JP2004258630A

JP2004258630A - 横電界方式液晶ディスプレイの画素及びその製造過程

Info

Publication number: JP2004258630A
Application number: JP2004024029A
Authority: JP
Inventors: Koutatsu Ryu; 鴻達劉
Original assignee: KOYO KODEN KOFUN YUGENKOSHI
Current assignee: KOYO KODEN KOFUN YUGENKOSHI
Priority date: 2003-02-24
Filing date: 2004-01-30
Publication date: 2004-09-16
Also published as: TW200416446A

Abstract

【課題】ナノレベルのでこぼこ面を有し、光マスクの数を減少させる横電界方式液晶ディスプレイの画素及びその製造過程を提供する。
【解決手段】第一機構は、基底１０２の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有し、拡散光源により対比度を増加させ、かつ第一部分及び第二部分を有する。第二機構は、第一部分の上にスイッチング素子を形成する。液晶層１３０は、第二機構及び第二部分の上に形成される。第三機構は、液晶層１３０の上に形成される。第一部分と第二部分の反射板１１２及び反射板１１４は同時に製造できるため、液晶ディスプレイは必要な光マスクが僅か四つである。でこぼこ面はナノレベルであるため、拡散効果では、比較的大きい拡散角度と緩やかな効果を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、横電界方式液晶ディスプレイに関し、特に、ナノレベルのでこぼこ面の反射板を有する横電界方式液晶ディスプレイの画素及びその製造過程に関するものである。

周知の液晶ディスプレイ（liquid crystal display、ＬＣＤ）は、ＴＮ方式及びＳＴＮ方式を採用するものである。ＴＮ方式及びＳＴＮ方式によるＬＣＤは視角の狭い欠点があることに対し、広視野角の横電界方式（in-plane switching、ＩＰＳ）ＬＣＤが開発されている。ＩＰＳ方式によるＬＣＤは、広視野角という特性のほかに、補償膜および応答時間などが必要でないという長所があり、かつその製造過程はＴＮ方式によるＬＣＤに比べて一つ光マスクが少ない。しかし、ＬＰＳ方式によるＬＣＤの画素電極（pixel electrode）及び對電極（counter electrode）が透過性のない金属により製造され、かつ平滑な面を有するため、反射する際に、鏡面により反射するのが対比度を低下させる。画素電極及び對電極の下方に有機材料、例えば、樹脂（resin）によりでこぼこ面を形成することで、欠点を改善することが可能であるが、有機材料を増やすには光マスクの数を増やす必要があるため、製造過程の複雑さ及びコストを増加させる。かつ有機材料の耐熱度は約２５０度で、耐熱性がよくない。また、でこぼこ面の高低落差は０．５μｍから１．５μｍの間で大きすぎるため、液晶ディスプレイの隙間を過大に変化させ、反射光効果を理想の１００％から６０％〜８５％まで低下させる。
したがって、ナノレベルのでこぼこ面を有し、光マスクの数を減少させる横電界方式液晶ディスプレイが期待される。

本発明の主な目的は、ナノレベルのでこぼこ面を有する横電界方式液晶ディスプレイの画素及びその製造過程を提供することにある。
本発明のもう一つの目的は、光マスクの数を減少させる横電界方式液晶ディスプレイの画素及びその製造過程を提供することにある。

上述の目的を達成するために、本発明による横電界方式液晶ディスプレイの画素及び製造過程により、第一実施例における画素は、基底の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有し、拡散光源により対比度を増加させ、かつ第一部分及び第二部分を有する第一機構と、第一部分にスイッチング素子を形成する第二機構と、第二機構及び第二部分の上に形成される液晶層と、液晶層の上に形成される第三機構とを備えるものである。そのうちの第二部分は複数のナノレベルのでこぼこ面の反射板を有し、第三機構は光学積層であり、また、液晶層は正型または負型液晶である。でこぼこ面は結晶及び材料そのものの特性により形成され、また、第一部分と第二部分の反射板は同時に製造できるため、本発明による液晶ディスプレイは必要な光マスクが僅か四つであって、八つか九つの光マスクを必要とする周知の散乱式液晶ディスプレイに比べて半分であり、コストを大幅に削減できる。かつでこぼこ面はナノレベルであるため、拡散効果では、比較的大きい拡散角度と緩やかな効果を有する。つまり、反射率は視角にともない激しく変化することがなく、惑光防止（Anti-glare）という効果に優れるものである。また、でこぼこ面の高低落差は周知の散乱式内層反射板のでこぼこ面の高低落差より小さいため、液晶層（liquid crystal cell）の隙間の変化を低減させ、反射光効果を最良の状態に維持できる。また、反射板は無機薄膜により製造され、一般の有機材料によるものより耐高温である。

第二実施例及び第三実施例における画素の底板の中には、基底と、基底上に形成される薄膜トランジスターと、複数の反射板と、複数の反射板を被覆する保護層と、保護層上に形成され、第一保護層を通り抜けて複数の反射板中の一つの反射板に連接する第二金属層とを有する。そのうちのすべての反射板はナノレベルのでこぼこ面の微散乱層を有し、反射層は散乱層の上において微散乱層のでこぼこ面と連接することで、でこぼこ面を有し、また、反射層と薄膜トランジスターのゲート極は同じ一枚の金属である。微散乱層はＩＴＯにより構成される導電層と、導電層の上に形成される絶縁層とを有し、絶縁層の材料そのものの特性によりナノレベルのでこぼこ面を形成可能であり、かつ反射層は高反射率の金属により構成される。第二実施例及び第三実施例では、薄膜トランジスターと反射板は製造過程が同じではないため、余分に一つ光マスクが必要である。

図１に示すように、本発明の一実施例による横電界方式液晶ディスプレイの画素構造１００は、透過反射式ＬＣＤであって、実施例では、ナノレベルのでこぼこ面の第一機構は基底１０２上に形成されて第一部分と第二部分とを有し、そのうちの第一部分がベース電極１１０で、第二部分が反射板１１２及び反射板１１４である。保護層１１６は、第一機構を被覆する。第二機構は、ベース電極１１０上方の保護層１１６上に形成され、コレクター電極１２４、エミッタ電極１２６及び非晶シリコン半導体薄膜１１８によりコネクター電極１２４とエミッタ電極１２６との間に形成される通路区を備え、ベース電極１１０と第二機構によりスイッチング素子、すなわち、薄膜トランジスター１２２を形成し、かつコネクター電極１２４が保護層１１６上の穿孔（contact hole）１２０を介して反射板１１４に接続されることで、薄膜トランジスターに電圧が作用する時、反射板１１２と反射板１１４との間に横電界Ｅが発生し、液晶分子１３２にねじれが発生する。もう一つの保護層１２８は、第二機構を被覆する。後端偏光膜は、基底１０２下方に形成される。液晶１３０は保護層１２８と第三機構との間に挟まり、液晶層１３０は正型液晶または負型液晶であり、本実施例では、液晶層として使用されるのは負型液晶であり、その屈折率と位相遅延は好ましい実施範囲がそれぞれ０．０５〜０．１４ｎｍと、５０〜４１０ｎｍである。また、本実施例における薄膜トランジスター１２２はＮＭＯＳトランジスター（n-type Metal-Oxide-Semiconductor transistor）である。

第三機構はカラーレンズ１３８と、カラーレンズ１３８と液晶層１３０との間に形成される拡散膜と、カラーレンズ１３８の前端に形成される黒色マトリックス１３６と、カラーレンズの上に形成される補償膜１４０と、補償膜の上方に形成される前端偏光膜１４２とを備え、そのうちの黒色マトリックス１３６はＣｒ金属ではなく、黒色樹脂（Black Resin）から構成されるものである。ベース電極１１０と反射板１１２及び反射板１１４の構造は、ＩＴＯまたはＩＺＯから構成される導電層１０４と、導電層の上にシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）から構成される絶縁層１０６と、絶縁層の上にアルミニウム、銀及びアルミニウム合金などの高反射率の金属から構成される反射層１０８とを備えるものである。絶縁層１０６を導電層１０４の上に形成する際、結晶及び材料そのものの特性により絶縁層１０６の表面にナノレベルのでこぼこ面を形成できるため、周知の技術のように別にもう一つの樹脂層を加えてでこぼこ面を形成する必要はない。また、反射板１１２及び反射板１１４とベース電極１１０は製造過程が同じであるため、四つの光マスクで液晶ディスプレイの画素構造１００を製造可能であり、八つまたは九つの光マスクの製造を必要とする周知の散乱式透過反射式ＬＣＤに比べて光マスクの数が半分になり、コストを大幅に削減できる。

反射板１１２及び反射板１１４は、でこぼこ面が比較的小さい高低落差及び高低周期を有するため、拡散効果の方面には、比較的大きい拡散角度と緩やかな効果を有する。つまり、反射率は視角にともない激しく変化することがなく、惑光防止という効果に優れ、また、反射光効果を最良の状態に維持できるものである。かつ反射板は無機薄膜により製造可能であるため、一般の有機材料による反射板より耐高温である。
図２は液晶ディスプレイの画素構造１００の正面図であって、そのうちエミッタ電源１２６がデータバス１２７に接続されるものである。

図３は、本発明に使用される反射板のでこぼこ面と周知の散乱式反射板でこぼこ面とを比較するものである。図３ａは周知の散乱式反射板のでこぼこ面であって、その高低落差Ｈが０．５μｍから１．５μｍの間であり、高低周期Ｌが５μｍから２０μｍの間である。図３ｂは本実施例に使用される反射板のでこぼこ面であり、その高低落差Ｈ’が５μｍから５０μｍの間であり、高低周期Ｌ’が２０μｍ以下であって、また、超微小反射板のでこぼこ面の高低落差が比較的小さいため、液晶分子の隙間の変化が減少し、反射光効果を最良の状態に維持できると同時に、拡散角度を更に広く、平均にすることができる。

図４から図８は、液晶ディスプレイの画素構造１００の製造ステップの正面図と断面図である。図４に示すように、ＩＴＯから構成される導電層１０４を基底１０２上に沈積し、そののち、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）から構成される絶縁層１０６を導電層１０４上に沈積する。絶縁層１０６を導電層１０４の上に形成する際、図３ｂに示すように、結晶及び材料そのものの特性により絶縁層１０４の表面にナノレベルのでこぼこ面を形成し、そして、アルミニウム、銀及びアルミニウム合金などの高反射率の金属から構成される反射層１０８を絶縁層１０４上に形成し、反射層１０８と絶縁層１０４のでこぼこ面を共同体にすることで、ナノレベルのでこぼこ面を有し、そののち、反射層１０８、絶縁層１０６及び導電層１０４を腐食することで、ナノレベルのでこぼこ面の電極１１０、電極１１２及び電極１１４を形成する。

図５に示すように、保護層１１６を形成することで、電極１１０、電極１１２及び電極１１４を被覆し、そして、電極１１０の上方に非晶半導体薄膜１１８を形成し、続いて、図６に示すように、電極１１４上方の保護層１１６を腐食して電極１１４を露出させることで、穿孔１２０を形成する。

そして、保護層１１６上に第一金属層を形成し、そののち、第二金属層を部分的に腐食することで、薄膜トランジスター１２２を形成し、図７に示すように、薄膜トランジスター１２２のベース電極は電極１１０であり、部分的に腐食された第二金属層はコレクター電極１２４とエミッタ電極１２６であり、コレクター電極１２４は穿孔１２０を経由して反射板１１４に接続され、エミッタ電極１２６はデータバス１２７に接続される。最後、図８に示すように、第二保護層１２８を沈積することで、薄膜トランジスター１２２を被覆する。図８における透光区１４４と反射板１１２及び反射板１１４から構成される反射区の面積比例は１０％から４００％の間である。

図９から図１３に示すのは、もう一つの横電界方式薄膜トランジスター構造２００の製造ステップであり、その製造法は上述の横電界方式薄膜トランジスター構造１００の製造法と同じであって、その構造の違いは薄膜トランジスター構造２００の反射板２０２及び反射板２０４が湾曲することにあるものである。

図１４に示すのは、画素中の底板のもう一つの実施例である。底板３００は、基底３０２と、基底３０２上に形成される薄膜トランジスター３０４と、基底３０２上に形成される絶縁層３０６と、絶縁層３０６上に形成される反射板３０８及び反射板３１０と、反射板３０８及び反射板３１０を被覆する保護層３１２と、保護層３１２上に形成されて保護層３１２を通り抜けて反射板３１０に連接する金属層３１４と、金属層３１４を被覆するもう一つの保護層３１６とを備える。薄膜トランジスター３０４は、ＰＭＯＳトランジスター（p-type Metal-Oxide-Semiconductor transistor）であり、かつ金属層３１４と薄膜トランジスター３０４のコレクター３０４２である。反射板３０８及び反射板３１０は、ＩＴＯ層３１８及び絶縁層３２０による微散乱層を有する。絶縁層３２０は、ナノレベルのでこぼこ面と、絶縁層３２０上に形成されて絶縁層３２０のでこぼこ面とともに共同体となることで、でこぼこ面を有する反射層３２２とを有する。反射層３２２と薄膜トランジスター３０４のベース３０４４は、同じ一枚の金属である。絶縁層３２０は前述の材質のほかに、非晶シリコンまたは多晶シリコンから構成することも可能である。微散乱層は上述の構造のほかに、晶質層及び絶縁層を高温焼結長晶で処理することで製造することも可能である。本実施例では、薄膜トランジスター３０４のベース３０４４と反射板３０８及び反射板３１０は製造過程が同じではないため、第一実施例に比べて光マスクが一つ多い。

図１５に示すのは、画素中の底板のもう一つの実施例である。底板４００の構造は底板３００と同じように、基底３０２と、薄膜トランジスター３０４と、絶縁層３０６と、反射板３０８及び反射板３１０と、保護層３１２と、金属層３１４と、もう一つの保護層３１６とを備える。違うところは、薄膜トランジスター３０４がＣＭＯＳトランジスター（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor transistor）であるということである。
上述は本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施範囲を制限することがない。本発明の請求範囲により均等な変化と修飾をするのは、本発明の範囲に属するべきである。

本発明の一実施例による横電界方式液晶ディスプレイの画素の模式図である。本発明の一実施例による横電界方式液晶ディスプレイの画素の正面図である。従来の反射板のでこぼこ面を示す模式図である。本発明の一実施例による横電界方式液晶ディスプレイの画素の反射板のでこぼこ面を示す模式図である。本考案の一実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の一実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の一実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の一実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の一実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の他の実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の他の実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の他の実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の他の実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本考案の他の実施例による横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ構造の製造ステップを示す模式図である。本発明の他の実施例による横電界方式液晶ディスプレイの画素の底板を示す模式図である。本発明の他の実施例による横電界方式液晶ディスプレイの画素の底板を示す模式図である。

符号の説明

１００画素構造、１０１偏光膜、１０２基板、１０４導電層、１０６絶縁層、１０８反射層、１１０ベース電極、１１２反射板、１１４反射板、１１６保護層、１１８非晶シリコン半導体薄膜、１２０穿孔、１２２薄膜トランジスター、１２４薄膜トランジスターコレクター電極、１２６薄膜トランジスターエミッタ電極、１２７データバス、１２８保護層、１３０液晶層、１３２液晶分子、１３６黒色マトリックス、１３８カラーレンズ、１４０補償膜、１４２偏光膜、１４４透光区、２００薄膜トランジスター構造、２０２湾曲反射板、２０４湾曲反射板、３００画素の底板、３０２基板、３０４薄膜トランジスター、３０６絶縁層、３０８反射板、３１０反射板、３１２保護層、３１４金属層、３１６保護層、３１８ＩＴＯ層、３２０絶縁層、３２２反射層、４００画素の基板、４２０薄膜トランジスター、３０４２薄膜トランジスター３０４のコレクター、３０４４薄膜トランジスター３０４のベース

Claims

基底の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有し、拡散光源により対比度を増加させ、かつ第一部分及び第二部分を有する第一機構と、
第一部分の上にスイッチング素子を形成する第二機構と、
第二機構及び第二部分の上に形成される液晶層と、
液晶層の上に形成される第三機構と、
を備えることを特徴とする横電界方式液晶ディスプレイ画素。
液晶層は、正型液晶であって、複屈折率を有し、屈折率の最良の範囲が０．０５〜０．１２であることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
液晶層は、負型液晶であって、複屈折率と位相遅延とを有し、屈折率の最良の範囲が０．０５〜０．１４であり、位相遅延の最良の範囲が１５０〜４１０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
でこぼこ面は、高低落差の範囲が５ｎｍから５０ｎｍの間であることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
でこぼこ面は、高低周期の範囲が１０ｎｍから５００ｎｍの間であることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
第一機構の構造は、
基底の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有する微散乱層と、
微散乱層の上に形成され、微散乱層のでこぼこ面とともに共同体となることで、でこぼこ面を有し、かつ高反射率金属から構成される反射層と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
微散乱層は、
基底の上に形成される導電層と、
導電層の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有する絶縁層と、
を有することを特徴とする請求項６に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
導電層は、ＩＴＯまたはＩＺＯから構成されることを特徴とする請求項７に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは窒素酸化シリコンから構成されることを特徴とする請求項７に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
微散乱層は、ナノレベルのでこぼこ面の絶縁層を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項６に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
絶縁層は、非晶シリコン、多晶シリコン、窒化シリコン、酸化シリコンまたは窒素酸化シリコンから構成されることを特徴とする請求項１０に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
微散乱層は、少なくとも一つの晶質層と、ナノレベルのでこぼこ面の絶縁層とを有することを特徴とする請求項６に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
絶縁層は、高温焼結長晶で製造されることを特徴とする請求項１２に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
第二部分は、複数のナノレベルのでこぼこ面の反射板を有することを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
複数の反射板は、湾曲した構造であることを特徴とする請求項１４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
第一部分は、ベース電極であることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
スイッチング素子は、薄膜トランジスターであることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
第三機構は、
カラーレンズと、
カラーレンズと液晶層との間に挟まる拡散膜と、
カラーレンズの上に形成される偏光膜と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
第一機構は、無機薄膜の製造過程により形成されることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
第一機構は、第一面積を有する透光区を有し、第二部分は第二面積を有し、第一面積の第二面積に対する比例は１０％から４００％であることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素。
ナノレベルのでこぼこ面の第一機構を基底の上に形成するステップと、
第一機構を部分的に腐食することで、第一部分及び第二部分を形成するステップと、
第一部分の上にスイッチング素子として第二機構を形成するステップと、
第二機構及び第二部分の上に液晶層を形成するステップと、
液晶層の上に第三機構を形成するステップと、
を含むことを特徴とする横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
第一機構を形成するステップは、
基底の上に微散乱層を形成するステップと、
絶縁層の上に高反射率の反射層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
微散乱層を形成するステップは、
基底の上に導電層を形成するステップと、
導電層の上に絶縁層を沈積することで、ナノレベルのでこぼこ面を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２２に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
導電層を形成するステップは、ＩＴＯまたはＩＺＯにより形成するステップを含むことを特徴とする請求項２３に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
絶縁層を形成するステップは、窒化シリコン、酸化シリコンまたは窒素酸化シリコンから形成するステップを含むことを特徴とする請求項２３に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
微散乱層を形成するステップは、少なくとも一つの晶質層とナノレベルのでこぼこ面の絶縁層とを形成するステップを含むことを特徴とする請求項２２に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
絶縁層を形成するステップは、高温焼結長晶で製造するステップを含むことを特徴とする請求項２６に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
第一部分を形成するステップは、ベース電極を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
第二部分を形成するステップは、複数のナノレベルのでこぼこ面の反射板を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
第二部分を形成するステップは、ナノレベルのでこぼこ面を呈して湾曲する複数の反射板を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
第一機構を形成するステップは、無機薄膜の製造過程により形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
スイッチング素子を形成するステップは、薄膜トランジスターを形成するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
第三機構を形成するステップは、
拡散膜を形成するステップと、
拡散膜の上にカラーレンズを形成するステップと、
カラーレンズの上に偏光膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式薄膜トランジスター液晶ディスプレイ画素の製造過程。
基底と、
基底の上に形成される薄膜トランジスターと、
を有する複数の反射板と、
ナノレベルのでこぼこ面を有する微散乱層と、
微散乱層の上に形成され、微散乱層のでこぼこ面とともに共同体となることで、でこぼこ面を有し、かつ薄膜トランジスターのベースと同じ一枚の金属である反射層と、
複数の反射板を被覆する保護層と、
保護層の上に形成され、保護層を通り抜けて複数の反射板中の一つに連接する金属層と、
を備えることを特徴とする横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
でこぼこ面は、高低落差の範囲が５ｎｍから５０ｎｍの間であることを特徴とする請求項３４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
でこぼこ面は、高低周期の範囲が１０ｎｍから５００ｎｍの間であることを特徴とする請求項３４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
微散乱層は、
導電層と、
導電層の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有する絶縁層と、
を有することを特徴とする請求項３４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
導電層は、ＩＴＯまたはＩＺＯから構成されることを特徴とする請求項３７に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
絶縁層は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは窒素酸化シリコンから構成されることを特徴とする請求項３７に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
微散乱層は、ナノレベルのでこぼこ面の絶縁層を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項３４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
絶縁層は、非晶シリコン、多晶シリコン、窒化シリコン、酸化シリコンまたは窒素酸化シリコンから構成されることを特徴とする請求項４０に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
微散乱層は、少なくとも一つの晶質層とナノレベルのでこぼこ面の絶縁層とを有することを特徴とする請求項３４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
絶縁層は、高温焼結長晶で製造されることを特徴とする請求項４２に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。
第一面積を有する透光区を有し、かつ複数の反射板は第二面積を有し、第一面積の第二面積に対する比例は１０％から４００％であることを特徴とする請求項３４に記載の横電界方式液晶ディスプレイ画素の底板。