JP2004253540A - 磁気結合素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】結合係数が高く、低電圧大電流の要求に応えることができる磁気結合素子を提供することを目的とする。
【解決手段】板状をなす第1の導電体2と第2の導電体3とを備え、これらは絶縁材4を介して重ねられる。第1の導電体2と第2の導電体3の周囲または上下に磁性体を配置する。第1の導電体2および第2の導電体3の対向する1組の辺にはそれぞれ端子2a〜2d、3a〜3dを備え、少なくとも一方の導電体については同じ側の端子の数を複数とする。第1の導電体2と第2の導電体3の同じ側に位置する端子2a〜2d、3a〜3dどうしを交互に隣り合わせて配置する。
【選択図】 図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、比較的高周波で動作する大電流出力のスイッチング電源に使用されるトランスやタップインダクタ等の磁気結合素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、FET等の半導体スイッチング素子の進歩や、ソフトスイッチング等の回路技術の進歩により、スイッチング電源の駆動周波数はますます高周波化されている。このように駆動周波数が高周波化すると、トランスやチョークコイル等に必要とされるインダクタンス値を小さくできる。このため、例えば特許文献1に記載のように、インダクタとして、線状導体を上下の磁性体により挟んだ構造のものも使用可能となる。また、スイッチング電源に含まれる後述のコンバータに用いる磁気結合素子として、前記線状導体を重ねて磁性体で囲んだ構造のものを採用することが考えられる。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−323336号公報。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、特許文献1に記載のインダクタを応用して磁気結合素子を構成した場合、インダクタンス値が小さくなると、漏れインダクタンスの影響が相対的に大きくなる。このため、下記の(1)式に示される結合係数Kが小さくなり、伝送効率が低下するという問題点がある。ただし(1)式において、Mは相互インダクタンス値、l、lはそれぞれ各導電体(コイル)の自己インダクタンス値である。
【0005】
K=M/(l・l1/2 ……(1)
また、近年、事務機器のスイッチング電源においては、省エネルギー化のため、スイッチング電源の出力電圧を例えば1V以下にする低電圧化と大電流化の要望がある。
【0006】
本発明は、上記問題点に鑑み、結合係数が高く、低電圧大電流化の要求に応えることができる磁気結合素子を提供することを目的とする。
【0007】
また、本発明は、スイッチング時のサージ電圧を低下させ、より耐圧の低いスイッチング素子でも使用を可能とする磁気結合素子を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明による磁気結合素子は、板状をなす第1の導電体と第2の導電体とを備え、
前記第1の導電体および前記第2の導電体は絶縁材を介して重ねられると共に、重ね合わされた導電体の周囲または上下に磁性体を配置し、
前記第1の導電体および前記第2の導電体の対向する1組の辺にはそれぞれ端子を有すると共に、第1の導電体と第2の導電体の同じ側に有する端子の数を、少なくとも一方の導電体については複数とし、
前記第1の導電体と前記第2の導電体の同じ側に位置する端子どうしを交互に隣り合わせて配置したことを特徴とする。
【0009】
(2)また、本発明の磁気結合素子は、前記第1の導電体および/または第2の導電体の同じ側の複数の端子を、端子の下端部に設けた連絡部により結線したことを特徴とする。
【0010】
(3)また、本発明の磁気結合素子は、前記第1の導電体および前記第2の導電体のうちの少なくとも一方を複数枚備えたことを特徴とする。
【0011】
(4)また、本発明の磁気結合素子は、前記第1の導電体と前記第2の導電体のうちのいずれか一方の導電体を、絶縁材で被ったことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の磁気結合素子を適用する回路の一例である。この回路は、スイッチング電源用のタップインダクタ方式と呼ばれる降圧形DC−DCコンバータを構成する回路である。このコンバータは、例えばDC12VからDC1V前後の出力電圧を得るものである。図1において、Eは直流電源、S1、S2はMOSFET等でなるスイッチング素子、1はタップインダクタであり、該タップインダクタ1は、互いに電磁結合されるコイルL1とコイルL2とからなる。Cはコンデンサ、Rは負荷である。
【0013】
図2は図1の回路の動作波形図であり、スイッチング素子S1、S2は交互にオンとされる。スイッチング素子S1がオンになると、タップインダクタ1を通してコンデンサCと負荷Rへの電流i1が流れる。スイッチング素子S1がオフとなり、スイッチング素子S2がオンになると、タップインダクタ1に蓄えられたエネルギーにより、コイルL2からコンデンサCと負荷Rへの電流i2が流れる。
【0014】
このタップインダクタ1を用いた回路は、スイッチング素子S1がオンとなる時にはコイルL1、L2を通して電流i1が流れるので、コイルL2のみからなる従来のコンバータに比較し、この電流i1の値は小さくなる。また、コイルL1、L2の巻数比を調整することにより、従来の降圧形コンバータに比較し、大きな時比率で低電圧出力を得ることができる。
【0015】
このように、この回路は、タップインダクタ1が1つの素子で出力フィルタと電圧変換の2つの役割を持つ。また、このタップインダクタを用いた降圧形コンバータは、大きな時比率で低電圧出力を得ることができるので、スイッチング素子S1時のオン時の抵抗による損失が小さくなり、効率が良くなるという利点がある。
【0016】
また、従来の降圧形コンバータでは、スイッチング素子S2には入力電圧がそのままかかるため、比較的耐圧の高いものを用いる必要がある。一方、図1の回路では、スイッチング素子S2には出力電圧に近い電圧がかかるため、低耐圧、低オン抵抗のMOSFETを用いることができるという利点がある。
【0017】
図1のコンバータは、伝送効率を上げるためには、コイルL1、L2間の結合係数Kを大きくし、かつ低電圧大電流の要求に対応するため、電流容量の大きな構成とする必要がある。
【0018】
図3はこのような要求に対応して実現された本発明による磁気結合素子の一実施例(実施例1)の斜視図、図4、図5はそれぞれ図3のX−X断面図、Y−Y断面図である。図3〜図5において、2は第1の導電体、3は第2の導電体である。これらの導電体2、3はいずれも四角形をなし、好ましくは銅、アルミニウム等の導電性の高い金属により構成される。
【0019】
これらの導電体2、3は絶縁材4を介して重ね合わされる。絶縁材4としては、図示のように樹脂製等の絶縁性シートを用いその絶縁材で一方の導電体を被うようにしてもよいが、予め導電体2、3の対向面の少なくとも何れか一方に絶縁材を層状に塗布する等の方法で被うようにしたものでもよい。
【0020】
5a、5bはこれらの第1の導電体2と第2の導電体3とを重ね合わせたものの周囲を覆うように設けた磁性体である。本例においては、下側の磁性体5aをU形コアにより構成し、上側の磁性体5bをI形コアにより構成し、これらを接着する等の方法により組み合わせる。そして両者間に導電体2、3を収容する窓6を形成している。この代わりに、U形−U形コアの組み合わせにしてもよい。また、I形−I形コアの組み合わせにより、コアの両側を接着する等の方法で組み合わせてもよい。また、5a、5bが一体をなして管状をなす構造としてもよい。
【0021】
前記磁性体5a、5bには、金属磁性体粉の圧粉成形体、表面を絶縁処理した金属磁性体、フェライト等を用いることができる。
【0022】
前記第1の導電体2の対向する1組の辺、すなわち磁性体5a、5bの両端より突出した部分には、それぞれ2つの端子2a、2bおよび2c、2dを有する。また、第2の導電体3の対向する1組の辺、すなわち磁性体5a、5bの両端より突出した部分にも、2本ずつの端子3a、3bおよび3c、3dを有する。これらの端子2a〜2d、3a〜3dは、第1の導電体2の端子2a、2b(2c、2d)と、第2の導電体3の端子3a、3b(3c、3d)とが交互に隣り合うように構成される。これらの端子2a〜2d、3a〜3dは、磁性体5aの端面に沿って形成された部分aと、磁性体5aの下面に折り曲げられ、不図示のプリント基板に半田付けされる部分bとからなる(図4参照)。
【0023】
第1の導電体2の同じ側の端子2aと2b、2cと2dは、それぞれ不図示のプリント基板のランドに半田付け等により共通に接続される。第2の導電体3の同じ側の端子3aと3b、3cと3dも、それぞれ不図示のプリント基板のランドに半田付け等により共通に接続される。第1の導電体2および第2の導電体3のいずれか一方が図1のコイルL1を構成し、他方がコイルL2を構成する。
【0024】
このように、この磁気結合素子は、第1の導電体2および第2の導電体3が板状をなして重ね合わされる上、端子2a、2bと3a、3bおよび2c、2dと3c、3dが磁性体5a、5bの端面において交互に隣なり合うので、大きな結合係数が得られ、かつ板状をなすことで大電流を流すことができる。また、結合係数が大きいため、図1のコンバータの磁気結合素子1として使用した場合、漏れ磁束が原因となるスイッチング時のサージ電圧が低くなり、より耐圧の低いスイッチング素子S1を使用することができる。
【0025】
図6は本発明による磁気結合素子の他の実施例(実施例2)を示す斜視図であり、前記磁性体5a、5bを省略して示す。本実施例においては、第1の導電体2の同じ側の端子2aと2b、2cと2dとをそれぞれこれらの端子と一体をなす連絡部2e、2fにより結線している。また、第2の導電体3の同じ側の端子3aと3b、3cと3dともそれぞれ連絡部3e、3fにより結線する。
【0026】
図6の実施例によれば、連絡部2e、2f、3e、3fを設けたため、プリント基板において端子間を接続するためのパターンを設ける必要がなくなり、プリント基板側の導体パターンの設計が容易となる。
【0027】
図7は本発明による磁気結合素子の他の実施例(実施例3)を示す斜視図であり、前記磁性体5a、5bを省略して示す。本実施例は、第2の導電体3の両端にそれぞれ2本ずつ端子3g、3hおよび3i、3jを形成し、第1の導電体2の両端には1本ずつ端子2g、2hを形成し、第1の導電体3の端子3gと3hとの間、および3iと3jとの間にそれぞれ第1の導電体2の端子2g、2hを配置したものである。
【0028】
図8は本発明による磁気結合素子の他の実施例(実施例4)を示す斜視図である。本実施例は、図7の実施例における前記端子3gと3h、3iと3jとをそれぞれ連絡部3k、3mにより結線したものである。本実施例によれば、図6について述べたプリント基板の配線パターンの設計を容易化できるという効果が得られる。
【0029】
図9は本発明の磁気結合素子の他の実施例(実施例5)を示す斜視図であり、前記磁性体5a、5bを省略して示す。本実施例は、第1の導電体2の上下に、第2の導電体30、31を絶縁材4を介して重ね合わせ、導電体30の両端に端子3n、3pを設け、導電体31の両端に端子3q、3rを設ける。また、同じ側の第2の導電体30、31の端子3nと3q、3pと3rとの間に第1の導電体2の端子2g、2hを配置したものである。図9の実施例によれば、より大きな電流に対応することができる。
【0030】
図10は比較例1であり、前記磁性体5a、5bを省略して示す。この比較例1は、第1の導電体2と第2の導電体3とを絶縁材4を介して重ね合わせ、第1の導電体2および第2の導電体3の同じ側にそれぞれ1本ずつの端子2xと3x、2yと3yを設けて隣なり合わせたものである。
【0031】
図11は比較例2であり、前記磁性体5a、5bを省略して示す。この比較例2は、第1の導電体20と第2の導電体32とを絶縁材40を介して横並びに接合し、第1の導電体20および第2の導電体32の同じ側にそれぞれ1本ずつの端子2xと3x、2yと3yを設けて隣り合わせたものである。
【0032】
本発明による結合係数増大の効果を確認するため、1MHzにおけるシミュレーション演算(有限要素法による磁場解析)により前記各実施の形態および比較例の結合係数と、第1の導電体2のインダクタンス値を求めた。この演算においては、磁性体5a、5bにより構成されるコアの長さ(図4における左右の長さ)を11mm、幅(図5における左右の長さ)を12mmとし、厚み(図4、図5の上下方向の寸法)を5mmとし、窓6の上下幅を1mm、磁性体5aの厚みおよび磁性体5bの底板部の厚みを2mmとした。また、磁性体5a、5bの透磁率を30とした。また、図3〜図8および図10の比較例1における第1の導電体2および第2の導電体3の幅を7.6mm、厚みを0.3mmとし、図9の第1の導電体2および第2の導電体30、31の厚みを0.2mmとし、図11の比較例2の第1の導電体20、32の厚みを0.7mmとした。
【0033】
【表1】
Figure 2004253540
【0034】
表1から分かるように、本発明によれば、比較例1、2とほぼ同等のインダクタンス値が得られる。また、本発明の実施例によれば、比較例1、2に比較し、大きな結合係数が得られ、端子部における結合が結合係数の増大に寄与していることが分かる。本発明の磁気結合素子は、0.5MHz以上の駆動周波数で好適に用いられる。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、結合係数の高い磁気結合素子が得られ、伝送効率を上げることができる。また、第1の導電体、第2の導電体が板状をなすので、抵抗値が小さく、大電流に対応が可能である。さらに、漏れインダクタンスが小さいので、スイッチング電源に用いた場合、漏れ磁束のエネルギーが原因となるスイッチング時のサージ電圧が小さくなり、より耐圧の低いスイッチング素子を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による磁気結合素子を適用するスイッチング電源の一例を示す回路図である。
【図2】図1の回路の動作を説明する波形図である。
【図3】本発明による磁気結合素子の一実施例を示す斜視図である。
【図4】図3のX−X断面図である。
【図5】図3のY−Y断面図である。
【図6】本発明による磁気結合素子の他の実施例を磁性体を省略して示す斜視図である。
【図7】本発明による磁気結合素子の他の実施例を磁性体を省略して示す斜視図である。
【図8】本発明による磁気結合素子の他の実施例を示す斜視図である。
【図9】本発明による磁気結合素子の他の実施例を磁性体を省略して示す斜視図である。
【図10】磁気結合素子の比較例を磁性体を省略して示す斜視図である。
【図11】磁気結合素子の比較例を磁性体を省略して示す斜視図である。
【符号の説明】
1:磁気結合素子、2:第1の導電体、2a〜2d、2g、2h:端子、2e、2f:連絡部、3、30、31:第2の導電体、3a〜3d、3g〜3j、3n、3p、3q、3r:端子、3e、3f、3k、3m:連絡部、4:絶縁材、5a、5b:磁性体、6:窓

Claims (4)

  1. 板状をなす第1の導電体と第2の導電体とを備え、
    前記第1の導電体および前記第2の導電体は絶縁材を介して重ねられると共に、重ね合わされた導電体の周囲または上下に磁性体を配置し、
    前記第1の導電体および前記第2の導電体の対向する1組の辺にはそれぞれ端子を有すると共に、第1の導電体と第2の導電体の同じ側に有する端子の数を、少なくとも一方の導電体については複数とし、
    前記第1の導電体と前記第2の導電体の同じ側に位置する端子どうしを交互に隣り合わせて配置したことを特徴とする磁気結合素子。
  2. 請求項1に記載の磁気結合素子において、
    前記第1の導電体および/または第2の導電体の同じ側の複数の端子を、端子の下端部に設けた連絡部により結線したことを特徴とする磁気結合素子。
  3. 請求項1または2に記載の磁気結合素子において、
    前記第1の導電体および前記第2の導電体のうちの少なくとも一方を複数枚備えたことを特徴とする磁気結合素子。
  4. 請求項3の磁気結合素子において、
    前記第1の導電体と前記第2の導電体のうちのいずれか一方の導電体を絶縁材で被ったことを特徴とする磁気結合素子。
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