JP2004228222A

JP2004228222A - レーザ装置

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Publication number: JP2004228222A
Application number: JP2003012433A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nishimura; 和夫西村; Yosuke Toyofuku; 洋介豊福; Yoshinori Ejima; 義紀江島; Masaki Kondo; 昌樹近藤; Atsushi Sogami; 淳曽我美; Masaichiro Tachikawa; 雅一郎立川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-01-21
Filing date: 2003-01-21
Publication date: 2004-08-12
Anticipated expiration: 2023-01-21
Also published as: JP4197435B2

Abstract

【課題】入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子（過飽和吸収体２３）を備えたレーザ装置に対して、その光学素子から出力される出力レーザ光の強度を出来る限り安定させる。
【解決手段】光学素子（過飽和吸収体２３）に対する入力レーザ光の照射位置を、該入力レーザ光の照射により劣化していない部分に移動させる移動手段（コントローラ５５及び可動ステージ５６）を設ける。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ発生装置やレーザ加工装置等のレーザ装置に関し、特に、過飽和吸収体等のように、入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子を備えたものの技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ピコ秒やフェムト秒といった非常に短いパルス幅を持つ超短パルスレーザ光を用いて被加工物を加工するレーザ加工技術に注目が集まっている。このような超短パルスレーザ光を用いた加工は、一般に、アブレーション加工と呼ばれており、他のレーザ加工方法による熱加工とは加工メカニズムが大きく異なる。
すなわち、アブレーション加工では、繰り返し周波数を適切な値に設定することにより、被加工物に熱を与えずに物質の表層だけを切削する、所謂コールドマシーニングが可能であり、これにより、エネルギー効率が良く、加工周囲への熱影響が小さいといった効果が得られる。
【０００３】
上記のような超短パルスレーザ光を発生させるために、レーザ光を発振生成するレーザ発生部に、過飽和吸収体（ＳＥＳＡＭ；ＳＥｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓａｔｕｒａｂｌｅＡｂｓｏｒｂｅｒＭｉｒｒｏｒ）が用いられている（例えば、特許文献１参照）。この過飽和吸収体は、入力レーザ光の強度が所定の閾値以上であるときには、その入力レーザ光を反射又は透過させて出力レーザ光として出力する一方、上記閾値よりも小さいときには、入力レーザ光を吸収するという機能を有しており、この過飽和吸収体の機能により超短パルスレーザ光を容易に発生させることができるようになる。
【０００４】
【特許文献１】
特表平１１−５０５３７０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記超短パルスレーザ光の１パルス当たりのパワーはギガワットやテラワットという極めて高いレベルに達するため、超短パルスレーザ光を長時間に亘って連続的に発生させるようにすると、上記過飽和吸収体において入力レーザ光により照射された部分がダメージを受けて徐々に劣化し、これにより、過飽和吸収体から出力される出力レーザ光の強度やレーザ品質が徐々に低下して、しまいには、レーザ加工装置として用いている場合には、加工精度がばらついたり加工不良が生じたりする。このような加工精度のばらつき等は、従来、ダストやレーザ発振部でのアライメントのずれ等といった外部要因が原因であると考えられていたため、このような過飽和吸収体の劣化に対する対策は何等とられてこなかった。
【０００６】
また、上記のように入力レーザ光により照射された部分が劣化する現象は、過飽和吸収体において顕著であるが、レーザ光のパワーが更に大きくなると、波長変換素子や回折光学素子等の光学素子においても生じ、そのような光学素子から出力される出力レーザ光の強度の低下を招くという問題がある。
【０００７】
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、過飽和吸収体を初め、波長変換素子や回折光学素子等のように、入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子を備えたレーザ装置に対して、その構成に工夫を凝らすことによって、その光学素子から出力される出力レーザ光の強度を出来る限り安定させようとすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１の発明では、レーザ装置として、入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子と、上記光学素子に対する入力レーザ光の照射位置を、該入力レーザ光の照射により劣化していない部分に移動させる移動手段とを備えるようにした。
【０００９】
上記の構成により、光学素子において入力レーザ光により照射された部分が劣化しても、移動手段により、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置を、入力レーザ光の照射により劣化していない部分（過去に照射されたことが全くない部分や、過去に照射されたことがあっても、劣化していないと判断される部分）に移動させることができ、光学素子から出力される出力レーザ光の強度を、劣化していないときと略同じ値に復帰させることができる。よって、出力レーザ光の強度やレーザ品質を安定させることができる。
【００１０】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、該光学素子を移動させることで行うように構成されているものとする。
【００１１】
このことにより、１軸又は２軸ステージ等により光学素子を移動させることで、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を容易に行うことができる。
【００１２】
請求項３の発明では、請求項１の発明において、移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、該光学素子に対する入力レーザ光の光軸を移動させることで行うように構成されているものとする。
【００１３】
このことで、光学素子に対する入力レーザ光の光軸を、レンズや反射鏡の駆動等によって移動させることで、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を容易に行うことができる。
【００１４】
請求項４の発明では、請求項１〜３のいずれか１つの発明において、移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、連続的又は周期的に行うように構成されているものとする。
【００１５】
こうすることで、照射位置の移動を連続的に行えば、出力レーザ光の強度を高レベルに安定させることができるとともに、周期的に行っても、その周期を適切な値に設定することで、出力レーザ光の強度が加工精度等に問題が生じるところまで低下するのを防止することができる。
【００１６】
請求項５の発明では、請求項１〜３のいずれか１つの発明において、移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、レーザ発振開始時から所定時間経過後に行うように構成されているものとする。
【００１７】
すなわち、レーザ発振開始直後はＱスイッチ発振（緩和発振）により、その後の安定発振時よりも数倍大きなパワーを有するレーザ光が光学素子に入力されるので、レーザ発振開始直後に光学素子がダメージを受け易く、このため、安定発振時には、既に照射部分が劣化していて出力レーザ光の強度が低下している可能性がある。したがって、レーザ発振開始から所定時間（数ｍｓ程度）経過後に照射位置の移動を行えば、出力レーザ光の強度を安定させることができる。
【００１８】
請求項６の発明では、請求項１〜３のいずれか１つの発明において、光学素子から出力される出力レーザ光の強度を検出する強度検出手段を備え、移動手段は、上記強度検出手段により検出された出力レーザ光の強度が所定強度よりも小さくなったときに、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うように構成されているものとする。
【００１９】
このことで、出力レーザ光の強度のフィードバック制御により、該強度を所定強度以上に安定維持させることができる。
【００２０】
請求項７の発明では、請求項６の発明において、出力レーザ光の強度の初期値の９０％であるものとする。
【００２１】
このことにより、出力レーザ光の強度を初期値（劣化していないときの値）の９０％以上とすることで、特に加工精度を安定させることができ、レーザ加工装置として用いる場合に有効となる。
【００２２】
請求項８の発明では、請求項１〜３のいずれか１つの発明において、パルスレーザ光を生成して出力するレーザ発生部を備え、光学素子は、上記レーザ発生部に配設されており、上記パルスレーザ光においてノイズパルスの主パルスに対す強度比を検出する強度比検出手段を備え、移動手段は、上記強度比検出手段により検出された強度比が所定値よりも大きくなったときに、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うように構成されているものとする。
【００２３】
すなわち、レーザ発生部に配設された光学素子において入力レーザ光により照射された部分が劣化すると、レーザ発生部から出力されるパルスレーザ光は、主パルスの他にノイズパルスを含むようになる。特に光学素子が過飽和吸収体である場合には、主パルスの直前にプリパルスというノイズパルスが発生する。このようなノイズパルスは、加工部分の表面に多数の微少穴（凹部）を発生させる要因となる。しかし、この発明では、ノイズパルスの強度を、微少穴を発生させない程度に小さく抑えることができ、加工品質を良好に維持することができる。
【００２４】
請求項９の発明では、請求項８の発明において、所定値は、２％であるものとする。こうすることで、加工部分の表面に微少穴を発生させないで、良好な加工品質が確実に得られる。
【００２５】
請求項１０の発明では、請求項１〜９のいずれか１つの発明において、ピコ秒パルスレーザ光を生成して出力するレーザ発生部を備えているものとする。
【００２６】
このことで、アブレーション加工により効率良く加工を行うことができる一方、このような超短パルスレーザ光のパワーは極めて高いので、そのパルスレーザ光が入力された光学素子は、照射された部分が劣化し易く、劣化すると加工精度がばらついたり加工不良が生じたりする。しかし、この発明では、照射された部分が劣化しても、移動手段により、劣化していない部分に移動させることができるので、加工精度のばらつきや加工不良の発生を抑制することができる。よって、請求項１の発明の作用効果を有効に発揮させることができる。
【００２７】
請求項１１の発明では、請求項１〜１０のいずれか１つの発明において、光学素子は、過飽和吸収体であるものとする。
【００２８】
すなわち、過飽和吸収体は、入力レーザ光により照射された部分が非常に劣化し易く、劣化すると出力レーザ光の強度がかなり低下して加工精度のばらつき等が生じ易くなる。しかし、この発明では、照射された部分が劣化しても、移動手段により、劣化していない部分に移動させることができるので、加工精度のばらつき等を確実に抑制することができる。よって、請求項１の発明の作用効果を有効に発揮させることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明の実施形態に係るレーザ装置としてのレーザ加工装置Ａを示し、このレーザ加工装置Ａは、超短パルス幅のレーザ光（ピコ秒パルスレーザ光）を出力するレーザ発生部１を備えている。このレーザ光のパルス幅は、加工精度等の観点から、１ｐｓ以上１００ｐｓ以下であることが好ましい。
【００３０】
上記レーザ加工装置Ａは、レーザ発生部１以外に、レーザ光の向きを変える２つの反射鏡２，３と、レーザ光の透過及び遮断を制御するシャッター４と、ビームスプリッタ５ａ及び波長板５ｂからなり、レーザ光の強度を調整するアテネータ５と、複数のレンズからなりレーザ光のビーム径を拡大するビームエキスパンダ６と、偏向方向を調整する波長板７と、ＰＺＴを駆動源としてミラーの角度を変化させてレーザ光の反射方向を制御するスキャンミラー８と、入力レーザ光を複数（例えば４００）のレーザビームに分散して出力する回折光学素子９（回折格子）と、この回折光学素子９によって分散された各レーザビームが被加工物１１上で焦点を結ぶように集光するテレセントリックレンズ１０とを備えている。
【００３１】
上記レーザ加工装置Ａにおいて、レーザ発生部１から出力されたレーザ光（ピコ秒パルスレーザ光）は、反射鏡２によって反射されて向きを変えた後、シャッター４を通過して、アテネータ５により強度が調整され、続いて、別の反射鏡３によって反射されて向きを変えた後、ビームエキスパンダ６によりビーム径が拡大され、次いで、波長板７により偏向方向が調整された後、スキャンミラー８によって反射されて向きを変え、その後、回折光学素子９によって分散されて複数のレーザビームとなり、この各レーザビームがテレセントリックレンズ１０によって被加工物１１上に焦点を結ぶ。そして、上記スキャンミラー８を駆動することで、各レーザビームの被加工物に対する当接位置を変えて所望のパターンで加工を行う。
【００３２】
上記レーザ発生部１は、レーザ光を発振生成する発振部２０と、この発振部２０で生成されたレーザ光を増幅する増幅部３５と、上記発振部２０で生成されたレーザ光の強度を検出する強度検出部５０とからなっている。
【００３３】
上記発振部２０は、図２に示すように、ポンプレーザ２１、レーザ媒質２２、過飽和吸収体２３、パルスストレッチャー２４、３つの反射鏡２５，２６，２７、レンズ群２８、出力カプラー２９及び反射ミラー３０で構成されている。上記過飽和吸収体２３は、入力レーザ光の強度が所定の閾値以上であるときには、その入力レーザ光を反射又は透過させて出力レーザ光として出力する一方、上記閾値よりも小さいときには、入力レーザ光を吸収するという機能を有している。また、例えば、上記ポンプレーザ２１としては１Ｗ半導体レーザダイオードが、レーザ媒質２２としてはＮｄ：ＹＬＦロッドが、パルスストレッチャー２４としては溶融シリカエタロンがそれぞれ用いられる。この構成により、波長１０５３ｎｍ、周期８０ＭＨｚ。パルス幅１５ｐｓ、出力３５ｍＷのレーザ発振が得られ、このレーザ光が反射ミラー３０により反射されて増幅部３５へ向かうようになっている。
【００３４】
一方、上記増幅部３５は、図３に示すように、ポンプレーザ３６、レーザ媒質３７、ポッケルスセル３８、偏向板３９、２つの反射鏡４０，４１、２つのレンズ４２，４３及び出力カプラー４４で構成された再帰型のものである。そして、上記発振部２０で生成されたパルスレーザ光から、増幅部３５において、或る周波数でパルスを切り出して増幅し、これをレーザ発生部１から出力する。例えば、上記ポンプレーザ３６としては１６Ｗ半導体レーザダイオードが、レーザ媒質３７としてはＮｄ：ＹＬＦロッドが、偏向板３９としてはＴＦＰ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＰｏｌａｒｉｚｅｒ）がそれぞれ用いられる。上記ポッケルスセル３８と偏向板３９との組み合わせによって、上記発振部２０から入力されたレーザ光のうちの特定のパルスだけを増幅するようになっており、これにより、出力カプラー４４として９９％反射ミラーを通して増幅部３５（つまりレーザ発生部１）から例えば１Ｗのピコ秒パルスレーザ光が出力されることになる。尚、上記ポッケルスセル３８の動作周波数を例えば１ｋＨｚに設定すると、最終出力の繰り返し周波数が１ｋＨｚとなる。
【００３５】
また、上記強度検出部５０は、図２に示すように、フォトディテクター５１及びオシロスコープ５２で構成されている。このフォトディテクター５１は、上記発振部２０で生成されたレーザ光のうち上記反射ミラー３０を透過した一部を入力して、そのフォトンの数を計測して電気信号（電圧値）に変換するようになっている。また、上記オシロスコープ５２は、フォトディテクター５１から出力された電気信号を入力して波形として出力するようになっている。
【００３６】
上記オシロスコープ５２の出力は、該オシロスコープ５２と接続されたコントローラ５５に入力されるようなっている。このコントローラ５５は、上記レーザ発生部１における発振部２０に配設された過飽和吸収体２３を移動させるための可動ステージ５６を制御するものである。すなわち、過飽和吸収体２３は、該過飽和吸収体２３に入力される入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下するものであるが、この強度が上記フォトディテクター５１及びオシロスコープ５２により検出されて、コントローラ５５が、上記強度が所定強度よりも小さくなったと判断したときに、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うために可動ステージ５６を移動させる。上記所定強度は、出力レーザ光の強度の初期値（劣化していないときの値）の９０％であることが好ましい。
【００３７】
上記可動ステージ５６は、１軸のものであって、図４に示すように、過飽和吸収体２３の表面に沿った方向に移動することで、過飽和吸収体２３において入力レーザ光により照射された部分を、二点鎖線で示すように、入力レーザ光の照射により劣化していない部分（過去に照射されたことが全くない部分や、過去に照射されたことがあっても、劣化していないと判断される部分）に移動させるようになっている。尚、上記可動ステージ５６は、２軸のもの（ＸＹステージ）であってもよく、回転ステージであってもよい。
【００３８】
図５は、上記レーザ発生部１でレーザ光を発生させたときに、過飽和吸収体２３において入力レーザ光により照射された部分が劣化する前と劣化した後のオシロスコープ５２の出力波形を示す。このように入力レーザ光により照射された部分が劣化すると、主パルスの最大電圧が低下し、最終的にはＱスイッチモードロックとなる。
【００３９】
図６は、過飽和吸収体２３の或る照射位置（ｐｏｓｉｔｉｏｎ１，２）に対して照射開始からの経過日数とオシロスコープ５２の出力波形における主パルスの最大電圧との関係を示す。これによると、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置が同じ位置にあると、経過日数が大きくなるに連れて最大電圧が低下していくことが判る。そして、上記照射位置をｐｏｓｉｔｉｏｎ１からｐｏｓｉｔｉｏｎ２へと劣化していない部分に移動させると、最大電圧が初期値に復帰することが判る。つまり、過飽和吸収体２３から出力される出力レーザ光の強度が、劣化していないときと略同じ値に復帰する。
【００４０】
図７は、オシロスコープ５２の出力波形における主パルスの最大電圧と加工精度との関係を示す。この加工精度は、本レーザ加工装置Ａにより、図８に示すように、板材７１に、テーパ部７２ａとストレート部７２ｂ（直径２０μｍ）とからなる貫通孔７２を形成したときの該ストレート部７２ｂの孔径のばらつき（標準偏差σ）である。このことより、主パルスの最大電圧が低下しても初期値の９０％以上であれば、加工ばらつきは劣化する前と同等のレベルを維持できることが判る。尚、上記貫通孔７２の加工は、ミリング加工により行う。具体的には、或る径を出発として径を減少させながら中心に向かってらせん状に描くと所定深さの層が除去され、最外径を徐々に小さくしながら一層一層加工するとテーパ形状となり、テーパ部７２ａが得られる。そして、最後に所望の径で円周上に加工すると、ストレート部７２ｂが得られる。
【００４１】
上記実施形態において、入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子は、レーザ発生部１の発振部２０に配設された過飽和吸収体２３であり、コントローラ５５及び可動ステージ５６が、その光学素子（過飽和吸収体２３）に対する入力レーザ光の照射位置を、該入力レーザ光の照射により劣化していない部分に移動させる移動手段を構成することになる。また、強度検出部５０におけるフォトディテクター５１及びオシロスコープ５２が、上記光学素子から出力される出力レーザ光の強度を検出する強度検出手段を構成することになる。
【００４２】
したがって、上記実施形態では、過飽和吸収体２３から出力される出力レーザ光の強度を検出して、その強度が所定強度よりも小さくなったときに、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置を、入力レーザ光の照射により劣化していない部分に移動させるべく、可動ステージ５６により過飽和吸収体２３を移動させるようにしたので、過飽和吸収体２３において入力レーザ光により照射された部分が劣化して出力レーザ光の強度が低下しても、加工精度が低下する前に、出力レーザ光の強度を劣化していないときと略同じ値に復帰させることができる。よって、過飽和吸収体２３から出力される出力レーザ光、つまりレーザ発生部１から出力されるピコ秒パルスレーザ光の強度を安定させて、加工精度を高レベルに安定させることができる。
【００４３】
尚、上記実施形態では、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、可動ステージ５６により該過飽和吸収体２３を移動させることで行うようにしたが、例えば反射鏡２７（過飽和吸収体２３からの出力レーザ光をパルスストレッチャー２４に向けて反射させるとともに、パルスストレッチャー２４の側から戻ってきたレーザ光を反射させて、入力レーザ光として過飽和吸収体２３に入力させる役割を有している）の角度を変更して過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の光軸を移動させるようにしてもよい。
【００４４】
また、上記実施形態では、過飽和吸収体２３から出力される出力レーザ光の強度を検出して、その強度が所定強度よりも小さくなったときに、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うようにしたが、上記強度の検出は行わないで、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、連続的又は周期的（周期を、主パルスの最大電圧が初期値の９０％に低下するまでの時間以下に設定する）に行うようにしても、上記強度を安定維持させることができる。
【００４５】
さらに、過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、レーザ発振開始から所定時間（数ｍｓ程度）経過後に行うようにしてもよい。すなわち、図９に示すように、レーザ発振開始直後はＱスイッチ発振（緩和発振）により、その後の安定発振時よりも数倍大きなパワーを有するレーザ光が過飽和吸収体に入力されるので、レーザ発振開始直後に照射部分がダメージを受け易く、このため、安定発振時には、既に照射部分が劣化していて出力レーザ光の強度が低下している可能性がある。したがって、レーザ発振開始から所定時間経過後に照射位置の移動を行えば、レーザ発生部１から出力されるレーザ光の強度を安定させることができる。
【００４６】
また、過飽和吸収体２３から出力される出力レーザ光の強度を検出する代わりに、レーザ発生部１から出力されるレーザ光（ピコ秒パルスレーザ光）においてノイズパルスの主パルスに対する強度比を検出するようにしてもよい。具体的には、反射鏡２に入力されたレーザ光のうちの一部を透過させて、その透過光が、上記実施形態と同様のフォトディテクターに入力するように構成しておき、そのフォトディテクターの出力を上記実施形態と同様のオシロスコープに入力させ、そのオシロスコープの出力をコントローラ５５に入力させるようにする。そして、上記フォトディテクター及びオシロスコープによって、上記ノイズパルスの主パルスに対する強度比を検出するようにし、コントローラ５５が、その検出された強度比が所定値（２％であることが好ましい）よりも大きいと判断したときに、可動ステージ５６により過飽和吸収体２３の移動を行うようにする。すなわち、過飽和吸収体２３において入力レーザ光により照射された部分が劣化すると、図１０に示すように、レーザ発生部１から出力されるパルスレーザ光は、主パルスの他にノイズパルスを含むようになる。このノイズパルスは主パルスの直前に現れるため、プリパルスと呼ばれており、このノイズパルスの主パルスに対する強度比（つまりノイズパルスの最大電圧Ｖｆ／主パルスの最大電圧Ｖｓ）が２％よりも大きくなると、加工部分の表面（例えば図８に示す貫通孔７２の場合にはそのテーパ部７２ａの表面）に多数の微少穴（凹部）を生じさせる。しかし、上記のように強度比が所定値よりも大きいときに、可動ステージ５６により過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うようにすることで、ノイズパルスの強度を、微少穴を発生させない程度に小さく抑えることができ、加工品質を良好に維持することができる。この場合、上記フォトディテクター及びオシロスコープが、ノイズパルスの主パルスに対す強度比を検出する強度比検出手段を構成することになる。
【００４７】
図１１は、上記ノイズパルスの主パルスに対する強度比（Ｖｆ／Ｖｓ）と不正孔の発生率との関係を示す。この不正孔とは、図８に示す貫通孔７２を１５２個形成した場合においてテーパ部７２ａの表面に１つでも微少穴が生じた貫通孔７２のことであり、その不正穴の数の全体（１５２個）に対する割合を不正孔の発生率という。この結果、ノイズパルスの主パルスに対する強度比（Ｖｆ／Ｖｓ）が２％よりも大きくなると、全ての貫通孔７２のテーパ部７２ａの表面に微少穴が生じ、２％以下では微少穴が殆ど生じないことが判る。
【００４８】
加えて、上記実施形態では、レーザ発生部１の発振部２０に配設された過飽和吸収体２３が、入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子であるとして、その過飽和吸収体２３に対する入力レーザ光の照射位置を移動させるようにしたが、このような光学素子は、過飽和吸収体２３に限定されるものではなく、上記レーザ加工装置Ａにおいては回折光学素子９であってもよく、波長変換素子やフィルター等を用いるレーザ装置においては、該波長変換素子やフィルター等であってもよい。この場合、これら光学素子を、上記実施形態と同様に、可動ステージ５６により移動させたり、光学素子に対する入力レーザ光の光軸を移動させたりするようにすればよい。
【００４９】
また、本発明は、レーザ加工装置に限らず、どのようなレーザ装置にも適用することができるとともに、レーザ発生部１は、ピコ秒パルスレーザ光を出力するものに限らず、どのようなレーザ光を出力するものであってもよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレーザ装置によると、入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子と、上記光学素子に対する入力レーザ光の照射位置を、該入力レーザ光の照射により劣化していない部分に移動させる移動手段とを備えるようにしたことにより、出力レーザ光の強度やレーザ品質の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るレーザ装置としてのレーザ加工装置を示す概略構成図である。
【図２】レーザ発生部の発振部の詳細を示す構成図である。
【図３】レーザ発生部の増幅部の詳細を示す構成図である。
【図４】可動ステージによる過飽和吸収体の移動により入力レーザ光の照射位置が移動する様子を説明するための斜視図である。
【図５】過飽和吸収体において入力レーザ光により照射された部分が劣化する前と劣化した後のオシロスコープの出力波形を示す図である。
【図６】過飽和吸収体の或る照射位置（ｐｏｓｉｔｉｏｎ１，２）に対して照射開始からの経過日数とオシロスコープの出力波形における主パルスの最大電圧との関係を示すグラフである。
【図７】オシロスコープの出力波形における主パルスの最大電圧と加工精度との関係を示すグラフである。
【図８】レーザ加工装置により実際に加工した貫通孔の形状を示す板材の断面図である。
【図９】レーザ発振開始からのレーザパワーの変化を示す図である。
【図１０】オシロスコープの出力波形においてノイズパルスと主パルスとの関係を示す図である。
【図１１】ノイズパルスの主パルスに対する強度比（Ｖｆ／Ｖｓ）と不正孔の発生率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
Ａレーザ加工装置
１レーザ発生部
２３過飽和吸収体（光学素子）
５１フォトディテクター（強度検出手段）
５２オシロスコープ（強度検出手段）
５５コントローラ（移動手段）
５６可動ステージ（移動手段）

Claims

入力レーザ光により照射された部分が劣化することで少なくとも出力レーザ光の強度が低下する光学素子と、
上記光学素子に対する入力レーザ光の照射位置を、該入力レーザ光の照射により劣化していない部分に移動させる移動手段とを備えていることを特徴とするレーザ装置。
請求項１記載のレーザ装置において、
移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、該光学素子を移動させることで行うように構成されていることを特徴とするレーザ装置。
請求項１記載のレーザ装置において、
移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、該光学素子に対する入力レーザ光の光軸を移動させることで行うように構成されていることを特徴とするレーザ装置。
請求項１〜３のいずれか１つに記載のレーザ装置において、
移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、連続的又は周期的に行うように構成されていることを特徴とするレーザ装置。
請求項１〜３のいずれか１つに記載のレーザ装置において、
移動手段は、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を、レーザ発振開始から所定時間経過後に行うように構成されていることを特徴とするレーザ装置。
請求項１〜３のいずれか１つに記載のレーザ装置において、
光学素子から出力される出力レーザ光の強度を検出する強度検出手段を備え、移動手段は、上記強度検出手段により検出された出力レーザ光の強度が所定強度よりも小さくなったときに、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うように構成されていることを特徴とするレーザ装置。
請求項６記載のレーザ装置において、
所定強度は、出力レーザ光の強度の初期値の９０％であることを特徴とするレーザ装置。
請求項１〜３のいずれか１つに記載のレーザ装置において、
パルスレーザ光を生成して出力するレーザ発生部を備え、
光学素子は、上記レーザ発生部に配設されており、
上記パルスレーザ光においてノイズパルスの主パルスに対する強度比を検出する強度比検出手段を備え、
移動手段は、上記強度比検出手段により検出された強度比が所定値よりも大きくなったときに、光学素子に対する入力レーザ光の照射位置の移動を行うように構成されていることを特徴とするレーザ装置。
請求項８記載のレーザ装置において、
所定値は、２％であることを特徴とするレーザ装置。
請求項１〜９のいずれか１つに記載のレーザ装置において、ピコ秒パルスレーザ光を生成して出力するレーザ発生部を備えていることを特徴とするレーザ装置。
請求項１〜１０のいずれか１つに記載のレーザ装置において、
光学素子は、過飽和吸収体であることを特徴とするレーザ装置。