JP2004242331A - モノリシック光学読出し回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】近接センサの助けによって携帯電話の受話口および拡声器の音の大きさ制御を実現するための回路と方法が提供される。この近接センサは、赤外線光電保護回路として実現され、非常に限られた外部部品のみ必要とされる。新規なものとして、必要な光検出器が単一のチップ上に組み込まれている。単一IC内に、他の回路素子と一緒にフォトダイオードを構成すると、はるかに費用が少なくなる。このような解決策の利点を用いると、本発明の回路が標準的なCMOS技術によって、かつ非常に限られた外部的なディスクリート構成要素を使用するだけで製造される。このような解決策によって電力消費と製造費用も低減する。
【選択図】図2
Description
米国特許第5,822,099号(Takamatsuに対する)には、赤外線などの光を用いる光通信システムが説明されているが、それは携帯用機器の運用寿命を延長するために、また他の空間光通信動作に影響を与える干渉および障害を低減するために光通信に必要な電力消費を小さくするものである。第1の送信/受信装置の送信部分における発光要素は、発光駆動制御回路によって発光が制御され、かつその発光強度が発光駆動制御回路中の発光強度調整回路によって調整される。第2の送信/受信装置の受信部分の受光要素における受光強度は、光信号受信処理回路中の受光強度検出回路によって検出されて、第1の送信/受信装置の受信部分が受信するために、送信駆動制御回路および送信部分を介して送出される。受光強度の情報は、受信処理回路によって取り出されて、発光強度調整回路に供給される。発光強度調整回路は、受光強度の情報に応答して、安定的な光通信を可能にするのに必要な最小値である発光強度に発光要素を調整する。
本発明のさらなる他の目的は、光検出かつ効果的な構成要素におけるエージングとドリフトの効果を排除することである。
本発明のさらに他の目的は、固有で適切な設計特徴を実現することによって回路の電力消費を減少させることである。
また本発明の1つの目的は、低費用のCMOS技術で回路をモノリシック集積回路として実装することによって製造費用を低減することである。
図1Bを参照すると、本発明による光検出器回路が図示されている。フォトダイオード(アイテム120)と呼ぶ光子検知素子が、リセット(アイテム125)と称するスイッチング素子を介して、接地(VSS)とは反対方向で電源電圧VDに接続され、次いで、電圧はポイント122から電界効果トランジスタFET(アイテム130)のゲートに供給されるが、このFETは、一方の側が電源電圧VDDに接続され、かつ他方の側が駆動電流(電流源)(アイテム140)に接続されており、この電流源それ自体は大地電位に接続する。この電圧信号Voutは、フォトダイオードが照射される光強度(アイテム110)に(一般的には非線形に)比例する。したがって、FET130と電流源140の組合せによって、図1Aの従来技術において使用された演算増幅器が、そのフィードバック回路網と一緒に効果的に置き換えられ、したがって図1Aの従来技術の抵抗器RとコンデンサCの必要性が排除される。これは必要なチップ面積を小さくする。次いで、ポイント135における前記電圧信号Voutが、最終出力信号(アイテム160)を送出する制御部(アイテム150)と称する回路ブロックに供給される。光子検知素子を回路(アイテム100)に組み込む利点は多岐にわたる。すなわち、パッド/ピンによる寄生容量が導入されず、必要な全チップ面積が小さくなり、1つのフォトダイオード/複数のフォトダイオード自体のダイ面積が小さくなり、後にさらに詳細に説明する温度ドリフトと明/暗電流の補償を効果的に実現できる(図5に対する説明を参照されたい)。
ここで、本発明の好ましい実施形態としてモノリシック集積回路500の組立体を示す図4を参照すると、デジタル/アナログ変換器(DAC)540とプログラマブル・ゲート・アレイ(PGA)545に、その制御チャンネルを介して接続する組込み光検出器510を見出すが、このPGA側は、プログラマブルフィルタ555並びに閾値セットアップおよびオフセット較正ブロック560に接続する。後者はDACにも結線されている。プログラマブルフィルタ555は、その信号を、インターフェイスブロック575と一緒に動作する検出ブロック565に供給し、次ぎにこのインターフェイスブロックは、パッドTX LEDを介して外部発フォトダイオード520(これは電源電圧VDDにも接続する)を駆動するためのドライバ570に制御信号を送出する。インターフェイスブロック575はまた、前記閾値セットアップおよび較正ブロック560に接続する。インターフェイスブロック575は、クロック回線590およびデータ回線595に外部接続する。集積回路500は、内部発振器および基準回路ブロック550にさらに接続し、このブロックは接地(VSS)に接続する1つの外部コンデンサ530を使用する。このチップには2つの追加パッドが必要であるが、一方は電源電圧(VDD)用(アイテム580)であり、他方は接地(VSS)用(アイテム585)である。理解されるように、外部構成要素はほとんど必要がなく、好ましくは赤外線(IR)フォトダイオードからなる光検出器を含む集積回路を1個のCMOSチップ上に完全なシステムとして組み込むことができる。この回路は、身体から反射され、かつオン・チップ・センサによって検出される高周波数(例えば、30kHz)のIR光線のパルスを送信する。このセンサは、システム内の電気的オフセットを除去し、かつ周辺光条件も補正するためのプログラム可能な較正機能を有する。LED電流も約5ミリアンペアと30ミリアンペアの間でプログラム可能である。
携帯電話とコンピュータのデータリンク、
コンピュータ間のデータリンク、
コンピュータと周辺機器間のデータリンク、
コンピュータとテレビ受像器間のデータリンク、
例えば追加的な電力調整を持つ全てのものに対する任意のデータリンク、
例えば光複写機における放射(光)強度測定、
任意の可視または不可視放射強度の測定、
例えば紙の色補正のために、プリンタにおける反射光測定、
例えば実験室操縦機器における位置検出システム、
可視および不可視光スペクトルによるあらゆる反射光測定。
好ましい実施形態を具体的に示しかつそれを参照して本発明を説明しきたが、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく形態および細部に様々な変更がなされ得ることが当業者には理解されよう。
120 フォトダイオード
130 電界効果トランジスタ(FET)
140 電流源
145 光増幅器
150 制御回路
155 制御回路
165 LED−ドライバ
310 拡声器
320 増幅器
350 フォトダイオード
400 制御システム
500 モノリシック集積回路
510 光検出器
520 外部発フォトダイオード
545 プログラマブル・ゲート・アレイ(PGA)
550 発振器および基準回路ブロック
555 プログラマブルフィルタ
560 閾値セットアップおよびオフセット較正ブロック
565 検出ブロック
570 LEDドライバ
575 インターフェイスブロック
650 差動増幅器
660 信号処理回路(制御部)
Claims (92)
- 光近接検知方法の利用によって使用者に対し不快かつ有害な音の大きさレベルを回避するような方式で、携帯電話の受話口の音の大きさ制御を実現する方法であって、光子発生素子と、拡声器システムの音の大きさ制御のためにも使用される共通の制御手段を備えた光子検知素子とからなり、
前記受話口の前記拡声器システム、前記光子発生素子、前記光子検知素子、および前記共通の制御手段を設けるステップと、
前記音声を発生する拡声器システムの駆動を開始し、かつ前記共通の制御手段内で安全な閾値音声レベルを確立するステップと、
主光子源として前記光子発生素子をセットアップしかつ駆動するステップと、
2つの異なる光チャンネルにおいて2つの異なる光子検知素子を確立しかつ駆動するステップと、
前記2つの異なる光チャンネルに光入力信号を比較することによって反射表面からの距離を測定するステップと、
望ましくない副作用を考慮して前記光入力信号を評価し、よって前記望ましくない副作用を効果的に補償するステップと、
前記確立された安全音声レベルの閾値の対応する等価値と前記測定された距離を比較するステップと、
前記共通の制御手段内において実施され、主目的を持つプログラム論理に従って、距離が小さければ、即ち電話器が耳に近ければ音の大きさを下げるように決定するステップと、
前記決定の結果に従って、出力信号を発生し、よって不快かつ有害な音の大きさレベルを回避するステップと、を含む方法。 - 主光子源として前記光子発生素子を前記セットアップしかつ駆動するステップは、パルスによって前記光子源を駆動するステップとして実施される、請求項1に記載の方法。
- 2つの異なる光チャンネルにおいて2つの異なる光子検知素子を確立しかつ駆動する前記ステップは、温度ドリフト効果および周辺光効果などに対処するために用いられ、さらに前記異なる光チャンネルに対する駆動信号は同期されたパルスである、請求項1に記載の方法。
- 前記光子発生素子が発フォトダイオード(LED)として実装される、請求項1に記載の方法。
- 前記光子検知素子はフォトダイオードとして実装される、請求項1に記載の方法。
- 前記2つの光チャンネルと前記光出力信号を比較することによって反射表面からの距離を測定する前記ステップは、前記光子発生素子が動作している(ON/明)期間および前記光子発生素子が動作していない(OFF/暗)期間からの前記光入力信号を比較するステップとして実現される、請求項1に記載の方法。
- 前記反射表面は使用者の頭である、請求項1に記載の方法。
- 前記望ましくない副作用には、温度および/またはエージングのドリフトおよび/または周辺光の効果が含まれる、請求項1に記載の方法。
- 光近接検知方法の利用によって使用者のために不快かつ有害な音の大きさレベルを回避する方式において電話器または同様物の受話口の音の大きさを制御できる回路であって、
光子制御入力を有する光子発生手段と、
光子信号出力を有する前記光子検知手段と、
フォノン信号とフォノン制御入力を有するフォノン発生手段と、を備え、
物体から反射された前記光子の強度測定が前記光近接検知方法を確立し、よって回路から物体までの距離を測定しかつそれに比例する距離出力信号を前記光子信号出力において発生し、
前記フォノン信号入力は、フォノンのエネルギーと強度が前記距離出力信号に基づいて制御されるような方式で、フォノンと光子を共通に制御する幾つかの手段により前記フォノン制御入力に供給されるフォノン制御信号により追加的に制御される外部情報信号を受け取り、
前記フォノンと光子の共通の制御手段は前記光子発生手段を制御し、前記光子検知手段と前記フォノン発生手段は、フォノンと光子の両方の制御入力並びにフォノンと光子の両方の制御出力を有し、使用者のために不快かつ有害な音の大きさレベルを回避するような方式で、前記フォノン制御入力は前記フォノン発生手段から適切に供給され、前記光子制御入力は前記光子検知手段から供給され、そして前記光子制御出力は前記光子発生手段から供給され、前記フォノン制御出力は前記フォノン発生手段から適切に供給されることを特徴とする、回路。 - 前記光子発生手段は発フォトダイオード(LED)である、請求項9に記載の回路。
- 前記光子発生手段はドライバを含む、請求項9に記載の回路。
- 前記光子検知手段はフォトダイオードである、請求項9に記載の回路。
- 前記光子検知手段は受光回路を含む、請求項9に記載の回路。
- 前記フォノン発生手段は受話口における拡声器である、請求項9に記載の回路。
- 前記フォノン発生手段は増幅器を含む、請求項9に記載の回路。
- 前記共通の制御手段は集積制御回路である、請求項9に記載の回路。
- モノリシック集積回路技術で製造される、請求項9に記載の回路。
- 前記物体は電話器の使用者の頭である、請求項9に記載の回路。
- モノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項17に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と共にNウェル技術で製造される、請求項18に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と共にPウェル技術で製造される、請求項18に記載の回路。
- 電源電圧および接地接続用の端子と同様に光入力機構と出力端子を有する、光子を検出および検知しかつ適切な出力信号を発生できる回路であって、
電界効果トランジスタのゲート入力とスイッチング素子のひとつの接点の両方に接続されたフォトダイオードと、前記スイッチング素子はまた前記電源電圧に接続され、
前記電源電圧とドレイン入力で接続され、かつ電流源と制御回路の両方にソース入力で接続されている電界効果トランジスタと、
接地されている前記電流源と、
前記回路の前記適切な出力信号を生成する前記制御回路と、
を備える回路。 - 携帯電話とコンピュータのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- コンピュータ間のデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- コンピュータと周辺機器間のデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- コンピュータとテレビ受像器とのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- 追加的な電力調整機能とのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- 放射強度測定システムを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- 反射光測定システムを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路
- 位置検出システムを実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- 可視または不可視光スペクトルによる反射光の測定を実現する本質的な部分を表している、請求項22に記載の回路。
- モノリシック集積回路技術で製造される、請求項22に記載の回路。
- モノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項32に記載の回路。
- 追加的なディープNウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項33に記載の回路。
- 追加的なディープPウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項33に記載の回路。
- 追加的なトリプルウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項33に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にNウェル技術で製造される、請求項33に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にPウェル技術で製造される、請求項33に記載の回路。
- 電源電圧および接地接続用の端子と同様に光入力機構と出力端子を有する、光子を検出および検知しかつ適切な出力信号を発生できる、単一チップ上に形成された集積回路として製造される回路であって、
電界効果トランジスタのゲート入力とスイッチング素子のひとつの接点の両方に接続されたフォトダイオードと、
また前記電源電圧に接続された前記スイッチング素子と、
前記電源電圧へドレイン入力が接続され、かつ電流源と制御回路の両方にソース入力が接続されている前記電界効果トランジスタと、
さらに接地されている前記電流源と、
回路の前記適切な出力信号を生成する前記制御回路と、
を備えた回路。 - 携帯電話とコンピュータとのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- コンピュータ間のデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- コンピュータと周辺機器とのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- コンピュータとテレビ受像器とのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- 追加的な電力調整機能とのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- 放射強度測定システムを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- 反射光測定を実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- 位置検出システムを実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- 可視または不可視光スペクトルによる反射光の測定を実現する本質的な部分を表している、請求項39に記載の回路。
- モノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項39に記載の回路。
- 追加的なディープNウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項49に記載の回路。
- 追加的なディープPウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項49に記載の回路。
- 追加的なトリプルウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項49に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にNウェル技術で製造される、請求項49に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にPウェル技術で製造される、請求項49に記載の回路。
- 電源電圧および接地接続用の端子と同様に光入力機構と出力端子を有する、光子を検出および検知しかつ適切な出力信号を発生できる回路であって、
接地されたアノード端子と、電解効果トランジスタのゲート入力と単極スイッチのひとつの接点の両方に接続されたカソード端子とを有するフォトダイオードと、
それぞれの側に単一接点を有する前記単極スイッチを有し、そこから前記ひとつの接点が電源電圧の前記端子のひとつに接続され、かつ前記スイッチの他方側の前記接点が、前記フォトダイオードの前記カソードと前記電界効果トランジスタの前記ゲート入力の両方に接続されているスイッチング素子と、
前記ゲート入力並びにドレインおよびソース接続を有し、前記ドレイン接続が電源電圧の前記端子の一方に配線され、かつ前記ソース接続は電流源のひとつの端子に接続され、そして前記ゲート入力は前記カソードおよびスイッチ接点接続ポイントに接続された前記電界効果トランジスタと、
2つの端子を有しかつ前記電界効果トランジスタを駆動し、そこから前記一方の端子は接地され、かつ前記他方の端子は、前記電界効果トランジスタの前記ソース接続と制御回路の入力端子の両方に接続され、よって中間出力電圧信号を送出する、前記電流源と、
前記入力端子と、出力端子と、前記入力および出力用の共通接地端子を有する3極回路の形態であり、前記電界効果トランジスタから送出された前記中間出力電圧信号を処理し、よって回路の前記適切な出力信号を生成する、前記制御回路と、
を備えた回路。 - モノリシック集積回路技術で製造される、請求項55に記載の回路。
- モノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項56に記載の回路。
- 追加的なディープNウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項57に記載の回路。
- 追加的なディープPウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項57に記載の回路。
- 追加的なトリプルウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項57に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にNウェル技術で製造される、請求項57に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にPウェル技術で製造される、請求項57に記載の回路。
- 電源電圧および接地接続用の端子と同様に光入力機構と出力端子を有し、光子を検出および検知しかつ適切な出力信号を発生できる、単一チップ上に形成された集積回路として製造される回路であって、
接地されたアノード端子と、電解効果トランジスタのゲート入力と単極スイッチのひとつの接点の両方に接続されたカソード端子とを有するフォトダイオードと、
それぞれの側に単一接点を有する前記ひとつの単極スイッチを有し、そこから前記ひとつの接点が電源電圧の前記端子のひとつに接続され、かつ前記スイッチの他方側で前記接点は、前記フォトダイオードの前記カソードと前記電界効果トランジスタの前記ゲート入力の両方に接続されている、スイッチング素子と、
前記ゲート入力並びにドレインおよびソース接続を有し、前記ドレイン接続が電源電圧の前記端子のひとつに配線され、かつ前記ソース接続が電流源のひとつの端子に接続され、そして前記ゲート入力が前記カソードおよびスイッチ接点接続ポイントに接続されている、前記電界効果トランジスタと、
2つの端子を有しかつ前記電界効果トランジスタを駆動し、そこから前記一方の端子が接地され、かつ前記他方の端子が前記電界効果トランジスタの前記ソース接続と制御回路の入力端子の両方に接続され、よって中間出力電圧信号を送出する、前記電流源と、
前記入力端子と、出力端子と、前記入力および出力用の共通端子とを有する3極回路の形態にあり、前記電界効果トランジスタから送出された前記中間出力電圧信号を処理し、よって回路の前記適切な出力信号を生成するための前記制御回路と、
を備える回路 - モノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項63に記載の回路。
- 追加的なディープNウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項64に記載の回路。
- 追加的なディープPウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項64に記載の回路。
- 追加的なトリプルウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項64に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にPウェル技術で製造される、請求項64に記載の回路。
- 温度変化、ドリフト、エージング、および周辺光の影響などを考慮して光子を検出および検知でき、回路の適正に補正された出力信号を生成し、かつ電源電圧および接地接続続用の端子と同様に光入力機構および出力端子を有する回路であって、
一方の組が明モードにかつ他方の組は暗モードで相互に並行して動作する2組の基本的な光検出回路を備え、各組は、
電界効果トランジスタのゲート入力とスイッチング素子のひとつの接点の両方に接続されたフォトダイオードと、
前記電源電圧にまた接続されている前記スイッチング素子と、
ドレイン入力が前記電源電圧に接続され、かつソース入力が電流源と増幅器入力の両方に接続された前記電界効果トランジスタと、
接地されている前記電流源と、
両方の組に共通に使用され、よって増幅器の入力と出力の2つを有する共通の差動増幅器と、を備え、
さらに、前記演算増幅器の前記出力から送出された信号を処理し、よって前記回路の適切に補正された信号を生成する共通の制御回路と、を備える回路。 - 携帯電話とコンピュータとのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- コンピュータ間のデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- コンピュータと周辺機器間のデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- コンピュータとテレビ受像器間のデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- 追加的な電力調整機能とのデータリンクを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- 放射強度測定システムを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- 反射光測定を実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- 位置検出システムを実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- 可視または不可視光スペクトルによる反射光の測定を実現する本質的な部分を表している、請求項69に記載の回路。
- モノリシック集積技術で製造される、請求項69に記載の回路。
- モノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項79に記載の回路。
- 追加的なディープNウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項80に記載の回路。
- 追加的なディープPウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項80に記載の回路。
- 追加的なトリプルウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項80に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にNウェル技術で製造される、請求項80に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にPウェル技術で製造される、請求項80に記載の回路。
- 温度変化、ドリフト、エージング、および周辺光の影響などを考慮して光子を検出および検知可能であり、したがって回路の適正に補正された出力信号を生成し、かつ電源電圧および接地接続用の端子と同様に光入力機構および出力端子を有し、単一のチップ上に形成された集積回路として製造された回路であって、
一方の組が明モードにかつ他方が暗モードで相互に並行して動作する2組の基本的な光検出回路を含み、各組は、
電界効果トランジスタのゲート入力とスイッチング素子のひとつの接点の両方に接続されたフォトダイオードと、
前記電源電圧にも接続されている前記スイッチング素子と、
ドレイン入力が前記電源電圧に接続され、かつソース入力が電流源と増幅器入力の両方に接続された前記電界効果トランジスタと、
接地されている前記電流源と、
両方の組に共通に使用され、よって前記増幅器の入力と出力の2つを有する共通の差動増幅器と、を備え、さらに、
前記演算増幅器の前記出力から送出された信号を処理し、よって前記回路の適切に補正された信号を生成する共通の制御回路と、を備える回路。 - モノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項86に記載の回路。
- 追加的なディープNウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項87に記載の回路。
- 追加的なディープPウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS回路技術で製造される、請求項87に記載の回路。
- 追加的なトリプルウェル技術特徴を備えるモノリシック集積CMOS技術で製造される、請求項87に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にNウェル技術で製造される、請求項87に記載の回路。
- 前記光子検知手段は、幾つかの種類の保護環と一緒にPウェル技術で製造される、請求項87に記載の回路。
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