JP2004205331A - 磁気検出装置及び磁気検出機能付き電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】形状的に小型で且つ安価な磁気検出装置及び磁気検出機能を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板1には、バイアス磁界を発生するための複数の平行な配線パターン9及び12が互いに直交する方向に形成されており、これら配線パターン9及び12に電流を流した時のバイアス磁界の発生領域に磁気センサ2及び5がそれぞれ取り付けられる。この構成によって、磁気センサ2はY軸方向の磁界が検出出来、磁気センサ5はX軸方向の磁界が検出出来るので、両センサの検出出力を基に磁気を検出することが可能になる。
【選択図】 図1
【解決手段】回路基板1には、バイアス磁界を発生するための複数の平行な配線パターン9及び12が互いに直交する方向に形成されており、これら配線パターン9及び12に電流を流した時のバイアス磁界の発生領域に磁気センサ2及び5がそれぞれ取り付けられる。この構成によって、磁気センサ2はY軸方向の磁界が検出出来、磁気センサ5はX軸方向の磁界が検出出来るので、両センサの検出出力を基に磁気を検出することが可能になる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気検出装置及び磁気検出機能付き電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の方位検出などに用いられる磁気検出装置は、磁気抵抗素子がパターン形成された基板を銅線などのコイルで螺旋状に巻回し、この巻回したコイルに電流を流すことによってバイアス磁界を発生させるように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
また、磁気抵抗素子が形成された基板の上下を保護膜で覆い、保護膜上に複数の導体パターンを形成すると共に複数の導体パターンそれぞれを直列接続させて一本のコイルを螺旋状に巻回したのと同様の構成にすることも考えられている(例えば、特許文献2参照)。
【0003】
【特許文献1】
実開平4−51680号公報
【特許文献2】
特開2002−228447号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の方法では、磁気抵抗素子が形成された基板の周囲を立体的にコイル或いは導体パターンで巻回しなければならないので磁気検出装置自体の形状が大きくなるという欠点があった。また、コイルを用いる場合はその費用や、コイルを巻く作業が必要なので高コストになり、保護膜上に導体パターンを形成する方法では保護膜の形成やそれぞれのパターンの接続工程が必要とされ、やはり高コストになる欠点があった。
【0005】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、形状的に小型で且つ安価な磁気検出装置及び磁気検出機能を備えた電子機器を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の請求項1に記載の磁気検出装置は、両端部が共通接続されたバイアス磁界発生用の複数の平行配線パターンが形成された基板と、この基板に形成された前記複数の平行配線パターンが発生するバイアス磁界の範囲内に配置される磁気センサとを備えたことを特徴としている。
この構成によれば、両端部が共通接続された複数の平行配線パターンに電流を流すことにより複数の平行配線パターンには全て同方向に同じ電流を流すことが出来、良好なバイアス磁界を発生させることが出来るものである。
【0007】
また、請求項2に記載の磁気検出装置は、互いに直交する方向にバイアス磁界発生用の第1及び第2のパターンが形成された基板と、この基板に形成された前記第1及び第2のパターンが発生するバイアス磁界の範囲内にそれぞれ配置される第1及び第2の磁気センサとを備えたことを特徴とするものである。即ち、磁気の大きさを検出する場合にあっては、X方向及びY方向の磁界の大きさを検出する必要があり、そのために2つの磁気センサ及びこれらにバイアス磁界を発生させる手段を必要とするが、上記の構成にあっては基板上に両方向のバイアス磁界発生用パターンを形成し得るものである。
【0008】
更に、請求項7に記載の磁気検出機能付き電子機器は、バイアス磁界発生用のパターンが形成された回路基板と、この回路基板に形成された前記パターンが発生するバイアス磁界の範囲内にそれぞれ配置される第1及び第2の磁気センサと、前記第1及び第2のパターンにバイアス磁界発生用の信号を供給するバイアス信号供給回路と、前記磁気センサからの信号を受けて磁気を検出する磁気検出手段とを備えたことを特徴とするものであり、回路基板上に形成されたパターンをバイアス磁界発生用に用いることによってこのパターンに対応させて磁気センサを取り付けて電子回路で制御することによって電子機器に磁気検出機能を持たせることが出来るものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0010】
図1は、本発明の実施の形態による磁気検出装置の構造を示す平面図であり、図2は、その一部の断面図である。図1において、1はガラス又はセラミックからなる絶縁性の回路基板であり、この回路基板1には、導体からなる複数の配線パターンSY、L1、SC、L2、SXが印刷、エッチング或いは蒸着などによって形成されている。前記配線パターンSYの端部3は、磁気センサ2を取り付けるために幅広に形成され(以下、この部分を接続ランド3と称呼する。)、また、配線パターンSCの端部には、前記接続ランド3に対向する位置に形成された接続ランド4ともう一つの磁気センサ5を取り付けるための接続ランド6とが形成されている。更に、前記接続ランド6に対向する位置には配線パターンSXの接続ランド7が形成されている。
【0011】
配線パターンL1の一端部8には、幅狭(微細)な複数の平行な配線パターン9が形成されており、前記一端部8は前記複数の平行な配線パターン9の共通接続電極となっている。前記複数の平行な配線パターン9は、前記接続ランド3と接続ランド4との間に延出形成されており、その端部にはこれら複数の並行な配線パターン9を共通接続させる配線パターン10が形成されている。この配線パターン10は前記共通接続部分から更に延出形成され途中で90度折曲されていて、その一端部11が複数の平行な配線パターン12の共通電極となっている。
【0012】
前記複数の平行な配線パターン12は、前記接続ランド6と接続ランド7との間に延出形成されており、その端部にはこれら複数の並行な配線パターン12を共通接続させる配線パターンL2と接続されている。
【0013】
前記接続ランド3及び4に取り付けられる前記磁気センサ2並びに前記接続ランド6及び7に取り付けられる前記磁気センサ5は同一構成の磁気センサであり、
図2に示す磁気センサ5のように、樹脂製のケース13と、このケース13の下面に取り付けられた基板14とから構成される。基板14の上面には、図1に波線で示すように両端部に接続電極15、16(磁気センサ2では17、18)が形成され、この接続電極15、16の間に磁気抵抗素子からなる抵抗パターン19(磁気センサ2では20)がパターンの形成方向が同一となるように形成されているものである。
【0014】
また、前記接続電極15及び16(磁気センサ2では17、18)は、詳細は図示していないが、基板14に設けたスルホールなどを介して基板14の下面に延出され、矢印Aで示す位置に取り付けた際に接続ランド6、7(磁気センサ2では3、4)にそれぞれ電気的接続されるものである。
【0015】
図2は、磁気センサ5を接続ランド6、7に取り付けた後の線Bにおける断面図を示している。尚、実際には配線パターン12は多数のパターン断面で表されるものであるが、省略して一つのパターンで示してある。
【0016】
図3は、上記図1の磁気検出装置の駆動回路を示した図であり、バイアス磁界発生回路21の出力端子LAからはバイアス電流が出力されて図1の配線パターンL1に送られる。このバイアス電流は複数の平行な配線パターン9においてバイアス磁界を発生させ、更に、配線パターン10を介して複数の平行な配線パターン12に送られ、ここでもおいてもバイアス磁界を発生させ配線パターンL2を介して端子LBに帰還する。
【0017】
配線パターン9によるバイアス磁界の発生領域22(図1参照)に取り付けられた磁気センサ2の接続ランド4及び配線パターン12によるバイアス磁界の発生領域23(図1参照)に取り付けられた磁気センサ5の接続ランド6には、それぞれセンサ出力処理回路24の出力端子SZからの基準電圧(駆動電圧)が配線パターンSCを介して与えられており、基準電圧は接続ランド4を介して磁気センサ2の接続電極18に供給され、また、接続ランド6を介して磁気センサ5の接続電極15に送られる。
【0018】
一方、磁気センサ2の接続端子17から出力される電圧は、図1の接続ランド3及び配線パターンSYを介してセンサ出力処理回路24の端子SAに入力され、また磁気センサ5の接続電極16から出力される電圧は接続ランド7及び配線パターンSXを介してセンサ出力処理回路24の端子SBに入力される。
【0019】
センサ出力処理回路24では、端子SAに入力された電圧からY軸方向の磁界の強さを求め、端子SBに入力された電圧からX軸方向の磁界の強さを求め、これらY軸及びX軸方向の磁界の強さからベクトル演算を行って方位データを算出するものである。
【0020】
上記の構成においては、基板1に微細な複数の平行な配線パターン9を形成すると共に、この配線パターンと直行する方向に微細な複数の平行な配線パターン12を形成することによって、これらの配線パターン9、12の形成領域に平行なバイアス磁界の発生領域22、23をそれぞれ生じさせることが出来、このバイアス磁界の発生領域22、23に、バイアス磁界と直交する方向に抵抗パターン20、19が形成された磁気センサ2、5を配置することにより磁気の検出が可能となるものである。特に、上記の構成では、配線パターン9、12に近接して磁気センサ2、5の磁気抵抗素子からなる抵抗パターン19(磁気センサ2では20)が形成された基板14が配置されるため、抵抗パターン19、20は大きなバイアス磁界を受けることが出来、良好な検出が可能となるものである。
【0021】
図4(a)及び(b)は、本発明の他の実施の形態を示している。図4(a)においては、回路基板を基板1A及び基板1Bからなる多層基板で形成し基板1A上に図1に示した配線パターンSY、SC及びSYを形成し、基板1A及び1B間に配線パターンL1、L2、10、9、12を形成したものである。そして、配線パターン9及び12は、基板1Aに取り付けられる磁気センサ2及び5と重なる位置にそれぞれ形成されるものである。
【0022】
一方、図4(b)においては、回路基板1上に図1に示した配線パターンSY、SC及びSYを形成し、回路基板1の裏面に配線パターンL1、L2、10、9、12を形成したものである。そして、この構成においても、配線パターン9及び12は、回路基板1上に取り付けられる磁気センサ2及び5と重なる位置にそれぞれ形成されるものである。
【0023】
しかして、これら図4(a)及び(b)の構成においては以下の効果を有する。即ち、図1及び図2に示した構成では、磁界バイアスを発生する配線パターン9、12が磁気センサ2及び5の下面に接するほど接近して配置されるので極めて大きな磁界を受ける利点があるものの、受ける磁界にばらつきが発生しないようにするためには磁気センサ2或いは5を、配線パターン9、12に正確に並行配置する必要がある。例えば、半田で磁気センサ5を取り付けるような場合、接続ランド6及び7のいずれか一方に他方のランドよりも多くの半田が乗ってしまい半田浮きが発生すると、磁気センサ2は配線パターン12に対して傾斜して取り付けられてしまい、正確な方位測定が出来なくなってしまうものである。
【0024】
これに対して、図4(a)及び(b)に示す構造では、配線パターン12と磁気センサ5との距離が長くなるため、半田浮きに起因する距離の変化率が小さくなり、受ける磁界のバラツキを軽滅して正確な方位測定が可能となるものである。
【0025】
図5及び図6は、更に本発明の他の実施の形態を示しており、図5は平面図、図6は断面図である。尚、図1及び図2と同一構成部には同一記号を付してその詳細な説明は省略する。
【0026】
回路基板40は、図6に示すように基板41と42とからなる多層配線基板であり、基板41の上面には、配線パターンSCに接続された接続ランド6、配線パターンSXに接続された接続ランド7が形成されている。また、配線パターンSCはスルホール43を介して基板42下面に延出され、基板42下面に形成された接続ランド4に接続されている。また、基板42下面の接続ランド4に対向する位置には配線パターンSYから延出された接続ランド3が形成されている。
【0027】
前記接続ランド3、4、6及び7は、接続ランド3と4とを結ぶ線が接続ランド6と7とを結ぶ線に90度の角度で直交するような位置関係となるように形成され、そして、前記接続ランド6及び7にはX軸用の磁気センサ5が取り付けられ、接続ランド3及び4にはY軸用の磁気センサ2が取り付けられる。
【0028】
一方、基板41と42との間には、配線パターンL1とL2とが形成されており、また、これらを接続する複数の並行配線パターン44が前記磁気センサ2及び5に対して45度傾くように形成されている。
【0029】
この構成によれば、複数の並行配線パターン44が磁気センサ2及び5の両方に磁気バイアスを与えることが出来るので、実装面積を小さくすることが出来るものである。
【0030】
図7は、本発明の磁気検出機能付き電子機器の実施の形態として、デジタル表示式腕時計の断面図を示している。
図において、腕時計ケース50の上面には時計ガラス51、下面には裏蓋52が取り付けられており、また、側面には押釦53が設けられている。時計回路基板54の上面には半導体集積回路55が取り付けられており、この半導体集積回路55には、図示していないが基準信号を計数して現在時刻情報を得る時計回路、図3で示したバイアス磁界発生回路21及びセンサ出力出力回路24を含み方位情報を得る方位情報出力回路及びインターコネクタ54を介して現在時刻データや方位データを表示する液晶表示装置55を表示駆動する表示駆動回路等が含まれている。
【0031】
一方、時計回路基板54の下面には、基準信号を発生するための水晶発振回路60、電源用の電池58、59が設けられている。また、時計回路基板54の下面には、図1に示した各種配線パターンと同一の配線パターンが形成され磁気センサ2及び5が取り付けられているものである。
【0032】
この磁気検出機能付き電子機器によれば、磁気センサにコイルを巻く必要がなく磁気センサ2及び5を回路基板に取り付けるだけで磁気センサ2及び5に磁界バイアスを与えることが出来て磁気を検出できるので、腕時計のような電子機器に採用しても機器自体を大型化する必要がないものである。
【0033】
尚、上記の実施の形態では、本発明をデジタル表示式の腕時計に採用した例について述べたが、他の電子機器、例えば、携帯電話やカメラ、ゲーム機等どのような電子機器であっても本発明を適用できるものである
【0034】
【発明の効果】
以上の如く、本発明の磁気検出装置によれば、基板にバイアス磁界発生用の複数の平行配線パターンを形成し、この平行配線パターンが発生するバイアス磁界の範囲内に磁気センサを配置するようにしたので、バイアス磁界発生のために銅線などのコイルを巻く必要がなく極めて小型の磁気検出装置を提供できるものである。
【0035】
また、本発明による磁気検出機能付き電子機器は、電子機器の回路基板にバイアス磁界発生用のパターンを形成し、このパターンが発生するバイアス磁界の範囲内に磁気センサを配置するようにしたので、磁気センサを回路基板に取り付けるだけで磁気の検出が出来、バイアス磁界発生のために銅線などのコイルを巻く必要がなく極めて小型の磁気検出機能を持たせた電子機器を提供出来るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる磁気検出装置の平面図である。
【図2】図1の要部の断面図である。
【図3】図1の磁気検出装置の駆動回路を示した図である。
【図4】本発明の他の実施の形態を示した断面図である。
【図5】本発明の更に他の実施の形態を示した平面図である。
【図6】図5の要部断面図である。
【図7】本発明による磁気検出機能付き電子機器に係わる断面図である。
【符号の説明】
1 回路基板
2,5 磁気センサ
3、4、6、7 接続ランド
9、12 配線パターン
19、20 抵抗パターン
22、23 バイアス磁界の発生領域
24 センサ出力処理回路
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気検出装置及び磁気検出機能付き電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の方位検出などに用いられる磁気検出装置は、磁気抵抗素子がパターン形成された基板を銅線などのコイルで螺旋状に巻回し、この巻回したコイルに電流を流すことによってバイアス磁界を発生させるように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
また、磁気抵抗素子が形成された基板の上下を保護膜で覆い、保護膜上に複数の導体パターンを形成すると共に複数の導体パターンそれぞれを直列接続させて一本のコイルを螺旋状に巻回したのと同様の構成にすることも考えられている(例えば、特許文献2参照)。
【0003】
【特許文献1】
実開平4−51680号公報
【特許文献2】
特開2002−228447号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の方法では、磁気抵抗素子が形成された基板の周囲を立体的にコイル或いは導体パターンで巻回しなければならないので磁気検出装置自体の形状が大きくなるという欠点があった。また、コイルを用いる場合はその費用や、コイルを巻く作業が必要なので高コストになり、保護膜上に導体パターンを形成する方法では保護膜の形成やそれぞれのパターンの接続工程が必要とされ、やはり高コストになる欠点があった。
【0005】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、形状的に小型で且つ安価な磁気検出装置及び磁気検出機能を備えた電子機器を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の請求項1に記載の磁気検出装置は、両端部が共通接続されたバイアス磁界発生用の複数の平行配線パターンが形成された基板と、この基板に形成された前記複数の平行配線パターンが発生するバイアス磁界の範囲内に配置される磁気センサとを備えたことを特徴としている。
この構成によれば、両端部が共通接続された複数の平行配線パターンに電流を流すことにより複数の平行配線パターンには全て同方向に同じ電流を流すことが出来、良好なバイアス磁界を発生させることが出来るものである。
【0007】
また、請求項2に記載の磁気検出装置は、互いに直交する方向にバイアス磁界発生用の第1及び第2のパターンが形成された基板と、この基板に形成された前記第1及び第2のパターンが発生するバイアス磁界の範囲内にそれぞれ配置される第1及び第2の磁気センサとを備えたことを特徴とするものである。即ち、磁気の大きさを検出する場合にあっては、X方向及びY方向の磁界の大きさを検出する必要があり、そのために2つの磁気センサ及びこれらにバイアス磁界を発生させる手段を必要とするが、上記の構成にあっては基板上に両方向のバイアス磁界発生用パターンを形成し得るものである。
【0008】
更に、請求項7に記載の磁気検出機能付き電子機器は、バイアス磁界発生用のパターンが形成された回路基板と、この回路基板に形成された前記パターンが発生するバイアス磁界の範囲内にそれぞれ配置される第1及び第2の磁気センサと、前記第1及び第2のパターンにバイアス磁界発生用の信号を供給するバイアス信号供給回路と、前記磁気センサからの信号を受けて磁気を検出する磁気検出手段とを備えたことを特徴とするものであり、回路基板上に形成されたパターンをバイアス磁界発生用に用いることによってこのパターンに対応させて磁気センサを取り付けて電子回路で制御することによって電子機器に磁気検出機能を持たせることが出来るものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0010】
図1は、本発明の実施の形態による磁気検出装置の構造を示す平面図であり、図2は、その一部の断面図である。図1において、1はガラス又はセラミックからなる絶縁性の回路基板であり、この回路基板1には、導体からなる複数の配線パターンSY、L1、SC、L2、SXが印刷、エッチング或いは蒸着などによって形成されている。前記配線パターンSYの端部3は、磁気センサ2を取り付けるために幅広に形成され(以下、この部分を接続ランド3と称呼する。)、また、配線パターンSCの端部には、前記接続ランド3に対向する位置に形成された接続ランド4ともう一つの磁気センサ5を取り付けるための接続ランド6とが形成されている。更に、前記接続ランド6に対向する位置には配線パターンSXの接続ランド7が形成されている。
【0011】
配線パターンL1の一端部8には、幅狭(微細)な複数の平行な配線パターン9が形成されており、前記一端部8は前記複数の平行な配線パターン9の共通接続電極となっている。前記複数の平行な配線パターン9は、前記接続ランド3と接続ランド4との間に延出形成されており、その端部にはこれら複数の並行な配線パターン9を共通接続させる配線パターン10が形成されている。この配線パターン10は前記共通接続部分から更に延出形成され途中で90度折曲されていて、その一端部11が複数の平行な配線パターン12の共通電極となっている。
【0012】
前記複数の平行な配線パターン12は、前記接続ランド6と接続ランド7との間に延出形成されており、その端部にはこれら複数の並行な配線パターン12を共通接続させる配線パターンL2と接続されている。
【0013】
前記接続ランド3及び4に取り付けられる前記磁気センサ2並びに前記接続ランド6及び7に取り付けられる前記磁気センサ5は同一構成の磁気センサであり、
図2に示す磁気センサ5のように、樹脂製のケース13と、このケース13の下面に取り付けられた基板14とから構成される。基板14の上面には、図1に波線で示すように両端部に接続電極15、16(磁気センサ2では17、18)が形成され、この接続電極15、16の間に磁気抵抗素子からなる抵抗パターン19(磁気センサ2では20)がパターンの形成方向が同一となるように形成されているものである。
【0014】
また、前記接続電極15及び16(磁気センサ2では17、18)は、詳細は図示していないが、基板14に設けたスルホールなどを介して基板14の下面に延出され、矢印Aで示す位置に取り付けた際に接続ランド6、7(磁気センサ2では3、4)にそれぞれ電気的接続されるものである。
【0015】
図2は、磁気センサ5を接続ランド6、7に取り付けた後の線Bにおける断面図を示している。尚、実際には配線パターン12は多数のパターン断面で表されるものであるが、省略して一つのパターンで示してある。
【0016】
図3は、上記図1の磁気検出装置の駆動回路を示した図であり、バイアス磁界発生回路21の出力端子LAからはバイアス電流が出力されて図1の配線パターンL1に送られる。このバイアス電流は複数の平行な配線パターン9においてバイアス磁界を発生させ、更に、配線パターン10を介して複数の平行な配線パターン12に送られ、ここでもおいてもバイアス磁界を発生させ配線パターンL2を介して端子LBに帰還する。
【0017】
配線パターン9によるバイアス磁界の発生領域22(図1参照)に取り付けられた磁気センサ2の接続ランド4及び配線パターン12によるバイアス磁界の発生領域23(図1参照)に取り付けられた磁気センサ5の接続ランド6には、それぞれセンサ出力処理回路24の出力端子SZからの基準電圧(駆動電圧)が配線パターンSCを介して与えられており、基準電圧は接続ランド4を介して磁気センサ2の接続電極18に供給され、また、接続ランド6を介して磁気センサ5の接続電極15に送られる。
【0018】
一方、磁気センサ2の接続端子17から出力される電圧は、図1の接続ランド3及び配線パターンSYを介してセンサ出力処理回路24の端子SAに入力され、また磁気センサ5の接続電極16から出力される電圧は接続ランド7及び配線パターンSXを介してセンサ出力処理回路24の端子SBに入力される。
【0019】
センサ出力処理回路24では、端子SAに入力された電圧からY軸方向の磁界の強さを求め、端子SBに入力された電圧からX軸方向の磁界の強さを求め、これらY軸及びX軸方向の磁界の強さからベクトル演算を行って方位データを算出するものである。
【0020】
上記の構成においては、基板1に微細な複数の平行な配線パターン9を形成すると共に、この配線パターンと直行する方向に微細な複数の平行な配線パターン12を形成することによって、これらの配線パターン9、12の形成領域に平行なバイアス磁界の発生領域22、23をそれぞれ生じさせることが出来、このバイアス磁界の発生領域22、23に、バイアス磁界と直交する方向に抵抗パターン20、19が形成された磁気センサ2、5を配置することにより磁気の検出が可能となるものである。特に、上記の構成では、配線パターン9、12に近接して磁気センサ2、5の磁気抵抗素子からなる抵抗パターン19(磁気センサ2では20)が形成された基板14が配置されるため、抵抗パターン19、20は大きなバイアス磁界を受けることが出来、良好な検出が可能となるものである。
【0021】
図4(a)及び(b)は、本発明の他の実施の形態を示している。図4(a)においては、回路基板を基板1A及び基板1Bからなる多層基板で形成し基板1A上に図1に示した配線パターンSY、SC及びSYを形成し、基板1A及び1B間に配線パターンL1、L2、10、9、12を形成したものである。そして、配線パターン9及び12は、基板1Aに取り付けられる磁気センサ2及び5と重なる位置にそれぞれ形成されるものである。
【0022】
一方、図4(b)においては、回路基板1上に図1に示した配線パターンSY、SC及びSYを形成し、回路基板1の裏面に配線パターンL1、L2、10、9、12を形成したものである。そして、この構成においても、配線パターン9及び12は、回路基板1上に取り付けられる磁気センサ2及び5と重なる位置にそれぞれ形成されるものである。
【0023】
しかして、これら図4(a)及び(b)の構成においては以下の効果を有する。即ち、図1及び図2に示した構成では、磁界バイアスを発生する配線パターン9、12が磁気センサ2及び5の下面に接するほど接近して配置されるので極めて大きな磁界を受ける利点があるものの、受ける磁界にばらつきが発生しないようにするためには磁気センサ2或いは5を、配線パターン9、12に正確に並行配置する必要がある。例えば、半田で磁気センサ5を取り付けるような場合、接続ランド6及び7のいずれか一方に他方のランドよりも多くの半田が乗ってしまい半田浮きが発生すると、磁気センサ2は配線パターン12に対して傾斜して取り付けられてしまい、正確な方位測定が出来なくなってしまうものである。
【0024】
これに対して、図4(a)及び(b)に示す構造では、配線パターン12と磁気センサ5との距離が長くなるため、半田浮きに起因する距離の変化率が小さくなり、受ける磁界のバラツキを軽滅して正確な方位測定が可能となるものである。
【0025】
図5及び図6は、更に本発明の他の実施の形態を示しており、図5は平面図、図6は断面図である。尚、図1及び図2と同一構成部には同一記号を付してその詳細な説明は省略する。
【0026】
回路基板40は、図6に示すように基板41と42とからなる多層配線基板であり、基板41の上面には、配線パターンSCに接続された接続ランド6、配線パターンSXに接続された接続ランド7が形成されている。また、配線パターンSCはスルホール43を介して基板42下面に延出され、基板42下面に形成された接続ランド4に接続されている。また、基板42下面の接続ランド4に対向する位置には配線パターンSYから延出された接続ランド3が形成されている。
【0027】
前記接続ランド3、4、6及び7は、接続ランド3と4とを結ぶ線が接続ランド6と7とを結ぶ線に90度の角度で直交するような位置関係となるように形成され、そして、前記接続ランド6及び7にはX軸用の磁気センサ5が取り付けられ、接続ランド3及び4にはY軸用の磁気センサ2が取り付けられる。
【0028】
一方、基板41と42との間には、配線パターンL1とL2とが形成されており、また、これらを接続する複数の並行配線パターン44が前記磁気センサ2及び5に対して45度傾くように形成されている。
【0029】
この構成によれば、複数の並行配線パターン44が磁気センサ2及び5の両方に磁気バイアスを与えることが出来るので、実装面積を小さくすることが出来るものである。
【0030】
図7は、本発明の磁気検出機能付き電子機器の実施の形態として、デジタル表示式腕時計の断面図を示している。
図において、腕時計ケース50の上面には時計ガラス51、下面には裏蓋52が取り付けられており、また、側面には押釦53が設けられている。時計回路基板54の上面には半導体集積回路55が取り付けられており、この半導体集積回路55には、図示していないが基準信号を計数して現在時刻情報を得る時計回路、図3で示したバイアス磁界発生回路21及びセンサ出力出力回路24を含み方位情報を得る方位情報出力回路及びインターコネクタ54を介して現在時刻データや方位データを表示する液晶表示装置55を表示駆動する表示駆動回路等が含まれている。
【0031】
一方、時計回路基板54の下面には、基準信号を発生するための水晶発振回路60、電源用の電池58、59が設けられている。また、時計回路基板54の下面には、図1に示した各種配線パターンと同一の配線パターンが形成され磁気センサ2及び5が取り付けられているものである。
【0032】
この磁気検出機能付き電子機器によれば、磁気センサにコイルを巻く必要がなく磁気センサ2及び5を回路基板に取り付けるだけで磁気センサ2及び5に磁界バイアスを与えることが出来て磁気を検出できるので、腕時計のような電子機器に採用しても機器自体を大型化する必要がないものである。
【0033】
尚、上記の実施の形態では、本発明をデジタル表示式の腕時計に採用した例について述べたが、他の電子機器、例えば、携帯電話やカメラ、ゲーム機等どのような電子機器であっても本発明を適用できるものである
【0034】
【発明の効果】
以上の如く、本発明の磁気検出装置によれば、基板にバイアス磁界発生用の複数の平行配線パターンを形成し、この平行配線パターンが発生するバイアス磁界の範囲内に磁気センサを配置するようにしたので、バイアス磁界発生のために銅線などのコイルを巻く必要がなく極めて小型の磁気検出装置を提供できるものである。
【0035】
また、本発明による磁気検出機能付き電子機器は、電子機器の回路基板にバイアス磁界発生用のパターンを形成し、このパターンが発生するバイアス磁界の範囲内に磁気センサを配置するようにしたので、磁気センサを回路基板に取り付けるだけで磁気の検出が出来、バイアス磁界発生のために銅線などのコイルを巻く必要がなく極めて小型の磁気検出機能を持たせた電子機器を提供出来るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる磁気検出装置の平面図である。
【図2】図1の要部の断面図である。
【図3】図1の磁気検出装置の駆動回路を示した図である。
【図4】本発明の他の実施の形態を示した断面図である。
【図5】本発明の更に他の実施の形態を示した平面図である。
【図6】図5の要部断面図である。
【図7】本発明による磁気検出機能付き電子機器に係わる断面図である。
【符号の説明】
1 回路基板
2,5 磁気センサ
3、4、6、7 接続ランド
9、12 配線パターン
19、20 抵抗パターン
22、23 バイアス磁界の発生領域
24 センサ出力処理回路
Claims (9)
- 両端部が共通接続されたバイアス磁界発生用の複数の平行配線パターンが形成された基板と、
この基板に形成された前記複数の平行配線パターンが発生するバイアス磁界の範囲内に配置された磁気センサと、
を備えたことを特徴とする磁気検出装置。 - 互いに直交する方向にバイアス磁界発生用の第1及び第2のパターンが形成された基板と、
この基板に形成された前記第1及び第2のパターンが発生するバイアス磁界の範囲内にそれぞれ配置された第1及び第2の磁気センサと、
を備えたことを特徴とする磁気検出装置。 - 前記第1及び第2のパターンは、それぞれ両端部が共通接続された複数の平行配線パターンからなることを特徴とする請求項2に記載の磁気検出装置。
- 前記磁気センサには前記パターンと直交する方向に磁気抵抗パターンが形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気検出装置。
- 前記パターンは前記基板の一方側表面に形成され、前記磁気センサは前記基板の他方側表面に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気検出装置。
- 前記基板は複数の基板を重ねた多層基板からなり、前記パターンは前記多層基板の内部に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気検出装置。
- バイアス磁界発生用のパターンが形成された回路基板と、
この回路基板に形成された前記パターンが発生するバイアス磁界の範囲内にそれぞれ配置された第1及び第2の磁気センサと、
前記第1及び第2のパターンにバイアス磁界発生用の信号を供給するバイアス信号供給回路と、
前記磁気センサからの信号を受けて磁気を検出する磁気検出手段と、
を備えたことを特徴とする磁気検出機能付き電子機器。 - 前記回路基板に形成された前記パターンは、互いに直交する方向に形成された第1及び第2のパターンからなり、前記第1及び第2の磁気センサはそれぞれ前記第1及び第2のパターンに対応させて配置されていることを特徴とする請求項7に記載の磁気検出機能付き電子機器。
- 更に、検出された磁気から方位データを得ることを特徴とする請求項7に記載の磁気検出機能付き電子機器。
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-
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- 2002-12-25 JP JP2002374512A patent/JP2004205331A/ja active Pending
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