JP2004288995A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】実装密度を高めることができると共に、配線パターンの配線先を容易に変えることができる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板は、配線パターン16,17a及び孔20が形成されている基板本体10と、基板本体10の孔20に着脱可能に装着される配線体30と、を備えている。配線体30は、円柱状本体部31と、この本体部31の上部外周面に形成されている突起部32とを有し、孔20は、配線体形状に併せて、円筒孔21と、この円筒孔21の端部と連なる切欠き孔22とで形成されている。配線体30を孔20に圧入すると、配線体30に形成されている配線回路35の端子36,37と、基板の配線パターン16,17aとが接する。
【選択図】 図1
【解決手段】配線基板は、配線パターン16,17a及び孔20が形成されている基板本体10と、基板本体10の孔20に着脱可能に装着される配線体30と、を備えている。配線体30は、円柱状本体部31と、この本体部31の上部外周面に形成されている突起部32とを有し、孔20は、配線体形状に併せて、円筒孔21と、この円筒孔21の端部と連なる切欠き孔22とで形成されている。配線体30を孔20に圧入すると、配線体30に形成されている配線回路35の端子36,37と、基板の配線パターン16,17aとが接する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターン及び孔が形成されている配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、多くの多層プリント配線基板では、表層に各種の素子を配置し、内層として電源層やグランド層等を形成して、この素子の端子をスルーホールを介して、電源層やグランド層等と接続している。すなわち、スルーホールを配線の一部として利用している。
【0003】
また、以下の特許文献1には、多層プリント配線基板のスルーホール内に、インダクタ素子としてのコイルをスルーホールと一体的に形成する技術が開示されている。
【0004】
さらに、以下の特許文献2には、基板上に設けたジャンパスイッチにより、ある配線の接続先を変える技術が開示されている。
【0005】
【特許文献1】
特開平10−270855号
【特許文献2】
特開2000−196218号
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般的なスルーホール技術及び特許文献1に記載の技術では、一旦、ある配線と他の配線とを接続すると、これ以降、ある配線の接続先を容易に変えることができないという問題点がある。一方、特許文献2に記載の技術では、ある配線の接続先を容易に変えることができるものの、基板上にジャンパスイッチを設ける必要があるため、実装密度が低下するという問題点がある。
【0007】
本発明は、このような従来の問題点に着目し、実装密度を高めることができると共に配線の接続先を容易に変更することが可能な配線基板を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための第一の配線基板は、
一以上の配線パターン及び孔が形成されている配線基板において、前記孔内に、配線回路が形成されている配線体が外部から取外し可能に装着され、前記一以上の配線パターンは、前記孔の縁まで形成され、前記孔内に装着された前記配線体の前記配線回路と前記一以上の配線パターンとが接していることを特徴とするものである。
【0009】
第一の配線基板によれば、基板本体の孔に、外部から取外し可能な配線体を装着したので、基板本体上に平面的に配線を形成するよりも、実装密度を高めることができると共に、配線体を交換することで、配線パターンの接続先を容易に変更することができる。
【0010】
前記目的を達成するための第二の配線基板は、
前記第一の配線基板において、前記配線体の前記配線回路中には、抵抗が組み込まれていることを特徴とするものである。
【0011】
前記目的を達成するための第三の配線基板は、
前記第二の配線基板において、表層と内層とを有し、前記内層であって、前記配線パターンとして、グランド層又は電源層が形成され、前記配線体の前記配線回路は、前記グランド層又は前記電源層に接し、プルダウン回路又はプルアップ回路を形成していることを特徴とするものである。
【0012】
以上、第二及び第三の配線基板によれば、抵抗も、基板本体上に設ける必要がなくなり、第一の配線基板よりも、より実装密度を高めることができる。
【0013】
前記目的を達成するための第四の配線基板は、
前記第一から第三のいずれか1つの配線基板において、前記孔の形状は、深さ方向に向かうに連れて次第に断面積が小さくなる形状であり、前記配線体の外形状も、前記孔に対する装着方向の端部側に向かうに連れて次第に断面積が小さくなる形状であることを特徴とするものである。
【0014】
第四の配線基板によれば、配線体の側周面に露出している配線回路の端面が傾斜面となり、基板本体の配線パターンとの接触面積を増やすことができる。さらに、装着方向における配線体の位置を規制することができる。
【0015】
前記目的を達成するための第五の配線基板は、
前記第一から第四のいずれか1つの配線基板において、
深さ方向における前記孔の少なくとも一部の形状は、該深さ方向に伸びる仮想軸に関して非回転対象性を有し、装着方向における前記配線体の少なくとも一部の形状は、前記孔の形状に併せて非回転対象性を有することを特徴とするものである。
【0016】
前記目的を達成するための第六の配線基板は、
前記第五の配線基板において、前記配線体の前記非回転対象性を有する前記部分は、装着方向に対して垂直な断面形状が多角形又は楕円形であることを特徴とするものである。
【0017】
また、前記目的を達成するための第七の配線基板は、
前記第五の配線基板において、前記配線体の外形状は、該配線体の前記孔に対する装着方向に長い本体部と、該装着方向に対して垂直な方向の成分を有する方向に突出し、該本体部の該装着方向の端部に形成された突出部とを有し、前記突出部で、前記非回転対象性を有する前記部分を形成することを特徴とするものである。
【0018】
以上、第五〜第七の配線基板によれば、基板本体のいずれかの層上で、孔の縁から特定の方向にのみ配線パターンが形成されている場合であっても、孔内で配線体が回転してないので、配線体の配線回路と配線パターンとを確実に接触させることができる。特に、第六及び第七の配線基板で、一部の断面形状を多角形又は楕円形にしたものや、一部に突起部を形成したものでは、装着方向における配線体の位置を規制することができる。
【0019】
前記目的を達成するための第八の配線基板は、
前記第一から第七のいずれかの配線基板において、表層と内層とを有し、前記配線体の前記配線回路の端部は、該配線体の前記孔に対する装着方向の端部に形成され、前記配線回路の端部に接する前記配線パターンの一部は、前記表層上に形成され、前記配線回路の端部と前記配線パターンの一部とは、溶融接合されていることを特徴とするものである。
【0020】
第八の配線基板によれば、基板の外表面に露出している部分を溶融接合しているので、溶融接合している部分をカッタ等で切断することで、配線体の交換性を確保することができる。しかも、配線体を孔にしっかりと固定できる上に、配線体の配線回路と配線パターンとの接続信頼線を高めることができる。
【0021】
前記目的を達成するための第九の配線基板は、
前記第一から第八のいずれかの配線基板において、表層及び内層と、該表層上に搭載されたパッケージ素子と、を有し、前記パッケージ素子は、前記孔の延長線上に位置し、前記配線体は、基板を基準にして前記パッケージ素子が搭載されている側とは反対側から、前記孔に装着されていることを特徴とするものである。
【0022】
第九の配線基板によれば、パッケージ素子に接続される配線を、パッケージ素子の直下に形成することができ、実装密度をより高めることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る配線基板の各種実施形態について、図面を用いて説明する。
【0024】
まず、図1〜図3を用いて、本発明に係る配線基板の第一の実施形態について説明する。
【0025】
本実施形態の配線基板は、図1及び図2に示すように、配線パターン14,15,16,17a,17b及び孔20が形成されている基板本体10と、基板本体10の孔20内に差し込まれる配線体30と、を備えている。
【0026】
基板本体10は、2つの絶縁表層11,13と、2つの絶縁表層11,13の間に配されている絶縁内層12と、一方の絶縁表層11と絶縁内層12との間に形成されているグランド層14と、他方の絶縁表層13と絶縁内層12との間に形成されている電源層15と、を有している。各絶縁表層11,13上には、孔20の縁まで伸びる配線パターン16,17a,17bが形成されている。なお、以下の説明の都合上、2つの絶縁表層11,13のうち、一方の絶縁表層11が他方の絶縁表層13よりも上方に位置しているとする。従って、以下では、上絶縁表層13の下に、グランド層14が形成され、このグランド層14の下に、絶縁内層12を介して電源層15が配置されているとする。
【0027】
各絶縁層11,12,13は、ポリイミド樹脂等を主成分とするプリプレグで形成されている。また、グランド層14及び電源層15を含む配線パターンは、導電性を有する銅等で形成されている。
【0028】
基板本体10に形成される孔20は、上絶縁表層11から下絶縁表層13へ貫通する円筒状の円筒孔21と、この円筒孔21の端部と連なる切欠き孔22とで形成されている。この円筒孔21及び切欠き孔22で形成される孔20は、円筒孔21の中心軸を基準にして、切欠き孔22の部分で非回転対称性を有している。
【0029】
この孔20は、ドリルとレーザビーム等で形成される。具体的には、各層を積層した後、まず、孔の位置にドリルで当てて、円筒孔21を形成する。その後、切欠き孔22の位置にレーザビーム等を照射して、絶縁表層11の一部を除去して切欠き孔を形成する。
【0030】
配線体30は、基板本体10の円筒孔21の内径と同じ外径の円柱本体部31と、円柱本体部31の上部側周面に形成されている突起部32とを有している。この配線体30の形状は、円柱本体部31の中心軸を基準にして、突起部32で非回転対称性を有している。円筒本体部31の両端部は、それぞれ導電材で形成されており、この導電材で形成された部分が端子36,37を成す。円筒本体部21の一方の端部に形成されている端子36は、円筒本体部31の底面の形状である円に併せて、円板状を成している。また、円筒本体部31の他方の端部に形成されている端子37は、円筒本体部31の底面の形状である円の一部に併せてほぼ半円板状を成している。2つの端子36,37は、連結導体38で連結されている。この連結導体38の回りは、円筒状に絶縁体33で覆われている。
【0031】
配線体30の配線回路35は、2つの端子36,37及びこれらを連結する連結導体38で形成されている。また、円柱本体部31は、以上の配線回路35と連結導体38を覆おう絶縁体33とで形成されている。さらに、円柱本体部31の上部側周面に形成されている突起部32は、絶縁材で形成されている。
【0032】
なお、以上の配線体30のサイズは、基板本体10の孔20に配線体30を装着する際、圧入できるサイズであることが好ましい。
【0033】
このような配線体30の製造は、例えば、配線回路35が組み込まれている円柱本体部31を形成した後、この円柱本体部31に絶縁材で形成した突起部32を接着剤等で接着して形成する方法や、中空円筒状の配線体ケーシングに、突起部32を形成し、この配線体ケーシングの中に、配線回路等を形成する方法等が考えられる。
【0034】
以上の配線体30は、突起部32が切欠き孔22に嵌り込むように、基板本体10の孔20に装着する。この時点で、配線体30は、突起部32が切欠き孔22に嵌り込んでいるために、孔20内で回転できず、且つ装着方向の移動も規制される。
【0035】
配線体30が基板本体10の孔20に装着されると、上側の端子36は、上絶縁表層11上に形成されている配線パターン16と接触し、下側の端子37は、下絶縁表層13の下に形成されている一方の配線パターン17bと接する。すなわち、上絶縁表層11上に形成されている配線パターン16と下絶縁表層13の下に形成されている一方の配線パターン17bとが、配線体30を介して、電気的に接続された状態になる。
【0036】
配線体30を基板本体10の孔20に装着した後、配線体30の両端部に形成されている各端子36,37と各絶縁表層11,13に形成されている配線パターン16,17bとを半田で溶融接合する。この処理で、配線体30は、完全に基板本体10に固定されると共に、配線パターン16,17bとの接合信頼性も高まる。
【0037】
以上、本実施形態では、配線体30を基板本体10内に埋めたので、配線体を基板本体上に配置するよりも実装密度を高めることができる。特に、図4及び図5を用いて後述するように、基板本体10上にICパッケージ等の素子を配置した場合でも、その直下に、配線体をさらに配置することも可能で、すなわち、素子と配線体とを立体的に配置することが可能で、この点からも実装密度を高めることができる。
【0038】
また、本実施形態では、絶縁表層11,13上に形成した配線パターン16,17bと配線体30の端子36,37とを半田接合しているが、この接合部分は、基板本体10の外部に露出しているので、この配線体30を外部から取外すことができる。具体的には、半田接合部分をカッタ等の工具又はレーザビームで切断すれば、簡単に、基板本体10から配線体30を引抜くことができる。従って、配線体30を取り替えることにより、配線パターンの接続先を容易に変えることができる。
【0039】
また、以上では、配線体30を基板本体10の孔20に装着した後、配線体30の各端子36,37と各絶縁表層11,13上の配線パターン16,17bとを半田で溶融接合しているが、例えば、ジャンパスイッチのように、配線接続先を比較的頻繁に変えることを前提とする場合には、各端子36,37と配線パターン16,17bとを半田接合する必要はない。
【0040】
具体的には、以上の配線体30は、孔20に装着した際、下側の端子37が下絶縁表層13の下に形成されている一方の配線パターン17bと接するように形成したが、図3に示すように、連結導体38を基準にして、下側の端子37aを反対側に形成した配線体30aを別途準備することで、これら配線体30,30aの適宜取り替えると、ジャンパスイッチとして機能させることができる。なお、別途準備する配線体30aを孔20に装着した際には、この配線体30aの下側の端子37aと下絶縁表層13の下に形成されている他方の配線パターン17aとを接触させることができる。つまり、上絶縁表層11上に形成されている配線パターン16と下絶縁表層13の下に形成されている他方の配線パターン17aとを、配線体30aを介して、電気的に接続させることができる。
【0041】
次に、本発明に係る第二の実施形態としての配線基板について、図4及び図5を用いて説明する。
【0042】
本実施形態の配線基板は、配線パターン14,15,16,17c,17d及び孔20aが形成されている基板本体10aと、基板本体10aの孔20aに差し込まれる第一及び第二配線体30b,30cと、基板本体10aの上面に搭載されているBGA(Ball Grid Array)形ICパッケージ40と、を備えている。
【0043】
基板本体10aは、第一の実施形態と同様に、2つの絶縁表層11,13と、2つの絶縁表層11,13の間に配されている絶縁内層12と、一方の絶縁表層(以下、上絶縁表層とする)11と絶縁内層12との間に形成されているグランド層14と、他方の絶縁表層(以下、下絶縁表層とする)13と絶縁内層12との間に形成されている電源層15と、を有している。
【0044】
上絶縁表層11の上には、孔20aの縁まで伸びる配線パターン16が形成されている。この配線パターン16の上には、ICパッケージ40の端子と接続されている半田ボール41が接合されている。また、下絶縁表層13の下にも、配線パターン17c,17dが形成されている。但し、これらの配線パターン17c,17dは、孔20aの縁まで形成されていない。
【0045】
基板本体10aに形成される孔20aは、上絶縁表層11から下絶縁表層13へ貫通する円筒状の円筒状の孔で、第一の実施形態の孔20のように、切欠き孔22は形成されていない。
【0046】
2つの配線体30b,30cは、いずれも、孔20a内に嵌め込まれる円柱本体部31b,31cと、円柱本体部31b,31cの端部に形成され、円柱本体部31b,31cの外径よりも大きな径のヘッド部32b,32cと、を有している。
【0047】
2つの配線体30b,30cのうち、第一配線体30bは、円柱本体部31bのヘッド部32bと反対側の端部に形成されている端子(以下、上側端子とする)36bと、円筒本体部31bの中間部分に形成されている端子(以下、下側端子とする)37bと、両端子36b,37bを電気的に連結する連結導体38bと、連結導体38bを覆う絶縁体33bとを有している。上側端子36bと下側端子37bの間隔は、上絶縁表層11と絶縁内層12とを加えた厚さよりも狭く、且つ絶縁内層123の厚さよりも広く、この第一配線体30bを孔20aに装着した際、上側端子36bが上絶縁表層11の上に形成された配線パターン16と接し、且つ下側端子37bが電源層15と接する間隔になっている。連結導体38bは、下側端子37bから上側に伸びて上側端子36bを電気的に連結していると共に、下側にも伸び、ヘッド部32bの端面から露出しており、そこが電位測定端を形成している。なお、この配線体30bの配線回路は、上側端子36b、下側端子37b及び連結導体38bで形成されている。
【0048】
また、第二配線体30bは、円柱本体部31cのヘッド部32cと反対側の端部に形成されている端子36cと、この端子36cからヘッド部32cの端面まで伸びている電位測定部38cと、電位測定部38cを覆う絶縁体33cとを有している。電位測定部38cで、ヘッド部32cの端面から露出している部分は、電位測定端を形成している。端子36cの厚さは、上絶縁表層11の厚さよりも僅かに厚く、この第二配線体30cを孔20aに装着した際、この端子36cが絶縁表層11の上に形成された配線パターン16に接すると共に、グランド層14にも接する厚さになっている。
【0049】
本実施形態では、2つの配線体30b,30cがジャンパスイッチの構成部品となっており、これら2つの配線体30b,30cを、ヘッド部32b,32cを下方に向けて基板本体10aの下側から基板本体10aの孔20aに適宜装着することで、各配線パターン14,15,16の接続先を変えることができる。
【0050】
具体的には、第一配線体30bを孔20aに装着した場合、図4に示すように、第一配線体30bの上側端子36bが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と接し、下側端子37bが電源層15と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と電源層15とが第一配線体30bを介して電気的に接続され、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、電源層15と同電位になる。
【0051】
また、第二配線体30cを孔20aに装着した場合には、図5に示すように、第二配線体30cの端子36cが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16及びグランド層14と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16とグランド層14とが第二配線体30cを介して電気的に接続され、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、グランド層14と同電位になる。
【0052】
以上、本実施形態でも、配線体30b,30cを基板本体10a内に差し込んでいるので、第一の実施形態と同様に、配線を基板本体10a上に平面的に形成するよりも実装密度を高めることができる。
【0053】
また、本実施形態では、配線体30b,30cを基板本体10aの孔20aに圧入しているだけなので、簡単に、配線体30b,30cを交換することができ、配線接続先を容易に変えることができる。
【0054】
また、本実施形態では、各配線体30b,30cのヘッド部32b,32cから電位測定端が露出しているので、この電位測定端の電位を測定することで、各配線体30b,30cの端子と電源層15又はグランド層14との接触性や、ICパッケージ40の端子の電位を知ることができる。
【0055】
なお、本実施形態では、第一の実施形態と異なり、各配線体30b,30c及び孔20aの形状が回転対称性を有し、孔20a内で配線体30b,30cが回転してしまうが、配線体30b,30cが回転しても、この配線体30b,30cにより接続される配線パターンの接続先は変わらないので、各配線体30b,30c及び孔20aの形状が回転対称性を有していても、一向に構わない。
【0056】
次に、本発明に係る第三の実施形態としての配線基板について、図6〜図8を用いて説明する。
【0057】
本実施形態の配線基板は、第二の実施形態と同じ基板本体10aと、基板本体10aの孔20aに差し込まれる第一及び第二配線体30d,30eと、基板本体10aの上面に搭載されているBGA形ICパッケージ40と、を備えている。
【0058】
2つの配線体30d,30eの外形状は、いずれも、第二の実施形態と同様、孔20a内に嵌め込まれる円柱本体部31d,31eと、円柱本体部31d,31eの端部に形成され、円柱本体部31d,31eの外径よりも大きな径のヘッド部32d,32eと、を有している。また、2つの配線体30d,30dは、いずれも、円柱本体部31d,31eのヘッド部32d,32eと反対側の端部に形成されている端子(以下、上側端子とする)36d,36eと、円筒本体部31d,31eの中間部分に形成されている端子(以下、下側端子とする)37d,37eと、両端子の間に配置されている抵抗39d,39eと、下側端子37d,37eからヘッド部32d,32eの端面まで伸びている電位測定部38d,38eと、抵抗39d,39e及び電位測定部38d,38eを覆う絶縁体33d,33eと、を有している。
【0059】
第一配線体30dの上側端子36dと下側端子37dとの間隔は、上絶縁表層11と絶縁内層12とを加えた厚さよりも狭く、この第一配線体30dを孔20aに装着した際、上側端子36dが上絶縁表層11の上に形成された配線パターン16と接し、且つ下側端子37bが電源層15と接する間隔になっている。
【0060】
また、第二配線体30e上側端子36eと下側端子37eとの間隔は、上絶縁表層11の厚さよりも狭く、この第一配線体30eを孔20aに装着した際、上側端子36eが上絶縁表層11の上に形成された配線パターン16と接し、且つ下側端子37eがグランド層14と接する間隔になっている。なお、各配線体30d,30eの配線回路は、上側端子36d,36e、下側端子37d,37e、抵抗39d,39e、電位測定部38d,38dで形成されている。
【0061】
本実施形態でも、第二の実施形態と同様に、2つの配線体30d,30eがジャンパスイッチの構成部品となっており、これら2つの配線体30d,30eを、ヘッド部32d,32eを下方に向けて基板本体10aの下側から基板本体10aの孔20aに適宜装着することで、各配線パターン14,15,16の配線先を変えることができる。
【0062】
具体的には、第一配線体30dを孔20aに装着した場合、図6に示すように、第一配線体30dの上側端子36dが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と接し、下側端子37dが電源層15と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と電源層15とが第一配線体30dを介して電気的に接続される。従って、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、電源層15の電位に対して、第一配線体30dの抵抗39dによる電圧降下分、低い電位になる。このように、本実施形態では、第一配線体30dに抵抗39dを組み込み、この第一配線体30dをプルアップ配線として利用している。
【0063】
また、第二配線体30eを孔20aに装着した場合には、図7に示すように、第二配線体30eの上側端子36eが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と接し、下側端子37eがグランド層14と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16とグランド層14とが第二配線体30eを介して電気的に接続される。従って、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、グランド層14の電位に対して、第一配線体30dの抵抗39dによる電圧降下分、高い電位になる。このように、本実施形態では、第二配線体30eに抵抗39eを組み込み、この第二配線体30eをプルダウン配線として利用している。
【0064】
以上、本実施形態でも、配線体30d,30eを基板本体10a内に差し込んでいるので、第一及び第二の実施形態と同様に、配線を基板本体10a上に平面的に形成するよりも実装密度を高めることができる。特に、本実施形態では、配線体30d,30eがプルアップ又はプルダウン用の素子として機能するため、第一及び第二実施形態よりもさらに実装密度を高めることができる。
【0065】
具体的には、図6及び図7に示すように、基板本体10aの上にICパッケージ40等の素子を配置した場合でも、本実施形態では、その直下に、抵抗素子をさらに配置することも可能で、すなわち、2つの素子を立体的に配置することが可能で、この点からも実装密度を高めることができる。
【0066】
さらに、本実施形態では、図8に示すように、基本上面にICパッケージ40aを配し、リード線又は配線パターン42を介して、プルアップ又はプルダウン用の抵抗素子とICパッケージ40とを電気的に接続する場合、同図(a)に示すように、基板上面に抵抗素子を配置すると、この抵抗素子の2つの端子のためにそれぞれ端子パッド43,44を形成しなければならないため、基本上面には、抵抗素子の設置領域、1つの抵抗素子に対する2つの端子パッド43,44の形成領域、さらに、ICパッケージ40aから遠ざかる方向に伸びる配線パターン45の形成領域が必要になる。これに対して、同図(b)に示すように、抵抗素子が組み込まれている配線体を基板本体の孔に埋め込むと、配線体を埋め込んだ上部空間が開く上に、基板上面には、1つの素子に対する2つの端子パッドのうちの少なくとも1つの形成領域が不要になると共に、ICパッケージ40aから遠ざかる方向に伸びる配線パターンの形成領域も不要になり、基板上面の利用面積を極めて少なくすることができる。
【0067】
また、本実施形態では、配線体30d,30eを基板本体10aの孔20aに圧入しているだけなので、簡単に、配線体30d,30eを交換することができ、配線接続先を容易に変えることができる。さらに、本実施形態では、配線体30d,30eに抵抗39d,39eを組み込んでいるので、プルアップ配線、プルダウン配線として利用することができる。
【0068】
次に、配線体形状及び基板本体の孔形状の各種実施形態について、図9を用いて説明する。
【0069】
基板本体の孔に装着する配線体は、配線体の端子と基板本体の配線パターンと接触を確実にするために、基本的に、孔内で回転しないことが好ましい。このため、以下で説明する配線体形状及び孔形状は、いずれも非回転対称性を有する形状になっている。
【0070】
例えば、図9(a)に示すように、配線体30fの一部32fを楕円柱状に形成し、残りの部分31fを円柱状に形成し、孔20fも、配線体30fの形状に併せて、孔20fの一部22fを楕円柱状に形成し、残りの一部21fを円柱状に形成してもよい。また、この変形例として、配線体の全体を楕円柱状に形成し、孔の全体も同じく楕円柱状に形成してもよい。但し、配線体の装着方向の位置規制の観点からは、楕円柱と円柱とを組み合わせた形状の方が好ましい。
【0071】
また、図9(b)に示すように、配線体30gの一部32gを正四角柱状に形成し、残りの部分31gを円柱状に形成し、孔20gも、配線体30gの形状に併せて、孔20gの一部22gを正四角柱状に形成し、残りの一部21gを円柱状に形成してもよい。また、この変形例として、配線体の全体を四角柱状に形成し、孔の全体も同じく四角柱状に形成してもよい。
【0072】
なお、同図(a)(b)に示すように、楕円柱及び正四角柱は、いずれも、これらの中心軸を基準として点対象であるため、これらの中心軸を基準にして配線体30f,30gを180°回転させた状態で、孔20f,20gに装着してしまう虞があるため、正しい向きを指定するマーク33f,33g等を付することが好ましい。
【0073】
また、図9(c)に示すように、配線体30hの全体又は一部を円錐の一部で形成してもよい。この場合、円錐の軸は、円錐の底面に対して傾かせることで、非回転対称性を確保することができる。また、この変形例として、配線体の全体又は一部を角錐の一部で形成してもよい。このように、配線体30hの全体又は一部を円錐又は角錐で形成すると、配線体30hの端子と、配線パターンとの接触部が傾斜面となって、接触面積を増やすことができる。また、別途、突起部等を設けなくても、配線体の装着方向に対する移動を規制することができる。
【0074】
なお、以上の実施形態は、いずれも、無底孔を例示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有底孔であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一の実施形態における配線基板の要部切欠き斜視図。
【図2】第一の実施形態における配線基板の断面図。
【図3】第一の実施形態の他の態様における配線基板の断面図。
【図4】第二の実施形態における配線基板の断面図。
【図5】第二の実施形態の他の態様における配線基板の断面図。
【図6】第三の実施形態における配線基板の断面図。
【図7】第三の実施形態の他の態様における配線基板の断面図。
【図8】第三の実施形態で実装密度向上を説明するための説明図。
【図9】配線体形状を示す各実施形態における配線基板の要部切欠き斜視図。
【符号の説明】
10…配線基板、11…上絶縁表層、12…絶縁内層、13…下絶縁表層、14…グランド層、15…電源層、16,17a,17b,17c,17d…配線パターン、20,20a,20f,20g,20h…孔、21…円筒孔、22…切欠き孔、30,30a,30b,30c,30d,30e,30f,30g,30h…配線体、31,31b,31c,31d,31e…円柱本体部、32…突起部、32b,32c…ヘッド部、35…配線回路、36,36b,36c,36d,36e,37,37a,37b,37c,37e…端子、38,38b…連結導体、38c,38d,38e…電位測定部、39d,39e…抵抗、40,40a…ICパッケージ
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターン及び孔が形成されている配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、多くの多層プリント配線基板では、表層に各種の素子を配置し、内層として電源層やグランド層等を形成して、この素子の端子をスルーホールを介して、電源層やグランド層等と接続している。すなわち、スルーホールを配線の一部として利用している。
【0003】
また、以下の特許文献1には、多層プリント配線基板のスルーホール内に、インダクタ素子としてのコイルをスルーホールと一体的に形成する技術が開示されている。
【0004】
さらに、以下の特許文献2には、基板上に設けたジャンパスイッチにより、ある配線の接続先を変える技術が開示されている。
【0005】
【特許文献1】
特開平10−270855号
【特許文献2】
特開2000−196218号
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般的なスルーホール技術及び特許文献1に記載の技術では、一旦、ある配線と他の配線とを接続すると、これ以降、ある配線の接続先を容易に変えることができないという問題点がある。一方、特許文献2に記載の技術では、ある配線の接続先を容易に変えることができるものの、基板上にジャンパスイッチを設ける必要があるため、実装密度が低下するという問題点がある。
【0007】
本発明は、このような従来の問題点に着目し、実装密度を高めることができると共に配線の接続先を容易に変更することが可能な配線基板を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための第一の配線基板は、
一以上の配線パターン及び孔が形成されている配線基板において、前記孔内に、配線回路が形成されている配線体が外部から取外し可能に装着され、前記一以上の配線パターンは、前記孔の縁まで形成され、前記孔内に装着された前記配線体の前記配線回路と前記一以上の配線パターンとが接していることを特徴とするものである。
【0009】
第一の配線基板によれば、基板本体の孔に、外部から取外し可能な配線体を装着したので、基板本体上に平面的に配線を形成するよりも、実装密度を高めることができると共に、配線体を交換することで、配線パターンの接続先を容易に変更することができる。
【0010】
前記目的を達成するための第二の配線基板は、
前記第一の配線基板において、前記配線体の前記配線回路中には、抵抗が組み込まれていることを特徴とするものである。
【0011】
前記目的を達成するための第三の配線基板は、
前記第二の配線基板において、表層と内層とを有し、前記内層であって、前記配線パターンとして、グランド層又は電源層が形成され、前記配線体の前記配線回路は、前記グランド層又は前記電源層に接し、プルダウン回路又はプルアップ回路を形成していることを特徴とするものである。
【0012】
以上、第二及び第三の配線基板によれば、抵抗も、基板本体上に設ける必要がなくなり、第一の配線基板よりも、より実装密度を高めることができる。
【0013】
前記目的を達成するための第四の配線基板は、
前記第一から第三のいずれか1つの配線基板において、前記孔の形状は、深さ方向に向かうに連れて次第に断面積が小さくなる形状であり、前記配線体の外形状も、前記孔に対する装着方向の端部側に向かうに連れて次第に断面積が小さくなる形状であることを特徴とするものである。
【0014】
第四の配線基板によれば、配線体の側周面に露出している配線回路の端面が傾斜面となり、基板本体の配線パターンとの接触面積を増やすことができる。さらに、装着方向における配線体の位置を規制することができる。
【0015】
前記目的を達成するための第五の配線基板は、
前記第一から第四のいずれか1つの配線基板において、
深さ方向における前記孔の少なくとも一部の形状は、該深さ方向に伸びる仮想軸に関して非回転対象性を有し、装着方向における前記配線体の少なくとも一部の形状は、前記孔の形状に併せて非回転対象性を有することを特徴とするものである。
【0016】
前記目的を達成するための第六の配線基板は、
前記第五の配線基板において、前記配線体の前記非回転対象性を有する前記部分は、装着方向に対して垂直な断面形状が多角形又は楕円形であることを特徴とするものである。
【0017】
また、前記目的を達成するための第七の配線基板は、
前記第五の配線基板において、前記配線体の外形状は、該配線体の前記孔に対する装着方向に長い本体部と、該装着方向に対して垂直な方向の成分を有する方向に突出し、該本体部の該装着方向の端部に形成された突出部とを有し、前記突出部で、前記非回転対象性を有する前記部分を形成することを特徴とするものである。
【0018】
以上、第五〜第七の配線基板によれば、基板本体のいずれかの層上で、孔の縁から特定の方向にのみ配線パターンが形成されている場合であっても、孔内で配線体が回転してないので、配線体の配線回路と配線パターンとを確実に接触させることができる。特に、第六及び第七の配線基板で、一部の断面形状を多角形又は楕円形にしたものや、一部に突起部を形成したものでは、装着方向における配線体の位置を規制することができる。
【0019】
前記目的を達成するための第八の配線基板は、
前記第一から第七のいずれかの配線基板において、表層と内層とを有し、前記配線体の前記配線回路の端部は、該配線体の前記孔に対する装着方向の端部に形成され、前記配線回路の端部に接する前記配線パターンの一部は、前記表層上に形成され、前記配線回路の端部と前記配線パターンの一部とは、溶融接合されていることを特徴とするものである。
【0020】
第八の配線基板によれば、基板の外表面に露出している部分を溶融接合しているので、溶融接合している部分をカッタ等で切断することで、配線体の交換性を確保することができる。しかも、配線体を孔にしっかりと固定できる上に、配線体の配線回路と配線パターンとの接続信頼線を高めることができる。
【0021】
前記目的を達成するための第九の配線基板は、
前記第一から第八のいずれかの配線基板において、表層及び内層と、該表層上に搭載されたパッケージ素子と、を有し、前記パッケージ素子は、前記孔の延長線上に位置し、前記配線体は、基板を基準にして前記パッケージ素子が搭載されている側とは反対側から、前記孔に装着されていることを特徴とするものである。
【0022】
第九の配線基板によれば、パッケージ素子に接続される配線を、パッケージ素子の直下に形成することができ、実装密度をより高めることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る配線基板の各種実施形態について、図面を用いて説明する。
【0024】
まず、図1〜図3を用いて、本発明に係る配線基板の第一の実施形態について説明する。
【0025】
本実施形態の配線基板は、図1及び図2に示すように、配線パターン14,15,16,17a,17b及び孔20が形成されている基板本体10と、基板本体10の孔20内に差し込まれる配線体30と、を備えている。
【0026】
基板本体10は、2つの絶縁表層11,13と、2つの絶縁表層11,13の間に配されている絶縁内層12と、一方の絶縁表層11と絶縁内層12との間に形成されているグランド層14と、他方の絶縁表層13と絶縁内層12との間に形成されている電源層15と、を有している。各絶縁表層11,13上には、孔20の縁まで伸びる配線パターン16,17a,17bが形成されている。なお、以下の説明の都合上、2つの絶縁表層11,13のうち、一方の絶縁表層11が他方の絶縁表層13よりも上方に位置しているとする。従って、以下では、上絶縁表層13の下に、グランド層14が形成され、このグランド層14の下に、絶縁内層12を介して電源層15が配置されているとする。
【0027】
各絶縁層11,12,13は、ポリイミド樹脂等を主成分とするプリプレグで形成されている。また、グランド層14及び電源層15を含む配線パターンは、導電性を有する銅等で形成されている。
【0028】
基板本体10に形成される孔20は、上絶縁表層11から下絶縁表層13へ貫通する円筒状の円筒孔21と、この円筒孔21の端部と連なる切欠き孔22とで形成されている。この円筒孔21及び切欠き孔22で形成される孔20は、円筒孔21の中心軸を基準にして、切欠き孔22の部分で非回転対称性を有している。
【0029】
この孔20は、ドリルとレーザビーム等で形成される。具体的には、各層を積層した後、まず、孔の位置にドリルで当てて、円筒孔21を形成する。その後、切欠き孔22の位置にレーザビーム等を照射して、絶縁表層11の一部を除去して切欠き孔を形成する。
【0030】
配線体30は、基板本体10の円筒孔21の内径と同じ外径の円柱本体部31と、円柱本体部31の上部側周面に形成されている突起部32とを有している。この配線体30の形状は、円柱本体部31の中心軸を基準にして、突起部32で非回転対称性を有している。円筒本体部31の両端部は、それぞれ導電材で形成されており、この導電材で形成された部分が端子36,37を成す。円筒本体部21の一方の端部に形成されている端子36は、円筒本体部31の底面の形状である円に併せて、円板状を成している。また、円筒本体部31の他方の端部に形成されている端子37は、円筒本体部31の底面の形状である円の一部に併せてほぼ半円板状を成している。2つの端子36,37は、連結導体38で連結されている。この連結導体38の回りは、円筒状に絶縁体33で覆われている。
【0031】
配線体30の配線回路35は、2つの端子36,37及びこれらを連結する連結導体38で形成されている。また、円柱本体部31は、以上の配線回路35と連結導体38を覆おう絶縁体33とで形成されている。さらに、円柱本体部31の上部側周面に形成されている突起部32は、絶縁材で形成されている。
【0032】
なお、以上の配線体30のサイズは、基板本体10の孔20に配線体30を装着する際、圧入できるサイズであることが好ましい。
【0033】
このような配線体30の製造は、例えば、配線回路35が組み込まれている円柱本体部31を形成した後、この円柱本体部31に絶縁材で形成した突起部32を接着剤等で接着して形成する方法や、中空円筒状の配線体ケーシングに、突起部32を形成し、この配線体ケーシングの中に、配線回路等を形成する方法等が考えられる。
【0034】
以上の配線体30は、突起部32が切欠き孔22に嵌り込むように、基板本体10の孔20に装着する。この時点で、配線体30は、突起部32が切欠き孔22に嵌り込んでいるために、孔20内で回転できず、且つ装着方向の移動も規制される。
【0035】
配線体30が基板本体10の孔20に装着されると、上側の端子36は、上絶縁表層11上に形成されている配線パターン16と接触し、下側の端子37は、下絶縁表層13の下に形成されている一方の配線パターン17bと接する。すなわち、上絶縁表層11上に形成されている配線パターン16と下絶縁表層13の下に形成されている一方の配線パターン17bとが、配線体30を介して、電気的に接続された状態になる。
【0036】
配線体30を基板本体10の孔20に装着した後、配線体30の両端部に形成されている各端子36,37と各絶縁表層11,13に形成されている配線パターン16,17bとを半田で溶融接合する。この処理で、配線体30は、完全に基板本体10に固定されると共に、配線パターン16,17bとの接合信頼性も高まる。
【0037】
以上、本実施形態では、配線体30を基板本体10内に埋めたので、配線体を基板本体上に配置するよりも実装密度を高めることができる。特に、図4及び図5を用いて後述するように、基板本体10上にICパッケージ等の素子を配置した場合でも、その直下に、配線体をさらに配置することも可能で、すなわち、素子と配線体とを立体的に配置することが可能で、この点からも実装密度を高めることができる。
【0038】
また、本実施形態では、絶縁表層11,13上に形成した配線パターン16,17bと配線体30の端子36,37とを半田接合しているが、この接合部分は、基板本体10の外部に露出しているので、この配線体30を外部から取外すことができる。具体的には、半田接合部分をカッタ等の工具又はレーザビームで切断すれば、簡単に、基板本体10から配線体30を引抜くことができる。従って、配線体30を取り替えることにより、配線パターンの接続先を容易に変えることができる。
【0039】
また、以上では、配線体30を基板本体10の孔20に装着した後、配線体30の各端子36,37と各絶縁表層11,13上の配線パターン16,17bとを半田で溶融接合しているが、例えば、ジャンパスイッチのように、配線接続先を比較的頻繁に変えることを前提とする場合には、各端子36,37と配線パターン16,17bとを半田接合する必要はない。
【0040】
具体的には、以上の配線体30は、孔20に装着した際、下側の端子37が下絶縁表層13の下に形成されている一方の配線パターン17bと接するように形成したが、図3に示すように、連結導体38を基準にして、下側の端子37aを反対側に形成した配線体30aを別途準備することで、これら配線体30,30aの適宜取り替えると、ジャンパスイッチとして機能させることができる。なお、別途準備する配線体30aを孔20に装着した際には、この配線体30aの下側の端子37aと下絶縁表層13の下に形成されている他方の配線パターン17aとを接触させることができる。つまり、上絶縁表層11上に形成されている配線パターン16と下絶縁表層13の下に形成されている他方の配線パターン17aとを、配線体30aを介して、電気的に接続させることができる。
【0041】
次に、本発明に係る第二の実施形態としての配線基板について、図4及び図5を用いて説明する。
【0042】
本実施形態の配線基板は、配線パターン14,15,16,17c,17d及び孔20aが形成されている基板本体10aと、基板本体10aの孔20aに差し込まれる第一及び第二配線体30b,30cと、基板本体10aの上面に搭載されているBGA(Ball Grid Array)形ICパッケージ40と、を備えている。
【0043】
基板本体10aは、第一の実施形態と同様に、2つの絶縁表層11,13と、2つの絶縁表層11,13の間に配されている絶縁内層12と、一方の絶縁表層(以下、上絶縁表層とする)11と絶縁内層12との間に形成されているグランド層14と、他方の絶縁表層(以下、下絶縁表層とする)13と絶縁内層12との間に形成されている電源層15と、を有している。
【0044】
上絶縁表層11の上には、孔20aの縁まで伸びる配線パターン16が形成されている。この配線パターン16の上には、ICパッケージ40の端子と接続されている半田ボール41が接合されている。また、下絶縁表層13の下にも、配線パターン17c,17dが形成されている。但し、これらの配線パターン17c,17dは、孔20aの縁まで形成されていない。
【0045】
基板本体10aに形成される孔20aは、上絶縁表層11から下絶縁表層13へ貫通する円筒状の円筒状の孔で、第一の実施形態の孔20のように、切欠き孔22は形成されていない。
【0046】
2つの配線体30b,30cは、いずれも、孔20a内に嵌め込まれる円柱本体部31b,31cと、円柱本体部31b,31cの端部に形成され、円柱本体部31b,31cの外径よりも大きな径のヘッド部32b,32cと、を有している。
【0047】
2つの配線体30b,30cのうち、第一配線体30bは、円柱本体部31bのヘッド部32bと反対側の端部に形成されている端子(以下、上側端子とする)36bと、円筒本体部31bの中間部分に形成されている端子(以下、下側端子とする)37bと、両端子36b,37bを電気的に連結する連結導体38bと、連結導体38bを覆う絶縁体33bとを有している。上側端子36bと下側端子37bの間隔は、上絶縁表層11と絶縁内層12とを加えた厚さよりも狭く、且つ絶縁内層123の厚さよりも広く、この第一配線体30bを孔20aに装着した際、上側端子36bが上絶縁表層11の上に形成された配線パターン16と接し、且つ下側端子37bが電源層15と接する間隔になっている。連結導体38bは、下側端子37bから上側に伸びて上側端子36bを電気的に連結していると共に、下側にも伸び、ヘッド部32bの端面から露出しており、そこが電位測定端を形成している。なお、この配線体30bの配線回路は、上側端子36b、下側端子37b及び連結導体38bで形成されている。
【0048】
また、第二配線体30bは、円柱本体部31cのヘッド部32cと反対側の端部に形成されている端子36cと、この端子36cからヘッド部32cの端面まで伸びている電位測定部38cと、電位測定部38cを覆う絶縁体33cとを有している。電位測定部38cで、ヘッド部32cの端面から露出している部分は、電位測定端を形成している。端子36cの厚さは、上絶縁表層11の厚さよりも僅かに厚く、この第二配線体30cを孔20aに装着した際、この端子36cが絶縁表層11の上に形成された配線パターン16に接すると共に、グランド層14にも接する厚さになっている。
【0049】
本実施形態では、2つの配線体30b,30cがジャンパスイッチの構成部品となっており、これら2つの配線体30b,30cを、ヘッド部32b,32cを下方に向けて基板本体10aの下側から基板本体10aの孔20aに適宜装着することで、各配線パターン14,15,16の接続先を変えることができる。
【0050】
具体的には、第一配線体30bを孔20aに装着した場合、図4に示すように、第一配線体30bの上側端子36bが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と接し、下側端子37bが電源層15と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と電源層15とが第一配線体30bを介して電気的に接続され、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、電源層15と同電位になる。
【0051】
また、第二配線体30cを孔20aに装着した場合には、図5に示すように、第二配線体30cの端子36cが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16及びグランド層14と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16とグランド層14とが第二配線体30cを介して電気的に接続され、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、グランド層14と同電位になる。
【0052】
以上、本実施形態でも、配線体30b,30cを基板本体10a内に差し込んでいるので、第一の実施形態と同様に、配線を基板本体10a上に平面的に形成するよりも実装密度を高めることができる。
【0053】
また、本実施形態では、配線体30b,30cを基板本体10aの孔20aに圧入しているだけなので、簡単に、配線体30b,30cを交換することができ、配線接続先を容易に変えることができる。
【0054】
また、本実施形態では、各配線体30b,30cのヘッド部32b,32cから電位測定端が露出しているので、この電位測定端の電位を測定することで、各配線体30b,30cの端子と電源層15又はグランド層14との接触性や、ICパッケージ40の端子の電位を知ることができる。
【0055】
なお、本実施形態では、第一の実施形態と異なり、各配線体30b,30c及び孔20aの形状が回転対称性を有し、孔20a内で配線体30b,30cが回転してしまうが、配線体30b,30cが回転しても、この配線体30b,30cにより接続される配線パターンの接続先は変わらないので、各配線体30b,30c及び孔20aの形状が回転対称性を有していても、一向に構わない。
【0056】
次に、本発明に係る第三の実施形態としての配線基板について、図6〜図8を用いて説明する。
【0057】
本実施形態の配線基板は、第二の実施形態と同じ基板本体10aと、基板本体10aの孔20aに差し込まれる第一及び第二配線体30d,30eと、基板本体10aの上面に搭載されているBGA形ICパッケージ40と、を備えている。
【0058】
2つの配線体30d,30eの外形状は、いずれも、第二の実施形態と同様、孔20a内に嵌め込まれる円柱本体部31d,31eと、円柱本体部31d,31eの端部に形成され、円柱本体部31d,31eの外径よりも大きな径のヘッド部32d,32eと、を有している。また、2つの配線体30d,30dは、いずれも、円柱本体部31d,31eのヘッド部32d,32eと反対側の端部に形成されている端子(以下、上側端子とする)36d,36eと、円筒本体部31d,31eの中間部分に形成されている端子(以下、下側端子とする)37d,37eと、両端子の間に配置されている抵抗39d,39eと、下側端子37d,37eからヘッド部32d,32eの端面まで伸びている電位測定部38d,38eと、抵抗39d,39e及び電位測定部38d,38eを覆う絶縁体33d,33eと、を有している。
【0059】
第一配線体30dの上側端子36dと下側端子37dとの間隔は、上絶縁表層11と絶縁内層12とを加えた厚さよりも狭く、この第一配線体30dを孔20aに装着した際、上側端子36dが上絶縁表層11の上に形成された配線パターン16と接し、且つ下側端子37bが電源層15と接する間隔になっている。
【0060】
また、第二配線体30e上側端子36eと下側端子37eとの間隔は、上絶縁表層11の厚さよりも狭く、この第一配線体30eを孔20aに装着した際、上側端子36eが上絶縁表層11の上に形成された配線パターン16と接し、且つ下側端子37eがグランド層14と接する間隔になっている。なお、各配線体30d,30eの配線回路は、上側端子36d,36e、下側端子37d,37e、抵抗39d,39e、電位測定部38d,38dで形成されている。
【0061】
本実施形態でも、第二の実施形態と同様に、2つの配線体30d,30eがジャンパスイッチの構成部品となっており、これら2つの配線体30d,30eを、ヘッド部32d,32eを下方に向けて基板本体10aの下側から基板本体10aの孔20aに適宜装着することで、各配線パターン14,15,16の配線先を変えることができる。
【0062】
具体的には、第一配線体30dを孔20aに装着した場合、図6に示すように、第一配線体30dの上側端子36dが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と接し、下側端子37dが電源層15と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と電源層15とが第一配線体30dを介して電気的に接続される。従って、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、電源層15の電位に対して、第一配線体30dの抵抗39dによる電圧降下分、低い電位になる。このように、本実施形態では、第一配線体30dに抵抗39dを組み込み、この第一配線体30dをプルアップ配線として利用している。
【0063】
また、第二配線体30eを孔20aに装着した場合には、図7に示すように、第二配線体30eの上側端子36eが上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16と接し、下側端子37eがグランド層14と接する。すなわち、上絶縁表層11の上に形成されている配線パターン16とグランド層14とが第二配線体30eを介して電気的に接続される。従って、配線パターン16と電気的に接続されているICパッケージ40の端子は、グランド層14の電位に対して、第一配線体30dの抵抗39dによる電圧降下分、高い電位になる。このように、本実施形態では、第二配線体30eに抵抗39eを組み込み、この第二配線体30eをプルダウン配線として利用している。
【0064】
以上、本実施形態でも、配線体30d,30eを基板本体10a内に差し込んでいるので、第一及び第二の実施形態と同様に、配線を基板本体10a上に平面的に形成するよりも実装密度を高めることができる。特に、本実施形態では、配線体30d,30eがプルアップ又はプルダウン用の素子として機能するため、第一及び第二実施形態よりもさらに実装密度を高めることができる。
【0065】
具体的には、図6及び図7に示すように、基板本体10aの上にICパッケージ40等の素子を配置した場合でも、本実施形態では、その直下に、抵抗素子をさらに配置することも可能で、すなわち、2つの素子を立体的に配置することが可能で、この点からも実装密度を高めることができる。
【0066】
さらに、本実施形態では、図8に示すように、基本上面にICパッケージ40aを配し、リード線又は配線パターン42を介して、プルアップ又はプルダウン用の抵抗素子とICパッケージ40とを電気的に接続する場合、同図(a)に示すように、基板上面に抵抗素子を配置すると、この抵抗素子の2つの端子のためにそれぞれ端子パッド43,44を形成しなければならないため、基本上面には、抵抗素子の設置領域、1つの抵抗素子に対する2つの端子パッド43,44の形成領域、さらに、ICパッケージ40aから遠ざかる方向に伸びる配線パターン45の形成領域が必要になる。これに対して、同図(b)に示すように、抵抗素子が組み込まれている配線体を基板本体の孔に埋め込むと、配線体を埋め込んだ上部空間が開く上に、基板上面には、1つの素子に対する2つの端子パッドのうちの少なくとも1つの形成領域が不要になると共に、ICパッケージ40aから遠ざかる方向に伸びる配線パターンの形成領域も不要になり、基板上面の利用面積を極めて少なくすることができる。
【0067】
また、本実施形態では、配線体30d,30eを基板本体10aの孔20aに圧入しているだけなので、簡単に、配線体30d,30eを交換することができ、配線接続先を容易に変えることができる。さらに、本実施形態では、配線体30d,30eに抵抗39d,39eを組み込んでいるので、プルアップ配線、プルダウン配線として利用することができる。
【0068】
次に、配線体形状及び基板本体の孔形状の各種実施形態について、図9を用いて説明する。
【0069】
基板本体の孔に装着する配線体は、配線体の端子と基板本体の配線パターンと接触を確実にするために、基本的に、孔内で回転しないことが好ましい。このため、以下で説明する配線体形状及び孔形状は、いずれも非回転対称性を有する形状になっている。
【0070】
例えば、図9(a)に示すように、配線体30fの一部32fを楕円柱状に形成し、残りの部分31fを円柱状に形成し、孔20fも、配線体30fの形状に併せて、孔20fの一部22fを楕円柱状に形成し、残りの一部21fを円柱状に形成してもよい。また、この変形例として、配線体の全体を楕円柱状に形成し、孔の全体も同じく楕円柱状に形成してもよい。但し、配線体の装着方向の位置規制の観点からは、楕円柱と円柱とを組み合わせた形状の方が好ましい。
【0071】
また、図9(b)に示すように、配線体30gの一部32gを正四角柱状に形成し、残りの部分31gを円柱状に形成し、孔20gも、配線体30gの形状に併せて、孔20gの一部22gを正四角柱状に形成し、残りの一部21gを円柱状に形成してもよい。また、この変形例として、配線体の全体を四角柱状に形成し、孔の全体も同じく四角柱状に形成してもよい。
【0072】
なお、同図(a)(b)に示すように、楕円柱及び正四角柱は、いずれも、これらの中心軸を基準として点対象であるため、これらの中心軸を基準にして配線体30f,30gを180°回転させた状態で、孔20f,20gに装着してしまう虞があるため、正しい向きを指定するマーク33f,33g等を付することが好ましい。
【0073】
また、図9(c)に示すように、配線体30hの全体又は一部を円錐の一部で形成してもよい。この場合、円錐の軸は、円錐の底面に対して傾かせることで、非回転対称性を確保することができる。また、この変形例として、配線体の全体又は一部を角錐の一部で形成してもよい。このように、配線体30hの全体又は一部を円錐又は角錐で形成すると、配線体30hの端子と、配線パターンとの接触部が傾斜面となって、接触面積を増やすことができる。また、別途、突起部等を設けなくても、配線体の装着方向に対する移動を規制することができる。
【0074】
なお、以上の実施形態は、いずれも、無底孔を例示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有底孔であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一の実施形態における配線基板の要部切欠き斜視図。
【図2】第一の実施形態における配線基板の断面図。
【図3】第一の実施形態の他の態様における配線基板の断面図。
【図4】第二の実施形態における配線基板の断面図。
【図5】第二の実施形態の他の態様における配線基板の断面図。
【図6】第三の実施形態における配線基板の断面図。
【図7】第三の実施形態の他の態様における配線基板の断面図。
【図8】第三の実施形態で実装密度向上を説明するための説明図。
【図9】配線体形状を示す各実施形態における配線基板の要部切欠き斜視図。
【符号の説明】
10…配線基板、11…上絶縁表層、12…絶縁内層、13…下絶縁表層、14…グランド層、15…電源層、16,17a,17b,17c,17d…配線パターン、20,20a,20f,20g,20h…孔、21…円筒孔、22…切欠き孔、30,30a,30b,30c,30d,30e,30f,30g,30h…配線体、31,31b,31c,31d,31e…円柱本体部、32…突起部、32b,32c…ヘッド部、35…配線回路、36,36b,36c,36d,36e,37,37a,37b,37c,37e…端子、38,38b…連結導体、38c,38d,38e…電位測定部、39d,39e…抵抗、40,40a…ICパッケージ
Claims (9)
- 一以上の配線パターン及び孔が形成されている配線基板において、
前記孔内に、配線回路が形成されている配線体が外部から取外し可能に装着され、
前記一以上の配線パターンは、前記孔の縁まで形成され、
前記孔内に装着された前記配線体の前記配線回路と前記一以上の配線パターンとが接している、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項1に記載の配線基板において、
前記配線体の前記配線回路中には、抵抗が組み込まれている、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項2に記載の配線基板において、
表層と内層とを有し、
前記内層であって、前記配線パターンとして、グランド層又は電源層が形成され、
前記配線体の前記配線回路は、前記グランド層又は前記電源層に接し、プルダウン回路又はプルアップ回路を形成している、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記孔の形状は、深さ方向に向かうに連れて次第に断面積が小さくなる形状であり、
前記配線体の外形状も、前記孔に対する装着方向の端部側に向かうに連れて断面積が小さくなる形状である、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の配線基板において、
深さ方向における前記孔の少なくとも一部の形状は、該深さ方向に伸びる仮想軸に関して非回転対象性を有し、
装着方向における前記配線体の少なくとも一部の形状は、前記孔の形状に併せて非回転対象性を有する、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項5に記載の配線基板において、
前記配線体の前記非回転対象性を有する前記部分は、装着方向に対して垂直な断面形状が多角形又は楕円形である、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項5に記載の配線基板において、前記配線体の外形状は、該配線体の前記孔に対する装着方向に長い本体部と、該装着方向に対して垂直な方向の成分を有する方向に突出し、該本体部の該装着方向の端部に形成された突出部とを有し、
前記突出部で、前記非回転対象性を有する前記部分を形成する、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の配線基板において、
表層と内層とを有し、
前記配線体の前記配線回路の端部は、該配線体の前記孔に対する装着方向の端部に形成され、
前記配線回路の端部に接する前記配線パターンの一部は、前記表層上に形成され、
前記配線回路の端部と前記配線パターンの一部とは、溶融接合されている、ことを特徴とする配線基板。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の配線基板において、
表層及び内層と、該表層上に搭載されたパッケージ素子と、を有し、
前記パッケージ素子は、前記孔の延長線上に位置し、
前記配線体は、基板を基準にして前記パッケージ素子が搭載されている側とは反対側から、前記孔に装着されている、ことを特徴とする配線基板。
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JP2003081075A JP2004288995A (ja) | 2003-03-24 | 2003-03-24 | 配線基板 |
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JP2003081075A Pending JP2004288995A (ja) | 2003-03-24 | 2003-03-24 | 配線基板 |
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JP2015162585A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
-
2003
- 2003-03-24 JP JP2003081075A patent/JP2004288995A/ja active Pending
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