JP2004219308A - 実験チップ及び実験チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板20の表面にエッチングによりキャピラリチャンネル及びリザーバ12A、12Bとなる溝22を形成する。溝22が形成されたシリコン基板20の表面にスパッタリングによりSiO2の薄膜層23を形成する。溝22のうちリザーバ12A、12Bの底面に対応する位置にAuの薄膜電極14A、14Bを形成する。シリコン基板20の底面を溝22の薄膜層23に達するまで研磨する。リザーバの開口部を除くチップ表面及び溝22のうちキャピラリチャンネルの上部に対応する領域25CにSiO2の薄膜層25を形成する。チップ表面のリザーバ開口部に隣接してAu薄膜電極15A、15Bを形成する。Au薄膜電極14A、15Aと14B、15Bをボンディングワイヤで接続する。
【選択図】 図13
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気泳動、化学反応、細胞培養や分離検出などのラボプロセスをチップ上で行う反応チップや実験チップに関する。
【0002】
【従来の技術】
平板ガラスチップ、プラスチックチップ、あるいはシリコンチップにフォトリソグラフィを用いて微細な流路、すなわちキャピラリチャンネルを形成し、電気泳動、化学反応、細胞培養、あるいは分離検出等のラボプロセスを集積化させた反応チップ・実験チップ(Lab on a chip, μ−TAS)が知られている。
【0003】
使い捨を前提として低コストを目的とする場合には、チップの材料としてガラスやプラスチックを用いることが好ましい。例えば、現在電気泳動チップに関しては、ガラスやプラスチック(ポリジメチルシロキサンやポリメタクリル酸メチルアクリル等)を使用したものが主流である。
【0004】
【特許文献1】
特許第2937064号公報
【特許文献2】
特許第3077609号公報
【特許文献3】
特開平10−10088号公報
【特許文献4】
特開2000−310614号公報
【特許文献5】
特開2000−338085号公報
【特許文献6】
特開2001−157855号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、反応チップ・実験チップ(以下単に実験チップと言う)にガラスやプラスチックを使用した場合、マイクロマシニング技術を用いてマイクロポンプ等の高機能デバイスを付加することは困難である。マイクロマシニング技術を応用する場合シリコンが好適ではあるがシリコンは不透明の半導体であるため、キャピラリに光を透過または反射させてパターンの検出を行うDNA解析や、キャピラリが絶縁体である必要がある電気泳動にシリコンチップを用いることは困難である。
【0006】
本発明は、半導体を用いた実験チップ及びその製造方法を提供することを目的としている。特に、光及び電気泳動を用いた検出に好適な実験チップ、及びその製造方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の実験チップは半導体基板上に形成される実験チップであって、半導体基板の表面に流路を形成するために形成され、半導体基板上面と下面とを連通する溝と、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過する絶縁体からなり、溝の側面を被膜しかつ流路の底面を形成する下部薄膜層と、流路の上部を覆い、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過する絶縁体からなる上部薄膜層とを備えたことを特徴としている。
【0008】
半導体基板の表面に流路に連結されるリザーバを形成するための凹部を有し、このリザーバが下部薄膜層により被覆されていることが好ましく、リザーバの底面の下部薄膜層上に、導電性の薄膜からなる第1の電極が形成されることが好ましい。これにより、簡単に電気泳動用の実験チップを得ることができる。また、実験チップの耐久性の点からは、第1の電極は耐食性を有する素材からなることが好ましい。
【0009】
実験チップの上面のリザーバに隣接する位置に第1の電極と電気的に接続される導電性の薄膜からなる第2の電極が形成されることが好ましい。これにより、より簡単に電気泳動用の第1の電極に電力を供給することができる。このとき第1の電極と第2の電極の電気的な接続は例えばボンディングワイヤにより行われる。またあるいは、第1の電極と第2の電極は、例えばステップカバー電極として接続される。
【0010】
上部薄膜層は、例えばガラス状物質からなる。また、例えば上部薄膜層は二酸化珪素またはシリコンナイトライドからなる。
【0011】
本発明の実験チップ製造方法は、半導体基板表面に流路となる溝及び溝に連結されリザーバとなる凹部を形成する第1のエッチングステップと、溝及び凹部が形成された半導体基板の表面に絶縁体からなる下部薄膜層を形成する下部薄膜層形成ステップと、下部薄膜層形成ステップ終了後、半導体基板の底面を溝に達する高さまで取り除く基板底部除去ステップと、下部薄膜層が形成された表面全体にレジストを塗布して平らなレジスト層を形成するレジスト層形成ステップと、溝及び凹部に対応する領域のレジスト層を残して、その周りのレジスト層を剥離する第1のレジスト剥離ステップと、レジスト剥離ステップ終了後の表面全体に、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過し絶縁体からなる上部薄膜層を形成する上部薄膜層形成ステップと、凹部に対応する領域の上部薄膜層をエッチングする第2のエッチングステップと、レジスト剥離ステップにおいて残されたレジスト層を剥離する第2のレジスト剥離ステップとを有したことを特徴としている。
【0012】
実験チップ製造方法は、より好ましくは、下部薄膜層形成ステップ終了後に、下部薄膜層に被覆された凹部の底面に導電性の薄膜からなる第1の電極を形成する第1の電極形成ステップを有する。
【0013】
また、実験チップ製造方法は、上部薄膜層形成ステップ終了後に、上部薄膜層表面上の凹部に隣接する位置に導電性の薄膜からなる第2の電極を形成する第2の電極形成ステップを有することが好ましい。このとき実験チップ製造方法は、第2のレジスト剥離ステップ終了後に、第1及び第2の電極を連結する電極連結ステップを有することが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された実験チップの一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態の実験チップの概略的な構造を示す平面図であり、図2〜図12は図1のA−A線沿った実験チップの断面図であり、製造工程の各段階に沿って時系列に示される。
【0015】
本実施形態の実験チップ10は、例えば電気泳動用のマイクロチップである。実験チップ10にはコア材としてシリコン基板を用い、シリコン基板には例えば異方性エッチング用方位「100」のシリコンが用いられる。図1に示すように、シリコンを基板として構成される実験チップ10には、例えば実験チップ10の上面に開口部を有する2つのリザーバ12A、12Bが形成されており、リザーバ12A、12Bは各々キャピラリ13により連通される。リザーバ12A、12Bの底面には、それぞれ電極(第1の電極)14A、14Bが設けられる。実験チップ10の上面において、リザーバ12A、12Bの各々に隣接する位置には電極(第2の電極)15A、15Bが設けられる。電極14Aと電極15Aは、例えばボンディングワイヤ16Aにより電気的に接続される。同様に、電極14Bと電極15Bもボンディングワイヤ16Bにより電気的に接続される。
【0016】
次に図2〜図12を参照して、本実施形態の実験チップ10の製造方法について説明する。
【0017】
図2に示すように、第1の工程ではシリコン基板20の上面に、キャピラリチャンネル(キャピラリ13の底面及び両側壁を形作る微細流路)13C、及びリザーバ12A、12Bを形成するためのパターンがレジスト層21として貼着される。すなわち、シリコン基板20の上面は、略図1におけるリザーバ12A、12Bの円形周縁と破線で示されたキャピラリ13とで囲まれる領域を残してレジスト層により被覆される。
【0018】
第2の工程では、第1の工程でレジストパターニングされたシリコン基板20に対しドライ又はウェットエッチングが施され、レジスト層21で形成されたパターンに対応した溝22が形成される。図3にエッチング処理が終了し、貼着したレジスト層を剥離した状態を示す。なお、溝22はリザーバ12A、12B及びキャピラリチャンネル13Cの底面及び壁面を形成する。
【0019】
第3の工程では、シリコン基板20の上面及び溝22にスパッタリング等を用いて、赤外、可視光、または紫外線等を透過するとともに絶縁体からなる薄膜層(下部薄膜層)23が形成される。薄膜層23の素材としては、ガラス(例えばSiO2)やシリコンナイトライド等が1例として挙げられる。薄膜層23形成後の状態を図4に示す。
【0020】
第4の工程では、従来周知のリフトオフ加工(目的とするパターンの逆パターンを、基板上に金属、フォトレジストなどで構成し、目的薄膜を蒸着後、不用部分を金属、フォトレジストと共に除去し目的とするパターンを残す方法)を用いて、図5に示されるように、薄膜層23で被覆されたリザーバ12A、12Bの底面に対応する部分に電極14A、14Bが形成される。電極14A、14Bは導電性の薄膜層からなり、例えば金属薄膜(例えばAu、Ag、Ptの耐食性を有する素材が好ましい)やカーボン薄膜等からなる。電極14A、14Bは、パターニングの後、例えばスパッタリング、イオンプレーティグ等の蒸着工法等を用いて薄膜層23上に形成される。また、例えば電極Au薄膜とSiO2膜との密着性が悪い場合には、Au薄膜の下にSiO2膜との密着性の良い下地の金属膜を形成してもよい。なお、図5では、パターニングに用いたマスクキング層が既に取り除かれ、リフトオフ加工が終了した状態が示されている。
【0021】
第5の工程では、図6に示すようにシリコン基板20の底面側が溝22の薄膜層23に達するまで研磨(例えば化学研磨)される。すなわち、シリコン基板20に形成され、リザーバ12A、12B及びキャピラリチャンネル13Cを構成する溝22は、シリコン基板20の上下面を連通し、薄膜層23が溝22の底面を構成する。
【0022】
第6の工程では、薄膜層23及び電極14A、14Bが形成されたシリコン基板20の上面全体にレジスト層24a、24bが形成され、その上に溝22の形状に象られたマスキング(図示せず)が施され露光される。図7では、レジスト層24a、24bにポジティブレジストを用いた場合が示されており、レジスト層24aはマスキングにより感光されていない領域を示し、これは溝22に対応する。また、レジスト層24bは感光される領域を示し、溝22の外側の領域に対応する。
【0023】
第7の工程では、現像液等を用いて現像処理が施され、図8に示されるように、溝22に対応した像がシリコン基板20の上面の溝22に対応した位置にレジスト層24aによって形成される。
【0024】
第8の工程では、薄膜層23、電極14A、14B、及び溝22に対応したレジスト層24aが形成されたシリコン基板20の上面に、第3の工程と同様に、スパッタリング等を用いて赤外、可視光、または紫外線等を透過するとともに絶縁体である薄膜層(上部薄膜層)25が形成される。薄膜層25の素材の一例としては、ガラス(例えばSiO2)やシリコンナイトライド等が挙げられる。薄膜層25形成後の状態を図9に示す。
【0025】
第9の工程では、第4の工程と同様に、図10に示されるように、薄膜層25で被覆されたシリコン基板20の最上面に電極15A、15Bがリフトオフ加工を用いて形成される。電極15A、15Bは導電性の薄膜層からなり、例えば金属薄膜(例えばAu、Ag、Pt、Al、Cu)やカーボン、導電性樹脂等からなる。電極15A、15Bは、パターニングの後、例えばスパッタリング、イオンプレーティグ等の蒸着工法等を用いて薄膜層25上に形成される。なお、図10には、パターニングに用いたマスクキング層が既に取り除かれ、リフトオフ加工が終了した状態が示される。
【0026】
第10の工程では、薄膜層25にリザーバ12A、12Bの開口部を形成する。すなわち、リザーバ12A、12Bの円形開口に対応する位置を残してレジスト層26によるマスキング(パターニング)が施され、その後ドライエッチングを施すことにより薄膜層25のリザーバ12A、12Bに対応する位置に円形開口27A、27Bが形成される。なお、このときキャピラリ13を形成するためキャピラリチャンネル13Cの上の薄膜層25(領域25C)が残される。
【0027】
第11の工程では、第10の工程のマスキングに用いられたレジスト層26及びレジスト層24aが剥離され、図12で示される状態となる。
【0028】
第12の工程では、図13に示されるように、電極14Aと電極15Aとの間にボンディングによりリード線(ボンディングワイヤ)16Aが形成され、同様に電極14Bと電極15Bとの間にボンディングによりリード線16Bが形成される。これにより、本実施形態における電気泳動用マイクロチップである実験チップ10は完成する。
【0029】
以上のように、本実施形態によれば、半導体基板上に電気泳動用のマイクロチップを形成することができる。すなわち、半導体基板上に形成されたキャピラリは絶縁体からなる薄膜層により取り囲まれているので電気泳動に用いることができる。また、キャピラリの上面及び底面は、可視光、あるいは赤外線や紫外線を透過する素材から形成されるので、キャピラリに光を照射して、その透過光を検出することにより、電気泳動パターンを検出することができる。
【0030】
また、本実施形態の実験用チップは、半導体基板を用いて形成されるので、半導体製造プロセスにおけるマイクロマシニング技術を用いて、ナノファブリケーション、ナノデバイス等を容易に実験チップ上に形成することができ、マイクロポンプやバルブ、あるいはその他の半導体回路との集積化を容易に行うことができる。また更に、本実施形態の実験チップは、半導体ウエハを用いて大量生産が可能であるため製造コストを著しく低減することができる。
【0031】
次に図14を参照して本実施形態の変形例について説明する。上記実施形態では、電極14Aと電極15A、及び電極14Bと電極15Bとの間をボンディングによりリード線を用いて接続したが、変形例では、電極14A、14Bと電極15A、15Bはステップカバー電極28A、28Bにより接続される。この変形例においても上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0032】
なお、本実施形態及びその変形例では、リザーバ内に電気泳動用の電極を設け、チップ上面に接続用の電極を設けたが、外部から直接リザーバ内に電極を挿入して利用することもできる。この場合には実験チップに電極を設ける必要はない。
【0033】
本実施形態の実験チップは、1本のキャピラリチャンネルである流路と、この流路の両端に配置された2つリザーバのみを備えたが、流路は複数あってもよいし、分岐していてもよく、リザーバも3つ以上であってもよい。
【0034】
また、本実施形態において第4の工程で行われた薄膜電極の形成は、本実施形態の第3の工程が終了した後に行われればよく、第9の工程で行われた薄膜電極の形成は、本実施形態の第8の工程が終了した後に行われればよい。例えばそれぞれの電極の形成を本実施形態における第11の工程と第12の工程の間に行ってもよい。
【0035】
本実施形態では、シリコン基板の研磨を第5の工程で行ったが、この研磨工程は、第4の工程が終了した後であれば何時行ってもよい。
【0036】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、半導体を用いた実験チップ及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を電気泳動用実験チップに適用した本実施形態における実験チップの概略的な構造を示す平面図である。
【図2】本実施形態の実験チップの第1の工程における図1のA−A線に沿った立断面図である。
【図3】実験チップの第2の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図4】実験チップの第3の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図5】実験チップの第4の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図6】実験チップの第5の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図7】実験チップの第6の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図8】実験チップの第7の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図9】実験チップの第8の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図10】実験チップの第9の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図11】実験チップの第10の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図12】実験チップの第11の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図13】実験チップの第12の工程におけるA−A線に沿った立断面図である。
【図14】図1〜図13に示された実験チップの変形例であり、完成時のA−A線に沿った立断面図である。
【符号の説明】
10 実験チップ
12A、12B リザーバ
13 キャピラリ
13C キャピラリチャンネル
14A、14B、15A、15B 電極
20 シリコン基板
22 溝
23 薄膜層(下部薄膜層)
25 薄膜層(上部薄膜層)
Claims (13)
- 半導体基板上に形成される実験チップであって、
前記半導体基板の表面に流路を形成するために形成され、前記半導体基板上面と下面とを連通する溝と、
赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過する絶縁体からなり、前記溝の側面を被膜しかつ前記流路の底面を形成する下部薄膜層と、
前記流路の上部を覆い、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過する絶縁体からなる上部薄膜層と
を備えることを特徴とする実験チップ。 - 前記半導体基板の表面に前記流路に連結されるリザーバを形成するための凹部を有し、前記リザーバが前記下部薄膜層により被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の実験チップ。
- 前記リザーバの底面の前記下部薄膜層上に、導電性の薄膜からなる第1の電極が形成されることを特徴とする請求項2に記載の実験チップ。
- 前記第1の電極が耐食性を有する素材からなることを特徴とする請求項3に記載の実験チップ。
- 前記実験チップの上面の前記リザーバに隣接する位置に前記第1の電極と電気的に接続される導電性の薄膜からなる第2の電極が形成されることを特徴とする請求項3に記載の実験チップ。
- 前記第1の電極と前記第2の電極の電気的な接続がボンディングワイヤにより行われることを特徴とする請求項5に記載の実験チップ。
- 前記第1の電極と前記第2の電極がステップカバー電極として接続されることを特徴とする請求項5に記載の実験チップ。
- 前記上部薄膜層がガラス状物質からなることを特徴とする請求項1に記載の実験チップ。
- 前記上部薄膜層が二酸化珪素またはシリコンナイトライドからなることを特徴とする請求項1に記載の実験チップ。
- 半導体基板表面に流路となる溝及び前記溝に連結されリザーバとなる凹部を形成する第1のエッチングステップと、
前記溝及び凹部が形成された前記半導体基板の表面に絶縁体からなる下部薄膜層を形成する下部薄膜層形成ステップと、
前記下部薄膜層形成ステップ終了後、前記半導体基板の底面を前記溝に達する高さまで取り除く基板底部除去ステップと、
前記下部薄膜層が形成された表面全体にレジストを塗布して平らなレジスト層を形成するレジスト層形成ステップと、
前記溝及び凹部に対応する領域のレジスト層を残して、その周りの前記レジスト層を剥離する第1のレジスト剥離ステップと、
前記レジスト剥離ステップ終了後の表面全体に、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過し絶縁体からなる上部薄膜層を形成する上部薄膜層形成ステップと、
前記凹部に対応する領域の前記上部薄膜層をエッチングする第2のエッチングステップと、
前記レジスト剥離ステップにおいて残されたレジスト層を剥離する第2のレジスト剥離ステップと
を有することを特徴とする実験チップ製造方法。 - 前記下部薄膜層形成ステップ終了後に、前記下部薄膜層に被覆された前記凹部の底面に導電性の薄膜からなる第1の電極を形成する第1の電極形成ステップを有することを特徴とする請求項10に記載の実験チップ製造方法。
- 前記上部薄膜層形成ステップ終了後に、前記上部薄膜層表面上の前記凹部に隣接する位置に導電性の薄膜からなる第2の電極を形成する第2の電極形成ステップを有することを特徴とする請求項11に記載の実験チップ製造方法。
- 前記第2のレジスト剥離ステップ終了後に、前記第1及び第2の電極を連結する電極連結ステップを有することを特徴とする請求項12に記載の実験チップ製造方法。
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WO2023103009A1 (zh) * | 2021-12-09 | 2023-06-15 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 一种led芯片及其制造方法及led显示装置 |
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