JP2004273714A - Equipment and method for substrate treatment - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCD(Liquid Crystal Display)等の製造工程においては、LCD用のガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【0003】
このようなフォトリソグラフィ技術は、従来から塗布現像処理装置を用いて行われている。この塗布現像処理装置は塗布装置や現像装置だけでなく、洗浄装置や加熱装置等を有する。この塗布現像処理装置には、塗布装置でレジスト塗布された後、ガラス基板のエッジ部の余分なレジストを除去するための除去装置が塗布装置に隣接して設けられている。塗布現像処理装置は、この塗布装置と除去装置との間で基板を搬送する搬送装置を有し、例えばこの搬送装置は、塗布装置、除去装置を挟んで設けられたリニアガイドに沿って移動可能に設けられている。搬送装置は基板を保持する保持部を有する。搬送の際、搬送装置上での基板の位置ずれを防ぐため、圧力差により保持部に基板を吸着させる吸着孔が設けられている(例えば、特許文献1参照)。この吸着孔は基板の大きさ等を元にシミュレーションを行うことにより予め設定される。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−281184号公報(段落[0074]、図1、図11)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年ガラス基板は、その2辺の長さが例えば1.5m、1.2mと大型化したため、保持された基板は自重により撓みを生じてしまう。この撓みにより基板は保持部上で湾曲するため、基板を吸着しない吸着孔が発生しエラーの原因となる。これを無理に吸着させようとすると基板に応力が生じ、基板の品質に悪影響を及ぼすため、吸着孔の位置修正を行う必要がある。位置修正は個々の基板について人間の手により行われるため、作業工数がかかるという問題がある。
【0006】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、作業工数が少なくして稼働率を向上させる基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、基板の周縁部の少なくとも一部を保持する保持部材と、前記保持部材に設けられ、基板を保持するために圧力差で基板を吸着する複数の吸着部と、前記吸着部ごとにそれぞれ独立して前記圧力差を発生させる圧力差発生機構とを具備する。
【0008】
本発明では、圧力差発生機構が吸着部ごと独立して圧力差を発生させる構成とした。これにより、例えば基板を吸着できない吸着部の圧力差の発生を停止することができる。これにより、エラーが生じることも無く、人間による吸着部の位置修正の作業をなくすことができ、基板搬送装置の作業工数を減少させ稼働率を高くすることができる。
【0009】
本発明の一の形態では、前記圧力差発生機構は、発生させる前記圧力差を前記吸着部ごとに制御する手段を具備する。例えば圧力差を可変に制御することで、基板の周縁部の各部の湾曲状態に応じて吸着状態を最適に保つことができる。
【0010】
この制御手段は、前記吸着部の近傍に発生する圧力を測定する圧力測定手段と、前記圧力測定手段により得られる信号に基づき前記圧力差を制御する手段とを具備するものであっても良いし、また、制御手段は、前記保持部材と、前記保持部材で保持された基板の所定の部位との距離を測定する距離測定手段と、前記距離測定手段により得られる信号に基づき前記圧力差を制御する手段とを具備するものであってもよい。
【0011】
これらの制御手段により、圧力の測定結果又は保持部材と基板との距離の測定結果から吸着部における吸着状態を把握することができ、吸着部の圧力差を効果的に制御することができる。例えば、圧力が所定値に達しないと判断した場合や所定の距離を超えたと判断した場合に圧力差の発生を停止させたりすることができる。勿論、所定値を段階的に設定し、その段階ごとに圧力差を変化させる制御も可能である。
【0012】
本発明の一の形態では、前記保持部材を移動させる移動機構をさらに具備し、前記制御手段は、前記移動機構により移動させられる前記保持部材の速度状態に基づき前記圧力差を制御する手段を有する。例えば速度が比較的速い場合は、圧力差を高くすることで基板の吸着力を高めることができる。吸着力が高まれば基板を吸着している吸着部の数が比較的少なくても安全である。
【0013】
前記制御手段は、前記保持部材が加減速状態にあるか、等速状態にあるかに基づき前記圧力差を制御する手段を有するものであってもよい。
【0014】
このような構成によれば、例えば加減速状態では基板に外力が加わるため圧力差を大きくし、等速状態では外力は加わらないため圧力差を小さくすることができる。これにより、基板を確実に吸着し、位置ずれを防止することができる。加速度状態、等速状態を検知する手段として加速度センサ等を用いることができる。
【0015】
本発明に係る基板処理方法は、基板の周縁部の少なくとも一部を保持する保持部材と、前記保持部材に設けられ、基板を保持するために圧力差で基板を吸着する複数の吸着部と、前記吸着部ごとにそれぞれ独立して前記圧力差を発生させる圧力差発生機構とを有する基板処理装置の処理方法であって、前記吸着部の近傍に発生する圧力を測定する工程と、測定された前記圧力に基づき、前記圧力差発生機構に発生させられる前記圧力差を制御する工程とを具備する。また、前記保持部材と、前記保持部材で保持された基板の所定の部位との距離を測定する工程と、測定された前記距離に基づき、前記圧力差発生機構に発生させられる前記圧力差を制御する工程とを具備するものであっても良い。さらに、前記保持部材を移動させる工程と、移動させられる前記保持部材の速度状態に基づき前記圧力差を制御する工程とを具備するものであっても良い。
【0016】
これらの方法により、エラーが発生することも無く、人間による吸着部の位置修正の作業をなくすことができ、基板搬送装置の作業工数を減少させ稼働率を高くすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0018】
[第1実施形態]
(塗布現像処理装置)
図1は本発明が適用されるLCD基板の塗布現像処理装置を示す平面図であり、図2はその正面図、また図3はその背面図である。
【0019】
この塗布現像処理装置1は、複数のガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション2と、基板Gにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部3と、露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェース部4とを備えており、処理部3の両端にそれぞれカセットステーション2及びインターフェース部4が配置されている。
【0020】
カセットステーション2は、カセットCと処理部3との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション2においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部3との間で基板Gの搬送が行われる。
【0021】
処理部3には、X方向に沿ってレジスト塗布処理ユニット(CT)を含む各処理ユニットが並設された上流部3b及び現像処理ユニット(DEV)を含む各処理ユニットが並設された下流部3cとが設けられている。
【0022】
上流部3bにおいて、カセットステーション2側端部には、カセットステーション2側から、基板G上の有機物を除去するためのエキシマUV処理ユニット(e−UV)19と、基板Gにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)とが設けられている。
【0023】
スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)の隣には、ガラス基板Gに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック24及び25が配置されている。これら熱処理系ブロック24と25との間には、垂直搬送ユニット5が配置され、搬送アーム5aがZ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック24及び25における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Gの搬送が行われるようになっている。なお、垂直搬送ユニット7についてもこの垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0024】
図2に示すように、熱処理系ブロック24には、基板Gにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット(BAKE)が2段、HMDSガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック25には、基板Gに冷却処理を施すクーリングユニット(COL)が2段、アドヒージョンユニット(AD)、搬送装置30が下から順に積層されている。
【0025】
熱処理系ブロック25に隣接してレジスト処理ブロック15がX方向に延設されている。このレジスト処理ブロック15は、基板Gにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット(CT)と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット(VD)と、本発明に係る基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ(ER)とが設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック15には、レジスト塗布処理ユニット(CT)からエッジリムーバ(ER)にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック15内で基板Gが搬送されるようになっている。
【0026】
レジスト処理ブロック15に隣接して多段構成の熱処理系ブロック26が配設されており、この熱処理系ブロック26には、基板Gにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)が3段積層され、その下に搬送装置40が設けられている。
【0027】
下流部3cにおいては、図3に示すように、インターフェース部4側端部には、熱処理系ブロック29が設けられており、これには、クーリングユニット(COL)、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0028】
熱処理系ブロック29に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)がX方向に延設されている。この現像処理ユニット(DEV)の隣には熱処理系ブロック28及び27が配置され、これら熱処理系ブロック28と27との間には、上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有し、両ブロック28及び27における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット6が設けられている。また、現像処理ユニット(DEV)に隣接して、i線処理ユニット(i―UV)33が設けられている。
【0029】
熱処理系ブロック28には、クーリングユニット(COL)、基板Gに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック27も同様に、クーリングユニット(COL)、ポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0030】
インターフェース部4には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22が設けられ、垂直搬送ユニット7に隣接してエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35が、また背面側にはバッファカセット34が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22とエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35とバッファカセット34と隣接した露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット8が配置されている。この垂直搬送ユニット8も上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0031】
(塗布現像処理工程)
以上のように構成された塗布現像処理装置1の処理工程について説明する。先ずカセットC内の基板Gが処理部3部における上流部3bに搬送される。上流部3bでは、エキシマUV処理ユニット(e−UV)19において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)において、基板Gが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック24の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム5aにより基板Gが取り出され、同熱処理系ブロック24のベーキングユニット(BAKE)にて加熱処理、アドヒージョンユニット(AD)にて、ガラス基板Gとレジスト膜との密着性を高めるため、基板GにHMDSガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック25のクーリングユニット(COL)による冷却処理が行われる。
【0032】
次に、基板Gは搬送アーム5aから搬送装置30に渡され、搬送装置30により基板Gがレジスト塗布処理ユニット(CT)に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット(VD)にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ(ER)にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【0033】
次に、基板Gが搬送装置40に渡され、この搬送装置40により垂直搬送ユニット7の搬送アームに渡される。そして熱処理系ブロック26におけるプリベーキングユニット(PREBAKE)にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック29におけるクーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。続いて基板Gはエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【0034】
次に、基板Gは垂直搬送ユニット8及び7の搬送アームを介して熱処理系ブロック29のポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは垂直搬送ユニット7の搬送アームを介して、現像処理ユニット(DEV)において基板Gは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【0035】
次に、基板Gは熱処理系ブロック28における最下段から垂直搬送ユニット6の搬送アーム6aにより受け渡され、熱処理系ブロック28又は27におけるポストベーキングユニット(POBAKE)にて加熱処理が行われ、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは搬送機構10に受け渡されカセットCに収容される。
【0036】
(レジスト処理ブロック)
図4は、レジスト処理ブロック15の平面図である。レジスト処理ブロック15は上述したようにレジスト塗布処理ユニット(CT)と、減圧乾燥ユニット(VD)と、エッジリムーバ(ER)とが設けられている。この処理ブロックのY方向の長さは例えば3m〜4mとされている。
【0037】
レジスト塗布処理ユニット(CT)のほぼ中央部には固定カップ61が配置されてり、この固定カップ61は上部に開口を有し略円筒形をなしている。固定カップ61の内部には基板を収容する回転カップ62と、回転カップ62の上部に設けられた蓋体37とが収容されている。蓋体37には取っ手37aが設けられている。この取っ手37aを、昇降機構36の駆動により昇降自在に設けられたロボットアーム39が把持して蓋体37を回転カップ62に対して着脱するように構成されている。回転カップ62内には、基板Gの受け渡しの時及びレジストの塗布処理時に基板を保持するためのチャック部材63が収容されている。このチャック部材63は図示しない駆動装置により垂直方向(Z方向)に昇降駆動されるように構成されている。固定カップ61に隣接してレジストを吐出する例えば長尺状のノズル45を収容するノズル収容体46が配置されている。ノズル45はその長手方向に沿って図示しない吐出孔が形成され、図示しない保持機構により保持されて固定カップ61上を移動しながら基板G上にレジストを吐出するようになっている。
【0038】
減圧乾燥ユニット(VD)は、図示しない下部チャンバと、その上を覆うように設けられその内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ44とを有している。上部チャンバ44は例えばエアシリンダ機構43により上下移動が可能に構成されている。エアシリンダ機構43は、例えばチャンバ44の両側部で支持柱41に懸架された支持体42に支持されている。基板Gは減圧されたチャンバ内で減圧乾燥処理が行われる。下部チャンバの各コーナー部には、4個の排気口83が設けられ、この排気口83に連通された排気管がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示略)に接続されている。下部チャンバと上部チャンバ44とが密着した状態でその中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減圧されるように構成されている。下部チャンバ内には基板Gの受け渡しの時及び減圧乾燥処理時に基板を保持するためのステージ(図示せず)が設けられており、このステージは図示しない駆動装置により垂直方向(Z方向)に昇降駆動するように構成されている。
【0039】
エッジリムーバ(ER)は、基板Gを載置する載置台52と、ガイドレール51に沿って図示しない駆動装置により移動させられるリムーバヘッド50とを有している。載置台52は、基板Gの受け渡しの時及びレジスト除去処理時に基板を保持するものであり、図示しない駆動装置により昇降自在に構成されている。リムーバヘッド50及びガイドレール51はそれぞれ4つずつ設けられている。各リムーバヘッド50は移動させられながら例えばシンナを吐出するように構成され、基板Gの各端辺に付着した余分なレジストを除去する。
【0040】
レジスト処理ブロック15には、そのX方向に延設されたガイドレール60に沿って移動可能な搬送ロボット71、72、73、74が設けられている。これら搬送ロボットは同様の構成を有している。
【0041】
符号30は、上記熱処理ブロック25の最下段に設けられた搬送装置を示している。搬送装置30は例えば基台38上でX方向に移動可能なピンセット31を有している。基台38は図示しない駆動装置によりX方向及びZ方向に移動自在となっており、また水平面内で回転も可能となっている。基台38には例えば棒状のピン47が複数設けられており、これらのピン47は基台に内蔵された昇降駆動装置により上下に昇降するように構成されている。
【0042】
(搬送ロボット)
図5は搬送ロボット71〜74の一部を示す斜視図である。図6は搬送ロボット71〜74の平面図であり、図7,8はそれぞれ図6におけるA−A矢視図、B−B矢視図である。
【0043】
搬送ロボット71〜74はガラス基板Gを保持するための半枠状の長アーム91a、91bと、長尺状の短アーム94a、94bを有している。図6に示すように、長アーム91a、91bは例えば基板Gの対向する2つの短辺を保持し、短アーム94a、94bは対向する2つの長辺を保持する。
【0044】
長アーム91aと91bとはそれぞれ連結部81a、81bによって連結されている。図6、図7に示すように、連結部81a、81bは同様の構成を有している。連結部81a、81bはボックス状の部材で形成されており、長アーム用エアシリンダ86a、86b、87a、87bが内蔵されている。長アーム用エアシリンダ86a、86bの駆動ロッド92a、92bはそれぞれ長アーム91aの両端に取り付けられた片部材93a、93bに固定されている。同様に、長アーム用エアシリンダ87a、87bの駆動ロッド96a、96bはそれぞれ長アーム91bの両端に取り付けられた片部材97a、97bに固定されている。連結部81a、81bの内部には長アーム91a、91bが移動するための案内溝88a、88bが形成されている。長アーム用エアシリンダ86a、86bの駆動により、長アーム91a、91bは互いに接離する。
【0045】
短アーム94a、94bはそれぞれ連結部81a、81bに内蔵された短アーム用エアシリンダ85a、85bの駆動ロッド82a、82bに接続されている。短アーム94a、94bは、連結部81a、81bに設けられた案内溝99a、99bに沿って移動する支持部材98a、98bに支持されている。短アーム用エアシリンダ85a、85bの駆動より短アーム94a、94bは互いに接離する。
【0046】
図8を参照して、連結部81a、81bは例えばその下面側で支持体106a、106bによってそれぞれ支持され、支持体106a、106bは例えば支持柱105a、105bにそれぞれ支持されている。支持柱105a、105bは上述したガイドレール60上に移動可能に設けられている。支持柱105a、105bには、タイミングベルト102a、102bを接続するための接続部材103a、103bが固定されている。タイミングベルト102a、102bの一方はプーリ101を介してモータ100に接続されている。このモータ100の駆動によって支持柱105a、105bはガイドレール60に沿って移動させられ、これにより搬送ロボット71〜74が一方向に移動させられる。
【0047】
このような構成により、長アーム91a、91bが撓む等の不具合を解消することができ、確実に基板Gを保持することができる。また、両脇に設置された支持体106a、106b、支持柱105a、105b等により長アーム91a、91bが支持されているため、長アーム91a、91b、支持体、支持柱等が一体的に設けられている。このような構成により、従来のようにアームを支持する支持部材の同期がずれる等のおそれがなく確実に基板を搬送することができる。
【0048】
(吸着パッド)
次に、吸着パッドについて図9から図13をもとにして説明する。
【0049】
図9には圧力センサを取り付けた場合の吸着パッド全体像を示す。長アーム91a、91b、及び短アーム94a、94bにはそれぞれ複数の吸着パッド95が設けられている。これらの吸着パッド95は取付台114に取り付けられ、取付台114は取付具112によって、アーム91a、91b、94a、94bのそれぞれの内側に取り付けられている。取付具112は例えばボルト111でアーム91a、91b、94a、94bに固定されている。取付台114はネジ113によってアーム91a、91b、94a、94bその高さが調節可能に構成されている。吸着パッド95は、例えば樹脂製であり、接続管139及び配管138を介して真空ポンプ136に接続されている。真空ポンプは例えば1つ設けられており、配管138は複数の吸着パッド95にそれぞれ対応して分岐している。これにより基板Gを真空吸着することができる。なお、真空ポンプは2つ以上であってもよく、1つの吸着パッド95に対して真空ポンプ136が1つずつ接続されている構成であってもよい。また、接続管139には、吸着パッド95の吸着圧を測定する圧力センサ131が取り付けられる。この圧力センサ131により吸着パッド95での吸着状態が判断される。
【0050】
図11は圧力センサを取り付けた場合について、長アーム91a、91bを側面から見た様子を示している。長アーム91a、91bには、吸着パッド95a〜95jが設けられている。吸着パッド95a〜95jは、それぞれ接続管139a〜139jを介して配管138に接続されている。配管138は真空ポンプ136に接続される。接続管139a〜139jには、吸着パッド95a〜95jの吸着圧(例えば接続管139a〜139j内のそれぞれの圧力)をそれぞれ個別に測定する圧力センサ131a〜131jが取り付けられている。また、接続管139a〜139jには、吸着パッド95a〜95jの吸着圧をそれぞれ個別に調整する圧力制御バルブ135a〜135jが設けられている。
【0051】
圧力センサ131a〜131jでの測定値は、センサデータ処理部132に伝送される。センサデータ処理部132は、送られた測定値がどの圧力センサのものであるかを特定する。特定された圧力センサの情報とその測定値の情報はともにメインコントローラ133に伝送される。メインコントローラ133は送られた情報に基づいて圧力制御バルブを制御する。例えば、図12に示すように、ある圧力センサにおいて測定された圧力が予め設定しておいた値に達しない場合(設定値より高い場合)には、対応する吸着パッドの圧力制御バルブを閉じる制御が可能である。これにより、それぞれ吸着パッドごとの吸着圧に基づいて、独立して圧力差の発生を停止することができ、吸着時のエラーをなくすことができる。このとき、閉となった圧力制御バルブの数が所定の数よりも大きくなった場合には、安全性を考慮して搬送ロボット71〜74の動作を停止し、アラームを鳴らす構成にしても良い。また、基板Gを搬送するのに必要な最小の吸着パッドの数を予め所定値として設定しておき、まずバルブ135a〜135jをすべて閉とし、1つずつ時間をずらして開としていってもよい。この場合、基板Gを吸着できた吸着パッドの数が所定値に達したならば、残りのバルブは開くことなく閉じたままの状態にしておくようにする。このようにすれば反り形状の異なる基板を省力化して保持することが可能となり、真空ポンプも小型化できる。
【0052】
ここで、図14に示すように、例えば長アーム91a又は91bに加速度センサ150を取り付けることで、この搬送ロボット71〜74が動き出すとき又は停止するときの加速度状態を検出できるようにしてもよい。加速度センサ150からの信号はセンサデータ処理部132を介してメインコントローラ133に送信されるようにする。メインコントローラ133はこの信号に基づきバルブ開閉コントローラ134を制御するようにする。搬送ロボット71〜74が加速度状態にあると、基板Gに慣性力が加わるため特に位置ずれを起こしやすい。本発明では、加速度センサ150を取り付けることで、搬送ロボット71〜74が加速度状態にあるときには特に吸着を強くする制御が可能となる。これにより、位置ずれが起こりにくくなる。また、加速度センサ150を取り付けるかわりに、メインコントローラ133がモータ100に対して加速、減速の制御しているときに吸着パッドの吸着を強く制御するようにしても良い。
【0053】
次に、搬送ロボット71〜74の動作について説明する。
【0054】
例えば作業員は処理前に、入力部からレシピ(処理内容)や基板の大きさを入力する。搬送ロボット用メインコントローラ121は、その基板の大きさの情報をエアシリンダコントローラ124に伝える。そうすると、例えば今後、作業員による再度の基板の大きさの入力があるまでエアシリンダコントローラ124はその基板の大きさに対応するように、長アーム用エアシリンダ86a、86b、87a、87b、短アーム用エアシリンダ85a、85bを駆動する。
【0055】
搬送装置30は保持している基板Gを搬送ロボット71に渡す。図15にその受け渡しの動作を示す。図15(a)に示すように搬送装置30はピンセット31で基板Gを保持した状態で、搬送ロボット71の真下まで移動する。搬送装置30は例えば図15(b)に示すように、ピン47を上昇させ基板Gをピンセット31から離す。搬送ロボット71は、基板Gの大きさに合わせて図15(c)に示すように長アーム91a、91bを互いに接近させ、また短アーム94a、94bを互いに接近させる。搬送装置30は図15(d)に示すように、ピン47を下降させる。これにより、搬送ロボット71の長アーム91a、91b、短アーム94a、94bに基板Gが載置される。ここで、図16に長アーム91a、91b、短アーム94a、94bに基板Gが載置されたときの基板Gの撓みの状態を示す。基板Gが図16(a)に示すように撓む場合には、例えば圧力センサの測定値から吸着パッド95a〜95c、95h〜95jは吸着を停止し、吸着パッド95d〜95gが吸着を行うように制御される。図16(b)に示すように撓む場合、例えば吸着パッド95a、95e、95f、95jは吸着を停止し、吸着パッド95b〜95d、95g〜95iは吸着を行うように制御される。そして搬送装置30が図15(e)に示すように退却する。
【0056】
このように長アーム91a、91b、短アーム94a、94bが自在に伸縮することにより、搬送ロボット71は、例えば搬送装置30や搬送装置30が保持する基板G等に干渉することなくスムーズに基板の受け渡しをすることができる。また、基板Gの撓みに対応させて、吸着パッド95の圧力差の発生を独立して停止することができるため、吸着エラーが生じることもない。
【0057】
以上のように搬送装置30から搬送ロボット71に基板Gが渡されると、搬送ロボット71は、基板Gを保持しながら図17(a)、18(a)に示すように、レジスト塗布処理ユニット(CT)のチャック部材63の真上まで移動させられる。搬送ロボット71が移動しようとする際には、加速度センサ150によりこの動作が感知され、吸着を行っている吸着パッドは吸着力がそれまでより強くなるよう制御される。これにより、基板Gの位置ずれは起きにくくなる。
【0058】
ここで、例えば、搬送ロボット71がそのようにチャック部材63の真上まで移動させられる前に、蓋体37は昇降機構36の駆動によって回転カップ62から離れ所定の高さまで上昇している。搬送ロボット71は、その蓋体37との干渉を防ぐためそのような所定の高さにある蓋体37より低い位置で移動させられる。
【0059】
搬送ロボット71がチャック部材63上まで移動させられ搬送ロボット71の移動が停止する。停止しようとする際にも加速度センサ150によりこの動作が感知され、吸着を行っている吸着パッドの吸着力がそれまでより強くなるよう制御される。これにより、基板Gの位置ずれは起きにくくなる。搬送ロボット71の移動が完全に停止すると、搬送ロボット71の吸着パッド95による真空吸着をすべて停止する。真空吸着を停止したら図18(b)に示すようにチャック部材63が上昇することで基板Gをアーム91a、91b、94a、94bから受け取る。チャック部材63が基板を受け取ると、図17(b)、18(c)に示すように、長アーム91a、91bが互いに離れるように移動し、また短アーム94a、94bも互いに離れるように移動する。その後、図18(d)に示すようにチャック部材63が下降することで基板Gが回転カップ62に収容されてレジストの塗布処理が行われる。つまり、搬送ロボット71の高さは常に一定であるがチャック部材63がその搬送ロボット71に対して昇降する。
【0060】
このように長アーム91a、91b、短アーム94a、94bが自在に伸縮することにより、搬送ロボット71は、例えばチャック部材63やこのチャック部材63に渡された基板G等に干渉することなくスムーズに基板を渡すことができる。
【0061】
レジストの塗布処理が終わると、図17、図18に示した動作と逆の動作で、基板Gが搬送ロボット72に渡される。基板Gを受け取った搬送ロボット72はさらにX方向に移動し、減圧乾燥ユニット(VD)の下部チャンバ内にあるステージ(図示せず)の真上まで移動させられる。
【0062】
ここで、例えば、搬送ロボット72がそのようにステージの真上まで移動させられる前に、上部チャンバ44はエアシリンダ機構43の駆動によって下部チャンバから離れ所定の高さまで上昇している。搬送ロボット72はそのステージとの干渉を防ぐためそのような所定の高さにあるステージより低い位置で移動させられる。
【0063】
搬送ロボット72がステージ(図示せず)の真上まで移動させられると、図17、図18で説明した動作と同様の動作で基板Gの受け渡しが行われる。この場合図17、図18に示したチャック部材63がステージに当たる。
【0064】
減圧乾燥ユニット(VD)での処理が終わると、図17、図18に示した動作と逆順の動作で、基板Gが搬送ロボット73に渡される。基板Gを受け取った搬送ロボット73はさらにX方向に移動し、エッジリムーバ(ER)の載置台52の真上まで移動させられる。
【0065】
搬送ロボット73が載置台52の真上まで移動させられると、図17、図18で説明した動作と同様の動作で基板Gの受け渡しが行われる。この場合図17、図18に示したチャック部材63が載置台52に当たる。
【0066】
エッジリムーバ(ER)での処理が終わると、図17、図18に示した動作と逆順の動作で、基板Gが搬送ロボット74に渡される。搬送ロボット74に基板Gが渡されると搬送装置40が搬送ロボット74にアクセスして図17、図18で説明した動作と逆順の動作でその基板Gを受け取る。
【0067】
搬送ロボット72、73及び74が基板Gを受け取る場合にも、搬送ロボット71が基板Gを受け取る場合と同様に吸着パッド95の圧力差の発生を独立して停止させる。また、基板Gが載置された搬送ロボット72、73及び74が移動しようとする際や停止しようとする際にも同様に、加速度センサ150によりこの動作が感知され、吸着を行っている吸着パッドの吸着力がそれまでより強くなるように制御される。
【0068】
[第2実施形態]
(光センサ)
圧力センサに替えて、吸着パッドと基板との距離を測定する光センサを取り付けることによっても本発明の実施が可能である。図10には光センサを取り付けた場合について示す。光センサ141は取付台114に取り付けられる。この光センサ141により吸着パッド95での吸着状態が判断される。光センサ141は例えば一対の発光部と受光部とを有し、受光部が受ける発光パルス数から距離が算出されるものを用いることができる。
【0069】
図19には光センサを取り付けた場合について、長アーム91a、91bを側面から見た様子を示している。圧力センサ131a〜131jを用いたときと同様に、光センサ141a〜141jの測定値は、センサデータ処理部132に伝送され、どの光センサの測定値であるかが特定され、特定された光センサの情報とその測定値の情報がメインコントローラ133に伝送される。メインコントローラ133は送られた情報に基づいて圧力制御バルブを制御する。この場合も例えば、図20(a)に示すように、ある光センサで測定された距離が予め設定しておいた値に達しない場合には、対応する圧力制御バルブ135a〜135jを閉じる。あるいは図20(b)に示すように、所定値を段階的に設定しその段階ごとに圧力制御バルブ135a〜135jの開度を変化させる制御が可能である。これにより、それぞれ吸着パッドごとの距離に基づいて、独立して圧力差を制御することができ、吸着時のエラーをなくすことができる。
【0070】
[第3実施形態]
図21には吸着パッドのそれぞれについて真空ポンプを接続させた場合について、長アーム91a、91bを側面から見た様子を示している。長アーム91a、91bには、吸着パッド95a〜95jが設けられている。吸着パッド95a〜95jは、それぞれ接続管139a〜139jを介して配管138a〜138jに接続されている。配管138a〜138jは真空ポンプ136a〜136jに接続される。接続管139a〜139jには、吸着パッド95a〜95jの吸着圧(接続管139a〜139j内のそれぞれの圧力)をそれぞれ個別に測定する圧力センサ131a〜131jが取り付けられている。また、接続管139a〜139jには、吸着パッド95a〜95jの吸着圧をそれぞれ個別に調整する圧力制御バルブ135a〜135jが設けられている。
【0071】
圧力センサ131a〜131jでの測定値は、センサデータ処理部132に伝送される。センサデータ処理部132は、送られたデータがどの圧力センサの測定値であるかを特定する。特定された圧力センサの情報とその測定値の情報はともにメインコントローラ133に伝送される。メインコントローラ133は送られた情報に基づいて圧力制御バルブを制御する。例えば、圧力制御バルブ135a〜135jの開閉制御が可能である。また、図13に示すように、所定値を段階的に設定しその段階ごとに圧力制御バルブ135a〜135jの開度を変化させる制御も可能である。これにより、それぞれ吸着パッドごとの圧力状態に基づいて、独立して圧力差を可変に制御することができ、吸着時のエラーをなくすことができる。
【0072】
従来では1つのポンプ、1つのバルブの制御で吸着を行っていたことにより、1つでも基板を吸着できない吸着パッドが存在すると、ポンプはその吸着パッドばかりから大気を吸い込むため吸着エラーが生じていた。しかし、本実施形態によれば、吸着パッドごとにバルブまたはポンプを設け、それぞれを独立して制御することが可能となり、吸着エラーの問題が解決できる。なお、吸着パッドの吸引孔が小さければ、真空ポンプによる吸引力を可能な限り大きくすることにより、基板から離れている吸着パッドから吸い込む流量よりその真空ポンプの吸引量の方が多い。そのためその離れている吸着パッドが徐々に吸引力が発生して吸着する可能性もある。しかしそれでは無駄なエネルギーや時間を使うため得策ではない。
【0073】
本発明は以上説明した実施の形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0074】
例えば、接続管138に3方弁を取り付け、例えば不活性ガスや空気などを供給する供給管を設け、真空ポンプ136からの排気とその供給管からの不活性ガスの供給を切り替えるようにしてもよい。これにより、基板Gを処理部に渡す直前に3方弁を切り替えて数秒の間吸着孔にガスを供給し、基板Gを吸着パッドから取り外しやすくすることができる。この場合、圧力制御バルブ135a〜135jの開度は吸着動作時のままにしてくことで、接続管138内を真空状態に維持できる。したがってそこにガスを供給することにより供給するガス量を低減できる。その後、保持していた基板Gを処理部に渡し、次の基板が搬送ロボット71〜74に載置される直前に圧力制御バルブ135a〜135jを全開の状態とし、次の基板の吸着動作に入ればよい。
【0075】
また、長アーム91a、91bのどちらか一方のみが移動し、他方は連結部81a、1bに固定される構成とすることもできる。これは短アーム94a、94bも同様である。
【0076】
長アーム91a、91bの形状は実施の形態に示した四角の枠状のものに限られない。アーム91a、91bが図5で示すY方向で一体的に設けられている構成であればよい。また短アーム94a、94bの長手方向の長さは上記の実施の形態に限られない。
【0077】
上記実施の形態ではアーム91a、91b、94a、94bを移動させる機構としてエアシリンダを用いたが、これに限らず、電磁式のリニアモータやベルト駆動機構を用いてもかまわない。
【0078】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、吸着の際のエラーが発生することがないため、作業工数を減少させ稼働率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図2】図1に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図3】図1に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図4】本発明の一実施の形態に係るレジスト処理ブロックの平面図である。
【図5】本発明の一実施の形態に係る搬送ロボットの一部を示す斜視図である。
【図6】図5に示す搬送ロボットを示す平面図である。
【図7】図5に示す搬送ロボットを示す側面図である。
【図8】図5に示す搬送ロボットを示す正面図である。
【図9】吸着パッドの拡大図である。
【図10】吸着パッドの拡大図である。
【図11】吸着パッドの制御系を示す図である。
【図12】圧力センサの測定値とバルブの開度との相関を示す図である。
【図13】圧力センサの測定値とバルブの開度との相関を示す図である。
【図14】吸着パッドの制御系を示す図である。
【図15】処理装置との間での基板の受け渡し動作を示す図である。
【図16】本発明の一実施の形態に係る搬送ロボットの一部を示す側面図である。
【図17】他の搬送装置との間での基板の受け渡し動作を示す図である。
【図18】処理装置との間での基板の受け渡し動作を示す図である。
【図19】吸着パッドの制御系を示す図である。
【図20】光センサの測定値とバルブの開度との相関を示す図である。
【図21】吸着パッドの制御系を示す図である。
【符号の説明】
G…ガラス基板
71〜74…搬送ロボット
95…吸着パッド
131…圧力センサ
132…センサデータ処理部
133…メインコントローラ
134…バルブ開閉コントローラ
135…圧力制御バルブ
136…真空ポンプ
138…配管
139…接続管
141…光センサ
150…加速度センサ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a glass substrate used for a liquid crystal display device or the like.
[0002]
[Prior art]
In a manufacturing process of an LCD (Liquid Crystal Display) or the like, in order to form a thin film or an electrode pattern of ITO (Indium Tin Oxide) on a glass substrate for the LCD, the same photolithography as that used for manufacturing a semiconductor device is used. Technology is used. In the photolithography technique, a photoresist is applied to a glass substrate, which is exposed and further developed.
[0003]
Such a photolithography technique is conventionally performed using a coating and developing treatment apparatus. The coating and developing apparatus has not only a coating device and a developing device but also a cleaning device and a heating device. This coating and developing apparatus is provided with a removing device adjacent to the coating device for removing the excess resist at the edge of the glass substrate after the resist is applied by the coating device. The coating and developing apparatus has a transfer device for transferring the substrate between the coating device and the removing device.For example, the transfer device can be moved along a linear guide provided across the coating device and the removing device. It is provided in. The transfer device has a holding unit for holding the substrate. In order to prevent the substrate from being displaced on the transfer device during transfer, a suction hole is provided for holding the substrate on the holding unit by a pressure difference (for example, see Patent Document 1). The suction holes are set in advance by performing a simulation based on the size of the substrate and the like.
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-8-281184 (paragraph [0074], FIGS. 1 and 11).
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in recent years, the length of two sides of the glass substrate has been increased to, for example, 1.5 m and 1.2 m, so that the held substrate is bent by its own weight. This bending causes the substrate to bend on the holding portion, so that a suction hole that does not suck the substrate is generated, which causes an error. If this is forcibly absorbed, a stress is generated in the substrate, which adversely affects the quality of the substrate. Therefore, it is necessary to correct the position of the suction hole. Since the position correction is performed manually for each substrate, there is a problem that the number of work steps is increased.
[0006]
In view of the circumstances described above, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same, which reduce the number of man-hours and improve the operation rate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a holding member that holds at least a part of a peripheral portion of a substrate, and a substrate provided on the holding member, which sucks the substrate with a pressure difference to hold the substrate. And a pressure difference generating mechanism that independently generates the pressure difference for each of the suction units.
[0008]
In the present invention, the pressure difference generating mechanism is configured to generate the pressure difference independently for each suction unit. Thereby, for example, it is possible to stop the generation of the pressure difference in the suction portion that cannot suction the substrate. As a result, no error occurs, and the operation of correcting the position of the suction unit by a human can be eliminated, so that the number of operation steps of the substrate transfer apparatus can be reduced and the operation rate can be increased.
[0009]
In one embodiment of the present invention, the pressure difference generating mechanism includes means for controlling the generated pressure difference for each of the suction units. For example, by variably controlling the pressure difference, the suction state can be kept optimal according to the curved state of each part of the peripheral portion of the substrate.
[0010]
The control means may include a pressure measuring means for measuring a pressure generated in the vicinity of the suction section, and a means for controlling the pressure difference based on a signal obtained by the pressure measuring means. Further, the control means controls the pressure difference based on a signal obtained by the distance measuring means for measuring a distance between the holding member, a predetermined portion of the substrate held by the holding member, and the distance measuring means. And means for performing the operation.
[0011]
With these control means, the suction state in the suction section can be grasped from the measurement result of the pressure or the measurement result of the distance between the holding member and the substrate, and the pressure difference in the suction section can be effectively controlled. For example, when it is determined that the pressure does not reach the predetermined value or when it is determined that the pressure exceeds a predetermined distance, the generation of the pressure difference can be stopped. Of course, it is also possible to control to set the predetermined value stepwise and change the pressure difference for each step.
[0012]
In one embodiment of the present invention, the apparatus further comprises a moving mechanism for moving the holding member, and the control means includes means for controlling the pressure difference based on a speed state of the holding member moved by the moving mechanism. . For example, when the speed is relatively high, the suction force of the substrate can be increased by increasing the pressure difference. If the suction force is increased, it is safe even if the number of suction portions that are sucking the substrate is relatively small.
[0013]
The control means may include means for controlling the pressure difference based on whether the holding member is in an acceleration / deceleration state or a constant speed state.
[0014]
According to such a configuration, for example, in an acceleration / deceleration state, an external force is applied to the substrate, so that the pressure difference is increased, and in a constant velocity state, no external force is applied, so that the pressure difference can be reduced. Thereby, the substrate can be reliably sucked and the displacement can be prevented. An acceleration sensor or the like can be used as a means for detecting the acceleration state and the constant velocity state.
[0015]
A substrate processing method according to the present invention includes a holding member that holds at least a part of a peripheral portion of a substrate, a plurality of suction units provided on the holding member, and that sucks the substrate with a pressure difference to hold the substrate, A processing method for a substrate processing apparatus having a pressure difference generating mechanism for generating the pressure difference independently for each of the suction units, wherein a step of measuring a pressure generated in the vicinity of the suction unit; Controlling the pressure difference generated by the pressure difference generating mechanism based on the pressure. A step of measuring a distance between the holding member and a predetermined portion of the substrate held by the holding member; and controlling the pressure difference generated by the pressure difference generating mechanism based on the measured distance. And a step of performing the above. Further, the method may include a step of moving the holding member, and a step of controlling the pressure difference based on a speed state of the moving holding member.
[0016]
According to these methods, no error occurs, the operation of correcting the position of the suction unit by a human can be eliminated, and the number of work steps of the substrate transfer apparatus can be reduced and the operation rate can be increased.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0018]
[First Embodiment]
(Coating and developing equipment)
FIG. 1 is a plan view showing an LCD substrate coating and developing apparatus to which the present invention is applied, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.
[0019]
The coating and developing
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
In the
[0023]
Next to the scrubber cleaning processing unit (SCR), heat treatment system blocks 24 and 25 in which units for performing thermal processing on the glass substrate G are stacked in multiple stages are arranged. The
[0024]
As shown in FIG. 2, the heat
[0025]
A resist
[0026]
A heat
[0027]
In the
[0028]
A development processing unit (DEV) for performing the development processing is provided adjacent to the heat
[0029]
In the heat
[0030]
The interface unit 4 is provided with a titler and a peripheral exposure unit (Titler / EE) 22 on the front side, an extension cooling unit (EXTCOL) 35 adjacent to the
[0031]
(Coating and developing process)
Processing steps of the coating and developing
[0032]
Next, the substrate G is transferred from the
[0033]
Next, the substrate G is transferred to the
[0034]
Next, the substrate G is transferred to the post-exposure baking unit (PEBAKE) of the heat
[0035]
Next, the substrate G is transferred from the lowermost stage in the heat
[0036]
(Resist processing block)
FIG. 4 is a plan view of the resist
[0037]
A fixing
[0038]
The reduced-pressure drying unit (VD) has a lower chamber (not shown) and an
[0039]
The edge remover (ER) includes a mounting table 52 on which the substrate G is mounted, and a
[0040]
The resist
[0041]
[0042]
(Transport robot)
FIG. 5 is a perspective view showing a part of the
[0043]
The
[0044]
The
[0045]
The
[0046]
Referring to FIG. 8, the connecting
[0047]
With such a configuration, problems such as bending of the
[0048]
(Suction pad)
Next, the suction pad will be described with reference to FIGS.
[0049]
FIG. 9 shows an entire image of the suction pad when the pressure sensor is attached. Each of the
[0050]
FIG. 11 shows a state where the
[0051]
The measurement values of the
[0052]
Here, as shown in FIG. 14, for example, by attaching an
[0053]
Next, the operation of the
[0054]
For example, a worker inputs a recipe (processing content) and a substrate size from an input unit before processing. The transfer robot main controller 121 transmits the information on the size of the substrate to the air cylinder controller 124. Then, for example, in the future, the air cylinder controller 124 will adjust the long
[0055]
The
[0056]
As described above, the
[0057]
When the substrate G is transferred from the
[0058]
Here, for example, before the
[0059]
The
[0060]
As described above, the
[0061]
When the resist coating process is completed, the substrate G is transferred to the
[0062]
Here, for example, before the
[0063]
When the
[0064]
When the processing in the reduced-pressure drying unit (VD) is completed, the substrate G is transferred to the
[0065]
When the
[0066]
When the processing by the edge remover (ER) is completed, the substrate G is transferred to the
[0067]
When the
[0068]
[Second embodiment]
(Optical sensor)
The present invention can be implemented by attaching an optical sensor for measuring the distance between the suction pad and the substrate, instead of the pressure sensor. FIG. 10 shows a case where an optical sensor is attached. The
[0069]
FIG. 19 shows a state where the
[0070]
[Third embodiment]
FIG. 21 shows a state where the
[0071]
The measurement values of the
[0072]
Conventionally, suction was performed by controlling one pump and one valve. If there was at least one suction pad that could not suction a substrate, the pump sucked air from only the suction pad, causing an suction error. . However, according to the present embodiment, a valve or a pump is provided for each suction pad, and it is possible to control each of them independently, so that the problem of the suction error can be solved. If the suction hole of the suction pad is small, the suction force of the vacuum pump is larger than the flow rate sucked from the suction pad separated from the substrate by increasing the suction force of the vacuum pump as much as possible. Therefore, there is a possibility that a suction force is gradually generated in the separated suction pad and the suction pad is sucked. But that's not a good idea because it wastes energy and time.
[0073]
The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible.
[0074]
For example, a three-way valve may be attached to the
[0075]
Further, it is also possible to adopt a configuration in which only one of the
[0076]
The shape of the
[0077]
In the above-described embodiment, an air cylinder is used as a mechanism for moving the
[0078]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, no error occurs at the time of suction, so that the number of work steps can be reduced and the operation rate can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view of the coating and developing apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a rear view of the coating and developing apparatus shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a plan view of a resist processing block according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a perspective view showing a part of the transfer robot according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing the transfer robot shown in FIG.
FIG. 7 is a side view showing the transfer robot shown in FIG.
FIG. 8 is a front view showing the transfer robot shown in FIG.
FIG. 9 is an enlarged view of a suction pad.
FIG. 10 is an enlarged view of a suction pad.
FIG. 11 is a diagram showing a control system of the suction pad.
FIG. 12 is a diagram showing a correlation between a measured value of a pressure sensor and an opening degree of a valve.
FIG. 13 is a diagram showing a correlation between a measured value of a pressure sensor and an opening degree of a valve.
FIG. 14 is a diagram showing a control system of the suction pad.
FIG. 15 is a diagram illustrating an operation of transferring a substrate to and from a processing apparatus.
FIG. 16 is a side view showing a part of the transfer robot according to one embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a diagram illustrating an operation of transferring a substrate to and from another transfer device.
FIG. 18 is a diagram illustrating an operation of transferring a substrate to and from a processing apparatus.
FIG. 19 is a diagram showing a control system of the suction pad.
FIG. 20 is a diagram showing a correlation between a measured value of an optical sensor and an opening degree of a valve.
FIG. 21 is a diagram showing a control system of the suction pad.
[Explanation of symbols]
G ... Glass substrates 71-74 ...
Claims (9)
前記保持部材に設けられ、基板を保持するために圧力差で基板を吸着する複数の吸着部と、
前記吸着部ごとにそれぞれ独立して前記圧力差を発生させる圧力差発生機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。A holding member that holds at least a part of a peripheral portion of the substrate,
A plurality of suction units provided on the holding member and suctioning the substrate with a pressure difference to hold the substrate,
A substrate processing apparatus, comprising: a pressure difference generating mechanism that generates the pressure difference independently for each of the suction units.
前記圧力差発生機構は、発生させる前記圧力差を前記吸着部ごとに制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the pressure difference generating mechanism includes a unit that controls the pressure difference to be generated for each of the suction units.
前記制御手段は、
前記吸着部の近傍に発生する圧力を測定する圧力測定手段と、
前記圧力測定手段により得られる信号に基づき前記圧力差を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2,
The control means,
Pressure measuring means for measuring the pressure generated in the vicinity of the suction section,
Means for controlling the pressure difference based on a signal obtained by the pressure measuring means.
前記制御手段は、
前記保持部材と、前記保持部材で保持された基板の所定の部位との距離を測定する距離測定手段と、
前記距離測定手段により得られる信号に基づき前記圧力差を制御する手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2,
The control means,
The holding member, a distance measuring means for measuring a distance between a predetermined portion of the substrate held by the holding member,
Means for controlling the pressure difference based on a signal obtained by the distance measuring means.
前記保持部材を移動させる移動機構をさらに具備し、
前記制御手段は、前記移動機構により移動させられる前記保持部材の速度状態に基づき前記圧力差を制御する手段を有することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2,
Further comprising a moving mechanism for moving the holding member,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control means includes means for controlling the pressure difference based on a speed state of the holding member moved by the moving mechanism.
前記制御手段は、前記保持部材が加減速状態にあるか、等速状態にあるかに基づき前記圧力差を制御する手段を有することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit includes a unit that controls the pressure difference based on whether the holding member is in an acceleration / deceleration state or a constant speed state.
前記吸着部の近傍に発生する圧力を測定する工程と、
測定された前記圧力に基づき、前記圧力差発生機構に発生させられる前記圧力差を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。A holding member that holds at least a part of a peripheral portion of the substrate, a plurality of suction portions provided on the holding member, and that sucks the substrate with a pressure difference to hold the substrate, and each of the suction portions independently. A processing method of a substrate processing apparatus having a pressure difference generating mechanism that generates the pressure difference,
Measuring the pressure generated in the vicinity of the suction section,
Controlling the pressure difference generated by the pressure difference generating mechanism on the basis of the measured pressure.
前記保持部材と、前記保持部材で保持された基板の所定の部位との距離を測定する工程と、
測定された前記距離に基づき、前記圧力差発生機構に発生させられる前記圧力差を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。A holding member that holds at least a part of a peripheral portion of the substrate, a plurality of suction portions provided on the holding member, and that sucks the substrate with a pressure difference to hold the substrate, and each of the suction portions independently. A processing method of a substrate processing apparatus having a pressure difference generating mechanism that generates the pressure difference,
The step of measuring the distance between the holding member and a predetermined portion of the substrate held by the holding member,
Controlling the pressure difference generated by the pressure difference generating mechanism based on the measured distance.
前記保持部材を移動させる工程と、
移動させられる前記保持部材の速度状態に基づき前記圧力差を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。A holding member that holds at least a part of a peripheral portion of the substrate, a plurality of suction portions provided on the holding member, and that sucks the substrate with a pressure difference to hold the substrate, and each of the suction portions independently. A processing method of a substrate processing apparatus having a pressure difference generating mechanism that generates the pressure difference,
Moving the holding member;
Controlling the pressure difference based on a speed state of the holding member being moved.
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