JP2004253178A - 高整合同軸コネクタ - Google Patents

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JP2004253178A JP2003040027A JP2003040027A JP2004253178A JP 2004253178 A JP2004253178 A JP 2004253178A JP 2003040027 A JP2003040027 A JP 2003040027A JP 2003040027 A JP2003040027 A JP 2003040027A JP 2004253178 A JP2004253178 A JP 2004253178A
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Toshio Endo
利夫 遠藤
Fumiaki Otsuji
文明 尾辻
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Abstract

【課題】中心導体の雌端子と雄端子の配置を逆配置としてレセプタクル側に雄端子を配置し、プラグ側に雌端子を設けて、雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚がとれるようにすると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を高め、インピーダンス整合の高密度化をはかって伝送特性を高速度化することができる。
【解決手段】レセプタクルとプラグとから成り、中心導体の雌端子と雄端子を絶縁体でそれぞれ被覆し、さらに外部導体で被って成る複数個のコネクタ部材を有する高整合同軸コネクタにおいて、各端子部材が、外部導体と中心導体との嵌合の組み合わせで、外部導体と中心導体が一定の距離をとって、インピーダンスの整合がとれるようにしている。
【選択図】 図13

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体テスター等に用いる高整合同軸コネクタに係わるもので、特に、インピーダンスを高整合にする半導体テスター用の高整合同軸コネクタにおいて、外部導体と中心導体との嵌合の組み合わせにより、外部導体と中心導体とが一定の距離をとってインピーダンスの整合ができるようにした半導体テスター用の高整合同軸コネクタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、同軸コネクタとして、ケーブルの筒状外部導体とケーブル端部に被覆されてケーブル接続に使用される筒状シェルとを半田付けするタイプの同軸コネクタが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開平06−176825号公報(第2、3頁、図1、図2)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の同軸コネクタにおいて、複数個の導体を接続するための小形の同軸コネクタが用いられており、インピーダンス整合を行って狭ピッチの高密度化をはかるために、中心導体の雌端子と雄端子が嵌合するガイド特性に基づいた構造になっている。
【0005】
このような従来の小形の、半導体テスター等に用いられる同軸コネクタの構造としては、例えば、図面の図14に示されるような構造の端子部材の複数個を有する同軸コネクタ100があり、このような従来の同軸コネクタ100におけるレセプタクルとプラグとが嵌合する時の1つの端子部材の中央縦断面図が図示されている。
【0006】
従来の同軸コネクタ100は、レセプタクルとプラグとから成り、レセプタクルは、複数個の雌形端子部材102を有し、プラグは、複数個の雄形端子部材103を有している。このような従来の同軸コネクタ100は、レセプタクルを形成するハウジング内に整列して配置された雌形端子部材102に、プラグを形成するケーシング内に整列して配置された雄形端子部材103を差し込んで嵌合させることによって、互いに接続されるように構成されている。従って、レセプタクルにおいては、雌形端子部材102は、雌端子104を覆う絶縁体106の周りをレセプタクルシェル108で被覆すると共に、差込部110を形成するように段付き形状に作られている。
【0007】
これに対応して、プラグにおいては、雄形端子部材103は、雄端子105を覆う絶縁体107の周りをプラグシェル109で被覆すると共に、プラグシェル109の内側に空間部分を形成して、レセプタクルの差込部110を差し込むための収容部111を形成している。従って、レセプタクルとプラグは、レセプタクルの差込部110を、プラグの収容部111に差し込んで、雌端子104と雄端子105を嵌合させて結合することによって、雌形端子部材102と雄形端子部材103とを接続するように構成されている。また、これらレセプタクルとプラグには複数個の同軸ケーブルがそれぞれ接続されるようになっており、図14においては、プラグ側に接続される同軸ケーブル113が図示されていて、中心導体115が雄端子105に接続され、絶縁体117部分が絶縁体107に嵌合されて外部導体119がプラグシェル109に半田を介して接続されている。
【0008】
このために、このような従来の同軸コネクタ100における構造では、自ずと雌端子104のサイズが制限されて雌端子104を被う絶縁体106の肉厚が一定の厚さに制限されるために、肉厚がとれず、この絶縁体106の厚さの制限によって雌端子104を狭ピッチに高密度化するのが難しく、インピーダンスの整合ができなくて困難であり、コネクタ全体の小形化が図れない等の問題が見られる。
【0009】
従って、本発明の目的は、このような従来における問題を解決するために、中心導体の雌端子と雄端子の配置を逆配置としてレセプタクル側に雄端子を配置して、プラグ側に雌端子を設け、雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚が十分にとれるようにすると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を高めて、インピーダンス整合の高密度化をはかって伝送特性を高速度化することができる、小形化された高整合同軸コネクタを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の高整合同軸コネクタは、レセプタクルとプラグとから成り、中心導体の雌端子と雄端子を絶縁体でそれぞれ被覆し、さらに外部導体で被って成る複数個の端子部材を有する高整合同軸コネクタにおいて、各端子部材は、外部導体と中心導体との嵌合の組み合わせで、外部導体と中心導体が一定の距離をとって、インピーダンスの整合がとれるようにしていることを特徴とする。
【0011】
また、本発明の高整合同軸コネクタは、各端子部材が、雄形端子部材と雌形端子部材とから形成されて、複数個の雄形端子部材が前記レセプタクルに設けられ、複数個の雌形端子部材が前記プラグに設けられていることを特徴とする。
【0012】
さらに、本発明の高整合同軸コネクタは、前記雄形端子部材が、雄端子と、該雄端子を被覆する絶縁体と、該絶縁体を取り囲む外被としてのレセプタクルシェルとから形成され、前記雌形端子部材が、雌端子と、該雌端子を被う絶縁体と、該絶縁体を被覆する外被としてのプラグシェルとから形成されていることを特徴とする。
【0013】
さらにまた、本発明の高整合同軸コネクタは、前記雄形端子部材が、前記雄端子を取り囲む絶縁体から雄端子が突出しており、前記絶縁体を被覆する段付き形状のレセプタクルシェルと共に差込部を形成していることを特徴とする。
【0014】
本発明の高整合同軸コネクタは、前記雌形端子部材が、前記雌端子を取り囲む絶縁体の周りを被覆するプラグシェルが絶縁体よりも突出していて内側に空間部分を形成しており、該空間部分が、前記雄端子部材の差込部が差し込まれる収容部を形成していることを特徴とする。
【0015】
本発明のその他の目的や特徴および利点は、添付図面に示される本発明の高整合同軸コネクタの実施形態についての以下の詳細な説明から明らかである。
【0016】
【発明の実施の形態】
(実施例)
図1乃至図13は、本発明の高整合コネクタの一実施例を図示、説明するための概要図で、図1は、本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルとプラグとを一部破断して示す正面図、図2は、図1の本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルの正面図で、図3は、図2のレセプタクルの平面図、図4は、図2のレセプタクルにおける一部の雄形端子部材の正面概要図で、図5は、図4の雄形端子部材の1つの断面図、図6は、図4の雄形端子部材の平面概要図で、図7は、図4の雄形端子部材の底面概要図、図8は、図1の本発明の高整合コネクタのプラグの正面図で、図9は、図8のプラグの平面概要図、図10は、図8のプラグにおける一部の雌形端子部材の断面図で、図11は、図10の雌形端子部材の1つの断面図、図12は、図11の雌形端子部材の平面概要図で、図13は、本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルとプラグとが嵌合する時の1つの端子部材における中央縦断面図である。
【0017】
図1乃至図3、図8、図9に示されるように、本発明の高整合同軸コネクタ1は、レセプタクル2とプラグ3とから成り、レセプタクル2を固定側として、例えば半導体テスターのパネル板10(図4)に取り付けられ、この固定側のレセプタクル2に対してプラグ3を差し込んで接続するように形成されている。
【0018】
図2および図3に示されるように、レセプタクル2は、上部が開放されて、周囲が枠形のほぼ四角形の形状に、適宜な絶縁材料によって作られたハウジング4を有している。このハウジング4内には、ハウジング4の底部8に複数個の雄形端子部材6が整列して配置されており、さらにまた、ハウジング4の四隅の角部付近に、4つの取付用耳部11が設けられていて、半導体テスターのパネル板10等に取り付けることができるようになっている。さらにまた、ハウジング4の角部の1つには、プラグ3の正確な差込みを確実にする位置決めのために、誤った差込みを防止する手段としての角盛り部12が形成されている。
【0019】
このレセプタクル2に対して差し込まれて嵌合されるプラグ3は、図8、図9に示されるように、レセプタクル2のハウジング4に対して差し込まれて嵌合されるように絶縁材料によってほぼ四角形の形状にハウジング4に対応した形状に作られたケーシング5を有している。このケーシング5は、先端部となる上部が開放されていて、外形が段付き形状に形成されており、先端部がレセプタクル2に差し込まれるように差込部9として形成されている。さらに、ケーシング5内には、複数個の雌形端子部材7が整列して配置されている。さらにまた、ケーシング5は、角部の1つに、レセプタクル2の角盛り部12に対応した形状の隅取り部13が設けられている。
【0020】
従って、レセプタクル2にプラグ3が差し込まれる時に、これら角盛り部12と隅取り部13との一致した係合によってレセプタクル2に対してプラグ3が正確に位置決めされて、隅取り部13が角盛り部12に一致してプラグ3をレセプタクル2に嵌合することができるように形成されている。この隅取り部13は、プラグ3の角部を、ほぼ45°に切削することによって形成することができる。これによって、レセプタクル2のハウジング4の角部の1つにおける角盛り部12の内側面も、ほぼ45°に形成して作られるのが好適である。なお、レセプタクル2とプラグ3の形状は、ほぼ四角形の外に、長方形や正方形等の適宜な形状にすることができるのは勿論である。
【0021】
図4乃至図7に明示されるように、雄形端子部材5は、雄端子14と、この雄端子14を被覆する絶縁体15と、この絶縁体15を取り囲む外被としてのレセプタクルシェル16とから形成されており、レセプタクルシェル16が段付き形状に形成されていて差込部17が設けられている。この差込部17は、雌形端子部材7の収容部24に差し込まれるもので、これら差込部17と収容部24との嵌合によって良好に結合できるものである。
【0022】
図示されるように、本発明の高整合同軸コネクタ1において、雄形端子部材6は、雄端子14を取り囲む絶縁体15から雄端子14の先端部14aが突出しており、絶縁体15を被覆するレセプタクルシェル16と共に差込部17が形成されている。さらに、雄端子14の中程には、鍔のようなカラー部18が設けられていて、雄端子14が絶縁体15部分から抜け出ることのないように作られている。また、雄形端子部材6のレセプタクルシェル16は、四方に延びる4つの脚部19を有しており、カラー部18の近くにて脚部19に、かしめ等による内方に折曲した突出部20が設けられていてハウジング4の底部8に対してしっかりと固着できるように形成されている。
【0023】
図8乃至図12に明示されるように、プラグ3は、差込み側が開放されたほぼ四角形のケーシング5を有しており、このケーシング5の角部の1つが面取り等によって切り落とされて隅取り部13が形成されている。さらに、ケーシング5内には、複数個の雌形端子部材7が整列して設けられており、レセプタクル2の雄形端子部材6と嵌合されるように形成されている。
【0024】
雌形端子部材7は、中心導体としての雌端子21と、この雌端子21を被う絶縁体22と、この絶縁体22を被覆する外被としてのプラグシェル23とから形成されており、プラグシェル23の雄端子差込み側に直径方向のスリットが設けられて直径方向に対向する一対の、先端部分が内方に折れ曲がった脚部23aが形成されていて雄端子14を弾性的に押圧してしっかりと保持できるようになっている。
【0025】
このような雌形端子部材7において、雌端子21を取り囲む絶縁体22の周りを被覆するプラグシェル23は、雌端子21の端部から外方に向って突出していて、レセプタクル2の差込部17が差し込まれる収容部24が内側に形成されている。
【0026】
これによって、プラグ3がレセプタクル2に嵌合される時に、雄端子14と雌端子21の嵌合に加えて、レセプタクル2の差込部17が、プラグ3の収容部24に差し込まれて嵌合されることによって、レセプタクル2がプラグ3に、しっかりと固定されて接続されるようになる。このようなレセプタクル2の差込部17とプラグ3の収容部24は、軸心長手方向に細長くて十分な長さをなしているので、雄端子14と雌端子21との嵌合が良好にしっかりと行なわれてがたつき無く強固に連結することができる。
【0027】
また、雌端子21には、同軸ケーブル25の中心導体26が接続され、この中心導体26を取り巻く絶縁体27を被覆する外部導体28が、半田や適宜な導電性スリーブ29を介して、雌形端子部材7のプラグシェル23と電気的に接続されている。
【0028】
さらに、雌端子21には、雄端子14の先端部14aが差し込めれて嵌合される孔が穿けられていて雄端子14用の中空部21aが設けられている。また、隣接する雌形端子部材7の間には適宜な絶縁材料の薄膜条片のような絶縁部材30が設けられて雌形端子部材7が隔絶されるように構成されるのが好適である。
【0029】
図1および図2に示されるように、このような本発明の高整合同軸コネクタ1においては、レセプタクル2とプラグ3には、同軸ケーブルがそれぞれ接続されるもので、図示においては、プラグ3側の雌形端子部材7に接続される同軸ケーブル25のみが示めされているが、レセプタクル2においても同様に、雄形端子部材6の同軸ケーブルが接続できることは勿論である。
【0030】
図示されるように、プラグ3側の雌形端子部材8において、同軸ケーブル25は、中心導体26が雌端子21に接続され、同軸ケーブル25の絶縁体を被覆する外部導体27が、雌形端子部材8の絶縁体22部分に嵌合され、同軸ケーブル25の外部導体27の先端部分がプラグ3側の雌形端子部材7の絶縁体22部分に嵌合されていて外被であるプラグシェル23に、導電性スリーブ28を介して同軸ケーブル25の外部導体27が接続されるようになる。レセプタクル2においても同様に同軸ケーブルが雄形端子部材6に接続されるようになる。
【0031】
このような本発明の高整合同軸コネクタ1においては、レセプタクル2側の雄端子14が、プラグ3側の雌端子21内にしっかりと挿入されて接続されると共に、レセプタクル2側の差込部17がプラグ3側の収容部24内にしっかりと差し込まれて嵌合されて接続されるようになる。レセプタクル2の差込部17と、プラグ3の収容部24は十分な長さを有しているので、差込部17が収容部24にしっかりと差し込まれて嵌合時のガイド特性が向上され、がたつき無く良好に接続されて、確実に結合されるようになる。
【0032】
さらに、このように構成される本発明の高整合同軸コネクタ1においては、レセプタクル2側に雄端子14を設けているので、雄端子14を被覆する絶縁体15の肉厚を大きくとることができるので、隣接の雄端子に対してインピーダンスの整合が好適にとることができ、隣接する雄端子14間のピッチを所要するピッチ寸法に形成して高密度化を図って伝送特性を高速度化することができる。
【0033】
図示されるように、本発明のこのような高整合同軸コネクタ1は、外部導体と中心導体との嵌合部分の組み合わせで、外部導体と中心導体とが一定の距離をとって、インピーダンスの整合がとれるようにしている。すなわち、本発明の高整合同軸コネクタ1では、中心導体の雄端子14と雌端子21を絶縁体15、22でそれぞれ被覆し、さらに外部導体のレセプタクルシェル16やプラグシェル23で被って成る高整合同軸コネクタ1において、レセプタクル2側の差込部17と、プラグ3側の収容部24との嵌合部分が所要の長さの一定の距離をとっているので、両部分の嵌合時にインピーダンスの整合を好適にとることができるようになっており、従って、インピーダンスの高密度化を図って伝送特性を高速度化することができる。
【0034】
特に、上述の本発明の高整合同軸コネクタ1においては、レセプタクル2側に雄端子14を配置してプラグ3側に雌端子21を配置しているので、雄端子14を被覆する絶縁体15の肉厚を十分にとることができるので、所要の狭いピッチとすることができ、高整合なインピーダンスとして高密度化して伝送特性を高速度化することができる。
【0035】
なお、インピーダンスは、端子部材の断面が円形の場合には、以下のような計算式によって計算することができる。但し、Dは、レセプタクルシェルやプラグシェルの内径で、dは、雄端子や雌端子の外径で、εrは、絶縁体の誘電率であり、この場合には、絶縁体に、テフロン(登録商標)を用いた。テフロン(登録商標)の誘電率は、2.0として、次式によって計算した。
Zo=60/εr1/2・InψD/ψd (Ω)
【0036】
いま、上式によって計算すると、本発明の構成の高整合同軸コネクタにおける場合に、コンタクト(端子)のピッチが2.54mmで、プラグシェルの内径が1.93mmで、プラグ側コンタクト(雌端子)の外径が0.60mmのとき、プラグインピーダンスは、49.7(Ω)であって、レセプタクル側は、レセプタクルシェルの内径が1.62mmで、レセプタクル側コンタクト(雄端子)の外径が0.50mmのときに、レセプタクルインピーダンスは、50.2(Ω)であり、それぞれ所要のインピーダンス値を達成することができた。これに対して、図14に示される従来の構成の同軸コネクタにおける場合には、レセプタクルインピーダンスの値は、36.5(Ω)と大きく低減されるが、本発明の場合には、従来の場合の値よりもはるかに大きく上回り、向上することができた。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の請求項1記載の高整合同軸コネクタは、レセプタクルとプラグとから成り、中心導体の雌端子と雄端子を絶縁体でそれぞれ被覆し、さらに外部導体で被って成る複数個の端子部材を有する高整合同軸コネクタにおいて、各端子部材が、外部導体と中心導体との嵌合の組み合わせで、外部導体と中心導体が一定の距離をとって、インピーダンスの整合がとれるようにしているので、中心導体の雌端子と雄端子の配置を逆配置としてレセプタクル側に雄端子を配置して、プラグ側に雌端子を設け、雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚を十分にとることができると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を高め、インピーダンス整合の高密度化をはかって、伝送特性を高速度化することができる。
【0038】
本発明の請求項2記載の高整合同軸コネクタは、各端子部材が、雄形端子部材と雌形端子部材とから形成されて、複数個の雄形端子部材が前記レセプタクルに設けられ、複数個の雌形端子部材が前記プラグに設けられているので、中心導体の雌端子と雄端子の配置を逆配置として、雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚を十分にとることができると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を高めて、インピーダンス整合の高密度化をはかり、伝送特性を高速度化することができる。
【0039】
本発明の請求項3記載の高整合同軸コネクタは、前記雄形端子部材が、雄端子と、該雄端子を被覆する絶縁体と、該絶縁体を取り囲む外被としてのレセプタクルシェルとから形成され、前記雌形端子部材が、雌端子と、該雌端子を被う絶縁体と、該絶縁体を被覆する外被としてのプラグシェルとから形成されているので、中心導体の雌端子と雄端子の配置を逆配置として、雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚を十分にとることができると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を向上し、インピーダンス整合の高密度化をはかって、伝送特性を高速度化することができる。
【0040】
本発明の請求項4記載の高整合同軸コネクタは、前記雄形端子部材が、前記雄端子を取り囲む絶縁体から雄端子が突出しており、前記絶縁体を被覆する段付き形状のレセプタクルシェルと共に差込部を形成しているので、雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚を十分にとることができると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を高め、インピーダンス整合の高密度化をはかって、伝送特性を高速度化することができる。
【0041】
本発明の請求項5記載の高整合同軸コネクタは、前記雌形端子部材が、前記雌端子を取り囲む絶縁体の周りを被覆するプラグシェルが絶縁体よりも突出していて内側に空間部分を形成しており、該空間部分が、前記雄端子部材の差込部が差し込まれる収容部を形成しているので、プラグ側に雌端子を設けて、レセプタクル側に設けられる雄端子を被う絶縁体の必要な肉厚を十分にとることができると共に、外部導体を長くして嵌合部分のガイド特性を高め、インピーダンス整合の高密度化をはかって、伝送特性を高速度化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルとプラグとを一部破断して示す概略正面図である。
【図2】本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルの正面図である。
【図3】図2の本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルの平面図である。
【図4】図2の本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルにおける一部の雄形端子部材の正面概要図である。
【図5】図4の雄形端子部材の1つの断面図である。
【図6】図4の雄形端子部材の平面概要図である。
【図7】図4の雄形端子部材の底面概要図である。
【図8】本発明の高整合コネクタのプラグの正面図である。
【図9】図8のプラグの平面概要図である。
【図10】図8のプラグにおける一部の雌形端子部材の断面図である。
【図11】図10の雌形端子部材の1つの断面図である。
【図12】図11の雌形端子部材の平面概要図である。
【図13】本発明の高整合同軸コネクタのレセプタクルとプラグとが嵌合する時の1つの端子部材における中央縦断面図である。
【図14】従来の同軸コネクタのレセプタクルとプラグとが嵌合する時の1つの端子部材における中央縦断面図である。
【符号の説明】
1 高整合同軸コネクタ
2 レセプタクル
3 プラグ
4 ハウジング
5 ケーシング
6 雄形端子部材
7 雌形端子部材
8 底部
9 差込部
10 パネル板
11 取付用耳部
12 角盛り部
13 隅取り部
14 雄端子
15 絶縁体
16 レセプタクルシェル
17 差込部
18 カラー部
19 脚部
20 突出部
21 雌端子
22 絶縁体
23 プラグシェル
24 収容部
25 同軸ケーブル
26 中心導体
27 絶縁体
28 外部導体
29 導電性スリーブ
30 絶縁部材

Claims (5)

  1. レセプタクルとプラグとから成り、中心導体の雌端子と雄端子を絶縁体でそれぞれ被覆し、さらに外部導体で被って成る複数個の端子部材を有する高整合同軸コネクタにおいて、
    各端子部材は、外部導体と中心導体との嵌合の組み合わせで、外部導体と中心導体が一定の距離をとって、インピーダンスの整合がとれるようにしていることを特徴とする高整合同軸コネクタ。
  2. 各端子部材は、雄形端子部材と雌形端子部材とから形成されて、複数個の雄形端子部材が前記レセプタクルに設けられ、複数個の雌形端子部材が前記プラグに設けられていることを特徴とする請求項1記載の高整合同軸コネクタ。
  3. 前記雄形端子部材が、雄端子と、該雄端子を被覆する絶縁体と、該絶縁体を取り囲む外被としてのレセプタクルシェルとから形成され、前記雌形端子部材が、雌端子と、該雌端子を被う絶縁体と、該絶縁体を被覆する外被としてのプラグシェルとから形成されていることを特徴とする請求項2記載の高整合同軸コネクタ。
  4. 前記雄形端子部材は、前記雄端子を取り囲む絶縁体から雄端子が突出しており、前記絶縁体を被覆する段付き形状のレセプタクルシェルと共に差込部を形成していることを特徴とする請求項3記載の高整合同軸コネクタ。
  5. 前記雌形端子部材は、前記雌端子を取り囲む絶縁体の周りを被覆するプラグシェルが絶縁体よりも突出していて内側に空間部分を形成しており、該空間部分が、前記雄端子部材の差込部が差し込まれる収容部を形成していることを特徴とする請求項4記載の高整合同軸コネクタ。
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