、82b、82cによって、基板78上の評価素子の位置まで移動させる。移動の際は、電子ビームコントローラ83により、基板78の評価素子近傍に電子ビーム72を走査して、基板78からの二次電子を二次電子検出器84により検出し、その画像をディスプレイ85で表示/観察しながら行う。プローブ81が接触した基板78の微小部分に電圧を印加できるよう、各プローブ81a、81b、81cには電源86が接続されている。同時に、各プローブ81a、81b、81cに流れる電流も測定できる様、電流計87が接続されている。評価方法の例として、ウエハ上に形成されたMOSデバイスにおける場合を記す。まず、3つのプローブをそれぞれ、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極に接触させる。ここで、プローブを用いてソース電極をアースに落とし、プローブによりゲート電極の電圧をパラメータとして振りながら、プローブによりドレイン電圧と、ソース−ドレイン間を流れるドレイン電流の関係を測定する。これにより、MOSの出力特性を得ることができる。これらの動作は中央演算処理装置88によって、一括して制御されている。   FIG. 9 is a schematic diagram when the embodiment of the present invention is applied to a probe device. In the drawing, an electron beam 72 emitted from an electron gun 71 is shaped by an aperture 73, the spread of the electron beam 72 is controlled by a focusing lens 74, Is focused at the position. A substrate 78 such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip is placed on the stage 77, and the position of an element to be evaluated on the substrate 78 is specified by a stage position controller 79. Each of the probes 81a, 81b, 81c mounted on the plurality of manipulators 80a, 80b, 80c is moved to the position of the evaluation element on the substrate 78 by the probe position controllers 82a, 82b, 82c which can be driven independently of the stage 77. Move. At the time of movement, the electron beam 72 is scanned by the electron beam controller 83 near the evaluation element on the substrate 78, secondary electrons from the substrate 78 are detected by the secondary electron detector 84, and the image is displayed on the display 85. Perform while displaying / observing. A power supply 86 is connected to each of the probes 81a, 81b, and 81c so that a voltage can be applied to a minute portion of the substrate 78 with which the probe 81 has contacted. At the same time, an ammeter 87 is connected so that the current flowing through each of the probes 81a, 81b, 81c can be measured. As an example of the evaluation method, a case of a MOS device formed on a wafer will be described. First, three probes are brought into contact with a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode, respectively. Here, the source electrode is grounded using a probe, and the probe measures the relationship between the drain voltage and the drain current flowing between the source and the drain while varying the voltage of the gate electrode as a parameter. Thereby, the output characteristics of the MOS can be obtained. These operations are collectively controlled by the central processing unit 88.

なお、マニピュレータ80a、80b、80cは前述した図3に示したものと、同様な構成としている。これにより、測定評価時にプローブが破損しても、容易にプローブ交換が可能であるため、プローブ装置の稼働率を向上させることが可能である。   The manipulators 80a, 80b, 80c have the same configuration as that shown in FIG. Thereby, even if the probe is broken at the time of measurement evaluation, the probe can be easily replaced, so that the operation rate of the probe device can be improved.

また、本実施例において、電子銃71をイオン源に置き換えて構成される照射光学系を用いたプローブ装置であっても、本発明のマニピュレータを用いることにより、同様の効果が得られる。   Further, in the present embodiment, even with a probe device using an irradiation optical system configured by replacing the electron gun 71 with an ion source, a similar effect can be obtained by using the manipulator of the present invention.

図10は本発明の実施例を試料作製装置に適用したときの概略図である。図において、真空ポンプ100によって内部を真空雰囲気にした試料室96およびカラム101において、イオン源89から放出されたイオンビーム90は、ビーム制限アパーチャ91により成形され、集束レンズ74によりイオンビーム90の拡がりを制御し、偏向器75と対物レンズ76を通ることによって、試料室に載置したステージ77上の所望の位置に集束される。集束されたイオンビーム90、すなわちFIBは、基板78表面を走査した形状にスパッタすることにより、試料92の精密な加工を行える。ステージ77上には、半導体ウエハや半導体チップ等の基板78と、摘出した試料92を保持する試料ホルダ93を載置しており、ステージ位置コントローラ79により試料加工および摘出をする位置の特定を行う。マニピュレータ80に装着されたプローブ81は、ステージ77とは独立に駆動可能なプローブ位置コントローラ82によって、基板78上の摘出位置まで移動させる。移動および加工の際は、FIBコントローラ94により、基板78の摘出位置近傍にFIBを走査して、基板78からの二次電子を二次電子検出器84により検出し、その画像をディスプレイ85で表示/観察しながら行う。試料92の摘出には、基板78の姿勢を変化させながらFIB加工を行うことにより、試料92をクサビ状に切り出し、プローブ81先端を試料92に接触させる。接触部にはデポガス源95を用いて堆積ガスを供給し、イオンビームアシストデポジション膜を形成することで、プローブ81と試料92との接着を行う。この後、プローブ位置コントローラ82によりプローブ81を基板78から引き上げ、ステージ77上の試料ホルダ93の位置に移動する。プローブ81を下降し、プローブ81に接着した試料92のクサビ先端が試料ホルダ93の表面に接触したのを確認し、イオンビームアシストデポジション膜にて試料92の側面と試料ホルダ93とを接着する。プローブ81の先端はFIBによって試料92から切断され、プローブ位置コントローラ82により、次の試料摘出位置へ移動を行う。このようにして一枚の基板から所望の数の試料を、一つの試料ホルダに移載することが可能である。これらの動作は中央演算処理装置88によって、一括して制御されている。ここで、プローブ81には、図11(a)に示すように先端を鋭利な形状にしたものや、同図(b)のように、プローブ先端をFIBで加工して薄板状にしたものがある。後者はプローブの加工に手間がかかるが、基板78への接触に際して細かな位置決めの必要がなく、また、クサビ状の試料92をFIBで切り落とした後は図11(c)のようになるため、幅広の分だけ繰り返し使用が出来るという利点がある。   FIG. 10 is a schematic diagram when the embodiment of the present invention is applied to a sample preparation apparatus. In the figure, in a sample chamber 96 and a column 101 whose insides are made into a vacuum atmosphere by a vacuum pump 100, an ion beam 90 emitted from an ion source 89 is shaped by a beam limiting aperture 91, and is spread by a focusing lens 74. Is controlled, and the light is focused on a desired position on a stage 77 placed in a sample chamber by passing through a deflector 75 and an objective lens 76. The focused ion beam 90, that is, FIB, can perform precise processing of the sample 92 by sputtering the surface of the substrate 78 into a scanned shape. On the stage 77, a substrate 78 such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip and a sample holder 93 for holding an extracted sample 92 are mounted, and a stage position controller 79 specifies a position for processing and extracting the sample. . The probe 81 mounted on the manipulator 80 is moved to an extraction position on the substrate 78 by a probe position controller 82 that can be driven independently of the stage 77. At the time of movement and processing, the FIB controller 94 scans the FIB near the extraction position of the substrate 78, detects secondary electrons from the substrate 78 by the secondary electron detector 84, and displays the image on the display 85. / Perform while observing. In extracting the sample 92, the sample 92 is cut out in a wedge shape by performing FIB processing while changing the posture of the substrate 78, and the tip of the probe 81 is brought into contact with the sample 92. The probe 81 and the sample 92 are bonded to each other by supplying a deposition gas to the contact portion by using a deposition gas source 95 and forming an ion beam assisted deposition film. Thereafter, the probe 81 is pulled up from the substrate 78 by the probe position controller 82 and moved to the position of the sample holder 93 on the stage 77. The probe 81 is lowered, and it is confirmed that the wedge tip of the sample 92 adhered to the probe 81 contacts the surface of the sample holder 93, and the side surface of the sample 92 and the sample holder 93 are adhered by the ion beam assisted deposition film. . The tip of the probe 81 is cut from the sample 92 by the FIB, and is moved to the next sample extracting position by the probe position controller 82. In this way, it is possible to transfer a desired number of samples from one substrate to one sample holder. These operations are collectively controlled by the central processing unit 88. Here, the probe 81 may be one having a sharp tip at the tip as shown in FIG. 11A, or one having the tip of the probe processed by FIB into a thin plate as shown in FIG. 11B. is there. In the latter case, it takes time to process the probe, but there is no need for fine positioning when the probe comes into contact with the substrate 78. Further, after the wedge-shaped sample 92 is cut off by the FIB, it becomes as shown in FIG. There is an advantage that it can be used repeatedly for a wider portion.

なお、前述した実施例と同様、マニピュレータは図3に示した構成としている。また、マニピュレータ内部のエアロック室は、配管97により三方弁98および真空ポンプ98に接続されており、エアロック室内の真空排気/大気開放が可能な構造となっている。これにより、プローブが消耗あるいは破損しても、容易なプローブ交換を可能とし、試料作製装置の稼働率を向上させることが可能である。
また、本実施例において、偏向器75と対物レンズ76をマスク板と投射レンズに置き換えて構成される投射イオンビームを用いた試料作製装置、あるいは、イオン源89をレーザ光源に置き換えて構成されるレーザビームを用いた試料作製装置であっても、本発明のマニピュレータを用いることにより、同様の効果が得られる。
Note that the manipulator has the configuration shown in FIG. 3 as in the above-described embodiment. The air lock chamber inside the manipulator is connected to a three-way valve 98 and a vacuum pump 98 by a pipe 97, and has a structure capable of evacuating / opening the air lock chamber to the atmosphere. Thereby, even if the probe is worn or damaged, it is possible to easily replace the probe, and it is possible to improve the operation rate of the sample preparation apparatus.
In this embodiment, a sample preparation apparatus using a projected ion beam configured by replacing the deflector 75 and the objective lens 76 with a mask plate and a projection lens, or configured by replacing the ion source 89 with a laser light source. The same effect can be obtained by using the manipulator of the present invention even in a sample manufacturing apparatus using a laser beam.

また、本実施例において、プローブ81をガラスや高分子材料で構成した場合、イオンビームアシストデポジション膜を形成せずに、静電気力を利用して試料92の摘出を行う。このため、プローブ81の先端を切断することはないが、不慮の事故による破損時の交換に対して、本発明のマニピュレータを用いることにより、同様の効果が得られる。   Further, in the present embodiment, when the probe 81 is made of glass or a polymer material, the sample 92 is extracted using an electrostatic force without forming an ion beam assisted deposition film. For this reason, the tip of the probe 81 is not cut, but the same effect can be obtained by using the manipulator of the present invention for replacement in case of breakage due to an accident.

本発明の実施例であるマニピュレータを説明するための概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram for explaining a manipulator according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例を示すマニピュレータの動作を説明するための概略構成図である。It is a schematic structure figure for explaining operation of a manipulator showing an example of the present invention. 本発明の別の実施例を示すマニピュレータの詳細断面図である。FIG. 4 is a detailed sectional view of a manipulator showing another embodiment of the present invention. 本発明の図3の実施例であるマニピュレータの平面図である。FIG. 4 is a plan view of a manipulator according to the embodiment of FIG. 3 of the present invention. 本発明の図3の実施例であるマニピュレータのAA断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of the manipulator according to the embodiment of FIG. 3 of the present invention. 本発明の図3の実施例であるマニピュレータに搭載したプローブホルダの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a probe holder mounted on the manipulator according to the embodiment of FIG. 3 of the present invention. 本発明の図3の実施例であるマニピュレータの動作を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an operation of the manipulator which is the embodiment of FIG. 3 of the present invention. 本発明の別の実施例であるマニピュレータに搭載したプローブホルダの断面図である。It is sectional drawing of the probe holder mounted in the manipulator which is another Example of this invention. 本発明の別の実施例を示すプローブ装置の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a probe device showing another embodiment of the present invention. 本発明の別の実施例を示す試料作製装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a sample preparation apparatus showing another embodiment of the present invention. 本発明の図10の実施例である試料作製装置における、プローブ先端形状を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic view showing a probe tip shape in the sample preparation apparatus according to the embodiment of FIG. 10 of the present invention.

符号の説明Explanation of reference numerals

1…真空チャンバ、2…真空ベローズ、3…エアロック室、4…プローブ、5…プローブホルダ、6…真空シール、7…3軸移動機構、8…真空バルブ、9…排気ポート、10…1軸移動機構、11…真空ポンプ、12…三方弁、13…真空ゲージ、31…真空チャンバ、32…ベースフランジ、33…真空シール、34…エアロック室、35…真空ベローズ、36…プローブ、37…真空バルブ、38…バルブ開閉機構、39…排気用配管、40…真空ベローズ、41…排気ポート、42…Y軸用リニアガイド、43…ベース(Y)、44…Y軸用リニアアクチュエータ、45…予圧用押しバネ、46…Z軸用リニアガイド、47…ベース(Z)、48…Z軸用リニアアクチュエータ、49…X軸用リニアガイド、50…ベース(X)、51…X軸用リニアアクチュエータ、52…エンコーダ、53…真空シール、54…プローブホルダ、55…てこ、56…導電板、57…導線、58…電流導入端子、59…ロッド、60…外筒、61…Oリング、62…ツマミ、63…ストッパ、64…板バネ、65…絶縁材、66…ソケット、67…針、68…針支持部材、71…電子銃、72…電子ビーム、73…アパーチャ、74…集束レンズ、75…偏向器、76…対物レンズ、77…ステージ、78…基板、79…ステージ位置コントローラ、80…マニピュレータ、81…プローブ、82…プローブ位置コントローラ、83…電子ビームコントローラ、84…二次電子検出器、85…ディスプレイ、86…電源、87…電流計、88…中央演算処理装置、89…イオン源、90…イオンビーム、91…ビーム制限アパーチャ、92…試料、93…試料ホルダ、94…FIBコントローラ、95…デポガス源、96…試料室、97…配管、98…三方弁、99…真空ポンプ、100…真空ポンプ、101…カラム。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber, 2 ... Vacuum bellows, 3 ... Air lock chamber, 4 ... Probe, 5 ... Probe holder, 6 ... Vacuum seal, 7 ... 3-axis moving mechanism, 8 ... Vacuum valve, 9 ... Exhaust port, 10 ... 1 Shaft moving mechanism, 11: vacuum pump, 12: three-way valve, 13: vacuum gauge, 31: vacuum chamber, 32: base flange, 33: vacuum seal, 34: air lock chamber, 35: vacuum bellows, 36: probe, 37 ... Vacuum valve, 38 ... Valve opening / closing mechanism, 39 ... Exhaust pipe, 40 ... Vacuum bellows, 41 ... Exhaust port, 42 ... Y axis linear guide, 43 ... Base (Y), 44 ... Y axis linear actuator, 45 ... Prestressing spring, 46 ... Z-axis linear guide, 47 ... Base (Z), 48 ... Z-axis linear actuator, 49 ... X-axis linear guide, 50 ... Base (X), 5 ... X-axis linear actuator, 52 ... Encoder, 53 ... Vacuum seal, 54 ... Probe holder, 55 ... Lever, 56 ... Conductive plate, 57 ... Conducting wire, 58 ... Current introduction terminal, 59 ... Rod, 60 ... Outer cylinder, 61 ... O-ring, 62 ... knob, 63 ... stopper, 64 ... leaf spring, 65 ... insulating material, 66 ... socket, 67 ... needle, 68 ... needle support member, 71 ... electron gun, 72 ... electron beam, 73 ... aperture 74: focusing lens, 75: deflector, 76: objective lens, 77: stage, 78: substrate, 79: stage position controller, 80: manipulator, 81: probe, 82: probe position controller, 83: electron beam controller, 84 ... Secondary electron detector, 85 ... Display, 86 ... Power supply, 87 ... Ammeter, 88 ... Central processing unit, 89 ... Ion source, 90 ... On-beam, 91: beam limiting aperture, 92: sample, 93: sample holder, 94: FIB controller, 95: deposit gas source, 96: sample chamber, 97: piping, 98: three-way valve, 99: vacuum pump, 100: vacuum pump , 101 ... column.

Claims (1)

針状部材と、該針状部材を真空容器内で移動させるための移動手段からなるマニピュレータであって、該針状部材は、該真空容器を大気開放することなしに、該真空容器からの出し入れを可能とする真空導入手段を具備することを特徴とするマニピュレータ。
A manipulator comprising a needle-like member and a moving means for moving the needle-like member in a vacuum container, wherein the needle-like member is inserted into and removed from the vacuum container without opening the vacuum container to the atmosphere. A manipulator comprising a vacuum introducing means capable of performing the following.
JP2004171000A 2004-06-09 2004-06-09 Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device Expired - Lifetime JP3851640B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004171000A JP3851640B2 (en) 2004-06-09 2004-06-09 Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004171000A JP3851640B2 (en) 2004-06-09 2004-06-09 Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05660299A Division JP3851464B2 (en) 1999-03-04 1999-03-04 Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004295146A true JP2004295146A (en) 2004-10-21
JP2004295146A5 JP2004295146A5 (en) 2005-12-22
JP3851640B2 JP3851640B2 (en) 2006-11-29

Family

ID=33411337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004171000A Expired - Lifetime JP3851640B2 (en) 2004-06-09 2004-06-09 Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3851640B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006227108A (en) * 2005-02-15 2006-08-31 Sanyu Seisakusho:Kk Manipulation device for fine work of electron microscope
JP2007163277A (en) * 2005-12-13 2007-06-28 Hitachi High-Technologies Corp Device and method for transporting minute sample
WO2009075237A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-18 Olympus Corporation Chip driving apparatus
JP2011002405A (en) * 2009-06-22 2011-01-06 Nippon Steel Corp Probe for focused ion beam machining device, probe device, and method of manufacturing probe
EP2378342A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-19 Mmi Ag Micromanipulation system with protection device for capillaries
JP2016050854A (en) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社日立ハイテクサイエンス Automatic sample piece manufacturing apparatus
CN107102066A (en) * 2017-03-27 2017-08-29 河海大学 A kind of device and method of indoor ultrasound detection air bubble mix light-textured soil intensity
US10236159B2 (en) 2014-08-29 2019-03-19 Hitachi High-Tech Science Corporation Charged particle beam apparatus
US10677697B2 (en) 2014-06-30 2020-06-09 Hitachi High-Tech Science Corporation Automatic sample preparation apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101861823B1 (en) * 2011-09-16 2018-05-29 삼성디스플레이 주식회사 Testing apparatus for organic light emitting display apparatus, and manufacturing system for organic light emitting display apparatus

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006227108A (en) * 2005-02-15 2006-08-31 Sanyu Seisakusho:Kk Manipulation device for fine work of electron microscope
JP2007163277A (en) * 2005-12-13 2007-06-28 Hitachi High-Technologies Corp Device and method for transporting minute sample
JP4597045B2 (en) * 2005-12-13 2010-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ Micro sample transfer apparatus and method
WO2009075237A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-18 Olympus Corporation Chip driving apparatus
JP2009139865A (en) * 2007-12-10 2009-06-25 Olympus Corp Tip drive device
JP2011002405A (en) * 2009-06-22 2011-01-06 Nippon Steel Corp Probe for focused ion beam machining device, probe device, and method of manufacturing probe
EP2378342A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-19 Mmi Ag Micromanipulation system with protection device for capillaries
WO2011141251A1 (en) * 2010-04-15 2011-11-17 Mmi Ag Micromanipulation system comprising a protective system for capillaries
US10677697B2 (en) 2014-06-30 2020-06-09 Hitachi High-Tech Science Corporation Automatic sample preparation apparatus
US11073453B2 (en) 2014-06-30 2021-07-27 Hitachi High-Tech Science Corporation Automatic sample preparation apparatus and automatic sample preparation method
US11835438B2 (en) 2014-06-30 2023-12-05 Hitachi High-Tech Science Corporation Automatic sample preparation apparatus
JP2016050854A (en) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社日立ハイテクサイエンス Automatic sample piece manufacturing apparatus
US10236159B2 (en) 2014-08-29 2019-03-19 Hitachi High-Tech Science Corporation Charged particle beam apparatus
CN107102066A (en) * 2017-03-27 2017-08-29 河海大学 A kind of device and method of indoor ultrasound detection air bubble mix light-textured soil intensity

Also Published As

Publication number Publication date
JP3851640B2 (en) 2006-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4178741B2 (en) Charged particle beam apparatus and sample preparation apparatus
US6717156B2 (en) Beam as well as method and equipment for specimen fabrication
EP1998356B1 (en) In-Situ STEM Sample Preparation
US7582885B2 (en) Charged particle beam apparatus
JP3851464B2 (en) Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device
JP3633325B2 (en) Sample preparation apparatus and sample preparation method
EP2933820A1 (en) High capacity tem grid
JP3965761B2 (en) Sample preparation apparatus and sample preparation method
JP3851640B2 (en) Manipulator, probe device using the same, and sample preparation device
JP4747952B2 (en) Sample processing apparatus and sample processing method
JP2009037910A (en) Composite charged particle beam device, and process observation method
JP3652144B2 (en) Probe device
JP4300211B2 (en) manipulator
JP2005142561A (en) Manipulator and probe device using the same, specimen preparation device, and specimen observation device
JP4016981B2 (en) Sample preparation apparatus and sample preparation method
JP4016969B2 (en) Sample preparation apparatus and sample preparation method
US7921465B2 (en) Nanotip repair and characterization using field ion microscopy
JP2004279431A (en) Manipulator and probe device, sample fabricating device and sample observing device using the same
JP4428369B2 (en) Charged particle beam apparatus and sample preparation apparatus
JP5024468B2 (en) Sample processing equipment
JP5236037B2 (en) Mirror electronic sample inspection equipment
JP4016970B2 (en) Sample preparation apparatus and sample preparation method
JP4826680B2 (en) Beam member
JP2012098229A (en) Sampling device
Gnauck et al. A new SEM/FIB crossbeam inspection tool for high-resolution materials and device characterization

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051101

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051101

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20051101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060808

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060901

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908

Year of fee payment: 7

EXPY Cancellation because of completion of term