JP2004259431A - Dram - Google Patents
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Abstract
バイ電流を低減する。
【解決手段】 それぞれ活性化コマンドにより独立に活性化できる複数のメモリ
バンクと、メモリバンクのそれぞれに対応して設けられ、それぞれ外部電源電圧
を受けて所定の内部電源電圧を出力する複数の電源回路とを備え、電源回路の出
力は対応するメモリバンクにそれぞれ接続され、メモリバンクの一つを活性化す
るコマンドに応答して、電源回路のうち当該バンクに対応して設けられた電源回
路をオンとし、残る電源回路はオフとする。
【選択図】 図1
Description
図1に本発明を適用した4バンク構成のシンクロナスDRAMを示す。図中、CHIPは半導体メモリチップ、BANK0〜BANK3はメモリバンク、CKTは全バンクに共通な周辺回路、VDL0〜VDL3およびVDLSは外部電源VDDからメモリアレー用内部電源電圧VDL(第1内部電圧)を発生するための電圧リミッタ回路(又は降圧回路、より一般的には電源回路)、VCL4〜VCL6およびVCLSはVDDから周辺回路用内部電源電圧VCL(第2内部電圧)を発生するための電圧リミッタ回路である。電圧値の一例を示せば、VDD = 3.3 V、 VCL = 2.2 V、VDL = 1.8 Vである。即ち、外部電源電圧VDDから発生された、VDDよりも電圧の低い2種類の内部電圧VCLとVDLが内部回路ブロックに供給されている。VDLはVCLよりも低い電圧とされる。
のビット線プリチャージ回路PCなどが配置されている。センスアンプSAを駆動するための1対の信号線NCS、PCSがセンスアンプ駆動回路まで配線されている。信号線NCS、PCSの間にもビット線プリチャージ回路と同様なプリチャージ回路CSPCが設けられVDL/2が供給されている。センスアンプ駆動回路ISは、3個のMOSトランジスタMN1〜MN3から成る。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。回路の配置は図1と同じであるからここでは省略し、図15に回路間の接続関係を示す。図4との相違点は、電圧リミッタ回路VDL0とVDL1とをまとめて、活性化信号LD0で制御していることである。VDL2とVDL3についても同様に、活性化信号LD2で制御している。
図18に本発明の第3の実施例を示す。図1との相違点はVDL用の電圧リミッタ回路VDL4が追加されていることである。この回路は、図19に示すように活性化信号LC4によって制御される。
図22に本発明の第4の実施例を示す。本実施例の特徴は、VCL用の電圧リミッタ回路にVDL用と同様の制御方式(実施例3)を適用したことである。VCL用の電圧リミッタ回路は、各バンクの近傍に1個ずつ(VCL0〜VCL3)配置され、中央にVCL4と待機時用のVCLSが配置されている。図4に各回路間の接続関係を示す。VDL用電圧リミッタ回路VDL0〜VDL4はそれぞれ、実施例3(図19)と同様に、活性化信号LD0、LD1、LD2、LD3、LC4によって制御される。VCL用電圧リミッタ回路VCL0〜VCL4はそれぞれ、活性化信号LC0、LC1、LC2、LC3、LC4によって制御される。
図26に本発明の第5の実施例を示す。実施例1との相違点は、入力バッファ用に専用の内部電源電圧VIIを発生していること、およびメモリアレー用内部電源電圧VDLと周辺回路用内部電源電圧VCLのレベルが等しいことである。電圧値の一例を示せば、VDD = 3.3 V、VCL = VDL = 1.8 V、VII = 2.5 Vである。入力バッファは入力信号の高レベルVIH、低レベルVILなどの規格を満足するため、電源電圧が安定であることが望ましい。そこで、専用電源を電圧リミッタ回路VII0〜VII2およびVIISによって発生している。前述のように入力バッファは周辺回路CKT内に配置されているので、VIIの配線がCKT内を通っている。
辺回路、VDL0〜VDL4……動作時用VDL電圧リミッタ回路、VDLS……待機時用VDL電
圧リミッタ回路、VCL0〜VCL6……動作時用VDD電圧リミッタ回路、VCLS……待機
時用VDD電圧リミッタ回路、CTL0……VDL電圧リミッタ制御回路、CTL1……VDD電
圧リミッタ制御回路、CTLM……主制御回路、RVG……基準電圧発生回路。
Claims (13)
- 外部クロック信号を受ける第1入力端子と、
クロックエネーブル信号を受ける第2入力端子と、
コマンド信号を受ける複数の第3入力端子と、
外部電源電圧を受ける第4入力端子と、
前記外部電源電圧より低い電圧を生成する電圧リミッタ回路と、
前記外部クロック信号に応じてコマンド信号を受ける制御回路とを具備するDRAMにおいて、
前記制御回路は、前記クロックエネーブル信号に応じてパワーダウンモードの開始と終了を制御し、
前記DRAMが前記パワーダウンモードのときに、前記電圧リミッタ回路はオフ状態となることを特徴とするDRAM。 - 請求項1において、
前記クロックエネーブル信号の立ち上がりエッジに応じて、前記電圧リミッタ回路は、オフ状態から動作を開始することを特徴とするDRAM。 - 外部より供給される電源電圧より低い第1電圧を生成する第1電源回路と、
外部より供給される電源電圧より低い第2電圧を生成する第2電源回路とを具備し、パワーダウンモードを有するDRAMチップにおいて、
前記DRAMが前記パワーダウンモードのときに、前記第1電源回路はオフ状態、前記第2電源回路はオン状態であることを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項3のDRAMチップは、外部クロック信号を受ける第1入力端子と、外部よりコマンド信号を受け、動作モードを決定する制御回路と、複数のメモリバンクアレイと、ロウデコーダと、カラムデコーダと、センスアンプ駆動回路とを具備し、
前記第1電源回路は、前記センスアンプ駆動回路に前記第1電圧を供給し、
前記第2電源回路は、前記ロウデコーダと前記カラムデコーダに前記第2電圧を供給することを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項3又は請求項4のDRAMチップは、さらに前記第2電圧を生成する第3電源回路とを具備し、
前記DRAMが前記パワーダウンモードとなるのに応じて、前記第3電源回路はオン状態からオフ状態に変化し、
前記第1電圧は前記第2電圧よりも低い電圧であることを特徴とするDRAMチップ。 - 外部クロック信号と、クロックエネーブル信号と、チップセレクト信号と、ロウアドレスストローブ信号と、カラムアドレスストローブ信号と、書込みエネーブル信号とを受け制御信号を出力する制御回路と、
外部電源電圧を受ける入力端子と、
前記外部電源電圧より低い第1電圧を生成する第1電圧リミッタ回路とを具備し、
前記第1電圧リミッタ回路はオン状態とオフ状態とを有し、
前記制御回路から出力される前記制御信号のうち、読み出し信号又は書き込み信号が出力されることに応じて、前記第1電圧リミッタ回路はオフ状態からオン状態となることを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項6のDRAMチップは、メモリアレイと、ロウデコーダと、カラムデコーダと、センスアンプ駆動回路とを具備する複数のメモリバンクを有し、
前記第1電圧は前記ロウデコーダに供給され、
前記制御回路から出力される前記制御信号のうち、バンク活性化信号が出力されることに応じて、前記第1電圧リミッタ回路は、オフ状態からオン状態となり、前記バンク活性化信号の出力の次に出力される前記読み出し信号又は書き込み信号との間にオフ状態を有することを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項6乃至請求項7のいずれかのDRAMチップにおいて、
前記第1電圧リミッタ回路は、前記制御回路から出力される制御信号のうち、プリチャージ信号が出力されることに応じて、オン状態からオフ状態となることを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項6乃至請求項8のいずれかのDRAMチップは、前記外部電源電圧より低い第2電圧を生成する複数の第2電圧リミッタ回路をさらに具備し、
前記第2電圧リミッタ回路はバンク毎に対応して設けられ、前記センスアンプ駆動回路に供給されることを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項9のDRAMチップにおいて、
前記第2電圧は前記第1電圧より低いことを特徴とするDRAMチップ。 - 外部クロック信号と、クロックエネーブル信号と、チップセレクト信号と、ロウアドレスストローブ信号と、カラムアドレスストローブ信号と、書込みエネーブル信号とを受け制御信号を出力する制御回路と、
外部電源電圧を受ける入力端子と、
前記外部電源電圧より低い電圧を生成する第1電源回路と、
前記外部電源電圧より低い電圧を生成する第2電源回路とを具備し、
前記クロックエネーブル信号が第1状態において、前記第1と第2電源回路は動作状態となり、前記制御回路は出力する制御信号により動作モードを制御し、
前記クロックエネーブル信号が第2状態において、前記第1電源回路は非動作状態となり、前記第2電源回路は動作状態となることを特徴とするDRAMチップ。 - 請求項11のDRAMチップは、メモリアレイと、ロウデコーダと、カラムデコーダと、センスアンプ駆動回路とを具備する複数のメモリバンクを具備し、
前記第1と第2電源回路が生成する電圧の大きさは等しく、
前記第1電源回路の電流供給能力は前記第2電源回路より大きく、前記第1と第2電源回路は前記カラムデコーダに電圧を供給することを特徴とするDRAMチップ。 - パワーダウンモードを有するDRAMにおいて、電圧リミッタ回路を具備し、パワーダウンモードにおいて前記電圧リミッタ回路をオフ状態とすることを特徴とするDRAM。
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JP2004112616A JP4026772B2 (ja) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | Dram |
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Related Child Applications (1)
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
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KR101143394B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-05-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전력 절감형 메모리 장치 |
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-
2004
- 2004-04-07 JP JP2004112616A patent/JP4026772B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101143394B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-05-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전력 절감형 메모리 장치 |
US9239613B2 (en) | 2013-04-12 | 2016-01-19 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Intelligent over-current prevention |
US9323321B2 (en) | 2013-04-12 | 2016-04-26 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Intelligent over-current prevention |
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