JP2004247343A - 有機能動素子のパッシベーション、及び有機能動装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】有機能動素子の分子が破壊されないパッシベーションを提供し、当該有機能動素子のパッシベーションを備えた有機能動装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】有機能動素子１１が形成された第１基板１０と、第１基板１０における有機能動素子１１が形成された面に対向して配置された第２基板１２と、第１基板１０と第２基板１２との間の少なくとも有機能動素子１１を含む空間１６を密閉状態に保持する保持部材１３とを具備することを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機能動素子のパッシベーション、及び有機能動装置、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機高分子や有機低分子からなる有機材料を利用した有機能動素子の研究が活発に行われている。有機能動素子の一例である有機トランジスタは、ニッケルからなるゲート電極層、ＳｉＯ_２からなるゲート絶縁層、パラジウムからなるソース電極及びドレイン電極、チャネル層が形成されるペンタセン等の有機半導体薄膜が順次積層形成されたものが代表的である。
【０００３】
このような有機能動素子に形成するパッシベーションとして、金属等の無機材料を用いたものが一般的である。例えば、セラミックや金属等を用いて、有機能動素子をオーバーコートし、ハーメティック・シールを達成している。
ところが、有機能動素子の特性として、超高温（即ち、一般的に約３００℃より高い）には耐えられないことから、パッシベーションを形成する際に、比較的長時間にわたって高温を維持すると、有機能動素子を劣化させてしまい、信頼性低下や短寿命化を招いてしまう。
そこで、有機能動素子のパッシベーションを低温状態で形成する方法としては、ＰＥＣＶＤ方法を用いてセラミックや金属を堆積する方法がある。この方法を用いた場合には、ＰＥＣＶＤによる堆積の間に有機能動素子が放射損傷を受ける可能性が非常に高いという問題がある。
他の方法としては、パッシベーションとして誘導体物質の一つであるＳｉＯ_２を採用し、プラズマを用いずに誘導体物質を低温状態で形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この方法においては、高真空雰囲気下、かつ酸素（Ｏ_２）含有雰囲気下において一酸化シリコン（ＳｉＯ）を蒸発させることにより、有機能動素子上にＳｉＯ_２を堆積するものである。当該ＳｉＯ_２膜の厚さは種種の有機能動素子の種類等に応じて異なる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０８−３０６９５５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の技術によれば、有機能動素子に接触するようにパッシベーションが形成されるので、当該パッシベーションの内部応力が生じ、当該パッシベーションと有機能動素子との界面に歪みが生じ、有機能動素子を破損し、有機分子が壊れてしまうという問題がある。また、当該技術はＳｉＯ_２膜の側部を十分にシールしておらず、当該側部から浸入する酸素や水分に起因する有機能動素子の劣化を招き、有機能動素子の長寿命化を達成できないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上述する事情に鑑みてなされたものであり、有機能動素子の分子が破壊されずに、酸素や水分の浸入を防止するパッシベーションを提供し、当該有機能動素子のパッシベーションを備えることで、長寿命化が達成できる有機能動装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、有機能動素子が形成された第１基板と、第１基板における有機能動素子が形成された面に対向して配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間の少なくとも有機能動素子を含む空間を密閉状態に保持する保持部材とを具備することを特徴とする。
ここで、有機能動素子とは、分子単電子トランジスタ、有機トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機スピンエレクトロニクス素子、量子コンピュータ、分子プロセッサ、有機ストレージ等の有機素子を備える能動素子を意味する。
また、第１基板とは、ガラス基板、薄膜フィルム、絶縁基板、シリコンウェハ等の所定材料の基板や、配線層、絶縁膜、スイッチング素子等が予め形成された回路基板等を意味する。
また、第２基板とは、ガラス基板、有機材料基板、絶縁基板、金属等の種種の材料からなり、有機能動素子の劣化や分子破壊に起因する種種の状態から当該有機能動素子を保護するものであり、例えば、第２基板の外部側から有機能動素子側に対する衝撃の伝達、熱の伝達、酸素や水分の侵入等を防止することにより、有機能動素子を保護するものである。
また、保持部材とは、有機能動素子と接触することなく、第１基板と第２基板とを接着する接着剤の機能を有するものである。
従って、本発明によれば、有機能動素子は従来技術に示した保護膜（ＳｉＯ_２）と接触して配置されることなく、第１基板と第２基板と保持部材とによって密閉された空間内に保持されるので、上記保護膜を形成した際の応力による有機能動素子の分子破壊を防止することができる。また、有機能動素子側に対する衝撃の伝達、熱の伝達、酸素や水分の侵入等を防止し、有機能動素子を保護することができる。更に、酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止し、長寿命化を達成することができる。
【０００８】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、先に記載の有機能動素子のパッシベーションであり、保持部材は第１基板と第２基板との間であって第２基板の外周部分に対応して設けられていることを特徴とする。
従って、本発明によれば、有機能動素子と保持部材とが接触することがなく、第１基板と第２基板との間の空間を密閉することができる。
【０００９】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、有機能動素子が形成された第１基板と、第１基板における有機能動素子が形成された面のうち少なくとも有機能動素子が形成された領域に対向して配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間の空間を密閉状態に保持する保持部材とを具備することを特徴とする。
ここで、領域とは、有機能動素子が形成される第１基板の面のうちの一部分を意味するものである。
従って、本発明によれば、上記の領域に対向して第２基板が配置されるので、有機能動素子は従来技術に示した保護膜（ＳｉＯ_２）と接触配置することなく、密閉された上記空間内に保持されるので、当該保護膜を形成した際の応力による有機能動素子の分子破壊を防止することができる。また、有機能動素子側に対する衝撃の伝達、熱の伝達、酸素や水分の侵入等を防止し、有機能動素子を保護することができる。更に、酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止し、長寿命化を達成することができる。
また、第２基板は上記の領域に対向するように配置されるので、第１基板全体、もしくは有機能動素子より大きい平面積で第２基板を形成する必要がなく、即ち、第２基板を上記の領域の対向する最小限の平面積で形成することができる。
【００１０】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、凹部を備えると共に当該凹部内に有機能動素子が形成された第１基板と、凹部に対向して配置された第２基板と、凹部内の少なくとも有機能動素子を含む空間を密閉状態に保持する保持部材とを具備することを特徴とする。
ここで、凹部とは、有機能動素子が形成される第１基板の面に所望に形成された部位を意味するものである。また、当該凹部の形成方法は、例えば、第１基板を削って形成した凹部でもよく、第１基板上に所望の材料の凸部を設け、当該凸部に対して相対的に形成された凹部でもよい。
従って、本発明によれば、第１基板に形成された凹部の空間内に有機能動素子が形成されるので、有機能動素子は従来技術に示した保護膜（ＳｉＯ_２）と接触配置することなく、密閉された上記空間内に保持されるので、当該保護膜を形成した際の応力による有機能動素子の分子破壊を防止することができる。また、有機能動素子側に対する衝撃の伝達、熱の伝達、酸素や水分の侵入等を防止し、有機能動素子を保護することができる。更に、酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止し、長寿命化を達成することができる。
また、第１基板を削って上記凹部を形成した場合には、第１基板内に有機能動素子を埋設することが可能になると共に、ギャップ材が不要になるので、有機能動素子を具備する有機能動装置のスリム化を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、先に記載の有機能動素子のパッシベーションであり、保持部材には、第１基板と第２基板との間の空間を所定間隔に維持するギャップ材が含まれていることを特徴とする。
本発明によれば、保持部材にギャップ材を含めることにより、ギャップ材の高さを所望に設定することで、上記空間を所定間隔にすることができ、第１基板及び第２基板の撓みに伴う有機能動素子の破損を防止することができる。
【００１２】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、先に記載の有機能動素子のパッシベーションであり、空間内には不活性ガスが充填されていることを特徴とする。
ここで、不活性ガスとしては、窒素（Ｎ_２）ガスや希ガス等が好適に用いられる。
従って、本発明によれば、上記空間に不活性ガスを充填することによって、酸素や水分から有機能動素子を保護し、当該酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止することができ、即ち、先に記載の有機能動素子のパッシベーションと同様の効果を奏する。
【００１３】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、先に記載の有機能動素子のパッシベーションであり、空間内は真空雰囲気に保持されていることを特徴とする。
従って、本発明によれば、上記空間を真空雰囲気に保持することによって、酸素や水分から有機能動素子を保護し、当該酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止することができ、即ち、先に記載の有機能動素子のパッシベーションと同様の効果を奏する。
【００１４】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、先に記載の有機能動素子のパッシベーションであり、空間内には乾燥剤又は脱酸素剤が配置されていることを特徴とする。
ここで、乾燥剤とは、水分を吸収してその周辺を乾燥状態に保つものであり、脱酸素剤とは、酸素を吸収してその周辺を無酸素状態に保つものである。また、当該乾燥剤及び脱酸素剤はシリカゲルやＴｉ等のようなゲッター剤を含むものである。
本発明によれば、上記空間を乾燥状態又は無酸素状態の維持することによって、酸素や水分から有機能動素子を保護し、当該酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止することができ、即ち、先に記載の有機能動素子のパッシベーションと同様の効果を奏する。
【００１５】
また、本発明の有機能動素子のパッシベーションは、先に記載の有機能動素子のパッシベーションであり、第１基板、第２基板及び保持部材のうち少なくともいずれかを被覆する保護膜が形成されていることを特徴とする。
ここで、保護膜とは、長時間の安定性及び長寿命性を備えた、いわゆるハーメティック・シールであり、特に金属等の無機材料が好適であり、例えば、酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン膜（ＳｉＮ_Ｘ）等が用いられる。
本発明によれば、第１基板と第２基板と保持部材のうち少なくともいずれかの部位が保護膜で被覆されるので、先に記載した酸素や水分の侵入防止を促進することができる。また、例えば、有機能動素子の積層体を形成する場合に、第１の有機能動素子を形成し、更に第２の有機能動素子を形成するには、当該保護膜は第１及び第２有機能動素子を分離するので、有機能動素子の積層構造体に起因する有機能動素子の劣化を抑制することができる。従って、有機能動素子の積層構造体を容易に形成することができる。
また、本発明においては、第１基板と第２基板と保持部材の全てを被覆するように上記保護膜が形成されていることがより好ましい。
【００１６】
また、本発明の有機能動装置は、先に記載の有機能動素子のパッシベーションを備えたことを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の有機能動素子のパッシベーションと同様の効果を奏すると共に、長寿命の有機能動装置となる。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、先に記載の有機能動装置を備えたことを特徴とする。
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。
従って、本発明によれば、先に記載の有機能動装置と同様の効果を奏すると共に、長寿命の電子機器を提供することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る有機能動素子のパッシベーション、及び有機能動装置、並びに電子機器について、図面を参照して説明する。
なお、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表している。
【００１９】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る有機能動素子のパッシベーションの第１実施形態について説明する。
図１は本実施形態の有機能動素子のパッシベーションを備えた有機能動装置の模式平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面における模式断面図、図３は有機能動装置の要部を示す断面図である。
図２に示すように、有機能動装置１は、基板（第１基板）１０と、有機能動素子１１と、保護部材（第２基板）１２と、シール部材（保護部材）１３と、配線１４と、保護膜１５とを具備し、基板１０と保護部材１２との間の空間１６が、所定の間隔で密閉された構成となっている。
【００２０】
基板１０は、絶縁性材料の基板であり、絶縁性材料の中でもガラス基板等の種種のものが採用される。基板１０の有機能動素子１１が形成される面には、ＳｉＮ_Ｘからなる表面保護膜１０ａが形成されている。
また、基板１０としては、ガラス基板等の無機材料やプラスチック等の有機材料を用いることができる。このとき、基板１０として可撓性が求められる場合には樹脂材料等の薄膜フィルムでもよく、後の工程で半導体回路を形成する場合にはシリコンウェハ等の基板でもよい。また、無機材料からなるスイッチング素子（例えばシリコントランジスタ）等が予め形成された基板であってもよい。この場合、予め形成されたスイッチング素子を有機能動素子１１に電気的に接続してもよい。また、表面保護膜１０ａに用いられる材料はＳｉＯ_２の酸化膜からなる無機膜や、アクリル等の有機膜を用いてもよい。なお、表面保護膜１０ａを形成せずに、基板１０上に有機能動素子を形成してもよい。
【００２１】
有機能動素子１１は、有機能動装置１の機能や形態に応じて種種の素子を備え、例えば、分子単電子トランジスタ、有機トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機スピンエレクトロニクス素子、量子コンピュータ、分子プロセッサ、有機ストレージ等を備える。
本実施形態においては、有機能動素子１１が図４に示す分子単電子トランジスタを備えており、図４に示すように分子単電子トランジスタは、量子ドット部Ｒと、ソース部Ｓと、ドレイン部Ｄと、ゲート部Ｇと、トンネル接合部Ｔとを備えている。
【００２２】
保護部材１２の材料としては、上記基板１０に対応したものが採用され、もしくは種種の目的に応じて選択される。本実施形態においてはガラス基板が用いられる。
ここで言う「基板１０に対応したもの」とは、例えば、基板１０が可撓性材料である場合には、保護部材１２として樹脂材料等の薄膜フィルムが採用される。また、「種種の目的に応じて」とは、例えば、保護部材１２の上面に半導体回路を形成する場合には、保護部材１２の材料としてシリコンウェハ等の基板や、半導体回路を形成するために好適な下地となる材料が選択される。また、保護部材１２の上面に別の有機能動装置を形成し、有機能動素子の積層体を形成する場合には、当該積層体に応じて種種の材料が好適に採用される。
【００２３】
シール部材１３としては、有機材料、無機材料、または有機材料及び無機材料の混合材料等が用いられる。また、シール部材１３として有機材料を採用した場合には、ＵＶ硬化樹脂もしくは熱硬化樹脂を用いれば、シール部材１３の形成を容易に行うことができる。一方、シール部材１３として無機材料を採用した場合には低融点ガラスやはんだ材料等が用いられる。このとき、無機材料が水分又は酸素の非透過性を有することが好ましい。
また、図３に示すように、シール部材１３は空間１６の間隔を所定に維持するギャップ材１７を備えている。当該ギャップ材１７の高さを所望に設定することにより、空間１６を好適な間隔で維持することができる。ギャップ材１７としては、円柱状のガラス材や球状のプラスチック材等が用いられる。
【００２４】
配線１４は、無機配線１４ａと有機配線１４ｂとを具備しており、無機配線１４ａと有機配線１４ｂは、空間１６内で接続されている。
無機配線１４ａは保護膜１５の一部を除去して形成された外部端子１８を備えており、有機配線１４ｂは有機能動素子１１と接続されているので、有機能動素子１１と外部端子１８とは電気導通性が得られた状態になっている。
無機配線１４ａには金属が用いられ、有機配線１４ｂには五フッ化ヒ素をドープしたポリアセチレン等の導電性ポリマーが用いられる。
また、外部端子１８には図示しない入出力装置が接続されている。
【００２５】
保護膜１５は、外部端子１８を除いて、有機能動装置１の全体を覆うように形成された、いわゆるハーメティック・シールである。当該保護膜１５は長時間の安定性及び長寿命性を備え、特に無機材料が好適であり、例えば、酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン膜（ＳｉＮ_Ｘ）等が用いられる。
なお、保護膜１５の材料は、上記の保護部材１２の形態に応じて採用される。例えば、保護部材１２が樹脂材料等の可撓性を有している場合には、当該樹脂材料に応じた種種の材料が好適に採用される。また、例えば、保護部材１２の上層に、半導体回路を形成する場合には、保護部材１２の材料としてシリコンウェハ等の基板や、半導体回路を形成するために好適な材料の下地基板が選択される。また、例えば、保護部材１２の上面に別の有機能動装置を形成し、有機能動素子の積層体を形成する場合には、当該積層体に応じて種種の材料が好適に採用される。
【００２６】
空間１６には、不活性ガスの一種である窒素ガスが充填されている。
なお、本実施の形態においては窒素ガスを採用したが、希ガス等の不活性ガスを採用してもよい。また、空間１６は、真空雰囲気に保持された空間でもよい。
【００２７】
なお、本実施形態においては、基板１０の面のうち有機能動素子１１が形成された領域に対向して保護部材１２を形成してもよい。この場合、基板１０全体、もしくは有機能動素子１１より大きい平面積で、保護部材１２を形成する必要がなく、即ち、有機能動素子１１が形成された領域の対向する最小限の平面積で、保護部材１２を形成することができる。
【００２８】
このように構成された有機能動装置１においては、不図示の入出力装置が外部端子１８と配線１４を介して有機能動素子１１に所定の信号を入力し、当該入力に応じて、有機能動素子１１が具備する分子単電子トランジスタが作動する。
この分子単電子トランジスタは、ソース部Ｓから供給される電子の速度がゲート部Ｇによって制御される特性を有しており、そのスイッチング速度は、量子ドットＲの寸法によってほぼ決定され、例えば、量子ドットＲの直径が１ｎｍ程度である場合には、速度１０ＴＨｚ、集積度１０Ｇ個／ｍｍ^２程度と、従来のトランジスタの１０００倍以上の高性能となる。また、当該分子単電子トランジスタを基本として、ダイナミックメモリーセルや論理回路を構成することができる。
このような分子単電子トランジスタの動作に伴って、有機能動素子１１の信号は外部端子１８を介して不図示の入出力装置に出力される。
【００２９】
また、このような有機能動素子においては、有機能動素子１１は保護部材１２と接触せずに、密閉された空間１６内に保持されるので、有機能動素子１１の分子破壊を防止することができる。また、有機能動素子１１側に対する衝撃の伝達、熱の伝達、酸素や水分の侵入等を防止し、有機能動素子を保護することができる。特に、酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子の劣化を防止し、長寿命化を達成することができる。
また、空間１６には、窒素ガスが充填されているので、酸素や水分から有機能動素子１１を保護するので、即ち、上記と同様の効果を奏する。
なお、空間１６を真空雰囲気に保持した場合であっても、酸素や水分から有機能動素子１１を保護するので、即ち、上記と同様の効果を奏する。
【００３０】
（第２実施形態）
以下、本発明に係る有機能動素子のパッシベーションの第２実施形態について説明する。
本実施形態と第１実施形態との相違点について概略説明すると、第１実施形態は基板と保護部材との間の空間に有機能動素子を形成したが、本実施形態は基板に凹部が形成され、当該凹部内に有機能動素子が形成された構成となっている。
本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分のみ説明し、同一構成には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３１】
図５は本実施形態の有機能動素子のパッシベーションを備えた有機能動装置の模式断面図である。
図５に示すように、有機能動装置２においては、基板１０に形成された凹部２０の空間１６に、有機能動素子１１と、保護部材１２と、シール部材１３と、配線１４とが配置されている。更に、外部端子１８を露出しつつ、保護部材１２と基板１０の表面を被覆する保護膜１５が形成され、また、空間１６内には乾燥剤／脱酸素剤材２１が配置されている。また、保護部材１２は凹部２０に埋設されている。
【００３２】
凹部２０の形成方法としては、例えば、エッチング等の方法で基板１０を削る方法や、材料吐出法等の液相法で基板１０上に凸部を設け、当該凸部に対して凹部２０を相対的に形成する方法でもよい。ここで、基板１０を削って凹部２０を形成した場合には、基板１０内に有機能動素子１１を埋設することが可能になると共に、ギャップ材１７が不要になるので有機能動装置２のスリム化を図ることができる。材料吐出法を用いる際にはＳＯＧ等が用いられる。
【００３３】
乾燥剤／脱酸素剤材２１は、図５において有機能動素子１１の側方に配置されているが、当該乾燥剤／脱酸素剤材２１は、具体的な位置を示すものではなく、基板１０、保護部材１２及びシール部材１３によって囲まれた空間内の任意の位置に配置される。この場合、酸素や水分の侵入が生じやすい部分、例えば、基板１０とシール部材１３との界面、保護部材１２とシール部材１３との界面など、異なる部位の界面近傍等に配置されることが好ましい。また、ここで言う「乾燥剤／脱酸素剤材」とは、シリカゲルやＴｉ等のようなゲッター剤を含むものである。従って、空間１６を乾燥状態又は無酸素状態の維持するので、酸素や水分から有機能動素子１１を保護し、酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子１１の劣化を防止することができ、先に記載した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
上述したように、有機能動装置２においても、酸素や水分の侵入に伴う有機能動素子１１の劣化を防止することができ、有機能動素子１１と保護部材１２との接触が生じることがなく有機能動素子の分子破壊を防止し、即ち、先に記載した有機能動素子のパッシベーションと同様の効果を奏する。
【００３５】
なお、本実施形態においては、保護部材１２は凹部２０に埋設されて有機能動装置２のスリム化を達成しているが、凹部２０に対向する位置に当該保護部材１２が配置されていれば、必ずしも凹部２０に埋設する必要はない。これらは、有機能動装置２の所望の設計に応じて、種種に変更可能である。
【００３６】
（第３実施形態）
以下、上記実施形態の有機能動装置を備えた電子機器の例について説明する。
図６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６において、符号１０００は携帯電話本体を示しており、また、符号１００１は表示部を示しており、この携帯電話本体１０００においては、先に記載した有機能動装置が具備されている。
【００３７】
図７は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図７において、符号１１００は時計本体を示しており、また、符号１１０１は表示部を示しており、この時計本体１１００においては、先に記載した有機能動装置が具備されている。
【００３８】
図８は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は表示部を示している。この情報処理装置本体１２０４においては、先に記載した有機能動装置が具備されている。
【００３９】
図６から図８に示す電子機器は、いずれも上記実施形態の有機能動装置を備えているので、長寿命の電子機器を提供することが可能となる。
【００４０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に示した有機能動装置の模式平面図。
【図２】本発明の第１実施形態に示した有機能動装置の模式断面図。
【図３】本発明の第１実施形態に示した有機能動装置の要部の断面図。
【図４】有機能動素子の一例として挙げた分子単電子トランジスタの模式図。
【図５】本発明の第２実施形態に示した有機能動装置の模式断面図。
【図６】本実施形態の有機能動装置を備えた電子機器の一例を示す図。
【図７】本実施形態の有機能動装置を備えた電子機器の一例を示す図。
【図８】本実施形態の有機能動装置を備えた電子機器の一例を示す図。
【符号の説明】
１、２ 有機能動装置、１０ 基板（第１基板）、１１ 有機能動素子、１２ 保護部材（第２基板）、１３ シール部材（保護部材）、１６ 空間、１７ ギャップ材、２０ 凹部

Claims (11)

1. 有機能動素子が形成された第１基板と、
   前記第１基板における前記有機能動素子が形成された面に対向して配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間の少なくとも前記有機能動素子を含む空間を密閉状態に保持する保持部材と、
   を具備することを特徴とする有機能動素子のパッシベーション。
2. 前記保持部材は、前記第１基板と前記第２基板との間であって前記第２基板の外周部分に対応して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機能動素子のパッシベーション。
3. 有機能動素子が形成された第１基板と、
   前記第１基板における前記有機能動素子が形成された面のうち少なくとも前記有機能動素子が形成された領域に対向して配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間の空間を密閉状態に保持する保持部材と、
   を具備することを特徴とする有機能動素子のパッシベーション。
4. 凹部を備えると共に当該凹部内に有機能動素子が形成された第１基板と、
   前記凹部に対向して配置された第２基板と、
   前記凹部内の少なくとも前記有機能動素子を含む空間を密閉状態に保持する保持部材と、
   を具備することを特徴とする有機能動素子のパッシベーション。
5. 前記保持部材には、前記空間を所定間隔に維持するギャップ材が含まれていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有機能動素子のパッシベーション。
6. 前記空間内には不活性ガスが充填されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の有機能動素子のパッシベーション。
7. 前記空間内は真空雰囲気に保持されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の有機能動素子のパッシベーション。
8. 前記空間内には乾燥剤又は脱酸素剤が配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の有機能動素子のパッシベーション。
9. 前記第１基板、前記第２基板及び前記保持部材のうち少なくともいずれかを被覆する保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の有機能動素子のパッシベーション。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の有機能動素子のパッシベーションを備えたことを特徴とする有機能動装置。
11. 請求項１０に記載の有機能動装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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