JP2004293942A - Device and method of dry treatment - Google Patents

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健太 佐藤
Maki Morimitsu
麻紀 盛満
Takahiro Yamazaki
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device of dry treatment that can dry solution applied on a substrate evenly. <P>SOLUTION: This device of dry treatment for drying solution applied on a substrate by heating, includes a hot plate 1 on which the substrate 3 is placed, a cover 5 attached to this hot plate 1, for covering the upper surface of the substrate and forming a passage along a predetermined direction with this upper surface, having openings on one end and the other end, and a nozzle body 8 for supplying gas flowing along the predetermined direction from the one opening of the passage formed by this cover. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板に塗布された溶液をホットプレートによって加熱乾燥させる乾燥処理装置及び乾燥処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置の製造工程においては、ガラス製の基板に配向膜、レジスト、カラーフィルタ、有機エレクトロルミネッセンスなどの機能性薄膜を形成する成膜プロセスがある。この成膜プロセスでは、上記溶液を塗布するためにインクジェット方式によって溶液を噴射塗布するノズルヘッドを備えた塗布装置が用いられる。
【０００３】
上記塗布装置は、基板を搬送する搬送テーブルを有し、この搬送テーブルの上方には、搬送テーブルの移動方向と直交する方向に沿って複数のノズルヘッドが並設されている。各ノズルヘッドには複数のノズルが穿設されたノズルプレートが設けられ、各ノズルからはノズルヘッドに供給された溶液がピエゾ素子によって加圧されて噴射されるようになっている。
【０００４】
基板に塗布された溶液は最終的には加熱炉などによって２００℃程度の比較的高い温度で乾燥させられるが、その前に基板上に塗布された溶液が流動して膜厚が変化するのを防止したり、溶液の急激な加熱を避けるためなどに、溶液の塗布後に、最終乾燥温度よりも低い温度で溶液を加熱し、溶液中に含まれる溶媒を蒸発させるという仮乾燥（仮焼成）が行なわれている。
【０００５】
溶液の仮乾燥を行なうにはホットプレートが用いられている。ホットプレートによって基板に塗布された溶液を単に加熱乾燥したのでは、溶液を均一に加熱乾燥させることができないため、膜厚が均一になり難いということがある。
【０００６】
そこで、従来、溶液を均一に加熱乾燥させるため、乾燥処理時に基板の上方に熱風ノズルを配置し、この熱風ノズルを基板の所定方向に沿って移動させながら、基板に塗布された溶液に向けて熱風を噴射するということが行なわれている。それによって、基板に塗布された溶液を均一に乾燥させ、膜厚を均一化させるようにしている。技術文献１にはこのような従来技術が記載されている。
【０００７】
【技術文献１】
特開２００２−３５７７９８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
基板に塗布された溶液は、その溶液の流動性によって仮乾燥前にはある程度平坦化されている。そのような状態の溶液に対し、上記熱風ノズルからは基板の板面に対してほぼ垂直に熱風が噴射される。
【０００９】
そのため、熱風が基板に塗布された溶液に加圧力として作用することになるから、熱風ノズルを基板の所定方向に沿って移動させても、熱風の温度によって流動性が高くなった溶液が熱風の圧力をもろに受けることで流動する。したがって、熱風によって乾燥処理された溶液の厚さにむらが生じ易いということがあった。
【００１０】
基板の板面に上方からほぼ垂直に噴射される熱風は、基板の板面に衝突した後の流れが均一、つまり所定方向に沿って流れ難い。そのため、そのような熱風の不均一な流れによっても、基板に塗布された溶液の厚さにむらが生じる原因となる。
【００１１】
この発明は、基板に塗布された溶液を厚さにばらつきが生じるようなことなく乾燥させることができるようにした乾燥処理装置及び乾燥処理方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板に塗布された溶液を加熱して乾燥させる乾燥処理装置において、
上記基板が載置されるホットプレートと、
このホットプレートに設けられ上記基板の上面を覆うとともにこの上面との間に一端と他端とが開口した通路を所定方向に沿って形成するカバーと、
このカバーによって形成された通路の一方の開口から上記所定方向に沿って流れるよう気体を供給する気体供給手段と
を具備したことを特徴とする乾燥処理装置にある。
【００１３】
上記気体供給手段は、上記基板の上面に供給される気体の供給方向と交差する方向に沿って細長いスリットを有するノズル体であることが好ましい。
【００１４】
上記カバーの他方の開口には、上記基板の上面に供給された気体を強制的に吸引する吸引手段が設けられていることが好ましい。
【００１５】
この発明は、基板に塗布された溶液を加熱して乾燥させる乾燥処理方法において、
溶液が塗布された上記基板をホットプレート上に供給載置して加熱する工程と、
上記溶液を乾燥させるための気体を上記基板の上面の所定方向一端から他端に沿って流す工程と
を具備したことを特徴とする乾燥処理方法にある。
【００１６】
この発明は、インクジェット方式によって基板に塗布された溶液を加熱して仮焼成する乾燥処理方法において、
上記溶液の加熱温度を３０〜５０℃の範囲に設定することを特徴とする乾燥処理方法にある。
【００１７】
この発明によれば、基板に塗布された溶液を乾燥させるための気体を、基板の上面の所定方向に沿って流すため、気体の流れによって溶液の厚さにむらが生じることなく、溶液を乾燥処理することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【００１９】
図１乃至図３はこの発明の一実施の形態に係る乾燥処理装置を示し、この乾燥処理装置はホットプレート１を有する。このホットプレート１は制御装置２によって上面に載置される液晶ディスプレイ用の基板３を所定の温度に加熱することができるようになっている。
【００２０】
上記基板３の上面には、前工程で図２に鎖線で示す範囲に、溶液Ｌとしての配向膜、レジスト、カラーフィルタ、有機エレクトロルミネッセンスなどの機能性薄膜、この実施の形態では配向膜を形成する溶液Ｌがインクジェット方式の塗布ヘッド（図示せず）によって塗布される。すなわち、基板３には上記塗布ヘッドによって液滴状の溶液Ｌが行列状に噴射塗布される。基板３に噴射塗布された溶液Ｌは、その流動性によって経時的に平坦化する。
【００２１】
したがって、溶液Ｌが塗布された基板３をホットプレート１上に載置し、制御装置２によってホットプレート１を所定の温度に制御すれば、基板３に塗布された溶液Ｌを加熱乾燥させることができるようになっている。
【００２２】
上記ホットプレート１の上面にはカバー５が着脱可能に装着される。このカバー５は、図３に示すように板材の幅方向両端部をクランク状に折り曲げて係止部６とした、断面形状が逆Ｕ字状をなしていて、一対の係止部６を上記ホットプレート１の幅方向両端部に係合させて装着されるようになっている。
【００２３】
それによって、カバー５は、ホットプレート１の上面に載置された基板３の上方を覆い、この基板３の上面側に上記幅方向と交差する方向の一端と他端とが開口した通路７を形成する。
【００２４】
上記カバー５によって形成された通路７には、その一端の開口に対向してノズル体８が配設される。このノズル体８は図２に示すように上記通路７の幅方向全長に対応する長さ寸法を有し、先端面８ａには長さ方向ほぼ全長にわたって開口したスリット（図示せず）が形成されている。
【００２５】
上記ノズル体８には給気管９によって気体が供給される。気体としては不活性ガスや清浄な空気などが用いられる。気体は常温で供給されるが、ヒータなどを用いて所定の温度に加熱して物を供給するようにしてもよい。
【００２６】
上記ノズル体８の幅寸法が上記通路７の幅寸法と対応する長さ寸法に設定されていることで、上記通路７にはノズル体８から幅方向全長にわたってほぼ均一に気体が供給される。
【００２７】
上記通路７の他端の開口には吸引手段を構成する吸引ダクト１１がその吸引口１２を上記通路７の開口に対向させて配置される。この吸引ダクト１１は排気ファン１３の吸引側に接続されている。それによって、上記ノズル体８から通路７に供給された気体は、この通路７に沿って流れて上記吸引ダクト１１に吸引されて排気される。
【００２８】
上記吸引ダクト１１の吸引口１２は、通路７の他端の開口の幅方向全長にわたって対向する大きさに設定されている。それによって、排気ファン１３の吸引力は、通路７の幅方向全長にわたってほぼ均一に作用することになる。
【００２９】
つぎに、上記構成の乾燥処理装置によって基板３に塗布された溶液Ｌを乾燥処理する場合の作用について説明する。カバー５が除去されたホットプレート１の上面に、前工程で溶液Ｌが塗布された基板３を載置したならば、上記ホットプレート１にカバー５を装着して基板３を覆い、この基板３の上面に通路７を形成する。
【００３０】
上記基板３は通常、ホットプレート１によって７０〜９０℃に加熱されるが、この実施の形態ではホットプレート１による基板３の加熱温度を、制御装置２によって５０℃以下、好ましくは３０℃程度に設定する。つまり、基板３の加熱温度を３０〜５０℃の低温度に設定する。
【００３１】
基板３の温度がホットプレート１とほぼ同じ温度に上昇したならば、ノズル体８によってカバー５の一端開口から通路７に気体を供給するとともに、排気ファン１３を作動させて通路７に供給された気体を排出する。
【００３２】
気体が通路７に沿って流れることで、基板３に塗布された溶液がその気体に接触するから、溶液Ｌが乾燥処理されることになる。気体は、ノズル体８によって通路７の幅方向全長に均一に供給され、しかも吸引ダクト１１によって幅方向全長から均一に吸引排出される。それによって、基板３に塗布された溶液Ｌには、気体が同じ条件で均一に接触することになるから、溶液Ｌを乾燥むらが生じることなく乾燥処理することができる。
【００３３】
ノズル体８による気体の通路７への供給量と、吸引ダクト１１による排気量とをほぼ同じ若しくは排気量の方をわずかに大きくに設定すれば、通路７に供給された気体は基板３の上面に沿ってほぼ層流状態で流れる。そのため、気体は溶液Ｌと接触してその溶液を乾燥させるものの、溶液Ｌに加圧力を加えることがほとんどない。
その結果、気体によって溶液Ｌを乾燥処理する際に、溶液Ｌが気体の力によって流動することがないから、気体の圧力によって乾燥処理された溶液Ｌの厚さにむらが生じるのを防止することができる。
【００３４】
ホットプレート１による基板３の加熱温度を３０〜５０℃の範囲に設定するようにした。つまり、従来の加熱温度である、７０〜９０℃に比べて低い温度に設定するようにした。
【００３５】
従来のように、乾燥処理時の基板３の加熱温度を７０〜９０℃に設定すると、溶液Ｌを仮乾燥させたときに、溶液Ｌの塗布範囲の周縁部において膜厚が極端に厚くなる傾向があった。とくに、溶液が配向膜用のポリイミド溶液であると、その傾向が顕著であった。
【００３６】
塗布範囲の周縁部において、膜厚が厚くなる原因としては、基板３を７０〜９０℃の高温度に加熱すると、溶液Ｌの流動性が高くなる。一方、基板３の溶液が塗布された部分と、塗布されていない部分との境界部分には温度差が生じる。
【００３７】
流動性が高くなった溶液Ｌは流動し易くなるが、温度差のある上記境界部分で流動が阻止される。それによって、溶液Ｌの塗布範囲の周縁部で膜厚が厚くなるものと考えられる。
【００３８】
この実施の形態では、基板３の加熱温度を従来よりも低い、３０〜５０℃に設定した。そのため、溶液Ｌの流動性が従来に比べて抑制される。その結果、乾燥処理時に、基板３に塗布された溶液３の塗布範囲の周縁部において、膜厚が厚くなるのを防止することができる。
【００３９】
この発明は上記一実施の形態に限定されず、たとえばカバーによって形成された通路の一端にノズル体、他端に吸引ダクトを設けたが、吸引ダクトを設けなくとも、上記通路に気体をある程度は均一に流すことが可能である。
【００４０】
また、基板をホットプレートによって所定の温度に加熱するようにしたが、通路に供給される気体によって基板の加熱温度を制御するようにしてもよく、或いは気体とホットプレートの両方によって温度制御するようにしてもよい。
【００４１】
さらに、ノズル体から通路への気体の供給方向は基板の板面に対して所定の角度をもたせてもよいが、平行であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、基板に塗布された溶液を乾燥させるための気体を、基板の上面の所定方向に沿って流すようにした。
【００４３】
そのため、気体が溶液に圧力として作用し難いとともに、溶液を均一に乾燥させることができるから、溶液の厚さにむらを生じさせることなく、乾燥処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態に係わる乾燥処理装置の一部断面した側面図。
【図２】乾燥処理装置の一部断面した平面図。
【図３】乾燥処理装置の幅方向に沿う拡大断面図。
【符号の説明】
１…ホットプレート、３…基板、５…カバー、７…通路、８…ノズル体、１１…吸引ダクト（吸引手段）、１３…排気ファン（吸引手段）。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a drying apparatus and a drying method for heating and drying a solution applied to a substrate using a hot plate.
[0002]
[Prior art]
For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device, there is a film forming process of forming a functional thin film such as an alignment film, a resist, a color filter, and organic electroluminescence on a glass substrate. In this film forming process, a coating apparatus provided with a nozzle head for spray-coating the solution by an inkjet method to apply the solution is used.
[0003]
The coating apparatus has a transfer table for transferring a substrate, and a plurality of nozzle heads are arranged above the transfer table in a direction perpendicular to the moving direction of the transfer table. Each nozzle head is provided with a nozzle plate provided with a plurality of nozzles, and a solution supplied to the nozzle head is pressurized and ejected from each nozzle by a piezo element.
[0004]
Although the solution applied to the substrate is finally dried at a relatively high temperature of about 200 ° C. by a heating furnace or the like, the solution applied on the substrate before that flows and the film thickness changes. Temporary drying (temporary baking) is to heat the solution at a temperature lower than the final drying temperature and evaporate the solvent contained in the solution after application of the solution to prevent it or to avoid sudden heating of the solution. Is being done.
[0005]
A hot plate is used to temporarily dry the solution. If the solution applied to the substrate is simply dried by heating using a hot plate, the solution cannot be heated and dried uniformly, so that the film thickness may not be uniform.
[0006]
Therefore, conventionally, in order to uniformly heat and dry the solution, a hot-air nozzle is arranged above the substrate during the drying process, and the hot-air nozzle is moved along a predetermined direction of the substrate while facing the solution applied to the substrate. Injecting hot air is performed. As a result, the solution applied to the substrate is dried uniformly, and the film thickness is made uniform. Technical Document 1 describes such a conventional technique.
[0007]
[Technical Document 1]
JP-A-2002-357798
[Problems to be solved by the invention]
The solution applied to the substrate is flattened to some extent before preliminary drying due to the fluidity of the solution. To the solution in such a state, hot air is jetted from the hot air nozzle substantially perpendicular to the plate surface of the substrate.
[0009]
As a result, the hot air acts as a pressing force on the solution applied to the substrate, so that even if the hot air nozzle is moved along a predetermined direction of the substrate, the solution whose fluidity has increased due to the temperature of the hot air will generate the hot air. It flows when subjected to pressure. Therefore, the thickness of the solution dried by hot air tends to be uneven.
[0010]
The hot air that is injected almost vertically from above onto the plate surface of the substrate has a uniform flow after colliding with the plate surface of the substrate, that is, hardly flows along a predetermined direction. Therefore, even the uneven flow of the hot air causes unevenness in the thickness of the solution applied to the substrate.
[0011]
An object of the present invention is to provide a drying processing apparatus and a drying processing method that can dry a solution applied to a substrate without causing variation in thickness.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a drying processing apparatus for heating and drying a solution applied to a substrate,
A hot plate on which the substrate is placed,
A cover provided on the hot plate, which covers the upper surface of the substrate and forms a passage with one end and the other end opened between the upper surface and the upper surface along a predetermined direction;
A gas supply means for supplying gas so as to flow in one of the openings formed by the cover in the predetermined direction.
[0013]
It is preferable that the gas supply means is a nozzle body having an elongated slit along a direction intersecting a supply direction of the gas supplied to the upper surface of the substrate.
[0014]
It is preferable that suction means for forcibly sucking the gas supplied to the upper surface of the substrate is provided at the other opening of the cover.
[0015]
The present invention provides a drying method for heating and drying a solution applied to a substrate,
A step of supplying and mounting the substrate coated with the solution on a hot plate and heating,
Flowing a gas for drying the solution from one end to the other end of the upper surface of the substrate in a predetermined direction.
[0016]
The present invention provides a drying method in which a solution applied to a substrate is heated and temporarily baked by an inkjet method.
The drying treatment method is characterized in that a heating temperature of the solution is set in a range of 30 to 50 ° C.
[0017]
According to the present invention, the gas for drying the solution applied to the substrate is caused to flow along a predetermined direction on the upper surface of the substrate, so that the solution is dried without unevenness in the thickness of the solution caused by the gas flow. Can be processed.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0019]
FIGS. 1 to 3 show a drying apparatus according to an embodiment of the present invention. The drying apparatus has a hot plate 1. The hot plate 1 can heat the liquid crystal display substrate 3 mounted on the upper surface to a predetermined temperature by the control device 2.
[0020]
On the upper surface of the substrate 3, an alignment film as a solution L, a resist, a color filter, a functional thin film such as organic electroluminescence, etc., in this embodiment, an alignment film is formed in a range indicated by a chain line in FIG. The solution L to be applied is applied by an inkjet type application head (not shown). That is, the solution L in the form of droplets is spray-coated on the substrate 3 in a matrix by the coating head. The solution L spray-coated on the substrate 3 is flattened with time due to its fluidity.
[0021]
Therefore, if the substrate 3 on which the solution L is applied is placed on the hot plate 1 and the hot plate 1 is controlled to a predetermined temperature by the controller 2, the solution L applied to the substrate 3 can be dried by heating. I can do it.
[0022]
A cover 5 is detachably mounted on the upper surface of the hot plate 1. As shown in FIG. 3, the cover 5 has both ends in the width direction of the plate material bent into a crank shape to form a locking portion 6, and has a reverse U-shaped cross section. The hot plate 1 is mounted so as to engage with both ends in the width direction.
[0023]
Thereby, the cover 5 covers the upper part of the substrate 3 placed on the upper surface of the hot plate 1, and forms a passage 7 having one end and the other end opened in the direction intersecting the width direction on the upper surface side of the substrate 3. Form.
[0024]
A nozzle body 8 is disposed in the passage 7 formed by the cover 5 so as to face an opening at one end thereof. As shown in FIG. 2, the nozzle body 8 has a length dimension corresponding to the entire length of the passage 7 in the width direction, and a slit (not shown) is formed in the distal end face 8a so as to open over substantially the entire length in the length direction. ing.
[0025]
Gas is supplied to the nozzle body 8 by an air supply pipe 9. As the gas, an inert gas, clean air, or the like is used. Although the gas is supplied at normal temperature, the gas may be supplied to the material by heating it to a predetermined temperature using a heater or the like.
[0026]
Since the width of the nozzle body 8 is set to a length corresponding to the width of the passage 7, gas is supplied to the passage 7 substantially uniformly from the nozzle body 8 over the entire length in the width direction.
[0027]
In the opening at the other end of the passage 7, a suction duct 11 constituting a suction means is disposed with its suction port 12 facing the opening of the passage 7. This suction duct 11 is connected to the suction side of the exhaust fan 13. Thereby, the gas supplied from the nozzle body 8 to the passage 7 flows along the passage 7 and is sucked and exhausted by the suction duct 11.
[0028]
The suction port 12 of the suction duct 11 is set to have a size facing the entire length of the opening at the other end of the passage 7 in the width direction. As a result, the suction force of the exhaust fan 13 acts almost uniformly over the entire length of the passage 7 in the width direction.
[0029]
Next, an operation when the solution L applied to the substrate 3 is dried by the drying apparatus having the above-described configuration will be described. When the substrate 3 on which the solution L has been applied in the previous process is placed on the upper surface of the hot plate 1 from which the cover 5 has been removed, the cover 5 is attached to the hot plate 1 to cover the substrate 3. The passage 7 is formed on the upper surface of the.
[0030]
The substrate 3 is usually heated to 70 to 90 ° C. by the hot plate 1, but in this embodiment, the heating temperature of the substrate 3 by the hot plate 1 is set to 50 ° C. or less, preferably about 30 ° C. by the control device 2. Set. That is, the heating temperature of the substrate 3 is set to a low temperature of 30 to 50 ° C.
[0031]
When the temperature of the substrate 3 rises to substantially the same temperature as the hot plate 1, the gas is supplied to the passage 7 from the one end opening of the cover 5 by the nozzle body 8, and the gas is supplied to the passage 7 by operating the exhaust fan 13. Exhaust gas.
[0032]
When the gas flows along the passage 7, the solution applied to the substrate 3 comes into contact with the gas, so that the solution L is dried. The gas is uniformly supplied to the entire length of the passage 7 in the width direction by the nozzle body 8, and is further uniformly sucked and discharged from the entire length in the width direction by the suction duct 11. Thus, the gas comes into uniform contact with the solution L applied to the substrate 3 under the same conditions, so that the solution L can be dried without uneven drying.
[0033]
If the supply amount of gas to the passage 7 by the nozzle body 8 and the exhaust amount by the suction duct 11 are set to be substantially the same or the exhaust amount is set to be slightly larger, the gas supplied to the passage 7 Flows almost laminarly along Therefore, although the gas comes into contact with the solution L to dry the solution, almost no pressure is applied to the solution L.
As a result, when the solution L is dried by the gas, since the solution L does not flow due to the force of the gas, it is possible to prevent the thickness of the dried solution L from being uneven due to the pressure of the gas. Can be.
[0034]
The heating temperature of the substrate 3 by the hot plate 1 was set in the range of 30 to 50 ° C. That is, the temperature is set lower than the conventional heating temperature of 70 to 90 ° C.
[0035]
When the heating temperature of the substrate 3 during the drying process is set to 70 to 90 ° C. as in the related art, when the solution L is preliminarily dried, the film thickness tends to be extremely thick at the periphery of the application range of the solution L. was there. In particular, when the solution was a polyimide solution for an alignment film, the tendency was remarkable.
[0036]
As a cause of the increase in the film thickness at the periphery of the application range, when the substrate 3 is heated to a high temperature of 70 to 90 ° C., the fluidity of the solution L increases. On the other hand, a temperature difference occurs at the boundary between the portion of the substrate 3 where the solution is applied and the portion where the solution is not applied.
[0037]
The solution L having increased fluidity is more likely to flow, but is prevented from flowing at the boundary where there is a temperature difference. Thus, it is considered that the film thickness is increased at the periphery of the application range of the solution L.
[0038]
In this embodiment, the heating temperature of the substrate 3 is set to 30 to 50 ° C., which is lower than the conventional temperature. Therefore, the fluidity of the solution L is suppressed as compared with the related art. As a result, it is possible to prevent the film thickness from increasing at the periphery of the application range of the solution 3 applied to the substrate 3 during the drying process.
[0039]
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, although a nozzle body is provided at one end of a passage formed by a cover and a suction duct is provided at the other end, gas may be supplied to the passage to some extent without providing a suction duct. It is possible to flow evenly.
[0040]
Although the substrate is heated to a predetermined temperature by the hot plate, the heating temperature of the substrate may be controlled by the gas supplied to the passage, or the temperature may be controlled by both the gas and the hot plate. It may be.
[0041]
Further, the gas supply direction from the nozzle body to the passage may be at a predetermined angle with respect to the plate surface of the substrate, or may be parallel.
[0042]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the gas for drying the solution applied to the substrate is caused to flow along the predetermined direction on the upper surface of the substrate.
[0043]
Therefore, the gas hardly acts as a pressure on the solution and the solution can be dried uniformly, so that the drying process can be performed without causing unevenness in the thickness of the solution.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially sectional side view of a drying apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partially sectional plan view of the drying apparatus.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view along a width direction of the drying apparatus.
[Explanation of symbols]
1 hot plate, 3 substrate, 5 cover, 7 passage, 8 nozzle body, 11 suction duct (suction means), 13 exhaust fan (suction means).

Claims (5)

基板に塗布された溶液を加熱して乾燥させる乾燥処理装置において、
上記基板が載置されるホットプレートと、
このホットプレートに設けられ上記基板の上面を覆うとともにこの上面との間に一端と他端とが開口した通路を所定方向に沿って形成するカバーと、
このカバーによって形成された通路の一方の開口から上記所定方向に沿って流れるよう気体を供給する気体供給手段と
を具備したことを特徴とする乾燥処理装置。In a drying processing apparatus for heating and drying the solution applied to the substrate,
A hot plate on which the substrate is placed,
A cover provided on the hot plate, which covers the upper surface of the substrate and forms a passage having one end and the other end opened between the upper surface and a predetermined direction,
A gas supply means for supplying gas so as to flow in one of the openings formed by the cover along the predetermined direction. 上記気体供給手段は、上記基板の上面に供給される気体の供給方向と交差する方向に沿って細長いスリットを有するノズル体であることを特徴とする請求項１記載の乾燥処理装置。2. The drying apparatus according to claim 1, wherein the gas supply means is a nozzle body having an elongated slit along a direction intersecting a supply direction of the gas supplied to the upper surface of the substrate. 上記カバーの他方の開口には、上記基板の上面に供給された気体を強制的に吸引する吸引手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の乾燥処理装置。2. The drying apparatus according to claim 1, wherein a suction means for forcibly sucking the gas supplied to the upper surface of the substrate is provided at the other opening of the cover. 基板に塗布された溶液を加熱して乾燥させる乾燥処理方法において、
溶液が塗布された上記基板をホットプレート上に供給載置して加熱する工程と、
上記溶液を乾燥させるための気体を上記基板の上面の所定方向一端から他端に沿って流す工程と
を具備したことを特徴とする乾燥処理方法。In a drying treatment method of heating and drying the solution applied to the substrate,
A step of supplying and mounting the substrate coated with the solution on a hot plate and heating,
Flowing a gas for drying the solution from one end to the other end of the upper surface of the substrate in a predetermined direction. インクジェット方式によって基板に塗布された溶液を加熱して仮焼成する乾燥処理方法において、
上記溶液の加熱温度を３０〜５０℃の範囲に設定することを特徴とする乾燥処理方法。In a drying treatment method of heating and temporarily baking the solution applied to the substrate by the inkjet method,
A drying treatment method, wherein the heating temperature of the solution is set in a range of 30 to 50C.
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