JP2004253299A - 部材の接合方法及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】2つのパネルを低融点金属を用いて接合する場合、接合の前に酸化膜の除去工程を設けなくても、2つのパネルを確実に接合できるようにする。
【解決手段】表示装置の製造方法として、第1のパネル1に低融点金属からなる枠型のシール材21を設ける工程と、シール材21を第1のパネル1と第2のパネル2とで挟み込むとともに、そのシール材21を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、第1のパネル1と第2のパネル2とを接合する工程とを有する。
【選択図】 図4
【解決手段】表示装置の製造方法として、第1のパネル1に低融点金属からなる枠型のシール材21を設ける工程と、シール材21を第1のパネル1と第2のパネル2とで挟み込むとともに、そのシール材21を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、第1のパネル1と第2のパネル2とを接合する工程とを有する。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、2つの部材を接合する部材の接合方法に係り、特に、表示装置の製造方法において2つのパネルを接合する際に用いて好適な方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、表示装置の分野では、2つの部材を対向状態に配置するとともに、それら2つの部材間の空間を気密に封止したものが用いられている。たとえば通常の陰極線管では、ファンネル部材とパネル部材が対向して配置され気密状態にされる。また平面型表示装置の分野ではこれらの部材として2つのパネルを対向状態に配置するとともに、それら2つのパネル間の空間を気密に封止した表示パネルが用いられている。この表示パネルは、2つのパネルを接合材料を用いて接合することにより得られる。この空間は、表示装置の種類により所定の状態に保たれる。たとえば、プラズマディスプレイのように放電を利用する表示装置では空間にキセノン等の気体が所定の圧力で封入される。液晶ディスプレイのような表示装置では空間に液体が封入される。また、加速された電子を利用する表示装置では内部が排気され真空とされる。2つのパネル間の空間を規定する要素は、2つのパネルの形状、2つのパネル間に介在する接合材料層、2つのパネルを所定の離間距離で保持する場合に必要とされるスペーサ部材等である。スペーサ部材は、通常、剛性材料で構成されているため、空間の気密度の維持の良否を決定付ける要素は、実質的に接合材料層となる。
【0003】
このような表示パネルを備える表示装置の具体例として、平面型表示装置の一つである電界放出型表示装置(FED;Field Emission Display)を挙げることができる。この電界放出型表示装置(以下、FEDと略称)は、加速された電子を利用する表示装置の一例であり、パネル間の空間は真空となっている。基板上に蛍光体層やアノード電極が形成されたアノードパネルと、基板上にカソード電極や電子放出部が形成されたカソードパネルとを対向状態に配置し、それらのパネル間を真空空間としたパネル構造を有する。
【0004】
FEDの表示パネルでは、アノードパネルとカソードパネルといった2つのパネルを接合する接合材料として、フリットガラスが広く用いられている。フリットガラスは、ガラス微粒子を有機バインダ中に分散させた高粘度のペースト状材料であり、所定のパターンに塗布した後、焼成によって有機バインダを除去することにより、固体状の接合材料層となる。このフリットガラスを用いてパネル同士を接合する場合は、400〜600℃といった高温環境が必要となる。したがって、パネルに使える材料は、パネル接合時の高温環境に耐え得るものでなければならない。また、パネル材料としてガラスを用いる場合は、急激な加熱、冷却を行うことができない。そのため、パネル接合のプロセスに時間がかかり、生産性が悪化してしまう。
【0005】
そこで従来においては、2つのパネルを接合する接合材料として低融点金属を用いる方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法によれば、パネル接合時の加熱温度を、フリットガラスを用いた場合よりも低く抑えることができるため、パネル材料の選択肢が増えるとともに、パネル接合のプロセス時間を短縮することができる。
【0006】
本明細書中において、「低融点」の語が意味する温度範囲は、概ね400℃以下である。一般的なフリットガラスの軟化温度は600℃前後、焼成温度は450゜C前後であるから、低融点金属材料の融点はこれらの温度よりも更に低い。融点の下限は、特に限定されるものではない。ただし、余り低すぎると、接着を行うための加熱時に接着層の表面に吸着した水分を除去することができないので、概ね120℃以上であることが好ましい。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−311641号公報(請求項1、段落0067,0072、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、2つのパネルを低融点金属を用いて接合する場合は、低融点金属の表面に形成される自然酸化膜や、接合時の加熱に伴う低融点金属自体の酸化により、低融点金属の濡れ性が著しく悪化し、パネル同士を接合できなくなるという難点があった。そのため、パネル接合の前に酸化膜を除去する専用の工程(以下、酸化膜の除去工程)を設ける必要があった。また、この改善策の一つとして、フラックスを用いることも考えられるが、その場合は、接合後の表示パネルにフラックスが残留する問題や、この残留フラックスを除去するための洗浄プロセスを追加する必要があり、得策とは言えなかった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る部材の接合方法は、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合するとともに、当該低融点金属を用いた部材の接合を還元性雰囲気中で行うものである。
【0010】
この部材の接合方法においては、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合する際に、この部材の接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴う低融点金属自体の酸化が防止される。
【0011】
本発明の請求項2に係る表示装置の製造方法は、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合するとともに、当該低融点金属を用いたパネルの接合を還元性雰囲気中で行うものである。
【0012】
この表示装置の製造方法においては、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合する際に、そのパネルの接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴う低融点金属自体の酸化が防止される。
【0013】
本発明の請求項3に係る表示装置の製造方法は、第1のパネル及び第2のパネルの少なくとも一方に、低融点金属からなる枠型のシール材を設ける工程と、シール材を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込むとともに、シール材を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、第1のパネルと第2のパネルとを接合する工程とを有するものである。
【0014】
この表示装置の製造方法においては、低融点金属からなる枠型のシール材を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込んだ状態で、そのシール材を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール材表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴うシール材自体の酸化が防止される。
【0015】
本発明の請求項4に係る表示装置の製造方法は、第1のパネル及び第2のパネルのいずれか一方に、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を配置する工程と、シール層が形成された枠体を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込むとともに、シール層を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、第1のパネルと第2のパネルとを接合する工程とを有するものである。
【0016】
この表示装置の製造方法においては、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込んだ状態で、そのシール層を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール層表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴うシール層自体の酸化が防止される。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0018】
図1は本発明の方法が適用される表示装置の一例として、FEDのパネル構造を示す断面図であり、図2はその斜視図である。図1及び図2においては、平板状のカソードパネル(カソード基板)1と、同じく平板状のアノードパネル(アノード基板)2とを所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それら2つのパネル1,2の間に枠体3を介装して一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体(表示パネル)が構成されている。
【0019】
カソードパネル1上には複数の電子放出素子が形成されている。これら複数の電子放出素子は、カソードパネル1の有効領域(実際に表示部分として機能する領域)に2次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出素子は、カソードパネル1のベースとなる絶縁性の支持基板(例えば、ガラス基板)4と、この支持基板4上に積層状態で順に形成されたカソード電極5、絶縁層6及びゲート電極7と、ゲート電極7及び絶縁層6に形成されたゲートホール8と、このゲートホール8の底部に形成された電子放出部9とによって構成されている。
【0020】
カソード電極5は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極7は、各々のカソードラインと交差(直交)する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲートホール8は、ゲート電極7に形成された第1の開口部8Aと、この第1の開口部8Aに連通する状態で絶縁層6に形成された第2の開口部8Bとから構成されている。電子放出部9は、主としてエミッタ材料とバインダ材料(マトリックス)とを含むエミッタ層10によって形成されている。エミッタ層10の表面にはエミッタ材料となる複数のカーボンナノチューブ11が配置されている。
【0021】
一方、アノードパネル2は、ベースとなる透明基板12と、この透明基板12上に形成された蛍光体層13及びブラックマトリックス14と、これら蛍光体層13及びブラックマトリックス14を覆う状態で透明基板12上に形成されたアノード電極15とを備えて構成されている。蛍光体層13は、赤色発光用の蛍光体層13Rと、緑色発光用の蛍光体層13Gと、青色発光用の蛍光体層13Bとから構成されている。ブラックマトリックス14は、各色発光用の蛍光体層13R,13G,13Bの間に形成されている。アノード電極15は、カソードパネル1の電子放出素子と対向するように、アノードパネル2の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【0022】
これらのカソードパネル1とアノードパネル2とは、それぞれの外周部(周縁部)で枠体3を介して接合されている。また、カソードパネル1の無効領域(有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域)には真空排気用の貫通孔16が設けられている。貫通孔16には、真空排気後に封じ切られるチップ管17が接続されている。ただし、図1は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管17は既に封じ切られた状態となっている。また、図1及び図2においては、各々のパネル1,2間のギャップ部分に介装される耐圧用の支持体(スペーサ)の表示を省略している。
【0023】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極5に相対的な負電圧がカソード電極制御回路18から印加され、ゲート電極7には相対的な正電圧がゲート電極制御回路19から印加され、アノード電極15にはゲート電極7よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路20から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、例えば、カソード電極5にカソード電極制御回路18から走査信号を入力し、ゲート電極7にゲート電極制御回路19からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電極5にカソード電極制御回路18からビデオ信号を入力し、ゲート電極7にゲート電極制御回路19から走査信号を入力する。
【0024】
これにより、カソード電極5とゲート電極7との間に電圧が印加され、これによって電子放出部9の先鋭部(カーボンナノチューブ11の先端部)に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出部9から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極15に引き付けられてアノードパネル2側に移動し、透明基板12上の蛍光体層13(13R,13G,13B)に衝突する。その結果、蛍光体層13が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【0025】
続いて、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。ここで記述する表示装置の製造方法は、カソードパネル1とアノードパネル2といった2つのパネルを低融点金属を用いて接合する際に適用されるものである。
【0026】
パネル接合に使用可能な低融点金属としては、各種のはんだ材料、例えばSn−Zn系はんだ(融点190〜250℃)、Sn−Cu系はんだ(融点220〜370℃)、Sn−Ag−Cu系はんだ(融点210〜380℃)を例示することができる。また、これらの低融点金属(はんだ材料)に対し、添加剤として、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Fe(鉄)、Al(アルミニウム)、As(砒素)、Cd(カドニウム)、Pb(鉛)等を加えることも可能である。
【0027】
さらに、パネル接合に使用可能な低融点金属として、In(インジウム:融点157℃);インジウム−金系の低融点合金;Sn80Ag20(融点220〜370℃)、Sn95Cu5(融点227〜370℃)等の錫(Sn)系はんだ;Pb97.5Ag2.5(融点304℃)、Pb94.5Ag5.5(融点304〜365℃)、Pb97.5Ag1.5Sn1.0(融点309℃)等の鉛(Pb)系はんだ;Zn95Al5(融点380℃)等の亜鉛(Zn)系高温はんだ;Sn5Pb95(融点300〜314℃)、Sn2Pb98(融点316〜322℃)等の錫−鉛系はんだ;Au88Ga12(融点381℃)等のろう材(以上の添字は全て原子%を表す)を例示することができる。
【0028】
[第1実施形態]
先ず、図3に示すように、カソードパネル1の一面(電子放出部が形成されている面)に低融点金属からなる枠型のシール材21を設ける。シール材21は、予め枠型に成形されたものをカソードパネル1上に位置合わせして供給配置するか、ペースト状にした低融点金属をディスペンサ法、スクリーン印刷法等によりカソードパネル1上に枠型に塗布して乾燥させることにより設ける。このシール材21は、上述した有効領域を取り囲む状態で、カソードパネル1の周縁部に配置される。また、枠型のシール材21は、例えば、低融点金属を溶かして、枠型の細長い溝を有する型枠に流し込んだ後、冷却によって低融点金属を固化させることにより成形する。このシール材21は、アノードパネル2側に設けてもよいし、カソードパネル1のアノードパネル2の両方に設けてもよい。
【0029】
また、カソードパネル1には、シール材21の外側に位置するように柱状のスペーサ22を複数(図例では4つ)設ける。このスペーサ22は、カソードパネル1とアノードパネル2との間に所定の間隙を確保するためのもので、例えばセラミックス、ガラス等で構成される。スペーサ22の厚み寸法(高さ寸法)は、シール材21の厚み寸法よりも小さく設定されている。このスペーサ22に関しては、カソードパネル1上に配置した後に耐熱性の接着剤で固定することもできる。また、図3においては、カソードパネル1のコーナー部に柱状のスペーサ22を1つずつ配置しているが、スペーサの形状、個数、配置は任意に変更可能である。
【0030】
このようにカソードパネル1上にシール材21とスペーサ22とを設けたら、その後、カソードパネル1とアノードパネル2とを対向状態に配置し、この状態から図中矢印で示すようにアノードパネル2をカソードパネル1側に接近させる。そうすると、各々のパネル周縁部で、図4(A)に示すように、カソードパネル1とアノードパネル2との間にシール材21が挟み込まれた状態となる。この場合、低融点金属からなるシール材21が導電性を有し、このシール材21がカソードパネル1とアノードパネル2の両方に接触することになる。これに対して、カソードパネル1とアノードパネル2には、それぞれ表示制御のための電極(ゲート電極、アノード電極等)23,24が形成されているため、この電極23,24とシール材21との電気的な接続(導通)を回避する目的(絶縁目的)で、各々のパネル表面に電極23,24を覆うように絶縁層25,26が形成され、この絶縁層25,26にシール材21が接触するようになっている。絶縁層25,26は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で成膜されるSiO2の薄膜層や、フリットガラスなどの絶縁材料を用いて形成することができる。
【0031】
このようにカソードパネル1とアノードパネル2との間に、シール材21とスペーサ22を介装した状態で、低融点金属の融点以上の温度にシール材21を加熱すると、図4(B)に示すように、低融点金属からなるシール材21が加熱により軟化して押し潰されるため、カソードパネル1とアノードパネル2の両方にスペーサ22が接触した状態(換言すると、カソードパネル1とアノードパネル2にスペーサ22が挟み込まれた状態)となる。したがって、2つのパネル1,2の間の空間がスペーサ22によって規定される。このとき、低融点金属を用いたパネル接合(加熱処理)を還元性雰囲気中で行うものとする。すなわち、枠型のシール材21をカソードパネル1とアノードパネル2とで挟み込むとともに、シール材22を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度の加熱することにより、カソードパネル1とアノードパネル2とを接合する。還元性雰囲気とは、金属酸化物を還元する組成のガス(以下、還元ガス)で満たされている気体雰囲気をいう。還元ガスとしては、水素ガス、一酸化炭素等を例示することができる。
【0032】
還元性雰囲気中でパネル接合(加熱処理)を行う際には、市販の還元炉を用いることができる。その場合は、先ず、還元炉の炉内を10Torr程度まで真空引きし、酸素濃度を下げる。その後、例えば還元ガスとして水素ガスを炉内に導入する。還元ガスとしては、100%純水素ガスのほか、この純水素ガスに不活性ガスを混合したガスであってもよい。その後、炉内が還元ガスで充満し、大気圧に戻ったら、その段階で加熱処理を開始する。この加熱処理を行うときの炉内の雰囲気は、大気圧であっても、大気圧より低い減圧雰囲気であっても、大気圧より高い加圧雰囲気であってもかまわない。ただし、必要に応じて、加熱処理中に連続的又は断続的に還元ガスを炉内に供給し、内部を換気することが望ましい。また、加熱処理に適用される温度プロファイルに関しては、例えば低融点金属としてSn−Zn系のはんだを用いた場合は、これを250℃まで加熱すればよいため、先ず、10℃/分の温度勾配で常温から250℃まで昇温し、次いで、250℃のままで10分間保持し、その後、10℃/分の温度勾配で常温に戻すといった温度プロファイルを採用することができる。
【0033】
このように還元性雰囲気中でシール材21を加熱、溶融して2つのパネル1,2を接合することにより、シール材(低融点金属)21の表面に形成された自然酸化膜(金属酸化膜)が還元性雰囲気中の還元ガスの還元作用によって除去されるとともに、加熱によるシール材21自体の酸化が還元性雰囲気中の還元ガスによって防止される。そのため、パネル接合の前に酸化膜の除去工程を設けなくても、カソードパネル1とアノードパネル2とを、低融点金属からなるシール材21を用いて確実に接合することができる。したがって、カソードパネル1、アノードパネル2及びシール材21により囲まれた空間の気密性を高めることができる。その結果、パネル接合後に、カソードパネル1、アノードパネル2及びシール材21により囲まれた空間を排気して真空状態としたときに、この真空空間の真空度を長期にわたり高い信頼性をもって維持することが可能となる。
【0034】
[第2実施形態]
先ず、図5に示すように、カソードパネル1の一面(電子放出部が形成されている面)に枠体27を配置する。枠体27は、ガラス、セラミックス等で構成されるもので、パネル間に形成される空間を囲んで封止するシール機能と、パネル間に所定の間隙を確保するスペーサ機能を果たす。また、枠体27は、パネル外形サイズよりも若干小さい外形サイズで平面視長方形に形成されたもので、カソードパネル1上ではパネル周縁部に沿って配置される。枠体27の両面には低融点金属からなるシール層28,29が予め形成されている。このシール層28,29は、例えばディスペンサ法、スクリーン印刷法等によって形成することができる。なお、ここではカソードパネル1に枠体27を配置するとしたが、カソードパネル1に代えてアノードパネル2に枠体27を配置してもよい。
【0035】
続いて、カソードパネル1とアノードパネル2とを対向状態に配置し、この状態からアノードパネル2をカソードパネル1側に接近させる。そうすると、各々のパネル周縁部で、図6に示すように、カソードパネル1とアノードパネル2との間に枠体27が挟み込まれた状態となる。この場合、低融点金属からなるシール層28,29が枠体27の両面に形成され、各々のシール層28,29がカソードパネル1とアノードパネル2に接触することになる。これに対して、カソードパネル1とアノードパネル2には、それぞれ表示制御のための電極(ゲート電極、アノード電極等)23,24が形成されているため、この電極23,24とシール層28,29との電気的な接続(導通)を回避する目的(絶縁目的)で、各々のパネル表面に電極23,24を覆うように絶縁層25,26が形成され、この絶縁層25,26にシール層28,29が接触するようになっている。絶縁層25,26の形成手法については前述したとおりである。
【0036】
このようにカソードパネル1とアノードパネル2とによって枠体27を挟み込んだ状態で、低融点金属の融点以上の温度にシール層28,29を加熱すると、シール層28,29を構成している低融点金属が軟化して押し潰される。そのため、2つのパネル1,2の間の空間が枠体27によってほぼ規定される。このとき、低融点金属を用いたパネル接合(加熱処理)を、上記第1実施形態と同様に還元性雰囲気中で行うものとする。すなわち、シール層28,29が形成された枠体27をカソードパネル1とアノードパネル2とで挟み込むとともに、シール層28,29を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、カソードパネル1とアノードパネル2とを接合する。
【0037】
このように還元性雰囲気中でシール層28,29を加熱、溶融して2つのパネル1,2を接合することにより、シール層(低融点金属)28,29の表面に形成された自然酸化膜(金属酸化膜)が還元性雰囲気中の還元ガスの還元作用によって除去されるとともに、加熱によるシール層28,29自体の酸化が還元性雰囲気中の還元ガスによって防止される。そのため、パネル接合の前に酸化膜の除去工程を設けなくても、カソードパネル1とアノードパネル2とを、低融点金属からなるシール層28,29が両面に形成された枠体27を用いて確実に接合することができる。したがって、カソードパネル1、アノードパネル2及び枠体27により囲まれた空間の気密性を高めることができる。その結果、パネル接合後に、カソードパネル1、アノードパネル2及び枠体27により囲まれた空間を排気して真空状態としたときに、この真空空間の真空度を長期にわたり高い信頼性をもって維持することが可能となる。
【0038】
なお、上記第2実施形態においては、予め両面にシール層28,29が形成された枠体27をカソードパネル1(又はアノードパネル2)に配置するとしたが、これ以外にも、例えば、カソードパネル1とアノードパネル2の両方にそれぞれ枠体27の形状、サイズ、取付位置に対応した枠型のシール層を形成しておき、このシール層に接触する状態で枠体27をカソードパネル1とアノードパネル2とで挟み込み、還元性雰囲気中でシール層を加熱するようにしてもよい。
【0039】
また、上記第1,第2実施形態においては、FEDの製造方法に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイ等の平面型表示装置、ファンネル部材とパネル部材を有する陰極線管など、FED以外の表示装置の製造方法にも適用可能である。
【0040】
また、本発明は、表示装置の製造方法に限らず、低融点金属を用いて接合可能な部材(例えば、ガラス製の部材、金属製の部材、セラミックス製の部材など)であれば、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合する接合方法として広く適用可能である。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の請求項1に係る部材の接合方法によれば、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合する場合に、その部材の接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴う低融点金属自体の酸化を防止することができる。これにより、第1の部材と第2の部材とを低融点金属で確実に接合することが可能となる。
【0042】
また、本発明の請求項2に係る表示装置の製造方法によれば、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合する場合に、そのパネルの接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴う低融点金属自体の酸化を防止することができる。これにより、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属で確実に接合することが可能となる。
【0043】
また、本発明の請求項3に係る表示装置の製造方法によれば、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなる枠型のシール材を用いて接合する場合に、そのシール材を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール材表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴うシール材自体の酸化を防止することができる。これにより、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなる枠型のシール材で確実に接合することが可能となる。
【0044】
また、本発明の請求項4に係る表示装置の製造方法によれば、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を用いて接合する場合に、そのシール層を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール層表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴うシール層自体の酸化を防止することができる。これにより、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体で確実に接合することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法が適用される表示装置の一例として、FEDのパネル構造を示す断面図である。
【図2】本発明の方法が適用される表示装置の一例として、FEDのパネル構造を示す斜視図である。
【図3】本発明の第1実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その1)である。
【図4】本発明の第1実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その2)である。
【図5】本発明の第2実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その1)である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その2)である。
【符号の説明】
1…カソードパネル、2…アノードパネル、21…シール材、27…枠体、28,29…シール層
【発明の属する技術分野】
本発明は、2つの部材を接合する部材の接合方法に係り、特に、表示装置の製造方法において2つのパネルを接合する際に用いて好適な方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、表示装置の分野では、2つの部材を対向状態に配置するとともに、それら2つの部材間の空間を気密に封止したものが用いられている。たとえば通常の陰極線管では、ファンネル部材とパネル部材が対向して配置され気密状態にされる。また平面型表示装置の分野ではこれらの部材として2つのパネルを対向状態に配置するとともに、それら2つのパネル間の空間を気密に封止した表示パネルが用いられている。この表示パネルは、2つのパネルを接合材料を用いて接合することにより得られる。この空間は、表示装置の種類により所定の状態に保たれる。たとえば、プラズマディスプレイのように放電を利用する表示装置では空間にキセノン等の気体が所定の圧力で封入される。液晶ディスプレイのような表示装置では空間に液体が封入される。また、加速された電子を利用する表示装置では内部が排気され真空とされる。2つのパネル間の空間を規定する要素は、2つのパネルの形状、2つのパネル間に介在する接合材料層、2つのパネルを所定の離間距離で保持する場合に必要とされるスペーサ部材等である。スペーサ部材は、通常、剛性材料で構成されているため、空間の気密度の維持の良否を決定付ける要素は、実質的に接合材料層となる。
【0003】
このような表示パネルを備える表示装置の具体例として、平面型表示装置の一つである電界放出型表示装置(FED;Field Emission Display)を挙げることができる。この電界放出型表示装置(以下、FEDと略称)は、加速された電子を利用する表示装置の一例であり、パネル間の空間は真空となっている。基板上に蛍光体層やアノード電極が形成されたアノードパネルと、基板上にカソード電極や電子放出部が形成されたカソードパネルとを対向状態に配置し、それらのパネル間を真空空間としたパネル構造を有する。
【0004】
FEDの表示パネルでは、アノードパネルとカソードパネルといった2つのパネルを接合する接合材料として、フリットガラスが広く用いられている。フリットガラスは、ガラス微粒子を有機バインダ中に分散させた高粘度のペースト状材料であり、所定のパターンに塗布した後、焼成によって有機バインダを除去することにより、固体状の接合材料層となる。このフリットガラスを用いてパネル同士を接合する場合は、400〜600℃といった高温環境が必要となる。したがって、パネルに使える材料は、パネル接合時の高温環境に耐え得るものでなければならない。また、パネル材料としてガラスを用いる場合は、急激な加熱、冷却を行うことができない。そのため、パネル接合のプロセスに時間がかかり、生産性が悪化してしまう。
【0005】
そこで従来においては、2つのパネルを接合する接合材料として低融点金属を用いる方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法によれば、パネル接合時の加熱温度を、フリットガラスを用いた場合よりも低く抑えることができるため、パネル材料の選択肢が増えるとともに、パネル接合のプロセス時間を短縮することができる。
【0006】
本明細書中において、「低融点」の語が意味する温度範囲は、概ね400℃以下である。一般的なフリットガラスの軟化温度は600℃前後、焼成温度は450゜C前後であるから、低融点金属材料の融点はこれらの温度よりも更に低い。融点の下限は、特に限定されるものではない。ただし、余り低すぎると、接着を行うための加熱時に接着層の表面に吸着した水分を除去することができないので、概ね120℃以上であることが好ましい。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−311641号公報(請求項1、段落0067,0072、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、2つのパネルを低融点金属を用いて接合する場合は、低融点金属の表面に形成される自然酸化膜や、接合時の加熱に伴う低融点金属自体の酸化により、低融点金属の濡れ性が著しく悪化し、パネル同士を接合できなくなるという難点があった。そのため、パネル接合の前に酸化膜を除去する専用の工程(以下、酸化膜の除去工程)を設ける必要があった。また、この改善策の一つとして、フラックスを用いることも考えられるが、その場合は、接合後の表示パネルにフラックスが残留する問題や、この残留フラックスを除去するための洗浄プロセスを追加する必要があり、得策とは言えなかった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る部材の接合方法は、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合するとともに、当該低融点金属を用いた部材の接合を還元性雰囲気中で行うものである。
【0010】
この部材の接合方法においては、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合する際に、この部材の接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴う低融点金属自体の酸化が防止される。
【0011】
本発明の請求項2に係る表示装置の製造方法は、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合するとともに、当該低融点金属を用いたパネルの接合を還元性雰囲気中で行うものである。
【0012】
この表示装置の製造方法においては、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合する際に、そのパネルの接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴う低融点金属自体の酸化が防止される。
【0013】
本発明の請求項3に係る表示装置の製造方法は、第1のパネル及び第2のパネルの少なくとも一方に、低融点金属からなる枠型のシール材を設ける工程と、シール材を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込むとともに、シール材を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、第1のパネルと第2のパネルとを接合する工程とを有するものである。
【0014】
この表示装置の製造方法においては、低融点金属からなる枠型のシール材を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込んだ状態で、そのシール材を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール材表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴うシール材自体の酸化が防止される。
【0015】
本発明の請求項4に係る表示装置の製造方法は、第1のパネル及び第2のパネルのいずれか一方に、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を配置する工程と、シール層が形成された枠体を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込むとともに、シール層を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、第1のパネルと第2のパネルとを接合する工程とを有するものである。
【0016】
この表示装置の製造方法においては、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を第1のパネルと第2のパネルとで挟み込んだ状態で、そのシール層を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール層表面の自然酸化膜が還元作用によって除去されるとともに、加熱に伴うシール層自体の酸化が防止される。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0018】
図1は本発明の方法が適用される表示装置の一例として、FEDのパネル構造を示す断面図であり、図2はその斜視図である。図1及び図2においては、平板状のカソードパネル(カソード基板)1と、同じく平板状のアノードパネル(アノード基板)2とを所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それら2つのパネル1,2の間に枠体3を介装して一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体(表示パネル)が構成されている。
【0019】
カソードパネル1上には複数の電子放出素子が形成されている。これら複数の電子放出素子は、カソードパネル1の有効領域(実際に表示部分として機能する領域)に2次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出素子は、カソードパネル1のベースとなる絶縁性の支持基板(例えば、ガラス基板)4と、この支持基板4上に積層状態で順に形成されたカソード電極5、絶縁層6及びゲート電極7と、ゲート電極7及び絶縁層6に形成されたゲートホール8と、このゲートホール8の底部に形成された電子放出部9とによって構成されている。
【0020】
カソード電極5は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極7は、各々のカソードラインと交差(直交)する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲートホール8は、ゲート電極7に形成された第1の開口部8Aと、この第1の開口部8Aに連通する状態で絶縁層6に形成された第2の開口部8Bとから構成されている。電子放出部9は、主としてエミッタ材料とバインダ材料(マトリックス)とを含むエミッタ層10によって形成されている。エミッタ層10の表面にはエミッタ材料となる複数のカーボンナノチューブ11が配置されている。
【0021】
一方、アノードパネル2は、ベースとなる透明基板12と、この透明基板12上に形成された蛍光体層13及びブラックマトリックス14と、これら蛍光体層13及びブラックマトリックス14を覆う状態で透明基板12上に形成されたアノード電極15とを備えて構成されている。蛍光体層13は、赤色発光用の蛍光体層13Rと、緑色発光用の蛍光体層13Gと、青色発光用の蛍光体層13Bとから構成されている。ブラックマトリックス14は、各色発光用の蛍光体層13R,13G,13Bの間に形成されている。アノード電極15は、カソードパネル1の電子放出素子と対向するように、アノードパネル2の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【0022】
これらのカソードパネル1とアノードパネル2とは、それぞれの外周部(周縁部)で枠体3を介して接合されている。また、カソードパネル1の無効領域(有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域)には真空排気用の貫通孔16が設けられている。貫通孔16には、真空排気後に封じ切られるチップ管17が接続されている。ただし、図1は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管17は既に封じ切られた状態となっている。また、図1及び図2においては、各々のパネル1,2間のギャップ部分に介装される耐圧用の支持体(スペーサ)の表示を省略している。
【0023】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極5に相対的な負電圧がカソード電極制御回路18から印加され、ゲート電極7には相対的な正電圧がゲート電極制御回路19から印加され、アノード電極15にはゲート電極7よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路20から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、例えば、カソード電極5にカソード電極制御回路18から走査信号を入力し、ゲート電極7にゲート電極制御回路19からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電極5にカソード電極制御回路18からビデオ信号を入力し、ゲート電極7にゲート電極制御回路19から走査信号を入力する。
【0024】
これにより、カソード電極5とゲート電極7との間に電圧が印加され、これによって電子放出部9の先鋭部(カーボンナノチューブ11の先端部)に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出部9から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極15に引き付けられてアノードパネル2側に移動し、透明基板12上の蛍光体層13(13R,13G,13B)に衝突する。その結果、蛍光体層13が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【0025】
続いて、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。ここで記述する表示装置の製造方法は、カソードパネル1とアノードパネル2といった2つのパネルを低融点金属を用いて接合する際に適用されるものである。
【0026】
パネル接合に使用可能な低融点金属としては、各種のはんだ材料、例えばSn−Zn系はんだ(融点190〜250℃)、Sn−Cu系はんだ(融点220〜370℃)、Sn−Ag−Cu系はんだ(融点210〜380℃)を例示することができる。また、これらの低融点金属(はんだ材料)に対し、添加剤として、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、Fe(鉄)、Al(アルミニウム)、As(砒素)、Cd(カドニウム)、Pb(鉛)等を加えることも可能である。
【0027】
さらに、パネル接合に使用可能な低融点金属として、In(インジウム:融点157℃);インジウム−金系の低融点合金;Sn80Ag20(融点220〜370℃)、Sn95Cu5(融点227〜370℃)等の錫(Sn)系はんだ;Pb97.5Ag2.5(融点304℃)、Pb94.5Ag5.5(融点304〜365℃)、Pb97.5Ag1.5Sn1.0(融点309℃)等の鉛(Pb)系はんだ;Zn95Al5(融点380℃)等の亜鉛(Zn)系高温はんだ;Sn5Pb95(融点300〜314℃)、Sn2Pb98(融点316〜322℃)等の錫−鉛系はんだ;Au88Ga12(融点381℃)等のろう材(以上の添字は全て原子%を表す)を例示することができる。
【0028】
[第1実施形態]
先ず、図3に示すように、カソードパネル1の一面(電子放出部が形成されている面)に低融点金属からなる枠型のシール材21を設ける。シール材21は、予め枠型に成形されたものをカソードパネル1上に位置合わせして供給配置するか、ペースト状にした低融点金属をディスペンサ法、スクリーン印刷法等によりカソードパネル1上に枠型に塗布して乾燥させることにより設ける。このシール材21は、上述した有効領域を取り囲む状態で、カソードパネル1の周縁部に配置される。また、枠型のシール材21は、例えば、低融点金属を溶かして、枠型の細長い溝を有する型枠に流し込んだ後、冷却によって低融点金属を固化させることにより成形する。このシール材21は、アノードパネル2側に設けてもよいし、カソードパネル1のアノードパネル2の両方に設けてもよい。
【0029】
また、カソードパネル1には、シール材21の外側に位置するように柱状のスペーサ22を複数(図例では4つ)設ける。このスペーサ22は、カソードパネル1とアノードパネル2との間に所定の間隙を確保するためのもので、例えばセラミックス、ガラス等で構成される。スペーサ22の厚み寸法(高さ寸法)は、シール材21の厚み寸法よりも小さく設定されている。このスペーサ22に関しては、カソードパネル1上に配置した後に耐熱性の接着剤で固定することもできる。また、図3においては、カソードパネル1のコーナー部に柱状のスペーサ22を1つずつ配置しているが、スペーサの形状、個数、配置は任意に変更可能である。
【0030】
このようにカソードパネル1上にシール材21とスペーサ22とを設けたら、その後、カソードパネル1とアノードパネル2とを対向状態に配置し、この状態から図中矢印で示すようにアノードパネル2をカソードパネル1側に接近させる。そうすると、各々のパネル周縁部で、図4(A)に示すように、カソードパネル1とアノードパネル2との間にシール材21が挟み込まれた状態となる。この場合、低融点金属からなるシール材21が導電性を有し、このシール材21がカソードパネル1とアノードパネル2の両方に接触することになる。これに対して、カソードパネル1とアノードパネル2には、それぞれ表示制御のための電極(ゲート電極、アノード電極等)23,24が形成されているため、この電極23,24とシール材21との電気的な接続(導通)を回避する目的(絶縁目的)で、各々のパネル表面に電極23,24を覆うように絶縁層25,26が形成され、この絶縁層25,26にシール材21が接触するようになっている。絶縁層25,26は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で成膜されるSiO2の薄膜層や、フリットガラスなどの絶縁材料を用いて形成することができる。
【0031】
このようにカソードパネル1とアノードパネル2との間に、シール材21とスペーサ22を介装した状態で、低融点金属の融点以上の温度にシール材21を加熱すると、図4(B)に示すように、低融点金属からなるシール材21が加熱により軟化して押し潰されるため、カソードパネル1とアノードパネル2の両方にスペーサ22が接触した状態(換言すると、カソードパネル1とアノードパネル2にスペーサ22が挟み込まれた状態)となる。したがって、2つのパネル1,2の間の空間がスペーサ22によって規定される。このとき、低融点金属を用いたパネル接合(加熱処理)を還元性雰囲気中で行うものとする。すなわち、枠型のシール材21をカソードパネル1とアノードパネル2とで挟み込むとともに、シール材22を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度の加熱することにより、カソードパネル1とアノードパネル2とを接合する。還元性雰囲気とは、金属酸化物を還元する組成のガス(以下、還元ガス)で満たされている気体雰囲気をいう。還元ガスとしては、水素ガス、一酸化炭素等を例示することができる。
【0032】
還元性雰囲気中でパネル接合(加熱処理)を行う際には、市販の還元炉を用いることができる。その場合は、先ず、還元炉の炉内を10Torr程度まで真空引きし、酸素濃度を下げる。その後、例えば還元ガスとして水素ガスを炉内に導入する。還元ガスとしては、100%純水素ガスのほか、この純水素ガスに不活性ガスを混合したガスであってもよい。その後、炉内が還元ガスで充満し、大気圧に戻ったら、その段階で加熱処理を開始する。この加熱処理を行うときの炉内の雰囲気は、大気圧であっても、大気圧より低い減圧雰囲気であっても、大気圧より高い加圧雰囲気であってもかまわない。ただし、必要に応じて、加熱処理中に連続的又は断続的に還元ガスを炉内に供給し、内部を換気することが望ましい。また、加熱処理に適用される温度プロファイルに関しては、例えば低融点金属としてSn−Zn系のはんだを用いた場合は、これを250℃まで加熱すればよいため、先ず、10℃/分の温度勾配で常温から250℃まで昇温し、次いで、250℃のままで10分間保持し、その後、10℃/分の温度勾配で常温に戻すといった温度プロファイルを採用することができる。
【0033】
このように還元性雰囲気中でシール材21を加熱、溶融して2つのパネル1,2を接合することにより、シール材(低融点金属)21の表面に形成された自然酸化膜(金属酸化膜)が還元性雰囲気中の還元ガスの還元作用によって除去されるとともに、加熱によるシール材21自体の酸化が還元性雰囲気中の還元ガスによって防止される。そのため、パネル接合の前に酸化膜の除去工程を設けなくても、カソードパネル1とアノードパネル2とを、低融点金属からなるシール材21を用いて確実に接合することができる。したがって、カソードパネル1、アノードパネル2及びシール材21により囲まれた空間の気密性を高めることができる。その結果、パネル接合後に、カソードパネル1、アノードパネル2及びシール材21により囲まれた空間を排気して真空状態としたときに、この真空空間の真空度を長期にわたり高い信頼性をもって維持することが可能となる。
【0034】
[第2実施形態]
先ず、図5に示すように、カソードパネル1の一面(電子放出部が形成されている面)に枠体27を配置する。枠体27は、ガラス、セラミックス等で構成されるもので、パネル間に形成される空間を囲んで封止するシール機能と、パネル間に所定の間隙を確保するスペーサ機能を果たす。また、枠体27は、パネル外形サイズよりも若干小さい外形サイズで平面視長方形に形成されたもので、カソードパネル1上ではパネル周縁部に沿って配置される。枠体27の両面には低融点金属からなるシール層28,29が予め形成されている。このシール層28,29は、例えばディスペンサ法、スクリーン印刷法等によって形成することができる。なお、ここではカソードパネル1に枠体27を配置するとしたが、カソードパネル1に代えてアノードパネル2に枠体27を配置してもよい。
【0035】
続いて、カソードパネル1とアノードパネル2とを対向状態に配置し、この状態からアノードパネル2をカソードパネル1側に接近させる。そうすると、各々のパネル周縁部で、図6に示すように、カソードパネル1とアノードパネル2との間に枠体27が挟み込まれた状態となる。この場合、低融点金属からなるシール層28,29が枠体27の両面に形成され、各々のシール層28,29がカソードパネル1とアノードパネル2に接触することになる。これに対して、カソードパネル1とアノードパネル2には、それぞれ表示制御のための電極(ゲート電極、アノード電極等)23,24が形成されているため、この電極23,24とシール層28,29との電気的な接続(導通)を回避する目的(絶縁目的)で、各々のパネル表面に電極23,24を覆うように絶縁層25,26が形成され、この絶縁層25,26にシール層28,29が接触するようになっている。絶縁層25,26の形成手法については前述したとおりである。
【0036】
このようにカソードパネル1とアノードパネル2とによって枠体27を挟み込んだ状態で、低融点金属の融点以上の温度にシール層28,29を加熱すると、シール層28,29を構成している低融点金属が軟化して押し潰される。そのため、2つのパネル1,2の間の空間が枠体27によってほぼ規定される。このとき、低融点金属を用いたパネル接合(加熱処理)を、上記第1実施形態と同様に還元性雰囲気中で行うものとする。すなわち、シール層28,29が形成された枠体27をカソードパネル1とアノードパネル2とで挟み込むとともに、シール層28,29を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、カソードパネル1とアノードパネル2とを接合する。
【0037】
このように還元性雰囲気中でシール層28,29を加熱、溶融して2つのパネル1,2を接合することにより、シール層(低融点金属)28,29の表面に形成された自然酸化膜(金属酸化膜)が還元性雰囲気中の還元ガスの還元作用によって除去されるとともに、加熱によるシール層28,29自体の酸化が還元性雰囲気中の還元ガスによって防止される。そのため、パネル接合の前に酸化膜の除去工程を設けなくても、カソードパネル1とアノードパネル2とを、低融点金属からなるシール層28,29が両面に形成された枠体27を用いて確実に接合することができる。したがって、カソードパネル1、アノードパネル2及び枠体27により囲まれた空間の気密性を高めることができる。その結果、パネル接合後に、カソードパネル1、アノードパネル2及び枠体27により囲まれた空間を排気して真空状態としたときに、この真空空間の真空度を長期にわたり高い信頼性をもって維持することが可能となる。
【0038】
なお、上記第2実施形態においては、予め両面にシール層28,29が形成された枠体27をカソードパネル1(又はアノードパネル2)に配置するとしたが、これ以外にも、例えば、カソードパネル1とアノードパネル2の両方にそれぞれ枠体27の形状、サイズ、取付位置に対応した枠型のシール層を形成しておき、このシール層に接触する状態で枠体27をカソードパネル1とアノードパネル2とで挟み込み、還元性雰囲気中でシール層を加熱するようにしてもよい。
【0039】
また、上記第1,第2実施形態においては、FEDの製造方法に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイ等の平面型表示装置、ファンネル部材とパネル部材を有する陰極線管など、FED以外の表示装置の製造方法にも適用可能である。
【0040】
また、本発明は、表示装置の製造方法に限らず、低融点金属を用いて接合可能な部材(例えば、ガラス製の部材、金属製の部材、セラミックス製の部材など)であれば、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合する接合方法として広く適用可能である。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の請求項1に係る部材の接合方法によれば、第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合する場合に、その部材の接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴う低融点金属自体の酸化を防止することができる。これにより、第1の部材と第2の部材とを低融点金属で確実に接合することが可能となる。
【0042】
また、本発明の請求項2に係る表示装置の製造方法によれば、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合する場合に、そのパネルの接合を還元性雰囲気中で行うことにより、低融点金属表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴う低融点金属自体の酸化を防止することができる。これにより、第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属で確実に接合することが可能となる。
【0043】
また、本発明の請求項3に係る表示装置の製造方法によれば、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなる枠型のシール材を用いて接合する場合に、そのシール材を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール材表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴うシール材自体の酸化を防止することができる。これにより、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなる枠型のシール材で確実に接合することが可能となる。
【0044】
また、本発明の請求項4に係る表示装置の製造方法によれば、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を用いて接合する場合に、そのシール層を還元性雰囲気中で低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、シール層表面の自然酸化膜を除去し、かつ、加熱に伴うシール層自体の酸化を防止することができる。これにより、第1のパネルと第2のパネルとを、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体で確実に接合することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法が適用される表示装置の一例として、FEDのパネル構造を示す断面図である。
【図2】本発明の方法が適用される表示装置の一例として、FEDのパネル構造を示す斜視図である。
【図3】本発明の第1実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その1)である。
【図4】本発明の第1実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その2)である。
【図5】本発明の第2実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その1)である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する工程図(その2)である。
【符号の説明】
1…カソードパネル、2…アノードパネル、21…シール材、27…枠体、28,29…シール層
Claims (4)
- 第1の部材と第2の部材とを低融点金属を用いて接合するとともに、当該低融点金属を用いた部材の接合を還元性雰囲気中で行う
ことを特徴とする部材の接合方法。 - 第1のパネルと第2のパネルとを低融点金属を用いて接合するとともに、当該低融点金属を用いたパネルの接合を還元性雰囲気中で行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 第1のパネル及び第2のパネルの少なくとも一方に、低融点金属からなる枠型のシール材を設ける工程と、
前記シール材を前記第1のパネルと前記第2のパネルとで挟み込むとともに、前記シール材を還元性雰囲気中で前記低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、前記第1のパネルと前記第2のパネルとを接合する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 第1のパネル及び第2のパネルのいずれか一方に、低融点金属からなるシール層が両面に形成された枠体を配置する工程と、
前記シール層が形成された前記枠体を前記第1のパネルと前記第2のパネルとで挟み込むとともに、前記シール層を還元性雰囲気中で前記低融点金属の融点以上の温度に加熱することにより、前記第1のパネルと前記第2のパネルとを接合する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
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2003
- 2003-02-21 JP JP2003043898A patent/JP2004253299A/ja active Pending
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