JP2004247306A - 電界放出素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リフトオフ法によってエミッタ50aを形成し、エミッタパターニングのための犠牲層60と、エミッタ物質との間にこれらの間の反応を防止する隔離層70とを形成する。隔離層70は、犠牲層60とエミッタ物質間の反応を防止して効果的なリフトオフを図る。したがって、高輝度と全体的に均一な発光分布を示すことはもとより、電界放出部分での欠陥のない電界放出素子が得られる電界放出素子の製造方法である。
【選択図】 図2
Description
20 カソード電極、
30 ゲート絶縁層、
30a 井戸型貫通孔、
40 ゲート電極、
40a ゲートホール、
50a エミッタ、
60 犠牲層、
70 隔離層。
Claims (11)
- a)基板にカソード電極が形成され、前記カソード電極上にはカソード電極を一部露出させる貫通孔を有するゲート絶縁層及び前記貫通孔に対応するゲートホールを有するゲート電極が順次に積層されている基板構造物を準備する段階と、
b)前記基板構造物で前記貫通孔の下部に露出された前記カソード電極を除いて基板構造物の表面及び前記貫通孔の内壁の全体に犠牲層を形成する段階と、
c)前記犠牲層上に前記ゲート電極上にエミッタを形成するための電子放出物質と前記犠牲層との接触を防止するための隔離層を形成する段階と、
d)前記犠牲層が形成された基板構造物の表面に電子放出物質を所定厚さに塗布して前記貫通孔を前記電子放出物質で埋め込む電子放出物質層を形成する段階と、
e)ゲート電極の表面と前記貫通孔の内壁に形成された前記犠牲層を除去するエッチャントによるリフトオフを実施して犠牲層上に形成される隔離層及び電子放出物質を除去し、前記貫通孔の内側領域に前記電子放出物質層によるエミッタを形成する段階と、
f)前記電子エミッタを焼成する段階と、を含むことを特徴とする電界放出素子の製造方法。 - 前記電子放出物質でカーボンナノチューブ及びナノ粒子のうち何れか1つを使用することを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記電子放出物質層に導電性物質を含ませることを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記導電性物質は銀(Ag)を含むことを特徴とする請求項3に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記隔離層に抵抗性物質を含ませることを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記抵抗性物質は、SiO2、MgO、a−Si、p−Siのうち少なくとも何れか1つを含むことを特徴とする請求項5に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記隔離層はペースト、ゾルゲル、そして、スラリー溶液のうち何れか1つで形成することを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記電子放出物質層は伝導性物質を含むものであって、ペースト、ゾルゲル、そして、スラリーのうち何れか1つで形成することを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記伝導性物質は銀(Ag)であることを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記電子放出物質層及び犠牲層にフォトレジストが含まれていることを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の製造方法。
- 前記隔離層は、IPA希釈液(IPA/H2O)にポリビニルアルコールを含有する溶液によって形成することを特徴とする請求項1に記載の
電界放出素子の製造方法。
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