JP2004207751A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
基板処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004207751A JP2004207751A JP2004042578A JP2004042578A JP2004207751A JP 2004207751 A JP2004207751 A JP 2004207751A JP 2004042578 A JP2004042578 A JP 2004042578A JP 2004042578 A JP2004042578 A JP 2004042578A JP 2004207751 A JP2004207751 A JP 2004207751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- chamber
- processing apparatus
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 チャンバー101内に導入されたガスは、ガス吹き出し板21に形成された開口211を通って基板1に吹き付けられる。チャンバー101内は、大気圧を0KPaとして−50乃至50KPaの範囲内の処理圧力に設定される。この圧力条件下で、ガス吹き出し板21により、ガスが均一に基板1に吹き付けられるため、基板1の全面に渡ってリフロー距離Lを精度良く制御することができる。
【選択図】 図1
Description
(2)アルコキシアルコール類
(3)エーテル類(R−O−R、Ar−O−R、Ar−O−Ar)
(4)エステル類
(5)ケトン類
(6)グリコール類
(7)アルキレングリコール類
(8)グリコールエーテル類
また、本発明の基板処理方法においては、前記薬液として、酸を主成分とする溶液、又は無機−有機混合液を用いることも好ましい。
図1は、本発明の第一の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る基板処理装置は、チャンバー内に配置された基板に対して暴露処理用ガスを均一に吹き付ける装置である。
1.レジストが有機溶剤に溶解する場合
(a)有機溶剤
具体例として、有機溶剤を上位概念としての有機溶剤と、それを具体化した下位概念の有機溶剤とに分けて示す。(Rはアルキル基又は置換アルキル基、Arはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す)
・アルコール類(R−OH)
・アルコキシアルコール類
・エーテル類(R−O−R、Ar−O−R、Ar−O−Ar)
・エステル類
・ケトン類
・グリコール類
・アルキレングリコール類
・グリコールエーテル類
上記有機溶剤の具体例としては、次のようなものがある。
・CH3OH、C2H5OH、CH3(CH2)XOH
・イソプロピルアルコール(IPA)
・エトキシエタノール
・メトキシアルコール
・長鎖アルキルエステル
・モノエタノールアミン(MEA)
・アセトン
・アセチルアセトン
・ジオキサン
・酢酸エチル
・酢酸ブチル
・トルエン
・メチルエチルケトン(MEK)
・ジエチルケトン
・ジメチルスルホキシド(DMSO)
・メチルイソブチルケトン(MIBK)
・ブチルカルビトール
・n−ブチルアセテート(nBA)
・ガンマーブチロラクトン
・エチルセロソルブアセテート(ECA)
・乳酸エチル
・ピルビン酸エチル
・2−ヘプタノン(MAK)
・3−メトキシブチルアセテート
・エチレングリコール
・プロピレングリコール
・ブチレングリコール
・エチレングリコールモノエチルエーテル
・ジエチレングリコールモノエチルエーテル
・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノメチルエーテル
・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル
・ポリエチレングリコール
・ポリプロレングリコール
・ポリブチレングリコール
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル
・メチル−3−メトキシプロピオネート(MMP)
・プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
・プロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)
・プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)
・エチル−3−エトキシプロピオネート(FEP)
・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル
・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
・3−メトキシプロピオン酸メチル
・3−エトキシプロピオン酸エチル
・N−メチル−2−ピロリドン(NMP)
2.レジストが水溶性の場合
(a)水
(b)水を主成分とする水溶液
本願発明者は、本実施形態に係る基板処理装置100及び暴露処理用ガス33を用いて、以下のように、実際に基板上にパターニングされた塗布膜をリフローさせた。
(1)暴露処理用ガス及び流量:処理液蒸気5L/min、N2ガス5L/min
(2)暴露処理用ガス温度:22℃
(3)昇降ステージ11とガス吹き出し板21との間隔:10mm
(4)昇降ステージ11の温度:26℃
(5)暴露処理チャンバー101内の処理圧力:+0.2KPa
図4からわかるように、塗布膜パターンのリフロー距離はリフロー時間に対してほぼリニアな関係で変化する。従って、リフロー距離はリフロー時間で制御することが可能である。
Txs=|(Tmean―Tx)/Tmean|
図5からわかるように、暴露処理用ガス33の流量が2乃至10L/minの間では、基板1内におけるリフロー距離のばらつきが約5%と極めて良い結果が得られた。
(1)暴露処理用ガス及び流量:処理液蒸気2乃至10L/min、窒素ガス2乃至10L/min
(2)暴露処理用ガス温度:20乃至26℃
(3)昇降ステージ11とガス吹き出し板21との間隔:5乃至15mm
(4)昇降ステージ11の温度:24乃至26℃
(5)暴露処理チャンバー101内の処理圧力−1乃至+2KPa
本実施形態に係る基板処理装置100はレジストのリフローを行うための装置として説明したが、基板処理装置100は、レジストのリフロー以外の使用目的に用いることも可能である。例えば、半導体基板の表面を酸洗浄したり、あるいは、基板に対するレジストの密着性向上のために使用することも可能である。このような場合には、次のような薬液が使用される。
(A)酸を主成分とする溶液(表面洗浄用)
・塩酸・弗化水素・その他酸溶液
(B)無機−有機混合溶剤(有機膜の密着力強化に用いる場合)
・ヘキサメチルジシラザン等のシランカップリング剤
(第二の実施形態)
図8は、第二の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る基板処理装置200は、第一の実施形態に係る基板処理装置100と同様に、チャンバー内に配置された基板に対して暴露処理用ガスを均一に吹き付ける装置である。
上述の第一の実施形態に係る基板処理装置100及び第二の実施形態に係る基板処理装置200の構造は上記の構造に限定されるものではなく、以下に述べるように、種々の変更が可能である。
図11は、第三の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る基板処理装置300は、第一の実施形態に係る基板処理装置100と同様に、チャンバー内に配置された基板に対して暴露処理用ガスを均一に吹き付ける装置である。
図12は、本発明の第四の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。第一の実施形態に係る基板処理装置100がチャンバー内に配置された基板に対して暴露処理用ガスを均一に吹き付ける装置であったのに対して、本実施形態に係る基板処理装置400は、チャンバー内に配置された基板に対して暴露処理用ガスを均一に吹き付けるとともに、基板に対してドライエッチング又はアッシング処理をも行う装置である。
図13は、本発明の第五の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る基板処理装置500は、チャンバー内に配置された基板に対して暴露処理用ガスを均一に吹き付ける装置として構成することができ、あるいは、暴露処理とドライエッチング又はアッシング処理との双方を行う装置としても構成することができる。
図14は、本発明の第六の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。本実施形態に係る基板処理装置600は、処理対象の基板を大気中から暴露処理チャンバーに移送し、処理終了後に、基板を暴露処理チャンバーから再び大気中に戻すまでのプロセスを連続して行うことを可能にする装置である。
10 下部チャンバー
11 昇降ステージ
20 上部チャンバー
21 ガス吹き出し板
23 ガス拡散部材
24 ガス導入管
31 蒸気発生装置
32 ガス配管
33 暴露処理用ガス
34 可動式ガス導入管
36 ガス吹き付け体
100 第一の実施形態に係る基板処理装置
101 暴露処理チャンバー
110 ガス吹き付け機構
103 隔壁
112、221 温度調節液
120 ガス導入機構
121 O−リング
200 第二の実施形態に係る基板処理装置
300 第三の実施形態に係る基板処理装置
400 第四の実施形態に係る基板処理装置
410 上部電極
411 上部電極配線
412、424 アース
420 下部電極
421 下部電極配線
422 コンデンサ
423 RF高周波電源
500 第五の実施形態に係る基板処理装置
600 第六の実施形態に係る基板処理装置
601 処理チャンバー
602 減圧搬送チャンバー
603 圧力調整搬送チャンバー
604 基板搬入搬出用移載機構
Claims (46)
- チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、
少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
ガス分配手段と、
を備え、
前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものであり、
前記チャンバー内の圧力を、大気圧を0KPaとして−50乃至+50KPaの範囲内の処理圧力にして、前記暴露処理を行う機能を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記チャンバーは複数個の前記ガス導入口を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ガス分配手段は、前記チャンバー内において、各ガス導入口よりも前記基板の配置領域に近い位置に配置され、
前記ガス分配手段から起立するように設けられた隔壁により前記ガス導入口を所定数ごとに囲むことによって、前記第一の空間が複数の小空間に分割されていることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記隔壁には、隣り合う小空間を相互に連通させる孔或いは隙間が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記複数の小空間は、前記隔壁により相互に密閉されていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記ガス分配手段は、前記チャンバー内において、前記拡散部材よりも前記基板の配置領域に近い位置に配置され、
前記ガス分配手段から起立するように設けられた隔壁により、前記第一の空間が複数の小空間に分割されているとともに、このうち何れかの小空間内に前記拡散部材が配され、
前記隔壁には、隣り合う小空間を相互に連通させる孔或いは隙間が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - チャンバー内に、複数の基板を各々水平姿勢で鉛直方向において相互に間隔を空けて配列した状態で、前記複数の基板の各々に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、
少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記複数の基板の各々に対応して設けられているガス分配手段と、
を備え、
前記ガス分配手段には複数個の開口が形成されており、前記ガス導入手段を介して導入された前記暴露処理用ガスは前記開口を介して前記基板に吹き付けられるものであり、
前記チャンバー内の圧力を、大気圧を0KPaとして−50乃至+50KPaの範囲内の処理圧力にして、前記暴露処理を行う機能を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス分配手段は、それぞれ対応する基板と対向する位置に配されていることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバーは複数個の前記ガス導入口を備えることを特徴とする請求項7又は8に記載の基板処理装置。
- 前記複数個のガス導入口の各々は、前記ガス分配手段の各々に対応して設けられていることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記ガス分配手段は板状に構成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、
少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
ガス分配手段と、
を備え、
前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、
前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、
前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものであり、
前記ガス分配手段は板状に構成され、その中心を回転中心として回転可能となっており、
前記チャンバー内の圧力を、大気圧を0KPaとして−50乃至+50KPaの範囲内の処理圧力にして、前記暴露処理を行う機能を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記チャンバーは複数個の前記ガス導入口を備えることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記ガス導入口毎にガス流量制御機構を備えていることを特徴とする請求項2、3、4、5、9、10又は13に記載の基板処理装置。
- 前記ガス分配手段と重なり合って配置され、前記ガス分配手段に形成されている開口のうちの任意の個数の開口を塞ぐことにより、前記暴露処理用ガスの吹き出し範囲を規定するガス吹き出し範囲規定手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至14の何れか一項に記載の基板処理装置。
- チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、
少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、
前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記チャンバー内に導入された前記暴露処理用ガスを前記基板に吹き付けるガス吹き付け体と、
を備え、
前記ガス吹き付け体は、前記チャンバーの内部において移動可能となっており、
前記チャンバー内の圧力を、大気圧を0KPaとして−50乃至+50KPaの範囲内の処理圧力にして、前記暴露処理を行う機能を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス吹き付け体は、前記チャンバー内に配置された基板を走査するように移動することを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
- 前記ガス吹き付け体は、上下方向に移動可能となっていることを特徴とする請求項16又は17に記載の基板処理装置。
- 前記ガス吹き付け体は、中空形状をなしているとともに、複数個の開口を有し、該開口を介して基板に暴露処理用ガスを吹き付けることを特徴とする請求項16乃至18のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス吹き付け体はその中心軸の周りに回転可能に形成されていることを特徴とする請求項16乃至19のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバー内の圧力を、大気圧を0KPaとして−20乃至+20KPaの範囲内の処理圧力にして、前記暴露処理を行う機能を有することを特徴とする請求項1乃至20のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバー内の圧力を、大気圧を0KPaとして−5乃至+5KPaの範囲内の処理圧力にして、前記暴露処理を行う機能を有することを特徴とする請求項1乃至20のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバー内を、設定された処理圧力に維持する機能を有することを特徴とする請求項1乃至22のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス排気口の開度を調節する開度調節機構を備え、該開度調節機構により前記ガス排気口の開度を調整することによって、前記チャンバー内を設定された処理圧力に維持するように構成されていることを特徴とする請求項23に記載の基板処理装置。
- 前記処理圧力を±0.1KPaの誤差範囲内に制御する機能を有することを特徴とする請求項1乃至24のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 少なくとも50L/min以上の排気能力を有することを特徴とする請求項1乃至25のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板が載置されるステージが、上下動可能に形成されていることを特徴とする請求項1乃至26の何れか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板が載置されるステージが、その軸心の周りに回転可能に形成されていることを特徴とする請求項1乃至27の何れか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の温度を調整する基板温度調整手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1乃至28の何れか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板温度調整手段は、前記基板が載置されるステージの温度を制御することにより、前記基板の温度を制御するものであることを特徴とする請求項29に記載の基板処理装置。
- 前記暴露処理用ガスの温度を調整するガス温度調整手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1乃至30の何れか一項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバー内に配置された基板と前記ガス分配手段との間隔が5乃至15mmに設定されていることを特徴とする請求項1乃至31のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバーと連結し、減圧状態の下において前記基板を前記チャンバーに搬入し、あるいは、減圧状態の下において前記基板を前記チャンバーから搬出するため減圧搬送チャンバーと、
前記減圧搬送チャンバーと連結し、大気圧の下に前記基板を外部から搬入し、減圧状態の下において前記基板を前記減圧搬送チャンバーに搬入するとともに、減圧状態の下において前記基板を前記減圧搬送チャンバーから搬出し、大気圧の下に前記基板を外部に搬出する圧力調整搬送チャンバーと、
を備える請求項1乃至32の何れか一項に記載の基板処理装置。 - 前記チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至33の何れか一項に記載の基板処理装置。
- 前記プラズマ発生機構は、前記基板の上方に配置された上部電極部と、前記基板の下方に配置された下部電極部とからなり、
前記上部電極部及び前記下部電極部のうちの何れか一方は接地され、他方は高周波電源を介して接地されていることを特徴とする請求項34に記載の基板処理装置。 - 請求項1乃至35のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて基板に暴露処理用ガスを吹き付け暴露処理を行う基板処理方法であって、
前記暴露処理用ガスとして、薬液の気化ガス又は蒸気ガスを基板に吹き付けることを特徴とする基板処理方法。 - 前記暴露処理用ガスは、薬液の気化ガス又は蒸気ガスと、窒素ガスと、の混合ガスであることを特徴とする請求項36に記載の基板処理方法。
- 前記薬液を貯留した容器内に窒素ガスを供給し、バブリングにより前記気化ガス又は蒸気ガスを発生させることを特徴とする請求項36又は37に記載の基板処理方法。
- 前記薬液として、水溶液を用いることを特徴とする請求項36乃至38のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液として、(1)乃至(8)の有機溶剤のうちの少なくとも何れか一つを含む有機溶液を用いることを特徴とする請求項36乃至38のいずれか一項に記載の基板処理方法。
(ただし、(1)及び(2)において、Rはアルキル基又は置換アルキル基、Arはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す)
(1)アルコール類(R−OH)
(2)アルコキシアルコール類
(3)エーテル類(R−O−R、Ar−O−R、Ar−O−Ar)
(4)エステル類
(5)ケトン類
(6)グリコール類
(7)アルキレングリコール類
(8)グリコールエーテル類 - 前記薬液として、酸を主成分とする溶液、又は無機−有機混合液を用いることを特徴とする請求項36乃至40のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 表面上に有機膜が形成された基板に対し前記暴露処理を行うことにより、前記有機膜のリフロー処理を行うことを特徴とする請求項36乃至41のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記有機膜を溶解させることにより前記リフロー処理を行うことを特徴とする請求項42に記載の基板処理方法。
- 前記暴露処理用ガスの温度と、前記ステージの温度とを、それぞれ摂氏18乃至40度の範囲内に設定することを特徴とする請求項36乃至43のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記暴露処理用ガスの温度を、摂氏20乃至50度の範囲で制御することを特徴とする請求項36乃至43に記載の基板処理方法。
- 前記暴露処理用ガスの温度を、摂氏20乃至25度の範囲で制御することを特徴とする請求項44又は45に記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004042578A JP2004207751A (ja) | 2001-08-28 | 2004-02-19 | 基板処理装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001258187 | 2001-08-28 | ||
JP2004042578A JP2004207751A (ja) | 2001-08-28 | 2004-02-19 | 基板処理装置及び方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002216877A Division JP3886424B2 (ja) | 2001-08-28 | 2002-07-25 | 基板処理装置及び方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006077724A Division JP4513985B2 (ja) | 2001-08-28 | 2006-03-20 | 基板処理装置 |
JP2006077725A Division JP2006261683A (ja) | 2001-08-28 | 2006-03-20 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004207751A true JP2004207751A (ja) | 2004-07-22 |
Family
ID=32827387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004042578A Pending JP2004207751A (ja) | 2001-08-28 | 2004-02-19 | 基板処理装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004207751A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007139049A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | 熱処理方法および熱処理装置、ならびに基板処理装置 |
JP2009532873A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 汚染を低減したガス注入システム及びその使用方法 |
-
2004
- 2004-02-19 JP JP2004042578A patent/JP2004207751A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009532873A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 汚染を低減したガス注入システム及びその使用方法 |
WO2007139049A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | 熱処理方法および熱処理装置、ならびに基板処理装置 |
JP2007324350A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置、ならびに基板処理装置 |
US8114786B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-02-14 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method, heat treatment apparatus and substrate processing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3886424B2 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
KR100954257B1 (ko) | 고밀도 플라즈마 용도를 위한 고진공하의 자체-냉각식 가스전달 장치 | |
US6326597B1 (en) | Temperature control system for process chamber | |
TWI480949B (zh) | Substrate handling device and sprinkler | |
JP4833778B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR20180133007A (ko) | 열 처리 장치 및 이를 이용한 막 제조 방법 | |
TW202217041A (zh) | 設計用於半導體處理腔室的非對稱排氣泵送板 | |
JP4513985B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100737749B1 (ko) | 리모트 플라즈마 애싱 장치 및 방법 | |
JP2004207751A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
JP3808472B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2020008831A1 (ja) | 基板熱処理装置及び基板熱処理方法 | |
JP3808473B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2017149739A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理用反応容器の構造 | |
JP2006261683A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3808474B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004186705A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008060303A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2002009042A (ja) | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 | |
KR20070097924A (ko) | 건식식각장치 | |
KR20050081926A (ko) | 반도체 제조설비의 상부전극구조 및 그 제조방법 | |
KR20050104440A (ko) | 건식식각장치의 포커스링 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060320 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060621 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060706 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060901 |